JP4184730B2 - 液晶表示装置用基板の欠陥修復方法及びそれを含む製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、パーソナルコンピュータ等の表示装置として用いられる液晶表示装置の製造工程において、絶縁膜を介して交差する２本のバスライン間に生じた層間短絡を修復する液晶表示装置用基板の欠陥修復方法及びそれを含む製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等が形成されたＴＦＴ基板と、カラーフィルタ（ＣＦ；Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）等が形成された対向基板を対向させて貼り合わせ、その間に液晶を封止した構造を有している。
【０００３】
ＴＦＴ基板には、複数のゲートバスラインと、層間絶縁膜を介してゲートバスラインに交差する複数のドレインバスラインと、マトリクス状に配置された画素領域内をゲートバスラインに並行して横断する蓄積容量バスラインと、ゲートバスライン及びドレインバスラインをそれぞれ外部接続用の端子部に接続する引き出し線（リード線）とが設けられている。ゲートバスラインとドレインバスラインとの交差位置近傍にはＴＦＴが形成されている。ＴＦＴのゲート電極はゲートバスラインに接続され、ＴＦＴのドレイン電極はドレインバスラインに接続され、ＴＦＴのソース電極は各画素領域に形成された画素電極に接続されている。
【０００４】
ところで、液晶表示装置において製造コストの低減は重要な課題である。製造コスト低減には、まず製造歩留りの向上が強く望まれる。液晶表示装置の製造歩留りを低下させる原因の一つに、ゲートバスライン又は蓄積容量バスラインとドレインバスラインとの間に生じる層間短絡がある。ゲートバスライン又は蓄積容量バスラインとドレインバスラインとの間の層間短絡は、完成した液晶表示装置の表示画面上では線欠陥として視認されてしまう。
【０００５】
ここで、層間短絡が生じた液晶表示装置用基板の従来の欠陥修復方法について図２５乃至図２９を用いて説明する。図２５乃至図２７は、従来の液晶表示装置用基板の欠陥修復工程を示す図である。図２８及び図２９は、従来の液晶表示装置用基板の欠陥修復工程を示す断面図である。図２８（ａ）は図２５のＸ１−Ｘ１線で切断した液晶表示装置用基板の断面図であり、図２９（ａ）は図２５のＹ１−Ｙ１線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。同様に、図２８（ｂ）及び図２９（ｂ）は図２６のＸ２−Ｘ２線及びＹ２−Ｙ２線でそれぞれ切断した液晶表示装置用基板の断面図であり、図２８（ｃ）及び図２９（ｃ）は図２７のＸ３−Ｘ３線及びＹ３−Ｙ３線でそれぞれ切断した液晶表示装置用基板の断面図である。
【０００６】
図２５、図２８（ａ）及び図２９（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１０２は、図２５の左右方向に延びるゲートバスライン１１２をガラス基板１０６上に有している。また、ガラス基板１０６上には、ゲートバスライン１１２に並列して、蓄積容量バスライン１１８が形成されている。蓄積容量バスライン１１８は、ゲートバスライン１１２と同一の形成材料で形成されている。ゲートバスライン１１２及び蓄積容量バスライン１１８に絶縁膜１４０を介して交差して、図２５の上下方向に延びるドレインバスライン１１４が形成されている。ゲートバスライン１１２とドレインバスライン１１４の交差位置近傍には、ＴＦＴ１２０が形成されている。ＴＦＴ１２０のドレイン電極１２２は、図２５の左側に示したドレインバスライン１１４から引き出され、その端部がゲートバスライン１１２上に形成されたチャネル保護膜（図示せず）上の一端辺側に位置するように形成されている。一方、ソース電極１２４は、チャネル保護膜上の他端辺側に位置するように形成されている。このような構成においてチャネル保護膜直下のゲートバスライン１１２が当該ＴＦＴ１２０のゲート電極として機能するようになっている。
【０００７】
また、蓄積容量バスライン１１８上には、画素領域毎に蓄積容量電極（中間電極）１２６が形成されている。蓄積容量電極１２６は、ドレインバスライン１１４と同一の形成材料で形成されている。蓄積容量電極１２６及びドレインバスライン１１４上には、保護膜１４２が形成されている。保護膜１４２上には、マトリクス状に配置された複数の画素領域毎に、画素電極１１６が形成されている。画素電極１１６は、ソース電極１２４上の保護膜１４２が開口されたコンタクトホール１２８を介して、ソース電極１２４に電気的に接続されている。また画素電極１１６は、蓄積容量電極１２６上の保護膜１４２が開口されたコンタクトホール１３０を介して、蓄積容量電極１２６に電気的に接続されている。
【０００８】
ドレインバスライン１１４と蓄積容量バスライン１１８との交差位置には、製造工程中に種々の原因により混入してＴＦＴ基板１０２に付着した導電性異物（図示せず）等により短絡部１６０が形成されている。両バスライン１１４、１１８間には、短絡部１６０を介して層間短絡が生じている。この層間短絡は、ＴＦＴ基板２の欠陥検査工程で検出されているものとする。
【０００９】
まず、図２５に示すように、短絡部１６０を挟む２つの切断部１６２、１６４にレーザ光を照射し、ドレインバスライン１１４を切断する。これにより、短絡部１６０がドレインバスライン１１４から電気的に分離される。
【００１０】
次に、図２６、図２８（ｂ）及び図２９（ｂ）に示すように、２つの切断部１６２、１６４を挟むドレインバスライン１１４の切断両端部上の保護膜１４２を開口して、欠陥修復用コンタクトホール１６６、１６８を形成する。欠陥修復用コンタクトホール１６６、１６８は、ＹＡＧパルスレーザの第３高調波（波長３５５ｎｍ）又は第４高調波（波長２６０ｎｍ）を照射することにより形成される。
【００１１】
次に、図２７、図２８（ｃ）及び図２９（ｃ）に示すように、ドレインバスライン１１４の切断両端部間が欠陥修復用コンタクトホール１６６、１６８を介して電気的に接続されるように、例えばレーザＣＶＤ法を用いて欠陥修復用導電膜１７０を形成する。欠陥修復用導電膜１７０は、切断部１６２、１６４を「コ」の字状に迂回するように形成される。レーザＣＶＤ法による欠陥修復用導電膜１７０の形成は、タングステン（Ｗ）有機金属、モリブデン（Ｍｏ）有機金属、あるいはクロム（Ｃｒ）有機金属を含むアルゴン（Ａｒ）ガスを流しながら、有機金属ガス（成膜ガス）濃度、レーザパワー、スキャン速度及び回数を調整してＹＡＧ３５５ｎｍの連続レーザ光を照射し、金属膜を堆積させることにより行われる。
【００１２】
以上の手順により、ドレインバスライン１１４と蓄積容量バスライン１１８との間の層間短絡が修復される。これにより、液晶表示装置の表示画面上で視認されてしまう線欠陥の発生を防止できる。
【００１３】
次に、他の位置に層間短絡が生じた液晶表示装置用基板の従来の欠陥修復方法について図３０乃至図３２を用いて説明する。図３０に示すように、ゲートバスライン１１２とドレインバスライン１１４との交差位置には、導電性異物等により短絡部１６１が形成されている。両バスライン１１２、１１４間には、短絡部１６１を介して層間短絡が生じている。この層間短絡は、ＴＦＴ基板２の欠陥検査工程で検出されているものとする。
【００１４】
まず、短絡部１６１を挟む２つの切断部１６３、１６５にレーザ光を照射し、ドレインバスライン１１４を切断する。これにより、短絡部１６１がドレインバスライン１１４から電気的に分離される。
【００１５】
次に、図３１に示すように、２つの切断部１６３、１６５を挟むドレインバスライン１１４の切断両端部上の保護膜１４２（図３１では図示せず）を開口して、欠陥修復用コンタクトホール１６７、１６９を形成する。欠陥修復用コンタクトホール１６７、１６９は、ＹＡＧパルスレーザの第３高調波（波長３５５ｎｍ）又は第４高調波（波長２６０ｎｍ）を照射することにより形成される。
【００１６】
次に、図３２に示すように、ドレインバスライン１１４の切断両端部間が欠陥修復用コンタクトホール１６７、１６９を介して電気的に接続されるように、例えばレーザＣＶＤ法を用いて欠陥修復用導電膜１７１を形成する。欠陥修復用導電膜１７１は、切断部１６３、１６５を「コ」の字状に迂回するように形成される。以上の手順により、ゲートバスライン１１２とドレインバスライン１１４との間の層間短絡が修復される。これにより、液晶表示装置の表示画面上で視認されてしまう線欠陥の発生を防止できる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、以上説明したような従来の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法では、切断部１６２、１６４、又は切断部１６３、１６５を「コ」の字状に迂回する欠陥修復用導電膜１７０、１７１が画素電極１１６上に形成される。このため、ドレインバスライン１１４と画素電極１１６とが、欠陥修復用導電膜１７０、１７１を介して電気的に接続されてしまう。したがって、層間短絡が修復された液晶表示装置の表示画面上では、当該画素が点欠陥として視認されてしまうという問題が生じる。
【００１８】
本発明の目的は、良好な表示品質の得られる液晶表示装置用基板の欠陥修復方法及びそれを含む製造方法を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、基板上に形成された第１のバスラインと、前記第１のバスラインに絶縁膜を介して交差して形成された第２のバスラインとの間に、前記第１及び第２のバスラインの交差位置で生じた短絡欠陥を修復する液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、前記交差位置を挟む２つの切断部で前記第２のバスラインを切断し、前記交差位置を前記第２のバスラインから電気的に分離する第１の工程と、前記２つの切断部を挟む前記第２のバスラインの切断両端部上に欠陥修復用コンタクトホールを形成する第２の工程と、画素電極と短絡させずに、前記欠陥修復用コンタクトホールを介して前記切断両端部間を電気的に接続する欠陥修復用導電膜を形成する第３の工程とを有することを特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法によって達成される。
【００２０】
【発明の実施の形態】
〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法及びそれを含む製造方法について図１乃至図９を用いて説明する。まず、本実施の形態による欠陥修復方法に用いる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について図１乃至図３を用いて説明する。図１は、液晶表示装置の概略構成を示している。図２は、液晶表示装置のＴＦＴ基板上に形成された素子の等価回路を模式的に示している。図３は、液晶表示装置のＴＦＴ近傍の断面構成を示している。図１乃至図３に示すように、液晶表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素領域毎にＴＦＴ等が形成されたＴＦＴ基板２と、ＣＦ等が形成された対向基板４とを対向させて貼り合わせ、両基板２、４間に液晶８を封止した構造を有している。
【００２１】
ＴＦＴ基板２は、図２の左右方向に延びる複数のゲートバスライン１２をガラス基板６上に有している。また、ＴＦＴ基板２上には、ゲートバスライン１２に並列して、蓄積容量バスライン１８が形成されている。蓄積容量バスライン１８は、ゲートバスライン１２と同一の形成材料で形成されている。ゲートバスライン１２及び蓄積容量バスライン１８は、例えば膜厚１５０ｎｍの金属層により形成されている。ゲートバスライン１２及び蓄積容量バスライン１８上には、例えば膜厚４００ｎｍの絶縁膜４０が形成されている。ゲートバスライン１２及び蓄積容量バスライン１８に絶縁膜４０を介して交差して、図２の上下方向に延びる複数のドレインバスライン１４が形成されている。ドレインバスライン１４は、例えば膜厚１５ｎｍのａ−Ｓｉ層３２と、例えば膜厚３０ｎｍのｎ+ａ−Ｓｉ層３６と、例えばチタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／Ｔｉの積層からなる膜厚１５０ｎｍの金属層とがこの順に積層されて形成されている。ゲートバスライン１２とドレインバスライン１４の交差位置近傍には、ＴＦＴ２０が形成されている。
【００２２】
ＴＦＴ２０は、絶縁膜（ゲート絶縁膜）４０上に、動作半導体層となるａ−Ｓｉ層３２を有している。ａ−Ｓｉ層３２上にはチャネル保護膜３４が形成されている。チャネル保護膜３４上には、隣接するドレインバスライン１４から引き出されたドレイン電極２２及びその下層のｎ+ａ−Ｓｉ層３６と、ソース電極２４及びその下層のｎ+ａ−Ｓｉ層３６とが、所定の間隙を介して互いに対向して形成されている。このような構成においてチャネル保護膜３４直下のゲートバスライン１２が当該ＴＦＴ２０のゲート電極として機能するようになっている。
【００２３】
後に説明する図４に示すように、蓄積容量バスライン１８上には、画素領域毎に蓄積容量電極（中間電極）２６が形成されている。蓄積容量電極２６は、ドレインバスライン１４と同一の形成材料で形成されている。ドレインバスライン１４、ドレイン電極２２、ソース電極２４及び蓄積容量電極２６上には、例えば膜厚３００ｎｍの保護膜４２が形成されている。保護膜４２上には、例えば膜厚７０ｎｍの透明導電膜からなる画素電極１６が画素領域毎に形成されている。画素電極１６は、ソース電極２４上の保護膜４２が開口されたコンタクトホール２８を介して、ソース電極２４に電気的に接続されている。また画素電極１６は、蓄積容量電極２６上の保護膜４２が開口されたコンタクトホール３０を介して、蓄積容量電極２６に電気的に接続されている。これらのＴＦＴ２０や各バスライン１２、１４、１８等はフォトリソグラフィ工程で形成され、「成膜→レジスト塗布→露光→現像→エッチング→レジスト剥離」という一連の半導体プロセスを繰り返して形成される。
【００２４】
ＴＦＴ基板２には、複数のゲートバスライン１２を駆動するドライバＩＣが実装されたゲートバスライン駆動回路８０と、複数のドレインバスライン１４を駆動するドライバＩＣが実装されたドレインバスライン駆動回路８２とが設けられている。両駆動回路８０、８２は、制御回路８４から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスライン１２あるいはドレインバスライン１４に出力するようになっている。ＴＦＴ基板２の素子形成面と反対側の面には偏光板８６が配置され、偏光板８６のＴＦＴ基板２と反対側の面にはバックライトユニット８８が取り付けられている。一方、対向基板４のＣＦ形成面と反対側の面には、偏光板８６とクロスニコルに配置された偏光板８７が貼り付けられている。
【００２５】
対向基板４は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれか一色が画素領域毎に形成されたＣＦ樹脂層３８をガラス基板７上に有している。両基板２、４の対向面には、液晶分子を所定方向に配向させる配向膜３９が形成されている。配向膜３９には、必要であればラビング処理が施される。
【００２６】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法及びそれを含む製造方法について図４乃至図９を用いて説明する。図４乃至図７は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復工程を示している。図８及び図９は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復工程を示す断面図である。図８（ａ）は図４のＡ１−Ａ１線で切断した液晶表示装置用基板の断面図であり、図９（ａ）は図４のＢ１−Ｂ１線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。同様に、図８（ｂ）及び図９（ｂ）は図５のＡ２−Ａ２線及びＢ２−Ｂ２線でそれぞれ切断した液晶表示装置用基板の断面図であり、図８（ｃ）及び図９（ｃ）は図６のＡ３−Ａ３線及びＢ３−Ｂ３線でそれぞれ切断した液晶表示装置用基板の断面図である。図８（ｄ）及び図９（ｄ）は図７のＡ４−Ａ４線及びＢ４−Ｂ４線でそれぞれ切断した液晶表示装置用基板の断面図である。
【００２７】
図４、図８（ａ）及び図９（ａ）に示すように、ドレインバスライン１４と蓄積容量バスライン１８との交差位置には、製造工程中に種々の原因により混入してＴＦＴ基板２に付着した導電性異物（図示せず）等により短絡部６０が形成されている。両バスライン１４、１８間には、短絡部６０を介して層間短絡が生じている。この層間短絡は、ＴＦＴ基板２の画素電極１６を形成した後であって配向膜３９を塗布形成する前に行われる欠陥検査工程で検出されているものとする。
【００２８】
まず、短絡部６０を挟む２つの切断部６２、６４にレーザ光を照射し、ドレインバスライン１４を切断する。これにより、短絡部６０がドレインバスライン１４から電気的に分離される。
【００２９】
次に、図５、図８（ｂ）及び図９（ｂ）に示すように、２つの切断部６２、６４を挟むドレインバスライン１４の切断両端部上の保護膜４２を開口して、欠陥修復用コンタクトホール６６、６８を形成する。欠陥修復用コンタクトホール６６、６８は、ＹＡＧパルスレーザの第３高調波（波長３５５ｎｍ）又は第４高調波（波長２６０ｎｍ）を照射することにより形成される。
【００３０】
次に、図６、図８（ｃ）及び図９（ｃ）に示すように、欠陥修復用コンタクトホール６６、６８を介して切断両端部間が電気的に接続される際に導電膜が形成される領域の画素電極１６上に、例えば膜厚１５０ｎｍの欠陥修復用絶縁膜７２を形成する。欠陥修復用絶縁膜７２は、例えば光ＣＶＤ法を用いて形成された酸化膜や窒化膜である。なお、上記の欠陥修復用コンタクトホール６６、６８は、欠陥修復用絶縁膜７２を形成した後に形成してもよい。
【００３１】
窒化膜を堆積して欠陥修復用絶縁膜７２を形成する際の具体的成膜条件の一例を示す。成膜ガスの組成は、流量３５ｍｌ／ｍｉｎのＳｉＨ4と、流量１７０ｍｌ／ｍｉｎのＮＨ3である。希釈ガスは、流量５００ｍｌ／ｍｉｎのＡｒである。照射用光源は低圧水銀ランプである。圧力は１０Ｔｏｒｒ（＝１．３３３ｋＰａ）である。基板温度は２５０℃である。堆積速度は４ｎｍ／ｍｉｎ（約１５０ｎｍ堆積）である。欠陥修復用絶縁膜７２の堆積幅は２５μｍ×１００μｍである。なおこれらの条件の値は、使用される設備等により異なる。
【００３２】
欠陥修復用絶縁膜７２は、熱により硬化する熱硬化型樹脂や、ポジ型レジスト及びネガ型レジスト等の感光性樹脂等の樹脂を用いて形成してもよい。感光性樹脂を用いる場合には、例えば基板全面に感光性樹脂を塗布して、所定のパターンが描画されたフォトマスクを用いて露光して現像し、欠陥修復用絶縁膜７２を形成する。
【００３３】
次に、図７、図８（ｄ）及び図９（ｄ）に示すように、ドレインバスライン１４の切断両端部間が欠陥修復用コンタクトホール６６、６８を介して電気的に接続されるように、例えばレーザＣＶＤ法等の光ＣＶＤ法を用いて欠陥修復用導電膜７０を形成する。欠陥修復用導電膜７０は、切断部６２、６４を「コ」の字状に迂回して形成されるため、短絡部６０に電気的に接続されない。また欠陥修復用導電膜７０は、欠陥修復用絶縁膜７２上に形成されるため、画素電極１６に電気的に接続されない。
【００３４】
レーザＣＶＤ法による欠陥修復用導電膜７０の形成は、Ｗ有機金属、Ｍｏ有機金属、あるいはＣｒ有機金属を含むＡｒガスを流しながら、有機金属ガス（成膜ガス）濃度、レーザパワー、スキャン速度及び回数を調整してＹＡＧ３５５ｎｍの連続レーザ光を照射し、金属膜を堆積させることにより行われる。
【００３５】
レーザＣＶＤ法により欠陥修復用導電膜７０を形成する際の具体的な成膜条件の一例を示す。成膜ガスは、金属カルボニル（ＣＯ）6、Ｃｒ（ＣＯ）6である。レーザパワーは、アッテネータ値として０．２〜０．４である。スキャン速度は、３．０μｍ／ｓｅｃである。スキャン回数は１往復である。キャリアガス（Ａｒ）流量は、９０ｃｃ／ｍｉｎである。この条件で成膜すれば、Ｗで膜厚４００〜６００ｎｍ、体積抵抗率（体積比抵抗）１００〜１５０μΩ・ｃｍの導電膜が得られる。実際にレーザＣＶＤ法を用いて成膜した金属配線は、最小描画線幅が５μｍ、膜厚が０．２μｍ、体積抵抗率が５０μΩ・ｃｍ以下である。
【００３６】
以上の手順により、ドレインバスライン１４と蓄積容量バスライン１８との間の層間短絡が修復される。この欠陥修復工程を経て、ＴＦＴ基板２が完成する。この後、ＴＦＴ基板２表面に配向膜３９を塗布し、対向基板４と貼り合わせて両基板２、４間に液晶８を封止して、液晶表示装置が完成する。
【００３７】
本実施の形態では、欠陥修復用導電膜７０が欠陥修復用絶縁膜７２上に形成される。これにより、欠陥修復用導電膜７０と画素電極１６とは電気的に分離されるため、ドレインバスライン１４と画素電極１６とが欠陥修復用導電膜７０を介して電気的に接続されてしまうことがない。したがって、完成した液晶表示装置の表示画面上に点欠陥は生じない。なお、本実施の形態では、ドレインバスライン１４と蓄積容量バスライン１８との間に生じた層間短絡を修復する例を示しているが、ドレインバスライン１４とゲートバスライン１２との間に生じた層間短絡も同様に修復できる。
【００３８】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法について図１０乃至図１５を用いて説明する。図１０乃至図１４は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示している。図１５は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す断面図である。図１５（ａ）は図１０のＣ１−Ｃ１線で切断した液晶表示装置用基板の断面図であり、図１５（ｂ）は図１１のＣ２−Ｃ２線で切断した液晶表示装置用基板の断面図であり、図１５（ｃ）は図１２のＣ３−Ｃ３線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。図１５（ｄ）は図１３のＣ４−Ｃ４線で切断した液晶表示装置用基板の断面図であり、図１５（ｅ）は図１４のＣ５−Ｃ５線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。
【００３９】
図１０及び図１５（ａ）に示すように、ドレインバスライン１４と蓄積容量バスライン１８との交差位置には、製造工程中に種々の原因により混入してＴＦＴ基板２に付着した導電性異物６３等により短絡部６０が形成されている。両バスライン１４、１８間には、短絡部６０を介して層間短絡が生じている。この層間短絡は、ＴＦＴ基板２の画素電極１６を形成した後であって配向膜３９を塗布形成する前に行われる欠陥検査工程で検出されているものとする。
【００４０】
まず、図１１及び図１５（ｂ）に示すように、短絡部６０を挟む２つの切断部６２、６４にＹＡＧレーザを用いてレーザ光を照射し、ドレインバスライン１４を切断する。これにより、短絡部６０がドレインバスライン１４から電気的に分離される。
【００４１】
次に、図１２及び図１５（ｃ）に示すように、２つの切断部６２、６４上を含むドレインバスライン１４及び蓄積容量バスライン１８の交差位置近傍に、例えば光ＣＶＤ法を用いて、酸化膜や窒化膜からなる例えば膜厚２００ｎｍの欠陥修復用絶縁膜７３を形成する。欠陥修復用絶縁膜７３は、樹脂等により形成してもよい。
【００４２】
次に、図１３及び図１５（ｄ）に示すように、２つの切断部６２、６４を挟むドレインバスライン１４の切断両端部上の保護膜４２を開口して、欠陥修復用コンタクトホール６６、６８を形成する。欠陥修復用コンタクトホール６６、６８は、ＹＡＧパルスレーザの第３高調波（波長３５５ｎｍ）又は第４高調波（波長２６０ｎｍ）を照射することにより形成される。なお、上記の欠陥修復用絶縁膜７３は、欠陥修復用コンタクトホール６６、６８を形成した後に形成してもよい。
【００４３】
次に、図１４及び図１５（ｅ）に示すように、ドレインバスライン１４の切断両端部間が欠陥修復用コンタクトホール６６、６８を介して電気的に接続されるように、例えばレーザＣＶＤ法を用いて欠陥修復用導電膜７１を形成する。欠陥修復用導電膜７１は、欠陥修復用絶縁膜７３上に形成されるため、短絡部６０に電気的に接続されない。
【００４４】
以上の手順により、蓄積容量バスライン１８とドレインバスライン１４との間の層間短絡が修復される。この欠陥修復工程を経て、ＴＦＴ基板２が完成する。この後、ＴＦＴ基板２表面に配向膜３９を塗布し、対向基板４と貼り合わせて両基板２、４間に液晶８を封止して、液晶表示装置が完成する。
【００４５】
本実施の形態では、欠陥修復用絶縁膜７２がドレインバスライン１４上に形成されているため、欠陥修復用導電膜７０を迂回して形成する必要がない。このため、欠陥修復用導電膜７０を介してドレインバスライン１４と画素電極１６とが電気的に接続されてしまうことがない。したがって、完成した液晶表示装置の表示画面上に点欠陥は生じない。また、欠陥修復用導電膜７０は、基板面に垂直方向に見て、欠陥修復用コンタクトホール６６、６８間に直線状に形成される。したがって、欠陥修復用導電膜７０の形成される距離が最短になるため、欠陥修復工程が簡略化する。なお、本実施の形態では、ゲートバスライン１２とドレインバスライン１４との間に生じた層間短絡を修復する例を示しているが、蓄積容量バスライン１８とドレインバスライン１４との間に生じた層間短絡も同様に修復できる。
【００４６】
〔第３の実施の形態〕
次に、本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法について図１６乃至図２４を用いて説明する。図１６乃至図２２は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示している。図２３及び図２４は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す断面図である。図２３（ａ）は図１６のＤ１−Ｄ１線で切断した液晶表示装置用基板の断面図であり、図２４（ａ）は図１６のＥ１−Ｅ１線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。同様に、図２３（ｂ）及び図２４（ｂ）は図１７のＤ２−Ｄ２線及びＥ２−Ｅ２線でそれぞれ切断した液晶表示装置用基板の断面図であり、図２３（ｃ）及び図２４（ｃ）は図１８のＤ３−Ｄ３線及びＥ３−Ｅ３線でそれぞれ切断した液晶表示装置用基板の断面図である。図２３（ｄ）及び図２４（ｄ）は図１９のＤ４−Ｄ４線及びＥ４−Ｅ４線でそれぞれ切断した液晶表示装置用基板の断面図であり、図２３（ｅ）及び図２４（ｅ）は図２０のＤ５−Ｄ５線及びＥ５−Ｅ５線でそれぞれ切断した液晶表示装置用基板の断面図である。図２３（ｆ）及び図２４（ｆ）は図２１のＤ６−Ｄ６線及びＥ６−Ｅ６線でそれぞれ切断した液晶表示装置用基板の断面図であり、図２３（ｇ）及び図２４（ｇ）は図２２のＤ７−Ｄ７線及びＥ７−Ｅ７線でそれぞれ切断した液晶表示装置用基板の断面図である。
【００４７】
図１６、図２３（ａ）及び図２４（ａ）に示すように、ゲートバスライン１２とドレインバスライン１４との交差位置には、製造工程中に種々の原因により混入してＴＦＴ基板２に付着した導電性異物６３等からなる短絡部６１が形成されている。両バスライン１２、１４間には、短絡部６１を介して層間短絡が生じている。この層間短絡は、ＴＦＴ基板２の画素電極１６を形成した後であって配向膜３９を塗布形成する前に行われる欠陥検査工程で検出されているものとする。
【００４８】
まず、図１７、図２３（ｂ）及び図２４（ｂ）に示すように、短絡部６１が形成された交差位置にレーザ光を照射し、当該交差位置近傍のゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４を除去する。このとき、当該交差位置近傍の保護膜４２及び絶縁膜４０と導電性異物６３とが同時に除去される。これにより、両バスライン１２、１４間は互いに電気的に分離される。
【００４９】
次に、図１８、図２３（ｃ）及び図２４（ｃ）に示すように、除去された交差位置を挟むゲートバスライン１２の除去両端部上の保護膜４２及び絶縁膜４０を開口して、欠陥修復用コンタクトホール７４、７５を形成する。欠陥修復用コンタクトホール７４、７５は、ＹＡＧパルスレーザの第３高調波（波長３５５ｎｍ）又は第４高調波（波長２６０ｎｍ）を照射することにより形成される。
【００５０】
次に、図１９、図２３（ｄ）及び図２４（ｄ）に示すように、ゲートバスライン１２の除去両端部間が欠陥修復用コンタクトホール７４、７５を介して電気的に接続されるように、例えばレーザＣＶＤ法を用いて、膜厚２００ｎｍ程度の欠陥修復用導電膜７８を形成する。
【００５１】
次に、図２０、図２３（ｅ）及び図２４（ｅ）に示すように、例えば光ＣＶＤ法を用いて、酸化膜や窒化膜からなる例えば膜厚２００ｎｍの欠陥修復用絶縁膜８１を欠陥修復用導電膜７８上に形成する。欠陥修復用絶縁膜８１は、樹脂等により形成してもよい。
【００５２】
次に、図２１、図２３（ｆ）及び図２４（ｆ）に示すように、除去された交差位置を挟むドレインバスライン１４の除去両端部上の保護膜４２を開口して、欠陥修復用コンタクトホール７６、７７を形成する。
【００５３】
次に、図２２、図２３（ｇ）及び図２４（ｇ）に示すように、ドレインバスライン１４の除去両端部間が欠陥修復用コンタクトホール７６、７７を介して電気的に接続されるように、例えばレーザＣＶＤ法を用いて欠陥修復用導電膜７９を形成する。欠陥修復用導電膜７９は、欠陥修復用絶縁膜８１上に形成されるため、欠陥修復用導電膜７８及びゲートバスライン１２に電気的に接続されない。
【００５４】
以上の手順により、ゲートバスライン１２とドレインバスライン１４との間の層間短絡が修復される。この欠陥修復工程を経て、ＴＦＴ基板２が完成する。この後、ＴＦＴ基板２表面に配向膜３９を塗布し、対向基板４と貼り合わせて両基板２、４間に液晶８を封止して、液晶表示装置が完成する。
【００５５】
本実施の形態では、ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４の交差位置近傍で両バスライン１２、１４を除去した後に、画素電極１６と短絡させずにゲートバスライン１２の除去両端部間を接続する欠陥修復用導電膜７８を形成している。その後、欠陥修復用導電膜７８上に欠陥修復用絶縁膜８１を形成し、欠陥修復用絶縁膜８１を介して欠陥修復用導電膜７８と交差して、画素電極１６と短絡させずにドレインバスライン１４の除去両端部間を接続する欠陥修復用導電膜７９を形成している。このため、欠陥修復用導電膜７８を介してゲートバスライン１２と画素電極１６とが電気的に接続されてしまうことがなく、欠陥修復用導電膜７９を介してドレインバスライン１４と画素電極１６とが電気的に接続されてしまうことがない。したがって、完成した液晶表示装置の表示画面上に点欠陥は生じない。
【００５６】
なお、本実施の形態では、ゲートバスライン１２とドレインバスライン１４との間に生じた層間短絡を修復する例を示しているが、蓄積容量バスライン１８とドレインバスライン１４との間に生じた層間短絡も同様に修復できる。また、本実施の形態では、欠陥修復用導電膜７８の形成後に欠陥修復用導電膜７９を形成しているが、欠陥修復用導電膜７９の形成後に欠陥修復用導電膜７８を形成してもよい。
【００５７】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態では、ボトムゲート型の液晶表示装置用基板を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、トップゲート型の液晶表示装置用基板にも適用できる。
【００５８】
また、上記実施の形態では、透過型の液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、反射型や半透過型等の他の液晶表示装置にも適用できる。
【００５９】
以上説明した実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法及びそれを含む製造方法は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
基板上に形成された第１のバスラインと、前記第１のバスラインに絶縁膜を介して交差して形成された第２のバスラインとの間に、前記第１及び第２のバスラインの交差位置で生じた短絡欠陥を修復する液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記交差位置を挟む２つの切断部で前記第２のバスラインを切断し、前記交差位置を前記第２のバスラインから電気的に分離する第１の工程と、
前記２つの切断部を挟む前記第２のバスラインの切断両端部上に欠陥修復用コンタクトホールを形成する第２の工程と、
画素電極と短絡させずに、前記欠陥修復用コンタクトホールを介して前記切断両端部間を電気的に接続する欠陥修復用導電膜を形成する第３の工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。
【００６０】
（付記２）
付記１記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記第３の工程の前に、前記画素電極上に欠陥修復用絶縁膜を形成する工程をさらに有し、
前記第３の工程は、前記欠陥修復用導電膜を前記欠陥修復用絶縁膜上に形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。
【００６１】
（付記３）
付記１記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記第３の工程の前に、前記２つの切断部上に欠陥修復用絶縁膜を形成する工程をさらに有し、
前記第３の工程は、前記欠陥修復用導電膜を前記欠陥修復用絶縁膜上に形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。
【００６２】
（付記４）
基板上に形成された第１のバスラインと、前記第１のバスラインに絶縁膜を介して交差して形成された第２のバスラインとの間に、前記第１及び第２のバスラインの交差位置で生じた短絡欠陥を修復する液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記交差位置近傍の前記第１及び第２のバスラインを除去して前記第１及び第２のバスラインを電気的に分離する第１の工程と、
前記交差位置を挟む前記第１のバスラインの除去両端部上に第１の欠陥修復用コンタクトホールを形成する第２の工程と、
前記第１の欠陥修復用コンタクトホールを介して前記第１のバスラインの除去両端部間を電気的に接続する第１の欠陥修復用導電膜を形成する第３の工程と、
前記第１の欠陥修復用導電膜上に欠陥修復用絶縁膜を形成する第４の工程と、前記交差位置を挟む前記第２のバスラインの除去両端部上に第２の欠陥修復用コンタクトホールを形成する第５の工程と、
前記第２の欠陥修復用コンタクトホールを介して前記第２のバスラインの除去両端部間を電気的に接続する第２の欠陥修復用導電膜を前記欠陥修復用絶縁膜上に形成する第６の工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。
【００６３】
（付記５）
付記４記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記第１の工程は、レーザ光を照射して前記第１及び第２のバスラインを除去すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。
【００６４】
（付記６）
付記２乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記欠陥修復用絶縁膜として、酸化膜又は窒化膜を用いること
を特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。
【００６５】
（付記７）
付記２乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記欠陥修復用絶縁膜は、光ＣＶＤ法を用いて形成されること
を特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。
【００６６】
（付記８）
付記２乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記欠陥修復用絶縁膜として、樹脂膜を用いること
を特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。
【００６７】
（付記９）
付記８記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記樹脂膜は、感光性樹脂で形成されること
を特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。
【００６８】
（付記１０）
付記８記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記樹脂膜は、熱硬化性樹脂で形成されること
を特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。
【００６９】
（付記１１）
絶縁膜を介して互いに交差する複数のバスラインを基板上に形成し、前記複数のバスライン間に生じた短絡欠陥を修復する液晶表示装置用基板の製造方法において、
付記１乃至１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法が用いられていること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００７０】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、良好な表示品質の得られる液晶表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による欠陥修復方法に用いる液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による欠陥修復方法に用いる液晶表示装置用基板上に形成された素子の等価回路を模式的に示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による欠陥修復方法に用いる液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す断面図である。
【図１６】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図１７】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図１８】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図１９】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図２０】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図２１】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図２２】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図２３】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す断面図である。
【図２４】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す断面図である。
【図２５】従来の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図２６】従来の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図２７】従来の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図２８】従来の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す断面図である。
【図２９】従来の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す断面図である。
【図３０】従来の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図３１】従来の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図３２】従来の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【符号の説明】
２ ＴＦＴ基板
４ 対向基板
６、７ ガラス基板
８ 液晶
１２ ゲートバスライン
１４ ドレインバスライン
１６ 画素電極
１８ 蓄積容量バスライン
２０ ＴＦＴ
２２ ドレイン電極
２４ ソース電極
２６ 蓄積容量電極
２８、３０ コンタクトホール
３２ ａ−Ｓｉ層
３４ チャネル保護膜
３６ ｎ+ａ−Ｓｉ層
３８ ＣＦ樹脂層
３９ 配向膜
４０ 絶縁膜
４２ 保護膜
６０、６１ 短絡部
６２、６４ 切断部
６３ 導電性異物
６６、６８、７４、７５、７６、７７ 欠陥修復用コンタクトホール
７０、７８、７９ 欠陥修復用導電膜
７２、７３、８１ 欠陥修復用絶縁膜
８０ ゲートバスライン駆動回路
８２ ドレインバスライン駆動回路
８４ 制御回路
８６、８７ 偏光板
８８ バックライトユニット
【発明の属する技術分野】
本発明は、パーソナルコンピュータ等の表示装置として用いられる液晶表示装置の製造工程において、絶縁膜を介して交差する２本のバスライン間に生じた層間短絡を修復する液晶表示装置用基板の欠陥修復方法及びそれを含む製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
液晶表示装置は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等が形成されたＴＦＴ基板と、カラーフィルタ（ＣＦ；Ｃｏｌｏｒ Ｆｉｌｔｅｒ）等が形成された対向基板を対向させて貼り合わせ、その間に液晶を封止した構造を有している。
【０００３】
ＴＦＴ基板には、複数のゲートバスラインと、層間絶縁膜を介してゲートバスラインに交差する複数のドレインバスラインと、マトリクス状に配置された画素領域内をゲートバスラインに並行して横断する蓄積容量バスラインと、ゲートバスライン及びドレインバスラインをそれぞれ外部接続用の端子部に接続する引き出し線（リード線）とが設けられている。ゲートバスラインとドレインバスラインとの交差位置近傍にはＴＦＴが形成されている。ＴＦＴのゲート電極はゲートバスラインに接続され、ＴＦＴのドレイン電極はドレインバスラインに接続され、ＴＦＴのソース電極は各画素領域に形成された画素電極に接続されている。
【０００４】
ところで、液晶表示装置において製造コストの低減は重要な課題である。製造コスト低減には、まず製造歩留りの向上が強く望まれる。液晶表示装置の製造歩留りを低下させる原因の一つに、ゲートバスライン又は蓄積容量バスラインとドレインバスラインとの間に生じる層間短絡がある。ゲートバスライン又は蓄積容量バスラインとドレインバスラインとの間の層間短絡は、完成した液晶表示装置の表示画面上では線欠陥として視認されてしまう。
【０００５】
ここで、層間短絡が生じた液晶表示装置用基板の従来の欠陥修復方法について図２５乃至図２９を用いて説明する。図２５乃至図２７は、従来の液晶表示装置用基板の欠陥修復工程を示す図である。図２８及び図２９は、従来の液晶表示装置用基板の欠陥修復工程を示す断面図である。図２８（ａ）は図２５のＸ１−Ｘ１線で切断した液晶表示装置用基板の断面図であり、図２９（ａ）は図２５のＹ１−Ｙ１線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。同様に、図２８（ｂ）及び図２９（ｂ）は図２６のＸ２−Ｘ２線及びＹ２−Ｙ２線でそれぞれ切断した液晶表示装置用基板の断面図であり、図２８（ｃ）及び図２９（ｃ）は図２７のＸ３−Ｘ３線及びＹ３−Ｙ３線でそれぞれ切断した液晶表示装置用基板の断面図である。
【０００６】
図２５、図２８（ａ）及び図２９（ａ）に示すように、ＴＦＴ基板１０２は、図２５の左右方向に延びるゲートバスライン１１２をガラス基板１０６上に有している。また、ガラス基板１０６上には、ゲートバスライン１１２に並列して、蓄積容量バスライン１１８が形成されている。蓄積容量バスライン１１８は、ゲートバスライン１１２と同一の形成材料で形成されている。ゲートバスライン１１２及び蓄積容量バスライン１１８に絶縁膜１４０を介して交差して、図２５の上下方向に延びるドレインバスライン１１４が形成されている。ゲートバスライン１１２とドレインバスライン１１４の交差位置近傍には、ＴＦＴ１２０が形成されている。ＴＦＴ１２０のドレイン電極１２２は、図２５の左側に示したドレインバスライン１１４から引き出され、その端部がゲートバスライン１１２上に形成されたチャネル保護膜（図示せず）上の一端辺側に位置するように形成されている。一方、ソース電極１２４は、チャネル保護膜上の他端辺側に位置するように形成されている。このような構成においてチャネル保護膜直下のゲートバスライン１１２が当該ＴＦＴ１２０のゲート電極として機能するようになっている。
【０００７】
また、蓄積容量バスライン１１８上には、画素領域毎に蓄積容量電極（中間電極）１２６が形成されている。蓄積容量電極１２６は、ドレインバスライン１１４と同一の形成材料で形成されている。蓄積容量電極１２６及びドレインバスライン１１４上には、保護膜１４２が形成されている。保護膜１４２上には、マトリクス状に配置された複数の画素領域毎に、画素電極１１６が形成されている。画素電極１１６は、ソース電極１２４上の保護膜１４２が開口されたコンタクトホール１２８を介して、ソース電極１２４に電気的に接続されている。また画素電極１１６は、蓄積容量電極１２６上の保護膜１４２が開口されたコンタクトホール１３０を介して、蓄積容量電極１２６に電気的に接続されている。
【０００８】
ドレインバスライン１１４と蓄積容量バスライン１１８との交差位置には、製造工程中に種々の原因により混入してＴＦＴ基板１０２に付着した導電性異物（図示せず）等により短絡部１６０が形成されている。両バスライン１１４、１１８間には、短絡部１６０を介して層間短絡が生じている。この層間短絡は、ＴＦＴ基板２の欠陥検査工程で検出されているものとする。
【０００９】
まず、図２５に示すように、短絡部１６０を挟む２つの切断部１６２、１６４にレーザ光を照射し、ドレインバスライン１１４を切断する。これにより、短絡部１６０がドレインバスライン１１４から電気的に分離される。
【００１０】
次に、図２６、図２８（ｂ）及び図２９（ｂ）に示すように、２つの切断部１６２、１６４を挟むドレインバスライン１１４の切断両端部上の保護膜１４２を開口して、欠陥修復用コンタクトホール１６６、１６８を形成する。欠陥修復用コンタクトホール１６６、１６８は、ＹＡＧパルスレーザの第３高調波（波長３５５ｎｍ）又は第４高調波（波長２６０ｎｍ）を照射することにより形成される。
【００１１】
次に、図２７、図２８（ｃ）及び図２９（ｃ）に示すように、ドレインバスライン１１４の切断両端部間が欠陥修復用コンタクトホール１６６、１６８を介して電気的に接続されるように、例えばレーザＣＶＤ法を用いて欠陥修復用導電膜１７０を形成する。欠陥修復用導電膜１７０は、切断部１６２、１６４を「コ」の字状に迂回するように形成される。レーザＣＶＤ法による欠陥修復用導電膜１７０の形成は、タングステン（Ｗ）有機金属、モリブデン（Ｍｏ）有機金属、あるいはクロム（Ｃｒ）有機金属を含むアルゴン（Ａｒ）ガスを流しながら、有機金属ガス（成膜ガス）濃度、レーザパワー、スキャン速度及び回数を調整してＹＡＧ３５５ｎｍの連続レーザ光を照射し、金属膜を堆積させることにより行われる。
【００１２】
以上の手順により、ドレインバスライン１１４と蓄積容量バスライン１１８との間の層間短絡が修復される。これにより、液晶表示装置の表示画面上で視認されてしまう線欠陥の発生を防止できる。
【００１３】
次に、他の位置に層間短絡が生じた液晶表示装置用基板の従来の欠陥修復方法について図３０乃至図３２を用いて説明する。図３０に示すように、ゲートバスライン１１２とドレインバスライン１１４との交差位置には、導電性異物等により短絡部１６１が形成されている。両バスライン１１２、１１４間には、短絡部１６１を介して層間短絡が生じている。この層間短絡は、ＴＦＴ基板２の欠陥検査工程で検出されているものとする。
【００１４】
まず、短絡部１６１を挟む２つの切断部１６３、１６５にレーザ光を照射し、ドレインバスライン１１４を切断する。これにより、短絡部１６１がドレインバスライン１１４から電気的に分離される。
【００１５】
次に、図３１に示すように、２つの切断部１６３、１６５を挟むドレインバスライン１１４の切断両端部上の保護膜１４２（図３１では図示せず）を開口して、欠陥修復用コンタクトホール１６７、１６９を形成する。欠陥修復用コンタクトホール１６７、１６９は、ＹＡＧパルスレーザの第３高調波（波長３５５ｎｍ）又は第４高調波（波長２６０ｎｍ）を照射することにより形成される。
【００１６】
次に、図３２に示すように、ドレインバスライン１１４の切断両端部間が欠陥修復用コンタクトホール１６７、１６９を介して電気的に接続されるように、例えばレーザＣＶＤ法を用いて欠陥修復用導電膜１７１を形成する。欠陥修復用導電膜１７１は、切断部１６３、１６５を「コ」の字状に迂回するように形成される。以上の手順により、ゲートバスライン１１２とドレインバスライン１１４との間の層間短絡が修復される。これにより、液晶表示装置の表示画面上で視認されてしまう線欠陥の発生を防止できる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、以上説明したような従来の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法では、切断部１６２、１６４、又は切断部１６３、１６５を「コ」の字状に迂回する欠陥修復用導電膜１７０、１７１が画素電極１１６上に形成される。このため、ドレインバスライン１１４と画素電極１１６とが、欠陥修復用導電膜１７０、１７１を介して電気的に接続されてしまう。したがって、層間短絡が修復された液晶表示装置の表示画面上では、当該画素が点欠陥として視認されてしまうという問題が生じる。
【００１８】
本発明の目的は、良好な表示品質の得られる液晶表示装置用基板の欠陥修復方法及びそれを含む製造方法を提供することにある。
【００１９】
【課題を解決するための手段】
上記目的は、基板上に形成された第１のバスラインと、前記第１のバスラインに絶縁膜を介して交差して形成された第２のバスラインとの間に、前記第１及び第２のバスラインの交差位置で生じた短絡欠陥を修復する液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、前記交差位置を挟む２つの切断部で前記第２のバスラインを切断し、前記交差位置を前記第２のバスラインから電気的に分離する第１の工程と、前記２つの切断部を挟む前記第２のバスラインの切断両端部上に欠陥修復用コンタクトホールを形成する第２の工程と、画素電極と短絡させずに、前記欠陥修復用コンタクトホールを介して前記切断両端部間を電気的に接続する欠陥修復用導電膜を形成する第３の工程とを有することを特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法によって達成される。
【００２０】
【発明の実施の形態】
〔第１の実施の形態〕
本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法及びそれを含む製造方法について図１乃至図９を用いて説明する。まず、本実施の形態による欠陥修復方法に用いる液晶表示装置用基板及びそれを備えた液晶表示装置について図１乃至図３を用いて説明する。図１は、液晶表示装置の概略構成を示している。図２は、液晶表示装置のＴＦＴ基板上に形成された素子の等価回路を模式的に示している。図３は、液晶表示装置のＴＦＴ近傍の断面構成を示している。図１乃至図３に示すように、液晶表示装置は、マトリクス状に配置された複数の画素領域毎にＴＦＴ等が形成されたＴＦＴ基板２と、ＣＦ等が形成された対向基板４とを対向させて貼り合わせ、両基板２、４間に液晶８を封止した構造を有している。
【００２１】
ＴＦＴ基板２は、図２の左右方向に延びる複数のゲートバスライン１２をガラス基板６上に有している。また、ＴＦＴ基板２上には、ゲートバスライン１２に並列して、蓄積容量バスライン１８が形成されている。蓄積容量バスライン１８は、ゲートバスライン１２と同一の形成材料で形成されている。ゲートバスライン１２及び蓄積容量バスライン１８は、例えば膜厚１５０ｎｍの金属層により形成されている。ゲートバスライン１２及び蓄積容量バスライン１８上には、例えば膜厚４００ｎｍの絶縁膜４０が形成されている。ゲートバスライン１２及び蓄積容量バスライン１８に絶縁膜４０を介して交差して、図２の上下方向に延びる複数のドレインバスライン１４が形成されている。ドレインバスライン１４は、例えば膜厚１５ｎｍのａ−Ｓｉ層３２と、例えば膜厚３０ｎｍのｎ+ａ−Ｓｉ層３６と、例えばチタン（Ｔｉ）／アルミニウム（Ａｌ）／Ｔｉの積層からなる膜厚１５０ｎｍの金属層とがこの順に積層されて形成されている。ゲートバスライン１２とドレインバスライン１４の交差位置近傍には、ＴＦＴ２０が形成されている。
【００２２】
ＴＦＴ２０は、絶縁膜（ゲート絶縁膜）４０上に、動作半導体層となるａ−Ｓｉ層３２を有している。ａ−Ｓｉ層３２上にはチャネル保護膜３４が形成されている。チャネル保護膜３４上には、隣接するドレインバスライン１４から引き出されたドレイン電極２２及びその下層のｎ+ａ−Ｓｉ層３６と、ソース電極２４及びその下層のｎ+ａ−Ｓｉ層３６とが、所定の間隙を介して互いに対向して形成されている。このような構成においてチャネル保護膜３４直下のゲートバスライン１２が当該ＴＦＴ２０のゲート電極として機能するようになっている。
【００２３】
後に説明する図４に示すように、蓄積容量バスライン１８上には、画素領域毎に蓄積容量電極（中間電極）２６が形成されている。蓄積容量電極２６は、ドレインバスライン１４と同一の形成材料で形成されている。ドレインバスライン１４、ドレイン電極２２、ソース電極２４及び蓄積容量電極２６上には、例えば膜厚３００ｎｍの保護膜４２が形成されている。保護膜４２上には、例えば膜厚７０ｎｍの透明導電膜からなる画素電極１６が画素領域毎に形成されている。画素電極１６は、ソース電極２４上の保護膜４２が開口されたコンタクトホール２８を介して、ソース電極２４に電気的に接続されている。また画素電極１６は、蓄積容量電極２６上の保護膜４２が開口されたコンタクトホール３０を介して、蓄積容量電極２６に電気的に接続されている。これらのＴＦＴ２０や各バスライン１２、１４、１８等はフォトリソグラフィ工程で形成され、「成膜→レジスト塗布→露光→現像→エッチング→レジスト剥離」という一連の半導体プロセスを繰り返して形成される。
【００２４】
ＴＦＴ基板２には、複数のゲートバスライン１２を駆動するドライバＩＣが実装されたゲートバスライン駆動回路８０と、複数のドレインバスライン１４を駆動するドライバＩＣが実装されたドレインバスライン駆動回路８２とが設けられている。両駆動回路８０、８２は、制御回路８４から出力された所定の信号に基づいて、走査信号やデータ信号を所定のゲートバスライン１２あるいはドレインバスライン１４に出力するようになっている。ＴＦＴ基板２の素子形成面と反対側の面には偏光板８６が配置され、偏光板８６のＴＦＴ基板２と反対側の面にはバックライトユニット８８が取り付けられている。一方、対向基板４のＣＦ形成面と反対側の面には、偏光板８６とクロスニコルに配置された偏光板８７が貼り付けられている。
【００２５】
対向基板４は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のいずれか一色が画素領域毎に形成されたＣＦ樹脂層３８をガラス基板７上に有している。両基板２、４の対向面には、液晶分子を所定方向に配向させる配向膜３９が形成されている。配向膜３９には、必要であればラビング処理が施される。
【００２６】
次に、本実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法及びそれを含む製造方法について図４乃至図９を用いて説明する。図４乃至図７は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復工程を示している。図８及び図９は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復工程を示す断面図である。図８（ａ）は図４のＡ１−Ａ１線で切断した液晶表示装置用基板の断面図であり、図９（ａ）は図４のＢ１−Ｂ１線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。同様に、図８（ｂ）及び図９（ｂ）は図５のＡ２−Ａ２線及びＢ２−Ｂ２線でそれぞれ切断した液晶表示装置用基板の断面図であり、図８（ｃ）及び図９（ｃ）は図６のＡ３−Ａ３線及びＢ３−Ｂ３線でそれぞれ切断した液晶表示装置用基板の断面図である。図８（ｄ）及び図９（ｄ）は図７のＡ４−Ａ４線及びＢ４−Ｂ４線でそれぞれ切断した液晶表示装置用基板の断面図である。
【００２７】
図４、図８（ａ）及び図９（ａ）に示すように、ドレインバスライン１４と蓄積容量バスライン１８との交差位置には、製造工程中に種々の原因により混入してＴＦＴ基板２に付着した導電性異物（図示せず）等により短絡部６０が形成されている。両バスライン１４、１８間には、短絡部６０を介して層間短絡が生じている。この層間短絡は、ＴＦＴ基板２の画素電極１６を形成した後であって配向膜３９を塗布形成する前に行われる欠陥検査工程で検出されているものとする。
【００２８】
まず、短絡部６０を挟む２つの切断部６２、６４にレーザ光を照射し、ドレインバスライン１４を切断する。これにより、短絡部６０がドレインバスライン１４から電気的に分離される。
【００２９】
次に、図５、図８（ｂ）及び図９（ｂ）に示すように、２つの切断部６２、６４を挟むドレインバスライン１４の切断両端部上の保護膜４２を開口して、欠陥修復用コンタクトホール６６、６８を形成する。欠陥修復用コンタクトホール６６、６８は、ＹＡＧパルスレーザの第３高調波（波長３５５ｎｍ）又は第４高調波（波長２６０ｎｍ）を照射することにより形成される。
【００３０】
次に、図６、図８（ｃ）及び図９（ｃ）に示すように、欠陥修復用コンタクトホール６６、６８を介して切断両端部間が電気的に接続される際に導電膜が形成される領域の画素電極１６上に、例えば膜厚１５０ｎｍの欠陥修復用絶縁膜７２を形成する。欠陥修復用絶縁膜７２は、例えば光ＣＶＤ法を用いて形成された酸化膜や窒化膜である。なお、上記の欠陥修復用コンタクトホール６６、６８は、欠陥修復用絶縁膜７２を形成した後に形成してもよい。
【００３１】
窒化膜を堆積して欠陥修復用絶縁膜７２を形成する際の具体的成膜条件の一例を示す。成膜ガスの組成は、流量３５ｍｌ／ｍｉｎのＳｉＨ4と、流量１７０ｍｌ／ｍｉｎのＮＨ3である。希釈ガスは、流量５００ｍｌ／ｍｉｎのＡｒである。照射用光源は低圧水銀ランプである。圧力は１０Ｔｏｒｒ（＝１．３３３ｋＰａ）である。基板温度は２５０℃である。堆積速度は４ｎｍ／ｍｉｎ（約１５０ｎｍ堆積）である。欠陥修復用絶縁膜７２の堆積幅は２５μｍ×１００μｍである。なおこれらの条件の値は、使用される設備等により異なる。
【００３２】
欠陥修復用絶縁膜７２は、熱により硬化する熱硬化型樹脂や、ポジ型レジスト及びネガ型レジスト等の感光性樹脂等の樹脂を用いて形成してもよい。感光性樹脂を用いる場合には、例えば基板全面に感光性樹脂を塗布して、所定のパターンが描画されたフォトマスクを用いて露光して現像し、欠陥修復用絶縁膜７２を形成する。
【００３３】
次に、図７、図８（ｄ）及び図９（ｄ）に示すように、ドレインバスライン１４の切断両端部間が欠陥修復用コンタクトホール６６、６８を介して電気的に接続されるように、例えばレーザＣＶＤ法等の光ＣＶＤ法を用いて欠陥修復用導電膜７０を形成する。欠陥修復用導電膜７０は、切断部６２、６４を「コ」の字状に迂回して形成されるため、短絡部６０に電気的に接続されない。また欠陥修復用導電膜７０は、欠陥修復用絶縁膜７２上に形成されるため、画素電極１６に電気的に接続されない。
【００３４】
レーザＣＶＤ法による欠陥修復用導電膜７０の形成は、Ｗ有機金属、Ｍｏ有機金属、あるいはＣｒ有機金属を含むＡｒガスを流しながら、有機金属ガス（成膜ガス）濃度、レーザパワー、スキャン速度及び回数を調整してＹＡＧ３５５ｎｍの連続レーザ光を照射し、金属膜を堆積させることにより行われる。
【００３５】
レーザＣＶＤ法により欠陥修復用導電膜７０を形成する際の具体的な成膜条件の一例を示す。成膜ガスは、金属カルボニル（ＣＯ）6、Ｃｒ（ＣＯ）6である。レーザパワーは、アッテネータ値として０．２〜０．４である。スキャン速度は、３．０μｍ／ｓｅｃである。スキャン回数は１往復である。キャリアガス（Ａｒ）流量は、９０ｃｃ／ｍｉｎである。この条件で成膜すれば、Ｗで膜厚４００〜６００ｎｍ、体積抵抗率（体積比抵抗）１００〜１５０μΩ・ｃｍの導電膜が得られる。実際にレーザＣＶＤ法を用いて成膜した金属配線は、最小描画線幅が５μｍ、膜厚が０．２μｍ、体積抵抗率が５０μΩ・ｃｍ以下である。
【００３６】
以上の手順により、ドレインバスライン１４と蓄積容量バスライン１８との間の層間短絡が修復される。この欠陥修復工程を経て、ＴＦＴ基板２が完成する。この後、ＴＦＴ基板２表面に配向膜３９を塗布し、対向基板４と貼り合わせて両基板２、４間に液晶８を封止して、液晶表示装置が完成する。
【００３７】
本実施の形態では、欠陥修復用導電膜７０が欠陥修復用絶縁膜７２上に形成される。これにより、欠陥修復用導電膜７０と画素電極１６とは電気的に分離されるため、ドレインバスライン１４と画素電極１６とが欠陥修復用導電膜７０を介して電気的に接続されてしまうことがない。したがって、完成した液晶表示装置の表示画面上に点欠陥は生じない。なお、本実施の形態では、ドレインバスライン１４と蓄積容量バスライン１８との間に生じた層間短絡を修復する例を示しているが、ドレインバスライン１４とゲートバスライン１２との間に生じた層間短絡も同様に修復できる。
【００３８】
〔第２の実施の形態〕
次に、本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法について図１０乃至図１５を用いて説明する。図１０乃至図１４は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示している。図１５は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す断面図である。図１５（ａ）は図１０のＣ１−Ｃ１線で切断した液晶表示装置用基板の断面図であり、図１５（ｂ）は図１１のＣ２−Ｃ２線で切断した液晶表示装置用基板の断面図であり、図１５（ｃ）は図１２のＣ３−Ｃ３線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。図１５（ｄ）は図１３のＣ４−Ｃ４線で切断した液晶表示装置用基板の断面図であり、図１５（ｅ）は図１４のＣ５−Ｃ５線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。
【００３９】
図１０及び図１５（ａ）に示すように、ドレインバスライン１４と蓄積容量バスライン１８との交差位置には、製造工程中に種々の原因により混入してＴＦＴ基板２に付着した導電性異物６３等により短絡部６０が形成されている。両バスライン１４、１８間には、短絡部６０を介して層間短絡が生じている。この層間短絡は、ＴＦＴ基板２の画素電極１６を形成した後であって配向膜３９を塗布形成する前に行われる欠陥検査工程で検出されているものとする。
【００４０】
まず、図１１及び図１５（ｂ）に示すように、短絡部６０を挟む２つの切断部６２、６４にＹＡＧレーザを用いてレーザ光を照射し、ドレインバスライン１４を切断する。これにより、短絡部６０がドレインバスライン１４から電気的に分離される。
【００４１】
次に、図１２及び図１５（ｃ）に示すように、２つの切断部６２、６４上を含むドレインバスライン１４及び蓄積容量バスライン１８の交差位置近傍に、例えば光ＣＶＤ法を用いて、酸化膜や窒化膜からなる例えば膜厚２００ｎｍの欠陥修復用絶縁膜７３を形成する。欠陥修復用絶縁膜７３は、樹脂等により形成してもよい。
【００４２】
次に、図１３及び図１５（ｄ）に示すように、２つの切断部６２、６４を挟むドレインバスライン１４の切断両端部上の保護膜４２を開口して、欠陥修復用コンタクトホール６６、６８を形成する。欠陥修復用コンタクトホール６６、６８は、ＹＡＧパルスレーザの第３高調波（波長３５５ｎｍ）又は第４高調波（波長２６０ｎｍ）を照射することにより形成される。なお、上記の欠陥修復用絶縁膜７３は、欠陥修復用コンタクトホール６６、６８を形成した後に形成してもよい。
【００４３】
次に、図１４及び図１５（ｅ）に示すように、ドレインバスライン１４の切断両端部間が欠陥修復用コンタクトホール６６、６８を介して電気的に接続されるように、例えばレーザＣＶＤ法を用いて欠陥修復用導電膜７１を形成する。欠陥修復用導電膜７１は、欠陥修復用絶縁膜７３上に形成されるため、短絡部６０に電気的に接続されない。
【００４４】
以上の手順により、蓄積容量バスライン１８とドレインバスライン１４との間の層間短絡が修復される。この欠陥修復工程を経て、ＴＦＴ基板２が完成する。この後、ＴＦＴ基板２表面に配向膜３９を塗布し、対向基板４と貼り合わせて両基板２、４間に液晶８を封止して、液晶表示装置が完成する。
【００４５】
本実施の形態では、欠陥修復用絶縁膜７２がドレインバスライン１４上に形成されているため、欠陥修復用導電膜７０を迂回して形成する必要がない。このため、欠陥修復用導電膜７０を介してドレインバスライン１４と画素電極１６とが電気的に接続されてしまうことがない。したがって、完成した液晶表示装置の表示画面上に点欠陥は生じない。また、欠陥修復用導電膜７０は、基板面に垂直方向に見て、欠陥修復用コンタクトホール６６、６８間に直線状に形成される。したがって、欠陥修復用導電膜７０の形成される距離が最短になるため、欠陥修復工程が簡略化する。なお、本実施の形態では、ゲートバスライン１２とドレインバスライン１４との間に生じた層間短絡を修復する例を示しているが、蓄積容量バスライン１８とドレインバスライン１４との間に生じた層間短絡も同様に修復できる。
【００４６】
〔第３の実施の形態〕
次に、本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法について図１６乃至図２４を用いて説明する。図１６乃至図２２は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示している。図２３及び図２４は、本実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す断面図である。図２３（ａ）は図１６のＤ１−Ｄ１線で切断した液晶表示装置用基板の断面図であり、図２４（ａ）は図１６のＥ１−Ｅ１線で切断した液晶表示装置用基板の断面図である。同様に、図２３（ｂ）及び図２４（ｂ）は図１７のＤ２−Ｄ２線及びＥ２−Ｅ２線でそれぞれ切断した液晶表示装置用基板の断面図であり、図２３（ｃ）及び図２４（ｃ）は図１８のＤ３−Ｄ３線及びＥ３−Ｅ３線でそれぞれ切断した液晶表示装置用基板の断面図である。図２３（ｄ）及び図２４（ｄ）は図１９のＤ４−Ｄ４線及びＥ４−Ｅ４線でそれぞれ切断した液晶表示装置用基板の断面図であり、図２３（ｅ）及び図２４（ｅ）は図２０のＤ５−Ｄ５線及びＥ５−Ｅ５線でそれぞれ切断した液晶表示装置用基板の断面図である。図２３（ｆ）及び図２４（ｆ）は図２１のＤ６−Ｄ６線及びＥ６−Ｅ６線でそれぞれ切断した液晶表示装置用基板の断面図であり、図２３（ｇ）及び図２４（ｇ）は図２２のＤ７−Ｄ７線及びＥ７−Ｅ７線でそれぞれ切断した液晶表示装置用基板の断面図である。
【００４７】
図１６、図２３（ａ）及び図２４（ａ）に示すように、ゲートバスライン１２とドレインバスライン１４との交差位置には、製造工程中に種々の原因により混入してＴＦＴ基板２に付着した導電性異物６３等からなる短絡部６１が形成されている。両バスライン１２、１４間には、短絡部６１を介して層間短絡が生じている。この層間短絡は、ＴＦＴ基板２の画素電極１６を形成した後であって配向膜３９を塗布形成する前に行われる欠陥検査工程で検出されているものとする。
【００４８】
まず、図１７、図２３（ｂ）及び図２４（ｂ）に示すように、短絡部６１が形成された交差位置にレーザ光を照射し、当該交差位置近傍のゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４を除去する。このとき、当該交差位置近傍の保護膜４２及び絶縁膜４０と導電性異物６３とが同時に除去される。これにより、両バスライン１２、１４間は互いに電気的に分離される。
【００４９】
次に、図１８、図２３（ｃ）及び図２４（ｃ）に示すように、除去された交差位置を挟むゲートバスライン１２の除去両端部上の保護膜４２及び絶縁膜４０を開口して、欠陥修復用コンタクトホール７４、７５を形成する。欠陥修復用コンタクトホール７４、７５は、ＹＡＧパルスレーザの第３高調波（波長３５５ｎｍ）又は第４高調波（波長２６０ｎｍ）を照射することにより形成される。
【００５０】
次に、図１９、図２３（ｄ）及び図２４（ｄ）に示すように、ゲートバスライン１２の除去両端部間が欠陥修復用コンタクトホール７４、７５を介して電気的に接続されるように、例えばレーザＣＶＤ法を用いて、膜厚２００ｎｍ程度の欠陥修復用導電膜７８を形成する。
【００５１】
次に、図２０、図２３（ｅ）及び図２４（ｅ）に示すように、例えば光ＣＶＤ法を用いて、酸化膜や窒化膜からなる例えば膜厚２００ｎｍの欠陥修復用絶縁膜８１を欠陥修復用導電膜７８上に形成する。欠陥修復用絶縁膜８１は、樹脂等により形成してもよい。
【００５２】
次に、図２１、図２３（ｆ）及び図２４（ｆ）に示すように、除去された交差位置を挟むドレインバスライン１４の除去両端部上の保護膜４２を開口して、欠陥修復用コンタクトホール７６、７７を形成する。
【００５３】
次に、図２２、図２３（ｇ）及び図２４（ｇ）に示すように、ドレインバスライン１４の除去両端部間が欠陥修復用コンタクトホール７６、７７を介して電気的に接続されるように、例えばレーザＣＶＤ法を用いて欠陥修復用導電膜７９を形成する。欠陥修復用導電膜７９は、欠陥修復用絶縁膜８１上に形成されるため、欠陥修復用導電膜７８及びゲートバスライン１２に電気的に接続されない。
【００５４】
以上の手順により、ゲートバスライン１２とドレインバスライン１４との間の層間短絡が修復される。この欠陥修復工程を経て、ＴＦＴ基板２が完成する。この後、ＴＦＴ基板２表面に配向膜３９を塗布し、対向基板４と貼り合わせて両基板２、４間に液晶８を封止して、液晶表示装置が完成する。
【００５５】
本実施の形態では、ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４の交差位置近傍で両バスライン１２、１４を除去した後に、画素電極１６と短絡させずにゲートバスライン１２の除去両端部間を接続する欠陥修復用導電膜７８を形成している。その後、欠陥修復用導電膜７８上に欠陥修復用絶縁膜８１を形成し、欠陥修復用絶縁膜８１を介して欠陥修復用導電膜７８と交差して、画素電極１６と短絡させずにドレインバスライン１４の除去両端部間を接続する欠陥修復用導電膜７９を形成している。このため、欠陥修復用導電膜７８を介してゲートバスライン１２と画素電極１６とが電気的に接続されてしまうことがなく、欠陥修復用導電膜７９を介してドレインバスライン１４と画素電極１６とが電気的に接続されてしまうことがない。したがって、完成した液晶表示装置の表示画面上に点欠陥は生じない。
【００５６】
なお、本実施の形態では、ゲートバスライン１２とドレインバスライン１４との間に生じた層間短絡を修復する例を示しているが、蓄積容量バスライン１８とドレインバスライン１４との間に生じた層間短絡も同様に修復できる。また、本実施の形態では、欠陥修復用導電膜７８の形成後に欠陥修復用導電膜７９を形成しているが、欠陥修復用導電膜７９の形成後に欠陥修復用導電膜７８を形成してもよい。
【００５７】
本発明は、上記実施の形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、上記実施の形態では、ボトムゲート型の液晶表示装置用基板を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、トップゲート型の液晶表示装置用基板にも適用できる。
【００５８】
また、上記実施の形態では、透過型の液晶表示装置を例に挙げたが、本発明はこれに限らず、反射型や半透過型等の他の液晶表示装置にも適用できる。
【００５９】
以上説明した実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法及びそれを含む製造方法は、以下のようにまとめられる。
（付記１）
基板上に形成された第１のバスラインと、前記第１のバスラインに絶縁膜を介して交差して形成された第２のバスラインとの間に、前記第１及び第２のバスラインの交差位置で生じた短絡欠陥を修復する液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記交差位置を挟む２つの切断部で前記第２のバスラインを切断し、前記交差位置を前記第２のバスラインから電気的に分離する第１の工程と、
前記２つの切断部を挟む前記第２のバスラインの切断両端部上に欠陥修復用コンタクトホールを形成する第２の工程と、
画素電極と短絡させずに、前記欠陥修復用コンタクトホールを介して前記切断両端部間を電気的に接続する欠陥修復用導電膜を形成する第３の工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。
【００６０】
（付記２）
付記１記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記第３の工程の前に、前記画素電極上に欠陥修復用絶縁膜を形成する工程をさらに有し、
前記第３の工程は、前記欠陥修復用導電膜を前記欠陥修復用絶縁膜上に形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。
【００６１】
（付記３）
付記１記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記第３の工程の前に、前記２つの切断部上に欠陥修復用絶縁膜を形成する工程をさらに有し、
前記第３の工程は、前記欠陥修復用導電膜を前記欠陥修復用絶縁膜上に形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。
【００６２】
（付記４）
基板上に形成された第１のバスラインと、前記第１のバスラインに絶縁膜を介して交差して形成された第２のバスラインとの間に、前記第１及び第２のバスラインの交差位置で生じた短絡欠陥を修復する液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記交差位置近傍の前記第１及び第２のバスラインを除去して前記第１及び第２のバスラインを電気的に分離する第１の工程と、
前記交差位置を挟む前記第１のバスラインの除去両端部上に第１の欠陥修復用コンタクトホールを形成する第２の工程と、
前記第１の欠陥修復用コンタクトホールを介して前記第１のバスラインの除去両端部間を電気的に接続する第１の欠陥修復用導電膜を形成する第３の工程と、
前記第１の欠陥修復用導電膜上に欠陥修復用絶縁膜を形成する第４の工程と、前記交差位置を挟む前記第２のバスラインの除去両端部上に第２の欠陥修復用コンタクトホールを形成する第５の工程と、
前記第２の欠陥修復用コンタクトホールを介して前記第２のバスラインの除去両端部間を電気的に接続する第２の欠陥修復用導電膜を前記欠陥修復用絶縁膜上に形成する第６の工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。
【００６３】
（付記５）
付記４記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記第１の工程は、レーザ光を照射して前記第１及び第２のバスラインを除去すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。
【００６４】
（付記６）
付記２乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記欠陥修復用絶縁膜として、酸化膜又は窒化膜を用いること
を特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。
【００６５】
（付記７）
付記２乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記欠陥修復用絶縁膜は、光ＣＶＤ法を用いて形成されること
を特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。
【００６６】
（付記８）
付記２乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記欠陥修復用絶縁膜として、樹脂膜を用いること
を特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。
【００６７】
（付記９）
付記８記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記樹脂膜は、感光性樹脂で形成されること
を特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。
【００６８】
（付記１０）
付記８記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記樹脂膜は、熱硬化性樹脂で形成されること
を特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。
【００６９】
（付記１１）
絶縁膜を介して互いに交差する複数のバスラインを基板上に形成し、前記複数のバスライン間に生じた短絡欠陥を修復する液晶表示装置用基板の製造方法において、
付記１乃至１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法が用いられていること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
【００７０】
【発明の効果】
以上の通り、本発明によれば、良好な表示品質の得られる液晶表示装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施の形態による欠陥修復方法に用いる液晶表示装置の概略構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態による欠陥修復方法に用いる液晶表示装置用基板上に形成された素子の等価回路を模式的に示す図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態による欠陥修復方法に用いる液晶表示装置の構成を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図５】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図６】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図７】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図８】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す断面図である。
【図９】本発明の第１の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図１１】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図１２】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図１３】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図１４】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図１５】本発明の第２の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す断面図である。
【図１６】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図１７】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図１８】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図１９】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図２０】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図２１】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図２２】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図２３】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す断面図である。
【図２４】本発明の第３の実施の形態による液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す断面図である。
【図２５】従来の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図２６】従来の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図２７】従来の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図２８】従来の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す断面図である。
【図２９】従来の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す断面図である。
【図３０】従来の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図３１】従来の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【図３２】従来の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法を示す図である。
【符号の説明】
２ ＴＦＴ基板
４ 対向基板
６、７ ガラス基板
８ 液晶
１２ ゲートバスライン
１４ ドレインバスライン
１６ 画素電極
１８ 蓄積容量バスライン
２０ ＴＦＴ
２２ ドレイン電極
２４ ソース電極
２６ 蓄積容量電極
２８、３０ コンタクトホール
３２ ａ−Ｓｉ層
３４ チャネル保護膜
３６ ｎ+ａ−Ｓｉ層
３８ ＣＦ樹脂層
３９ 配向膜
４０ 絶縁膜
４２ 保護膜
６０、６１ 短絡部
６２、６４ 切断部
６３ 導電性異物
６６、６８、７４、７５、７６、７７ 欠陥修復用コンタクトホール
７０、７８、７９ 欠陥修復用導電膜
７２、７３、８１ 欠陥修復用絶縁膜
８０ ゲートバスライン駆動回路
８２ ドレインバスライン駆動回路
８４ 制御回路
８６、８７ 偏光板
８８ バックライトユニット
Claims (8)
- 基板上に形成された第１のバスラインと、前記第１のバスラインに絶縁膜を介して交差して形成された第２のバスラインとの間に、前記第１及び第２のバスラインの交差位置で生じた短絡欠陥を修復する液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記交差位置を挟む２つの切断部で前記第２のバスラインを切断し、前記交差位置を前記第２のバスラインから電気的に分離する第１の工程と、
前記２つの切断部を挟む前記第２のバスラインの切断両端部上に欠陥修復用コンタクトホールを形成する第２の工程と、
画素電極と短絡させずに、前記欠陥修復用コンタクトホールを介して前記切断両端部間を電気的に接続する欠陥修復用導電膜を形成する第３の工程とを有し、
前記第３の工程の前に、前記２つの切断部上に欠陥修復用絶縁膜を形成する工程をさらに有し、
前記第３の工程は、前記欠陥修復用導電膜を前記欠陥修復用絶縁膜上に形成すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。 - 基板上に形成された第１のバスラインと、前記第１のバスラインに絶縁膜を介して交差して形成された第２のバスラインとの間に、前記第１及び第２のバスラインの交差位置で生じた短絡欠陥を修復する液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記交差位置近傍の前記第１及び第２のバスラインを除去して前記第１及び第２のバスラインを電気的に分離する第１の工程と、
前記交差位置を挟む前記第１のバスラインの除去両端部上に第１の欠陥修復用コンタクトホールを形成する第２の工程と、
前記第１の欠陥修復用コンタクトホールを介して前記第１のバスラインの除去両端部間を電気的に接続する第１の欠陥修復用導電膜を形成する第３の工程と、
前記第１の欠陥修復用導電膜上に欠陥修復用絶縁膜を形成する第４の工程と、
前記交差位置を挟む前記第２のバスラインの除去両端部上に第２の欠陥修復用コンタクトホールを形成する第５の工程と、
前記第２の欠陥修復用コンタクトホールを介して前記第２のバスラインの除去両端部間を電気的に接続する第２の欠陥修復用導電膜を前記欠陥修復用絶縁膜上に形成する第６の工程と
を有することを特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。 - 請求項２記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記第１の工程は、レーザ光を照射して前記第１及び第２のバスラインを除去すること
を特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。 - 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記欠陥修復用絶縁膜として、酸化膜又は窒化膜を用いること
を特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。 - 請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記欠陥修復用絶縁膜は、光ＣＶＤ法を用いて形成されること
を特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。 - 請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記欠陥修復用絶縁膜として、樹脂膜を用いること
を特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。 - 請求項６記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法において、
前記樹脂膜は、感光性樹脂で形成されること
を特徴とする液晶表示装置用基板の欠陥修復方法。 - 絶縁膜を介して互いに交差する複数のバスラインを基板上に形成し、前記複数のバスライン間に生じた短絡欠陥を修復する液晶表示装置用基板の製造方法において、
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の液晶表示装置用基板の欠陥修復方法が用いられていること
を特徴とする液晶表示装置用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002217570A JP4184730B2 (ja) | 2002-07-26 | 2002-07-26 | 液晶表示装置用基板の欠陥修復方法及びそれを含む製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002217570A JP4184730B2 (ja) | 2002-07-26 | 2002-07-26 | 液晶表示装置用基板の欠陥修復方法及びそれを含む製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004061689A JP2004061689A (ja) | 2004-02-26 |
| JP4184730B2 true JP4184730B2 (ja) | 2008-11-19 |
Family
ID=31938984
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002217570A Expired - Fee Related JP4184730B2 (ja) | 2002-07-26 | 2002-07-26 | 液晶表示装置用基板の欠陥修復方法及びそれを含む製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4184730B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7417692B2 (en) | 2006-01-09 | 2008-08-26 | Chunghwa Picture Tubes, Ltd. | Laser repair structure and method for TFT-LCD |
| KR20070117738A (ko) * | 2006-06-09 | 2007-12-13 | 삼성전자주식회사 | 표시기판의 리페어 방법 및 이에 의해 리페어된 표시기판 |
| JP5024529B2 (ja) * | 2007-04-12 | 2012-09-12 | ソニー株式会社 | 表示装置の製造方法およびｔｆｔアレイ基板の製造方法 |
| CN101561598B (zh) * | 2008-04-14 | 2010-11-10 | 北京京东方光电科技有限公司 | 液晶显示器的阵列基板及其制造方法、维修方法 |
| JP2010145875A (ja) * | 2008-12-20 | 2010-07-01 | Videocon Global Ltd | 液晶表示装置及びその製造方法 |
| WO2012114688A1 (ja) * | 2011-02-22 | 2012-08-30 | シャープ株式会社 | アクティブマトリクス基板、表示装置及びアクティブマトリクス基板の短絡欠陥修正方法 |
-
2002
- 2002-07-26 JP JP2002217570A patent/JP4184730B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2004061689A (ja) | 2004-02-26 |
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Legal Events
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| A711 | Notification of change in applicant |
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|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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