JP3815269B2 - 有機ｅｌ表示体及びその製造方法、孔開き基板、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 - Google Patents
有機ｅｌ表示体及びその製造方法、孔開き基板、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3815269B2 JP3815269B2 JP2001201710A JP2001201710A JP3815269B2 JP 3815269 B2 JP3815269 B2 JP 3815269B2 JP 2001201710 A JP2001201710 A JP 2001201710A JP 2001201710 A JP2001201710 A JP 2001201710A JP 3815269 B2 JP3815269 B2 JP 3815269B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- organic
- hole
- perforated substrate
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 135
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 42
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 18
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 4
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 2
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 239000011344 liquid material Substances 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229920003217 poly(methylsilsesquioxane) Polymers 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/129—Chiplets
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
- H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
- H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/9512—Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies
- H01L2224/95136—Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies involving guiding structures, e.g. shape matching, spacers or supporting members
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/93—Batch processes
- H01L2224/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L2224/9512—Aligning the plurality of semiconductor or solid-state bodies
- H01L2224/95143—Passive alignment, i.e. self alignment, e.g. using surface energy, chemical reactions, thermal equilibrium
- H01L2224/95146—Passive alignment, i.e. self alignment, e.g. using surface energy, chemical reactions, thermal equilibrium by surface tension
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/1515—Shape
- H01L2924/15153—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device
- H01L2924/15155—Shape the die mounting substrate comprising a recess for hosting the device the shape of the recess being other than a cuboid
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/15165—Monolayer substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、有機エレクトロルミネッセンス（Electroluminescence,以下、ＥＬと略記する）表示体及びその製造方法並びにそれに好適に用いられる孔開き基板に関し、特に、有機ＥＬ素子の駆動回路が作り込まれた微細構造物を備える表示体及びその製造方法において、極めて効率的に有機ＥＬ表示体を製造できるようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、電子回路要素が作り込まれた微細構造物（microstructure）を利用して電子機器を製造する方法が存在する（例えば、米国特許第５９０４５４５号明細書、米国特許第５８２４１８６号明細書、米国特許第５７８３８５６号明細書、米国特許第５５４５２９１号明細書等参照。）。
【０００３】
即ち、微細構造物を利用した製造方法であると、電子機器の基板上に多数の電子回路が散在するような構成であっても、半導体材料を無駄にしなくて済む等の利点が享受できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明者等は、鋭意研究の結果、有機ＥＬ表示体の製造方法への微細構造物の利用の仕方として、先ずは、微細構造物内に有機ＥＬ素子の駆動回路を作り込み、それを透明基板上に配置し、さらに、配線形成工程、透明電極形成工程、発光層形成工程、陰極形成工程等を順に経て有機ＥＬ表示体を得る製造方法を完成させたところ、確かに、上記のような微細構造物による利点を享受しつつ有機ＥＬ表示体を製造できることは判明したが、実際に有機ＥＬ表示体を採算ベースで量産するためには、さらなる改良が望まれていた。
【０００５】
本発明は、このような要求に基づいてなされたものであって、極めて効率的に有機ＥＬ表示体を製造することができる有機ＥＬ表示体の構造及びその製造方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の有機ＥＬ表示体は、有機ＥＬ素子を画素として利用した表示体であって、前記有機ＥＬ素子の駆動回路が作り込まれた複数の微細構造物が嵌め込まれる複数の凹部と、前記画素の形成位置にて表裏面間を貫通する貫通孔と、を有する絶縁性の孔開き基板と、表面に透明電極層が形成された透明基板とが備えられ、前記孔開き基板の前記凹部が形成された側と反対側の面に、前記透明基板上の前記透明電極層が前記孔開き基板の前記貫通孔に臨むように前記透明基板が貼り合わされ、前記孔開き基板の前記貫通孔内に有機ＥＬ層を含む発光層が形成され、前記貫通孔内に前記発光層が形成された前記孔開き基板の表面に陰極および配線が形成されていることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の有機ＥＬ表示体は、前記孔開き基板の前記貫通孔の表面側端部に面取りが施されていることを特徴とする。
上記目的を達成するために、本発明の有機ＥＬ表示体の製造方法は、有機ＥＬ素子を画素として利用した有機ＥＬ表示体の製造方法であって、前記有機ＥＬ素子の駆動回路が作り込まれた複数の微細構造物が嵌め込まれる複数の凹部と、前記画素の形成位置にて表裏面間を貫通する貫通孔と、を有する絶縁性の孔開き基板と、表面に透明電極層を形成した透明基板とを用い、前記孔開き基板の前記凹部が形成された側と反対側の面に、前記透明基板上の前記透明電極層が前記孔開き基板の前記貫通孔に臨むように前記透明基板を貼り合わせた後、前記孔開き基板の前記貫通孔内に有機ＥＬ層を含む発光層を形成し、前記貫通孔内に前記発光層が形成された前記孔開き基板の表面に陰極および配線を形成することを特徴とする。
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の有機ＥＬ表示体の製造方法は、有機ＥＬ素子を画素として利用した有機ＥＬ表示体の製造方法であって、前記有機ＥＬ素子の駆動回路が作り込まれた複数の微細構造物が嵌め込まれる複数の凹部と、前記画素の形成位置にて表裏面間を貫通する貫通孔と、を有する絶縁性の孔開き基板を用い、前記孔開き基板の前記凹部に前記微細構造物を嵌め込みさらにその表面を絶縁性の保護薄膜で覆う微細構造物埋め込み工程と、前記孔開き基板の裏面側に透明電極層及び絶縁性の透明基板をこの順序で設ける透明電極層・透明基板形成工程と、前記透明電極層が設けられた前記孔開き基板の前記貫通孔内に有機ＥＬ層を含む発光層を形成する発光層形成工程と、前記発光層が形成された前記孔開き基板の表面に陰極及び配線を形成する陰極・配線形成工程と、を備えた。
【０００９】
本発明の有機ＥＬ表示体の製造方法は、前記透明電極層・透明基板形成工程では、前記透明基板の表面に予め前記透明電極層を設けておき、その透明基板を、前記孔開き基板の裏面側に前記透明電極層を内側にして貼り付けることを特徴とする。
また、前記孔開き基板の前記貫通孔の表面側端部に面取りを施すことを特徴とする。
【００１０】
そして、前記発光層形成工程では、インクジェット方式により前記発光層を形成するようにした。
さらに、前記陰極・配線形成工程では、前記陰極と前記配線とを別々に形成するようにした。
【００１１】
これに対し、前記陰極・配線形成工程では、前記発光層が形成された前記孔開き基板の表面を金属層で覆い、その金属層をパターニングして前記陰極と前記配線とを同時に形成するようにした。
また、前記透明電極層・透明基板形成工程の後であって前記発光層形成工程の前に、前記微細構造物の表面に設けられている電極パッドに通じるコンタクトホールを、前記保護薄膜に形成するコンタクトホール形成工程を備えた。
【００１２】
そして、前記微細構造物嵌め込み工程では、液体中で前記凹部内に前記微細構造物を嵌め込むようにした。
一方、本発明の孔開き基板は、有機ＥＬ素子を画素として利用した表示体に用いられるとともに、表面に透明電極層が形成された透明基板と貼り合わされて用いられる孔開き基板であって、絶縁性の材料からなり、前記有機ＥＬ素子の駆動回路が作り込まれた複数の微細構造物が嵌め込まれる複数の凹部を表面に備えるとともに、前記画素の形成位置にて表裏面間を貫通し、前記透明基板上の前記透明電極層を臨ませる貫通孔を備えたことを特徴とする。
【００１３】
そして、上記孔開き基板において、前記孔開き基板の前記貫通孔の表面側端部に面取りを施した。
【００１４】
本発明の電気光学装置は、発光素子を画素として利用した電気光学装置であって、前記発光素子の駆動回路が作り込まれた複数の微細構造物が嵌め込まれる複数の凹部と、前記画素の形成位置にて表裏面間を貫通する貫通孔と、を有する孔開き基板と、表面に透明電極層を形成した透明基板とを用いており、前記孔開き基板の前記凹部が形成された側と反対側の面に、前記透明基板上の前記透明電極層が前記孔開き基板の前記貫通孔に臨むように前記透明基板が貼り合わされ、前記孔開き基板の前記貫通孔内に発光層が形成され、前記貫通孔内に前記発光層が形成された前記孔開き基板の表面に陰極および配線が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の電気光学装置の製造方法は、発光素子を画素として利用した電気光学装置の製造方法であって、前記発光素子の駆動回路が作り込まれた複数の微細構造物が嵌め込まれる複数の凹部と、前記画素の形成位置にて表裏面間を貫通する貫通孔と、を有する孔開き基板と、表面に透明電極層を形成した透明基板とを用い、前記孔開き基板の前記凹部が形成された側と反対側の面に、前記透明基板上の前記透明電極層が前記孔開き基板の前記貫通孔に臨むように前記透明基板を貼り合わせた後、前記孔開き基板の前記貫通孔内に発光層を形成し、前記貫通孔内に前記発光層が形成された前記孔開き基板の表面に陰極および配線を形成することを特徴とする。
【００１６】
本発明の電子機器は、上記本発明の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１乃至図３は本発明の第１の実施の形態を示す図であり、図１は、有機ＥＬ表示体の製造工程を示す断面図である。
即ち、図１（ａ）に示すように、厚さ１００μｍ程度の合成樹脂等から構成された絶縁性の孔開き基板１０の表面には、後に画素が形成される位置に近接して、複数の微細構造物２０が嵌め込まれている。微細構造物２０内には有機ＥＬ素子の駆動回路が作り込まれており、その微細構造物２０の表面には外部の電源等と電気的な接続を行うための複数の電極パッド（図示せず）が形成されている。
【００１８】
微細構造物２０自体の製造方法や孔開き基板１０への嵌め込み方法等は、米国特許第５９０４５４５号明細書、米国特許第５８２４１８６号明細書、米国特許第５７８３８５６号明細書、米国特許第５５４５２９１号明細書等に詳しいため、ここでは簡単に説明すると、先ずは、図２に示すように、半導体ウエハ３０に公知のフォトリソ工程等を用いてトランジスタや配線等から構成される駆動回路を複数形成する。次いで、半導体ウエハ３０の裏面を研磨して所定の厚さとした後に、分割線３１に沿って分割して個々の微細構造物２０に分離する。
【００１９】
そして、図３に示すように、微細構造物２０の裏面形状と嵌合可能な形状の凹部１１がプレス等によって形成された孔開き基板１０を、その上面を上方に向けて液体３２中に載置するとともに、多数の微細構造物２０を孔開き基板１０上面を沿うように液体３２中を移動させることにより、微細構造物２０を凹部１１内に嵌め込むというものである。なお、微細構造物２０の嵌め込みが完了したら、その微細構造物２０の離脱を防止するために、図１（ｂ）に示すように、孔開き基板１０の表面を、絶縁性の保護薄膜１２で覆う（微細構造物嵌め込み工程）。
【００２０】
孔開き基板１０には、凹部１１の他に、その表裏面を貫通する複数の貫通孔１３が形成されており、その貫通孔１３の形成位置は、この有機ＥＬ表示体の画素の形成位置であり、その平面形状は、所望の画素に比べて一回り大きい形状となっている。なお、保護薄膜１２は、貫通孔１３の内面にも付着している。
次いで、図１（ｃ）に示すように、表面に予め透明電極（ＩＴＯ電極）層１４が形成されたガラス製或いは合成樹脂製の透明基板１５を用意し、その透明基板１５を、孔開き基板１０の裏面側に透明電極層１４が内側となるように貼り付ける（透明電極・透明基板形成工程）。すると、貫通孔１３の底部に、透明電極層１４が臨むことになる。
【００２１】
そして、図１（ｄ）に示すように、公知のフォトリソ工程によって保護薄膜１２を部分的に開口して、微細構造物２０の電極パッドに通じるコンタクトホール１６を形成し（コンタクトホール形成工程）、さらに、必要な撥水処理及び親水処理を施した後に、インクジェット方式によって液状の材料を画素形成領域としての貫通孔１３上方からその底面に向けて塗布し、それを乾燥させるという作業を繰り返すことにより、貫通孔１３内に正孔注入層４１及び有機ＥＬ層４２からなる発光層４３を形成する（発光層形成工程）。なお、インクジェット方式により材料を貫通孔１３に選択的塗布しても、現在のインクジェット方式であれば打ち込み位置精度が極めて高いという点と、その貫通孔１３自体によって材料の流出を防止するという点とによって、発光層４３の形成位置は高精度に制御することができる。
【００２２】
そして、図１（ｅ）に示すように、コンタクトホール１６内側を含む孔開き基板１０の表面を、蒸着法或いはスパッタリング法によって、アルミニウム等の金属層１７で覆い、さらに、その金属層１７を公知のフォトリソ工程によってパターニングして、図１（ｆ）に示すように、陰極１８及び配線１９を同時に形成する（陰極・配線形成工程）。
【００２３】
これによって、発光層４３に電流の供給が可能となり、そこから発せられた光は、図１（ｆ）に示すように、透明電極１４及び透明基板１５を通じて、その透明基板１５の裏面側から外部に照射されるようになるから、透明基板１５の裏面側が有機ＥＬ表示体の表示面となる。
このように、本実施の形態によって、微細構造物２０を利用してなる有機ＥＬ表示体を製造することができる。
【００２４】
そして、本実施の形態にあっては、貫通孔１３が形成された孔開き基板１０を利用して有機ＥＬ表示体を製造するようにしているから、透明基板上にバンク等を製造しつつ発光層等を形成する従来の有機ＥＬ表示体の製造工程に比べて、製造工程が簡易で済み、それだけ製造コストの低減を図ることができる。
また、本実施の形態であれば、画素形成領域である貫通孔１３の下方（透明基板１５側）には、配線や電子回路等は存在しないため、各画素の開口率を向上させる上で極めて有利な構成となっている。
【００２５】
なお、本実施の形態では、陰極１８及び配線１９を同時に形成することにより工程数の低減を図っているが、これらを同時に形成することは本発明にとって必須ではなく、別々の工程で形成してもよい。
図４は、本発明の第２の実施の形態を示す図であって、孔開き基板１０の構成を示す断面図である。なお、孔開き基板１０の形状が一部異なることを除けば、上記第１の実施の形態と同様であるため、有機ＥＬ表示体の製造方法についての図示及び説明は省略する。
【００２６】
即ち、本実施の形態では、貫通孔１３の表面側（凹部１１が形成された側）の端部（角部）を面取りすることにより、そこにテーパ部１３ａを形成している。このような構成であると、図１に示したような工程で製造を行った場合に、金属層１７が貫通孔１３の角部において断線する可能性を大幅に低減することができるから、歩留まり向上が図られる等の利点がある。
【００２７】
なお、上の実施形態では電気光学装置の一例として有機ＥＬ表示体について説明しているが、駆動回路が形成されている微細構造物を基板上の凹部に配置する本発明は、有機ＥＬ表示体以外にも、プラズマディスプレイ等の自発光型の電気光学装置に適用が可能である。
【００２８】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置の一例として有機ＥＬ表示体を具体的な電子機器に用いた例のいくつかについて説明する。
【００２９】
＜その１：モバイル型コンピュータ＞
まず、この実施形態に係る有機ＥＬ表示体を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図５は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とから構成されている。表示ユニット１１０６は、有機ＥＬ表示パネル１００を有している。
【００３０】
＜その２：携帯電話＞
次に、有機ＥＬ表示体を、携帯電話の表示部に適用した例について説明する。図６は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した有機ＥＬ表示パネル１００を備えるものである。
【００３１】
＜その３：ディジタルスチルカメラ＞
さらに、有機ＥＬ表示体をファインダに用いたディジタルスチルカメラについて説明する。図７は、このディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図であるが、外部機器との接続についても簡易的に示すものである。
【００３２】
通常のカメラは、被写体の光像によってフィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号を生成するものである。ここで、ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース１３０２の背面には、上述した有機ＥＬ表示パネル１００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて、表示を行う構成となっている。このため、有機ＥＬ表示パネル１００は、被写体を表示するファインダとして機能する。また、ケース１３０２の観察側（図においては裏面側）には、光学レンズやＣＣＤなどを含んだ受光ユニット１３０４が設けられている。
【００３３】
ここで、撮影者が有機ＥＬ表示パネル１００に表示された被写体像を確認して、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ１３００にあっては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図に示されるように、前者のビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、また、後者のデータ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４３０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作によって、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成となっている。
【００３４】
なお、電子機器としては、図５のパーソナルコンピュータや、図６の携帯電話、図７のディジタルスチルカメラの他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した表示装置が適用可能なのは言うまでもない。
【００３５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る有機ＥＬ表示体及びその製造方法によれば、貫通孔が形成された孔開き基板を利用するようにしたため、製造工程が簡易で済み、それだけ製造コストの低減を図ることができるという効果がある。
また、本発明に係る孔開き基板によれば、本発明に係る有機ＥＬ表示体及びその製造方法にとって好適な孔開き基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 第１の実施の形態の製造工程を示す断面図である。
【図２】 微細構造物の製造方法の説明図である。
【図３】 微細構造物を透明基板に填め込む工程の説明図である。
【図４】 第２の実施の形態の孔開き基板の構成を示す断面図である。
【図５】 本発明の電子機器の一例であるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図６】 同電子機器の一例である携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図７】 同電子機器の一例であるディジタルスチルカメラの背面側の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１０ 孔開き基板
１１ 凹部
１２ 保護薄膜
１３ 貫通孔
１４ 透明電極
１５ 透明基板
１６ コンタクトホール
１７ 金属層
１８ 陰極
１９ 配線
２０ 微細構造物
４１ 正孔注入層
４２ 有機ＥＬ層
４３ 発光層
【発明の属する技術分野】
この発明は、有機エレクトロルミネッセンス（Electroluminescence,以下、ＥＬと略記する）表示体及びその製造方法並びにそれに好適に用いられる孔開き基板に関し、特に、有機ＥＬ素子の駆動回路が作り込まれた微細構造物を備える表示体及びその製造方法において、極めて効率的に有機ＥＬ表示体を製造できるようにしたものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来から、電子回路要素が作り込まれた微細構造物（microstructure）を利用して電子機器を製造する方法が存在する（例えば、米国特許第５９０４５４５号明細書、米国特許第５８２４１８６号明細書、米国特許第５７８３８５６号明細書、米国特許第５５４５２９１号明細書等参照。）。
【０００３】
即ち、微細構造物を利用した製造方法であると、電子機器の基板上に多数の電子回路が散在するような構成であっても、半導体材料を無駄にしなくて済む等の利点が享受できる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、本発明者等は、鋭意研究の結果、有機ＥＬ表示体の製造方法への微細構造物の利用の仕方として、先ずは、微細構造物内に有機ＥＬ素子の駆動回路を作り込み、それを透明基板上に配置し、さらに、配線形成工程、透明電極形成工程、発光層形成工程、陰極形成工程等を順に経て有機ＥＬ表示体を得る製造方法を完成させたところ、確かに、上記のような微細構造物による利点を享受しつつ有機ＥＬ表示体を製造できることは判明したが、実際に有機ＥＬ表示体を採算ベースで量産するためには、さらなる改良が望まれていた。
【０００５】
本発明は、このような要求に基づいてなされたものであって、極めて効率的に有機ＥＬ表示体を製造することができる有機ＥＬ表示体の構造及びその製造方法を提供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、本発明の有機ＥＬ表示体は、有機ＥＬ素子を画素として利用した表示体であって、前記有機ＥＬ素子の駆動回路が作り込まれた複数の微細構造物が嵌め込まれる複数の凹部と、前記画素の形成位置にて表裏面間を貫通する貫通孔と、を有する絶縁性の孔開き基板と、表面に透明電極層が形成された透明基板とが備えられ、前記孔開き基板の前記凹部が形成された側と反対側の面に、前記透明基板上の前記透明電極層が前記孔開き基板の前記貫通孔に臨むように前記透明基板が貼り合わされ、前記孔開き基板の前記貫通孔内に有機ＥＬ層を含む発光層が形成され、前記貫通孔内に前記発光層が形成された前記孔開き基板の表面に陰極および配線が形成されていることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の有機ＥＬ表示体は、前記孔開き基板の前記貫通孔の表面側端部に面取りが施されていることを特徴とする。
上記目的を達成するために、本発明の有機ＥＬ表示体の製造方法は、有機ＥＬ素子を画素として利用した有機ＥＬ表示体の製造方法であって、前記有機ＥＬ素子の駆動回路が作り込まれた複数の微細構造物が嵌め込まれる複数の凹部と、前記画素の形成位置にて表裏面間を貫通する貫通孔と、を有する絶縁性の孔開き基板と、表面に透明電極層を形成した透明基板とを用い、前記孔開き基板の前記凹部が形成された側と反対側の面に、前記透明基板上の前記透明電極層が前記孔開き基板の前記貫通孔に臨むように前記透明基板を貼り合わせた後、前記孔開き基板の前記貫通孔内に有機ＥＬ層を含む発光層を形成し、前記貫通孔内に前記発光層が形成された前記孔開き基板の表面に陰極および配線を形成することを特徴とする。
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明の有機ＥＬ表示体の製造方法は、有機ＥＬ素子を画素として利用した有機ＥＬ表示体の製造方法であって、前記有機ＥＬ素子の駆動回路が作り込まれた複数の微細構造物が嵌め込まれる複数の凹部と、前記画素の形成位置にて表裏面間を貫通する貫通孔と、を有する絶縁性の孔開き基板を用い、前記孔開き基板の前記凹部に前記微細構造物を嵌め込みさらにその表面を絶縁性の保護薄膜で覆う微細構造物埋め込み工程と、前記孔開き基板の裏面側に透明電極層及び絶縁性の透明基板をこの順序で設ける透明電極層・透明基板形成工程と、前記透明電極層が設けられた前記孔開き基板の前記貫通孔内に有機ＥＬ層を含む発光層を形成する発光層形成工程と、前記発光層が形成された前記孔開き基板の表面に陰極及び配線を形成する陰極・配線形成工程と、を備えた。
【０００９】
本発明の有機ＥＬ表示体の製造方法は、前記透明電極層・透明基板形成工程では、前記透明基板の表面に予め前記透明電極層を設けておき、その透明基板を、前記孔開き基板の裏面側に前記透明電極層を内側にして貼り付けることを特徴とする。
また、前記孔開き基板の前記貫通孔の表面側端部に面取りを施すことを特徴とする。
【００１０】
そして、前記発光層形成工程では、インクジェット方式により前記発光層を形成するようにした。
さらに、前記陰極・配線形成工程では、前記陰極と前記配線とを別々に形成するようにした。
【００１１】
これに対し、前記陰極・配線形成工程では、前記発光層が形成された前記孔開き基板の表面を金属層で覆い、その金属層をパターニングして前記陰極と前記配線とを同時に形成するようにした。
また、前記透明電極層・透明基板形成工程の後であって前記発光層形成工程の前に、前記微細構造物の表面に設けられている電極パッドに通じるコンタクトホールを、前記保護薄膜に形成するコンタクトホール形成工程を備えた。
【００１２】
そして、前記微細構造物嵌め込み工程では、液体中で前記凹部内に前記微細構造物を嵌め込むようにした。
一方、本発明の孔開き基板は、有機ＥＬ素子を画素として利用した表示体に用いられるとともに、表面に透明電極層が形成された透明基板と貼り合わされて用いられる孔開き基板であって、絶縁性の材料からなり、前記有機ＥＬ素子の駆動回路が作り込まれた複数の微細構造物が嵌め込まれる複数の凹部を表面に備えるとともに、前記画素の形成位置にて表裏面間を貫通し、前記透明基板上の前記透明電極層を臨ませる貫通孔を備えたことを特徴とする。
【００１３】
そして、上記孔開き基板において、前記孔開き基板の前記貫通孔の表面側端部に面取りを施した。
【００１４】
本発明の電気光学装置は、発光素子を画素として利用した電気光学装置であって、前記発光素子の駆動回路が作り込まれた複数の微細構造物が嵌め込まれる複数の凹部と、前記画素の形成位置にて表裏面間を貫通する貫通孔と、を有する孔開き基板と、表面に透明電極層を形成した透明基板とを用いており、前記孔開き基板の前記凹部が形成された側と反対側の面に、前記透明基板上の前記透明電極層が前記孔開き基板の前記貫通孔に臨むように前記透明基板が貼り合わされ、前記孔開き基板の前記貫通孔内に発光層が形成され、前記貫通孔内に前記発光層が形成された前記孔開き基板の表面に陰極および配線が形成されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明の電気光学装置の製造方法は、発光素子を画素として利用した電気光学装置の製造方法であって、前記発光素子の駆動回路が作り込まれた複数の微細構造物が嵌め込まれる複数の凹部と、前記画素の形成位置にて表裏面間を貫通する貫通孔と、を有する孔開き基板と、表面に透明電極層を形成した透明基板とを用い、前記孔開き基板の前記凹部が形成された側と反対側の面に、前記透明基板上の前記透明電極層が前記孔開き基板の前記貫通孔に臨むように前記透明基板を貼り合わせた後、前記孔開き基板の前記貫通孔内に発光層を形成し、前記貫通孔内に前記発光層が形成された前記孔開き基板の表面に陰極および配線を形成することを特徴とする。
【００１６】
本発明の電子機器は、上記本発明の電気光学装置を備えたことを特徴とする。
【００１７】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１乃至図３は本発明の第１の実施の形態を示す図であり、図１は、有機ＥＬ表示体の製造工程を示す断面図である。
即ち、図１（ａ）に示すように、厚さ１００μｍ程度の合成樹脂等から構成された絶縁性の孔開き基板１０の表面には、後に画素が形成される位置に近接して、複数の微細構造物２０が嵌め込まれている。微細構造物２０内には有機ＥＬ素子の駆動回路が作り込まれており、その微細構造物２０の表面には外部の電源等と電気的な接続を行うための複数の電極パッド（図示せず）が形成されている。
【００１８】
微細構造物２０自体の製造方法や孔開き基板１０への嵌め込み方法等は、米国特許第５９０４５４５号明細書、米国特許第５８２４１８６号明細書、米国特許第５７８３８５６号明細書、米国特許第５５４５２９１号明細書等に詳しいため、ここでは簡単に説明すると、先ずは、図２に示すように、半導体ウエハ３０に公知のフォトリソ工程等を用いてトランジスタや配線等から構成される駆動回路を複数形成する。次いで、半導体ウエハ３０の裏面を研磨して所定の厚さとした後に、分割線３１に沿って分割して個々の微細構造物２０に分離する。
【００１９】
そして、図３に示すように、微細構造物２０の裏面形状と嵌合可能な形状の凹部１１がプレス等によって形成された孔開き基板１０を、その上面を上方に向けて液体３２中に載置するとともに、多数の微細構造物２０を孔開き基板１０上面を沿うように液体３２中を移動させることにより、微細構造物２０を凹部１１内に嵌め込むというものである。なお、微細構造物２０の嵌め込みが完了したら、その微細構造物２０の離脱を防止するために、図１（ｂ）に示すように、孔開き基板１０の表面を、絶縁性の保護薄膜１２で覆う（微細構造物嵌め込み工程）。
【００２０】
孔開き基板１０には、凹部１１の他に、その表裏面を貫通する複数の貫通孔１３が形成されており、その貫通孔１３の形成位置は、この有機ＥＬ表示体の画素の形成位置であり、その平面形状は、所望の画素に比べて一回り大きい形状となっている。なお、保護薄膜１２は、貫通孔１３の内面にも付着している。
次いで、図１（ｃ）に示すように、表面に予め透明電極（ＩＴＯ電極）層１４が形成されたガラス製或いは合成樹脂製の透明基板１５を用意し、その透明基板１５を、孔開き基板１０の裏面側に透明電極層１４が内側となるように貼り付ける（透明電極・透明基板形成工程）。すると、貫通孔１３の底部に、透明電極層１４が臨むことになる。
【００２１】
そして、図１（ｄ）に示すように、公知のフォトリソ工程によって保護薄膜１２を部分的に開口して、微細構造物２０の電極パッドに通じるコンタクトホール１６を形成し（コンタクトホール形成工程）、さらに、必要な撥水処理及び親水処理を施した後に、インクジェット方式によって液状の材料を画素形成領域としての貫通孔１３上方からその底面に向けて塗布し、それを乾燥させるという作業を繰り返すことにより、貫通孔１３内に正孔注入層４１及び有機ＥＬ層４２からなる発光層４３を形成する（発光層形成工程）。なお、インクジェット方式により材料を貫通孔１３に選択的塗布しても、現在のインクジェット方式であれば打ち込み位置精度が極めて高いという点と、その貫通孔１３自体によって材料の流出を防止するという点とによって、発光層４３の形成位置は高精度に制御することができる。
【００２２】
そして、図１（ｅ）に示すように、コンタクトホール１６内側を含む孔開き基板１０の表面を、蒸着法或いはスパッタリング法によって、アルミニウム等の金属層１７で覆い、さらに、その金属層１７を公知のフォトリソ工程によってパターニングして、図１（ｆ）に示すように、陰極１８及び配線１９を同時に形成する（陰極・配線形成工程）。
【００２３】
これによって、発光層４３に電流の供給が可能となり、そこから発せられた光は、図１（ｆ）に示すように、透明電極１４及び透明基板１５を通じて、その透明基板１５の裏面側から外部に照射されるようになるから、透明基板１５の裏面側が有機ＥＬ表示体の表示面となる。
このように、本実施の形態によって、微細構造物２０を利用してなる有機ＥＬ表示体を製造することができる。
【００２４】
そして、本実施の形態にあっては、貫通孔１３が形成された孔開き基板１０を利用して有機ＥＬ表示体を製造するようにしているから、透明基板上にバンク等を製造しつつ発光層等を形成する従来の有機ＥＬ表示体の製造工程に比べて、製造工程が簡易で済み、それだけ製造コストの低減を図ることができる。
また、本実施の形態であれば、画素形成領域である貫通孔１３の下方（透明基板１５側）には、配線や電子回路等は存在しないため、各画素の開口率を向上させる上で極めて有利な構成となっている。
【００２５】
なお、本実施の形態では、陰極１８及び配線１９を同時に形成することにより工程数の低減を図っているが、これらを同時に形成することは本発明にとって必須ではなく、別々の工程で形成してもよい。
図４は、本発明の第２の実施の形態を示す図であって、孔開き基板１０の構成を示す断面図である。なお、孔開き基板１０の形状が一部異なることを除けば、上記第１の実施の形態と同様であるため、有機ＥＬ表示体の製造方法についての図示及び説明は省略する。
【００２６】
即ち、本実施の形態では、貫通孔１３の表面側（凹部１１が形成された側）の端部（角部）を面取りすることにより、そこにテーパ部１３ａを形成している。このような構成であると、図１に示したような工程で製造を行った場合に、金属層１７が貫通孔１３の角部において断線する可能性を大幅に低減することができるから、歩留まり向上が図られる等の利点がある。
【００２７】
なお、上の実施形態では電気光学装置の一例として有機ＥＬ表示体について説明しているが、駆動回路が形成されている微細構造物を基板上の凹部に配置する本発明は、有機ＥＬ表示体以外にも、プラズマディスプレイ等の自発光型の電気光学装置に適用が可能である。
【００２８】
＜電子機器＞
次に、上述した電気光学装置の一例として有機ＥＬ表示体を具体的な電子機器に用いた例のいくつかについて説明する。
【００２９】
＜その１：モバイル型コンピュータ＞
まず、この実施形態に係る有機ＥＬ表示体を、モバイル型のパーソナルコンピュータに適用した例について説明する。図５は、このパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。図において、パーソナルコンピュータ１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示ユニット１１０６とから構成されている。表示ユニット１１０６は、有機ＥＬ表示パネル１００を有している。
【００３０】
＜その２：携帯電話＞
次に、有機ＥＬ表示体を、携帯電話の表示部に適用した例について説明する。図６は、この携帯電話の構成を示す斜視図である。図において、携帯電話１２００は、複数の操作ボタン１２０２のほか、受話口１２０４、送話口１２０６とともに、上述した有機ＥＬ表示パネル１００を備えるものである。
【００３１】
＜その３：ディジタルスチルカメラ＞
さらに、有機ＥＬ表示体をファインダに用いたディジタルスチルカメラについて説明する。図７は、このディジタルスチルカメラの構成を示す斜視図であるが、外部機器との接続についても簡易的に示すものである。
【００３２】
通常のカメラは、被写体の光像によってフィルムを感光するのに対し、ディジタルスチルカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）などの撮像素子により光電変換して撮像信号を生成するものである。ここで、ディジタルスチルカメラ１３００におけるケース１３０２の背面には、上述した有機ＥＬ表示パネル１００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて、表示を行う構成となっている。このため、有機ＥＬ表示パネル１００は、被写体を表示するファインダとして機能する。また、ケース１３０２の観察側（図においては裏面側）には、光学レンズやＣＣＤなどを含んだ受光ユニット１３０４が設けられている。
【００３３】
ここで、撮影者が有機ＥＬ表示パネル１００に表示された被写体像を確認して、シャッタボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、回路基板１３０８のメモリに転送・格納される。また、このディジタルスチルカメラ１３００にあっては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図に示されるように、前者のビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニタ１４３０が、また、後者のデータ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピュータ１４３０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作によって、回路基板１３０８のメモリに格納された撮像信号が、テレビモニタ１４３０や、パーソナルコンピュータ１４４０に出力される構成となっている。
【００３４】
なお、電子機器としては、図５のパーソナルコンピュータや、図６の携帯電話、図７のディジタルスチルカメラの他にも、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。そして、これらの各種電子機器の表示部として、上述した表示装置が適用可能なのは言うまでもない。
【００３５】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明に係る有機ＥＬ表示体及びその製造方法によれば、貫通孔が形成された孔開き基板を利用するようにしたため、製造工程が簡易で済み、それだけ製造コストの低減を図ることができるという効果がある。
また、本発明に係る孔開き基板によれば、本発明に係る有機ＥＬ表示体及びその製造方法にとって好適な孔開き基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 第１の実施の形態の製造工程を示す断面図である。
【図２】 微細構造物の製造方法の説明図である。
【図３】 微細構造物を透明基板に填め込む工程の説明図である。
【図４】 第２の実施の形態の孔開き基板の構成を示す断面図である。
【図５】 本発明の電子機器の一例であるパーソナルコンピュータの構成を示す斜視図である。
【図６】 同電子機器の一例である携帯電話の構成を示す斜視図である。
【図７】 同電子機器の一例であるディジタルスチルカメラの背面側の構成を示す斜視図である。
【符号の説明】
１０ 孔開き基板
１１ 凹部
１２ 保護薄膜
１３ 貫通孔
１４ 透明電極
１５ 透明基板
１６ コンタクトホール
１７ 金属層
１８ 陰極
１９ 配線
２０ 微細構造物
４１ 正孔注入層
４２ 有機ＥＬ層
４３ 発光層
Claims (16)
- 有機ＥＬ素子を画素として利用した表示体であって、
前記有機ＥＬ素子の駆動回路が作り込まれた複数の微細構造物が嵌め込まれる複数の凹部と、前記画素の形成位置にて表裏面間を貫通する貫通孔と、を有する絶縁性の孔開き基板と、表面に透明電極層が形成された透明基板とが備えられ、
前記孔開き基板の前記凹部が形成された側と反対側の面に、前記透明基板上の前記透明電極層が前記孔開き基板の前記貫通孔に臨むように前記透明基板が貼り合わされ、
前記孔開き基板の前記貫通孔内に有機ＥＬ層を含む発光層が形成され、前記貫通孔内に前記発光層が形成された前記孔開き基板の表面に陰極および配線が形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示体。 - 前記孔開き基板の前記貫通孔の表面側端部に面取りが施されていることを特徴とする請求項１記載の有機ＥＬ表示体。
- 有機ＥＬ素子を画素として利用した有機ＥＬ表示体の製造方法であって、
前記有機ＥＬ素子の駆動回路が作り込まれた複数の微細構造物が嵌め込まれる複数の凹部と、前記画素の形成位置にて表裏面間を貫通する貫通孔と、を有する絶縁性の孔開き基板と、表面に透明電極層を形成した透明基板とを用い、前記孔開き基板の前記凹部が形成された側と反対側の面に、前記透明基板上の前記透明電極層が前記孔開き基板の前記貫通孔に臨むように前記透明基板を貼り合わせた後、前記孔開き基板の前記貫通孔内に有機ＥＬ層を含む発光層を形成し、前記貫通孔内に前記発光層が形成された前記孔開き基板の表面に陰極および配線を形成することを特徴とする有機ＥＬ表示体の製造方法。 - 有機ＥＬ素子を画素として利用した有機ＥＬ表示体の製造方法であって、
前記有機ＥＬ素子の駆動回路が作り込まれた複数の微細構造物が嵌め込まれる複数の凹部と、前記画素の形成位置にて表裏面間を貫通する貫通孔と、を有する絶縁性の孔開き基板を用い、
前記孔開き基板の前記凹部に前記微細構造物を嵌め込みさらにその表面を絶縁性の保護薄膜で覆う微細構造物埋め込み工程と、前記孔開き基板の裏面側に透明電極層及び絶縁性の透明基板をこの順序で設ける透明電極層・透明基板形成工程と、前記透明電極層が設けられた前記孔開き基板の前記貫通孔内に有機ＥＬ層を含む発光層を形成する発光層形成工程と、前記発光層が形成された前記孔開き基板の表面に陰極及び配線を形成する陰極・配線形成工程と、を備えたことを特徴とする有機ＥＬ表示体の製造方法。 - 前記透明電極層・透明基板形成工程では、前記透明基板の表面に予め前記透明電極層を設けておき、その透明基板を、前記孔開き基板の裏面側に前記透明電極層を内側にして貼り付けることを特徴とする請求項４記載の有機ＥＬ表示体の製造方法。
- 前記孔開き基板の前記貫通孔の表面側端部に面取りを施すことを特徴とする請求項３乃至請求項５のいずれかに記載の有機ＥＬ表示体の製造方法。
- 前記発光層形成工程では、インクジェット方式により前記発光層を形成することを特徴とする請求項４乃至請求項６のいずれかに記載の有機ＥＬ表示体の製造方法。
- 前記陰極・配線形成工程では、前記陰極と前記配線とを別々に形成することを特徴とする請求項４乃至請求項７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示体の製造方法。
- 前記陰極・配線形成工程では、前記発光層が形成された前記孔開き基板の表面を金属層で覆い、その金属層をパターニングして前記陰極と前記配線とを同時に形成することを特徴とする請求項４乃至請求項７のいずれかに記載の有機ＥＬ表示体の製造方法。
- 前記透明電極層・透明基板形成工程の後であって前記発光層形成工程の前に、前記微細構造物の表面に設けられている電極パッドに通じるコンタクトホールを、前記保護薄膜に形成するコンタクトホール形成工程を備えたことを特徴とする請求項９記載の有機ＥＬ表示体の製造方法。
- 前記微細構造物嵌め込み工程では、液体中で前記凹部内に前記微細構造物を嵌め込むことを特徴とする請求項４乃至請求項１０のいずれかに記載の有機ＥＬ表示体の製造方法。
- 有機ＥＬ素子を画素として利用した表示体に用いられるとともに、表面に透明電極層が形成された透明基板と貼り合わされて用いられる孔開き基板であって、絶縁性の材料からなり、前記有機ＥＬ素子の駆動回路が作り込まれた複数の微細構造物が嵌め込まれる複数の凹部を表面に備えるとともに、前記画素の形成位置にて表裏面間を貫通し、前記透明基板上の前記透明電極層を臨ませる貫通孔を備えたことを特徴とする孔開き基板。
- 前記孔開き基板の前記貫通孔の表面側端部に面取りを施した請求項１２記載の孔開き基板。
- 発光素子を画素として利用した電気光学装置であって、
前記発光素子の駆動回路が作り込まれた複数の微細構造物が嵌め込まれる複数の凹部と、前記画素の形成位置にて表裏面間を貫通する貫通孔と、を有する孔開き基板と、表面に透明電極層を形成した透明基板とを用いており、前記孔開き基板の前記凹部が形成された側と反対側の面に、前記透明基板上の前記透明電極層が前記孔開き基板の前記貫通孔に臨むように前記透明基板が貼り合わされ、前記孔開き基板の前記貫通孔内に発光層が形成され、前記貫通孔内に前記発光層が形成された前記孔開き基板の表面に陰極および配線が形成されていることを特徴とする電気光学装置。 - 発光素子を画素として利用した電気光学装置の製造方法であって、
前記発光素子の駆動回路が作り込まれた複数の微細構造物が嵌め込まれる複数の凹部と、前記画素の形成位置にて表裏面間を貫通する貫通孔と、を有する孔開き基板と、表面に透明電極層を形成した透明基板とを用い、前記孔開き基板の前記凹部が形成された側と反対側の面に、前記透明基板上の前記透明電極層が前記孔開き基板の前記貫通孔に臨むように前記透明基板を貼り合わせた後、前記孔開き基板の前記貫通孔内に発光層を形成し、前記貫通孔内に前記発光層が形成された前記孔開き基板の表面に陰極および配線を形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項１４に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001201710A JP3815269B2 (ja) | 2000-07-07 | 2001-07-03 | 有機ｅｌ表示体及びその製造方法、孔開き基板、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| US09/900,520 US6696785B2 (en) | 2000-07-07 | 2001-07-06 | Organic EL display and manufacturing method thereof, multi-holed substrate, electro-optic device and manufacturing method thereof, and electronic device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000207391 | 2000-07-07 | ||
| JP2000-207391 | 2000-07-07 | ||
| JP2001201710A JP3815269B2 (ja) | 2000-07-07 | 2001-07-03 | 有機ｅｌ表示体及びその製造方法、孔開き基板、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002082632A JP2002082632A (ja) | 2002-03-22 |
| JP3815269B2 true JP3815269B2 (ja) | 2006-08-30 |
Family
ID=26595638
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001201710A Expired - Fee Related JP3815269B2 (ja) | 2000-07-07 | 2001-07-03 | 有機ｅｌ表示体及びその製造方法、孔開き基板、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6696785B2 (ja) |
| JP (1) | JP3815269B2 (ja) |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW449670B (en) * | 1996-05-15 | 2001-08-11 | Seiko Epson Corp | Method for making thin film device with coating film, liquid crystal panel and electronic device |
| US20020075422A1 (en) * | 1996-09-19 | 2002-06-20 | Seiko Epson Corporation | Matrix type display device and manufacturing method thereof |
| KR100572238B1 (ko) * | 1996-09-19 | 2006-04-24 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | Ｅｌ 장치의 제조 방법 |
| JP3899566B2 (ja) * | 1996-11-25 | 2007-03-28 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| TW468283B (en) * | 1999-10-12 | 2001-12-11 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and a method of manufacturing the same |
| CN100375310C (zh) * | 1999-12-21 | 2008-03-12 | 造型逻辑有限公司 | 喷墨制作的集成电路 |
| US6606247B2 (en) * | 2001-05-31 | 2003-08-12 | Alien Technology Corporation | Multi-feature-size electronic structures |
| JP2003048200A (ja) * | 2001-08-06 | 2003-02-18 | Univ Waseda | マイクロマシンの製造方法 |
| JP3844061B2 (ja) * | 2002-01-16 | 2006-11-08 | ソニー株式会社 | 電子部品の配置方法及びその装置 |
| US7214569B2 (en) * | 2002-01-23 | 2007-05-08 | Alien Technology Corporation | Apparatus incorporating small-feature-size and large-feature-size components and method for making same |
| TW591564B (en) * | 2002-04-24 | 2004-06-11 | Sanyo Electric Co | Display device |
| GB0226401D0 (en) * | 2002-11-12 | 2002-12-18 | Koninkl Philips Electronics Nv | Electroluminescent devices and their manufacture |
| US7253735B2 (en) | 2003-03-24 | 2007-08-07 | Alien Technology Corporation | RFID tags and processes for producing RFID tags |
| US7052355B2 (en) | 2003-10-30 | 2006-05-30 | General Electric Company | Organic electro-optic device and method for making the same |
| JP4396285B2 (ja) | 2004-01-21 | 2010-01-13 | ソニー株式会社 | 素子配列基板および素子配列方法 |
| JP2005243549A (ja) * | 2004-02-27 | 2005-09-08 | Sony Corp | 表示素子および表示装置並びに撮像装置 |
| US7353598B2 (en) * | 2004-11-08 | 2008-04-08 | Alien Technology Corporation | Assembly comprising functional devices and method of making same |
| US7452748B1 (en) | 2004-11-08 | 2008-11-18 | Alien Technology Corporation | Strap assembly comprising functional block deposited therein and method of making same |
| US7688206B2 (en) | 2004-11-22 | 2010-03-30 | Alien Technology Corporation | Radio frequency identification (RFID) tag for an item having a conductive layer included or attached |
| US7385284B2 (en) * | 2004-11-22 | 2008-06-10 | Alien Technology Corporation | Transponder incorporated into an electronic device |
| US20060109130A1 (en) * | 2004-11-22 | 2006-05-25 | Hattick John B | Radio frequency identification (RFID) tag for an item having a conductive layer included or attached |
| BRPI0519478A2 (pt) * | 2004-12-27 | 2009-02-03 | Quantum Paper Inc | display emissivo endereÇÁvel e imprimÍvel |
| US9425357B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-08-23 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Diode for a printable composition |
| US8415879B2 (en) | 2007-05-31 | 2013-04-09 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
| US8133768B2 (en) * | 2007-05-31 | 2012-03-13 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system |
| US8674593B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-03-18 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
| US8852467B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-10-07 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
| US9018833B2 (en) | 2007-05-31 | 2015-04-28 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Apparatus with light emitting or absorbing diodes |
| US8395568B2 (en) | 2007-05-31 | 2013-03-12 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system |
| US8846457B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-09-30 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
| US8877101B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-11-04 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus |
| US8809126B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-08-19 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
| US9343593B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-05-17 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
| US8889216B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-11-18 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing addressable and static electronic displays |
| US9419179B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-08-16 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
| US9534772B2 (en) | 2007-05-31 | 2017-01-03 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Apparatus with light emitting diodes |
| US8127477B2 (en) | 2008-05-13 | 2012-03-06 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Illuminating display systems |
| US7992332B2 (en) | 2008-05-13 | 2011-08-09 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Apparatuses for providing power for illumination of a display object |
| US8796700B2 (en) * | 2008-11-17 | 2014-08-05 | Global Oled Technology Llc | Emissive device with chiplets |
| FR2995658A1 (fr) * | 2012-09-18 | 2014-03-21 | Valeo Vision | Source lumineuse sur support mince pour dispositifs d'eclairage et/ou de signalisation, et procede correspondant |
| US10312731B2 (en) | 2014-04-24 | 2019-06-04 | Westrock Shared Services, Llc | Powered shelf system for inductively powering electrical components of consumer product packages |
| US10418527B2 (en) * | 2014-10-31 | 2019-09-17 | eLux, Inc. | System and method for the fluidic assembly of emissive displays |
| US9917226B1 (en) | 2016-09-15 | 2018-03-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate features for enhanced fluidic assembly of electronic devices |
| US10446728B2 (en) * | 2014-10-31 | 2019-10-15 | eLux, Inc. | Pick-and remove system and method for emissive display repair |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3619714A (en) * | 1969-04-14 | 1971-11-09 | Xerox Corp | Panel display device |
| US5904545A (en) | 1993-12-17 | 1999-05-18 | The Regents Of The University Of California | Apparatus for fabricating self-assembling microstructures |
| US5824186A (en) | 1993-12-17 | 1998-10-20 | The Regents Of The University Of California | Method and apparatus for fabricating self-assembling microstructures |
| US5545291A (en) | 1993-12-17 | 1996-08-13 | The Regents Of The University Of California | Method for fabricating self-assembling microstructures |
| JPH10189238A (ja) * | 1996-12-27 | 1998-07-21 | Sony Corp | 光学的素子及びその製造方法 |
| JPH10270169A (ja) * | 1997-01-21 | 1998-10-09 | Agency Of Ind Science & Technol | 固体光機能素子およびその製造方法 |
| JP3541625B2 (ja) * | 1997-07-02 | 2004-07-14 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及びアクティブマトリクス基板 |
| JP2000106278A (ja) * | 1997-09-02 | 2000-04-11 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ素子の製造方法及び有機ｅｌ素子 |
| JP3997372B2 (ja) * | 1998-03-25 | 2007-10-24 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体素子、液晶表示用アクティブマトリクス基板及びこれらの製造方法 |
| JP3175733B2 (ja) * | 1998-06-17 | 2001-06-11 | 日本電気株式会社 | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2000021578A (ja) * | 1998-07-01 | 2000-01-21 | Sony Corp | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| EP1041861B1 (en) * | 1998-09-17 | 2004-12-29 | Seiko Epson Corporation | Method for manufacturing electroluminescence device |
| JP4164910B2 (ja) * | 1998-09-21 | 2008-10-15 | ソニー株式会社 | 有機ｅｌディスプレイおよび有機ｅｌディスプレイの製造方法 |
-
2001
- 2001-07-03 JP JP2001201710A patent/JP3815269B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2001-07-06 US US09/900,520 patent/US6696785B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2002082632A (ja) | 2002-03-22 |
| US6696785B2 (en) | 2004-02-24 |
| US20020041149A1 (en) | 2002-04-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3815269B2 (ja) | 有機ｅｌ表示体及びその製造方法、孔開き基板、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
| JP4701858B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、および電子機器 | |
| JP3915985B2 (ja) | 画素素子基板、表示装置、電子機器、及び画素素子基板の製造方法 | |
| JP4058930B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
| JP2002082633A (ja) | 有機ｅｌ表示体及びその製造方法、電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器 | |
| JP2010182819A5 (ja) | ||
| JP2003233330A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| US6121683A (en) | Electronic device and integrated circuit | |
| JP3944653B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| WO2021147033A1 (zh) | 显示面板及其制作方法、显示装置 | |
| JP5029132B2 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP2005316469A6 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP3818093B2 (ja) | 表示体及び電子機器 | |
| CN117881224A (zh) | 显示装置和用于制造显示装置的方法 | |
| JP2005310779A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP2005310779A6 (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP2005141249A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 | |
| JP2005196223A (ja) | 電気光学装置及び電子機器 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040610 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20040614 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050907 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060110 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060309 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060516 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060529 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3815269 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100616 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110616 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110616 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120616 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130616 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130616 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |