JP2010182819A5 - - Google Patents

Description

表示領域１１０において、列方向には信号線ＤＴＬ１０１〜１０ｎが配置され、行方向には走査線ＷＳＬ１０１〜１０ｍおよび電源ラインＤＳＬ１０１〜１０ｍが配置されている。各信号線ＤＴＬと各走査線ＷＳＬとの交差点には、有機発光素子ＰＸＬＣ（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つ（サブピクセル））を含む画素回路１４０が設けられている。各信号線ＤＴＬは、水平セレクタ１２１に接続され、この水平セレクタ１２１から信号線ＤＴＬに映像信号が供給される。各走査線ＷＳＬは、ライトスキャナ１３１に接続されている。各電源ラインＤＳＬは、電源スキャナ１３２に接続されている。

酸化物半導体層２３を形成したのち、例えばスパッタリング法またはＣＶＤ法により、チャネル保護膜２４１となる酸化アルミニウム膜、シリコン酸化膜あるいはシリコン酸窒化膜を、例えば１０ｎｍ〜５０ｎｍの厚みで形成する。この際、スパッタリング法を用いて酸化アルミニウム膜またはシリコン酸化膜を形成する場合には、酸化物半導体層２３と酸化アルミニウム膜等とをスパッタ装置内で連続して形成することが好ましい。これにより、ＴＦＴ２０の特性を均一化することができるからである。なお、生産性を優先する場合には、このようなチャネル保護膜２４１を形成せずに、次の工程に進めるようにしてもよい。

次に、図８（Ｃ）に示したように、ＴＦＴ２０のチャネル領域となる酸化物半導体層２３とチャネル保護膜２４１とを、島状にパターン形成する。

続いて、例えばスパッタリング法により、ゲート絶縁膜２２２、酸化物半導体層２３およびチャネル保護膜２４上に、ソース・ドレイン電極２５を形成する。具体的には、例えば、厚みが５０ｎｍ程度のモリブデン層（第１金属層２５１）、厚みが５００ｎｍ程度のアルミニウム層（第２金属層２５２）および厚みが５０ｎｍのモリブデン層（第３金属層２５３）を、この順に形成する。そして、これらの第１〜第３金属層２５１〜２５３をそれぞれ、フォトリソグラフィおよびエッチング（例えば、リン酸、硝酸および酢酸を含む混合液を用いたウエットエッチング法）により、所定の形状に成形する。これにより、ソース・ドレイン電極２５が形成される。以上により、図３および図４に示したＴＦＴ２０を有するＴＦＴ基板１が形成される。

そののち、保護膜５６の上に、接着層６０を形成する。そののち、カラーフィルタ７２が設けられ、上述した材料よりなる封止用基板７１を用意し、ＴＦＴ基板１と封止用基板７１とを接着層６０を間にして貼り合わせる。以上により、図７に示した表示装置（表示領域）が完成する。

（モジュール）
上記実施の形態等の表示装置は、例えば、図１４に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１の一辺に、封止用基板７１および接着層６０から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。

（適用例１）
図１５は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態等に係る表示装置により構成されている。

（適用例２）
図１６は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態等に係る表示装置により構成されている。

（適用例３）
図１７は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態等に係る表示装置により構成されている。

（適用例４）
図１８は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。そして、その表示部６４０は、上記各実施の形態等に係る表示装置により構成されている。

（適用例５）
図１９は、上記実施の形態等の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態等に係る表示装置により構成されている。

Claims (9)

1. ゲート電極と、
   前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上において、前記ゲート電極に対応してチャネル領域を形成する酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上において、少なくとも前記チャネル領域に対応する領域に形成されたチャネル保護膜と、
   ソース・ドレイン電極と
   を備え、
   前記ゲート絶縁膜上において、前記酸化物半導体層の上面および側面が、前記ソース・ドレイン電極および前記チャネル保護膜によって覆われている
   薄膜トランジスタ。
2. 前記チャネル保護膜が、酸化アルミニウムを含んで構成されている
   請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
3. 前記チャネル保護膜が、酸化アルミニウム膜とシリコン酸化膜とを含む積層膜である
   請求項２に記載の薄膜トランジスタ。
4. 前記ゲート絶縁膜が、酸化アルミニウムまたはシリコン窒化物を含んで構成されている
   請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
5. 前記ゲート絶縁膜が、酸化アルミニウム膜とシリコン窒化膜とを含む積層膜である
   請求項４に記載の薄膜トランジスタ。
6. 前記ソース・ドレイン電極が、複数の金属層を積層して構成されており、
   前記複数の金属層のうちの前記酸化物半導体層と接する金属層が、酸素を含む金属材料により構成されている
   請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
7. 前記ソース・ドレイン電極が、複数の金属層を積層して構成されており、
   前記複数の金属層のうちの前記酸化物半導体層と接する金属層が、モリブデン（Ｍｏ）により構成されている
   請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
8. 表示素子と、この表示素子を駆動するための薄膜トランジスタとを備え、
   前記薄膜トランジスタは、
   ゲート電極と、
   前記ゲート電極上に形成されたゲート絶縁膜と、
   前記ゲート絶縁膜上において、前記ゲート電極に対応してチャネル領域を形成する酸化物半導体層と、
   前記酸化物半導体層上において、少なくとも前記チャネル領域に対応する領域に形成されたチャネル保護膜と、
   ソース・ドレイン電極と
   を有し、
   前記ゲート絶縁膜上において、前記酸化物半導体層の上面および側面が、前記ソース・ドレイン電極および前記チャネル保護膜によって覆われている
   表示装置。
9. 前記表示素子は、アノードと、発光層を含む有機層と、カソードとを有する有機発光素子である
   請求項８に記載の表示装置。