CN111564452B - 阵列基板及母板 - Google Patents
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Abstract
本申请提供一种阵列基板及母板,在阵列基板中,依次设置有基底、第一金属层、绝缘层、有源层和第二金属层,绝缘层覆盖所述显示功能区和所述冗余区;所述有源层设置在所述显示功能区和所述冗余区。本申请通过在冗余区上保留有源层,利用有源层的压应力平衡第一金属层或/第二金属层的翘应力,进而避免基底发生翘曲。
Description
技术领域
本申请涉及一种显示技术,特别涉及一种阵列基板及母板。
背景技术
随着由于8K显示面板对充电率需求的增加,因此通常通过增加金属导线(如Cu)的厚度来实现低电阻,以提高充电率。但是,由于金属导线的厚度增加,增加了金属导线的翘应力,进而带动金属导线其下的基板发生翘曲。
发明内容
本申请实施例提供一种阵列基板及母板,以解决现有技术中阵列基板因金属导线增厚,导致基板翘曲的技术问题。
本申请实施例提供一种阵列基板,其包括:
基底,所述基底包括有显示功能区和冗余区,所述冗余区设置在所述显示功能区的外周;
第一金属层,所述第一金属层至少设置在所述基底的对应于所述显示功能区的部分上;
绝缘层,所述绝缘层覆盖在所述第一金属层上,所述绝缘层覆盖所述显示功能区和所述冗余区;
有源层,所述有源层设置在所述绝缘层的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上;以及
第二金属层,所述第二金属层至少设置在所述有源层的对应于所述所述显示功能区的部分上。
在本申请实施例所述的阵列基板中,所述第一金属层设置在所述基底的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上,所述第二金属层设置在所述有源层的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上。
在本申请实施例所述的阵列基板中,所述有源层包括位于所述显示功能区的第一部分和位于所述冗余区的第二部分,所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。
在本申请实施例所述的阵列基板中,所述阵列基板还包括平坦层,所述平坦层设置在所述第二金属层的对应于上,且覆盖所述显示功能区和所述冗余区的部分上。
在本申请实施例所述的阵列基板中,所述第一金属层的材料包括铜或铝。
在本申请实施例所述的阵列基板中,所述显示功能区上设置有栅极驱动电路和像素驱动电路。
本申请还涉及一种母板,其包括:
基底,所述基底包括多个显示功能区和冗余区,所述显示功能区之间间隔设置,所述冗余区设置在所述显示功能区的外周;
第一金属层,所述第一金属层至少设置在所述基底的对应于所述显示功能区的部分上;
绝缘层,所述绝缘层覆盖在所述第一金属层上,所述绝缘层覆盖所述显示功能区和所述冗余区;
有源层,所述有源层设置在所述绝缘层的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上;以及
第二金属层,所述第二金属层至少设置在所述有源层的对应于所述显示功能区的部分上。
在本申请实施例所述的母板中,所述冗余区包括沿着第一方向排列设置的第一部分和沿着第二方向排列设置的第二部分,所述第一部分和所述第二部分交叉设置形成所述显示功能区。
在本申请实施例所述的母板中,所述第一金属层设置在所述基底的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上,所述第二金属层设置在所述有源层的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上。
在本申请实施例所述的母板中,所述有源层包括位于所述显示功能区的第一部分和位于所述冗余区的第二部分,所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。
本申请的阵列基板及母板通过在冗余区上保留有源层,利用有源层的压应力平衡第一金属层或/第二金属层的翘应力,进而避免基底发生翘曲。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案,下面对实施例中所需要使用的附图作简单的介绍。下面描述中的附图仅为本申请的部分实施例,对于本领域普通技术人员而言,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获取其他的附图。
图1为本申请实施例的阵列基板的平面结构示意图;
图2为本申请实施例的阵列基板的剖视结构示意图;
图3为本申请实施例的阵列基板的的另一剖视结构示意图;
图4为本申请实施例的母板的平面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图,对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例,本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本申请保护的范围。
在本申请的描述中,需要理解的是,术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本申请和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本申请的限制。此外,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本申请的描述中,“多个”的含义是两个或两个以上,除非另有明确具体的限定。
在本申请的描述中,需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是机械连接,也可以是电连接或可以相互通讯;可以是直接相连,也可以通过中间媒介间接相连,可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言,可以根据具体情况理解上述术语在本申请中的具体含义。
在本申请中,除非另有明确的规定和限定,第一特征在第二特征之“上”或之“下”可以包括第一和第二特征直接接触,也可以包括第一和第二特征不是直接接触而是通过它们之间的另外的特征接触。而且,第一特征在第二特征“之上”、“上方”和“上面”包括第一特征在第二特征正上方和斜上方,或仅仅表示第一特征水平高度高于第二特征。第一特征在第二特征“之下”、“下方”和“下面”包括第一特征在第二特征正下方和斜下方,或仅仅表示第一特征水平高度小于第二特征。
下文的公开提供了许多不同的实施方式或例子用来实现本申请的不同结构。为了简化本申请的公开,下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然,它们仅仅为示例,并且目的不在于限制本申请。此外,本申请可以在不同例子中重复参考数字和/或参考字母,这种重复是为了简化和清楚的目的,其本身不指示所讨论各种实施方式和/或设置之间的关系。此外,本申请提供了的各种特定的工艺和材料的例子,但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的应用和/或其他材料的使用。
请参照图1和图2,图1为本申请实施例的阵列基板的平面结构示意图;图2为本申请实施例的阵列基板的剖视结构示意图。
本申请实施例提供一种阵列基板10。阵列基板10包括基底11、第一金属层12、绝缘层13、有源层14、第二金属层15和平坦层16。
具体的,基底11包括一显示功能区M和一冗余区N,所述冗余区N设置在所述显示功能区M的外周。所述显示功能区M用于实现显示面板的显示功能。基底11为硬性基板或柔性基板,比如玻璃基板。
第一金属层12设置在所述基底11上。第一金属层12至少设置在所述基底11的对应于所述显示功能区M的部分上。第一金属层12包括扫描线和栅极等。可选的,所述第一金属层的材料包括铜或铝。
绝缘层13覆盖在第一金属层12上。绝缘层13覆盖所述显示功能区M和所述冗余区N。绝缘层13为无机材料制成,其材料可以为氮化硅化合物等。
有源层14设置在绝缘层13上,所述有源层14设置在所述绝缘层13的对应于所述显示功能区M和所述冗余区N的部分上。有源层14设置在显示功能区M的部分用于形成薄膜晶体和/或作为电容的电极板,等电性连接结构。有源层14设置在冗余区N的部分用于压制基底11的翘曲应力,进而避免基底11发生翘曲。
可选的,有源层14的材料为非晶硅(a-si)或其他半导体材料。
第二金属层15设置在所述有源层14上。第二金属层15至少设置在所述有源层14的对应于所述显示功能区M的部分上。第二金属层15包括数据线、源极和漏极等。
平坦层16设置在所述第二金属层15的对应于显示功能区M和冗余区N的部分上。可选的,平坦层16为有机层。
在现有技术中,为了提高面板的充电率,进而采用增加金属导线厚度的形式,而金属导线厚底的增加使得金属导线本身的翘应力越大,进而带动基板发生翘曲。另外,在现有的阵列基板的制程中,冗余区域的有源层是需要去除的。
而本实施例的阵列基板10通过在冗余区N上保留有源层14,利用该部分的有源层14的压应力平衡第一金属层12或/第二金属层15的翘应力,进而避免基底11发生翘曲。
在本实施例所述的阵列基板10中,有源层14包括位于所述显示功能区M的第一部分141和位于所述冗余区N的第二部分142。第二部分142的厚度大于所述第一部分141的厚度。第二部分142的厚度大于第一部分141的设置进一步提高冗余区N处有源层14的压应力,进一步避免基底11发生翘曲。
可选的,所述第二部分141可以通过二次成膜的形式形成。
在本实施例的阵列基板10中,所述显示功能区M上设置有栅极驱动电路和像素驱动电路。栅极驱动电路包括薄膜晶体管和时钟信号线等,像素驱动电路包括驱动薄膜晶体、开关薄膜晶体管、扫描线和数据线等。由于栅极驱动电路和像素驱动电路是现有技术,此处不再赘述。
请参照图3,本实施例阵列基板10的另一结构。其中,所述第一金属层12设置在在所述基底11的对应于所述显示功能区M和所述冗余区N的部分上,所述第二金属层15设置在所述有源层14的对应于所述显示功能区M和所述冗余区N的部分上。
请参照图4并结合图2,本申请还涉及一种母板100,其所述母板100包括基底11、第一金属层12、绝缘层13、有源层14、第二金属层15和平坦层16。
具体的,基底11基底包括多个显示功能区M和冗余区N,所述冗余区N设置在所述显示功能区M的外周。所述显示功能区M用于实现显示面板的显示功能。基底11为硬性基板或柔性基板,比如玻璃基板。
第一金属层12设置在所述基底11上。第一金属层12至少设置在所述基底11的对应于所述显示功能区M的部分。第一金属层12包括扫描线和栅极等。可选的,所述第一金属层的材料包括铜或铝。
绝缘层13覆盖在第一金属层12上。绝缘层13覆盖所述显示功能区M和所述冗余区N。绝缘层13为无机材料制成,其材料可以为氮化硅化合物等。
有源层14设置在绝缘层13上,所述有源层14设置在所述绝缘层14的对应于所述显示功能区M和所述冗余区N的部分上。有源层14设置在显示功能区M的部分用于形成薄膜晶体和/或作为电容的电极板,等电性连接结构。有源层14设置在冗余区N的部分用于压制基底11的翘曲应力,进而避免基底11发生翘曲。
可选的,有源层14的材料为非晶硅(a-si)或其他半导体材料。
第二金属层15设置在所述有源层14上。第二金属层15至少设置在所述有源层14的对应于所述显示功能区M的部分上。第二金属层15包括数据线、源极和漏极等。
平坦层16设置在所述第二金属层15的对应于显示功能区M和冗余区N的部分上。可选的,平坦层16为有机层。
在现有技术中,为了提高面板的充电率,进而采用增加金属导线厚度的形式,而金属导线厚底的增加使得金属导线本身的翘应力越大,进而带动基板发生翘曲。另外,在现有的阵列基板的制程中,冗余区域的有源层是需要去除的。
而本实施例的母板100通过在冗余区N上保留有源层14,利用该部分的有源层14的压应力平衡第一金属层12或/第二金属层15的翘应力,进而避免基底11发生翘曲。
在本实施例所述的母板100中,有源层14包括位于所述显示功能区M的第一部分141和位于所述冗余区N的第二部分142。第二部分142的厚度大于所述第一部分141的厚度。第二部分142的厚度大于第一部分141的设置进一步提高冗余区N处有源层14的压应力,进一步避免基底11发生翘曲。
可选的,所述第二部分141可以通过二次成膜的形式形成。
在本实施例的母板100中,所述显示功能区M上设置有栅极驱动电路和像素驱动电路。栅极驱动电路包括薄膜晶体管和时钟信号线等,像素驱动电路包括驱动薄膜晶体、开关薄膜晶体管、扫描线和数据线等。由于栅极驱动电路和像素驱动电路是现有技术,此处不再赘述。
在本实施例的母板100中,所述冗余区N包括沿着第一方向排列设置的第一部分N1和沿着第二方向排列设置的第二部分N2,所述第一部分N1和所述第二部分N2交叉设置形成所述显示功能区M。
其中,第一方向垂直于所述第二方向,但并不限于此。
需要说明的是,在两个相邻的显示功能区M之间设置有一切割线,该切割线位于所述冗余区N上。当对母板100进行切割时,便沿着切割线进行切割,以形成上述实施例的阵列基板10。
本实施例母板100的另一结构,可请参照图3。其中,所述第一金属层12设置在所述基底11的对应于所述显示功能区M和所述冗余区N的部分上,所述第二金属层15设置在所述有源层14的对应于所述显示功能区M和所述冗余区N的部分上。
本申请的阵列基板及母板通过在冗余区上保留有源层,利用有源层的压应力平衡第一金属层或/第二金属层的翘应力,进而避免基底发生翘曲。
以上对本申请实施例所提供的一种阵列基板和母板进行了详细介绍,本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述,以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的技术方案及其核心思想;本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改,或者对其中部分技术特征进行等同替换;而这些修改或者替换,并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例的技术方案的范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:
基底,所述基底包括有显示功能区和冗余区,所述冗余区设置在所述显示功能区的外周;
第一金属层,所述第一金属层至少设置在所述基底的对应于所述显示功能区的部分上;
绝缘层,所述绝缘层覆盖在所述第一金属层上,所述绝缘层覆盖所述显示功能区和所述冗余区;
有源层,所述有源层设置在所述绝缘层的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上,所述有源层位于所述绝缘层远离所述基底的一侧,所述有源层设置在所述冗余区的部分用于提供压应力以压制所述基底的翘曲应力;以及
第二金属层,所述第二金属层至少设置在所述有源层的对应于所述显示功能区的部分上。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层设置在所述基底的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上,所述第二金属层设置在所述有源层的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上。
3.根据权利要求1或2所述的阵列基板,其特征在于,所述有源层包括位于所述显示功能区的第一部分和位于所述冗余区的第二部分,所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括平坦层,所述平坦层设置在所述第二金属层的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上。
5.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一金属层的材料包括铜或铝。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述显示功能区上设置有栅极驱动电路和像素驱动电路。
7.一种母板,其特征在于,包括:
基底,所述基底包括多个显示功能区和冗余区,所述显示功能区之间间隔设置,所述冗余区设置在所述显示功能区的外周;
第一金属层,所述第一金属层至少设置在所述基底的对应于所述显示功能区的部分上;
绝缘层,所述绝缘层覆盖在所述第一金属层上,所述绝缘层覆盖所述显示功能区和所述冗余区;
有源层,所述有源层设置在所述绝缘层的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上,所述有源层位于所述绝缘层远离所述基底的一侧,所述有源层设置在所述冗余区的部分用于提供压应力以压制所述基底的翘曲应力;以及
第二金属层,所述第二金属层至少设置在所述有源层的对应于所述显示功能区的部分上。
8.根据权利要求7所述的母板,其特征在于,所述冗余区包括沿着第一方向排列设置的第一部分和沿着第二方向排列设置的第二部分,所述第一部分和所述第二部分交叉设置形成所述显示功能区。
9.根据权利要求7所述的母板,其特征在于,所述第一金属层设置在所述基底的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上,所述第二金属层设置在所述有源层的对应于所述显示功能区和所述冗余区的部分上。
10.根据权利要求7或9所述的母板,其特征在于,所述有源层包括位于所述显示功能区的第一部分和位于所述冗余区的第二部分,所述第二部分的厚度大于所述第一部分的厚度。
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102998869A (zh) * | 2012-12-14 | 2013-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置 |
JP2013160556A (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Seiko Epson Corp | 多層構造体、電子機器および多層構造体の製造方法 |
CN203746853U (zh) * | 2014-03-27 | 2014-07-30 | 北京京东方光电科技有限公司 | 阵列基板和显示装置 |
CN107910296A (zh) * | 2017-12-08 | 2018-04-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示面板母板及其切割方法、柔性显示面板、显示装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102490881B1 (ko) * | 2014-12-26 | 2023-01-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN105573549B (zh) * | 2015-12-08 | 2018-12-25 | 上海天马微电子有限公司 | 阵列基板、触控屏和触控显示装置及其制作方法 |
CN105652548A (zh) * | 2016-04-05 | 2016-06-08 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种阵列基板及液晶显示面板 |
CN108983519A (zh) * | 2018-08-31 | 2018-12-11 | 重庆惠科金渝光电科技有限公司 | 阵列基板、液晶显示面板及液晶显示器 |
-
2020
- 2020-05-07 CN CN202010375472.0A patent/CN111564452B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013160556A (ja) * | 2012-02-02 | 2013-08-19 | Seiko Epson Corp | 多層構造体、電子機器および多層構造体の製造方法 |
CN102998869A (zh) * | 2012-12-14 | 2013-03-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置 |
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