JP3779972B2 - デュアルパネルタイプ有機電界発光素子及びその製造方法 - Google Patents
デュアルパネルタイプ有機電界発光素子及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3779972B2 JP3779972B2 JP2003433282A JP2003433282A JP3779972B2 JP 3779972 B2 JP3779972 B2 JP 3779972B2 JP 2003433282 A JP2003433282 A JP 2003433282A JP 2003433282 A JP2003433282 A JP 2003433282A JP 3779972 B2 JP3779972 B2 JP 3779972B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- power supply
- gate
- pad
- wiring
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 83
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 title claims description 43
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 107
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 96
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 79
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 73
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 65
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 59
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 47
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 44
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 41
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 41
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 35
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 32
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 28
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 claims description 28
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 23
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 20
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 16
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 9
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 4
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 178
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 23
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 11
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 239000003230 hygroscopic agent Substances 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/127—Active-matrix OLED [AMOLED] displays comprising two substrates, e.g. display comprising OLED array and TFT driving circuitry on different substrates
- H10K59/1275—Electrical connections of the two substrates
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/121—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements
- H10K59/1213—Active-matrix OLED [AMOLED] displays characterised by the geometry or disposition of pixel elements the pixel elements being TFTs
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/1201—Manufacture or treatment
Description
図示したように、半導体層32、ゲート電極38、ソース電極50及びドレイン電極52とで構成された駆動薄膜トランジスタTD が絶縁基板1上に形成されていて、前記ソース電極50には、電力供給配線41が連結されていて、前記ドレイン電極52には、透明導電性物質で構成された第1電極58が連結されている。
図6は、本発明によるデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の断面図であって、上板と下板の電気的連結構造を中心に概略的に示した。
図12に示したように、第1方向へゲート配線312が形成されていて、第1方向と交差される第2方向へデータ配線336及び電力供給配線313が相互に離隔して形成されている。前記ゲート配線312及びデータ配線336の交差地点には、スイッチング薄膜トランジスタTsが形成されている。前記スイッチング薄膜トランジスタTsには、ゲート配線312から分岐されたスイッチング用ゲート電極314と、データ配線336から分岐されたスイッチング用ソース電極326と、ソース電極326と離隔して配置されたスイッチング用ドレイン電極330と、スイッチング用ゲート電極314を覆う領域にはスイッチング用半導体322が形成されている。本実施例では、スイッチング用半導体322がスイッチング用ソース電極326の下段部はもちろん、スイッチング用ドレイン電極330の下段部まで延長して形成されている。
216:ゲート電極
220:ゲート絶縁膜
224a:アクティブ層
224b:オーミックコンタクト層
224:半導体層
228:ソース電極
232:ドレイン電極
246:ソースコンタクトホール
248:ドレインコンタクトホール
256:保護層
274:連結パターン
276:連結電極
278:電力供給配線
Ch:チャンネル
TD:駆動用薄膜トランジスタ
Claims (25)
- 第1基板上に第1方向へ形成されたゲート配線と;
前記第1基板の上部に第1方向と垂直な第2方向へ形成されたデータ配線と;
前記第1基板の上部に第2方向へ前記ゲート配線と同一物資、同一工程により形成され、前記データ配線及びゲート配線と共に画素領域を定義する電力供給配線と;
前記データ配線と同一物資で、ゲート配線を横切るように形成され、前記電力供給配線を連結する第1リンク配線と;
前記ゲート配線及びデータ配線の交差領域の第1基板の上部に形成されたスイッチング薄膜トランジスタと;
前記ゲート配線及び電力供給配線の交差領域の第1基板の上部に形成された 駆動薄膜トランジスタと;
第2基板上の画素領域に対応するように形成された有機電界発光ダイオードと;
絶縁物質であって、前記第1基板の上部の画素領域に形成された連結パターンと;
前記連結パターンが形成された第1基板の上部の画素領域に形成され、前記駆動薄膜トランジスタと有機電界発光ダイオードを電気的に連結する連結電極と;
前記連結電極と同一物資、同一工程でゲート配線の周りに形成されて、前記第1リンク配線と共に前記電力供給配線を連結する第2リンク配線と;
前記電力供給配線を前記駆動薄膜トランジスタと連結するパワー電極を含むデュアルパネルタイプ有機電界発光素子。 - 前記ゲート配線、データ配線、電力供給配線の一端に各々ゲートパッド、データパッド、電力供給パッドをさらに含むことを特徴とする請求項1に記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子。
- 前記ゲートパッド、データパッド、電力供給パッドを覆う領域で、前記連結電極と同一工程、同一物質で構成されて、ゲートパッド、データパッド及び電力供給パッドと各々連結されるゲートパッド電極、データパッド電極及び電力供給パッド電極をさらに含むことを特徴とする請求項2に記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子。
- 純粋非晶質シリコンで構成された第1パターンと、不純物非晶質シリコンで構成された第2パターンを含み、かつ前記データパッドの下部に形成された半導体パターンをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子。
- 前記パワー電極は、前記連結電極と同一物資、同一工程により形成される
ことを特徴とする請求項1に記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子。 - 前記スイッチング薄膜トランジスタには、前記ゲート配線から分岐されたスイッチング用ゲート電極と、前記ゲート電極を覆う領域に位置して純粋非晶質シリコン物質で構成されたアクティブ層及び不純物非晶質シリコン物質で構成されたオーミックコンタクト層の積層構造で構成されたスイッチング用半導体層と、前記スイッチング用半導体層の上部で、相互離隔されるように位置するスイッチング用ソース電極及びスイッチング用ドレイン電極とを含むことを特徴とする請求項1に記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子。
- 前記スイッチング用ドレイン電極であって、前記電力供給配線の上部へ延長して形成されたキャパシター電極をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子。
- 前記駆動薄膜トランジスタには、前記スイッチング用ドレイン電極と連結される駆動用ゲート電極と、前記駆動用ゲート電極を覆う位置にある駆動用半導体層と、前記駆動用半導体層の上部で、相互に離隔されるように位置する駆動用ソース電極及び駆動用ドレイン電極とを含むことを特徴とする請求項7に記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子。
- 前記キャパシター電極、データ配線、スイッチング用ソース電極及びスイッチング用ドレイン電極、駆動用ソース電極及び駆動用ドレイン電極の下部に純粋非晶質シリコンと不純物非晶質シリコンの二重層構造で形成された半導体層をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子。
- 前記駆動用半導体層は、純粋非晶質シリコン物質で構成されたアクティブ層と不純物非晶質シリコン物質で構成されたオーミックコンタクト層の二重構造になっていることを特徴とする請求項9に記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子。
- 基板上に第1金属層を形成しパターニングして、ゲート電極、ゲート配線、電力供給配線、ゲートパッド、電力供給パッドを形成する段階と;
前記パターニングされた第1金属層の上部に、第1絶縁膜を形成する段階と;
純粋非晶質シリコン物質で構成されたアクティブ層と不純物非晶質シリコン物質で構成されたオーミックコンタクト層とで構成された半導体層をゲート電極の上部の第1絶縁膜上に形成する段階と;
第2金属層を利用してオーミックコンタクト層の上部に相互に離隔されたソース電極及びドレイン電極を形成して、第1絶縁膜上にデータ配線、データパッドとゲート配線を横切る第1リンク配線を形成する段階と;
前記ソース電極及びドレイン電極の間に露出されたオーミックコンタクト層をエッチングして、前記アクティブ層にチャンネルを形成して、ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタを完成する段階と;
前記薄膜トランジスタ、データ配線、データパッドを覆うように、第1絶縁膜の上部に第2絶縁膜を形成する段階と;
前記第1絶縁膜及び第2絶縁膜をエッチングして、前記第2絶縁膜を貫通するソースコンタクトホール、ドレインコンタクトホール、データパッドコンタクトホールを形成して、共に前記第1絶縁膜及び第2絶縁膜を貫通するゲートパッドコンタクトホール及び電力供給配線コンタクトホールを形成する段階と;
絶縁物質を利用して、前記第2絶縁膜上の画素領域に柱形状の連結パターンを形成する段階と;
第3金属物質を利用して 前記連結パターンを覆い、ドレインコンタクトホールを通じてドレイン電極と連結される連結電極と、前記ソースコンタクトホールを通じてソース電極と連結されて、前記薄膜トランジスタを電力供給配線に連結するパワー電極と、前記ゲート配線の周りで、第1リンク配線と共に電力供給配線を連結する第2リンク配線と、前記データパッドの上部で、データパッドコンタクトホールを通じて、これと接触するデータパッド電極と、前記データパッドの上部で、ゲートパッドコンタクトホールを通じて、これと接触するゲートパッド電極と、電力供給パッドの上部で、電力供給パッドコンタクトホールを通じて、これと接触する電力供給パッド電極を形成する段階を含むデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の製造方法。 - 前記ゲート配線及び電力供給配線を形成する段階は第1マスクを利用して行い、前記半導体層を形成する段階は第2マスクを利用して行い、前記ソース電極及びドレイン電極を形成する段階は第3マスクを利用して行い、前記ソースコンタクトホール及びドレインコンタクトホールを形成する段階は第4マスクを利用して行い、前記連結パターンを形成する段階は第5マスクを利用して行い、前記連結電極を形成する段階は第6マスクを利用して行うことを特徴とする請求項11に記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の製造方法。
- 前記ソース電極及びドレイン電極を形成する段階は、電力供給配線の上部に、キャパシター電極を形成する段階を含み、前記キャパシター電極は、前記電力供給配線及びこれらの間に介在された第1絶縁膜及び第2絶縁膜と共にストレージキャパシターを構成することを特徴とする請求項11に記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の製造方法。
- 他の基板上に有機電界発光ダイオードを形成する段階を含み、前記連結電極は、前記薄膜トランジスタと前記有機電界発光ダイオードを電気的に連結することを特徴とする請求項11に記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の製造方法。
- 前記ゲート配線は、基板上に第1方向へ形成されて、前記データ配線と電力供給配線は、相互に離隔し前記第1方向と垂直に第2方向へ形成されて画素領域を定義することを特徴とする請求項11に記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の製造方法。
- 前記連結パターンのための絶縁物質は、有機絶縁物質であることを特徴とする請求項11に記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の製造方法。
- 基板上に第1金属層を形成しパターニングして、ゲート電極、ゲート配線、電力供給配線、ゲートパッド、電力供給パッドを形成する段階と;
前記パターニングされた第1金属層の上部に第1絶縁膜、純粋非晶質シリコン、不純物非晶質シリコン、第2金属層を順に積層する段階と;
前記第2金属層上に感光性フォトレジストを形成する段階と;
前記感光性フォトレジストの上部に、半透過部を持つマスクを位置させる段階と;
前記マスクを通じた回折露光法を利用して、前記純粋非晶質シリコン層、不純物非晶質シリコン層、第2金属層を同時にパターニングして、アクティブ層、オーミックコンタクト層、ソース電極及びドレイン電極、データ配線、第1リンク配線、データパッドを形成する段階と;
前記ソース電極及びドレイン電極の間に露出されたオーミックコンタクト層をエッチングして、前記アクティブ層にチャンネルを形成して、ゲート電極、半導体層、ソース電極及びドレイン電極を含む薄膜トランジスタを完成する段階と;
前記薄膜トランジスタ、データ配線、データパッドを覆うように、第1絶縁膜の上部に第2絶縁膜を形成する段階と;
前記第1絶縁膜及び第2絶縁膜をエッチングして、前記第2絶縁膜を貫通するソースコンタクトホール、ドレインコンタクトホール、データパッドコンタクトホールを形成して、共に前記第1絶縁膜及び第2絶縁膜を貫通するゲートパッドコンタクトホール及び電力供給配線コンタクトホールを形成する段階と;
絶縁物質を利用して、前記第2絶縁膜上の画素領域に柱形状の連結パターンを形成する段階と;
第3金属物質を利用して前記連結パターンを覆い、ドレインコンタクトホールを通じてドレイン電極と連結される連結電極と、前記ソースコンタクトホールを通じてソース電極と連結されて、前記薄膜トランジスタを電力供給配線に連結するパワー電極と、前記ゲート配線の周りで、第1リンク配線と共に電力供給配線を連結する第2リンク配線と、前記データパッドの上部で、データパッドコンタクトホールを通じて、これと接触するデータパッド電極と、前記ゲートパッドの上部で、ゲートパッドコンタクトホールを通じて、これと接触するゲートパッド電極と、電力供給パッドの上部で、電力供給パッドコンタクトホールを通じて、これと接触する電力供給パッド電極を形成する段階を含むデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の製造方法。 - 前記ゲート配線及び電力供給配線を形成する段階は第1マスクを利用して行い、前記純粋非晶質シリコン層、不純物非晶質シリコン層、第2金属層を同時にパターニングする段階は第2マスクを利用して行い、前記ソースコンタクトホール及びドレインコンタクトホールを形成する段階は第3マスクを利用して行い、前記連結パターンを形成する段階は第4マスクを利用して行い、前記連結電極を形成する段階は第5マスクを利用して行うことを特徴とする請求項17に記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の製造方法。
- 前記純粋非晶質シリコン層、不純物非晶質シリコン層、第2金属層を同時にパターニングする段階は、電力供給配線の上部に、キャパシター電極を形成する段階を含むことを特徴とする請求項17に記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の製造方法。
- 前記キャパシター電極は、前記電力供給配線及びこれらの間に介在された第1絶縁膜及び第2絶縁膜と共にストレージキャパシターを構成することを特徴とする請求項19に記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の製造方法。
- 前記純粋非晶質シリコン層、不純物非晶質シリコン層、第2金属層を同時にパターニングする段階は、前記データ配線、第1リンク配線、データパッドの下部に、半導体パターン層をさらに形成することを特徴とする請求項19に記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の製造方法。
- 他の基板上に有機電界発光ダイオードを形成する段階をさらに含み、前記連結電極は、前記薄膜トランジスタと前記有機電界発光ダイオードを電気的に連結することを特徴とする請求項17に記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の製造方法。
- 前記ゲート配線は、基板上に第1方向へ形成されて、前記データ配線と電力供給配線は、相互に離隔され前記第1方向と垂直に第2方向へ形成され画素領域を定義することを特徴とする請求項17に記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の製造方法。
- 前記連結パターンのための絶縁物質は、有機絶縁物質であることを特徴とする請求項17に記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の製造方法。
- 前記感光性フォトレジストは露光された所が現像工程により除去されるポジティブタイプであることを特徴とする請求項17に記載のデュアルパネルタイプ有機電界発光素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2002-0086106A KR100503129B1 (ko) | 2002-12-28 | 2002-12-28 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004213004A JP2004213004A (ja) | 2004-07-29 |
JP3779972B2 true JP3779972B2 (ja) | 2006-05-31 |
Family
ID=30768225
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003433282A Expired - Lifetime JP3779972B2 (ja) | 2002-12-28 | 2003-12-26 | デュアルパネルタイプ有機電界発光素子及びその製造方法 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7247878B2 (ja) |
JP (1) | JP3779972B2 (ja) |
KR (1) | KR100503129B1 (ja) |
CN (1) | CN100353559C (ja) |
DE (1) | DE10360870B4 (ja) |
FR (1) | FR2849958B1 (ja) |
GB (1) | GB2396733B (ja) |
NL (1) | NL1025132C2 (ja) |
TW (1) | TWI244786B (ja) |
Families Citing this family (72)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW413844B (en) * | 1998-11-26 | 2000-12-01 | Samsung Electronics Co Ltd | Manufacturing methods of thin film transistor array panels for liquid crystal displays and photolithography method of thin films |
US6509616B2 (en) | 2000-09-29 | 2003-01-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and its manufacturing method |
KR20030086166A (ko) * | 2002-05-03 | 2003-11-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
KR100497095B1 (ko) * | 2002-12-26 | 2005-06-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
KR100617037B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2006-08-30 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 반사투과형 액정표시장치 및 이의 제조방법 |
TWI382452B (zh) * | 2004-03-19 | 2013-01-11 | Samsung Display Co Ltd | 薄膜電晶體陣列面板及其製造方法 |
KR100652352B1 (ko) * | 2004-05-10 | 2006-12-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
JP2006047617A (ja) * | 2004-08-04 | 2006-02-16 | Hitachi Displays Ltd | エレクトロルミネセンス表示装置およびその駆動方法 |
JP4581692B2 (ja) * | 2005-01-11 | 2010-11-17 | セイコーエプソン株式会社 | 有機発光ダイオード装置、画像形成装置および画像読み取り装置 |
JP2006107755A (ja) * | 2004-09-30 | 2006-04-20 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、画像形成装置および画像読み取り装置 |
KR100603836B1 (ko) * | 2004-11-30 | 2006-07-24 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
KR100606772B1 (ko) * | 2004-12-02 | 2006-08-01 | 엘지전자 주식회사 | 유기 el 소자의 제조방법 |
KR100606969B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-08-01 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계발광소자 및 그 제조방법 |
KR101107252B1 (ko) | 2004-12-31 | 2012-01-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 일렉트로-루미네센스 표시 패널의 박막 트랜지스터 기판및 그 제조 방법 |
KR100683791B1 (ko) * | 2005-07-30 | 2007-02-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막 트랜지스터 기판 및 이를 구비한 평판 디스플레이장치 |
EP1758072A3 (en) * | 2005-08-24 | 2007-05-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and driving method thereof |
KR20070041856A (ko) | 2005-10-17 | 2007-04-20 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
JP4661557B2 (ja) | 2005-11-30 | 2011-03-30 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
JP4939045B2 (ja) | 2005-11-30 | 2012-05-23 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
KR101230305B1 (ko) * | 2005-12-08 | 2013-02-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 그 제조 방법 |
TWI339442B (en) | 2005-12-09 | 2011-03-21 | Samsung Mobile Display Co Ltd | Flat panel display and method of fabricating the same |
KR101252083B1 (ko) * | 2005-12-22 | 2013-04-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR101251375B1 (ko) | 2005-12-30 | 2013-04-05 | 엘지디스플레이 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 |
KR100733979B1 (ko) * | 2006-02-02 | 2007-07-02 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이장치 |
KR100745760B1 (ko) * | 2006-02-02 | 2007-08-02 | 삼성전자주식회사 | 유기 전자발광 디스플레이 및 그 제조방법 |
KR100843690B1 (ko) * | 2006-04-24 | 2008-07-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 소자 |
KR101213103B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-01-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 합착 장치 및 이를 이용한 전계발광소자의 제조방법 |
KR101289038B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2013-07-23 | 엘지디스플레이 주식회사 | 합착 장치 및 이를 이용한 전계발광소자의 제조방법 |
KR100805154B1 (ko) * | 2006-09-15 | 2008-02-21 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101291845B1 (ko) * | 2006-12-13 | 2013-07-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조 방법 |
KR101293565B1 (ko) * | 2007-01-26 | 2013-08-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101366162B1 (ko) * | 2007-03-20 | 2014-02-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 패널 및 이의 제조방법 |
CN101325219B (zh) * | 2007-06-15 | 2010-09-29 | 群康科技(深圳)有限公司 | 薄膜晶体管基板及其制造方法 |
KR101392162B1 (ko) * | 2008-02-15 | 2014-05-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 기판 및 이의 제조 방법 |
GB0819450D0 (en) * | 2008-10-23 | 2008-12-03 | Cambridge Display Tech Ltd | Oled driver chiplet integration |
KR101107158B1 (ko) * | 2009-07-10 | 2012-01-25 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101314787B1 (ko) * | 2009-10-01 | 2013-10-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 어레이 기판 |
KR101094280B1 (ko) | 2009-11-10 | 2011-12-19 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광표시장치 및 그의 제조 방법 |
KR101333783B1 (ko) | 2009-11-10 | 2013-11-29 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR101174881B1 (ko) * | 2010-06-11 | 2012-08-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조 방법 |
JP2012015436A (ja) * | 2010-07-05 | 2012-01-19 | Sony Corp | 薄膜トランジスタおよび表示装置 |
US8492788B2 (en) * | 2010-10-08 | 2013-07-23 | Guardian Industries Corp. | Insulating glass (IG) or vacuum insulating glass (VIG) unit including light source, and/or methods of making the same |
KR20130025717A (ko) * | 2011-09-02 | 2013-03-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
KR101899477B1 (ko) * | 2011-11-18 | 2018-09-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터, 그 제조방법 및 이를 포함하는 유기 발광 표시장치 |
WO2013158645A1 (en) | 2012-04-16 | 2013-10-24 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Non-uniform multiple quantum well structure |
US9660043B2 (en) | 2012-06-04 | 2017-05-23 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Ohmic contact to semiconductor layer |
US8969198B2 (en) | 2012-06-04 | 2015-03-03 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Ohmic contact to semiconductor layer |
US8704232B2 (en) | 2012-06-12 | 2014-04-22 | Apple Inc. | Thin film transistor with increased doping regions |
US9065077B2 (en) | 2012-06-15 | 2015-06-23 | Apple, Inc. | Back channel etch metal-oxide thin film transistor and process |
US9793439B2 (en) | 2012-07-12 | 2017-10-17 | Sensor Electronic Technology, Inc. | Metallic contact for optoelectronic semiconductor device |
US8987027B2 (en) | 2012-08-31 | 2015-03-24 | Apple Inc. | Two doping regions in lightly doped drain for thin film transistors and associated doping processes |
US9685557B2 (en) | 2012-08-31 | 2017-06-20 | Apple Inc. | Different lightly doped drain length control for self-align light drain doping process |
US8748320B2 (en) | 2012-09-27 | 2014-06-10 | Apple Inc. | Connection to first metal layer in thin film transistor process |
US8999771B2 (en) | 2012-09-28 | 2015-04-07 | Apple Inc. | Protection layer for halftone process of third metal |
KR20140042183A (ko) * | 2012-09-28 | 2014-04-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
US9201276B2 (en) | 2012-10-17 | 2015-12-01 | Apple Inc. | Process architecture for color filter array in active matrix liquid crystal display |
KR102006352B1 (ko) | 2012-11-20 | 2019-08-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
US9001297B2 (en) | 2013-01-29 | 2015-04-07 | Apple Inc. | Third metal layer for thin film transistor with reduced defects in liquid crystal display |
US9088003B2 (en) | 2013-03-06 | 2015-07-21 | Apple Inc. | Reducing sheet resistance for common electrode in top emission organic light emitting diode display |
KR102137392B1 (ko) * | 2013-10-08 | 2020-07-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102304725B1 (ko) * | 2014-10-16 | 2021-09-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이의 제조 방법, 박막 트랜지스터 어레이 기판을 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
CN104637874A (zh) | 2015-03-16 | 2015-05-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
KR102017764B1 (ko) * | 2015-04-29 | 2019-09-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
US10304813B2 (en) * | 2015-11-05 | 2019-05-28 | Innolux Corporation | Display device having a plurality of bank structures |
WO2017146477A1 (ko) | 2016-02-26 | 2017-08-31 | 서울반도체주식회사 | 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 |
CN105789121A (zh) * | 2016-05-27 | 2016-07-20 | 京东方科技集团股份有限公司 | 全反射阵列基板及其制备方法、显示器件 |
CN109037263A (zh) * | 2017-06-09 | 2018-12-18 | 美商晶典有限公司 | 具有透光基材的微发光二极管显示模块及其制造方法 |
KR102568285B1 (ko) * | 2017-12-28 | 2023-08-17 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시패널 및 이를 이용한 유기발광표시장치 |
KR102615707B1 (ko) * | 2017-12-29 | 2023-12-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시패널 및 이를 이용한 유기발광표시장치 |
TWI672683B (zh) * | 2018-04-03 | 2019-09-21 | 友達光電股份有限公司 | 顯示面板 |
CN111445860B (zh) * | 2020-04-30 | 2021-08-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及其制作方法以及电子装置 |
CN115117135A (zh) * | 2022-06-28 | 2022-09-27 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
Family Cites Families (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0431299U (ja) * | 1990-07-06 | 1992-03-13 | ||
EP0775931B1 (en) * | 1995-11-21 | 2005-10-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of manufacturing a liquid crystal display |
US6175186B1 (en) * | 1996-02-26 | 2001-01-16 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent element and method for manufacturing the same |
TW384409B (en) * | 1996-06-04 | 2000-03-11 | Sharp Kk | Liquid crystal display device |
KR100244447B1 (ko) * | 1997-04-03 | 2000-02-01 | 구본준 | 액정 표시 장치 및 그 액정 표시 장치의 제조 방법 |
US6175345B1 (en) * | 1997-06-02 | 2001-01-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Electroluminescence device, electroluminescence apparatus, and production methods thereof |
JPH113048A (ja) * | 1997-06-10 | 1999-01-06 | Canon Inc | エレクトロ・ルミネセンス素子及び装置、並びにその製造法 |
JP3466876B2 (ja) * | 1997-06-16 | 2003-11-17 | キヤノン株式会社 | エレクトロ・ルミネセンス素子の製造法 |
JP2000227770A (ja) * | 1998-12-01 | 2000-08-15 | Sanyo Electric Co Ltd | カラーel表示装置 |
US6287899B1 (en) * | 1998-12-31 | 2001-09-11 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same |
JP4588833B2 (ja) * | 1999-04-07 | 2010-12-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 電気光学装置および電子機器 |
KR100316271B1 (ko) * | 1999-05-27 | 2001-12-12 | 구본준, 론 위라하디락사 | 전계발광소자 및 그의 제조방법 |
JP4942867B2 (ja) * | 1999-09-17 | 2012-05-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | El表示装置及び電子装置 |
JP2001117509A (ja) * | 1999-10-14 | 2001-04-27 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 有機el表示装置 |
TW511298B (en) * | 1999-12-15 | 2002-11-21 | Semiconductor Energy Lab | EL display device |
JP2001177509A (ja) | 1999-12-16 | 2001-06-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | クロック載せ換え方法及び装置 |
JP2001195009A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Sony Corp | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法 |
JP2001318624A (ja) * | 2000-02-29 | 2001-11-16 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置およびその作製方法 |
WO2001067824A1 (fr) * | 2000-03-07 | 2001-09-13 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Affichage el organique a excitation active et procede de fabrication de cet affichage |
JP2001282123A (ja) * | 2000-03-30 | 2001-10-12 | Toshiba Corp | 表示装置およびその製造方法 |
JP3840926B2 (ja) * | 2000-07-07 | 2006-11-01 | セイコーエプソン株式会社 | 有機el表示体及びその製造方法、並びに電子機器 |
KR100720087B1 (ko) * | 2000-07-31 | 2007-05-18 | 삼성전자주식회사 | 표시 소자용 배선 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 기판및 그 제조 방법 |
JP2002050764A (ja) * | 2000-08-02 | 2002-02-15 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜トランジスタ、アレイ基板、液晶表示装置、有機el表示装置およびその製造方法 |
KR100365519B1 (ko) * | 2000-12-14 | 2002-12-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 디바이스 및 이의 제조 방법 |
KR20020058269A (ko) * | 2000-12-29 | 2002-07-12 | 구본준, 론 위라하디락사 | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 |
GB0107236D0 (en) | 2001-03-22 | 2001-05-16 | Microemissive Displays Ltd | Method of creating an electroluminescent device |
US6548961B2 (en) * | 2001-06-22 | 2003-04-15 | International Business Machines Corporation | Organic light emitting devices |
JP4101511B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2008-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
KR100464864B1 (ko) * | 2002-04-25 | 2005-01-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
KR100435054B1 (ko) * | 2002-05-03 | 2004-06-07 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
KR100497096B1 (ko) * | 2002-12-26 | 2005-06-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
KR100484092B1 (ko) * | 2002-12-26 | 2005-04-18 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
KR100497095B1 (ko) * | 2002-12-26 | 2005-06-28 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
KR100551131B1 (ko) | 2003-03-07 | 2006-02-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계 발광소자와 그 제조방법 |
-
2002
- 2002-12-28 KR KR10-2002-0086106A patent/KR100503129B1/ko active IP Right Grant
-
2003
- 2003-12-16 TW TW092135615A patent/TWI244786B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-12-17 GB GB0329241A patent/GB2396733B/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-23 CN CNB2003101217811A patent/CN100353559C/zh not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-23 FR FR0315258A patent/FR2849958B1/fr not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-23 DE DE10360870A patent/DE10360870B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-24 US US10/744,108 patent/US7247878B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-12-24 NL NL1025132A patent/NL1025132C2/nl not_active IP Right Cessation
- 2003-12-26 JP JP2003433282A patent/JP3779972B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2007
- 2007-04-11 US US11/783,674 patent/US7550306B2/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200414820A (en) | 2004-08-01 |
GB2396733A (en) | 2004-06-30 |
KR100503129B1 (ko) | 2005-07-22 |
CN1512830A (zh) | 2004-07-14 |
FR2849958A1 (fr) | 2004-07-16 |
JP2004213004A (ja) | 2004-07-29 |
DE10360870A8 (de) | 2005-04-07 |
KR20040059701A (ko) | 2004-07-06 |
NL1025132C2 (nl) | 2007-09-25 |
NL1025132A1 (nl) | 2004-09-09 |
CN100353559C (zh) | 2007-12-05 |
FR2849958B1 (fr) | 2008-04-11 |
TWI244786B (en) | 2005-12-01 |
GB0329241D0 (en) | 2004-01-21 |
DE10360870A1 (de) | 2004-07-22 |
DE10360870B4 (de) | 2010-11-11 |
GB2396733B (en) | 2005-08-10 |
US20070187677A1 (en) | 2007-08-16 |
US20040195959A1 (en) | 2004-10-07 |
US7550306B2 (en) | 2009-06-23 |
US7247878B2 (en) | 2007-07-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3779972B2 (ja) | デュアルパネルタイプ有機電界発光素子及びその製造方法 | |
JP3917132B2 (ja) | 有機電界発光素子及びその製造方法 | |
JP4785809B2 (ja) | デュアルパネルタイプ有機電界発光素子及びその製造方法 | |
JP3917131B2 (ja) | デュアルパネルタイプ有機電界発光素子及びその製造方法 | |
TWI737625B (zh) | 有機發光二極體顯示器及其製造方法 | |
US10651258B2 (en) | Organic light emitting display device with improved aperture ratio | |
US7131884B2 (en) | Organic electroluminescent display panel device and method of fabricating the same | |
US11056509B2 (en) | Display device having a plurality of thin-film transistors with different semiconductors | |
US6873100B2 (en) | Organic electro luminescent display device and method of fabricating the same | |
KR101106562B1 (ko) | 어레이 기판 및 이의 제조방법 | |
KR101232736B1 (ko) | 어레이 기판 | |
US11765935B2 (en) | Display apparatus | |
JP2020076975A (ja) | 表示装置 | |
KR100984824B1 (ko) | 상부발광형 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 | |
KR100502162B1 (ko) | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 | |
KR100497093B1 (ko) | 듀얼패널타입 유기전계발광 소자용 어레이 기판 및 그 제조방법 | |
KR20110058355A (ko) | 어레이 기판 및 이의 제조방법 | |
KR20210004794A (ko) | 표시 장치 | |
KR100553248B1 (ko) | 유기전계발광소자 및 그 제조방법 | |
KR101713146B1 (ko) | 어레이 기판 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060208 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060303 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3779972 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090310 Year of fee payment: 3 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090310 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100310 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110310 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110310 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120310 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130310 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140310 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |