JP5346494B2 - 表示装置およびその製造方法 - Google Patents
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半導体層上に対向配置されたドレイン電極およびソース電極が形成されるボトムゲート型の薄膜トランジスタを備える表示装置の製造方法であって、
半導体層および金属層を順次形成する工程と、
前記金属層上に形成されたフォトレジスト膜を、ハーフ露光を用いて、前記ドレイン電極およびソース電極の形成領域において第1の膜厚で形成し、前記ドレイン電極およびソース電極の間であって前記ドレイン電極とソース電極の対応する端部を結ぶそれぞれの仮想線よりも外側にはみ出るに至る領域において前記第1の膜厚よりも小さい第2の膜厚で残存させて形成するフォトレジスト膜形成工程と、
前記フォトレジスト膜をマスクとして前記金属層および半導体層を順次エッチングする第1のエッチング工程と、
アッシングを用いて、前記フォトレジスト膜のうち膜厚の小さいフォトレジスト膜を除去し、前記ドレイン電極およびソース電極の形成領域上のフォトレジスト膜を残存させる工程と、
前記ドレイン電極およびソース電極の形成領域上のフォトレジスト膜をマスクとして前記金属層をエッチングする第2のエッチング工程と、を備え、
前記フォトレジスト膜形成工程は、前記ドレイン電極およびソース電極の間の全域に亘って、前記第2の膜厚の前記フォトレジスト膜に前記仮想線よりも外側にはみ出る突出部を形成し、
前記第1のエッチング工程は、前記ドレイン電極およびソース電極の間の全域に亘って、前記半導体層に、前記ドレイン電極およびソース電極の形成領域下の前記半導体層における前記薄膜トランジスタのチャネル幅方向の端部よりも外方に突出する突出領域を形成することを特徴とする。
(2)本発明の表示装置の製造方法は、たとえば、(1)において、前記突出部は略矩形形状であり、
前記膜厚が小さいフォトレスト膜の領域は、前記ドレイン電極およびソース電極の形成領域のそれぞれの対向辺と一対の前記仮想線とで囲まれる矩形状の領域と、前記矩形状の領域の両端に配置される前記一対の突出部とからなることを特徴とする。
前記薄膜トランジスタは、
前記ドレイン電極とソース電極の前記方向側の対応する端部を結ぶそれぞれの前記ドレイン電極およびソース電極の間に配置される半導体層の前記ドレイン電極およびソース電極の対向辺と同方向の第1の幅が、前記ドレイン電極およびソース電極下の半導体層の前記方向の第2の幅よりも大きく形成されると共に、
前記ドレイン電極およびソース電極の間に配置される半導体層は、前記ドレイン電極とソース電極の前記方向側の対応する端部を結ぶそれぞれの仮想線よりも外側にはみ出して形成され、且つ、前記ドレイン電極およびソース電極下の半導体層における前記第2の幅の方向の端部よりも外方に突出する突出領域を有し、
前記突出領域は、前記ドレイン電極およびソース電極の間の全域に亘って形成されていることを特徴とする。
(7)本発明の表示装置は、たとえば、(6)において、前記突出領域は略台形形状であり、
前記ドレイン電極およびソース電極の間に配置される半導体層は、前記ドレイン電極およびソース電極のそれぞれの対向辺と一対の前記仮想線とで囲まれる矩形状の領域と、前記矩形状の領域の両端に配置される前記一対の突出領域とからなることを特徴とする。
図2は、本発明のたとえば液晶表示装置の画素の一実施例を示す平面図である。また、図3は図2のIII−III線における断面図である。
図4(a)ないし(f)は、図2に示した表示装置の製造方法の一実施例を示し、特に、薄膜トランジスタTFTの部分における製造方法を示している。
まず、基板SUB1を用意し、この基板SUB1の表面にパターン化されたゲート信号線GLを形成する。次に、基板SUB1の表面にゲート信号線GLをも被って絶縁膜GIを形成する。前記絶縁膜GIの上面の全域に半導体層SC、金属層MLを順次形成し、該金属層MLの上面の全域にフォトレジスト膜FRSを塗布する。
前記フォトレジスト膜FRSを、ハーフ露光、現像を経ることによって、選択除去するともに、厚さの大きい部分と、厚さの小さな部分を形成する。この場合、現像を経たフォトレジスト膜FRSは、ドレイン電極DT(および接続部JC、ドレイン信号線DL)、およびソース電極ST(および引出部DW)の形成領域において膜厚を大きくしたフォトレジスト膜FRS(図中符号FRScで示す)、ドレイン電極DTおよびソース電極STの間であって前記ドレイン電極DTとソース電極DTの対応する端部を結ぶそれぞれの仮想線(図中点線で示す)よりも外側にはみ出るに至る領域において膜厚を小さくしたフォトレジスト膜FRS(図中符号FRSnで示す)を残存させるようにする。なお、フォトレジスト膜FRScのはみ出し量はたとえば0.5μm以上に設定されている。
残存されたフォトレジスト膜FRSc、FRSnをマスクとし、金属層ML、半導体層SCを一括エッチングする。
フォトレジスト膜FRSc、FRSnにアッシングを行い、フォトレジスト膜FRScの薄膜化を行うとともに、フォトレジスト膜FRSnを除去する。除去されたフォトレジスト膜FRSnの領域には金属層MLが露出されるようになる。
フォトレジストFRScをマスクとして金属層MLをエッチングする。これにより、ドレイン電極DTとソース電極STの分離がなされ、ドレイン電極DTとソース電極STの間には半導体層ASが露出されるようになる。
フォトジスFRScを除去する。これにより、ドレイン電極DT、接続部JC、ドレイン信号線DL、ソース電極ST、および引出部DWが露出される。
Claims (10)
- 半導体層上に対向配置されたドレイン電極およびソース電極が形成されるボトムゲート型の薄膜トランジスタを備える表示装置の製造方法であって、
半導体層および金属層を順次形成する工程と、
前記金属層上に形成されたフォトレジスト膜を、ハーフ露光を用いて、前記ドレイン電極およびソース電極の形成領域において第1の膜厚で形成し、前記ドレイン電極およびソース電極の間であって前記ドレイン電極とソース電極の対応する端部を結ぶそれぞれの仮想線よりも外側にはみ出るに至る領域において前記第1の膜厚よりも小さい第2の膜厚で残存させて形成するフォトレジスト膜形成工程と、
前記フォトレジスト膜をマスクとして前記金属層および半導体層を順次エッチングする第1のエッチング工程と、
アッシングを用いて、前記フォトレジスト膜のうち膜厚の小さいフォトレジスト膜を除去し、前記ドレイン電極およびソース電極の形成領域上のフォトレジスト膜を残存させる工程と、
前記ドレイン電極およびソース電極の形成領域上のフォトレジスト膜をマスクとして前記金属層をエッチングする第2のエッチング工程と、を備え、
前記フォトレジスト膜形成工程は、前記ドレイン電極およびソース電極の間の全域に亘って、前記第2の膜厚の前記フォトレジスト膜に前記仮想線よりも外側にはみ出る突出部を形成し、
前記第1のエッチング工程は、前記ドレイン電極およびソース電極の間の全域に亘って、前記半導体層に、前記ドレイン電極およびソース電極の形成領域下の前記半導体層における前記薄膜トランジスタのチャネル幅方向の端部よりも外方に突出する突出領域を形成することを特徴とする表示装置の製造方法。 - 前記突出部は略矩形形状であり、
前記膜厚が小さいフォトレスト膜の領域は、前記ドレイン電極およびソース電極の形成領域のそれぞれの対向辺と一対の前記仮想線とで囲まれる矩形状の領域と、前記矩形状の領域の両端に配置される前記一対の突出部とからなることを特徴とする請求項1に記載の表示装置の製造方法。 - 前記ドレイン電極およびソース電極は、それらの対向辺が直線であることを特徴とする請求項1又は2に記載の表示装置の製造方法。
- 前記ドレイン電極およびソース電極は、それらの対向辺の長さが等しいことを特徴とする請求項3に記載の表示装置の製造方法。
- 前記ドレイン電極およびソース電極は、それらの対向辺の長さが異なることを特徴とする請求項3に記載の表示装置の製造方法。
- 半導体層上に対向配置されたドレイン電極およびソース電極が形成されるボトムゲート型の薄膜トランジスタを備える表示装置であって、
前記薄膜トランジスタは、
前記ドレイン電極とソース電極の前記方向側の対応する端部を結ぶそれぞれの前記ドレイン電極およびソース電極の間に配置される半導体層の前記ドレイン電極およびソース電極の対向辺と同方向の第1の幅が、前記ドレイン電極およびソース電極下の半導体層の前記方向の第2の幅よりも大きく形成されると共に、
前記ドレイン電極およびソース電極の間に配置される半導体層は、前記ドレイン電極とソース電極の前記方向側の対応する端部を結ぶそれぞれの仮想線よりも外側にはみ出して形成され、且つ、前記ドレイン電極およびソース電極下の半導体層における前記第2の幅の方向の端部よりも外方に突出する突出領域を有し、
前記突出領域は、前記ドレイン電極およびソース電極の間の全域に亘って形成されていることを特徴とする表示装置。 - 前記突出領域は略台形形状であり、
前記ドレイン電極およびソース電極の間に配置される半導体層は、前記ドレイン電極およびソース電極のそれぞれの対向辺と一対の前記仮想線とで囲まれる矩形状の領域と、前記矩形状の領域の両端に配置される前記一対の突出領域とからなることを特徴とする請求項6に記載の表示装置。 - 前記ドレイン電極およびソース電極は、それらの対向辺が直線であることを特徴とする請求項6又は7に記載の表示装置。
- 前記ドレイン電極およびソース電極は、それらの対向辺の長さが等しいことを特徴とする請求項8に記載の表示装置。
- 前記ドレイン電極およびソース電極は、それらの対向辺の長さが異なることを特徴とする請求項8に記載の表示装置。
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JP2008136248A JP5346494B2 (ja) | 2008-05-26 | 2008-05-26 | 表示装置およびその製造方法 |
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JP2008136248A Active JP5346494B2 (ja) | 2008-05-26 | 2008-05-26 | 表示装置およびその製造方法 |
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