JP4906145B2 - El表示装置 - Google Patents
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Images
Description
ここで、図5(c)の下部に示されている数値は、書込期間と表示期間の長さの関係を示すものである。
但し、フィールド1からフィールド6を出現させる順序はどのようにしても良い。この表示期間の組み合わせで64階調のうち所望の階調表示を行うことができる。
具体的には、アクティブマトリクス型EL表示装置において従来のアナログ階調表示からデジタル信号による時分割階調表示を行うことで、電流制御用TFTの特性バラツキによる階調不良をなくし、色再現性の良い高精細な画像を得ることができる。
ゲート線106が選択されるとスイッチング用TFT105のゲートが開き、ソース線107のデータ信号がコンデンサ112に蓄積され、電流制御用TFT108のゲートが開く。つまり、ソース線107から入力されるデータ信号により電流制御用TFT108に電流が流れ、EL素子が発光する。
を含む。シフトレジスタ102aにクロック信号(CK)およびスタートパルス(SP)が入力される。シフトレジスタ102aは、これらのクロック信号(CK)およびスタートパルス(SP)に基づきタイミング信号を順に発生させ、バッファ(図示せず)を通して後段の回路へタイミング信号を順次供給する。
である。基板11としては透光性基板、代表的にはガラス基板、石英基板、ガラスセラミックス基板、又は結晶化ガラス基板を用いることができる。但し、作製プロセス中の最高処理温度に耐えるものでなくてはならない。
等を用いると良い。これらの有機樹脂膜は良好な平坦面を形成しやすく、比誘電率が低いという利点を有する。EL層は凹凸に非常に敏感であるため、TFTによる段差は第2層間絶縁膜で殆ど吸収してしまうことが望ましい。また、ゲート配線やデータ配線とEL素子の陰極との間に形成される寄生容量を低減する上で、比誘電率の低い材料を厚く設けておくことが望ましい。従って、膜厚は0.5〜5μm(好ましくは1.5〜2.5μm)が好ましい。
に透明電極を使用してRGBに対応したEL素子を重ねる方式、がある。
ここでは、本発明を実施する上で用いる画素部とその周辺に設けられる駆動回路構成およびその仕様(サイズおよび電圧値等)、さらに入力される信号について説明する。
図9は、上面(陰極成膜側)からみたパネル全体の平面図である。ここで、表示は下面に向かってなされる。図9において901は画素部であり、902はソース駆動回路、903はゲート駆動回路、904はフレキシブルプリントサーキット(以下FPC)入力部である。なお、本実施例において用いたFPC入力部904は、300μmピッチで50本の端子を有する。
なお、FPC入力端子部の保護回路を有するのは、図9中のFPC入力部904の上部に付けられている番号(1〜50)のうちの1、2、21、22、43、44、49、50を除く部分である。
シフトレジスタ、NAND回路、バッファには、p型のTFTおよびn型のTFTが用いられているので、それぞれについて示した。表2中のサイズは、図10に示されている記号にそれぞれ対応している。また、表中においてL[μm]
は、TFTのチャネル長を示し、W[μm]は、TFTのチャネル幅を示す。なお、n型TFTのチャネル長には、Lov領域が含まれている。
画素サイズは、12.5μm×12.5μm、画素配列は、ストライプ状になっており、開口率は、約38%である。
また、1画面あたりの画素数は、(d2+640+d2)×(d2+480+d2)で計算され、307200+(d)4496画素である。(ただし、dは、ダミーを意味する。)
このNi含有層の形成に関しては、前記公報を参考にすれば良い。
)
の濃度で含まれるようにドーズ量を調節する。
また、図18(A)の工程でチャネル形成領域となる部分の活性層/ゲート絶縁膜界面にダメージを与えてしまっている可能性があるため、なるべく高い温度で加熱処理を行うことが望ましい。
また、図24(A)は、第2配線(ソース線及び電流供給線)成膜前までの画素構造を示し、図24(B)にはEL層形成前までを示す。
この点について説明する。保持容量(B)112bの下側の電極となる半導体膜81にはリンがドープされているのに対して電流制御用TFT202の活性層はpチャネル型TFTであるためボロンがドープされている。つまりリンがドープされている半導体領域とボロンがドープされている半導体領域が隣接しており、p−n接合が形成されているため整流作用が生じることが考えられる。このことを考慮して、電流制御用TFT202のソース領域26と半導体膜81とをそれぞれ別々に電流供給線110と電気的に接続させている。
また、発光層には、CBPとIr(ppy)3や、アルミキノリラト錯体(Alq3)、ベンゾキノリノラトベリリウム錯体(BeBq)を用いることもできる。さらには、アルミキノリラト錯体(Alq3)にクマリン6やキナクリドンといった材料をドーパントとして用いたものを発光材料として用いることもできる。
そして、このメタルマスクを精密に制御しながらずらして順次緑色発光のEL層、青色発光のEL層を形成する。
なお、この場合、図2とは陰極及び陽極の位置が逆になる。
から選ばれた少なくとも一つの元素と、Al(アルミニウム)、Si(珪素)、P(リン)から選ばれた少なくとも一つの元素とを含む絶縁膜が挙げられる。
に代表される珪素の窒化物、窒化ホウ素(BxNy)に代表されるホウ素の窒化物、リン化ホウ素(BxPy)に代表されるホウ素のリン化物を用いることが可能である。また、酸化アルミニウム(AlxOy)に代表されるアルミニウムの酸化物は透光性に優れ、熱伝導率が20Wm-1K-1であり、好ましい材料の一つと言える。なお、上記透光性材料において、x、yは任意の整数である。
であり、本体3331、記録媒体(DVD等)3332、操作スイッチ3333、表示部(a)3334、表示部(b)3335等を含む。表示部(a)3334は主として画像情報を表示し、表示部(b)3335は主として文字情報を表示するが、本発明の自発光装置およびその駆動方法はこれら表示部(a)3334、表示部(b)3335にて用いることが出来る。なお、記録媒体を備えた画像再生装置には家庭用ゲーム機器なども含まれる。
3505にて用いることが出来る。また、表示部(B)3505を、主に操作用パネルとして用いる場合、黒色の背景に白色の文字を表示することで消費電力を抑えることが出来る。
、BCP(電子輸送層)(10nm)、Alq3(電子輸送層)(40nm)及びYb(陰極)(400nm)を積層することにより形成されるEL素子を用いた。
そして、シングレット化合物(Singlet)とトリプレット化合物(Triplet)を有するEL素子の駆動電圧(Driving voltage)に対する輝度(Luminescence)及び消費電力(Power Consumption)を表6に示す。
測定は、任意の電源により、DC(直流電流)を印加して、これをON、OFFにより切り替える。なお、ONは、選択期間であり、電圧を印加する期間のことをいう。また、OFFは、非選択期間であり、電圧は0Vである。又、これらの期間は、いずれも250μsである。
また、本測定においては、OFFからONへの切り替えを立ち上がり、ONからOFFへの切り替えを立ち下がりと定義する。そして、電源の電圧がOFFからONに切り替わった瞬間から、それに追従する光学応答が100%の発光輝度に対して90%まで増加した発光輝度を示すのに要する時間を立ち上がりの応答時間とした。また、電源の電圧がONからOFFに切り替わった瞬間から、それに追従する光学応答が、それまでの100%の発光輝度に対して10%まで減少した発光輝度を示すのに要する時間を立ち下がりの応答時間とした。
なお、図32に示す電圧の範囲における応答速度は非常に速いため、通常のデジタル駆動においても問題なく使用できる。
なお、ここで用いたEL層としては、ITOの上にα−NPD(正孔輸送層)
(40nm)、Ir(ppy)3+CBP(発光層)(20nm)、BCP(電子輸送層)(10nm)、Alq3(電子輸送層)(40nm)及びYb(陰極)(400nm)を積層することにより形成されたものをEL層Aとし、EL層AのITOとα−NPD(正孔輸送層)(40nm)との間にCuPc(正孔注入層)(20nm)を形成させたものをEL層Bとし、さらに、EL層AのITOとα−NPD(正孔輸送層)(40nm)との間にPEDOT(正孔注入層)
(20nm)を形成させたものをEL層Cとする。
Claims (5)
- 基板上に画素部を有し、
前記画素部を構成する画素は、スイッチング用TFT、電流制御用TFT、EL素子及び保持容量を有し、
前記電流制御用TFTは、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第1の領域に設けられソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、を有し、
前記電流制御用TFTは、前記ソース領域が電流供給線に電気的に接続され、前記ドレイン領域が前記EL素子の画素電極に電気的に接続され、前記ゲート電極が前記スイッチング用TFTのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続され、
前記電流供給線は、前記電流供給線が延在方向に対して垂直方向に突出している領域を有し、
前記保持容量は、前記突出している領域と重なる第2の領域に設けられた半導体膜と前記ゲート電極と前記電流供給線とが重なる部分を有し、
前記電流供給線は、前記ソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、前記第2の領域に設けられた半導体膜と異なるコンタクトホールを介して電気的に接続していること特徴とするEL表示装置。 - 基板上に画素部を有し、
前記画素部を構成する画素は、スイッチング用TFT、電流制御用TFT、EL素子、第1の保持容量及び第2の保持容量を有し、
前記電流制御用TFTは、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第1の領域に設けられソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、を有し、
前記電流制御用TFTは、前記ソース領域が電流供給線に電気的に接続され、前記ドレイン領域が前記EL素子の画素電極に電気的に接続され、前記ゲート電極が前記スイッチング用TFTのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続され、
前記電流供給線は、前記電流供給線が延在方向に対して垂直方向に突出している領域を有し、
前記第1の保持容量は、前記突出している領域と重なる第2の領域に設けられた半導体膜と前記ゲート電極と前記電流供給線とが重なる部分を有し、
前記第2の保持容量は、前記ゲート電極と前記電流供給線の延在方向の領域とが重なる領域を有し、
前記第1の保持容量と、前記第2の保持容量は並列に電気的に接続され、
前記電流供給線は、前記ソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、前記第2の領域に設けられた半導体膜と異なるコンタクトホールを介して電気的に接続していることを特徴とするEL表示装置。 - 基板上に画素部を有し、
前記画素部を構成する画素は、スイッチング用TFT、電流制御用TFT、EL素子及び保持容量を有し、
前記電流制御用TFTは、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第1の領域に設けられソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、を有し、
前記電流制御用TFTは、前記ソース領域が電流供給線に電気的に接続され、前記ドレイン領域が前記EL素子の画素電極に電気的に接続され、前記ゲート電極が前記スイッチング用TFTのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続され、
前記電流供給線は、前記電流供給線が延在方向に対して垂直方向に突出している領域を有し、
前記保持容量は、前記突出している領域と重なる第2の領域に設けられた半導体膜と前記ゲート電極とが重なって形成され、
前記電流供給線は、前記ソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、前記第2の領域に設けられた半導体膜と異なるコンタクトホールを介して電気的に接続していること特徴とするEL表示装置。 - 基板上に画素部を有し、
前記画素部を構成する画素は、スイッチング用TFT、電流制御用TFT、EL素子、第1の保持容量及び第2の保持容量を有し、
前記電流制御用TFTは、ゲート電極と、ゲート絶縁膜と、第1の領域に設けられソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、を有し、
前記電流制御用TFTは、前記ソース領域が電流供給線に電気的に接続され、前記ドレイン領域が前記EL素子の画素電極に電気的に接続され、前記ゲート電極が前記スイッチング用TFTのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続され、
前記電流供給線は、前記電流供給線が延在方向に対して垂直方向に突出している領域を有し、
前記第1の保持容量は、前記突出している領域と重なる第2の領域に設けられた半導体膜と前記ゲート電極とが重なって形成され、
前記第2の保持容量は、前記ゲート電極と前記電流供給線の延在方向の領域とが重なって形成され、
前記第1の保持容量と、前記第2の保持容量は並列に電気的に接続され、
前記電流供給線は、前記ソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、前記第2の領域に設けられた半導体膜と異なるコンタクトホールを介して電気的に接続していることを特徴とするEL表示装置。 - 請求項1乃至請求項4のいずれか一に記載のEL表示装置を含む電気器具。
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