CN1237258A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明的目的是提供一种可以利用在衬底上限定有机半导体膜的形成区域用的隔挡层防止在数据线或驱动电路内产生寄生电容的显示装置。当在象素区域(7)内形成用于构成电致发光元件或LED元件之类的发光元件的有机半导体膜时,在其周围形成看由黑色的抗蚀剂构成的隔挡层(bank)。在向象素区域7的第1TFT(20)及保持电容(cap)供给图象信号的数据线(sig)和对置电极(op)之间,也形成该隔挡层(bank),用以防止在数据线(Sig)内产生寄生电容。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及利用薄膜晶体管(以下，称TFT)驱动和控制当驱动电流流过有机半导体膜时发光的EL(电致发光)元件或LED(发光二极管)元件等发光元件的有源矩阵型显示装置。更详细地说，是涉及用于改进其显示特性的最佳配置技术。
背景技术
现已提出采用EL元件或LED元件等电流控制型发光元件的有源矩阵型显示装置。在这种类型的显示装置中采用的发光元件，本身都具有发光能力，所以，与液晶显示装置不同，不需要背照光，并具有视角依赖性小等优点。
在图13中，作为这种显示装置的一例，示出采用了电荷注入型有机薄膜EL元件的有源矩阵型显示装置的框图。在该图所示的显示装置1A的结构中，在透明衬底上，形成多条扫描线gate、在与该扫描线gate的延伸方向交叉的方向上延伸的多条数据线sig、与该数据线sig并列配置的多条公用供电线com、及与数据线sig和扫描线gate的交叉点对应的象素区域7。对数据线sig，构成备有移位寄存器、电平移位器、视频线、模拟开关的数据侧驱动电路3。对扫描线，构成备有移位寄存器及电平移位器的扫描侧驱动电路4。此外，在各象素区域7内，构成通过扫描线在栅电极上供给扫描信号的第1TFT20、用于保持从数据线sig通过该第1TFT20供给的图象信号的保持电容cap、在栅电极上供给由保持电容cap保持的图象信号的第2TFT30、当通过第2TFT30与公用供电线com电气连接时从公用供电线com流入驱动电流的发光元件40。
即，如图14(A)、(B)所示，在任何一个象素区域内，都利用2个岛状的半导体膜形成第1TFT20及第2TFT30，第2TFT30的源、漏区中的一个，通过第1层间绝缘膜51上的接触孔与中继电极35电气连接，象素电极41与该中继电极35电气连接。在该象素电极41的上层侧，层叠着空穴注入层42、有机半导体膜43、对置电极op。这里，对置电极op，在多个象素区域7的范围上横跨着数据线sig等形成。
第2TFT30的源、漏区中的另一个，通过接触孔与公用供电线com电气连接。与此不同，在第1TFT20中，与其源、漏区中的一个电气连接的电位保持电极st，与栅电极31的延伸部分310电气连接。半导体膜400，在其下层侧，隔着栅绝缘膜50与延伸部分310相对，该半导体膜400，通过对其掺入杂质而呈现导电性，所以与延伸部分310及栅绝缘膜50一起构成构成保持电容cap。其中，公用供电线com，通过第1层间绝缘膜51上的接触孔与半导体膜400电气连接。因此，保持电容cap，保持从数据线sig通过第1TFT20供给的图象信号，所以即使第1TFT20截止，第2TFT30的栅电极31也仍保持在与图象信号相当的电位上。其结果是，驱动电流从公用供电线com持续地流入发光元件40，因而使发光元件40可以持续地发光。
但是，在上述显示装置中，与液晶显示装置不同，与象素电极41相对的对置电极op，在同一透明衬底10上，在其整个表面、或在多个象素区域7的范围上形成，所以，在对置电极op与数据线sig之间只有第2层间绝缘膜52。因此，在数据线sig内将会产生大的寄生电容，从而在现有的显示装置的情况下，使数据线sig承担着大的负荷。由于在形成对置电极op时使其与数据侧驱动电路3和扫描侧驱动电路4的表面侧重叠，所以也将引起同样的问题，即，由于在驱动电路内形成的配线层与对置电极之间存在着大的寄生电容，所以将造成使数据侧驱动电路3的负荷大的问题。
这里，本发明人对由喷墨头喷出的液状材料在规定区域形成有机半导体膜的情况进行了研究，同时还对在利用该方法形成有机半导体膜时为防止有机半导体膜从侧面超出范围而用由抗蚀剂等构成的隔挡层包围有机半导体膜的形成区域的情况进行了研究。本发明人提出了利用上述结构等解决上述问题的方案。
即，本发明的目的在于，提供一种可以利用在衬底上限定有机半导体膜的形成区域用的隔挡层防止在数据线和驱动电路内产生寄生电容的显示装置。
发明的公开
为解决上述课题，在本发明中提供一种显示装置，在衬底上，具有多条扫描线、在与该扫描线的延伸方向交叉的方向上延伸的多条数据线、与该数据线并列配置的多条公用供电线、及由上述数据线和上述扫描线按矩阵状形成的象素区域，在该各象素区域内，具有通过上述扫描线在栅电极上供给扫描信号的第1TFT、用于保持从上述数据线通过该第1TFT供给的图象信号的保持电容、在栅电极上供给由该保持电容保持的上述图象信号的第2TFT、及发光元件，该发光元件在上述每个象素区域内形成的象素电极和横跨上述数据线并与多个上述象素电极对应的对置电极的层间备有当上述象素电极通过上述第2薄膜晶体管与上述公用供电线电气连接时借助于在上述象素电极和上述对置电极之间流过的驱动电流而发光的有机半导体膜，该显示装置的特征在于：上述有机半导体膜中的发光区域，被由厚度大于上述有机半导体膜的绝缘膜构成的隔挡层包围，同时，在结构上使该隔挡层覆盖上述数据线的至少一部分。
在本发明中，对置电极，至少在象素区域的整个表面、或在一个宽的区域上按条纹状形成，并处在与数据线相对的状态。因此，在这种状态下，对数据线将会寄生大的电容。然而，在本发明中，在数据线与对置电极之间夹有隔挡层，所以能够防止在与对置电极之间形成的电容寄生在数据线内。其结果是，可以减低数据线驱动电路的负荷，并能降低耗电量或使显示动作高速化。
在本发明中，在上述衬底上，有时与上述多个象素区域一起形成对上述数据线输出上述图象信号的第1驱动电路、或对上述扫描线输出上述扫描信号的第2驱动电路。如这种驱动电路的形成区域也与上述对置电极彼此相对，则在驱动电路内形成的配线层中也将会寄生大的电容。然而，在本发明中，由于驱动电路也由隔挡层覆盖，所以能够防止在与对置电极之间形成的电容寄生在驱动电路内。其结果是，可以减低驱动电路的负荷，并能降低耗电量或使显示动作高速化。
在本发明中，上述有机半导体膜，例如是用喷墨法在由上述隔挡层包围的区域内形成的膜，上述隔挡层，是在用喷墨法形成上述有机半导体膜时用于防止其超出范围的防水性膜。此外，从防止上述有机半导体膜超出范围的观点出发，上述隔挡层，可以由1μm以上的膜厚构成，在这种情况下，即使上述有机半导体膜不是防水性的，该隔挡层仍能起到间隔壁的作用。
在本发明中，上述象素电极形成区域中与上述第1TFT和上述第2TFT重叠的区域最好也由上述隔挡层覆盖。在本发明中，在象素电极形成区域中与上述第1TFT的形成区和上述第2TFT的形成区重叠的区域内，即使例如在与对置电极之间流过驱动电流而使有机半导体膜发光，该光也被第1TFT或第2TFT遮挡，因而对显示不起作用。在这种对显示不起作用的部分上流过有机半导体膜的驱动电流，从显示的角度看，可称作无功电流。因此，在本发明中，在若是以往本应流过这种无功电流的部分上形成隔挡层，以防止驱动电流流过该部分。其结果是，可以减小流过公用供电线的电流，因此，如相应地减小公用供电线的宽度，则作为其结果可以使发光面积相应地增加，并能使亮度、对比度等显示性能得到改进。
在本发明中，上述隔挡层最好由黑色的抗蚀膜构成，将其用作黑底，以提高显示的品位。即，在本发明的显示装置中，如使对置电极至少在象素区域的整个表面、或在一个宽的区域上按条纹状形成，则来自对置电极的反射光将使对比度降低。然而，在本发明中，由于用黑色的抗蚀剂构成了还担负着防止寄生电容的功能的隔挡层，所以也起着作为黑底的作用。因此，来自对置电极的反射光被隔挡层遮挡，因而使对比度提高。
在本发明中，在公用供电线上流过用于驱动各象素的发光元件的驱动电流，所以流过的电流比数据线大。因此，在本发明中，最好是使上述公用供电线的每单位长度的电阻值小于上述数据线的每单位长度的电阻值，从而增大其电流容量。例如，当上述公用供电线和上述数据线的材料及膜厚相同时，使上述公用供电线的线宽大于上述数据线的线宽。
在本发明中，最好是将与上述公用供电线之间进行上述驱动电流的通电的象素区域配置在该公用供电线的两侧，并使上述数据线相对于该象素区域而在与上述公用供电线相对的一侧通过。即，将数据线、与其连接的象素群、1条公用供电线、与其连接的象素群、及向该象素群供给象素信号的数据线作为一个单位，并将其沿着扫描线的延伸方向反复配置，当采用这种结构时，对2列的象素，只需用1条公用供电线即可。因此，与对每1列象素群形成公用供电线的情况相比，可以减小公用供电线的形成区域，因此，可以相应地使发光面积增加，并能使亮度、对比度等显示性能得到改进。
另外，当采用上述结构时，由于使2条数据线并列配置，所以在这2条数据线之间有可能发生串扰。因此，在本发明中，最好在与2条数据线之间相当的位置上形成配线层。当采用这种结构时，由于在2条数据线之间配置着与其不同的配线层，所以，只须在图象的至少一个水平扫描周期中使上述配线层保持固定电位，即可防止发生上述的串扰。
在本发明中，如果用喷墨法形成上述有机半导体膜，则在沿着上述扫描线的延伸方向邻接的任何象素区域之间最好使上述有机半导体膜的形成区域的中心距都相等。当采用这种结构时，只须将上述有机半导体膜的材料沿着扫描线的延伸方向按等间隔的位置从喷墨头喷出即可，所以能以简单的方式实现位置控制机构，同时使位置精度提高。
附图的简单说明
图1是示意地表示应用了本发明的显示装置及在该显示装置中形成的隔挡层的形成区域的说明图。
图2是应用了本发明的显示装置的框图。
图3是将应用了本发明的显示装置的象素区域放大后示出的平面图。
图4是图3中的A-A’线断面图。
图5是图3中的B-B’线断面图。
图6(A)是图3中的C-C’线断面图，图6(B)是没有将隔挡层的形成区域扩展到覆盖中继电极的结构的断面图。
图7是表示在图1所示显示装置中使用的发光元件的Ⅰ-Ⅴ特性的曲线图。
图8是表示应用了本发明的显示装置的制造方法的工序断面图。
图9是表示图1所示显示装置的改进例的框图。
图10(A)是表示在图9所示显示装置中形成的隔离配线层的断面图，图10(B)是其平面图。
图11是表示图1所示显示装置的变形例的框图。
图12(A)是将在图11所示显示装置中形成的象素区域放大后示出的平面图，图12(B)是其断面图。
图13是现有的显示装置的框图。
图14(A)是将在图13所示显示装置中形成的象素区域放大后示出的平面图，图14(B)是其断面图。
1    --显示装置
2    --显示部
3    --数据侧驱动电路(第1驱动电路)
4    --扫描侧驱动电路(第2驱动电路)
5    --检查电路
6    --安装焊接点
7    --象素区
10    --透明衬底
20    --第1TFT
21    --第1TFT的栅电极
30    --第2TFT
31    --第2TFT的栅电极
40    --发光元件
41    --膜象素电极
42    --空穴注入层
43    --有机半导体膜
50    --栅绝缘膜
51    --第1层间绝缘膜
52    --第2层间绝缘膜
DA    --隔离配线层
dank  --隔挡层
cap   --保持电容
cline --电容线
com   --公用供电线
gate  --扫描线
op    --对置电极
sig   --数据线
st    --电位保持电极
用于实施发明的最佳形态
参照附图说明本发明的实施形态。
(有源矩阵衬底的总体结构)
图1是示意地表示显示装置的总体配置的框图。
如该图所示，在本形态的显示装置1中，作为其基础构件的透明衬底10的中央部分，构成显示部2。在透明衬底10的外周部分中，在数据线sig的两端，构成输出图象信号的数据侧驱动电路3(第1驱动电路)及检查电路5，在扫描线gate的两端，构成输出扫描信号的扫描侧驱动电路4(第2驱动电路)。在这2个驱动电路3、4中，由N型TFF和P型TFT构成互补型TFT，该互补型TFT，构成移位寄存器、电平移位器、模拟开关等。另外，在透明衬底10上，在靠数据侧驱动电路3外侧的外周区域内，形成用作输入图象信号、各种电位、及脉冲信号用的端子群的安装焊接点6。
在按上述方式构成的显示装置1中，与液晶显示装置的有源矩阵衬底一样，在透明衬底10上，构成多条扫描线gate、在与该扫描线gate的延伸方向交叉的方向上延伸的多条数据线sig，并构成由该数据线sig和扫描线gate按矩阵状形成的多个象素区域7。
如图2所示，在该象素区域7的任何一个内，都构成通过扫描线gate在栅电极21(第1栅电极)上供给扫描信号的第1TFT20。该第1TFT20的源、漏区中的一个，与数据线sig电气连接，而另一个则与电位保持电极st电气连接。电容线cline与扫描线gate并列配置，并在该电容线cline与电位保持电极st之间形成保持电容cap。因此，当由扫描信号选择而使第1TFT20变为导通状态时，将图象信号从数据线sig通过第1TFT20写入保持电容cap。
第2TFT30的栅电极31(第2栅电极)与电位保持电极st电气连接。第2TFT30的源、漏区中的一个，与公用供电线com电气连接，而另一个则与发光元件40的一个电极(后文所述的象素电极)电气连接。公用供电线com保持在固定电位。因此，当第2TFT30变为导通状态时，公用供电线com的电流通过第2TFT30流入发光元件40，从而使发光元件40发光。
但是，在本形态中，具有在与公用供电线com之间供给驱动电流的发光元件40的象素区域7，配置在该公用供电线com的两侧，并使2条数据线sig相对于该象素区域7而在与上述公用供电线com相对的一侧通过。即，将数据线sig、与其连接的象素群、1条公用供电线com、与其连接的象素群、及向该象素群供给象素信号的数据线sig作为一个单位，并将其沿着扫描线gate的延伸方向反复配置，公用供电线com，用1条对2列的象素供给驱动电流。因此，与对每1列象素群形成公用供电线com的情况相比，可以减小公用供电线com的形成区域，并能使发光面积增加，因而能提高亮度、对比度等显示性能。另外，在这种结构中，使2列象素连接于1条公用供电线com，所以，可以在每2条数据线sig并列配置的状态下对各列的象素群供给图象信号。
(象素区域的结构)
参照图3～图6(A)，详细说明按如上方式构成的显示装置1的各象素区域7的结构。
图3是将在本形态的显示装置1中形成的多个象素区域7中的3个象素区域7放大后示出的平面图，图4、图5、及图6(A)，分别为其A-A’线的断面图、B-B’线的断面图、及C-C’线的断面图、
首先，如图4所示，在与图3的A-A’线相当的位置，在透明衬底10上，在各象素区域7内形成用于形成第1TFT20的岛状硅膜200，并在其表面上形成栅绝缘膜50。并且，在栅绝缘膜50的表面上形成栅电极21，并相对于该栅电极21形成以自调整方式掺入了高浓度杂质的源、漏区22、23。在栅绝缘膜50的表面侧，形成第1层间绝缘膜51，并使数据线sig及电位保持电极st分别通过在该层间绝缘膜上形成的接触孔61、62与源、漏区22、23电气连接。
在与扫描线gate及栅电极21相同的层间(栅绝缘膜50和第1层间绝缘膜51之间)形成电容线cline，使其在各象素区域7内与扫描线gate并列配置，相对于该电容线cline并隔着第1层间绝缘膜51与电位保持电极st的延伸部分st1重叠。因此，电容线cline与电位保持电极st的延伸部分st1，构成以第1层间绝缘膜51为电介质膜的保持电容cap。另外，在电位保持电极st及数据线sig的表面侧形成第2层间绝缘膜52。
如图5所示，在与图3的B-B’线相当的位置，在透明衬底10上形成的第1层间绝缘膜51及第2层间绝缘膜52的表面上，形成2条与各象素区域7对应的处于并列状态数据线sig。
如图6(A)所示，在与图3的C-C’线相当的位置，在透明衬底10上形成用于形成第2TFT30的岛状硅膜300，使其横跨中间隔着公用供电线com的2个象素区域7，并在其表面上形成栅绝缘膜50。并且，在栅绝缘膜50的表面上，在各象素区域7内分别形成栅电极31，使其中间隔着公用供电线com，并相对于该栅电极31形成以自调整方式掺入了高浓度杂质的源、漏区32、33。在栅绝缘膜50的表面侧，形成第1层间绝缘膜51，并使中继电极35通过在该层间绝缘膜上形成的接触孔63与源、漏区62电气连接。另一方面，使公用供电线com通过第1层间绝缘膜51上的接触孔64与位于硅膜300中央的在2个象素区域7内用作公用源、漏区33的部分电气连接。在该公用供电线com及中继电极35的表面上形成第2层间绝缘膜52。在第2层间绝缘膜52的表面上形成由IT0膜构成的象素电极41。该象素电极41，通过在第2层间绝缘膜52上形成的接触孔65与中继电极35电气连接，并通过中继续电极35与第2TFT30的源、漏区32电气连接。
这里，象素电极41构成发光元件40的一个电极。即，在象素电极41的表面上，层叠空穴注入层42及有机半导体膜43，进一步，在有机半导体膜43的表面上，形成由含锂的铝、钙等金属膜构成的对置电极op。该对置电极op，是至少在象素区域41的整个表面、或按条纹状形成的公用电极，并保持在一定的电位上。
在按上述方式构成的发光元件40中，将对置电极op及象素电极41分别作为正极和负极并施加电压，如图7所示，在施加电压超过了阈值电压的区域，流过有机半导体膜43的电流(驱动电流)急剧增大。其结果是，发光元件40作为电致发光元件或LED元件而发光，发光元件40的光，由对置电极op反射，并透过透明的象素电极41及透明衬底10射出。
这种用于进行光发射的驱动电流，流过由对置电极op、有机半导体膜43、空穴注入孔42、象素电极41、第2TFT30、及公用供电线com构成的电流路径，所以，当第2TFT30变为截止状态时，停止流动。但是，在本形态的显示装置1中，当由扫描信号选择而使第1TFT20变为导通状态时，将图象信号从数据线sig通过第1TFT20写入保持电容cap。因此，即使第1TFT20变为截止状态，第2TFT30的栅电极也由保持电容cap保持与图象信号相当的电位，所以使第2TFT30仍保持导通状态。因此，使驱动电流继续流入发光元件40，并使其象素保持点亮状态。这种状态，一直保持到有新的图象数据写入保持电容cap并使第2TFT30变为截止状态为止。
(显示装置的制造方法)
在按上述方式构成的显示装置1的制造方法中，从开始到在透明衬底10上制作第1TFT20及第2TFT30的工序，与液晶显示装置1的有源矩阵衬底的制作工序大致相同，所以，参照图8对其进行概括的说明。
图8是示意地表示显示装置1的各构成部分的形成过程的工序断面图。
即，如图8(A)所示，根据要求以TEOS(四乙氧基硅烷)和氧气等为原料气体并利用等离子体CVD法对透明衬底10形成由厚度约为2000～5000埃的氧化硅膜构成的底层保护膜(图中为示出)。接着，将衬底的温度设定为约350℃，并用等离子体CVD法在底层保护膜的表面上形成由厚度约为300～700埃的非晶形硅膜构成的半导体膜100。然后，对由非晶形硅膜构成的半导体膜100进行激光退火或固相生长法等结晶化工序，使半导体膜100结晶为多晶硅膜。在激光退火法中，例如，可采用由受激准分子激光器发射的光束长度尺寸为400mm的直线光束，其输出强度例如为200mJ/cm2。就直线光束而言，在以该直线光束进行扫描时，应使其宽度方向上的与激光强度峰值的90％相当的部分覆盖各个区域。
其次，如图8(B)所示，对半导体膜100进行图案制作，从而形成岛状的半导体膜200、300，并以TEOS(四乙氧基硅烷)和氧气等为原料气体、利用等离子体CVD法在其表面上形成由厚度约为600～1500埃的氧化硅膜或氮化硅构成的栅绝缘膜50。
接着，如图8(C)所示，用溅射法形成由铝、钽、钼、钛、钨等金属膜构成的导电膜，然后，进行图案制作，形成栅电极21、31(栅电极形成工序)。在该工序中，还形成扫描线gate及电容线cline。此外，图中的310，是栅电极31的延伸部分。
在该状态下，通过注入高浓度的磷离子，以自调整的方式在硅薄膜200、300内形成与栅电极21、31相对的源、漏区22、23、32、33。而没有掺入杂质的部分，构成沟道区27、37。
下一步，如图8(D)所示，在形成第1层间绝缘膜51后，形成接触孔61、62、63、64、69，并形成数据线sig、备有与电容线cline和栅电极31的延伸部分310重叠的延伸部分st1的电位保持电极st、公用供电线com、及中继电极35。其结果是，电位保持电极st，通过接触孔69及延伸部分310与栅电极31电气连接。按照这种方式，即可形成第1TFT20和第2TFT30。另外，由电容线cline与电位保持电极st的延伸部分st1形成保持电容cap。
然后，如图8(E)所示，形成第2层间绝缘膜52，并在该层间绝缘膜上在与中继电极35相当的部分形成接触孔65。接着，在第2层间绝缘膜52的整个表面上形成ITO膜后，进行图案制作，形成通过接触孔65与第2TFT30的源、漏区32电气连接的象素电极41。
下一步，如图8(F)所示，在第2层间绝缘膜52的表面侧形成黑色的抗蚀层后，留下该抗蚀剂形成隔挡层bank，使其包围形成发光元件40的空穴注入层42及有机半导体膜43从而可构成发光区域的整个区域。其中，有机半导体膜43，在对每个象素独立地例如按盒状形成、或沿数据线sig按条纹状形成等任何情况下，都只须采用本形态的制造方法形成形状与之对应的隔挡层bank即可。
接着，从喷墨头IJ对隔挡层bank的内侧区域喷射用于构成空穴注入层42的液状材料(前体)，并在隔挡层bank的内侧区域形成空穴注入层42。同样，从喷墨头IJ对隔挡层bank的内侧区域喷射用于构成有机半导体膜43的液状材料(前体)，并在隔挡层bank的内侧区域形成有机半导体膜43。这里，由于隔挡层bank由抗蚀剂构成，所以具有防水性。与此不同，有机半导体膜43的前体采用亲水性的溶剂，所以有机半导体膜43的涂敷区域由隔挡层bank可靠地限定，使其不会超出范围而延伸到邻接的象素。因此，可以使有机半导体膜43等只在规定的区域内形成。但是，如果预先使由隔挡层bank构成的间隔壁为1μm左右的高度，则即使隔挡层bank不具有防水性，隔挡层bank也能充分地起到间隔壁的作用。在形成隔挡层bank后，即使空穴注入层42及有机半导体膜43不是用喷墨法而是用涂敷法形成时，也仍能限定其形成区域。
这样，在用喷墨法形成有机半导体膜43及空穴注入层42的情况下，为提高其工作效率，如图3所示，在本形态中，在沿着扫描线gate的延伸方向邻接的任何象素区域7之间，使上述有机半导体膜43的形成区域的中心距P都相等。因此，如箭头Q所示，只须将有机半导体膜43的材料等沿着扫描线gatc的延伸方向按等间隔的位置从喷墨头IJ喷出即可，所以具有工作效率高的优点。另外，由于喷墨头IJ可等间距地移动，所以，使喷墨头IJ的移动机构变得简单，且易于提高喷墨头IJ的喷射精度。
然后，如图8(G)所示，在透明衬底10的整个表面上、或按条纹状形成对置电极op。因隔挡层bank由黑色的抗蚀剂构成，所以，如下文所述，保持其原有状态即可用作黑底BM及减低寄生电容用的绝缘层。
在图1所示的数据侧驱动电路3和扫描侧驱动电路4中也形成TFT，这些TFT可以引用在上述象素区域7内形成TFT时的全部或一部分工序形成。因此，构成驱动电路的TFT，也可以在与象素区域7的TFT相同的层间形成。
另外，上述第1TFT20及第2TFT30，可以两个都是N型、两个都是P型、或者一个是N型而另一个是P型，无论是上述哪一种组合，都可以用众所周知的方法形成TFT，所以其说明省略。
作为发光元件40，有时将空穴注入层42省去，尽管这将使发光效率(空穴注入率)稍有降低。此外，有时还代替空穴注入层42而在与空穴注入层42相反的一侧对有机半导体膜43形成电子注入层，在某些情况下，空穴注入层42和电子注入层，也可以两者都形成。
(隔挡层的形成区域)
在本形态中，在图1所示的透明衬底10的整个周边区域上形成上述隔挡层bank(在形成区域上画有斜线)。因此，数据侧驱动电路3和扫描侧驱动电路4，都被隔挡层bank覆盖。所以，即使是在对置电极op重叠于两个驱动电路的形成区的状态下，在驱动电路的配线层与对置电极op之间也存在着隔挡层bank。因此，由于能够防止在驱动电路3、4内产生寄生电容，所以，可以减低驱动电路3、4的负荷，并能降低耗电量或使显示动作高速化。
另外，在本形态中，如图3～图5所示，形成有覆盖数据线sig的隔挡层bank。因此，在数据线sig与对置电极op之间存在着隔挡层bank，所以能防止在数据线sig内产生寄生电容。其结果是，可以减低数据侧驱动电路3的负荷，因而能降低耗电量或使显示动作高速化。
进一步，在本形态中，如图3、图4和图6(A)所示，在象素电极41的形成区域中与中继电极35重叠的区域上也形成着隔挡层bank。如图6(B)所示，例如在与中继电极35重叠的区域上没有设置隔挡层bank，则即使与对置电极op之间流过驱动电流而使有机半导体膜43发光，该光也被封挡在中继电极35与对置电极op之间而不能向外部射出，因而对显示不起作用。在这种对显示不起作用的部分上流过的驱动电流，从显示的角度看，可称作无功电流。然而，在本形态中，在若是以往本应流过这种无功电流的部分上形成隔档层bank，以防止驱动电流流过该部分，所以，可以防止无功电流流过公用供电线com。因此，可以相应地减小公用供电线com的宽度，
例如，在本形态中，在公用供电线com上，与数据线sig不同，要求流过用于驱动发光元件40的大的电流，而且对2列象素供给驱动电流。因此，对公用供电线com来说，虽然以与数据线sig相同的材料构成，但将其线宽设定得大于数据线sig的线宽，所以公用供电线com的每单位长度的电阻值，小于数据线sig的每单位长度的电阻值。因此，在本形态中，通过抑制上述无功电流流过公用供电线com，可以将公用供电线com的线宽减小到所需要的最低限度的线宽，所以，可以使象素区域7的发光面积增加，并能使亮度、对比度等显示性能得到改进。
另外，当以如上所述的方式形成隔挡层bank时，可将隔挡层bank用作黑底，并能提高对比度等显示的品位。即，在本形态的显示装置1中，在透明衬底10的表面侧，使对置电极op在象素区域7的整个表面、或在一个宽的区域上按条纹状形成，所以来自对置电极op的反射光将使对比度降低。然而，在本形态中，由于用黑色的抗蚀剂构成了担负着防止寄生电容的功能的隔挡层bank，所以隔挡层bank还起着黑底的作用并遮挡来自对置电极op的反射光，因而使对比度提高。
[上述形态的改进例]
在上述形态中，在公用供电线com的两侧分别配置与该公用供电线com之间有驱动电流流动的象素区域7，并使2条数据线sig相对于该象素区域7而在与上述公用供电线相对的一侧并列通过。所以，在2条数据线sig之间有可能发生串扰。因此，如图9、图10(A)、(B)所示，在本形态中，在与2条数据线sig之间相当的位置上形成隔离配线层DA。作为该隔离配线层DA，例如，可以利用与象素电极41同时形成的ITO膜DA1。此外，也可以构成从电容线cline延伸到2条数据线sig之间的延伸部分DA2，作为该隔离配线层DA。也可以将这两者都用作隔离配线层DA。
当采用这种结构时，由于在并列的2条数据线sig之间配置着与其不同的配线层DA，所以，只须在图象的至少一个水平扫描周期中使上述配线层DA(DA1、DA2)保持固定电位，即可防止发生上述的串扰。即，第1层间绝缘膜51及第2层间绝缘膜52，膜厚约为1.0μm，而2条数据线sig的2条的间隔约在2μm以上，所以，与各数据线sig和隔离配线层DA(DA1、DA2)之间构成的电容相比，完全可以将2条数据线sig之间构成的电容忽略。因此，从数据线sig漏泄的高频信号被隔离配线层DA吸收，所以能够防止在2条数据线sig之间发生的串扰。
[其他形态]
在上述形态中，为构成保持电容cap而形成了电容线cline(电容电极)，但如在现有技术中所说明过的那样，也可以利用构成TFT用的多晶硅膜构成保持电容cap。
另外，如图11所示，也可以在公用供电线com和电位保持电极st之间构成保持电容cap。在这种情况下，如图12(A)、(B)所示，只须将用于使电位保持电极st与栅电极31电气连接的栅电极31的延伸部分310扩展到公用供电线com的下层侧并构成以位于该延伸部分310和公用供电线com之间的第1层间绝缘膜51为电介质膜的保持电容cap即可。
发明的可利用性
如上所述，本发明的显示装置的特征在于，在数据线与对置电极之间、或在驱动电路与对置电极之间形成用于限定构成发光元件的有机半导体膜的形成区域的绝缘性隔挡层。因此，即使形成与数据线或驱动电路重叠的对置电极，也能防止在数据线或驱动电路的配线层内产生寄生电容。其结果是，可以减低驱动电路的负荷，同时能实现图象信号的高频化。

Claims (12)

1．一种显示装置，在衬底上，具有多条扫描线、在与该扫描线的延伸方向交叉的方向上延伸的多条数据线、与该数据线并列配置的多条公用供电线、及由上述数据线和上述扫描线按矩阵状形成的象素区域，在该各象素区域内，具有通过上述扫描线在第1栅电极上供给扫描信号的第1薄膜晶体管、用于保持从上述数据线通过该第1薄膜晶体管供给的图象信号的保持电容、在第2栅电极上供给由该保持电容保持的上述图象信号的第2薄膜晶体管、及发光元件，该发光元件在上述每个象素区域内形成的象素电极和横跨上述数据线并与多个上述象素电极对应的对置电极的层间备有当上述象素电极通过上述第2薄膜晶体管与上述公用供电线电气连接时借助于在上述象素电极和上述对置电极之间流过的驱动电流而发光的有机半导体膜，该显示装置的特征在于：上述有机半导体膜中的发光区域，被由厚度大于上述有机半导体膜的绝缘膜构成的隔挡层包围，同时，在结构上使该隔挡层覆盖上述数据线的至少一部分。
2．根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于：在上述衬底上，与上述多个象素区域一起形成对上述数据线输出上述图象信号的第1驱动电路和对上述扫描线输出上述扫描信号的第2驱动电路中的至少一个驱动电路，同时，该驱动电路由上述隔挡层覆盖。
3．一种显示装置，在衬底上，具有多条扫描线、在与该扫描线的延伸方向正交的方向上延伸的多条数据线、与该数据线并列配置的多条公用供电线、对上述数据线输出上述图象信号的第1驱动电路和对上述扫描线输出上述扫描信号的第2驱动电路中的至少一个驱动电路、及由上述数据线和上述扫描线按矩阵状形成的象素区域，在该各象素区域内，具有通过上述扫描线在第1栅电极上供给扫描信号的第1薄膜晶体管、用于保持从上述数据线通过该第1薄膜晶体管供给的图象信号的保持电容、在第2栅电极上供给由该保持电容保持的上述图象信号的第2薄膜晶体管、及发光元件，该发光元件在上述每个象素区域内形成的象素电极和横跨上述数据线并与多个上述象素电极对应的对置电极的层间备有当上述象素电极通过上述第2薄膜晶体管与上述公用供电线电气连接时借助于在上述象素电极和上述对置电极之间流过的驱动电流而发光的有机半导体膜，该显示装置的特征在于：上述有机半导体膜中的发光区域，被由厚度大于上述有机半导体膜的绝缘膜构成的隔挡层包围，同时，在结构上使该隔挡层覆盖上述驱动电路。
4．根据权利要求1～3中的任何一项所述的显示装置，其特征在于：上述有机半导体膜，是用喷墨法在由上述隔挡层包围的区域内形成的膜，上述隔挡层，是具有防水性的膜。
5．根据权利要求1～3中的任何一项所述的显示装置，其特征在于：上述有机半导体膜，是用喷墨法在由上述隔挡层包围的区域内形成的膜，上述隔挡层的膜厚在1μm以上。
6．根据权利要求1～5中的任何一项所述的显示装置，其特征在于：上述象素电极形成区域中与上述第1薄膜晶体管和上述第2薄膜晶体管重叠的区域，由上述隔挡层覆盖。
7．根据权利要求1～6中的任何一项所述的显示装置，其特征在于：上述隔挡层由黑色的抗蚀膜构成。
8．根据权利要求1～7中的任何一项所述的显示装置，其特征在于：上述公用供电线的每单位长度的电阻值，小于上述数据线的每单位长度的电阻值。
9．根据权利要求1-7中的任何一项所述的显示装置，其特征在于：上述公用供电线和上述数据线的材料及膜厚相同，且上述公用供电线的线宽大于上述数据线的线宽。
10．根据权利要求1～9中的任何一项所述的显示装置，其特征在于：将与上述公用供电线之间进行上述驱动电流的通电的象素区域配置在该公用供电线的两侧，并使上述数据线相对于该象素区域而在与上述公用供电线相对的一侧通过。
11．根据权利要求10所述的显示装置，其特征在于：在与相对于上述象素区域而在上述公用供电线的相对一侧通过的2条数据线之间相当的位置上形成配线层。
12．根据权利要求1～11中的任何一项所述的显示装置，其特征在于：在沿着上述扫描线的延伸方向邻接的任何象素区域之间，使上述有机半导体膜的形成区域的中心距都相等。
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