JP2017188626A - 表示装置の作製方法 - Google Patents

Abstract

【課題】表示装置を低コストで作製する。または表示装置の量産性を向上させる。【解決手段】第１の基板を加熱して、第１の基板上に熱可塑性材料を有する第１の樹脂層を形成する工程と、第１の樹脂層上に、第１の絶縁層を形成する工程と、第１の絶縁層上に、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタを形成する工程と、第１の基板を熱可塑性材料の耐熱温度より高い温度に加熱して、第１の樹脂層と第１の基板とを分離する工程と、接着層を介して第１の樹脂層と、可撓性を有する第２の基板とを接着する工程とを有し、第１の樹脂層を形成する工程における第１の基板の加熱温度を、熱可塑性材料の耐熱温度より高い温度とし、トランジスタの作製工程における最高温度を、熱可塑性材料の耐熱温度以下とする。【選択図】図１

Description

本発明の一態様は、表示装置の作製方法に関する。又は本発明の一態様は、フレキシブルデバイスの作製方法に関する。

なお、本発明の一態様は、上記技術分野に限定されない。本明細書等で開示する本発明の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、発光装置、蓄電装置、記憶装置、電子機器、照明装置、入力装置、入出力装置、それらの駆動方法、またはそれらの製造方法を一例としてあげることができる。

なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装置全般を指す。トランジスタ、半導体回路、演算装置、記憶装置等は半導体装置の一態様である。また、撮像装置、電気光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む）、及び電子機器は半導体装置を有している場合がある。

有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子や、液晶素子が適用された表示装置が知られている。また、そのほかにも、発光ダイオード（ＬＥＤ：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子を備える発光装置、電気泳動方式などにより表示を行う電子ペーパなども、表示装置の一例として挙げることができる。

有機ＥＬ素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の有機化合物を含む層を挟持したものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の有機化合物から発光を得ることができる。このような有機ＥＬ素子が適用された表示装置は、薄型、軽量、高コントラストで且つ低消費電力な表示装置を実現できる。

また、可撓性を有する基板（フィルム）上に、トランジスタなどの半導体素子や、有機ＥＬ素子などの表示素子を形成することによりフレキシブルな表示装置が実現できる。

特許文献１では、犠牲層を介して耐熱性樹脂層及び電子素子が設けられた支持基板にレーザ光を照射して、耐熱性樹脂層をガラス基板から剥離することで、フレキシブルな表示装置を作製する方法が開示されている。

特開２０１５−２２３８２３号公報

本発明の一態様は、信頼性の高い表示装置を提供することを課題の一とする。又は、低温で形成可能な表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。又は作製工程が簡略化された表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。又は、量産性の高い表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。又は低コスト化された表示装置の作製方法を提供することを課題の一とする。

なお、これらの課題の記載は、ほかの課題の存在を妨げるものではない。本発明の一態様は、これらの課題のすべてを解決する必要はないものとする。また、上記以外の課題は、明細書等の記載から抽出することが可能である。

本発明の一態様は、第１の基板を加熱して、第１の基板上に熱可塑性材料を有する第１の樹脂層を形成する工程と、第１の樹脂層上に、第１の絶縁層を形成する工程と、第１の絶縁層上に、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタを形成する工程と、第１の基板を熱可塑性材料の耐熱温度より高い温度に加熱して、第１の樹脂層と第１の基板とを分離する工程と、接着層を介して第１の樹脂層と、可撓性を有する第２の基板とを接着する工程とを有し、第１の樹脂層を形成する工程における第１の基板の加熱温度は、熱可塑性材料の耐熱温度より高い温度であり、トランジスタの作製工程における最高温度は、熱可塑性材料の耐熱温度以下であることを特徴とする表示装置の作製方法である。

本発明の一態様は、第１の基板を加熱して、第１の基板上に第１の熱可塑性材料を有する第１の樹脂層を形成する工程と、第１の樹脂層上に、第１の絶縁層を形成する工程と、第１の絶縁層上に、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタを形成する工程と、トランジスタ上に、トランジスタに電気的に接続する表示素子を形成する工程と、第２の基板を加熱して、第２の基板上に第２の熱可塑性材料を有する第２の樹脂層を形成する工程と、第２の樹脂層上に、第２の絶縁層を形成する工程と、第２の絶縁層上に、カラーフィルタを有する層を形成する工程と、トランジスタ、表示素子及びカラーフィルタを有する層を挟んで第１の基板と第２の基板とを貼りあわせる工程と、第１の基板を第１の熱可塑性材料の耐熱温度より高い温度に加熱して、第１の樹脂層と第１の基板とを分離する工程と、第１の接着層を介して第１の樹脂層と、可撓性を有する第３の基板とを接着する工程と、第２の基板を第２の熱可塑性材料の耐熱温度より高い温度に加熱して、第２の樹脂層と第２の基板とを分離する工程と、第２の接着層を介して第２の樹脂層と、可撓性を有する第３の基板とを接着する工程とを有し、第１の樹脂層を形成する工程における第１の基板の加熱温度は、第１の熱可塑性材料の耐熱温度よりも高く、トランジスタの作製工程における最高温度は、第１の熱可塑性材料の耐熱温度以下であり、第２の樹脂層を形成する工程における第２の基板の加熱温度は、第２の熱可塑性材料の耐熱温度よりも高く、カラーフィルタを有する層の作製工程における最高温度は、第２の熱可塑性材料の耐熱温度以下であることを特徴とする表示装置の作製方法である。

上記の本発明の一態様の表示装置の作製方法において、第２の樹脂層と第２の基板とを分離する工程において、第２の基板の全面を加熱してもよい。

また、上記の本発明の一態様の表示装置の作製方法において、第１の樹脂層と第１の基板とを分離する工程において、第１の基板の全面を加熱してもよい。

上記の本発明の一態様の表示装置の作製方法において、第１の樹脂層と第１の基板とを分離する工程において、第１の基板を２２０℃より高く４００℃よりも低い温度に加熱することが好ましい。

また、上記の本発明の一態様の表示装置の作製方法において、第１の樹脂層と第１の基板とを分離する工程において、オーブン、ホットプレート、加熱ブロー、加熱機構を有するステージ、または加熱機構を有するローラのいずれか一以上を用いて第１の基板を加熱することが好ましい。

また、上記の本発明の一態様の表示装置の作製方法において、トランジスタの作製工程における最高温度は、３５０℃以下であることが好ましい。

本発明の一態様によって、信頼性の高い表示装置を提供することができる。又は、低温で形成可能な表示装置の作製方法を提供することができる。又は、作製工程が簡略化された表示装置の作製方法を提供することができる。又は、量産性の高い表示装置の作製方法を提供することができる。

表示装置の作製方法を説明する概念図。 表示装置の作製方法を説明する図。 表示装置の作製方法を説明する図。 表示装置の作製方法を説明する図。 表示装置の作製方法を説明する図。 表示装置に適用可能なトランジスタを示す図。 表示装置を説明する図。 表示装置を説明する図。 表示装置の作製方法を説明する図。 表示装置の作製方法を説明する図。 表示モジュールを説明する図。 電子機器を説明する図。

実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。よって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

なお、以下に説明する発明の構成において、同一部分又は同様な機能を有する部分には同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。また、同様の機能を指す場合には、ハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。

なお、本明細書で説明する各図において、各構成の大きさ、層の厚さ、または領域は、明瞭化のために誇張されている場合がある。よって、必ずしもそのスケールに限定されない。

なお、本明細書等における「第１」「第２」等の序数詞は、構成要素の混同を避けるために付すものであり、数的に限定するものではない。

トランジスタは半導体素子の一種であり、電流や電圧の増幅や、導通または非導通を制御するスイッチング動作などを実現することができる。本明細書におけるトランジスタは、ＩＧＦＥＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）や薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を含む。

（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の作製方法について説明する。

図１に、本実施の形態の表示装置の作製方法の概念図を示す。図１（Ａ）は、トランジスタを含む素子形成層１１０と、表示素子を含む素子形成層１２０とが設けられた支持基板１００と、カラーフィルタ（着色層）を含む素子形成層１３０が設けられた支持基板１５０とが、接着層１２２によって貼りあわされた状態を示す。

図１（Ａ）において、支持基板１００上に接して、熱可塑性材料を含む樹脂層１０２が形成されている。支持基板１００上に熱可塑性材料を含む樹脂層１０２が設けられていることで、加熱によって樹脂層１０２を溶融または軟化させて支持基板１００と樹脂層１０２とを分離することができる。支持基板１００としては、樹脂層１０２の耐熱温度よりも高い耐熱性を有している材質を適用する。

なお、本明細書等において、樹脂層の耐熱温度とは、樹脂層に含まれる熱可塑性材料の物理的形状が保持できる上限の温度を指す。例えば、熱可塑性材料として結晶性の高分子材料を含む材料を適用する場合には、耐熱温度は熱可塑性材料の融点とすることができる。又は熱可塑性材料として非晶質の高分子材料を含む材料を適用する場合には、耐熱温度は熱可塑性材料のガラス転移点とすることができる。

樹脂層１０２と素子形成層１１０との間には、絶縁層１０４が形成されている。絶縁層１０４は、トランジスタの作製工程において、樹脂層１０２に損傷（ダメージ）が与えられることを抑制する機能を有する。または、樹脂層１０２からトランジスタへ不純物が侵入し、トランジスタの特性が変動することを抑制する機能を有する。

素子形成層１１０は、トランジスタを有する。素子形成層１１０に設けられたトランジスタとしては、酸化物半導体を有するトランジスタを好ましく適用することができる。酸化物半導体を有するトランジスタは、低温ポリシリコンと異なり、高温での熱処理は必要とせず、作製工程の最高温度を３５０℃以下、さらには３００℃以下とすることが可能である。樹脂層１０２は、耐熱温度が少なくともトランジスタの作製工程の最高温度より高い温度である必要があるため、トランジスタの作製工程の最高温度が低温であると、樹脂層１０２に適用可能な熱可塑性材料の選択の幅を広げることが可能となる。また、樹脂層１０２に耐熱性の低い材料を適用することが可能となるため、樹脂層１０２を低コストで作製することが可能となる。また、耐熱性の低い材料を樹脂層１０２に適用することで、支持基板１００との分離工程における熱処理を低温で行うことが可能となる。

素子形成層１２０は、表示素子を有する。素子形成層１２０に設けられた表示素子としては、例えば有機ＥＬ素子、無機ＥＬ素子、発光ダイオード等の発光素子、または液晶素子等を適用することができる。なお、素子形成層１２０に設けられた表示素子と、素子形成層１１０に設けられたトランジスタとは電気的に接続されている。

素子形成層１１０、素子形成層１２０及び素子形成層１３０は、接着層１２２によって封止されている。また、素子形成層１３０と、支持基板１５０との間には、支持基板１５０に接する樹脂層１５２と、樹脂層１５２と素子形成層１３０との間に位置する絶縁層１５４とが設けられている。支持基板１５０は、支持基板１００と同様の材料を適用することができる。また、樹脂層１５２は、樹脂層１０２と同様に熱可塑性材料を含む。支持基板１５０上に熱可塑性材料を含む樹脂層１５２が設けられていることで、加熱によって樹脂層１５２を溶融させて支持基板１５０と、素子形成層１３０とを分離することができる。絶縁層１５４は、カラーフィルタの作製工程において、樹脂層１５２に損傷（ダメージ）が与えられることを抑制する機能を有する。または、樹脂層１５２から表示素子へ不純物が侵入し、表示素子が劣化することを抑制する機能を有する。

素子形成層１１０と、支持基板１００とを分離（剥離）するために、支持基板１００を樹脂層１０２の耐熱温度より高い温度に加熱して樹脂層１０２を溶融させる（図１（Ｂ））。図１（Ｂ）では、樹脂層１０２における分離面を明示的に矢印１６２で示している。本実施の形態で示す表示装置の作製工程において、樹脂層１０２を溶融させるための支持基板１００の加熱は、支持基板１００の全面に対して行うことができる。当該加熱には、例えば、オーブン、ホットプレート、加熱ブロー、加熱機構を有するステージ、及び加熱機構を有するローラ等の加熱装置を用いることができ、レーザ装置等の局所加熱装置を要しない。レーザ装置は、その導入にかかるコストのみでなく、保守や管理に係るコストが高額である。よって、レーザ装置を用いない本発明の一態様の作製方法は極めて低コストな作製方法であるといえる。また、レーザ装置は出力の安定性等に課題がある一方で、前述の加熱装置は樹脂層１０２を安定して均一に加熱することが可能である。よって、本実施の形態に係る表示装置の作製方法は、簡便、且つ高信頼性化された作製方法であり、量産に適した作製方法ということもできる。

なお、溶融した樹脂層１０２は、一部が支持基板１００に残存することがある。図１（Ｃ）では、支持基板１００上に、樹脂層１０２ｂが残存し、絶縁層１０４に接して樹脂層１０２より膜厚の小さい樹脂層１０２ａが得られた場合を例示している。ただし、本発明の実施の形態はこれに限られるものではない。

次いで、分離によって露出した樹脂層１０２ａに、可撓性を有する基板１８０を接着する（図１（Ｄ））。基板１８０の接着には、接着層を設けてもよいし、加熱及び加圧によって樹脂層１０２ａを熱圧着してもよい。なお、支持基板１００を分離した後、さらに樹脂層１０２ａを除去し、露出した絶縁層１０４と基板１８０とを接着層によって接着してもよい。

次いで、支持基板１００の分離と同様に、支持基板１５０を樹脂層１５２の耐熱温度よりも高い温度に加熱して、樹脂層１５２を溶融または軟化させる（図１（Ｅ））。図１（Ｅ）では、樹脂層１５２における分離面を明示的に矢印１６４で示している。

なお、溶融した樹脂層１５２は、一部が支持基板１５０に残存することがある。図１（Ｆ）では、支持基板１００上に、樹脂層１５２ｂが残存し、絶縁層１５４に接して膜厚の小さい樹脂層１５２ａが得られた場合を例示している。ただし、本発明の実施の形態はこれに限られるものではない。

次いで、分離によって露出した樹脂層１５２ａに、可撓性を有する基板１８２を接着する（図１（Ｇ））。基板１８２の接着には、接着層を設けてもよいし、加熱及び加圧によって樹脂層１５２ａを熱圧着してもよい。なお、支持基板１５０を分離した後、さらに樹脂層１５２ａを除去し、露出した絶縁層１５４と基板１８２とを接着層によって接着してもよい。

以上によって、本発明の一態様に係る表示装置を作製することができる。なお、上記の作製工程では、支持基板１００と素子形成層１１０とを分離後に、支持基板１５０と素子形成層１３０とを分離する場合を例に示したが、本実施の形態はこれに限られるものではない。例えば、支持基板１５０と素子形成層１３０とを分離後に、支持基板１００と素子形成層１１０とを分離してもよい。又は、支持基板１００と支持基板１５０とを同時に加熱してもよい。

本発明の一態様の表示装置の作製方法を用いることで、支持基板上に形成された素子形成層と支持基板とを分離する際に、レーザ装置などの装置を必要としない。よって、簡便な方法で、または低コストな方法で、表示装置を形成することが可能となる。

また、素子形成層に設けられるトランジスタとして、酸化物半導体を有するトランジスタを適用することで、結晶性を高める、膜質を改善する、あるいは膜質の安定性を図るためといった、低温ポリシリコンで必要とされる高い温度でのアニール処理を施す必要が無く、低温プロセスで極めて良好な電気特性を実現することのできるトランジスタとすることが可能である。よって、素子形成層と支持基板との分離に用いる熱可塑性材料として耐熱性の低い材料を適用することが可能となり、材料選択の幅を広げ、低コストな材料を選択することが可能となる。

以下では、より具体的な作製方法例及び構成例について、図面を参照して説明する。

図２乃至図５を用いて本発明の一態様の表示装置の作製方法の一例として、表示素子に発光素子を用いた表示装置の作製方法について説明する。ただし、本発明の実施の形態はこれに限られるものではなく、表示素子に例えば液晶素子を適用することも可能である。

なお、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スパッタリング法、化学気相堆積（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法、パルスレーザー堆積（ＰＬＤ：Ｐｕｌｓｅ Ｌａｓｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、原子層成膜（ＡＬＤ：Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等を用いて形成することができる。ＣＶＤ法としては、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）法や、熱ＣＶＤ法でもよい。熱ＣＶＤ法の例として、有機金属化学堆積（ＭＯＣＶＤ：Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ ＣＶＤ）法を使ってもよい。

また、表示装置を構成する薄膜（絶縁膜、半導体膜、導電膜等）は、スピンコート、ディップ、スプレー塗布、インクジェット、ディスペンス、スクリーン印刷、オフセット印刷、ドクターナイフ、スリットコート、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等の方法により形成することができる。

また、表示装置を構成する薄膜を加工する際には、フォトリソグラフィ法等を用いて加工することができる。または、遮蔽マスクを用いた成膜方法により、島状の薄膜を形成してもよい。または、ナノインプリント法、サンドブラスト法、リフトオフ法などにより薄膜を加工してもよい。フォトリソグラフィ法としては、加工したい薄膜上にレジストマスクを形成して、エッチング等により当該薄膜を加工し、レジストマスクを除去する方法と、感光性を有する薄膜を成膜した後に、露光、現像を行って、当該薄膜を所望の形状に加工する方法と、がある。

フォトリソグラフィ法において、露光に用いる光は、例えばｉ線（波長３６５ｎｍ）、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｈ線（波長４０５ｎｍ）、またはこれらを混合させた光を用いることができる。そのほか、紫外線やＫｒＦレーザ光、またはＡｒＦレーザ光等を用いることもできる。また、液浸露光技術により露光を行ってもよい。また、露光に用いる光として、極端紫外光（ＥＵＶ：Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ−ｖｉｏｌｅｔ）やＸ線を用いてもよい。また、露光に用いる光に換えて、電子ビームを用いることもできる。極端紫外光、Ｘ線または電子ビームを用いると、極めて微細な加工が可能となるため好ましい。なお、電子ビームなどのビームを走査することにより露光を行う場合には、フォトマスクは不要である。

薄膜のエッチングには、ドライエッチング法、ウエットエッチング法、サンドブラスト法などを用いることができる。

まず、支持基板１００を加熱して、支持基板１００上に熱可塑性材料を含む樹脂層１０２を形成する（図２（Ａ））。支持基板１００の加熱温度は、樹脂層１０２に含まれる熱可塑性材料の耐熱温度以上、好ましくは熱可塑性材料の耐熱温度より高い温度とする。

支持基板１００は、搬送が容易となる程度に剛性を有し、且つ作製工程にかかる温度に対して耐熱性を有する。支持基板１００に用いることができる材料としては、例えば、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂、半導体、金属または合金などが挙げられる。ガラスとしては、例えば、無アルカリガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガラス等が挙げられる。

樹脂層１０２に用いる熱可塑性材料としては、液状の材料、ペースト状の材料、またはシート状の材料を用いることができる。シート状の材料は、自由な形状にカットして用いることができるため好適である。

例えば、溶媒を含む熱可塑性の材料を、スクリーン印刷法、スピンコート法、スプレーコート法、ホットメルト法等により、熱可塑性材料の耐熱温度以上、好ましくは熱可塑性材料の耐熱温度より高い温度に加熱された支持基板１００に塗布し、溶媒を除去することにより樹脂層１０２を形成してもよい。

または、溶媒を含まない熱可塑性の材料（例えば、シート状の熱可塑性材料）を支持基板１００上に配置し、その上にフィルム、基板等の押圧用部材を配置し、押圧用部材上から加熱及び加圧を行い、支持基板１００を熱可塑性材料の耐熱温度より高い温度とすることにより、熱圧着によって支持基板１００上に樹脂層１０２を形成してもよい。

樹脂層１０２に用いることのできる熱可塑性材料としては、後の工程で用いるガスや薬液等に対して化学的に安定な材料を用いることが好ましい。

熱可塑性材料としては、例えば結晶性の高分子材料又は非晶質の高分子材料を含む材料を用いることができる。例えば、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、アクリロニトリルスチレン（ＡＳ）樹脂、ＡＢＳ樹脂などを含む材料を用いることができる。また、ポリテトラフルオロエチレン、クロロトリフルオロエチレン、ポリフッ化ビニリデン、ポリフッ化ビニルなどのフッ素樹脂、ペルフルオロアルコキシフッ素樹脂などのフッ素樹脂共重合体などを含む材料を用いてもよい。また、液晶ポリマーを含む材料を用いてもよい。またこのような材料を含み、耐熱性や化学的安定性を向上させた材料を用いることが好ましい。

なお、樹脂層１０２が後に形成される表示素子の視認側に位置する場合、樹脂層１０２（または分離後の樹脂層１０２ａ）は少なくとも該表示素子の表示領域と重なる領域において透光性を有する必要がある。この場合において、樹脂層１０２に適用する熱可塑性材料としては透光性を有する材料を用いることが好ましい。又は、この場合において、分離後の樹脂層１０２ａの膜厚を透光性を有する膜厚とすることが好ましい。ただし、樹脂層１０２が後に形成される表示素子の視認側に位置しない場合、あるいは、分離後の樹脂層１０２ａを除去する場合には、樹脂層１０２は透光性を有していなくてもよい。

樹脂層１０２は、例えば１０ｎｍ以上５００μｍ以下、好ましくは５０ｎｍ以上３００μｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以上１００μｍ以下、さらに好ましくは１００ｎｍ以上１０μｍ以下の厚さとすることが好ましい。樹脂層１０２を薄膜化することで、後述する剥離の工程において、樹脂層１０２と支持基板１００を分離するのに要する力を低減することができ、容易に剥離することができる。また、支持基板１００または絶縁層１０４に接着された樹脂層１０２を、剥離後に除去する場合には樹脂層１０２を薄膜化することで、除去が容易となるため好ましい。一方で、樹脂層１０２を厚膜化した場合、作製された表示装置の押圧に対する強度を強めることができる。

次いで、樹脂層１０２上に絶縁層１０４を形成する（図２（Ｂ））。絶縁層１０４は、少なくとも樹脂層１０２の耐熱温度以下の温度、好ましくは樹脂層１０２の耐熱温度未満の温度で形成する。

絶縁層１０４は、支持基板１００や樹脂層１０２に含まれる不純物が、後に形成するトランジスタや表示素子に拡散することを防ぐバリア層として用いることができる。そのためバリア性の高い材料を用いることが好ましい。また、後に形成するトランジスタの作製工程において、樹脂層１０２へのダメージを抑制するバリア層として機能することもできる。

絶縁層１０４として、具体的には、例えば窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜などの無機絶縁材料を用いることができる。また、上述の２以上の絶縁膜を積層して用いてもよい。特に、支持基板１００側から窒化シリコン膜と酸化シリコン膜の積層膜を用いることが好ましい。

絶縁層１０４に用いる無機絶縁膜は、成膜時の基板温度を室温以上樹脂層１０２の耐熱温度未満、好ましくは室温以上３００度以下、より好ましくは８０度以上２５０度以下、より好ましくは１００度以上２２０度以下で成膜する。温度が高いほど緻密でバリア性の高い絶縁膜とすることができる。

また、支持基板１００の表面に凹凸がある場合、絶縁層１０４は当該凹凸を被覆することが好ましい。また、絶縁層１０４が当該凹凸を平坦化する平坦化層としての機能を有していてもよい。例えば、絶縁層１０４として、有機絶縁材料と無機絶縁材料を積層して用いることが好ましい。有機絶縁材料としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等の有機樹脂を用いることができる。当該有機絶縁材料は、耐熱性が樹脂層１０２よりも高い材料を用いることが好ましい。

また、絶縁層１０４に用いる有機絶縁膜は、形成時の温度を室温以上であり、且つ樹脂層１０２の耐熱温度以下、好ましくは３００度以下、より好ましくは２５０度以下、より好ましくは２２０度以下とする。

次いで、図２（Ｃ）に示すように、絶縁層１０４上にトランジスタ４０を形成する。ここでは、トランジスタ４０の一例として、第１のゲート電極として機能する導電層４１と、第２のゲート電極として機能する導電層２１とを有するデュアルゲート構造のトランジスタを作製する場合の例を示す。このようなトランジスタは他のトランジスタと比較して電界効果移動度を高めることができ、オン電流を増大させることができる。その結果、高速動作が可能な回路を作製することができる。さらには、回路の占有面積を縮小することができる。オン電流の大きなトランジスタを適用することで、表示装置を大型化又は高精細化し配線数が増大しても、各配線における信号遅延を低減することができ、表示の輝度のばらつきを低減することができる。ただし、本発明の実施の形態はこれに限られるものではない。

絶縁層１０４上に導電層４１を形成する。導電層４１は、絶縁層１０４上に導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。導電膜の成膜温度は室温以上であり、且つ樹脂層１０２の耐熱温度以下、好ましくは樹脂層１０２の耐熱温度未満、好ましくは３００度以下、より好ましくは２５０度以下、より好ましくは２２０度以下とする。

次いで、ゲート絶縁層として機能する絶縁層３２を形成する。絶縁層３２は、絶縁層１０４に用いることのできる無機絶縁膜を援用することができる。絶縁層３２の成膜温度は、室温以上であり、且つ樹脂層１０２の耐熱温度以下、好ましくは樹脂層１０２の耐熱温度未満、好ましくは３００度以下、より好ましくは２５０度以下、より好ましくは２２０度以下とする。なお、成膜温度が高いほど緻密でバリア性の高い絶縁層とすることができる。

次いで、酸化物半導体層４２を形成する。トランジスタ４０の半導体層として、酸化物半導体層を用いると、低温ポリシリコンの作製工程で必要とされる高温（例えば５００℃程度）での水素だし工程や、結晶化のためのレーザ工程を必要としない。従って、樹脂層１０２に適用される熱可塑性材料として、耐熱温度が例えば３５０℃程度の耐熱性の低い材料を選択することも可能となる。これによって、樹脂層１０２に適用可能な熱可塑性材料の選択の幅を広げ、耐熱性の低い低コストな材料を用いることが可能となる。また、酸化物半導体のバンドギャップは代表的には２．５ｅＶ以上であり、シリコンの１．１ｅＶよりも広い。このようにバンドギャップが広く、且つキャリア密度の小さい材料をトランジスタのチャネルに適用することで、トランジスタのオフ状態における電流を低減することができるため、好適である。

本実施の形態では、酸化物半導体層４２として、例えばスパッタリング法によってＩｎとＧａとＺｎとを有する酸化物半導体層を形成する。

酸化物半導体層４２の結晶性については特に限定されない。例えば、複数の結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面、または半導体層の上面に対し概略垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界が観察されない酸化物半導体層を用いることができる。このような酸化物半導体は、結晶粒界を有さないために表示装置を湾曲させたときの応力によって酸化物半導体層にクラックが生じてしまうことが抑制される。したがって、可撓性を有し、湾曲させて用いる表示装置などに、このような酸化物半導体を好適に用いることができる。一方で、トランジスタ特性において、高い電界効果移動度が必要な場合には、酸化物半導体層の結晶性を低下させる、または結晶性を有さない酸化物半導体層としてもよい。

酸化物半導体層４２は、酸化物半導体膜を成膜後、レジストマスクを形成し、当該酸化物半導体膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成することができる。

なお、酸化物半導体層４２は、単層構造又は積層構造とすることができる。酸化物半導体層４２を積層構造とする場合には、同一の酸化物半導体材料を有し、組成の異なる層を積層させてもよいし、異なる酸化物半導体材料を有する層を積層させてもよい。また、積層構造の酸化物半導体層の各々の層の結晶性を同一のものとしてもよいし、異なるものとしてもよい。例えば、結晶性の低い又は結晶性を有さない酸化物半導体層上に、結晶部を有し、当該結晶部はｃ軸が半導体層の被形成面、または半導体層の上面に対し概略垂直に配向し、且つ隣接する結晶部間には粒界が観察されない酸化物半導体層を積層してもよい。

酸化物半導体膜の成膜は、成膜時の基板温度を室温以上樹脂層１０２の耐熱温度以下、好ましくは室温以上樹脂層１０２の耐熱温度未満、好ましくは室温以上３００度以下、より好ましくは７０度以上２２０度以下、より好ましくは７０度以上１５０度以下とする。なお、成膜時の基板の温度を高めることにより、配向性を有する結晶部をより多く形成することができる。

また、酸化物半導体膜としては、不活性ガス（代表的にはＡｒガス）及び酸素ガスのいずれか一方又は双方を用いて形成することができる。酸化物半導体膜の成膜時に酸素ガスを用いる場合、成膜時の酸素の流量比（酸素分圧）を、１％以上３３％未満、好ましくは５％以上３０％以下、より好ましくは５％以上２０％以下、さらに好ましくは５％以上１５％以下、代表的には１０％とすることが好ましい。酸素流量を低減することにより、配向性を有さない結晶部をより多く膜中に含ませることができる。

酸化物半導体膜の成膜時の基板温度と、成膜時の酸素流量を上述の範囲とすることで、配向性を有する結晶部と、配向性を有さない結晶部とが混在した酸化物半導体膜を得ることができる。また、基板温度と酸素流量を上述の範囲内で最適化することにより、配向性を有する結晶部と配向性を有さない結晶部の存在割合を制御することが可能となる。

酸化物半導体膜の成膜に用いることの可能な酸化物ターゲットとしては、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系酸化物に限られず、例えば、Ｉｎ−Ｍ−Ｚｎ系酸化物（Ｍは、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）を適用することができる。

なお、ここではスパッタリング法により形成する方法について説明したが、これに限定されない。例えばパルスレーザー堆積（ＰＬＤ）法、プラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）法、熱ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、ＡＬＤ（Ａｔｏｍｉｃ Ｌａｙｅｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、真空蒸着法などを用いてもよい。熱ＣＶＤ法の例としては、ＭＯＣＶＤ（Ｍｅｔａｌ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が挙げられる。

続いて、導電層４３ａ及び導電層４３ｂを形成する。導電層４３ａ及び導電層４３ｂは、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。

導電膜は、形成時の温度を室温以上であり、且つ樹脂層１０２の耐熱温度以下、好ましくは樹脂層１０２の耐熱温度未満、好ましくは３００度以下、より好ましくは２５０度以下、より好ましくは２２０度以下とする。

なお、導電層４３ａ及び導電層４３ｂの加工の際に、レジストマスクに覆われていない酸化物半導体層４２の一部がエッチングにより薄膜化する場合がある。酸化物半導体層４２として配向性を有する結晶部を含む酸化物半導体層を用いると、この薄膜化を抑制できるため好ましい。

次いで、導電層４３ａ及び導電層４３ｂ上に絶縁層３３を形成する。絶縁層３３は、第２のゲート絶縁層として機能する。絶縁層３３は、絶縁層１０４及び絶縁層３２と同様の方法により形成することができる。

絶縁層３３は、成膜時の基板温度を室温以上樹脂層１０２の耐熱温度以下、好ましくは樹脂層１０２の耐熱温度未満、好ましくは室温以上３００度以下、より好ましくは８０度以上２５０度以下、より好ましくは１００度以上２２０度以下で成膜する。温度が高いほど緻密でバリア性の高い絶縁膜とすることができる。

また、絶縁層３３として、酸素を含む雰囲気下で上述のような低温で成膜した酸化シリコン膜や酸化窒化シリコン膜等の酸化物絶縁膜を用いることが好ましい。また当該酸化シリコンや酸化窒化シリコン膜上に窒化シリコン膜などの酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層して形成することが好ましい。酸素を含む雰囲気下で低温で形成した酸化物絶縁膜は、加熱により多くの酸素を放出しやすい絶縁膜とすることができる。このような酸素を放出する酸化絶縁膜と、酸素を拡散、透過しにくい絶縁膜を積層した状態で、加熱処理を行うことにより、酸化物半導体層４２に酸素を供給することができる。その結果、酸化物半導体層４２中の酸素欠損、及び酸化物半導体層４２と絶縁層３３の界面の欠陥を修復し、欠陥準位を低減することができる。これにより、極めて信頼性の高い半導体装置を実現できる。

次いで、絶縁層３３上に第２のゲート電極として機能する導電層２１を形成する。導電層２１は、絶縁層３３上に導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。導電膜の成膜温度は室温以上であり、且つ樹脂層１０２の耐熱温度以下、好ましくは３００度以下、より好ましくは２５０度以下、より好ましくは２２０度以下とする。

導電層２１には、導電性を有する材料を適宜適用することが可能である。なお、導電層２１上に、例えば窒化シリコン膜等の窒化物絶縁膜（図示せず）を形成した場合、導電層２１として、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物に代表される酸化物半導体を用いることもできる。当該酸化物半導体は、導電層２１上に設けられた窒化物絶縁膜から窒素または水素が供給されることで、キャリア密度が高くなる。別言すると、酸化物半導体は、酸化物導電体（ＯＣ：Ｏｘｉｄｅ Ｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）として機能するため、このような酸化物半導体を、ゲート電極として用いることができる。

例えば、導電層２１としては、酸化物導電体（ＯＣ）の単層構造、金属膜の単層構造、または酸化物導電体（ＯＣ）と、金属膜との積層構造等が挙げられる。

なお、導電層２１として、遮光性を有する金属膜の単層構造、または酸化物導電体（ＯＣ）と遮光性を有する金属膜との積層構造を用いる場合、導電層２１の下方に形成されるチャネル領域を遮光することができるため、好適である。また、導電層２１として、酸化物半導体または酸化物導電体（ＯＣ）と、遮光性を有する金属膜との積層構造を用いる場合、酸化物半導体または酸化物導電体（ＯＣ）上に、金属膜（例えば、チタン膜、タングステン膜など）を形成することで、金属膜中の構成元素が酸化物半導体または酸化物導電体（ＯＣ）側に拡散し低抵抗化する、金属膜の成膜時のダメージ（例えば、スパッタリングダメージなど）により低抵抗化する、あるいは金属膜中に酸化物半導体または酸化物導電体（ＯＣ）中の酸素が拡散することで、酸素欠損が形成され低抵抗化する。

以上のようにして、トランジスタ４０を作製できる。トランジスタ４０において、導電層４１、導電層２１の一部はゲートとして機能し、絶縁層３２、絶縁層３３の一部はゲート絶縁層として機能し、導電層４３ａ及び導電層４３ｂは、それぞれソース又はドレインのいずれか一方として機能する。

続いて、絶縁層３３上に絶縁層３４を形成する（図２（Ｄ））。絶縁層３４は、後に形成する表示素子の被形成面を有する層であるため、平坦化層として機能する層であることが好ましい。絶縁層３４は、絶縁層３１に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用することができる。

絶縁層３４に有機絶縁膜を用いる場合、形成時の温度を室温以上であり、且つ樹脂層１０２の耐熱温度以下、好ましくは樹脂層１０２の耐熱温度未満、好ましくは３００度以下、より好ましくは２５０度以下、より好ましくは２２０度以下とする。

また絶縁層３４に無機絶縁膜を用いる場合、成膜時の基板温度を室温以上樹脂層１０２の耐熱温度以下、好ましくは樹脂層１０２の耐熱温度未満、好ましくは室温以上３００度以下、より好ましくは８０度以上２５０度以下、より好ましくは１００度以上２２０度以下で成膜する。温度が高いほど緻密でバリア性の高い絶縁膜とすることができる。

なお、絶縁層３４を成膜した段階で、支持基板１００と樹脂層１０２とを分離することで、表示素子を有さないフレキシブルデバイスを作製することができる。例えば、トランジスタ４０や、トランジスタ４０に加えて容量素子、抵抗素子、及び配線などを形成することで、半導体回路を有するフレキシブルデバイスを作製することができる。

なお、絶縁層１０４上に形成されたトランジスタ４０を含む積層構造が、図１におけるトランジスタ含む素子形成層１１０に相当する。ただし、素子形成層１１０の構成要素として絶縁層３４を含めてもよい。

次いで、絶縁層３４及び絶縁層３３に、導電層４３ｂに達する開口を形成した後、導電層６１を形成する（図３（Ａ））。導電層６１は、その一部が画素電極として機能する。

導電層６１は、導電層４１は、導電膜を成膜した後、レジストマスクを形成し、当該導電膜をエッチングした後にレジストマスクを除去することにより形成できる。導電膜は、形成時の温度を室温以上であり、且つ樹脂層１０２の耐熱温度以下、好ましくは３００度以下、より好ましくは２５０度以下、より好ましくは２２０度以下とする。

続いて、図３（Ａ）に示すように、導電層６１の端部を覆う絶縁層３５を形成する。絶縁層３５は、絶縁層１０４に用いることのできる有機絶縁膜または無機絶縁膜を援用できる。

絶縁層３５に有機絶縁膜を用いる場合、形成時の温度を室温以上であり、且つ樹脂層１０２の耐熱温度以下、好ましくは樹脂層１０２の耐熱温度未満、好ましくは３００度以下、より好ましくは２５０度以下、より好ましくは２２０度以下とする。

また絶縁層３５に無機絶縁膜を用いる場合、成膜時の基板温度を室温以上樹脂層１０２の耐熱温度以下、好ましくは室温以上樹脂層１０２の耐熱温度未満、好ましくは室温以上３００度以下、より好ましくは８０度以上２５０度以下、より好ましくは１００度以上２２０度以下で成膜する。温度が高いほど緻密でバリア性の高い絶縁膜とすることができる。

続いて、図３（Ｂ）に示すように、ＥＬ層６２及び導電層６３を形成する。

ＥＬ層６２としては、有機ＥＬ層又は無機ＥＬ層を適用することができる。または、発光ダイオード（ＬＥＤ）を適用してもよい。ＥＬ層６２は、蒸着法、塗布法、印刷法、吐出法などの方法で形成することができる。ＥＬ層６２を画素毎に作り分ける場合、メタルマスクなどのシャドウマスクを用いた蒸着法、またはインクジェット法等により形成することができる。ＥＬ層６２を画素毎に作り分けない場合には、メタルマスクを用いない蒸着法を用いることができる。

導電層６３は、蒸着法やスパッタリング法等を用いて形成することができる。

ＥＬ層６２及び導電層６３は、形成時の温度を室温以上であり、且つ樹脂層１０２の耐熱温度以下、好ましくは３００度以下、より好ましくは２５０度以下、より好ましくは２２０度以下とする。

以上のようにして、表示素子として発光素子６０を形成することができる。発光素子６０は、一部が画素電極として機能する導電層６１、ＥＬ層６２、及び一部が共通電極として機能する導電層６３が積層された構成を有する。

なお、絶縁層３４上に形成された発光素子６０を含む積層構造が、図１における表示素子を含む素子形成層１２０に相当する。

次いで、図３（Ｃ）に示すように、発光素子６０上に、素子形成層１３０が設けられた支持基板１５０を接着層１２２により貼りあわせる。これにより、発光素子６０を接着層１２２と支持基板１５０で封止することができる。

本実施の形態において、支持基板１５０上に設けられた素子形成層１３０を、支持基板１００に貼りあわせることで、可撓性基板上に設けられた素子形成層を貼りあわせる場合と比較して、貼りあわせのアライメント制御が容易となる。また、素子形成層１１０、素子形成層１２０及び素子形成層１３０を、支持基板１００及び支持基板１５０とで封止された構造とすることで、搬送性、ハンドリング性を向上させることができる。

支持基板１００と支持基板１５０との貼りあわせに用いる接着層１２２としては、硬化型の材料を用いることが好ましい。これにより、後の分離工程において接着層１２２が熱により軟化、または溶解してしまい、封止が破れてしまうことを防ぐことができる。

より具体的には、接着層１２２として紫外線硬化型等の光硬化型接着剤、反応硬化型接着剤、熱硬化型接着剤、嫌気型接着剤などの各種硬化型接着剤を用いることができる。これら接着剤としてはエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、イミド樹脂、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。また、二液混合型の樹脂を用いてもよい。また、接着シート等を用いてもよい。

また、上記樹脂に乾燥剤を含んでいてもよい。例えば、アルカリ土類金属の酸化物（酸化カルシウムや酸化バリウム等）のように、化学吸着によって水分を吸着する物質を用いることができる。または、ゼオライトやシリカゲル等のように、物理吸着によって水分を吸着する物質を用いてもよい。乾燥剤が含まれていると、水分などの不純物が素子に侵入することを抑制でき、表示装置の信頼性が向上するため好ましい。

また、上記樹脂に屈折率の高いフィラーや光散乱部材を混合することにより、光取り出し効率を向上させることができる。例えば、酸化チタン、酸化バリウム、ゼオライト、ジルコニウム等を用いることができる。

支持基板１５０上には、支持基板１５０に接する樹脂層１５２と、樹脂層１５２に接する絶縁層１５４と、絶縁層１５４上の素子形成層１３０とが設けられている。支持基板１５０としては、支持基板１００と同様の材料を用いることができる。

樹脂層１５２としては、樹脂層１０２と同様の材料及び同様の作製工程を適用することができる。樹脂層１５２に含まれる熱可塑性材料は、樹脂層１０２に含まれる熱可塑性材料と同一の材料であってもよいし、異なる材料を適用してもよい。ただし、樹脂層１５２に含まれる熱可塑性材料には、その耐熱温度が素子形成層１３０の作製工程における最高温度よりも高い材料を選択する。

なお、支持基板１００と樹脂層１０２とを分離した後に、支持基板１５０と樹脂層１５２とを分離する場合には、樹脂層１５２として、樹脂層１０２に含まれる熱可塑性材料より高い耐熱温度を有する熱可塑性材料を適用することが好ましい。このような材料を適用することで、支持基板１００と樹脂層１０２との分離工程において、支持基板１００を樹脂層１０２の耐熱温度より高く、樹脂層１５２の耐熱温度以下の温度に加熱することで、樹脂層１５２が溶融することを防ぐことができ、分離工程におけるハンドリング性を向上させることができる。または、支持基板１５０と樹脂層１５２とを分離した後に、支持基板１００と樹脂層１０２とを分離する場合には、樹脂層１５２として、樹脂層１０２に含まれる熱可塑性材料より低い耐熱温度を有する熱可塑性材料を適用することが好ましい。または、支持基板１００と、支持基板１５０とを同時に加熱して、それぞれ樹脂層１０２と樹脂層１５２を分離する場合には、樹脂層１５２として、樹脂層１０２に含まれる熱可塑性材料と同程度の耐熱温度を有する熱可塑性材料を適用することが好ましい。

なお、樹脂層１５２が表示素子の視認側に位置する場合、樹脂層１５２（または分離後の樹脂層１５２ａ）は少なくとも該表示素子の表示領域と重なる領域において透光性を有する必要がある。この場合において、樹脂層１５２に適用する熱可塑性材料としては透光性を有する材料を用いることが好ましい。又は、この場合において、分離後の樹脂層１５２ａの膜厚を透光性を有する膜厚とすることが好ましい。ただし、樹脂層１５２が後に形成される表示素子の視認側に位置しない場合、あるいは、分離後の樹脂層１５２ａを除去する場合には、樹脂層１５２は透光性を有していなくてもよい。

絶縁層１５４としては、絶縁層１０４と同様の材料を適用することができる。なお、絶縁層１０４及び絶縁層１５４として防湿性の高い膜を用いて、一対の防湿性の高い絶縁層の間に発光素子６０及びトランジスタ４０等を配置することで、これらの素子に水等の不純物が侵入することを抑制でき、表示装置の信頼性が高くなるため好ましい。

防湿性の高い絶縁膜としては、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の窒素と珪素を含む膜、及び、窒化アルミニウム膜等の窒素とアルミニウムを含む膜等が挙げられる。また、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜等を用いてもよい。

例えば、防湿性の高い絶縁膜の水蒸気透過量は、１×１０^−５［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、好ましくは１×１０^−６［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、より好ましくは１×１０^−７［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下、さらに好ましくは１×１０^−８［ｇ／（ｍ^２・ｄａｙ）］以下とする。

素子形成層１３０は、着色層４２５及び遮光層４２６を有する。着色層４２５は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色、緑色、青色、又は黄色の波長帯域の光を透過するカラーフィルタなどを用いることができる。なお、本発明の一態様は、カラーフィルタ方式に限られず、塗り分け方式、色変換方式、又は量子ドット方式等を適用してもよい。

遮光層４２６は、隣接する着色層４２５の間に設けられている。遮光層４２６は隣接する発光素子６０からの光を遮光し、隣接する発光素子６０間における混色を抑制する。ここで、着色層４２５の端部を、遮光層４２６と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層４２６としては、発光素子が発する光を遮る材料を用いることができる。なお、遮光層４２６は、駆動回路部などの表示部以外の領域に設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。

次いで、図４（Ａ）に示すように、支持基板１００を樹脂層１０２に含まれる熱可塑性材料の耐熱温度よりも高い温度に加熱して、樹脂層１０２を溶解させることで、支持基板１００と樹脂層１０２とを分離する。

なお、図４（Ａ）では、樹脂層１０２の層内で分離が生じ、絶縁層１０４に接する樹脂層１０２ａと、支持基板１００の表面に残存する樹脂層１０２ｂとに分かれる場合を例に図示している。ただし、本発明の実施の形態はこれに限られず、例えば、支持基板１００と樹脂層１０２の界面で分離が生じてもよいし、樹脂層１０２と絶縁層１０４との界面で分離が生じてもよい。

支持基板１００の加熱には、例えばオーブン、ホットプレート、加熱ブロー、加熱機構を有するステージ、または加熱機構を有するローラ等のうち少なくとも一つを用いることができる。また、支持基板１００の加熱温度は、例えば２２０℃よりも高く４００℃よりも低い温度、好ましくは２４０℃以上３５０℃以下、より好ましくは２５０℃以上３５０℃以下とすることができる。

上述したように、樹脂層１０２として熱可塑性材料を有する樹脂層を適用することで、熱可塑性材料の耐熱温度より高い温度に支持基板１００を加熱して、樹脂層１０２と支持基板１００とを分離することが可能となる。ここで、支持基板１００の加熱は支持基板１００の全面に対して行うことが可能であり、レーザ装置等の局所加熱装置を要しない。レーザ装置は管理コストが高額であり、且つ出力の安定性等に課題があるため、レーザ装置を用いない本実施の形態に係る表示装置の作製方法は、低コスト化、簡便化、且つ高信頼性化された作製方法であり、量産に適した作製方法である。

また、トランジスタ４０として酸化物半導体を有するトランジスタを適用することで、樹脂層１０２に含まれる熱可塑性材料の材料選択の幅が広がり、且つ、分離時の加熱温度を低温とすることが可能である。分離時の支持基板１００の加熱温度を低温（例えば４００℃よりも低い温度）とすることで、加熱機構の昇温時間を短縮し、表示装置の作製工程におけるスループットを向上させることができる。

なお、分離後の支持基板１００は、再利用することが可能である。支持基板１００上に残存した樹脂層１０２ｂは、熱可塑性材料を溶解させる液体などを吹き付けて当該熱可塑性材料を洗い流すことや、吹き付けた後に液体ごと拭き取ることなどにより除去してもよい。または、樹脂層１０２ｂが残存した支持基板１００を当該液体中に浸漬させて熱可塑性材料を除去してもよい。または、酸素を含む雰囲気下でのプラズマ処理、オゾンを含む雰囲気下での紫外線照射などにより、残存した樹脂層１０２ｂを除去してもよい。または、樹脂層１０２ｂと支持基板１００との密着性が低い場合には、冷えて固化した樹脂層１０２ｂを引き剥がすことにより除去することができる。また、熱可塑性材料が分解する温度以上に支持基板１００を保持することにより、これを除去してもよい。

次いで、支持基板１００が分離され、露出した樹脂層１０２ａに、接着層１２４を用いて可撓性を有する基板１８０を接着する（図４（Ｂ））。

接着層１２４は、接着層１２２、または樹脂層１０２と同様の材料を用いることができる。なお、図４（Ｂ）では基板１８０の接着に、接着層１２４を設ける場合を例に図示したが、本実施の形態はこれに限られず、例えば加熱及び加圧によって樹脂層１０２ａと基板１８０とを熱圧着させてもよい。

基板１８０は、その耐熱温度が少なくとも樹脂層１５２に含まれる熱可塑性材料の耐熱温度よりも高い材料を用いることができる。これにより、後の樹脂層１５２と支持基板１５０との分離工程において、封止が破れることを抑制することができる。例えば、耐熱温度が２５０℃以上１０００℃以下、好ましくは２８０℃以上８００℃以下、より好ましくは、３００℃以上５００℃以下である材料を用いることができる。なお、樹脂層１５２と支持基板１５０の分離後に、樹脂層１０２と支持基板１００とを分離する場合であって、樹脂層１０２ａと基板１８０とを接着層によって接着する場合には、基板１８０には少なくとも可撓性を有する基板を用いればよく、耐熱温度はこの限りではない。

なお、樹脂層１０２ａを除去した後、露出した絶縁層１０４と基板１８０とを接着層１２４によって接着してもよい。樹脂層１０２ａを除去する場合には、支持基板１００に残存した樹脂層１０２ｂの除去と同様の方法を適用することができる。

次いで、図５（Ａ）に示すように、支持基板１５０を樹脂層１５２に含まれる熱可塑性材料の耐熱温度よりも高い温度に加熱して、樹脂層１５２を溶解させることで、支持基板１５０と樹脂層１５２とを分離する。

なお、図５（Ａ）では、樹脂層１５２の層内で分離が生じ、絶縁層１５４に接する樹脂層１５２ａと、支持基板１５０の表面に残存する樹脂層１５２ｂとに分かれる場合を例に図示している。ただし、本発明の実施の形態はこれに限られない。

支持基板１５０の加熱には、支持基板１００と同様の加熱装置を適用することができる。また、支持基板１５０の加熱温度は、例えば２２０℃よりも高く４００℃よりも低い温度、好ましくは２４０℃以上３５０℃以下、より好ましくは２５０℃以上３５０℃以下とすることができる。

樹脂層１０２と同様に、樹脂層１５２として熱可塑性材料を有する樹脂層を適用することで、支持基板１５０への加熱によって、樹脂層１５２と支持基板１５０とを分離することが可能となる。また、支持基板１５０の加熱は支持基板１５０の全面に対して行うことが可能である。よって、表示装置の作製工程における信頼性、量産性を向上させることができる。

なお、分離後の支持基板１５０も、再利用することが可能である。支持基板１５０上に残存した樹脂層１５２ｂは、上述の方法を適用して除去してもよい。

次いで、支持基板１５０が分離され、露出した樹脂層１５２ａに、接着層１２６を用いて可撓性を有する基板１８２を接着する（図５（Ｂ））。

接着層１２６は、接着層１２２、樹脂層１０２、接着層１２４と同様の材料を用いることができる。なお、図５（Ｂ）では基板１８２の接着に、接着層１２６を設ける場合を例に図示したが、本実施の形態はこれに限られず、例えば加熱及び加圧によって樹脂層１５２ａと基板１８２とを熱圧着してもよい。

基板１８２としては、少なくとも発光素子６０からの発光を取り出す領域において透光性を有し、且つ可撓性を有する基板を用いればよい。ただし、樹脂層１５２ａと基板１８２との接着を熱圧着によって行う場合には、基板１８２として少なくとも樹脂層１５２に含まれる熱可塑性材料の耐熱温度よりも高い耐熱性を有する材料を用いることができる。例えば、耐熱温度が２５０℃以上１０００℃以下、好ましくは２８０℃以上８００℃以下、より好ましくは、３００℃以上５００℃以下である材料を用いることができる。また、樹脂層１５２と支持基板１５０の分離後に、樹脂層１０２と支持基板１００とを分離する場合には、基板１８２に樹脂層１０２の耐熱温度よりも高い耐熱性を有する材料を用いることで、樹脂層１０２と支持基板１００との分離工程において封止が破れることを抑制することができるため、好ましい。

なお、樹脂層１５２ａを除去した後、露出した絶縁層１５４と基板１８２とを接着層１２６によって接着してもよい。樹脂層１５２ａを除去する場合には、支持基板１００に残存した樹脂層１０２ｂの除去と同様の方法を適用することができる。

以上の工程によって、本発明の一態様の表示装置を作製することができる。本発明の一態様の表示装置の作製工程は、支持基板上に設けられた樹脂層に含まれる熱可塑性材料の耐熱温度より高い温度で支持基板を加熱することによって、支持基板と樹脂層を分離することが可能である。支持基板の加熱には、オーブン、ホットプレート、加熱ブロー、加熱機構を有するステージ、及び加熱機構を有するローラ等の加熱装置を用いることができ、分離工程にレーザ装置等の局所加熱装置を要しない。従って、低コストで、且つ信頼性高く表示装置を作製することが可能である。

また、表示装置に含まれるトランジスタとして、酸化物半導体層を有するトランジスタを適用することで、樹脂層に用いる熱可塑性材料の材料選択の幅を広げることができ、耐熱性の低い低コストな材料を選択することも可能となる。よって、本発明の一態様の表示装置の作製方法を用いることで、量産性に優れた表示装置を低コストで作製することが可能となる。

なお、本実施の形態は、ほかの実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置に適用可能なトランジスタの他の構成例について図６を用いて説明する。図６では、接着層１２４、樹脂層１０２ａ、絶縁層１０４を介して基板１８０上に、実施の形態１で説明したトランジスタ４０に変えて、トランジスタ７０、トランジスタ８０、またはトランジスタ９０が設けられた構成を示している。なお、図６に示すトランジスタにおいて、実施の形態１と同様の機能を有する要素の材料、形成方法については、実施の形態１の説明を参酌することができる。

図６（Ａ）に示すトランジスタ７０は、ボトムゲート構造のトランジスタである。トランジスタ７０はゲート電極として機能する導電層４１と、導電層４１上の絶縁層３２と、絶縁層３２上の酸化物半導体層４２と、酸化物半導体層４２と電気的に接続する導電層４３ａ及び導電層４３ｂとを有する。また、トランジスタ７０上には、絶縁層３３及び絶縁層３４が形成されている。

なお、トランジスタ７０は、導電層４１よりも酸化物半導体層４２の幅が大きい場合の例を示している。このような構成により、導電層４１と導電層４３ａまたは導電層４３ｂの間に酸化物半導体層４２が配置されるため、導電層４１と導電層４３ａまたは導電層４１と導電層４３ｂとの間の寄生容量を小さくすることができる。

トランジスタ７０は、チャネルエッチ型のトランジスタであり、トランジスタの占有面積を縮小することが比較的容易であるため、高精細な表示装置に好適に用いることができる。

なお、トランジスタ７０は、実施の形態１で示したトランジスタ４０において、第２のゲート電極として機能する導電層２１を削除した構成に相当する。このような構成とすることで、導電層２１を作製するためのマスクを削減することができるため、表示装置をより低コストで作製することが可能となる。一方で、トランジスタ４０のように酸化物半導体層４２を挟むように導電層４１と導電層２１とを有する構成として、導電層４１と導電層２４に同じ電位を与えることで、トランジスタのオン電流を高めることができる。また導電層２１及び導電層４１の一方にしきい値電圧を制御するための電位を与え、他方に駆動のための電位を与えることで、トランジスタのしきい値電圧を制御することができる。

図６（Ｂ）に示すトランジスタ８０は、トップゲート型のトランジスタである。トランジスタ８０は、酸化物半導体層４２と、酸化物半導体層４２上の絶縁層３６と、絶縁層３６上の導電層４４と、導電層４４上の絶縁層３７及び絶縁層３８と、絶縁層３７及び絶縁層３８に設けられた開口を介して酸化物半導体層４２と電気的に接続する導電層４３ａ及び導電層４３ｂを有する。

トランジスタ８０において、絶縁層３６は一部がゲート絶縁層として機能する。絶縁層３６は、絶縁層３２と同様の構成を適用することができる。また、導電層４４は、ゲート電極として機能する。導電層４４は、導電層４１又は導電層２１と同様の構成を適用することができる。

導電層４４上に形成された絶縁層３７は、窒素又は水素を有する絶縁層とすることが好ましい。または、絶縁層３７はフッ素を有していてもよい。絶縁層３７として窒素又は水素を有する膜を適用し、導電層４４としてＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物に代表される酸化物半導体を適用することで、絶縁層３７から導電層４４へ窒素又は水素が供給され、導電層４４を酸化物導電体とすることが可能となる。窒素又は水素を有する絶縁層として具体的には、例えば、窒化シリコン層、窒化酸化シリコン層、酸化窒化シリコン層、窒化フッ化シリコン層、フッ化窒化シリコン層等の窒化物絶縁層があげられる。

絶縁層３７上に形成された絶縁層３８としては、酸化物絶縁層を用いることができる。又は、絶縁層３８として、酸化物絶縁層と窒化物絶縁層との積層を用いることができる。絶縁層３８として具体的には、例えば酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、酸化アルミニウム、酸化ハフニウム、酸化ガリウム、またはガリウム亜鉛酸化物などを単層でまたは積層させて適用することができる。なお、絶縁層３７として、外部からの水素、水等の不純物へのバリア性を有する膜を適用することが好ましい。このようなバリア性を有する膜としては例えば、酸化アルミニウムを好ましく用いることができる。

図６（Ｂ）に示すトランジスタ８０の構成では、導電層４４と導電層４３ａまたは導電層４４と導電層４３ｂとの物理的な距離を離すことが容易なため、これらの間の寄生容量を低減することが可能である。

図６（Ｃ）に示すトランジスタ９０は、酸化物半導体層４２の下層に設けられた導電層４１及び絶縁層３２を有する点でトランジスタ８０と相違している。導電層４１は、ゲート電極として機能する領域を有する。また、絶縁層３２はゲート絶縁層として機能する領域を有する。トランジスタ９０は、酸化物半導体層４２を挟んで第１のゲート電極と第２のゲート電極を有する。このような構成とすることで、オン電流を高めることや、しきい値電圧を制御することなどが可能である。

また、トランジスタ９０は、酸化物半導体層４２上に設けられた絶縁層３６ａが、導電層４４をマスクとしてパターニングされ、絶縁層３７が酸化物半導体層４２と接する領域を有する点においても、トランジスタ８０と相違している。絶縁層３７は、水素又は窒素を含む絶縁層である。絶縁層３７から水素又は窒素が供給されることで、酸化物半導体層４２において絶縁層３７と接する領域のキャリア密度を高めることができ、当該領域をソース領域またはドレイン領域として機能させることが可能となる。

以上、本実施の形態で示すトランジスタの構成は、それぞれを組み合わせることも可能である。例えば、図６（Ｂ）に示すトランジスタ８０において絶縁層３６をパターニングしてトランジスタ９０に示す絶縁層３６ａの構成としてもよい。

本実施の形態は、ほかの実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様に係る表示装置について図面を用いて説明する。本実施の形態では、表示装置の一例としてフレキシブルデバイスについて説明する。

本発明の一態様の表示装置が有する表示素子に限定は無い。液晶素子、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｙｓｔｅｍ）を利用した光学素子、ＥＬ素子、ＬＥＤ等の発光素子、電気泳動素子など、様々な素子を、表示素子として適用することができる。

本発明の一態様が適用された表示装置の厚さは、例えば３０μｍ以上３００μｍ以下とすることができ、５０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、５０μｍ以上１５０μｍ以下がより好ましく、５０μｍ以上１００μｍ以下がさらに好ましい。表示装置の機械的強度を高めるために、表示装置の厚さは５０μｍ以上とすることが好ましい。表示装置の可撓性を高めるために、表示装置の厚さは、２００μｍ以下、さらには１００μｍ以下とすることが好ましい。例えば、厚さが１００μｍ以下であると、曲率半径１ｍｍでの曲げ、又は曲率半径５ｍｍでの繰り返し（例えば１０万回以上）の曲げが可能な表示装置を実現できる。

＜構成例１＞
図７は、本発明の一態様の表示装置４００Ａの斜視概略図である。表示装置４００Ａは、基板１８０と基板１８２とが貼り合わされた構成を有する。図７では、基板１８２を破線で示している。

表示装置４００Ａは、表示部４８１及び駆動回路部４８２を有する。表示装置４００Ａには、ＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）４７３及びＩＣ４７４が実装されている。

表示部４８１は、複数の画素を有し、画像を表示する機能を有する。

画素は、複数の副画素を有する。例えば、赤色を呈する副画素、緑色を呈する副画素、及び青色を呈する副画素によって１つの画素が構成されることで、表示部４８１ではフルカラーの表示を行うことができる。なお、副画素が呈する色は、赤、緑、及び青に限られない。画素には、例えば、白、黄、マゼンタ、またはシアン等の色を呈する副画素を用いてもよい。なお、本明細書等において、副画素を単に画素と記す場合がある。

表示装置４００Ａは、走査線駆動回路及び信号線駆動回路のうち、一方または双方を有していてもよい。または、走査線駆動回路及び信号線駆動回路の双方を有していなくてもよい。表示装置４００Ａが、タッチセンサ等のセンサを有する場合、表示装置４００Ａは、センサ駆動回路を有していてもよい。本実施の形態では、駆動回路部４８２として、走査線駆動回路を有する例を示す。走査線駆動回路は、表示部４８１が有する走査線に、走査信号を出力する機能を有する。

表示装置４００Ａでは、ＩＣ４７４が、ＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式などの実装方式により、基板４７１に実装されている。ＩＣ４７４は、例えば、信号線駆動回路、走査線駆動回路、及びセンサ駆動回路のうち、いずれか一以上を有する。

表示装置４００Ａには、ＦＰＣ４７３が電気的に接続されている。ＦＰＣ４７３を介して、ＩＣ４７４及び駆動回路部４８２には外部から信号及び電力が供給される。また、ＦＰＣ４７３を介して、ＩＣ４７４から外部に信号を出力することができる。

ＦＰＣ４７３には、ＣＯＦ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｆｉｌｍ）方式等により、ＩＣが実装されていてもよい。例えば、ＦＰＣ４７３には、信号線駆動回路、走査線駆動回路、及びセンサ駆動回路のうち、いずれか一以上を有するＩＣが実装されていてもよい。

表示部４８１及び駆動回路部４８２には、配線４０７から、信号及び電力が供給される。当該信号及び電力は、ＩＣ４７４から、またはＦＰＣ４７３を介して外部から、配線４０７に入力される。

図８（Ａ）は、表示装置４００Ａの表示部４８１、駆動回路部４８２、及び配線４０７を含む断面図である。表示装置４００Ａは、カラーフィルタ方式が適用されたトップエミッション構造の表示装置である。

表示装置４００Ａは、基板４７１、接着層１２４、樹脂層１０２ａ、絶縁層１０４、トランジスタ４０、トランジスタ５０、配線４０７、絶縁層３２、絶縁層３３、絶縁層３４、絶縁層３５、発光素子６０、導電層４５５、接着層１２２、着色層４２５、遮光層４２６、絶縁層１５４、樹脂層１５２ａ、接着層１２６及び基板１８２を有する。

駆動回路部４８２はトランジスタ５０を有する。表示部４８１は、トランジスタ４０を有する。

各トランジスタは、第１のゲート、絶縁層３２、酸化物半導体層、ソース、及びドレイン、絶縁層３３、第２のゲートを有する。第１のゲートと酸化物半導体層は、絶縁層３２を介して重なる。絶縁層３２の一部は、ゲート絶縁層としての機能を有する。なお、図示していないが、第１のゲート電極層と同層の導電層と絶縁層３２の他の一部と、ソース又はドレインとして機能する導電層と同層の導電層とで、容量素子を形成してもよい。第２のゲートと酸化物半導体層は、絶縁層３３を介して重なる。絶縁層３３の一部は、ゲート絶縁層としての機能を有する。

図８（Ａ）では、第１のゲートと第２のゲートを有するデュアルゲート構造のトランジスタを示す。ただし、表示装置に適用可能なトランジスタはこれに限られず、例えば、実施の形態２で示したトランジスタの構成を適用してもよい。また、駆動回路部４８２と表示部４８１とで、トランジスタの構造が異なっていてもよい。駆動回路部４８２及び表示部４８１は、それぞれ、複数の種類のトランジスタを有していてもよい。

絶縁層３４は、トランジスタ等を覆って設けられる。トランジスタを覆う絶縁層の層数は特に限定されない。絶縁層３４は、平坦化層としての機能を有する。また、絶縁層３４を平坦化層としての機能を有する層と、水又は水素などの不純物の拡散を防止する機能を有する層の積層構造としてもよい。水または水素などの不純物の拡散を防止する機能を有する層を設けることで、外部から不純物がトランジスタに拡散することを効果的に抑制することが可能となり、表示装置の信頼性を高めることができる。水または水素などの不純物の拡散を防止する機能を有する層としては、例えば、酸化アルミニウム膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜などがある。

図８（Ａ）では、絶縁層３４が表示装置の一面全体にわたって設けられている。図８（Ａ）の構成では、本発明の一態様のフレキシブルデバイスの作製工程の歩留まりを高めることができるため、好ましい。

または、表示装置の端部において、絶縁層３４を除去する構成としてもよい。絶縁層３４として有機材料を用いる場合、表示装置の端部に露出した絶縁層３４を通って発光素子６０等に表示装置の外部から水分等の不純物が侵入する恐れがある。不純物の侵入により、発光素子６０が劣化すると、表示装置の劣化につながる。表示装置の端部において、絶縁層３４を除去する構成とすることで、表示装置の端部において絶縁層３４が露出しないため、発光素子６０に不純物が侵入することを抑制できる。

発光素子６０は、一部が画素電極として機能する導電層６１、ＥＬ層６２、及び一部が共通電極として機能する導電層６３を有する。発光素子６０は、光学調整層を有していてもよい。発光素子６０は、着色層４２５側に光を射出する、トップエミッション構造である。

トップエミッション構造の発光素子６０を有する表示装置の場合、トランジスタ、容量素子、及び配線等を、発光素子６０の発光領域と重ねて配置することで、表示部４８１の開口率を高めることができる。

導電層６１は、トランジスタ４０のソース又はドレインと電気的に接続される。これらは、直接接続されてもよいし、他の導電層を介して接続されてもよい。導電層６１は、画素電極として機能し、発光素子６０ごとに設けられている。隣り合う２つの画素電極は、絶縁層３５によって電気的に絶縁されている。また、導電層６３は、共通電極として機能し、複数の発光素子６０にわたって設けられている。導電層６３には、定電位が供給される。

なお、図示しないが、着色層４２５及び遮光層４２６を覆うオーバーコートを有していてもよい。オーバーコートは、着色層４２５に含有された不純物等の発光素子への拡散を防止することができる。オーバーコートは、発光素子からの発光を透過する材料から構成され、例えば窒化シリコン膜、酸化シリコン膜等の無機絶縁膜、又は、アクリル膜、ポリイミド膜等の有機絶縁膜を用いることができ、有機絶縁膜と無機絶縁膜との積層構造としてもよい。

接続部４０６は、配線４０７及び導電層４５５を有する。配線４０７と導電層４５５は、電気的に接続されている。配線４０７は、トランジスタのソース及びドレインと同一の材料、及び同一の工程で形成することができる。導電層４５５は、駆動回路部４８２に外部からの信号や電位を伝達する外部入力端子と電気的に接続する。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ４７３を設ける例を示している。接続層４１９を介してＦＰＣ４７３と導電層４５５は電気的に接続する。

接続層４１９としては、様々な異方性導電フィルム（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｉｌｍ）及び異方性導電ペースト（ＡＣＰ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｐａｓｔｅ）などを用いることができる。

＜構成例２＞
図８（Ｂ）に、表示装置４００Ｂの断面図を示す。表示装置４００Ｂは、カラーフィルタ方式が適用されたボトムエミッション構造の表示装置である。なお、表示装置４００Ｂの斜視図は、図７に示す表示装置４００Ａと同様である。

図８（Ｂ）に示す表示装置４００Ｂは、基板１８０、接着層１２４、樹脂層１０２ａ、絶縁層１０４、トランジスタ４０、トランジスタ５０、配線４０７、絶縁層３２、絶縁層３３、絶縁層３４、絶縁層３５、発光素子６０、絶縁層１５４、着色層４２５、接着層１２２、樹脂層１５２ａ、接着層１２６及び基板１８２を有する。

駆動回路部４８２はトランジスタ５０を有する。表示部４８１は、トランジスタ４０を有する。

図８（Ｂ）では、第１のゲートと第２のゲートを有するデュアルゲート構造のトランジスタを示す。ただし、表示装置に適用可能なトランジスタはこれに限られず、例えば、実施の形態２で示したトランジスタの構成を適用してもよい。また、駆動回路部４８２と表示部４８１とで、トランジスタの構造が異なっていてもよい。駆動回路部４８２及び表示部４８１は、それぞれ、複数の種類のトランジスタを有していてもよい。

発光素子６０は、着色層４２５側に光を射出する。発光素子６０は、絶縁層３４を介して着色層４２５と重なる。着色層４２５は、発光素子６０と基板１８０の間に配置される。図８（Ｂ）では、着色層４２５を絶縁層３３上に配置する例を示す。

本発明の一態様の表示装置の作製方法を、図８（Ｂ）に示すボトムエミッション構造の表示装置に適用する場合、図３（Ｃ）に示す支持基板１００と支持基板１５０との貼りあわせ工程において、支持基板１５０側には、樹脂層１５２と絶縁層１５４のみが形成されており、素子形成層１３０が形成されている場合と比較して貼りあわせのアライメントマージンを拡大することができる。なお、ボトムエミッション構造の表示装置とする場合には樹脂層１５２に含まれる熱可塑性材料としては、絶縁層１５４の成膜温度より高い耐熱温度を有する材料を選択することが可能となる。

なお、ボトムエミッション構造の表示装置とする場合には、基板１８０として少なくとも発光素子６０からの発光を取り出す領域において透光性を有する基板を適用する。また、基板１８２は必ずしも透光性を有していなくてもよいため、ガラス、石英、セラミック、サファイヤ、有機樹脂などの材料に加えて、可撓性を有する金属基板等を用いることもできる。

本実施の形態で示す表示装置は、先の実施の形態で示す作製方法を適用して作製された表示装置である。よって、本実施の形態で示す表示装置は、信頼性の高い表示装置である。または、本実施の形態で示す表示装置は、低コストで作製可能な表示装置である。

以上、本実施の形態は、ほかの実施の形態と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様の表示装置の作製工程における、支持基板と素子形成層の分離工程の具体例について図９及び図１０を参照して説明する。

図９（Ａ）には、支持基板１００、樹脂層１０２、絶縁層１０４、素子形成層１１０、素子形成層１２０、素子形成層１３０、絶縁層１５４、樹脂層１５２及び支持基板１５０の積層体を、加熱機構を有するステージ５５に配置した例を示している。

このように支持基板１００を、加熱機構を有するステージ５５に固定した状態で、支持基板１００を加熱する。ステージ５５は、支持基板１００を固定できればどのような構成でもよい。例えば真空吸着、静電吸着などが可能な吸着機構を有していてもよいし、支持基板１００を物理的に留める機構を有していてもよい。なお、支持基板１００を加熱するための加熱装置はステージ５５に備えられていてもよいし、ステージ５５とは別途設けられていてもよい。

分離は、例えば支持基板１００を加熱しながら、支持基板１５０を垂直方向に引っ張る力をかけることにより行うことができる。例えば支持基板１５０の上面の一部を吸着し、上方に引っ張ることにより、引き剥がすことができる。

図９（Ｂ）は、吸着機構を有する部材５１を、支持基板１５０の端部の上面に吸着させ、これを上方に引っ張ることにより、支持基板１００と樹脂層１０２とを分離する例を示している。

また、図９（Ｃ）には、表面に粘着性を有するドラム状の部材５２を支持基板１５０の上面に押し当て、これを回転させることにより支持基板１００と樹脂層１０２とを分離する例を示している。

なお、図９（Ｂ）、（Ｃ）では、支持基板１００に接して、樹脂層１０２の一部が残存している例を示している。例えば、支持基板１００と樹脂層１０２を分離する際に、樹脂層１０２の粘度が十分に低い状態で分離することで、このように樹脂層１０２が上下に分断され、支持基板１００及び絶縁層１０４の両方に樹脂層１０２が残存する場合がある。

なお、樹脂層１０２の粘度が比較的高い場合には、支持基板１００と樹脂層１０２の界面、または樹脂層１０２と絶縁層１０４の界面のうち、いずれか密着性の低い方で剥離が生じる場合がある。すなわち、樹脂層１０２を上下に分断するのに必要な力よりも、樹脂層１０２と支持基板１００または絶縁層１０４の界面の密着力が小さい場合、当該界面で剥離が生じる場合がある。このとき、支持基板１００または絶縁層１０４のいずれか一方に樹脂層１０２が残存し、他方には樹脂層１０２が残らない場合もある。

また、加熱された樹脂層１０２が十分に低い粘度である場合には、支持基板１００と絶縁層１０４を相対的にスライドさせることにより、これらを分離することもできる。

図１０（Ａ）には、吸着機構を有する部材５３を支持基板１５０の上面に吸着させ、これを横方向に引っ張ることにより、支持基板１００と樹脂層１０２とを分離する例を示している。このとき、部材５３が吸着可能な面積を大きくすることが好ましい。図１０（Ａ）では、部材５３が複数の吸着機構を有する例を示している。

また、図１０（Ｂ）には、支持基板１００及び支持基板１５０を挟むことのできる部材５４を用い、これを横方向に引っ張ることにより、支持基板１００と樹脂層１０２を分離する例を示している。この時、部材５４を斜め上方向、または上方向に引っ張ることで支持基板１００と樹脂層１０２を分離してもよい。

以上示した方法によって、支持基板１００と樹脂層１０２とを分離することが可能となる。ただし、本発明の実施の形態はこれに限られず、支持基板１００を樹脂層１０２に含まれる熱可塑性樹脂の耐熱温度以上に加熱して樹脂層１０２と支持基板１００とを分離することが可能であれば、ほかの方法を用いてもよい。

なお、本実施の形態では、支持基板１００と樹脂層１０２とを分離する工程について説明したが、本実施の形態の説明は、支持基板１５０と樹脂層１５２とを分離する工程においても援用することができる。

本実施の形態は、ほかの実施の形態と適宜組み合わせることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様を用いて作製することができる表示モジュール及び電子機器について、図１１及び図１２を用いて説明する。

図１１に示す表示モジュール８０００は、上部カバー８００１と下部カバー８００２との間に、ＦＰＣ８００３に接続されたタッチパネル８００４、ＦＰＣ８００５に接続された表示パネル８００６、フレーム８００９、プリント基板８０１０、及びバッテリ８０１１を有する。

本発明の一態様を用いて作製された表示装置は、例えば、表示パネル８００６に用いることができる。

上部カバー８００１及び下部カバー８００２は、タッチパネル８００４及び表示パネル８００６のサイズに合わせて、形状や寸法を適宜変更することができる。

タッチパネル８００４としては、抵抗膜方式又は静電容量方式のタッチパネルを表示パネル８００６に重畳して用いることができる。また、タッチパネル８００４を設けず、表示パネル８００６に、タッチパネル機能を持たせるようにすることも可能である。

フレーム８００９は、表示パネル８００６の保護機能の他、プリント基板８０１０の動作により発生する電磁波を遮断するための電磁シールドとしての機能を有する。またフレーム８００９は、放熱板としての機能を有していてもよい。

プリント基板８０１０は、電源回路、ビデオ信号及びクロック信号を出力するための信号処理回路を有する。電源回路に電力を供給する電源としては、外部の商用電源であっても良いし、別途設けたバッテリ８０１１による電源であってもよい。バッテリ８０１１は、商用電源を用いる場合には、省略可能である。

また、表示モジュール８０００は、偏光板、位相差板、プリズムシートなどの部材を追加して設けてもよい。

次いで、本発明の一態様の電子機器について説明する。

電子機器としては、例えば、テレビジョン装置、デスクトップ型もしくはノート型のパーソナルコンピュータ、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。

本発明の一態様の電子機器は、家屋もしくはビルの内壁もしくは外壁、または、自動車の内装もしくは外装の曲面に沿って組み込むことができる。

本発明の一態様の電子機器は、二次電池を有していてもよく、非接触電力伝送を用いて、二次電池を充電することができると好ましい。

二次電池としては、例えば、ゲル状電解質を用いるリチウムポリマー電池（リチウムイオンポリマー電池）等のリチウムイオン二次電池、ニッケル水素電池、ニカド電池、有機ラジカル電池、鉛蓄電池、空気二次電池、ニッケル亜鉛電池、銀亜鉛電池などが挙げられる。

本発明の一態様の電子機器は、アンテナを有していてもよい。アンテナで信号を受信することで、表示部で映像や情報等の表示を行うことができる。また、電子機器がアンテナ及び二次電池を有する場合、アンテナを非接触電力伝送に用いてもよい。

本発明の一態様の電子機器は、センサ（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、においまたは赤外線を測定する機能を含むもの）を有していてもよい。

本発明の一態様の電子機器は、様々な機能を有することができる。例えば、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示部に表示する機能、タッチパネル機能、カレンダー、日付または時刻などを表示する機能、様々なソフトウェア（プログラム）を実行する機能、無線通信機能、記録媒体に記録されているプログラムまたはデータを読み出す機能等を有することができる。

さらに、複数の表示部を有する電子機器においては、一つの表示部を主として画像情報を表示し、別の一つの表示部を主として文字情報を表示する機能、または複数の表示部に視差を考慮した画像を表示することで立体的な画像を表示する機能等を有することができる。さらに、受像部を有する電子機器においては、静止画または動画を撮影する機能、撮影した画像を自動または手動で補正する機能、撮影した画像を記録媒体（外部または電子機器に内蔵）に保存する機能、撮影した画像を表示部に表示する機能等を有することができる。なお、本発明の一態様の電子機器が有する機能はこれらに限定されず、様々な機能を有することができる。

図１２（Ａ）、（Ｂ）、（Ｃ）に、湾曲した表示部７０００を有する電子機器の一例を示す。表示部７０００はその表示面が湾曲して設けられ、湾曲した表示面に沿って表示を行うことができる。なお、表示部７０００は可撓性を有していてもよい。

表示部７０００は、本発明の一態様の表示装置等を用いて作製される。本発明の一態様により、湾曲した表示部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。

図１２（Ａ）に携帯電話機の一例を示す。図１２（Ａ）に示す携帯電話機７１１０は、筐体７１０１、表示部７０００、操作ボタン７１０３、外部接続ポート７１０４、スピーカ７１０５、マイク７１０６、カメラ７１０７等を有する。

携帯電話機７１１０は、表示部７０００にタッチセンサを備える。電話を掛ける、或いは文字を入力するなどのあらゆる操作は、指やスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。

また、操作ボタン７１０３の操作により、電源のＯＮ、ＯＦＦ動作や、表示部７０００に表示される画像の種類を切り替えることができる。例えば、メール作成画面から、メインメニュー画面に切り替えることができる。

また、携帯電話機内部に、ジャイロセンサまたは加速度センサ等の検出装置を設けることで、携帯電話機の向き（縦か横か）を判断して、表示部７０００の画面表示の向きを自動的に切り替えるようにすることができる。また、画面表示の向きの切り替えは、表示部７０００を触れること、操作ボタン７１０３の操作、またはマイク７１０６を用いた音声入力等により行うこともできる。

図１２（Ｂ）に携帯情報端末の一例を示す。図１２（Ｂ）に示す携帯情報端末７２１０は、筐体７２０１及び表示部７０００を有する。さらに、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク、アンテナ、カメラ、またはバッテリ等を有していてもよい。表示部７０００にはタッチセンサを備える。携帯情報端末の操作は、指やスタイラスなどで表示部７０００に触れることで行うことができる。

本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、電話機、手帳または情報閲覧装置等から選ばれた一つまたは複数の機能を有する。具体的には、スマートフォンとしてそれぞれ用いることができる。本実施の形態で例示する携帯情報端末は、例えば、移動電話、電子メール、文章閲覧及び作成、音楽再生、インターネット通信、コンピュータゲームなどの種々のアプリケーションを実行することができる。

携帯情報端末７２１０は、文字及び画像情報等をその複数の面に表示することができる。例えば、３つの操作ボタン７２０２を一の面に表示し、矩形で示す情報７２０３を他の面に表示することができる。図１２（Ｂ）では、携帯情報端末７２１０の上側に操作ボタン７２０２が表示され、携帯情報端末７２１０の横側に情報７２０３が表示される例を示す。なお、例えば携帯情報端末７２１０の横側に操作ボタン７２０２を表示し、例えば携帯情報端末７２１０の上側に情報７２０３を表示してもよい。また、携帯情報端末７２１０の３面以上に情報を表示してもよい。

情報７２０３の例としては、ＳＮＳ（ソーシャル・ネットワーキング・サービス）の通知、電子メールや電話などの着信を知らせる表示、電子メールなどの題名もしくは送信者名、日時、時刻、バッテリの残量、アンテナ受信の強度などがある。または、情報７２０３が表示されている位置に、情報の代わりに、操作ボタン、アイコンなどを表示してもよい。

図１２（Ｃ）にテレビジョン装置の一例を示す。テレビジョン装置７３００は、筐体７３０１に表示部７０００が組み込まれている。ここでは、スタンド７３０３により筐体７３０１を支持した構成を示している。

図１２（Ｃ）に示すテレビジョン装置７３００の操作は、筐体７３０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７３１１により行うことができる。または、表示部７０００にタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７０００に触れることで操作してもよい。リモコン操作機７３１１は、当該リモコン操作機７３１１から出力する情報を表示する表示部を有していてもよい。リモコン操作機７３１１が備える操作キーまたはタッチパネルにより、チャンネル及び音量の操作を行うことができ、表示部７０００に表示される映像を操作することができる。

なお、テレビジョン装置７３００は、受信機及びモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができる。また、モデムを介して有線または無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）または双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。

図１２（Ｄ）、（Ｅ）、（Ｆ）に、可撓性を有し、曲げることのできる表示部７００１を有する携帯情報端末の一例を示す。

表示部７００１は、本発明の一態様の表示装置等を用いて作製される。例えば、曲率半径０．０１ｍｍ以上１５０ｍｍ以下で曲げることができる表示装置等を適用できる。また、表示部７００１はタッチセンサを備えていてもよく、指等で表示部７００１に触れることで携帯情報端末を操作することができる。本発明の一態様により、可撓性を有する表示部を備え、且つ信頼性の高い電子機器を提供できる。

図１２（Ｄ）に腕時計型の携帯情報端末の一例を示す。携帯情報端末７８００は、バンド７８０１、表示部７００１、入出力端子７８０２、操作ボタン７８０３等を有する。バンド７８０１は、筐体としての機能を有する。また、携帯情報端末７８００は、可撓性を有するバッテリ７８０５を搭載することができる。バッテリ７８０５は例えば表示部７００１またはバンド７８０１等と重ねて配置してもよい。

バンド７８０１、表示部７００１、及びバッテリ７８０５は可撓性を有する。そのため、携帯情報端末７８００を所望の形状に湾曲させることが容易である。

操作ボタン７８０３は、時刻設定のほか、電源のオン、オフ動作、無線通信のオン、オフ動作、マナーモードの実行及び解除、省電力モードの実行及び解除など、様々な機能を持たせることができる。例えば、携帯情報端末７８００に組み込まれたオペレーティングシステムにより、操作ボタン７８０３の機能を自由に設定することもできる。

また、表示部７００１に表示されたアイコン７８０４に指等で触れることで、アプリケーションを起動することができる。

また、携帯情報端末７８００は、通信規格に準拠した近距離無線通信を実行することが可能である。例えば無線通信可能なヘッドセットと相互通信することによって、ハンズフリーで通話することもできる。

また、携帯情報端末７８００は入出力端子７８０２を有していてもよい。入出力端子７８０２を有する場合、他の情報端末とコネクターを介して直接データのやりとりを行うことができる。また入出力端子７８０２を介して充電を行うこともできる。なお、本実施の形態で例示する携帯情報端末の充電動作は、入出力端子を介さずに非接触電力伝送により行ってもよい。

図１２（Ｅ）、（Ｆ）に、折りたたみ可能な携帯情報端末の一例を示す。図１２（Ｅ）では、表示部７００１が内側になるように折りたたんだ状態、図１２（Ｆ）では、表示部７００１が外側になるように折りたたんだ状態の携帯情報端末７６５０を示す。携帯情報端末７６５０は表示部７００１及び非表示部７６５１を有する。携帯情報端末７６５０を使用しない際に、表示部７００１が内側になるように折りたたむことで、表示部７００１の汚れ及び傷つきを抑制できる。なお、図１２（Ｅ）、（Ｆ）では携帯情報端末７６５０を２つ折りにした構成を示しているが、携帯情報端末７６５０は３つ折りにしてもよいし、４つ折り以上にしてもよい。また、携帯情報端末７６５０は、操作ボタン、外部接続ポート、スピーカ、マイク、アンテナ、カメラ、またはバッテリ等を有していてもよい。

本発明の一態様を用いて作製された表示装置を用いることで、可撓性又は曲面を有する電子機器を信頼性高く作製することできる。または、本発明の一態様を用いて作製された表示装置を用いることで、電子機器を低コストで作製することができる。

本実施の形態は、ほかの実施の形態と適宜組み合わせることができる。

２１ 導電層
２４ 導電層
３１ 絶縁層
３２ 絶縁層
３３ 絶縁層
３４ 絶縁層
３５ 絶縁層
３６ 絶縁層
３６ａ 絶縁層
３７ 絶縁層
３８ 絶縁層
４０ トランジスタ
４１ 導電層
４２ 酸化物半導体層
４３ａ 導電層
４３ｂ 導電層
４４ 導電層
５０ トランジスタ
５１ 部材
５２ 部材
５３ 部材
５４ 部材
５５ ステージ
６０ 発光素子
６１ 導電層
６２ ＥＬ層
６３ 導電層
７０ トランジスタ
８０ トランジスタ
９０ トランジスタ
１００ 支持基板
１０２ 樹脂層
１０２ａ 樹脂層
１０２ｂ 樹脂層
１０４ 絶縁層
１１０ 素子形成層
１２０ 素子形成層
１２２ 接着層
１２４ 接着層
１２６ 接着層
１３０ 素子形成層
１５０ 支持基板
１５２ 樹脂層
１５２ａ 樹脂層
１５２ｂ 樹脂層
１５４ 絶縁層
１６２ 矢印
１６４ 矢印
１８０ 基板
１８２ 基板
４００Ａ 表示装置
４００Ｂ 表示装置
４０６ 接続部
４０７ 配線
４１９ 接続層
４２５ 着色層
４２６ 遮光層
４５５ 導電層
４７１ 基板
４７３ ＦＰＣ
４７４ ＩＣ
４８１ 表示部
４８２ 駆動回路部
７０００ 表示部
７００１ 表示部
７１０１ 筐体
７１０３ 操作ボタン
７１０４ 外部接続ポート
７１０５ スピーカ
７１０６ マイク
７１０７ カメラ
７１１０ 携帯電話機
７２０１ 筐体
７２０２ 操作ボタン
７２０３ 情報
７２１０ 携帯情報端末
７３００ テレビジョン装置
７３０１ 筐体
７３０３ スタンド
７３１１ リモコン操作機
７６５０ 携帯情報端末
７６５１ 非表示部
７８００ 携帯情報端末
７８０１ バンド
７８０２ 入出力端子
７８０３ 操作ボタン
７８０４ アイコン
７８０５ バッテリ
８０００ 表示モジュール
８００１ 上部カバー
８００２ 下部カバー
８００３ ＦＰＣ
８００４ タッチパネル
８００５ ＦＰＣ
８００６ 表示パネル
８００９ フレーム
８０１０ プリント基板
８０１１ バッテリ

Claims (7)

1. 第１の基板を加熱して、前記第１の基板上に熱可塑性材料を有する第１の樹脂層を形成する工程と、
   前記第１の樹脂層上に、第１の絶縁層を形成する工程と、
   前記第１の絶縁層上に、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタを形成する工程と、
   前記第１の基板を前記熱可塑性材料の耐熱温度より高い温度に加熱して、前記第１の樹脂層と前記第１の基板とを分離する工程と、
   接着層を介して前記第１の樹脂層と、可撓性を有する第２の基板とを接着する工程とを有し、
   前記第１の樹脂層を形成する工程における前記第１の基板の加熱温度は、前記熱可塑性材料の耐熱温度よりも高く、
   前記トランジスタの作製工程における最高温度は、前記熱可塑性材料の耐熱温度以下であることを特徴とする表示装置の作製方法。
2. 第１の基板を加熱して、前記第１の基板上に第１の熱可塑性材料を有する第１の樹脂層を形成する工程と、
   前記第１の樹脂層上に、第１の絶縁層を形成する工程と、
   前記第１の絶縁層上に、チャネル形成領域に酸化物半導体を有するトランジスタを形成する工程と、
   前記トランジスタ上に、前記トランジスタに電気的に接続する表示素子を形成する工程と、
   第２の基板を加熱して、前記第２の基板上に第２の熱可塑性材料を有する第２の樹脂層を形成する工程と、
   前記第２の樹脂層上に、第２の絶縁層を形成する工程と、
   前記第２の絶縁層上に、カラーフィルタを有する層を形成する工程と、
   前記トランジスタ、前記表示素子及び前記カラーフィルタを有する層を挟んで前記第１の基板と前記第２の基板とを貼りあわせる工程と、
   前記第１の基板を前記第１の熱可塑性材料の耐熱温度より高い温度に加熱して、前記第１の樹脂層と前記第１の基板とを分離する工程と、
   第１の接着層を介して前記第１の樹脂層と、可撓性を有する第３の基板とを接着する工程と、
   前記第２の基板を前記第２の熱可塑性材料の耐熱温度より高い温度に加熱して、前記第２の樹脂層と前記第２の基板とを分離する工程と、
   第２の接着層を介して前記第２の樹脂層と、可撓性を有する第３の基板とを接着する工程とを有し、
   前記第１の樹脂層を形成する工程における前記第１の基板の加熱温度は、前記第１の熱可塑性材料の耐熱温度よりも高く、
   前記トランジスタの作製工程における最高温度は、前記第１の熱可塑性材料の耐熱温度以下であり、
   前記第２の樹脂層を形成する工程における前記第２の基板の加熱温度は、前記第２の熱可塑性材料の耐熱温度よりも高く、
   前記カラーフィルタを有する層の作製工程における最高温度は、前記第２の熱可塑性材料の耐熱温度以下であることを特徴とする表示装置の作製方法。
3. 請求項２において、前記第２の樹脂層と前記第２の基板とを分離する工程において、前記第２の基板の全面を加熱することを特徴とする表示装置の作製方法。
4. 請求項１乃至３のいずれか一において、
   前記第１の樹脂層と前記第１の基板とを分離する工程において、前記第１の基板の全面を加熱することを特徴とする表示装置の作製方法。
5. 請求項１乃至４のいずれか一において、
   前記第１の樹脂層と前記第１の基板とを分離する工程において、前記第１の基板を２２０℃より高く４００℃よりも低い温度に加熱することを特徴とする表示装置の作製方法。
6. 請求項１乃至５のいずれか一において、
   前記第１の樹脂層と前記第１の基板とを分離する工程において、オーブン、ホットプレート、加熱ブロー、加熱機構を有するステージ、または加熱機構を有するローラのいずれか一以上を用いて前記第１の基板を加熱することを特徴とする表示装置の作製方法。
7. 請求項１乃至６のいずれか一において、
   前記トランジスタの作製工程における最高温度は、３５０℃以下であることを特徴とする表示装置の作製方法。

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