JP2006171610A - 液晶表示装置及びその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2006171610A JP2006171610A JP2004367367A JP2004367367A JP2006171610A JP 2006171610 A JP2006171610 A JP 2006171610A JP 2004367367 A JP2004367367 A JP 2004367367A JP 2004367367 A JP2004367367 A JP 2004367367A JP 2006171610 A JP2006171610 A JP 2006171610A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- wiring
- display device
- crystal display
- disconnection
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
- G02F1/136263—Line defects
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
【課題】簡潔な工程で、アレイ基板における信号線の断線を低抵抗にてリペアできる液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】信号線102にある断線部20の信号線断線端部1020、1021に信号線102の幅方向における中心部より少しずらしてコンタクトホール400、401を形成してタングステンを充填し、このタングステンを充填したコンタクトホール500、501及び断線部20を覆うタングステンライン50を形成する。
【選択図】 図2
【解決手段】信号線102にある断線部20の信号線断線端部1020、1021に信号線102の幅方向における中心部より少しずらしてコンタクトホール400、401を形成してタングステンを充填し、このタングステンを充填したコンタクトホール500、501及び断線部20を覆うタングステンライン50を形成する。
【選択図】 図2
Description
本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関し、特に、配線の欠陥修正(いわゆる「リペア」である)を含む液晶表示装置及びその製造方法に関する。
基板上にアレイを形成されたアレイ基板が、その基板の一主面上に有する信号線の一に欠陥を検出された場合、例えば、特許文献1には2つの方法が挙げられている。
第1の方法として、上面開口部と配線パターン幅方向両側に基板面に到達する程度に形成される空間開口部とが連なるコンタクトホールをレーザー装置のレーザー光遮光用スリットを用いて2つ形成し、レーザCVD法により上記コンタクトホール内を有機金属化合物からなるレーザCVD膜で埋め、それらコンタクトホール同士をさらにレーザCVD膜で接続する、または同一の画素電極とレーザCVDで接続する、またはそれぞれ異なる画素電極と接続し、その画素電極同士をレーザCVD膜で接続するという方法が挙げられている。
また、第2の方法として、コンタクトホールは設けず、断線部両端部直上を被覆するレーザCVD膜を形成し、その断線部両端部の各々にレーザウェルディング部を設ける、という方法が挙げられている。
特開2002−182246公報
しかしながら、前記第1の方法では、信号線と接続された画素電極は、正常な画素電極と異なる電位となってしまうので、信号線と接続された画素電極が点欠陥として見えてしまう可能性があり、また第2の方法では、信号線とレーザーCVDで形成された金属化合物との接続面積不足があった場合には抵抗が高くなるために、リペアは不成功となる。
本発明は、工程が比較的少なくありながら、かつ低抵抗の小さいリペアを施された液晶表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記問題点を解決するために、本発明の液晶表示装置は、一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された液晶材料と、からなる液晶表示装置であって、前記基板のうちの一方は、その一主面上に少なくとも複数の配線を有し、前記配線は一部に断線部を有し、その断線部を挟んだ両端部上にそれぞれ凹部を有しており、前記凹部は、前記配線の幅方向において少なくとも前記配線の片側を残して開口させることにより前記凹部の周面に前記配線が露出し、かつ、前記凹部の内部に導電材が配されて前記露出した配線と接しており、さらに前記断線部と前記断線部を挟んで設けられた前記それぞれの凹部にある導電材の上端とを覆蓋する導電性のブリッジ部材を有することを特徴とするものである。
また、本発明の液晶表示装置の製造方法は、一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された液晶材料と、からなる液晶表示装置の製造方法であって、前記基板のうち、一方側の一主面上に配線を形成する工程と、前記配線の断線部を検出する工程と、前記断線部検出工程で検出された前記断線部を挟む前記配線の両端部を一部に有する凹部を形成する工程と、前記形成した凹部に導電材を充填する工程と、前記断線部と前記断線部を挟んで設けられた前記それぞれの凹部にある導電材の上端とを連続して覆蓋する導電性のブリッジ部材を形成する工程と、を有し、前記凹部を形成する工程では、前記配線の幅方向にはその一部を残して除去して形成することを特徴とするものである。
本発明によれば、工程数が少なく、かつ抵抗値の小さいリペアで断線を確実に接続した液晶表示装置及びその製造方法を得ることができる。
(第1の実施形態)
以下、本発明の第1の実施形態を図面を参照して説明する。
以下、本発明の第1の実施形態を図面を参照して説明する。
図1は、本実施形態に関わる透過型の液晶表示装置の一部概略断面図であり、この液晶表示装置の構成について説明する。
(1)液晶表示装置1の構成
液晶表示装置1の構成について説明する。
液晶表示装置1の構成について説明する。
この液晶表示装置1は、アレイ基板10とアレイ基板10に対向配置された対向基板11と、それらに挟持された液晶層12と、その液晶層12の配向を規定する、アレイ基板10と対向基板11との両方に形成された配向膜13と、両基板の液晶層12と接する面とは反対側面に各々配設された、偏光板14と、から構成される。また、上述のアレイ基板10と対向基板11とは、図示しないが基板間のギャップを均一にするビーズスペーサを挟持している。
なお、スペーサはここではビーズ状で、散布して用いるタイプのビーズスペーサを例示しているが、柱状に形成する柱スペーサであってもかまわない。
アレイ基板10は、ガラス基板100と、そのガラス基板100の一主表面に形成された、複数の走査線101と、走査線に略直交配置された複数の信号線102と、これらの交点付近に配置される薄膜トランジスタ(TFT)103、薄膜トランジスタ103に接続された画素電極104とを有する。
薄膜トランジスタ103は、走査線101に接続されるゲート電極105と、その上を覆う絶縁膜1060と、その上の半導体層としてのアモルファスシリコン層107と、その上の信号線102に接続するソース電極108と、ドレイン電極109とから構成される。
なお、ここでは薄膜トランジスタ103の半導体層としてアモルファスシリコン層を用いているが、ポリシリコンを用いることも可能である。また、ここでは薄膜トランジスタ構造をボトムゲート構造として説明しているが、トップゲート構造であってもよい。
対向基板11は、ガラス基板110と、そのガラス基板110の一主面上に配置される網目状のブラックマトリクス111と、このブラックマトリクス111で区切られた領域に対応して配置される赤(R)、緑(G)、青(B)の3色のカラーフィルタ1120、1121、1122と、カラーフィルタ上に配置される、たとえば透明電極としてのITO(Indium Tin Oxide)からなる対向電極113が形成されている。
(2)アレイ基板10の作製方法
上述のアレイ基板10は、以下の要領で作製される。
上述のアレイ基板10は、以下の要領で作製される。
まず、ガラス基板の一主面上にアルミニウムを全面に成膜して金属膜を形成し、それをパターニングして走査線101を形成し、その上にシリコン窒化膜を基板全面にまた形成し、絶縁膜1060を形成する。
次に、アモルファスシリコンを全面に形成してそれをパターニングし、半導体層を形成する。
次いで、さらにアルミニウムを全面に成膜して金属膜を形成し、パターニングしてドレイン電極109、ソース電極108、信号線102を形成する。
次に、シリコン窒化膜を基板全面に形成し、絶縁膜1061を形成した上、画素電極104とドレイン電極109との接続用のコンタクトホールを形成する。
最後に、ITOを基板全面に成膜して画素電極層を形成し、パターニングして画素電極104を形成してアレイ基板10が完成する。
(3)アレイ基板10の欠陥修正方法
このアレイ基板10は、基板上へのアレイ形成後に信号線102の断線検査が、アレイテスターを用いて行われる。この信号線102の断線検査で断線部20が検出されると、その断線部20を挟んだ信号線102の両端部1020、1021の各々にレーザ光30が照射される。
このアレイ基板10は、基板上へのアレイ形成後に信号線102の断線検査が、アレイテスターを用いて行われる。この信号線102の断線検査で断線部20が検出されると、その断線部20を挟んだ信号線102の両端部1020、1021の各々にレーザ光30が照射される。
図2は、第1の実施形態の欠陥修正方法(リペア)の各ステップを示す図である。
同図(a)は、アレイ基板10における信号線102の有する断線部20近傍の断面図である。
まず、信号線断線端部1020、1021とのレーザ照射箇所にレーザ照射機のスリット位置を合わせ、それぞれにレーザ光30が照射される。このレーザ光30としてUV光が使用される。
同図(b)は上記レーザ光30を照射した箇所の平面図である。
レーザ光30はその直径が4μmであるが、信号線102の幅4μmちょうどに合わせて照射するのではなく、信号線断線端部1020、1021の幅側端部より1μm乃至2μmずらしてレーザ光30を照射してコンタクトホール400、401を信号線断線端部1020、1021の双方に形成する。すなわち、コンタクトホール400、401の平面形状である円形の中心部が、信号線102の幅方向の中心部とずれて形成される。
レーザ光30を信号線102の幅より、レーザ光30の半径2μm以内分だけずらして照射することで、コンタクトホール400、401と、信号線断線端部1020、1021との側面積が信号線102の厚み方向に沿って最大に接することとなる。すなわち、コンタクトホール400、401は、信号線102の幅方向において少なくとも信号線102の片側を残して開口させることによりコンタクトホール400、401の周面に信号線102の厚み方向の部分が露出する。
そうして形成されたコンタクトホール400、401を、タングステン雰囲気中でレーザCVDにてそれぞれ埋めて、タングステン充填コンタクトホール500、501を形成する。
同図(c)は、導電材であるタングステンを充填されたコンタクトホール500、501近傍部の断面を示す。このようにすることで、コンタクトホール400、401の内部にタングステンが配されて、コンタクトホール400、401の周面に露出した信号線102と電気的に接することとなる。
次に、タングステン充填コンタクトホール500、501及び断線部20上を全て覆うようにして、一連続のライン状にブリッジ部材であるタングステンライン50を形成する。
同図(d)及び(e)は、タングステンライン50形成後の断線部20近傍部を示す平面図及び断面図である。
そして、タングステンライン50の硬化が足りない場合には、さらにその上にUV光60を照射して完全に硬化させて、アレイ基板10の信号線102の断線部20のリペアは完成する。
この第1の実施形態の修正方法で示したように、信号線102が断線部20を有しているとき、信号線端部1020、1021に、この信号線102の幅ちょうどではなく、線幅より少しずらしてコンタクトホール400、401をそれぞれ形成することで、コンタクトホール400、401と信号線102とが重なる箇所において、コンタクトホール400、401の側面積がすなわち信号線102の厚み方向面積となり、その結果、タングステン充填後のコンタクトホール500、501の、信号線102との接続面積が大きくなり、抵抗が小さくなるのでリペアを良化させることができる。
また、コンタクトホール400、401が信号線端部1020、1021を途中で完全に分断してしまわないので、コンタクトホールによって形成された信号線の露出部とレーザCVDにより形成された導電膜の接続不足から起こる断線発生のおそれもないというメリットも有する。
(第2の実施形態)
上述の実施形態においては、コンタクトホール400、401を信号線断線端部1020、1021の各々にひとつずつ形成する例を示したが、コンタクトホールは、各断線端部に各々複数個ずつ形成してもかまわない。
上述の実施形態においては、コンタクトホール400、401を信号線断線端部1020、1021の各々にひとつずつ形成する例を示したが、コンタクトホールは、各断線端部に各々複数個ずつ形成してもかまわない。
図3は、本発明の第2の実施形態の修正方法である各ステップを示す図である。
本実施形態においても、アレイ基板10を作製後、信号線102の断線の有無の検査をアレイテスターを用いて行う。
この断線検査で信号線102に断線部20が検出されると、その断線部20を挟んだ信号線102の両断線端部1020、1021の各々にレーザ光31が、それぞれ2回ずつ照射される(図3(a))。
このとき、第1の実施形態と同様にレーザ光31は、信号線断線端部1020、1021の幅側端部よりも1μm乃至1.5μmずらして照射することで、コンタクトホール410、411を1020、1021の双方に形成する(図3(b))。
このコンタクトホール410、411は、レーザ光31を信号線幅よりずらして照射することで、その側面が信号線102の厚み方向に沿って接することとなる。
そうして形成されたコンタクトホール410、411をタングステンでそれぞれ埋めることで、タングステン充填コンタクトホール510、511を形成する(図3(c))。
次に、タングステン充填コンタクトホール510、511及び断線部20上を全て覆うようにして、一連続の線状にタングステンライン51を形成する(図3(d))。
この第2の実施形態で示したように、信号線断線端部1020、1021に線幅より少しずらしてコンタクトホール410、411を、各々穴を2つずつあけて形成することで、その2つの穴の径と信号線102の厚み方向に対する側面積とがすなわちほぼ信号線102との接続面積となり、より抵抗が小さくなるためリペアをさらに良化させることができる。
また、上記実施形態においてもコンタクトホールが信号線断線端部1020、1021を途中で完全に分断してしまわないため、コンタクトホールによって形成された信号線の露出部とレーザCVDにより形成された導電膜の接続不足から起こる断線発生のおそれもないというメリットも有する。
なお、このコンタクトホール410、411は間隔をあけて形成するとよりよい。
(第3の実施形態)
上記実施形態ではコンタクトホールを円形に形成する例を示したが、信号線長さ方向に沿って長く形成することで、信号線断線端部との接触面積を大きくしても同様の効果がある。
上記実施形態ではコンタクトホールを円形に形成する例を示したが、信号線長さ方向に沿って長く形成することで、信号線断線端部との接触面積を大きくしても同様の効果がある。
図4は、本発明の第3の実施形態の修正方法の各ステップを示す説明図である。
第1及び第2の実施形態と同様に、アレイ基板10は形成後、一度信号線102の断線検査をアレイテスターを用いて行われる。そこで断線部20が検出されると、その断線部20を挟んだ信号線102の両断線端部1020、1021の各々に、その径が、信号線長さ方向に長軸を有する略楕円形状であるレーザ光32が、その短方向を信号線102の幅方向に向けて照射される(図4(a))。
このとき、レーザ光32は、信号線断線端部1020、1021の幅側端部よりも1.5μm乃至2μmずらして照射することで、コンタクトホール420、421を1020、1021の双方に形成する(図4(b))。
このコンタクトホール420、421は、レーザ光32を信号線幅よりずらして照射することで、その側面が信号線102の厚み方向に沿って接することとなる。
そうして形成されたコンタクトホール420、421をタングステンでそれぞれ埋めることで、タングステン充填コンタクトホール520、521を作成する(図4(c))。
次に、タングステン充填コンタクトホール520、521及び断線部20上を全て覆うようにして、一連続のライン状にタングステン52を形成する(図4(d))。
この第3の実施形態で示したように、信号線断線端部1020、1021に線幅より少しずらしてコンタクトホール420、421を各々形成することで、その穴の径と信号線102厚み方向に対する側面積とがすなわちほぼ信号線102との接続面積となり、より抵抗が小さくなるためリペアを良化させることができる。
また、この例においてもコンタクトホールが信号線断線端部1020、1021を途中で完全に分断してしまわないため、コンタクトホールによって形成された信号線の露出部とレーザCVDにより形成された導電膜の接続不足から起こる断線発生のおそれもないというメリットも有する。
本発明は上記各実施形態に限らず、その主旨を逸脱しない限り種々に変更することができる。
10 アレイ基板
100、110 ガラス基板
101 走査線
102 信号線
1020、1021 信号線断線端部
103 薄膜トランジスタ
104 画素電極
105 ゲート電極
1060、1061 絶縁膜
107 アモルファスシリコン層
108 ソース電極
109 ドレイン電極
11 対向基板
111 ブラックマトリクス
1120、1121、1122 カラーフィルタ(R)、(G)、(B)
113 対向電極
20 断線部
30、31 レーザ光
400、401、410、411、420、421 コンタクトホール
50、51、52 タングステンライン
500、501、510、511、520、521 タングステン充填コンタクトホール
100、110 ガラス基板
101 走査線
102 信号線
1020、1021 信号線断線端部
103 薄膜トランジスタ
104 画素電極
105 ゲート電極
1060、1061 絶縁膜
107 アモルファスシリコン層
108 ソース電極
109 ドレイン電極
11 対向基板
111 ブラックマトリクス
1120、1121、1122 カラーフィルタ(R)、(G)、(B)
113 対向電極
20 断線部
30、31 レーザ光
400、401、410、411、420、421 コンタクトホール
50、51、52 タングステンライン
500、501、510、511、520、521 タングステン充填コンタクトホール
Claims (12)
- 一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された液晶材料と、からなる液晶表示装置であって、
前記基板のうちの一方は、その一主面上に少なくとも複数の配線を有し、
前記配線は一部に断線部を有し、その断線部を挟んだ両端部上にそれぞれ凹部を有しており、
前記凹部は、前記配線の幅方向において少なくとも前記配線の片側を残して開口させることにより前記凹部の周面に前記配線が露出し、かつ、前記凹部の内部に導電材が配されて前記露出した配線と接しており、
さらに前記断線部と前記断線部を挟んで設けられた前記それぞれの凹部にある導電材の上端とを覆蓋する導電性のブリッジ部材を有する
ことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記凹部は、その平面形状が略円形であり、その中心部は前記配線上に位置する
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 - 前記凹部は、前記配線上に複数設けられてなる
ことを特徴とする請求項1または請求項2記載の液晶表示装置。 - 前記凹部は、その平面形状が配線の長さ方向に沿って長軸を有する
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 - 前記凹部は、その平面形状が略矩形である
ことを特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。 - 前記導電材は、タングステンからなる
ことを特徴とする請求項1乃至請求項5のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 - 前記凹部の平面形状の中心部が、前記配線の幅方向の中心部とずれている
ことを特徴とする請求項1乃至請求項6のいずれか1項記載の液晶表示装置。 - 前記凹部の平面形状の寸法が、前記配線の幅方向の寸法とほぼ等しい
ことを特徴とする請求項1乃至請求項7のいずれか1項記載の液晶表示装置。 - 前記ブリッジ部材はタングステンからなる
ことを特徴とする請求項1乃至請求項8のいずれか1項記載の液晶表示装置。 - 一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された液晶材料と、からなる液晶表示装置の製造方法であって、
前記基板のうち、一方側の一主面上に配線を形成する工程と、
前記配線の断線部を検出する工程と、
前記断線部検出工程で検出された前記断線部を挟む前記配線の両端部を一部に有する凹部を形成する工程と、
前記形成した凹部に導電材を充填する工程と、
前記断線部と前記断線部を挟んで設けられた前記それぞれの凹部にある導電材の上端とを連続して覆蓋する導電性のブリッジ部材を形成する工程と、
を有し、
前記凹部を形成する工程では、前記配線の幅方向にはその一部を残して除去して形成する
ことを特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 前記凹部を形成する工程では、前記配線を形成する金属の一部を、前記配線の厚み方向に向かっては略全部除去して形成する
ことを特徴とする請求項10記載の液晶表示装置の製造方法。 - 前記導電材はタングステンである
ことを特徴とする請求項10または請求項11記載の液晶表示装置の製造方法。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004367367A JP2006171610A (ja) | 2004-12-20 | 2004-12-20 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
US11/298,588 US7561222B2 (en) | 2004-12-20 | 2005-12-12 | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
TW094144964A TW200639484A (en) | 2004-12-20 | 2005-12-16 | Liquid crystal display device and manufacturing method thereof |
KR1020050125022A KR100799004B1 (ko) | 2004-12-20 | 2005-12-19 | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004367367A JP2006171610A (ja) | 2004-12-20 | 2004-12-20 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2006171610A true JP2006171610A (ja) | 2006-06-29 |
Family
ID=36639990
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004367367A Pending JP2006171610A (ja) | 2004-12-20 | 2004-12-20 | 液晶表示装置及びその製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7561222B2 (ja) |
JP (1) | JP2006171610A (ja) |
KR (1) | KR100799004B1 (ja) |
TW (1) | TW200639484A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017130530A1 (ja) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 配線基板の配線修正装置、配線基板の製造方法、配線基板、および表示装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN103926738B (zh) * | 2013-12-26 | 2016-08-17 | 上海天马微电子有限公司 | 彩色滤光基板、嵌入式触摸显示面板及其制作方法 |
CN110941124B (zh) * | 2019-12-02 | 2021-06-01 | Tcl华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板、阵列基板制程方法及显示面板 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0566416A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-19 | Koudo Eizou Gijutsu Kenkyusho:Kk | 液晶表示体 |
WO1997012277A1 (fr) * | 1995-09-27 | 1997-04-03 | Seiko Epson Corporation | Dispositif d'affichage, appareil electronique et procede de fabrication de ce dispositif d'affichage |
JP2003222905A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法とその修復方法 |
JP2004318063A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-11-11 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02157828A (ja) * | 1988-12-12 | 1990-06-18 | Hosiden Electron Co Ltd | 液晶表示素子 |
KR100283733B1 (ko) * | 1995-10-16 | 2001-03-02 | 마찌다 가쯔히꼬 | 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치 및 그 단선 수정 방법 |
JP4653867B2 (ja) * | 1999-06-30 | 2011-03-16 | エーユー オプトロニクス コーポレイション | 電子部品の欠陥修復方法 |
JP4001712B2 (ja) | 2000-03-29 | 2007-10-31 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置の欠陥修復方法 |
JP2002031811A (ja) | 2000-07-18 | 2002-01-31 | Advanced Display Inc | 表示装置および表示装置の断線修復方法 |
JP2002196344A (ja) | 2000-12-26 | 2002-07-12 | Toshiba Corp | 液晶表示装置の製造方法とレーザ成膜方法およびレーザ成膜装置 |
JP2004054069A (ja) * | 2002-07-23 | 2004-02-19 | Advanced Display Inc | 表示装置及び表示装置の断線修復方法 |
US7276385B1 (en) * | 2003-11-24 | 2007-10-02 | Kovio, Inc. | Methods of laser repairing a circuit, compositions and equipment for such methods, and structures formed from such methods |
TWI240108B (en) * | 2004-04-09 | 2005-09-21 | Quanta Display Inc | Structure of LCD panel and method of manufacturing the same |
-
2004
- 2004-12-20 JP JP2004367367A patent/JP2006171610A/ja active Pending
-
2005
- 2005-12-12 US US11/298,588 patent/US7561222B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-12-16 TW TW094144964A patent/TW200639484A/zh unknown
- 2005-12-19 KR KR1020050125022A patent/KR100799004B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0566416A (ja) * | 1991-09-05 | 1993-03-19 | Koudo Eizou Gijutsu Kenkyusho:Kk | 液晶表示体 |
WO1997012277A1 (fr) * | 1995-09-27 | 1997-04-03 | Seiko Epson Corporation | Dispositif d'affichage, appareil electronique et procede de fabrication de ce dispositif d'affichage |
JP2003222905A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示装置の製造方法とその修復方法 |
JP2004318063A (ja) * | 2003-03-28 | 2004-11-11 | Fujitsu Display Technologies Corp | 液晶表示装置用基板及びそれを用いた液晶表示装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017130530A1 (ja) * | 2016-01-29 | 2017-08-03 | 株式会社ブイ・テクノロジー | 配線基板の配線修正装置、配線基板の製造方法、配線基板、および表示装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20060146264A1 (en) | 2006-07-06 |
KR100799004B1 (ko) | 2008-01-28 |
KR20060070442A (ko) | 2006-06-23 |
TW200639484A (en) | 2006-11-16 |
US7561222B2 (en) | 2009-07-14 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7443465B2 (en) | Color filter plate and thin film transistor plate for liquid crystal display, and methods for fabricating the plates | |
US9151992B2 (en) | Color filter substrate and liquid crystal display device including the same | |
JP4661913B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
KR101258903B1 (ko) | 액정표시장치 및 액정표시장치 제조방법 | |
US7932986B2 (en) | Liquid crystal display comprising a first signal line including a first portion and second portion, wherein the cross-section of the second portion is thinner than the cross-section of the first portion, and wherein a spacer overlaps the second portion | |
EP2573617A1 (en) | Active matrix liquid crystal display | |
US9075269B2 (en) | Array substrate and liquid crystal display device including the same | |
US8493540B2 (en) | Display panel and method of manufacturing the same | |
TWI634375B (zh) | 畫素結構及其顯示面板 | |
KR20090072352A (ko) | 어레이 기판 및 어레이 기판의 제조방법 | |
KR20090034579A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법 | |
KR100799004B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
WO2006059693A1 (ja) | 表示装置の製造方法及び表示装置 | |
KR100798992B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
JP2007041432A (ja) | 電気光学装置の製造方法 | |
JP5379790B2 (ja) | アクティブマトリクス基板及びそれを備えた液晶表示パネル並びにアクティブマトリクス基板の製造方法 | |
KR20160090454A (ko) | 표시 장치 | |
JP2009271105A (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
KR20070072182A (ko) | 액정표시소자 제조방법 | |
KR101425732B1 (ko) | 액정표시장치의 기판 | |
KR100620324B1 (ko) | 액정표시장치용 어레이기판 및 그 제조방법 | |
KR20120044780A (ko) | 박막 트랜지스터 표시판, 액정 표시 장치, 이들의 수리 방법, 색필터 표시판 및 그의 제조 방법 | |
JP5316511B2 (ja) | 表示装置 | |
KR20030058327A (ko) | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 | |
JP5346494B2 (ja) | 表示装置およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20071120 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100803 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100810 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20101207 |