CN204964955U - 电连接结构、阵列基板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
一种电连接结构、阵列基板和显示装置,所述电连接结构包括第一电连接构件,所述第一电连接构件包括:导电结构;覆盖所述导电结构的绝缘层,所述绝缘层中间隔设置有至少一个第一过孔和至少一个第二过孔,每个所述第一过孔和每个所述第二过孔分别暴露出所述导电结构的部分表面;沿所述绝缘层所在面方向上,每个所述第一过孔的开口尺寸大于每个所述第二过孔的开口尺寸;以及设置在所述绝缘层上且覆盖所述至少一个第一过孔和所述至少一个第二过孔的导电连接层,所述导电连接层通过所述至少一个第一过孔和所述至少一个第二过孔与所述导电结构电连接。该电连接结构可以在保证较低电阻的前提下降低绝缘层中的过孔处发生咬边现象的风险。
Description
技术领域
本实用新型的至少一个实施例涉及一种电连接结构、阵列基板和显示装置。
背景技术
随着显示技术的飞速发展,显示装置已经逐渐遍及人们的生活。
液晶显示装置是一种主流的显示产品,其包括相互对置的阵列基板和对置基板(例如彩膜基板),以及设置于阵列基板和对置基板之间的液晶层。阵列基板具有显示区,在阵列基板的显示区外设置有驱动器件,例如驱动IC(IntegratedCircuit),该驱动器件可以设置在阵列基板上,也可以设置在阵列基板之外并且通过例如柔性印刷电路板与阵列基板连接。阵列基板上设置有各种信号线(例如横纵交叉的栅线和数据线),这些信号线从阵列基板的显示区中延伸出来并且通常与显示区外的柔性印刷电路板电连接在一起,以实现阵列基板与驱动器件之间的信号传输。
实用新型内容
针对例如阵列基板上的过孔容易发生咬边现象而导致信号传输断开的问题,本实用新型的至少一个实施例提供了一种电连接结构、阵列基板和显示装置,以在保证较低电阻的前提下降低因绝缘层中的过孔处发生咬边现象导致的导电结构与其它器件之间的信号传输断开的风险。
本实用新型的至少一个实施例提供了一种电连接结构,其包括第一电连接构件,所述第一电连接构件包括:导电结构;覆盖所述导电结构的绝缘层,所述绝缘层中间隔设置有至少一个第一过孔和至少一个第二过孔,每个所述第一过孔和每个所述第二过孔分别暴露出所述导电结构的部分表面;沿所述绝缘层所在面方向上,每个所述第一过孔的开口尺寸大于每个所述第二过孔的开口尺寸;以及设置在所述绝缘层上且覆盖所述至少一个第一过孔和所述至少一个第二过孔的导电连接层,所述导电连接层通过所述至少一个第一过孔和所述至少一个第二过孔与所述导电结构电连接。
例如,所述导电结构的材料包括金属,并且所述导电连接层的材料包括导电金属氧化物材料。
例如,所述第一过孔与所述第二过孔的数量比为1:100~1:1。
例如,每个所述第二过孔与每个所述第一过孔的尺寸比为1:100~1:2。
例如,每个所述第一过孔和/或每个所述第二过孔在所述绝缘层所在面上的形状包括多边形、圆形或椭圆形。
例如,所述电连接结构还包括第二电连接构件,所述第二电连接构件包括导电结合部,所述第二电连接构件的所述导电结合部被电连接到所述第一电连接构件的所述导电连接层,以将所述第二电连接构件与所述第一电连接构件的所述导电结构电连接。
例如,所述第二电连接构件为柔性印刷电路板或者驱动器件。
例如,所述第二电连接构件的所述导电结合部通过导电胶电连接到所述第一电连接构件的所述导电连接层。
本实用新型的至少一个实施例还提供了一种阵列基板,其包括上述任一项所述的电连接结构。
例如,所述阵列基板具有显示区,所述第一过孔和所述第二过孔设置于所述显示区之外。
例如,所述阵列基板具有显示区,所述显示区中设置有金属层,所述电连接结构的所述导电结构与所述金属层同层设置。
例如,所述阵列基板具有显示区,所述显示区中设置有一层或多层透明电极层,所述电连接结构的所述导电连接层包括与所述一层透明电极层或所述多层透明电极层中的至少一层同层设置的部分。
本实用新型的至少一个实施例还提供了一种显示装置,其包括上述任一项所述的阵列基板。
本实用新型的实施例提供的电连接结构、阵列基板和显示装置,可以在保证较低电阻的前提下降低因绝缘层中的过孔处发生咬边现象导致的导电结构与其它器件之间的信号传输断开的风险。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本实用新型的一些实施例,而非对本实用新型的限制。
图1a为一种阵列基板与驱动器件的连接示意图;
图1b为一种信号线在阵列基板的显示区外的部分的剖视示意图;
图2a本实用新型的实施例提供的一种电连接结构的剖视示意图;
图2b为本实用新型的实施例提供的一种电连接结构中第一电连接构件的俯视示意图;
图3为本实用新型的实施例提供的一种阵列基板的局部剖视示意图。
具体实施方式
为使本实用新型实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本实用新型实施例的附图,对本实用新型实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本实用新型的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本实用新型的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本实用新型所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
图1a为一种阵列基板与驱动器件的连接示意图。如图1a所示,阵列基板1通过柔性印刷电路板3与驱动器件4连接,从阵列基板1的显示区(如图1a中的虚线所示)中延伸出来的多条信号线2与柔性印刷电路板3电连接。
图1b为一种信号线在阵列基板的显示区外的部分的剖视示意图。如图1b所示,每条信号线2上设置有非金属层5(例如采用绝缘材料形成),非金属层5用于防止该信号线2被氧化,非金属层5中设置有暴露出信号线2的部分表面的过孔5a;在非金属层5上设置有导电连接层6(例如采用透明金属氧化物材料形成),导电连接层6覆盖非金属层5中的过孔5a以防止信号线2的被过孔5a暴露出的表面氧化,导电连接层6与驱动器件(图1b中未示出)电连接并且通过过孔5a与信号线2电连接,由此将驱动器件与信号线2电连接在一起。
在研究中,本申请的发明人注意到,导电连接层6一般与阵列基板中的透明电极同层设置,其通常采用透明金属氧化物(例如氧化铟锡)等材料制作,由于透明金属氧化物材料的电阻率较大,因此非金属层5中的过孔5a的尺寸制作得较大,以尽量增大导电连接层6与信号线2之间的接触面积,从而尽量减小导电连接层6的电阻。由于在显示装置的制作过程中有较多的高温工艺,并且由于信号线2、位于信号线2上的非金属层5和导电连接层6的材料的热胀冷缩程度不一致,过孔5a处容易发生咬边(undercut)现象,即:导电连接层6在过孔5a的台阶处容易断裂,并且信号线2与导电连接层6接触的位置因受力也容易在过孔5a的台阶处断裂,这使得在柔性印刷电路板与阵列基板之间传输的信号断开,即形成开路,从而导致亮线、点灯异常等现象发生。
本实用新型的至少一个实施例提供了一种电连接结构01,如图2a和图2b所示,该电连接结构01包括第一电连接构件10,第一电连接构件10包括导电结构11、覆盖导电结构11的绝缘层12以及设置在绝缘层12上的导电连接层13;绝缘层12中间隔设置有至少一个第一过孔12a和至少一个第二过孔12b,每个第一过孔12a和每个第二过孔12b分别暴露出导电结构11的部分表面;沿绝缘层12所在面方向上,每个第一过孔12a的开口尺寸W1大于每个第二过孔12b的开口尺寸W2;设置在绝缘层12上的导电连接层13覆盖上述至少一个第一过孔12a和上述至少一个第二过孔12b,并且导电连接层13通过上述至少一个第一过孔12a和上述至少一个第二过孔12b与导电结构11电连接。
需要说明的是,导电结构11可以是任意形状(例如线状或板状等)的导电结构。此外,本实用新型的实施例不限定第一过孔与第二过孔的排布方式,第一过孔和第二过孔可以以任意方式组合排列。
在本实用新型的实施例中,导电结构11上的绝缘层12可以保护导电结构11的部分表面;导电连接层13可以保护导电结构11的被绝缘层12中的第一过孔12a和第二过孔12b暴露出的表面;通过设置开口尺寸较大的第一过孔12a,使得导电连接层13与导电结构11之间的接触面积较大,从而可以保证导电连接层13具有较小的电阻。在本实用新型的实施例中,导电连接层6与导电结构11在开口尺寸较小的第二过孔所在位置处的接触面积较小,在热胀冷缩时形成的距离差较小,使得第二过孔处不容易发生咬边现象。因此,确保电连接效果的情况下,与采用多个开口尺寸较大且尺寸相同的过孔的方式相比,在本实用新型实施例提供的开口尺寸较大的第一过孔与开口尺寸较小的第二过孔组合的方式中,开口尺寸较小的第二过孔可以分担因不同层物质之间热胀冷缩引起的咬边现象的风险,降低导电结构11上的绝缘层12中的过孔处发生咬边现象的风险,进而降低传输信号断开的风险。此外,通过设置开口尺寸较小的第二过孔12b,由于增加了绝缘层12中过孔的总体数量,与导电结构上设置一个暴露出其表面的过孔的方式相比,也可以降低因绝缘层12中的过孔处发生咬边现象导致的导电结构与其它器件(例如驱动器件)之间的信号传输断开的风险。
也就是说,本实用新型实施例适用于导电结构11可以通过绝缘层12和导电连接层13进行保护并且导电连接层13的电阻随其与导电结构11的接触面积的增大而减小的电连接结构01。例如,导电结构11的材料可以包括金属,并且导电连接层13的材料可以包括导电金属氧化物材料。
在至少一个实施例中,每个第二过孔12b与每个第一过孔12a的尺寸比可以为1:100~1:2。这样既可以保证导电连接层13具有较小的电阻,又可以尽量降低因绝缘层中过孔处发生咬边现象而导致的导电结构11与其它器件之间的信号传输断开的风险。
在至少一个实施例中,上述第一过孔12a与上述第二过孔12b的数量比可以为1:100~1:1。在该实施例中,开口尺寸较大的第一过孔12a的数量少于开口尺寸较小的第二过孔12b,这样便于安排第一过孔12a和第二过孔12b的位置,而且在过孔总数一定的情况下,与第一过孔的数量多于第二过孔的数量的方式相比,导电结构11与其它器件之间传输的信号因咬边现象而断开的风险更低。
在本实用新型的实施例中,每个第一过孔12a在绝缘层12所在面上的形状可以为任意形状,例如可以为多边形、圆形或椭圆形。
在本实用新型的实施例中,每个第二过孔12b在绝缘层12所在面上的形状也可以为任意形状,例如可以为多边形、圆形或椭圆形。
图2b仅以第一过孔12a的形状为四边形、第二过孔12b的形状为圆形为例进行说明。本实用新型包括、但不限于此。
如图2a所示,本实用新型的至少一个实施例提供的电连接结构01还可以包括第二电连接构件20,该第二电连接构件20包括导电结合部21,该导电结合部21被电连接到第一电连接构件10的导电连接层13,以将第二电连接构件20与第一电连接构件10的导电结构11电连接。
在本实用新型的实施例中,第二电连接构件20的导电结合部21可以通过任意方式与第一电连接构件10的导电连接层13电连接。例如,导电结合部21可以与导电连接层13通过第一过孔12a和/或第二过孔12b电连接,这样可以尽量避免导电连接层因采用金属氧化物等电阻率较大的材料带来的影响。当然,导电结合部21也可以与导电连接层13的位于第一过孔12a和第二过孔12b之外的部分电连接。需要说明的是,图2a和图2b仅示出了一个导电结构11。在多个导电结构的情形中,与这些导电结构分别电连接的导电连接层彼此间隔开,以避免这些导电结构电连接在一起。
在至少一个实施例中,可以通过导电胶30使导电结合部21与导电连接层13电连接在一起,如图2a所示。这样可以使导电结合部21与导电连接层13充分接触;而且,在导电结合部21延伸至第一过孔或第二过孔中并且导电胶30位于该相应的过孔中的情况下,即使该过孔处发生咬边现象,导电胶30也可以起到一定的电连接作用,从而进一步降低因绝缘层中的过孔处发生咬边现象导致的导电结构与其它器件之间信号传输断开的风险。
需要说明的是,可以采用本领域常用的方式将导电胶30滴入过孔中,本实用新型实施例不做赘述。
例如,第二电连接构件20可以为柔性印刷电路板或者驱动器件,例如驱动IC。
第二电连接构件20为柔性印刷电路板或者驱动器件时,第二电连接构件20的导电结合部21例如可以为电极引脚。
本实用新型的至少一个实施例还提供了一种阵列基板02,其包括上述任一项实施例提供的电连接结构01。
图3为本实用新型的实施例提供的一种阵列基板的局部剖视示意图。如图3所述,阵列基板02具有显示区,绝缘层12中的第一过孔12a和第二过孔12b设置于显示区之外(即设置于周边区内)。由于阵列基板上的例如栅线和数据线等信号线从显示区延伸出来之后在周边区处与柔性印刷电路板或驱动器件等进行电连接,在周边区内容易因不同层物质的热胀冷缩程度不一致发生咬边现象,因此,在周边区的绝缘层12中设置不同开口尺寸的第一过孔和第二过孔,可以在总体上降低不同层物质之间在过孔处发生咬边现象的风险。
阵列基板02的显示区中设置有金属层(例如薄膜晶体管70的栅极71所在的栅金属层71’、或者源极73和漏极74所在的源漏金属层73’),在至少一个实施例中,电连接结构01的导电结构11可以与位于显示区的该金属层同层设置。例如,可以在形成显示区中的栅极71的过程中保留周边区中的形成栅极71的材料以形成导电结构11,在这种情况下,导电结构11例如为栅线或栅接触垫;或者,例如,可以在形成显示区中的源极73和漏极74时保留周边区中的形成源极73和漏极74的材料以形成导电结构11,在这种情况下,导电结构11例如为数据线或栅接触垫。或者,导电结构例如为公共电极线或公共电极接触垫。
阵列基板02的显示区中通常设置有一层或多层透明电极层。以用于液晶显示装置的阵列基板为例,阵列基板中可以设置有像素电极75,或者像素电极75和公共电极76,在这种情况下,上述一层或多层透明电极层可以为像素电极75所在的层或者像素电极75所在的层以及公共电极76所在的层。
在至少一个实施例中,电连接结构的导电连接层13可以包括与上述一层透明电极层或多层透明电极层中的至少一层同层设置的部分。例如,可以在形成显示区中的像素电极75时保留周边区中的形成像素电极75的材料以形成导电连接层13;或者,例如,可以在形成显示区中的像素电极75和公共电极76的过程中分别保留周边区中的形成像素电极75的材料和形成公共电极76的材料,以形成导电连接层13。
需要说明的是,本实用新型的实施例不限定阵列基板02中薄膜晶体管70的结构,以及像素电极75和公共电极76的位置关系。也就是说,薄膜晶体管70中,栅极71可以位于有源层72的下方或上方,并且源极73和漏极74可以位于有源层72的下方或上方;像素电极75和公共电极76可以同层设置或异层设置(像素电极75可以位于公共电极76下方或上方)。本实用新型的实施例提供的阵列基板也可以为OLED(OrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管)阵列基板等其它类型的阵列基板,只要其包括上述任一实施例提供的电连接结构即可。
本实用新型的至少一个实施例还提供了一种显示装置,其包括上述任一项实施例提供的阵列基板。
例如,该显示装置可以为:液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述仅是本实用新型的示范性实施方式,而非用于限制本实用新型的保护范围,本实用新型的保护范围由所附的权利要求确定。
Claims (13)
1.一种电连接结构,包括第一电连接构件,其特征在于:所述第一电连接构件包括:
导电结构;
覆盖所述导电结构的绝缘层,其中,所述绝缘层中间隔设置有至少一个第一过孔和至少一个第二过孔,每个所述第一过孔和每个所述第二过孔分别暴露出所述导电结构的部分表面;沿所述绝缘层所在面方向上,每个所述第一过孔的开口尺寸大于每个所述第二过孔的开口尺寸;以及
设置在所述绝缘层上且覆盖所述至少一个第一过孔和所述至少一个第二过孔的导电连接层,所述导电连接层通过所述至少一个第一过孔和所述至少一个第二过孔与所述导电结构电连接。
2.根据权利要求1所述的电连接结构,其特征在于:所述导电结构的材料包括金属,并且所述导电连接层的材料包括导电金属氧化物材料。
3.根据权利要求1或2所述的电连接结构,其特征在于:所述第一过孔与所述第二过孔的数量比为1:100~1:1。
4.根据权利要求1或2所述的电连接结构,其特征在于:每个所述第二过孔与每个所述第一过孔的尺寸比为1:100~1:2。
5.根据权利要求1或2所述的电连接结构,其特征在于:
每个所述第一过孔和/或每个所述第二过孔在所述绝缘层所在面上的形状包括多边形、圆形或椭圆形。
6.根据权利要求1或2所述的电连接结构,还包括第二电连接构件,其特征在于:
所述第二电连接构件包括导电结合部,
所述第二电连接构件的所述导电结合部被电连接到所述第一电连接构件的所述导电连接层,以将所述第二电连接构件与所述第一电连接构件的所述导电结构电连接。
7.根据权利要求6所述的电连接结构,其特征在于:所述第二电连接构件为柔性印刷电路板或者驱动器件。
8.根据权利要求6所述的电连接结构,其特征在于:所述第二电连接构件的所述导电结合部通过导电胶电连接到所述第一电连接构件的所述导电连接层。
9.一种阵列基板,其特征在于:所述阵列基板包括根据权利要求1-8任一项所述的电连接结构。
10.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于:所述阵列基板具有显示区,所述第一过孔和所述第二过孔设置于所述显示区之外。
11.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于:
所述阵列基板具有显示区,所述显示区中设置有金属层,所述电连接结构的所述导电结构与所述金属层同层设置。
12.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于:
所述阵列基板具有显示区,所述显示区中设置有一层或多层透明电极层,所述电连接结构的所述导电连接层包括与所述一层透明电极层或所述多层透明电极层中的至少一层同层设置的部分。
13.一种显示装置,其特征在于:所述显示装置包括根据权利要求9-12任一项所述的阵列基板。
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Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109445209A (zh) * | 2018-10-24 | 2019-03-08 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板和显示装置 |
WO2020024360A1 (zh) * | 2018-08-03 | 2020-02-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性阵列基板和显示面板 |
WO2020107885A1 (en) * | 2018-11-28 | 2020-06-04 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, display panel, and display apparatus |
CN113671763A (zh) * | 2021-08-09 | 2021-11-19 | Oppo广东移动通信有限公司 | 膜材及其制备方法、电致变色模组、壳体组件和电子设备 |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108322997A (zh) * | 2018-03-07 | 2018-07-24 | 苏州诺莱声科技有限公司 | 一种柔性印刷电路板及吸声增强型超声换能器 |
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Family Cites Families (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100813019B1 (ko) * | 2001-10-19 | 2008-03-13 | 삼성전자주식회사 | 표시기판 및 이를 갖는 액정표시장치 |
JP2008015373A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-01-24 | Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd | 表示装置 |
US7456432B2 (en) * | 2006-11-20 | 2008-11-25 | Tpo Displays Corp. | System having electrostatic discharge protection structure and method for manufacturing the same |
TW201033378A (en) * | 2008-11-05 | 2010-09-16 | Kobe Steel Ltd | Al alloy film for display device, display device, and sputtering target |
US9129868B2 (en) * | 2009-11-04 | 2015-09-08 | Cbrite Inc. | Mask level reduction for MOFET |
CN101907791B (zh) * | 2010-07-23 | 2012-02-08 | 友达光电股份有限公司 | 显示装置与用于显示装置的修补方法 |
CN102654702B (zh) * | 2012-03-06 | 2014-07-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | Tft阵列基板、tft阵列基板制造方法及显示装置 |
CN202710888U (zh) * | 2012-06-08 | 2013-01-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及液晶显示面板 |
CN102881712B (zh) * | 2012-09-28 | 2015-02-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法、oled显示装置 |
CN102998869B (zh) | 2012-12-14 | 2015-11-11 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置 |
CN103217846B (zh) * | 2013-04-23 | 2015-12-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
CN103278987B (zh) * | 2013-05-24 | 2015-07-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、该阵列基板断线修复方法及显示装置 |
CN103354206B (zh) * | 2013-06-27 | 2017-03-15 | 北京京东方光电科技有限公司 | 过孔制作方法、显示面板制作方法及显示面板 |
CN103413812B (zh) * | 2013-07-24 | 2016-08-17 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示装置 |
KR102089074B1 (ko) * | 2013-11-07 | 2020-03-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시패널용 어레이 기판 및 그 제조방법 |
CN103730474B (zh) * | 2013-12-26 | 2016-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法、显示装置 |
CN103730475B (zh) * | 2013-12-26 | 2016-08-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制造方法、显示装置 |
CN203894515U (zh) * | 2014-06-13 | 2014-10-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
KR102197082B1 (ko) * | 2014-06-16 | 2020-12-31 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 이를 포함하는 발광소자 패키지 |
CN104298404B (zh) * | 2014-10-28 | 2017-05-31 | 上海天马微电子有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示装置及其驱动方法 |
CN104409462B (zh) * | 2014-12-18 | 2017-07-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示装置 |
CN104460070B (zh) * | 2014-12-31 | 2018-09-07 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示面板及其制作方法、显示装置 |
KR20160087482A (ko) * | 2015-01-13 | 2016-07-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그의 제조방법 |
CN104777692B (zh) * | 2015-05-08 | 2018-09-04 | 厦门天马微电子有限公司 | 阵列基板及制作方法、触控显示面板 |
TWI578061B (zh) * | 2015-05-29 | 2017-04-11 | 鴻海精密工業股份有限公司 | 電連接結構及陣列基板 |
CN104851789B (zh) * | 2015-06-08 | 2018-05-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及制作方法、阵列基板及制作方法和显示装置 |
CN105140179B (zh) * | 2015-08-13 | 2018-12-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法、显示面板和显示装置 |
CN105093763A (zh) * | 2015-08-19 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板、其制作方法、液晶显示面板及显示装置 |
CN105068349A (zh) * | 2015-09-16 | 2015-11-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板、显示装置以及阵列基板的制作方法 |
CN105702685B (zh) * | 2016-03-01 | 2018-09-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制作方法、显示装置 |
-
2015
- 2015-07-28 CN CN201520566486.5U patent/CN204964955U/zh active Active
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- 2015-12-22 US US15/127,139 patent/US10199397B2/en active Active
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020024360A1 (zh) * | 2018-08-03 | 2020-02-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 柔性阵列基板和显示面板 |
CN109445209A (zh) * | 2018-10-24 | 2019-03-08 | 昆山国显光电有限公司 | 显示面板和显示装置 |
WO2020107885A1 (en) * | 2018-11-28 | 2020-06-04 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, display panel, and display apparatus |
US11402710B2 (en) | 2018-11-28 | 2022-08-02 | Beijing Boe Technology Development Co., Ltd. | Display substrate, display panel, and display apparatus |
CN113671763A (zh) * | 2021-08-09 | 2021-11-19 | Oppo广东移动通信有限公司 | 膜材及其制备方法、电致变色模组、壳体组件和电子设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US10199397B2 (en) | 2019-02-05 |
US20180175065A1 (en) | 2018-06-21 |
EP3333624A4 (en) | 2019-04-10 |
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EP3333624A1 (en) | 2018-06-13 |
WO2017016153A1 (zh) | 2017-02-02 |
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