CN100379051C - 双面板型有机电致发光显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种有机电致发光显示装置包括粘合到一起的第一和第二基板，所述第一和第二基板具有多个象素区，每个象素区包括一个中心部分和位于中心部分两侧的第一和第二部分；在多个象素区各自之内处在第一基板内表面上的一个驱动元件，所述驱动元件设置在中心部分；接触到驱动元件并被设置在第一和第二部分的第一和第二连接电极；第二基板内表面上的第一电极；第一电极上的一个有机电致发光层；以及有机电致发光层上的第二电极，所述第二电极接触到第一和第二连接电极。
Description
本申请要求享有2002年11月13日在韩国递交的P2002-70299号韩国专利申请的权益，在此引用该申请作为参考。
技术领域
本发明涉及有机电致发光显示装置以及有机电致发光显示装置的制造方法，具体涉及一种双面板型有机电致发光显示装置以及一种双面板型有机电致发光显示装置的制造方法。
背景技术
一般的有机电致发光显示(OELD)装置有一个被俗称为阴极的电子输入电极和一个被俗称为阳极的空穴输入电极。电子和空穴分别从阴极和阳极被提供给一个电致发光层，电子和空穴在层中共同形成电子-空穴对。当电子-空穴对从激发态能级降低到基态能级时，OELD装置就会发光。因此，由于OELD装置不需要额外的光源，OELD装置的体积和重量都能缩小。OELD装置的优点还有功耗低、亮度高、响应时间快和重量轻。近来，OELD装置已被广泛应用于移动电信终端、汽车导航系统(CNS)、个人数字助理(PDA)、可携式摄像机和掌上计算机。另外，由于OELD装置的制造工艺简单，生产OELD装置的成本比液晶显示(LCD)装置低。
OELD装置可以按无源矩阵型和有源矩阵型来分类。尽管无源矩阵型OELD装置具有简单的结构并且易于制造，但是需要高功耗并且不适合用于大尺寸显示装置。另外，孔径比会随着电线数量的增加而下降。另一方面，有源矩阵型OELD装置具有高发光效率和高图像显示质量。
图1是按照现有技术的一种OELD装置的截面图。在图1中，OELD装置10具有透明第一基板12、薄膜晶体管阵列部分14、第一电极16、有机电致发光层18、以及第二电极20，其中的薄膜晶体管阵列部分14形成在透明第一基板12上面。第一电极16、有机电致发光层18以及第二电极20形成在薄膜晶体管阵列部分14上方。电致发光层18发射红(R)、绿(G)、蓝(B)色光，并在R、G和B色光的各个象素区“P”内通过对有机材料分别构图而共同形成。第二基板28具有一种湿气吸附干燥剂22。通过在第一和第二基板12和28之间设置一种密封剂26将第一和第二基板12和28粘合到一起就制成了OELD装置10。湿气吸附干燥剂22消除可能会渗入有机ELD10内部的湿气和氧。湿气吸附干燥剂22是通过蚀刻掉第二基板28的一部分，在该第二基板28被蚀刻的部分填充湿气吸附干燥材料，并且用胶带25将湿气吸附干燥剂材料固定而形成的。
图2表示按照现有技术的一种OELD装置中薄膜晶体管阵列部分的平面图。在图2中，在一个基板12上所限定的许多象素区“P”各自包括一个开关元件“TS”、一个驱动元件“TD”和一个存储电容“CST”。可以用两个以上薄膜晶体管(TFT)的组合形成开关元件“TS”和驱动元件“TD”，而基板12用透明材料例如玻璃和塑料形成。沿着第一方向形成栅极线32，沿着与第一方向垂直的第二方向形成数据线34，其中数据线34与栅极线垂直交叉，并在栅极线和数据线32和34之间有一个绝缘层。还要沿着第二方向形成电源线35，并且与数据线34分隔开。
用做开关元件“TS”的TFT有一个开关栅极36、一个开关有源层40、一个开关源极46、和一个开关漏极50。用做驱动元件“TD”的TFT有一个驱动栅极38、一个驱动有源层42、一个驱动源极48、和一个驱动漏极52。开关栅极36电连接到栅极线32，而开关源极46电连接到数据线34。另外，开关漏极50通过接触孔54电连接到驱动栅极38，而驱动源极48通过接触孔56电连接到电源线35。而且，驱动漏极52电连接到象素区“P”内的第一电极16，由电源线35和多晶硅层构成的第一电容电极15形成一个存储电容“CST”。
图3是按照现有技术沿着图2中III-III线的一个截面图。在图3中，在基板12上形成第一绝缘层(即一个缓冲层)14，并且在缓冲层14上形成包括有源层42、栅极38、以及源极和漏极48和52的一个驱动元件(即驱动薄膜晶体管)“TD”。有源层42形成在第一绝缘层14上，并在有源层42和栅极38之间设置第二绝缘层(栅极绝缘层)37。另外，在栅极38与源极和漏极48和52之间设置第三和第四绝缘层39和41。进而在第三和第四绝缘层39和41之间形成电源线35，并且连接到源极48。
在驱动TFT“TD”上方形成第一电极16，并且用第一电极16与驱动TFT“TD”之间的第五绝缘层57连接到驱动TFT“TD”的漏极52。在第一电极16上形成发射特定颜色波长光的有机电致发光(EL)层18，并在有机EL层18上形成第二电极20。这样，在第一电极16上形成第六绝缘层58之后，对第六绝缘层58构图暴露出第一电极16。随后在暴露的第一电极16上依次形成有机EL层18和第二电极20，并将一个包括第一和第二电容电极15和35的存储电容“CST”并联连接到驱动TFT“TD”。源极48接触到第二电容电极35(也就是电源线)，而多晶硅材料制成的第一电容电极15形成在第二电容电极35下面。另外，在已形成驱动TFT“TD”、存储电容“CST”和有机电致发光层18的基板12的整个表面上形成第二电极20。
在这种OELD装置中，TFT阵列部分和有机电致发光二极管形成在第一基板上方，还要将第二基板粘结到第一基板完成封装。然而，如果阵列部分和有机EL二极管是形成在一个基板上，有机ELD的产量就是由TFT的产量和有机发光层的产量之乘积所确定的。由于有机发光层的产量比较低，ELD的产量会受到有机层产量的限制。例如，即使能够制成完美的TFT，采用1000厚度薄膜的OELD装置仍然会由于有机发光层的缺陷而无法接受。这样，原材料的损失就会造成产品成本增加。
按照用来显示图像的发光方向可以按底部发光型和顶部发光型来划分OELD装置。底部发光型OELD装置的优点是封装稳定性高并且工艺灵活性高。然而，底部发光型OELD装置由于其孔径比差而不适合高分辨率装置。另一方面，顶部发光型OELD装置由于其易于设计并具有高孔径比而具有较高的预期使用寿命。然而，在顶部发光型OELD装置中，阴极一般是形成在一个有机发光层上。这样，光透射比和发光效率就会因可供选择的材料有限而有所降低。如果为防止光透射比降低而形成一个薄膜型钝化层，薄膜型钝化层可能无法防止外部空气进入装置。
发明内容
本发明为此提供了一种OELD装置和一种OELD装置的制造方法，能够基本上消除因现有技术的局限和缺点造成的这些问题。
本发明的目的是提供一种双面板型OELD装置，它是通过在单独的基板上形成阵列元件和有机电致发光二极管并连接各个基板而制成的。
本发明的另一目的是提供一种制造双面板型OELD装置的方法，该装置是通过在单独的基板上形成阵列元件和有机电致发光二极管并连接各个基板而制成的。
本发明的再一目的是提供一种能够提高产量，并具有高亮度和高孔径比的OELD装置。
本发明的又一目的是提供一种制造能够提高产量并具有高亮度和高孔径比的双面板型OELD装置的方法。
以下要说明本发明的附加特征和优点，有一些能够从说明书中看出，或者是通过对本发明的实践来学习。采用说明书及其权利要求书和附图中具体描述的结构就能实现并达到本发明的目的和其他优点。
为了按照本发明的意图实现上述目的和其他优点，以下要具体和广泛地说明，一种有机电致发光显示装置，包括粘合到一起的第一和第二基板，第一和第二基板具有多个象素区，每个象素区包括一个中心部分和位于中心部分两侧的第一和第二部分；在多个象素区各自之内处在第一基板内表面上的一个驱动元件，该驱动元件设置在中心部分；接触到驱动元件并设置在第一和第二部分的第一和第二连接电极；第二基板内表面上的第一电极；第一电极上的一个有机电致发光层；以及有机电致发光层上的第二电极，所述第二电极接触到第一和第二连接电极。
按照另一方面，一种有机电致发光显示装置的制造方法，包括在具有多个象素区的第一基板上形成一个驱动元件，每个象素区包括一个中心部分和位于中心部分两侧的第一和第二部分，所述驱动元件设置在中心部分；形成接触到驱动元件的第一和第二连接电极，所述第一和第二连接电极分别被设置在第一和第二部分；在第二基板上形成第一电极；在第一电极上形成一个有机电致发光层；在有机电致发光层上形成第二电极；并将第一和第二基板粘合到一起，使第二电极接触到第一和第二连接电极。
应该意识到以上对本发明的概述和下文的详细说明都是解释性的描述，都是为了进一步解释所要求保护的发明。
附图说明
所包括的用来便于理解本发明并且作为本申请一个组成部分的附图表示了本发明的实施例，连同说明书一起可用来解释本发明的原理。在附图中：
图1是按照现有技术的一种OELD装置的截面图；
图2表示按照现有技术的一种OELD装置中薄膜晶体管阵列部分的平面图；
图3是按照现有技术沿着图2中III-III线的一个截面图；
图4是按照本发明的一例OELD装置的截面示意图；
图5是按照本发明的一例OELD装置中薄膜晶体管阵列部分的平面示意图；
图6A到6D是按照本发明的一例有机电致发光装置的薄膜晶体管阵列部分制造方法中沿图5中VI-VI线的示意性截面图；
图7A到7D是按照本发明的一例有机电致发光装置的薄膜晶体管阵列部分制造方法中沿图5中VII-VII线的示意性截面图；以及
图8A到8C是按照本发明的一例有机电致发光装置中有机电致发光二极管制造方法的示意性截面图。
具体实施方式
以下要具体描述本发明的最佳实施例，在附图中表示了这些例子。
图4是按照本发明的一例OELD装置的截面示意图。在图4中，一个OELD装置99可以包括彼此面对并且由密封剂300粘合到一起的第一和第二基板100和200。第一和第二基板100和200可以包括多个象素区“P”、开关和驱动薄膜晶体管(TFT)“T”、以及在各个象素区“P”内形成在第一基板100内表面上的阵列线(未表示)。尽管没有表示，阵列线可以包括栅极线、数据线、电源线和公共线。
在图4中，第一电极202可以形成在第二基板200的内表面上，并在各个象素区“P”内在第一电极202上形成发射红、绿、蓝色光之一的有机电致发光(EL)层208。还要在各个象素区“P”内的有机EL层208上形成第二电极210。有机EL层208可以包括单层结构或是多层结构。多层结构可以包括具有在第一电极202上的空穴传输层208b、在空穴传输层208b上的发射层208a以及在发射层208a上的电子传输层208c的有机EL层208。
象素区“P”各自包括一个中心部分“C”和围绕中心部分“C”的第一和第二部分“D1”和“D2”，其中可以在中心部分“C”形成驱动TFT“T”。还可以分别在第一和第二部分“D1”和“D2”中形成第一和第二连接电极128a和128b，而第一和第二连接电极128a和128b可以连接到第二电极210。在第一基板100的制造步骤中可以将第一和第二连接电极128a和128b形成在驱动TFT“T”上，或是在第二基板200的制造步骤中将第一和第二连接电极128a和128b形成在第二电极210上。在第一和第二基板100和200被粘合到一起之后，可以通过第一和第二连接电极128a和128b将驱动TFT“T”和第二电极210彼此连接起来。
图5是按照本发明的一例OELD装置中薄膜晶体管阵列部分的平面示意图。在图5中，可以在第一基板100上形成栅极线103、数据线115和电源线114，其中的数据线115和电源线114与栅极线103交叉限定一个象素区“P”。可以在象素区“P”内形成一个驱动薄膜晶体管(TFT)“TD”、一个开关薄膜晶体管(TFT)“TST”和一个存储电容“CST”。驱动TFT“TD”可以包括驱动有源层104、驱动栅极110、以及驱动源极和漏极126和125，而开关TFT“TST”可以包括开关有源层106、开关栅极111、以及开关源极和漏极121和123。存储电容“CST”可以与驱动TFT“TD”并联连接，并且可以使用多晶硅的有源图形107作为第一电容电极并用电源线114作为第二电极。开关源极121可以连接到数据线115，而开关漏极123可以连接到驱动栅极110。
驱动TFT“TD”可以形成在象素区“P”的中心部分上。由此，驱动栅极110可以延伸到开关TFT“TST”并且接触到开关漏极123。驱动漏极125可以包括第一和第二延伸部分125a和125b，而象素区“P”可以以具有驱动TFT“TD”的中心部分为中心划分成第一和第二部分。第一和第二延伸部分125a和125b可以分别形成在第一和第二部分中。尽管图中没有示出，但是，第一和第二延伸部分125a和125b可以分别接触到第一和第二连接电极128a和128b(图4中的)。
图6A至6D是有关本发明的一例有机电致发光装置的薄膜晶体管阵列部分制造方法中沿图5中VI-VI线的示意性截面图，而图7A至7D是有关本发明的另一例有机电致发光装置的薄膜晶体管阵列部分制造方法中沿图5中VII-VII线的示意性截面图。
在图6A和7A中，可以通过在具有象素区“P”的第一基板100上沉积一种无机绝缘材料例如是氮化硅(SiNX)和氧化硅(SiO2)而形成第一绝缘层(即缓冲层)102。可以将象素区“P”划分成一个中心部分“C”和位于中心部分“C”两侧的第一和第二部分“D1”和“D2”，其中可以在中心部分“C”设置一个驱动薄膜晶体管“TD”和一个存储电容“CST”。
然后在第一绝缘层102上形成一个非晶硅(a-Si:H)层(未表示)，并且结晶形成一个多晶硅层(未表示)。接着对多晶硅层构图而形成包括一个沟道区104a以及沟道区104a两侧的源极区和漏极区104b和104c的一个驱动有源层104。同时在第一绝缘层102上形成被用作第一电容电极的一个有源图形107。或是在结晶步骤之前执行脱氢步骤，并且可以用热或光执行结晶步骤。
接着可以在驱动有源层104上沉积一种无机绝缘材料例如是氮化硅(SiNX)和氧化硅(SiO2)而形成第二绝缘层(即栅极绝缘层)108。可以在第一基板100的整个表面上形成第二绝缘层108，无需任何后续蚀刻步骤，或是可以在形成驱动栅极110之后将第二绝缘层108蚀刻成与驱动栅极110具有相同的形状。
接着可以在沟道区104a上方的第二绝缘层108上形成驱动栅极110，并且如图5所示，驱动栅极110可以延伸到开关TFT“TST”。然后可以用杂质例如是硼(B)或磷(P)掺杂有源层104的源极区和漏极区104b和104c。驱动栅极110可以包括的导电金属材料有铝(Al)、铝(Al)合金、铜(Cu)、钨(W)、钽(Ta)和钼(Mo)。
接着可以在驱动栅极110上形成第三绝缘层(即层间绝缘层)112，并在第三绝缘层112上形成电源线114。电源线114可以向驱动漏极(未表示)提供信号并被用作第二电容电极。
在图6B和7B中，可以在电源线114上沉积无机绝缘材料例如是氮化硅(SiNX)和氧化硅(SiO2)或是有机绝缘材料例如是苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂而形成第四绝缘层(即钝化层)116。第四绝缘层116可以包括第一、第二和第三接触孔120、118和122，分别暴露出源极区104b、漏极区104c和电源线114。尽管图中没有表示，还可以同时暴露出开关有源层。
在图6C和7C中，可以在第四绝缘层116上沉积导电金属材料例如是有铝(Al)、铝(Al)合金、铬(Cr)、钨(W)和钼(Mo)并且对其进行构图而形成驱动源极和漏极126和125。驱动漏极125可以通过第一接触孔118连接到漏极区104c，并且可以延伸到第一和第二部分“D1”和“D2”。源极126可以通过第二接触孔120连接到源极区104b，还可以通过第三接触孔122连接到电源线114。尽管图中没有表示，可以在开关有源层上方同时形成开关源极和漏极以及数据线115(图5中)。开关源极可以连接到与电源线114平行的数据线115(图5中)，而开关漏极可以连接到驱动栅极110。另外，驱动漏极125可以包括分别设置在象素区“P”的第一和第二部分“D1”和“D2”中的第一和第二延伸部分125a和125b，其中可以按各种形状形成第一和第二延伸部分125a和125b。
在图6D和7D中，可以在驱动源极和漏极126和125上沉积有机绝缘材料例如是苯并环丁烯(BCB)和丙烯酸树脂而形成具有第一和第二开口部分132a和132b的第五绝缘层130。第一和第二开口部分132a和132b能分别暴露出驱动漏极125的第一和第二延伸部分125a和125b。此外，可以分别在第一和第二延伸部分125a和125b上形成第一和第二连接电极128a和128b，其中在第一和第二基板100和200(图4)粘合到一起之后，第一和第二连接电极128a和128b可以接触到第二电极210(图4)。因此，第一和第二连接电极128a和128b可以包括与第二电极210(图4)相同的材料。或是也可以省略第五绝缘层130。
按照本发明，可以在象素区的中心部分设置一个驱动TFT。另外，第一和第二连接电极可以分别设置在中心部分两侧的第一和第二部分中。这样就能扩大第二电极和驱动漏极之间的连接部分。另外，由于连接部分可以包括两部分(第一和第二连接电极)，能够避免因基板扭曲造成的连接缺陷。
图8A到8C是按照本发明的又一例有机电致发光装置中有机电致发光二极管制造方法的示意性截面图。在图8A中，可以在具有多个象素区“P”的第二基板200上形成第一电极202。第一电极202可以包括透明导电金属材料例如是铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)。
在图8B中，可以在各个象素区“P”内的第一电极202上形成发射红(R)、绿(G)、蓝(B)色光之一的有机电致发光(EL)层204。有机EL层204可以具有单层结构或是多层结构。在多层结构中，有机EL层204可以具有在第一电极202上的空穴传输层204b，在空穴传输层204b上的发射层204a，以及发射层204a上的电子传输层204c。
在图8C中，可以在各个象素区“P”内的有机EL层204上形成第二电极210。第二电极210所包括的单层结构例如是包括铝(Al)、钙(Ca)和镁(Mg)当中的至少一种，或是具有包括氟化锂/铝(LiF/Al)在内的一种多层结构。
接着将通过图6A到8C的制造步骤制得的第一和第二基板100和200粘合到一起就能获得一个OELD装置。
按照本发明的OELD装置的优点在于连接部分可以包括设置在象素区中心部分两侧的第一和第二部分中的两部分(第一和第二连接电极)。这样就能扩大连接部分，并能防止因基板扭曲造成的连接缺陷，从而获得高度可靠性的装置。
另外，由于OELD装置是一种顶部发光型OELD装置，便于设计薄膜晶体管，并且能够获得高分辨率和高孔径比，与下层阵列图形无关。另外，由于可以在单独的基板上形成阵列图形和有机EL二极管，产量和生产管理效率得以改善，并能延长有机EL装置的寿命。
显然，本领域的技术人员无需脱离本发明的原理和范围还能对本发明的有机电致发光装置及其制造方法作出各种各样的修改和变更。因此，本发明的意图是要覆盖权利要求书及其等效物范围内的修改和变更。
Claims (21)
1.一种有机电致发光显示装置，包括：
粘合到一起的第一和第二基板，所述第一和第二基板具有多个象素区，每个象素区包括一个中心部分和位于中心部分两侧的第一和第二部分；
在多个象素区的每个象素区内的第一基板内表面上的一个驱动元件，所述驱动元件设置在中心部分；
接触到驱动元件并设置在第一和第二部分的第一和第二连接电极；
第二基板内表面上的第一电极；
第一电极上的一个有机电致发光层；以及
有机电致发光层上的第二电极，
其中，第二电极接触到第一和第二连接电极。
2.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，驱动元件包括具有驱动有源层、驱动栅极、驱动源极和驱动漏极的一个薄膜晶体管。
3.按照权利要求2所述的装置，其特征在于，驱动漏极包括处在第一部分的第一延伸部分和处在第二部分的第二延伸部分。
4.按照权利要求3所述的装置，其特征在于，第一和第二连接电极分别接触到第一和第二延伸部分。
5.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括通过一个电容连接到驱动元件的一个开关元件。
6.按照权利要求5所述的装置，其特征在于，开关元件包括连接到栅极线的栅极、连接到数据线的源极、以及连接到电容的第一电极的一个漏极。
7.按照权利要求6所述的装置，其特征在于，驱动元件包括连接到电容的第二电极的一个源极。
8.按照权利要求6所述的装置，其特征在于，开关元件的漏极被连接到驱动元件的栅极。
9.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，第一电极是向有机电致发光层注入空穴的阳极，而第二电极是向有机电致发光层注入电子的阴极。
10.按照权利要求9所述的装置，其特征在于，第一电极包括铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)当中的一种。
11.按照权利要求9所述的装置，其特征在于，第二电极包括至少一种铝(Al)、钙(Ca)、镁(Mg)和锂(Li)。
12.按照权利要求1所述的装置，其特征在于，有机电致发光层包括一个空穴传输层和一个电子传输层。
13.一种制造有机电致发光显示装置的方法，包括：
在具有多个象素区的第一基板上形成一个驱动元件，每个象素区包括一个中心部分和位于中心部分两侧的第一和第二部分，所述驱动元件设置在中心部分；
形成接触到驱动元件的第一和第二连接电极，所述第一和第二连接电极分别设置在第一和第二部分；
在第二基板上形成第一电极；
在第一电极上形成一个有机电致发光层；
在有机电致发光层上形成第二电极；以及
将第一和第二基板粘合到一起，使第二电极接触到第一和第二连接电极。
14.按照权利要求13所述的方法，其特征在于形成驱动元件包括形成一个驱动有源层、形成一个驱动栅极、以及形成驱动源极和漏极。
15.按照权利要求14所述的方法，其特征在于，驱动漏极包括处在第一部分的第一延伸部分和处在第二部分的第二延伸部分。
16.按照权利要求15所述的方法，其特征在于，第一和第二连接电极分别接触到第一和第二延伸部分。
17.按照权利要求13所述的方法，其特征在于，还包括形成连接到驱动元件的一个开关元件。
18.按照权利要求13所述的方法，其特征在于，第一电极是向有机电致发光层注入空穴的阳极，而第二电极是向有机电致发光层注入电子的阴极。
19.按照权利要求18所述的方法，其特征在于，第一电极包括铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)当中的一种。
20.按照权利要求18所述的方法，其特征在于，第二电极包括至少一种铝(Al)、钙(Ca)、镁(Mg)和锂(Li)。
21.按照权利要求13所述的方法，其特征在于，有机电致发光层包括一个空穴传输层和一个电子传输层。
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| KR100603836B1 (ko) * | 2004-11-30 | 2006-07-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
| US20070290196A1 (en) * | 2005-07-08 | 2007-12-20 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method for manufacturing the organic light emitting display device |
| DE102005032741A1 (de) * | 2005-07-08 | 2007-01-18 | Samsung Sdi Germany Gmbh | OLED-Bauelement, Aktiv-Matrix-OLED-Display und Verfahren zu deren Herstellung |
| CN100438066C (zh) * | 2005-12-22 | 2008-11-26 | 友达光电股份有限公司 | 双面显示装置 |
| JP5090856B2 (ja) * | 2007-10-30 | 2012-12-05 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 有機ｅｌ表示装置 |
| KR20140022683A (ko) * | 2012-08-14 | 2014-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102236381B1 (ko) * | 2014-07-18 | 2021-04-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
| KR102305711B1 (ko) * | 2014-12-05 | 2021-09-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시장치 및 그 밀봉방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1237258A (zh) * | 1997-07-02 | 1999-12-01 | 精工爱普生株式会社 | 显示装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6091194A (en) * | 1995-11-22 | 2000-07-18 | Motorola, Inc. | Active matrix display |
| JP3530362B2 (ja) * | 1996-12-19 | 2004-05-24 | 三洋電機株式会社 | 自発光型画像表示装置 |
| JPH10333601A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-18 | Canon Inc | エレクトロ・ルミネセンス素子及びその製造法 |
| US6175345B1 (en) * | 1997-06-02 | 2001-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof |
| JP2000227770A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーｅｌ表示装置 |
| JP2001117509A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-27 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機ｅｌ表示装置 |
| KR100365519B1 (ko) * | 2000-12-14 | 2002-12-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법 |
| US6777870B2 (en) * | 2001-06-29 | 2004-08-17 | Intel Corporation | Array of thermally conductive elements in an oled display |
| US20030127972A1 (en) * | 2002-01-05 | 2003-07-10 | Cheng-Xian Han | Dual-panel active matrix organic electroluminscent display |
| KR20030086165A (ko) * | 2002-05-03 | 2003-11-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
| KR100479002B1 (ko) * | 2002-09-04 | 2005-03-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
| EP1469450A1 (en) * | 2003-04-18 | 2004-10-20 | Barco N.V. | Organic light-emitting diode display assembly for use in a large-screen display |
-
2002
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-
2003
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Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1237258A (zh) * | 1997-07-02 | 1999-12-01 | 精工爱普生株式会社 | 显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20040042139A (ko) | 2004-05-20 |
| US6982524B2 (en) | 2006-01-03 |
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| KR100489591B1 (ko) | 2005-05-16 |
| US20040090173A1 (en) | 2004-05-13 |
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| CP01 | Change in the name or title of a patent holder |
Address after: Seoul, South Kerean Patentee after: LG DISPLAY Co.,Ltd. Address before: Seoul, South Kerean Patentee before: LG.Philips LCD Co.,Ltd. |
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| CX01 | Expiry of patent term | ||
| CX01 | Expiry of patent term |
Granted publication date: 20080402 |