KR20160053357A

KR20160053357A - 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법

Info

Publication number: KR20160053357A
Application number: KR1020140151586A
Authority: KR
Inventors: 조경훈; 박재영; 이재호
Original assignee: 삼성디스플레이 주식회사
Priority date: 2014-11-03
Filing date: 2014-11-03
Publication date: 2016-05-13
Also published as: CN105576001B; CN105576001A; US9595575B2; KR102356592B1; US20160126304A1

Abstract

본 발명의 일 실시예는 기판의 표시영역에 위치하는 화소영역마다 형성된 화소전극들과, 화소전극들과 인접하게 형성된 보조배선들과, 화소전극들 상에 형성된 발광층들, 및 화소전극들 및 보조배선들과 대응하도록 발광층 상에 위치하되, 콘택홀들을 통해 상기 보조배선들과 콘택하는 대향전극을 포함하며, 표시영역의 중심부에 위치하는 제1 화소영역에서의 보조배선과 대향전극 간의 총 콘택면적은, 표시영역의 에지부에 위치하는 제2 화소영역에서의 보조배선과 대향전극 간의 총 콘택면적 보다 큰, 유기 발광 표시 장치를 개시한다.

Description

유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 {organic light emitting diode display and manufacturing method thereof }

본 발명의 실시예들은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

유기 발광 표시 장치는 화소들 각각이 유기발광소자를 구비하는 디스플레이 장치이다. 유기발광소자는 화소전극과, 이에 대향하는 대향전극과, 화소전극과 대향전극 사이에 개재되며 발광층을 포함하는 유기층을 포함한다. 이러한 유기 발광 표시 장치의 경우, 화소전극들은 각 화소별로 패터닝된 아일랜드 형상이나, 대향전극은 복수개의 화소들에 있어서 일체(一體)로 형성된다.

본 발명의 실시예들은 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.

본 발명의 일 실시예는, 기판의 표시영역에 위치하는 화소영역마다 형성된 화소전극들; 화소전극들과 인접하게 형성된 보조배선들; 상기 화소전극들 상에 형성된 발광층들; 및 상기 화소전극들 및 상기 보조배선들과 대응하도록 상기 발광층 상에 위치하되, 콘택홀들을 통해 상기 보조배선들과 콘택하는 대향전극;을 포함하며, 상기 표시영역의 중심부에 위치하는 제1 화소영역에서의 상기 보조배선과 상기 대향전극 간의 총 콘택면적은, 상기 표시영역의 에지부에 위치하는 제2 화소영역에서의 상기 보조배선과 상기 대향전극 간의 총 콘택면적 보다 큰, 유기 발광 표시 장치를 제공한다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 화소영역에서의 상기 보조배선과 상기 대향전극 간의 콘택홀의 크기는 상기 제2 화소영역에서의 상기 보조배선과 상기 대향전극 간의 콘택홀의 크기 보다 크게 형성될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 화소영역에서의 상기 보조배선과 상기 대향전극 간의 콘택홀의 개수는 상기 제2 화소영역에서의 상기 보조배선과 상기 대향전극 간의 콘택홀의 개수보다 크게 형성될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 화소영역에서 상기 제2 화소영역을 향하는 방향을 따라 상기 보조 배선과 상기 대향전극 간의 총 콘택면적은 점진적으로 감소할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 콘택홀들은 상기 표시영역의 중심을 가로지르는 가상의 이등분선을 기준으로 대칭적으로 형성될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 보조배선들은 상기 표시영역의 일단에서 상기 표시영역의 타단을 향해 상기 표시영역을 가로지르도록 서로 평행하게 연장될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 표시영역의 일단은 상기 표시영역의 제1 장변부이고, 상기 표시영역의 타단은 상기 표시영역의 제2 장변부일 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 화소전극들에 제1 전원전압을 제공하는 제1 전원전압배선, 및 상기 대향전극에 상기 제1 전원전압보다 낮은 레벨의 제2 전원전압을 제공하는 제2 전원전압배선을 포함하고, 상기 제2 전원전압배선은, 상기 표시영역의 양단에 형성된 제1 주전원배선 및 제2 주전원배선; 및 양단이 각각 상기 제1 주전원배선 및 상기 제2 주전원배선과 연결되며, 상기 표시영역을 가로지는 보조배선들;을 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 화소전극들 상에 형성되는 제1 개구들 및 상기 보조배선들 상에 형성되는 제2 개구들을 포함하는 화소정의막; 및 상기 화소전극들과 상기 보조배선들 사이에 위치하는 화소정의막의 상면, 상기 화소전극들 및 상기 보조배선들 상에 위치하는 중간층;을 더 포함하며, 상기 중간층은 상기 보조배선들의 상부를 노출시키도록 형성된 콘택홀을 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 소스전극, 드레인전극 및 게이트전극을 갖는 박막트랜지스터를 더 구비하고, 상기 보조배선 각각은, 상기 박막트랜지스터의 어느 일 전극과 동일층에 위치한 제1 보조배선층; 및 상기 화소전극과 동일층에 위치한 제2 보조배선층;을 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제2 보조배선층은 상기 대향전극과 상기 콘택홀들을 통해 직접 접촉할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 소스전극과 상기 드레인전극은 상기 게이트전극 보다 상부에 위치하며, 상기 제1 보조배선층은 상기 소스전극 및 상기 드레인전극과 동일층에 위치할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 보조배선층은 상기 표시영역을 가로지르도록 제1 방향을 따라 연장되며, 상기 제2 보조배선층은 상기 콘택홀과 대응되는 위치에 섬형(island type)으로 패터닝될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 보조배선은 상기 화소전극과 동일층에 동일물질로 형성될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 소스전극, 드레인전극 및 게이트전극을 갖는 박막트랜지스터를 더 구비하고, 상기 보조배선은 상기 드레인전극 및 소스전극과 동일층에 동일물질로 형성될 수 있다.

본 발명의 또 다른 실시예는, 기판의 표시영역에 위치하는 화소영역마다 화소전극을 형성하는 단계; 상기 화소전극과 인접하게 보조배선을 형성하는 단계; 상기 화소전극 상에 위치하는 제1 개구 및 상기 보조배선 상에 위치하는 제2 개구를 포함하는 화소정의막을 형성하는 단계; 상기 화소전극과 상기 보조배선 사이에 위치하는 화소정의막의 상면, 상기 화소전극 및 상기 보조배선 상에 중간층을 형성하는 단계; 상기 제1 개구 상에 발광층을 형성하는 단계; 상기 보조배선이 노출되도록 상기 중간층의 일부를 제거하여 콘택홀을 형성하는 단계; 및 상기 콘택홀을 통해 상기 보조배선과 콘택하도록, 상기 화소전극 및 상기 보조배선과 대응하는 대향전극을 형성하는 단계;를 포함하며, 상기 콘택홀을 형성하는 단계는, 상기 표시영역의 중심부에 위치하는 제1 화소영역에서의 상기 보조배선과 상기 대향전극 간의 총 콘택면적이, 상기 표시영역의 에지부에 위치하는 제2 화소영역에서의 상기 보조배선과 상기 대향전극 간의 총 콘택면적 보다 크도록 콘택홀을 형성하는, 유기 발광 표시 장치의 제조방법을 제공한다.

본 실시예에 있어서, 상기 콘택홀을 형성하는 단계는 레이저 빔을 이용할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 콘택홀을 형성하는 단계에서, 상기 제1 화소영역에서의 콘택홀의 크기가 상기 제2 화소영역에서의 콘택홀의 크기보다 크게 형성될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 콘택홀을 형성하는 단계에서, 상기 제1 화소영역에서의 콘택홀의 개수는 상기 제2 화소영역에서의 콘택홀의 개수보다 크게 형성될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 콘택홀을 형성하는 단계에서, 상기 콘택홀은 상기 표시영역의 중심을 가로지르는 가상의 이등분선을 기준으로 대칭적으로 형성될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 콘택홀을 형성하는 단계에서, 상기 보조배선과 상기 대향전극 간의 총 콘택면적이 상기 제1 화소영역에서 상기 제2 화소영역을 향하는 방향을 따라 점진적으로 감소하도록 콘택홀을 형성할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 보조배선은 상기 표시영역을 가로지르도록 제1 방향을 따라 연장된 제1 보조배선층, 및 상기 제1 보조배선층 상에 형성된 제2 보조배선층을 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제2 보조배선층은 상기 제2 개구와 대응되는 위치에 섬형으로 패터닝될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 기판은 소스전극, 드레인전극 및 게이트전극을 갖는 박막트랜지스터를 포함하고, 상기 보조배선을 형성하는 단계는, 상기 박막트랜지스터의 어느 일 전극과 동일층에 상기 제1 보조배선층을 형성하는 단계; 및 상기 화소전극과 동일층에 제2 보조배선층을 형성하는 단계;를 포함할 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 제1 보조배선층을 형성하는 단계는 상기 소스전극 및 상기 드레인전극을 형성하는 단계와 동일한 공정에서 수행될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 보조배선은 상기 화소전극과 동일층에 동일물질로 형성되며, 상기 보조배선을 형성하는 단계는 상기 화소전극을 형성하는 단계와 동일한 공정에서 수행될 수 있다.

본 실시예에 있어서, 상기 기판은 소스전극, 드레인전극 및 게이트전극을 갖는 박막트랜지스터를 포함하고, 상기 보조배선은 상기 소스전극 및 상기 드레인전극과 동일층에 동일물질로 형성되며, 상기 보조배선을 형성하는 단계는 상기 소스전극 및 상기 드레인전극을 형성하는 공정에서 함께 형성될 수 있다.

전술한 것 외의 다른 측면, 특징, 이점이 이하의 도면, 특허청구범위 및 발명의 상세한 설명으로부터 명확해질 것이다.

본 발명의 실시예들에 관한 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법은 제조가 용이하면서도 발광 안정성이 높은 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법을 구현할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 블록도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제2 전원전압배선과 대향전극의 전기적 연결을 나타낸 평면도이다.
도 3a는 도 2의 Ⅲa에 대응하는 평면도로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 제1 방향을 따라 배치된 화소들과 대응되는 화소영역들 및 보조배선을 나타낸다.
도 3b는 도 2의 Ⅲb에 대응하는 평면도로서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 제1 방향을 따라 배치된 화소들과 대응되는 화소영역들 및 보조배선을 나타낸다.
도 4는 도 3a의 A-A선 및 B-B선을 따라 취한 단면도로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제1 화소영역과 제2 화소영역을 나타낸다.
도 5는 도 3b의 C-C선 및 D-D선을 따라 취한 단면도로서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제1 화소영역과 제2 화소영역을 나타낸다.
도 6는 도 3a의 A-A선 및 B-B선을 따라 취한 단면도로서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제1 화소영역과 제2 화소영역을 나타낸다.
도 7는 도 3b의 C-C선 및 D-D선을 따라 취한 단면도로서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제1 화소영역과 제2 화소영역을 나타낸다.
도 8는 도 3a의 A-A선 및 B-B선을 따라 취한 단면도로서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제1 화소영역과 제2 화소영역을 나타낸다.
도 9는 도 3b의 C-C선 및 D-D선을 따라 취한 단면도로서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제1 화소영역과 제2 화소영역을 나타낸다.
도 10a 내지 도 10d는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 따른 단면도이다.
도 11a 내지 도 11d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 따른 단면도이다.
도 12a 내지 도 12d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 따른 단면도이다.
도 13a 내지 도 13d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 따른 단면도이다.
도 14a 내지 도 14d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 따른 단면도이다.
도 15a 내지 도 15d는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 따른 단면도이다.

본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시예를 가질 수 있는 바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 본 발명의 효과 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 다양한 형태로 구현될 수 있다.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 도면을 참조하여 설명할 때 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 도면부호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.

이하의 실시예에서, 제1, 제2 등의 용어는 한정적인 의미가 아니라 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소와 구별하는 목적으로 사용되었다.

이하의 실시예에서, 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다.

이하의 실시예에서, 포함하다 또는 가지다 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 또는 구성요소가 존재함을 의미하는 것이고, 하나 이상의 다른 특징들 또는 구성요소가 부가될 가능성을 미리 배제하는 것은 아니다.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등의 부분이 다른 부분 위에 또는 상에 있다고 할 때, 다른 부분의 바로 위에 있는 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 있는 경우도 포함한다.

도면에서는 설명의 편의를 위하여 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다. 예컨대, 도면에서 나타난 각 구성의 크기 및 두께는 설명의 편의를 위해 임의로 나타내었으므로, 본 발명이 반드시 도시된 바에 한정되지 않는다.

어떤 실시예가 달리 구현 가능한 경우에 특정한 공정 순서는 설명되는 순서와 다르게 수행될 수도 있다. 예를 들어, 연속하여 설명되는 두 공정이 실질적으로 동시에 수행될 수도 있고, 설명되는 순서와 반대의 순서로 진행될 수 있다.

이하의 실시예에서, 막, 영역, 구성 요소 등이 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소들이 직접적으로 연결된 경우뿐만 아니라 막, 영역, 구성요소들 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소들이 개재되어 간접적으로 연결된 경우도 포함한다. 예컨대, 본 명세서에서 막, 영역, 구성 요소 등이 전기적으로 연결되었다고 할 때, 막, 영역, 구성 요소 등이 직접 전기적으로 연결된 경우뿐만 아니라, 그 중간에 다른 막, 영역, 구성 요소 등이 개재되어 간접적으로 전기적 연결된 경우도 포함한다.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치를 개략적으로 나타낸 블록도이다.

도 1을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치(1)는 표시부(10), 주사 구동부(20), 데이터 구동부(30), 제1 전원공급부(40), 제2 전원공급부(50), 및 제어부(60)를 포함한다.

표시부(10)는 주사신호를 인가하는 주사선들(SL1-SLm) 및 데이터신호를 인가하는 데이터선들(DL1-DLn)의 교차영역에 위치하고, 매트릭스 형태로 배열되는 복수의 화소들(PX)을 포함한다. 화소(PX)는 주사선(SL), 데이터선(DL), 제1 전원전압(ELVDD) 및 제2 전원전압(ELVSS)을 인가하는 배선들에 연결된다. 화소(PX)는 복수의 박막트랜지스터 및 저장 커패시터를 포함하는 화소회로 및 유기 발광 소자(OLED)를 포함한다.

주사 구동부(20)는 복수의 주사선들(SL1-SLm) 을 통해 각 화소(PX)에 주사신호를 생성하여 전달하며, 데이터 구동부(30)는 복수의 데이터선들(DL1-DLn)을 통해 각 화소(PX)에 데이터신호를 생성하여 전달한다. 주사선들(SL-SLm) 각각은 동일 행에 배열된 화소들(PX)에 연결되고, 데이선들(DL1-DLm) 각각은 동일 열에 배열된 화소들(PX)에 연결된다. 화소들(PX)은 주사선들(SL1-SLn)을 통해 수신되는 주사신호에 응답하여 데이터선들(DL1-DLm)을 통해 수신되는 데이터신호의 논리 레벨에 따라 발광 또는 비발광할 수 있다.

제어부(60)는 외부로부터 영상 데이터를 수신하고, 주사 구동부(20), 데이터 구동부(30), 제1 전원공급부(40), 및 제2 전원공급부(50)를 제어할 수 있다. 제어부(60)는 복수의 제어 신호들 및 디저털 데이터를 생성하여 주사 구동부(20)에 제어신호를 제공하고, 데이터 구동부(30)에 제어신호 및 디지털 데이터를 제공하며, 제1,2 전원공급부(40, 50)에 제어 신호를 제공할 수 있다.

제1 전원공급부(40) 및 제2 전원공급부(50)는 제어부(60)의 제어 하에서 제1 전원 전압(ELVDD) 및 제2 전원전압(ELVSS)을 각각 생성할 수 있다. 제1 전원공급부(40)에서 생성된 제1 전원전압(ELVDD) 및 제2 전원공급부(50)에서 생성된 제2 전원전압(ELVSS)은 화소(PX)에 제공된다. 제1 전원전압(ELVDD)의 전압 레벨은 제2 전원전압(ELVSS)의 전압 레벨 보다 높다. 예컨대, 유기 발광 소자의 애노드에 제1 전원전압(ELVDD)이 인가되고 캐소드에 제2 전원전압(ELVSS)이 인가되면, 유기 발광 소자는 발광한다.

제1 전원전압(ELVDD) 및 제2 전원전압(ELVSS)은 표시부(10)에 형성된 전원 배선 망을 통해 화소에 제공된다. 제1 전원전압(ELVSS)을 각 화소에 제공하기 위한 제1 전원전압배선(400)은 도 1에 도시된 바와 같이, 서로 평행한 주전원배선들(410, 420) 및 주전원배선들(410, 420)을 연결하며 서로 평행한 복수의 보조배선들(530)을 포함한다.

주전원배선들(410, 420)은 표시부(10)의 외곽에 배치되며, 제2 방향을 따라 연장되며, 보조배선들(530)은 표시부(10)의 양단에 놓인 주전원배선들(410, 420)과 연결된 채로 제1 방향을 따라 서로 평행하게 연장된다. 각각의 보조배선들(530)은 제1 방향을 따라 배치된 복수의 화소(PX) 각각에 구비된 화소회로와 전기적으로 연결되어 제1 전원전압(ELVDD)을 제공한다.

제2 전원전압(ELVSS)을 대향전극(230, 도 2 참조)에 제공하기 위한 제2 전원전압배선(500)은 도 1, 2에 도시된 바와 같이, 서로 평행한 주전원배선들(510, 520) 및 주전원배선들(510, 520)을 연결하며 서로 평행한 복수의 보조배선들(530)을 포함한다. 주전원배선들(510, 520)은 제2 방향을 따라 연장되며, 보조배선들(530)은 표시부(10)의 양단에 놓인 주전원배선들(510, 520)과 연결된 채로 제1 방향을 따라 서로 평행하게 연장된다. 제2 전원전압배선(500)은 대향전극(230)과 전기적으로 연결되어 대향전극(230)으로 제2 전원전압(ELVSS)을 인가한다. 이하, 도 2를 참조하여 제2 전원전압배선(500)과 대향전극(230)간의 전기적 연결을 살펴본다.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제2 전원전압배선과 대향전극의 전기적 연결을 나타낸 평면도이다.

도 2를 참조하면, 표시영역(AA)은 복수의 화소영역(PA)을 포함하며, 각각의 화소영역(PA)마다 화소(PX)가 형성된다. 표시영역(AA)은 중심부(AC)와 에지부(AE)를 포함한다. 중심부(AC)는 하나 이상의 화소영역(PA)을 포함하고, 에지부(AE)는 하나 이상의 화소영역(PA)을 포함한다. 중심부(AC)와 에지부(AE) 사이에는 복수의 화소영역들(PA)이 배치될 수 있다.

대향전극(230)은 표시영역(AA)의 전면(全面)을 덮도록 형성되며, 한 쌍의 주전원배선(510, 520)은 표시영역(AA)의 양단에 배치될 수 있다.

한 쌍의 주전원배선(510, 520) 중 어느 하나의 주전원배선(510, 이하, 제1 주전원배선이라 함)은 제2 방향을 따라 연장되며, 나머지 하나의 주전원배선(520, 이하, 제2 주전원배선이라 함)은 제1 주전원배선(510)과 이격된 채로 제2 방향을 따라 연장된다.

제1,2 주전원배선(510, 520)은 대향전극(230)과 전기적으로 연결되며, 제2 전원공급부(50)에서 생성된 제2 전원전압(ELVSS)은 제1,2 주전원배선(510, 520)을 통해 대향전극(230)으로 인가될 수 있다. 일 실시예로, 제1,2 주전원배선(510, 520)은 적어도 일부분이 대향전극(230)과 직접 접촉함으로써 대향전극(230)과 전기적으로 연결될 수 있다. 또 다른 실시예로, 제1,2 주전원배선(510, 520)은 도전층이나 브릿지 배선과 같은 매개층 또는 매개구조(미도시)에 의해 대향전극(230)과 전기적으로 연결될 수 있다.

복수의 보조배선들(530)은 제1 주전원배선(510) 및 제2 주전원배선(520)과 연결되며, 표시영역(AA)을 가로지르도록 제2 방향과 수직인 제1 방향을 따라 연장된다. 복수의 보조배선들(530)은 상호 이격되어 평행하게 배치된다. 보조배선들(530)은 제1 방향을 따라 배열된 복수의 화소들(PX)이 이루는 열마다 하나씩 배치될 수 있다. 보조배선들(530)은 콘택영역(CNT)을 통해 대향전극(230)과 콘택되며, 콘택영역(CNT)은 화소(PX)마다 배치될 수 있다.

대향전극(230)은 표시영역(AA)의 전면에 형성되므로, 제1,2 주전원배선(510, 520)을 통해서만 대향전극(230)에 제2 전원전압이 제공된다면, 대향전극(230)에서의 전압강하(IR 드롭)에 의해 휘도 편차가 발생하는 문제가 있다. 그러나, 본 발명의 실시예에 따르면, 대향전극(230)과 보조배선(530)이 콘택하므로, 보조배선(530)이 없는 경우에 발생할 수 있는 대향전극(230)에서의 IR 드롭을 줄일 수 있으며, 휘도 편차의 발생을 감소시킬 수 있다.

제1,2 주전원배선(510, 520) 각각은 표시영역(AA)의 제1,2 장변부(e1, e2)를 따라 배치되며, 제1,2 주전원배선(510, 520)을 연결하도록 형성된 보조배선들(530)은 표시영역(AA)의 제1,2 단변부(e3, e4)와 평행하게 형성될 수 있다. 만약, 제1,2 주전원배선(510, 520)이 표시영역(AA)의 제1,2 단변부(e3, e4)를 따라 배치된다면, 보조배선(530)이 표시영역(AA)의 제1,2 장변부(e1, e2)와 평행하게 연장되므로, 보조배선(530) 자체의 길이가 증가하고, 길이 증가에 따른 선 저항 증가에 의해 IR 드롭이 생기거나 휘도 편차가 발생할 수 있다.

제1,2 주전원배선(510, 520)은 표시영역(AA)의 외곽에 배치되므로 보조배선들(530) 보다 폭을 크게 형성할 수 있다. 따라서, 제1,2 주전원배선(510, 520)은 보조배선(530)에 비하여 낮은 선 저항을 가지므로, 전류 흐름에 따른 IR 드롭은 무시할 수 있을 정도로 작다. 하지만, 보조배선들(530)은 표시영역(AA)을 가로지르도록 연장되므로 선폭이 작게 형성되며, 따라서 제1,2 주전원배선(510, 520)에 비하여 선 저항이 크다. 이 경우, 보조배선(530) 자체에 의한 IR 드롭이 생길 수 있으며, 이와 같은 현상은 유기 발광 표시 장치가 대형화됨에 따라 더욱 심화된다.

그러나, 본 발명의 실시예들에 따르면, 보조배선(530)에 의한 IR 드롭을 고려하여 보조배선(530)과 대향전극(230)이 접촉하는 위치별 총 콘택면적을 달리 형성함으로써, 보조배선의 선 저항에 따른 IR 드롭 및 그에 따른 휘도 편차를 해소할 수 있다.

예컨대, 제1,2 주전원배선(510, 520)과 멀리 배치되고 IR 드롭이 비교적 큰 표시영역(AA)의 중심부(AC)에 위치하는 화소와 대응되는 화소영역(이하, 제1 화소영역이라 함)에서의 콘택영역(CNT)의 총 면적과 제1,2 주전원배선(510, 520)과 인접하게 배치되고 IR 드롭이 비교적 작은 표시영역(AA)의 에지부(AE)에 위치하는 화소와 대응되는 화소영역(이하, 제2 화소영역이라 함)에서의 콘택영역(CNT)의 총 적 보다 크게 형성될 수 있다. 즉, 제1 화소영역에서의 보조배선(530)과 대향전극(230)간의 총 콘택면적은 제2 화소영역에서의 보조배선(530)과 대향전극(230)간의 총 콘택면적 보다 크게 형성될 수 있다.

보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 총 콘택면적은 보조배선(530)과 대향전극(230)을 연결하는 콘택홀의 크기 및/또는 개수를 조절함으로써 다르게 형성할 수 있다. 이하, 화소영역별 보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 총 콘택면적의 구성에 대하여 설명한다.

도 3a는 도 2의 Ⅲa에 대응하는 평면도로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 제1 방향을 따라 배치된 화소들(PX)과 대응되는 화소영역들(PA, PAedge, PAcenter) 및 보조배선(530)을 나타내며, 도 3b는 도 2의 Ⅲb에 대응하는 평면도로서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치에서 제1 방향을 따라 배치된 화소들(PX)과 대응되는 화소영역들(PA, PAedge, .PAcenter) 및 보조배선(530)을 나타낸다.

도 3a를 참조하면, 화소영역(PA, PAedge, .PAcenter)에 형성된 각 화소(PX)는 복수의 부화소(P1, P2, P3)를 포함할 수 있다. 도 3a에서는 적색, 녹색, 청색의 3개의 부화소(P1, P2, P3)가 하나의 화소(PX)를 이루는 경우를 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또 다른 실시예로서, 적색, 녹색, 청색, 및 백색의 4개의 부화소(미도시)가 하나의 화소(PX)를 이룰 수 있다.

제1 화소영역(PAcenter)에서의 보조배선(530)과 대향전극(230) 콘택홀의 크기는 제2 화소영역(PAedge)에서의 보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 콘택홀의 크기 보다 크게 형성될 수 있다. 따라서, 제1 화소영역(PAcenter)에서의 보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 콘택영역의 크기는 제2 화소영역(PAedge)에서의 보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 콘택영역의 크기 보다 크게 형성될 수 있다.

전술한 바와 같이 제1,2 주전원배선(510, 520)이 보조배선(530)의 양단에 형성되어 있고 보조배선(530)의 양단을 통해 제2 전원전압(ELVSS)이 인가되므로, 콘택홀들의 크기는 표시영역(AA)의 중심부(AC)를 가로지르는 가상의 이등분선(HL, 도 2 참조)을 기준으로 대칭이 되게 형성될 수 있다. 콘택홀의 크기는 보조배선(530)의 선 저항에 따른 IR 드롭을 고려하여, 제1화소영역(PAcenter)에서 제2 화소영역(PAedge)을 향하는 방향을 따라 점진적으로 감소하도록 형성될 수 있다.

도 3b를 참조하면, 제1 화소영역(PAcenter)에서의 보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 콘택홀의 개수는 제2 화소영역(PAedge)에서의 보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 콘택홀의 개수 보다 크게 형성될 수 있다. 따라서, 제1 화소영역(PAcenter)에서의 보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 콘택영역(CNT)의 개수는 제2 화소영역(PAedge)에서의 보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 콘택영역(CNT)의 개수 보다 크게 형성될 수 있다.

전술한 바와 같이 제1,2 주전원배선(510, 520)이 보조배선(530)의 양단에 형성되어 있으며 보조배선(530)의 양단을 통해 제2 전원전압(ELVSS)이 인가되므로, 콘택홀들의 개수는 표시영역(AA)의 중심부(AC, 또는 제1화소영역의 중심)를 가로지르는 가상의 이등분선(HL, 도 2 참조)을 기준으로 대칭이 되게 형성될 수 있다. 콘택홀의 개수는 보조배선(530)의 선 저항에 따른 IR 드롭을 고려하여, 제1 화소영역(PAcenter)에서 제2 화소영역(PAedge)을 향하는 방향을 따라 점진적으로 감소하도록 형성될 수 있다.

도 4는 도 3a의 A-A선 및 B-B선을 따라 취한 단면도로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제1 화소영역과 제2 화소영역을 나타낸다.

도 4를 참조하면, 기판(100) 상에 형성된 제1 화소영역(PAcenter) 및 제2 화소영역(PAedge) 각각에는 박막트랜지스터(TFT), 저장 커패시터(Cap), 유기발광소자(OLED), 및 보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 접속시키는 콘택홀(CH)이 형성된다. 콘택홀(CH)을 통해 보조배선(530)과 대향전극(230)이 접촉하면서 콘택영역(CNT)이 형성되며, 제1 화소영역(PAcenter)에서의 콘택홀(CH)의 크기는 제2 화소영역(PAedge)에서의 콘택홀(CT)의 크기보다 더 크게 형성된다.

기판(100)은 글라스재, 금속재, 또는 PET(Polyethylen terephthalate), PEN(Polyethylen naphthalate), 폴리이미드(Polyimide) 등과 같은 플라스틱재 등, 다양한 재료로 형성된 것일 수 있다.

기판(100) 상에는 불순물이 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층(310)으로 침투하는 것을 방지하기 위해 형성된 버퍼층(110), 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층(310)과 게이트전극(320)을 절연시키기 위한 게이트절연막(130), 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(330s)/드레인전극(330d)과 게이트전극(320)을 절연시키기 위한 층간절연막(150) 및 박막트랜지스터(TFT)를 덮으며 상면이 대략 평평한 평탄화막(170)이 형성될 수 있다.

박막트랜지스터(TFT)는 반도체층(310) 상에 게이트전극(320)이 형성되고, 게이트전극(320) 상에 소스전극(330s) 및 드레인전극(330d)이 형성될 수 있다. 저장 커패시터(Cap)는 게이트전극(320)과 동일층에 형성된 하부 전극 및 소스전극(330s) 및 드레인전극(330d)과 동일층에 형성된 상부전극을 포함하며, 층간절연막(150)이 커패시턴스를 결정할 수 있다.

화소전극(210)은 평탄화막(170) 상에 형성될 수 있으며, 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(330s) 및 드레인전극(330d) 중 어느 하나와 전기적으로 연결될 수 있다. 화소전극(210)은 화소별로 패터닝되며, 반사전극이 되도록 형성된다. 예컨대, 화소전극(210)은 Ag, Mg, Al, Pt, Pd, Au, Ni, Nd, Ir, Cr 또는 이들의 화합물 등으로 형성된 반사막(210b), 및 반사막(210b)의 상부와 하부에 위치하며 인듐틴옥사이드(ITO; indium tin oxide), 인듐징크옥사이드(IZO; indium zinc oxide), 징크옥사이드(ZnO; zinc oxide), 인듐옥사이드(In2O3 indium oxide)로 형성된 막들(210a, 210c)을 포함할 수 있다.

보조배선(530)은 제1 보조배선층(531) 및 제1 보조배선층(531) 상에 형성된 제2 보조배선층(532)을 포함할 수 있다. 제1 보조배선층(531)은 박막트랜지스터(TFT)의 어느 일 전극과 동일층에 위치할 수 있다. 예컨대, 제1 보조배선층(531)은 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(330s) 및 드레인전극(330d)과 동일층에 형성될 수 있다. 제2 보조배선층(532)은 화소전극(210)과 동일층에 형성될 수 있다.

제1 보조배선층(531)은 비교적 저항이 작은 소스전극(330s) 및 드레인전극(330d)과 동일층에 동일물질로 형성되며, 제1 방향으로 연장되어 제1,2 주전원배선(510, 520)과 전기적으로 연결된다. 제1 보조배선(530)을 통해 제2 전원전압(ELVSS)에 따른 전류가 흐른다. 저 저항의 제1 보조배선층(531)을 통해 인가되던 제2 전원전압(ELVSS)은 제2 보조배선층(532)을 통해 대향전극(230)으로 인가될 수 있다.

제2 보조배선층(532)은 콘택홀(CH)과 대응되는 위치에 섬형(island type)으로 패터닝되어 형성될 수 있다. 제1 보조배선층(531)과 대향전극(230)이 직접 접촉하지 않고 중간에 제2 보조배선층(532)을 개재함으로써, 평탄화막(170) 상의 공간을 활용하여 콘택영역(CNT)을 다양하게 설계할 수 있다.

화소정의막(180)은 화소전극(210) 및 보조배선(530) 상에 위치하며, 화소전극(210)의 상부를 노출시키는 제1 개구(OP1) 및 보조배선(530)의 일부, 즉 제2 보조배선층(532)을 노출시키는 제2 개구(op2)를 포함한다. 화소정의막(180)은 제1 개구(OP1)를 통해 화소를 정의하는 역할을 수행할 수 있으며, 화소전극(210)의 단부와 대향전극(230) 사이의 거리를 증가시킴으로써, 화소전극(210)의 단부에서 아크 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다.

제1 중간층(221)은 제1 개구(OP1)를 통해 노출된 화소전극(210)의 상부, 화소전극(210)과 보조배선(530) 사이에 위치하는 화소정의막(180)의 상면 및 보조배선(530) 상에 위치할 수 있다. 제1 중간층(211)은 복수의 화소들 상에 일체(一體)가 되도록 형성될 수 있다.

제1 중간층(221)은 다층 또는 단층 구조로 형성될 수 있다. 예컨대 제1 중간층(221)은 단층구조인 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)일 수 있다. 또 다른 실시예로서, 제1 중간층(221)은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)과 홀 수송층(HTL)을 포함할 수 있다.

제2 중간층(222)은 다층 또는 단층 구조로 형성될 수 있다. 제2 중간층(222)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다.

발광층(223)은 제1 중간층(221)과 제2 중간층(222) 사이에 개재될 수 있으며, 적색, 녹색, 청색, 백색에 해당하는 빛을 방출할 수 있는 저분자 유기물 또는 고분자 유기물을 포함할 수 있다.

본 실시예에서는 발광층(223)이 제1,2 중간층(221, 222) 사이에 개재된 경우를 도시하였으나, 본 발명은 이에 한정되지 않는다. 또 다른 실시예로서, 제1 중간층(221)과 발광층(223)을 고분자 물질로 형성하는 경우에 제2 중간층(222)은 생략될 수 있으며, 이 경우 발광층(223)은 제1 중간층(221)과 대향전극(230) 사이에 개재된다.

대향전극(230)은 복수의 화소들 상에 일체(一體)가 되도록 형성된다. 대향전극(230)은 광투과성 전극으로, 복수의 층을 포함할 수 있다. 예컨대, 대향전극(230)은 Li, Ca, LiF/Ca, LiF/Al, Al, Mg 또는 이들의 화합물로 된 층, 및 이 층 상부 및/또는 하부에 ITO, IZO, ZnO 또는 In₂O₃ 등으로 형성된 층을 포함할 수 있다.

제1,2 중간층(221, 222)은 화소정의막(180)의 제2 개구(OP2)와 대응되는 위치에 형성되며 보조배선(530)을 노출시키는 콘택홀(CH)을 포함하고, 대향전극(230)은 콘택홀(CH)을 통해 보조배선(530)과 콘택할 수 있다. 이 때, 표시영역(AA)의 중심부(AC)에 위치하는 제1 화소영역(PAcenter)의 콘택홀(CH)의 크기는 표시영역(AA)의 에지부(AE)에 위치하는 제2 화소영역(PAedge)의 콘택홀(CH)의 크기보다 크게 형성되므로, 제1 화소영역(PAcenter)에서의 총 콘택면적이 제2 화소영역(PAedge)에서의 총 콘택면적 보다 크다.

도 5는 도 3b의 C-C선 및 D-D선을 따라 취한 단면도로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제1 화소영역과 제2 화소영역을 나타낸다.

도 5를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 콘택홀(CH)의 개수 및 그에 따라 형성된 콘택영역(CNT)의 개수가 달라진 것을 제외하고 도 4를 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 동일한 구조를 가질 수 있다.

제1,2 중간층(221, 222)에 형성된 콘택홀(CH)을 통해 보조배선(530)과 대향전극(230)이 접촉하여 콘택영역(CNT)을 형성한다. 제1 화소영역(PAcenter)에서의 콘택홀(CH)의 개수는 제2 화소영역(PAedge)에서의 콘택홀(CT)의 개수 보다 더 크게 형성될 수 있다. 따라서, 제1 화소영역(PAcenter)에서의 총 콘택면적이 제2 화소영역(PAedge)에서의 총 콘택면적 보다 크다.

보조배선(530)은 제1 보조배선층(531) 및 제2 보조배선층(532)을 포함할 수 있으며 제2 보조배선층(532)은 콘택홀(CH)과 대응되도록 섬형으로 패터닝되므로, 제1 화소영역(PAcenter)에 위치하는 제2 보조배선층(532)의 개수는 콘택홀(CH)의 개수와 동일하다.

도 6은 도 3a의 A-A선 및 B-B선을 따라 취한 단면도로서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제1 화소영역과 제2 화소영역을 나타낸다.

도 6을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 보조배선(530)의 구성을 제외하고 도 4를 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 동일한 구조를 가질 수 있다.

본 실시예에 따르면, 보조배선(530)은 화소전극(210)과 동일층에 동일물질로 형성될 수 있다. 이 경우, 평탄화막(170)의 아래에 복수의 배선 및 소자들을 형성할 수 있으므로 화소회로 형성을 위한 공간을 충분히 확보할 수 있다.

화소전극(210)과 동일층에 형성된 보조배선(530)은 제1,2 중간층(221, 222)에 형성된 콘택홀(CH)을 통해 대향전극(230)과 콘택하여 콘택영역(CNT)을 형성한다. 이 때, 제1 화소영역(PAcenter)에서의 콘택홀(CH)의 크기는 제2 화소영역(PAedge)에서의 콘택홀(CT)의 크기 보다 더 크게 형성된다. 따라서, 제1 화소영역(PAcenter)에서의 총 콘택면적이 제2 화소영역(PAedge)에서의 총 콘택면적 보다 크다.

도 7는 도 3b의 C-C선 및 D-D선을 따라 취한 단면도로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제1 화소영역과 제2 화소영역을 나타낸다.

도 7을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 콘택홀(CH)의 개수 및 그에 따라 형성된 콘택영역(CNT)의 개수가 달라진 것을 제외하고 도 6을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 동일한 구조를 가질 수 있다.

제1,2 중간층(221, 222)에 형성된 콘택홀(CH)을 통해 보조배선(530)과 대향전극(230)이 접촉하여 콘택영역(CNT)을 형성한다. 보조배선(530)은 화소전극(210)과 동일층에 동일물질로 형성될 수 있다.

제1 화소영역(PAcenter)에서의 콘택홀(CH)의 개수는 제2 화소영역(PAedge)에서의 콘택홀(CT)의 개수 보다 더 크게 형성될 수 있다. 따라서, 제1 화소영역(PAcenter)에서의 총 콘택면적이 제2 화소영역(PAedge)에서의 총 콘택면적 보다 크다.

도 8은 도 3a의 A-A선 및 B-B선을 따라 취한 단면도로서, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제1 화소영역과 제2 화소영역을 나타낸다.

도 8을 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 보조배선(530)의 구성을 제외하고 도 4를 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 동일한 구조를 가질 수 있다.

본 실시예에 따르면, 보조배선(530)은 박막트랜지스터(TFT)의 일 전극과 동일층에 형성될 수 있다. 예컨대, 보조배선(530)은 소스전극(330s) 및 드레인전극(330d)과 동일층에 동일물질로 형성될 수 있다.

소스전극(330s) 및 드레인전극(330d)은 평탄화막(170)에 의해 덮여있으므로, 평탄화막(170)은 보조배선(530)의 상부를 노출하기 위하여 제2 개구(OP)와 대응되는 위치에 형성된 관통홀(TH)을 포함한다. 제2 개구(OP2)와 관통홀(TH)은 실질적으로 동일한 사이즈로 형성되며, 콘택홀(CH)은 제2 개구(OP2)와 관통홀(TH)의 크기와 같거나 그보다 작게 형성된다.

소스전극(330s) 및 드레인전극(330d)과 동일층에 형성된 보조배선(530)은 제1,2 중간층(221, 222)에 형성된 콘택홀(CH)을 통해 대향전극(230)과 콘택하여 콘택영역(CNT)을 형성한다.

이 때, 제1 화소영역(PAcenter)에서의 콘택홀(CH)의 크기는 제2 화소영역(PAedge)에서의 콘택홀(CT)의 크기 보다 더 크게 형성된다. 따라서, 제1 화소영역(PAcenter)에서의 총 콘택면적이 제2 화소영역(PAedge)에서의 총 콘택면적 보다 크다.

도 9는 도 3b의 C-C선 및 D-D선을 따라 취한 단면도로서, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제1 화소영역과 제2 화소영역을 나타낸다.

도 9를 참조하면, 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치는 콘택홀(CH)의 개수 및 그에 따라 형성된 콘택영역(CNT)의 개수가 달라진 것을 제외하고 도 8을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 동일한 구조를 가질 수 있다.

보조배선(530)은 박막트랜지스터(TFT)의 일 전극과 동일층에 형성될 수 있다. 예컨대, 보조배선(530)은 소스전극(330s) 및 드레인전극(330d)과 동일층에 동일물질로 형성될 수 있다. 소스전극(330s) 및 드레인전극(330d)은 평탄화막(170)에 의해 덮여있으므로, 평탄화막(170)은 보조배선(530)의 상부를 노출하기 위하여 제2 개구(OP)와 대응되는 위치에 형성된 관통홀(TH)을 포함한다. 제2 개구(OP2)와 관통홀(TH)은 실질적으로 동일한 사이즈로 형성되며, 콘택홀(CH)은 제2 개구(OP2)와 관통홀(TH)의 크기와 같거나 그보다 작게 형성된다.

도 10a 내지 도 10e는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법에 따른 단면도로서, 제1 화소영역과 제2 화소영역을 나타낸다. 본 실시예에 따른 제조 방법에 의해 제조된 유기 발광 표시 장치는 도 4를 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 대응된다.

도 10a를 참조하면, 기판(100)의 표시영역에 위치하는 화소영역(PAedge, PAcenter)마다 화소전극(210) 및 보조배선(530)을 형성한다. 화소전극(210)은 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(330S) 및 드레인전극(330D) 중 어느 하나와 전기적으로 연결된다.

화소전극(210)과 보조배선(530)이 형성되기에 앞서 다양한 층들이 형성될 수 있다. 기판(100) 상에는 불순물이 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층(310)으로 침투하는 것을 방지하기 위해 형성된 버퍼층(110), 박막트랜지스터(TFT)의 반도체층(310)과 게이트전극(320)을 절연시키기 위한 게이트절연막(130), 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(330s)/드레인전극(330d)과 게이트전극(320)을 절연시키기 위한 층간절연막(150)이 형성될 수 있다.

보조배선(530)은 소스전극(330S) 및 드레인전극(330D)과 동일층에 형성된 제1 보조배선층(531) 및 화소전극(210)과 동일층에 형성된 제2 보조배선층(532)을 포함한다. 제1 보조배선층(531)은 소스전극(330S) 및 드레인전극(330D)의 제조 공정에서 함께 형성되고, 제2 보조배선층(532)은 화소전극(210)의 제조 공정에서 함께 형성된다.

층간절연막(150)상에 금속층(미도시)을 형성한 후 이를 패터닝하여 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(330S) 및 드레인전극(330D), 및 제1 보조배선층(531)이 형성된다. 이 후, 소스전극(330S) 및 드레인전극(330D) 중 어느 하나, 및 제1 보조배선층(531)의 일부를 노출시키는 비아홀을 포함하는 평탄화막(170)이 형성된다. 평탄화막(170) 상에 반사전극층(미도시)을 형성한 후 이를 패터닝하여 화소전극(210) 및 제2 보조배선층(532)을 형성한다. 제1 보조배선층(531)은 앞서 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이 제1 방향을 따라 길게 형성된다. 반면에 제2 보조배선층(532)은 섬형(island type)으로 패터닝될 수 있다.

저장 커패시터(Cap)는 게이트전극(320)과 동일층에 형성된 하부 전극 및 소스전극(330s) 및 드레인전극(330d)과 동일층에 형성된 상부전극을 포함하며, 층간절연막(150)이 커패시턴스를 결정할 수 있다.

도 10b를 참조하면, 화소전극(210)의 상부를 노출시키는 제1 개구(OP1) 및 보조배선(530)의 일부, 예컨대 제2 보조배선층(532)의 상부를 노출시키는 제2 개구(OP2)를 포함하는 화소정의막(180)을 형성한다. 이후, 제1 개구(OP1)를 통해 노출된 화소전극(210)의 상부, 화소전극(210)과 보조배선(530) 사이에 위치하는 화소정의막(180)의 상면 및 보조배선(530) 상에 제1 중간층(221)을 형성한다. 제1 중간층(221)은 단층구조인 홀 수송층(HTL: Hole Transport Layer)일 수 있다. 또 다른 실시예로서, 제1 중간층(221)은 홀 주입층(HIL: Hole Injection Layer)과 홀 수송층(HTL)을 포함할 수 있다.

제1 개구(OP1)에 위치하도록 제1 중간층(221) 상에 발광층(223)을 형성하고, 제1 중간층(221) 상에 제2 중간층(222)을 형성한다. 제2 중간층(222)은 전자 수송층(ETL: Electron Transport Layer) 및/또는 전자 주입층(EIL: Electron Injection Layer)을 포함할 수 있다. 본 실시예에서는 제2 중간층(222)이 형성되는 단계를 포함하나, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 또 다른 실시예로서, 제2 중간층(222)은 생략될 수 있다.

도 10c를 참조하면, 제2 개구(OP2) 내부에 형성된 제1,2 중간층(221, 222)을 제거하도록 레이저 빔을 조사하여 콘택홀(CH)을 형성한다. 레이저 빔의 크기가 콘택홀(CH)의 크기를 결정하므로, 제1 화소영역(PAcenter)에는 제2 화소영역(PAedge)에 조사되는 레이저 빔의 크기 보다 큰 레이저 빔을 사용한다. 따라서, 제1 화소영역(PAcenter)에 형성된 콘택홀(CH)의 크기는 제2 화소영역(PAedge)에 형성된 콘택홀(CH)의 크기 보다 크게 형성된다.

도 10d를 참조하면, 화소전극(210) 및 보조배선(530)과 대응하도록 대향전극(230)을 형성한다. 대향전극(230)은 복수의 화소영역에 걸쳐 일체로 형성되며, 복수의 화소영역을 덮을 수 있다. 이 때, 대향전극(230)은 콘택홀(CH)을 통해 노출된 보조배선(530), 예컨대 제2 보조배선층(532)과 직접 콘택할 수 있다.

전술한 바와 같이 제1 화소영역(PAcenter)의 콘택홀(CH)의 크기가 제2 화소영역(PAedge)의 콘택홀(CH)의 크기 보다 크기 때문에 제1 화소영역(PAcenter)에서의 보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 총 콘택면적은 제2 화소영역(PAedge)에서의 보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 총 콘택면적 보다 크다.

상술한 제조방법을 통해 화소영역마다 보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 총 콘택면적을 다르게 형성할 수 있다. 보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 총 콘택면적은 콘택홀(CH)의 크기에 의해 정해질 수 있다. 본 실시예에 따른 제조 방법을 사용하여, 도 1 내지 도 3a를 참조하여 설명한 바와 같이, 제1 화소영역(PAcenter)에서 제2 화소영역(PAedge)을 향하는 방향을 따라 보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 총 콘택면적이 점차 감소하도록 콘택홀(CH)의 크기를 점차 감소하도록 형성할 수 있으며, 화소영역별 콘택홀은 표시영역의 중심을 가로지르는 가상의 이등분선(HL, 도 2 참조)을 기준으로 대칭적으로 형성될 수 있다.

도 11a 내지 도 11e는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도로서, 제1 화소영역과 제2 화소영역을 나타낸다. 본 실시예에 따른 제조 방법에 의해 제조된 유기 발광 표시 장치는 도 5를 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 대응된다. 본 실시예에 따른 제조 방법은 콘택홀(CH)의 개수를 달리하는 점을 제외하고 도 10a 내지 도 10d를 참조하여 설명한 제조 방법과 실질적으로 동일하다.

도 11a를 참조하면, 기판(100)의 표시영역에 위치하는 화소영역(PAedge, PAcenter)마다 화소전극(210) 및 보조배선(530)을 형성한다. 보조배선(530)은 소스전극(330S) 및 드레인전극(330D)과 동일층에 형성된 제1 보조배선층(531) 및 화소전극(210)과 동일층에 형성된 제2 보조배선층(532)을 포함한다.

층간절연막(150)상에 금속층(미도시)을 형성한 후 이를 패터닝하여 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(330S) 및 드레인전극(330D), 및 제1 보조배선층(531)이 형성된다. 이 후, 소스전극(330S) 및 드레인전극(330D) 중 어느 하나, 및 제1 보조배선층(531)의 일부를 노출시키는 비아홀을 포함하는 평탄화막(170)이 형성된다. 평탄화막(170) 상에 반사전극층(미도시)을 형성한 후 이를 패터닝하여 화소전극(210) 및 제2 보조배선층(532)을 형성한다. 제1 보조배선층(531)은 앞서 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이 제1 방향을 따라 길게 형성된다. 반면에 제2 보조배선층(532)은 섬형(island type)으로 패터닝될 수 있다. 이 때, 제1 화소영역(PAcenter)에는 복수의 제2 보조배선층들이 상호 이격되어 형성된다.

도 11b를 참조하면, 화소전극(210)의 상부를 노출시키는 제1 개구(OP1) 및 보조배선(530)의 일부, 예컨대 제2 보조배선층(532)의 상부를 노출시키는 제2 개구(OP2)를 포함하는 화소정의막(180)을 형성한다. 화소정의막(180)의 제2 개구(OP2)는 제1 화소영역(PAcenter)에 구비된 복수의 제2 보조배선층(532)에 대응하여 복수개 형성된다.

이후, 제1 개구(OP1)를 통해 노출된 화소전극(210)의 상부, 화소전극(210)과 보조배선(530) 사이에 위치하는 화소정의막(180)의 상면 및 보조배선(530) 상에 제1 중간층(221)을 형성한다. 제1 개구(OP1)에 위치하도록 제1 중간층(221) 상에 발광층(223)을 형성하고, 제1 중간층(221) 상에 제2 중간층(222)을 형성한다. 본 실시예에서는 제2 중간층(222)이 형성되는 단계를 포함하나, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 또 다른 실시예로서, 제2 중간층(222)은 생략될 수 있다.

도 11c를 참조하면, 2 개구(OP2) 내부에 형성된 제1,2 중간층(221, 222)을 제거하도록 레이저 빔을 조사하여 콘택홀(CH)을 형성한다. 제1 화소영역(PAcenter)에 조사되는 레이저 빔의 크기와 제2 화소영역(PAedge)에 조사되는 레이저 빔의 크기는 동일할 수 있다. 그러나, 제1 화소영역(PAcenter)에는 복수의 위치에 레이저 빔에 조사되므로, 제1 화소영역(PAcenter)에 형성되는 콘택홀(CH)의 개수는 제2 화소영역(PAedge)에 형성되는 콘택홀(CH)의 개수보다 크다.

도 11d를 참조하면, 화소전극(210) 및 보조배선(530)과 대응하도록 대향전극(230)을 형성한다. 대향전극(230)은 콘택홀(CH)을 통해 노출된 보조배선(530), 예컨대 제2 보조배선층(532)과 직접 콘택할 수 있다.

전술한 바와 같이 제1 화소영역(PAcenter)의 콘택홀(CH)의 개수가 제2 화소영역(PAedge)의 콘택홀(CH)의 개수 보다 크기 때문에 제1 화소영역(PAcenter)에서의 보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 총 콘택면적은 제2 화소영역(PAedge)에서의 보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 총 콘택면적 보다 크다.

상술한 제조방법을 통해 화소영역마다 보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 총 콘택면적을 다르게 형성할 수 있다. 보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 총 콘택면적은 콘택홀(CH)의 개수에 의해 정해질 수 있다. 본 실시예에 따른 제조 방법을 사용하여, 도 1 내지 도 3a를 참조하여 설명한 바와 같이, 제1 화소영역(PAcenter)에서 제2 화소영역(PAedge)을 향하는 방향을 따라 보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 총 콘택면적이 점차 감소하도록 콘택홀(CH)의 개수를 점차 감소하도록 형성할 수 있으며, 화소영역별 콘택홀은 표시영역의 중심을 가로지르는 가상의 이등분선(HL, 도 2 참조)을 기준으로 대칭적으로 형성될 수 있다.

도 12a 내지 도 12e는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도로서, 제1 화소영역과 제2 화소영역을 나타낸다. 본 실시예에 따른 제조 방법에 의해 제조된 유기 발광 표시 장치는 도 6을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 대응된다.

도 12a를 참조하면, 기판(100)의 표시영역에 위치하는 화소영역(PAedge, PAcenter)마다 화소전극(210) 및 보조배선(530)을 형성한다. 화소전극(210)은 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(330S) 및 드레인전극(330D) 중 어느 하나와 전기적으로 연결된다. 보조배선(530)은 화소전극(210)과 동일층에 형성될 수 있다.

평탄화막(170) 상에 반사전극층(미도시)을 형성한 후 이를 패터닝하여 화소전극(210) 및 보조배선(530)을 형성한다. 보조배선(530)은 앞서 도 2를 참조하여 설명한 바와 같이 제1 방향을 따라 길게 형성된다.

도 12b를 참조하면, 화소전극(210)의 상부를 노출시키는 제1 개구(OP1) 및 보조배선(530)의 일부, 예컨대 제2 보조배선층(532)의 상부를 노출시키는 제2 개구(OP2)를 포함하는 화소정의막(180)을 형성한다. 이후, 제1 개구(OP1)를 통해 노출된 화소전극(210)의 상부, 화소전극(210)과 보조배선(530) 사이에 위치하는 화소정의막(180)의 상면 및 보조배선(530) 상에 제1 중간층(221)을 형성한다.

제1 개구(OP1)에 위치하도록 제1 중간층(221) 상에 발광층(223)을 형성하고, 제1 중간층(221) 상에 제2 중간층(222)을 형성한다. 본 실시예에서는 제2 중간층(222)이 형성되는 단계를 포함하나, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 또 다른 실시예로서, 제2 중간층(222)은 생략될 수 있다.

도 12c를 참조하면, 제2 개구(OP2) 내부에 형성된 제1,2 중간층(221, 222)을 제거하도록 레이저 빔을 조사하여 콘택홀(CH)을 형성한다. 레이저 빔의 크기가 콘택홀(CH)의 크기를 결정하므로, 제1 화소영역(PAcenter)에는 제2 화소영역(PAedge)에 조사되는 레이저 빔의 크기 보다 큰 레이저 빔을 사용한다. 따라서, 제1 화소영역(PAcenter)에 형성된 콘택홀(CH)의 크기는 제2 화소영역(PAedge)에 형성된 콘택홀(CH)의 크기 보다 크게 형성된다.

도 12d를 참조하면, 화소전극(210) 및 보조배선(530)과 대응하도록 대향전극(230)을 형성한다. 대향전극(230)은 콘택홀(CH)을 통해 노출된 보조배선(530), 예컨대 제2 보조배선층(532)과 직접 콘택할 수 있다.

도 13a 내지 도 13e는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도로서, 제1 화소영역과 제2 화소영역을 나타낸다. 본 실시예에 따른 제조 방법에 의해 제조된 유기 발광 표시 장치는 도 7을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 대응된다. 본 실시예에 따른 제조 방법은 콘택홀(CH)의 개수를 달리하는 점을 제외하고 도 12a 내지 도 12d를 참조하여 설명한 제조 방법과 실질적으로 동일하다.

도 13a를 참조하면, 기판(100)의 표시영역에 위치하는 화소영역(PAedge, PAcenter)마다 화소전극(210) 및 보조배선(530)을 형성한다. 화소전극(210)은 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(330S) 및 드레인전극(330D) 중 어느 하나와 전기적으로 연결된다. 보조배선(530)은 화소전극(210)과 동일층에 형성될 수 있다.

도 13b를 참조하면, 화소전극(210)의 상부를 노출시키는 제1 개구(OP1) 및 보조배선(530)의 일부를 노출시키는 제2 개구(OP2)를 포함하는 화소정의막(180)을 형성한다. 제1 화소영역(PAcenter)에는 제2 개구(OP2)가 복수개 형성된다.

도 13c를 참조하면, 제2 개구(OP2) 내부에 형성된 제1,2 중간층(221, 222)을 제거하도록 레이저 빔을 조사하여 콘택홀(CH)을 형성한다. 제1 화소영역(PAcenter)에 조사되는 레이저 빔의 크기와 제2 화소영역(PAedge)에 조사되는 레이저 빔의 크기는 동일할 수 있다. 그러나, 제1 화소영역(PAcenter)에는 복수의 위치에 레이저 빔에 조사되므로, 제1 화소영역(PAcenter)에 형성되는 콘택홀(CH)의 개수는 제2 화소영역(PAedge)에 형성되는 콘택홀(CH)의 개수보다 크다.

도 13d를 참조하면, 화소전극(210) 및 보조배선(530)과 대응하도록 대향전극(230)을 형성한다. 대향전극(230)은 콘택홀(CH)을 통해 노출된 보조배선(530), 예컨대 제2 보조배선층(532)과 직접 콘택할 수 있다.

상술한 제조방법을 통해 화소영역마다 보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 총 콘택면적을 다르게 형성할 수 있다. 보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 총 콘택면적은 콘택홀(CH)의 개수에 의해 정해질 수 있다. 본 실시예에 따른 제조 방법을 사용하여, 도 1 내지 도 3a를 참조하여 설명한 바와 같이, 제1 화소영역(PAcenter)에서 제2 화소영역(PAedge)을 향하는 방향을 따라 보조배선(530)과 대향전극(230) 간의 총 콘택면적이 점차 감소하도록 콘택홀(CH)의 개수를 점차 감소하도록 형성할 수 있다. 화소영역별 콘택홀은 표시영역의 중심을 가로지르는 가상의 이등분선(HL, 도 2 참조)을 기준으로 대칭적으로 형성될 수 있다.

도 14a 내지 도 14e는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도로서, 제1 화소영역과 제2 화소영역을 나타낸다. 본 실시예에 따른 제조 방법에 의해 제조된 유기 발광 표시 장치는 도 8을 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 대응된다.

도 14a를 참조하면, 기판(100)의 표시영역에 위치하는 화소영역(PAedge, PAcenter)마다 화소전극(210) 및 보조배선(530)을 형성한다. 화소전극(210)은 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(330S) 및 드레인전극(330D) 중 어느 하나와 전기적으로 연결되고, 보조배선(530)은 소스전극(330S) 및 드레인전극(330D)과 동일층에 형성된다.

먼저, 층간절연막(150)상에 금속층(미도시)을 형성한 후 이를 패터닝하여 박막트랜지스터(TFT)의 소스전극(330S) 및 드레인전극(330D), 및 보조배선(530)이 형성된다. 이 후, 평탄화막(170)을 형성하고, 평탄화막(170) 상에 반사전극층(미도시)을 형성한 후 이를 패터닝하여 화소전극(210)을 형성한다.

다음으로, 절연층(미도시)을 도포한 후 패터닝하여 화소전극(210)의 상부를 노출시키는 제1 개구(OP1) 및 보조배선(530)의 일부와 대응되는 위치에 형성된 제2 개구(OP2)를 포함하는 화소정의막(180)을 형성한다.

화소정의막(180)의 제2 개구(OP2)를 형성할 때, 화소정의막(180)의 아래에 위치한 평탄화막(170)도 함께 패터닝하여 제2 개구(OP2)와 대응되는 위치에 형성된 관통홀(TH)을 형성한다. 동일 공정에서 함께 패터닝되므로, 제2 개구(OP2)와 관통홀(TH)은 실질적으로 동일한 크기를 갖도록 형성될 수 있다.

도 14b를 참조하면, 제1 개구(OP1)를 통해 노출된 화소전극(210)의 상부, 화소전극(210)과 보조배선(530) 사이에 위치하는 화소정의막(180)의 상면 및 제2 개구(OP2) 및 관통홀(TH)을 통해 노출된 보조배선(530) 상에 제1 중간층(221)을 형성한다. 제1 개구(OP1)에 위치하도록 제1 중간층(221) 상에 발광층(223)을 형성하고, 제1 중간층(221) 상에 제2 중간층(222)을 형성한다. 본 실시예에서는 제2 중간층(222)이 형성되는 단계를 포함하나, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 또 다른 실시예로서, 제2 중간층(222)은 생략될 수 있다.

도 14c를 참조하면, 2 개구(OP2) 내부에 형성된 제1,2 중간층(221, 222)을 제거하도록 레이저 빔을 조사하여 콘택홀(CH)을 형성한다. 제1 화소영역(PAcenter)에는 제2 화소영역(PAedge)에 조사되는 레이저 빔의 크기 보다 큰 레이저 빔을 사용한다. 따라서, 제1 화소영역(PAcenter)에 형성된 콘택홀(CH)의 크기는 제2 화소영역(PAedge)에 형성된 콘택홀(CH)의 크기 보다 크게 형성된다.

도 14d를 참조하면, 화소전극(210) 및 보조배선(530)과 대응하도록 대향전극(230)을 형성한다. 대향전극(230)은 콘택홀(CH)을 통해 노출된 보조배선(530), 예컨대 제2 보조배선층(532)과 직접 콘택할 수 있다.

도 15a 내지 도 15e는 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 표시 장치의 제조 방법을 나타낸 단면도로서, 제1 화소영역과 제2 화소영역을 나타낸다. 본 실시예에 따른 제조 방법에 의해 제조된 유기 발광 표시 장치는 도 9를 참조하여 설명한 유기 발광 표시 장치와 대응된다. 본 실시예에 따른 제조 방법은 콘택홀(CH)의 개수를 달리하는 점을 제외하고 도 14a 내지 도 14d를 참조하여 설명한 제조 방법과 실질적으로 동일하다.

. 도 15a를 참조하면, 기판(100)의 표시영역에 위치하는 화소영역(PAedge, PAcenter)마다 화소전극(210) 및 보조배선(530)을 형성한다.

다음으로, 절연층(미도시)을 도포한 후 패터닝하여 화소전극(210)의 상부를 노출시키는 제1 개구(OP1) 및 보조배선(530)의 일부와 대응되는 위치에 형성된 제2 개구(OP2)를 포함하는 화소정의막(180)을 형성한다. 이 때, 제2 개구(OP2)는 보조배선(530) 상에서 복수개 형성될 수 있다.

도 15b를 참조하면, 제1 개구(OP1)를 통해 노출된 화소전극(210)의 상부, 화소전극(210)과 보조배선(530) 사이에 위치하는 화소정의막(180)의 상면 및 제2 개구(OP2) 및 관통홀(TH)을 통해 노출된 보조배선(530) 상에 제1 중간층(221)을 형성한다. 제1 개구(OP1)에 위치하도록 제1 중간층(221) 상에 발광층(223)을 형성하고, 제1 중간층(221) 상에 제2 중간층(222)을 형성한다. 본 실시예에서는 제2 중간층(222)이 형성되는 단계를 포함하나, 본 발명은 이에 한정하지 않는다. 또 다른 실시예로서, 제2 중간층(222)은 생략될 수 있다.

도 15c를 참조하면, 2 개구(OP2) 내부에 형성된 제1,2 중간층(221, 222)을 제거하도록 레이저 빔을 조사하여 콘택홀(CH)을 형성한다. 제1 화소영역(PAcenter)에 조사되는 레이저 빔의 크기와 제2 화소영역(PAedge)에 조사되는 레이저 빔의 크기는 동일할 수 있다. 그러나, 제1 화소영역(PAcenter)에는 복수의 위치에 레이저 빔에 조사되므로, 제1 화소영역(PAcenter)에 형성되는 콘택홀(CH)의 개수는 제2 화소영역(PAedge)에 형성되는 콘택홀(CH)의 개수보다 크다.

도 15d를 참조하면, 화소전극(210) 및 보조배선(530)과 대응하도록 대향전극(230)을 형성한다. 대향전극(230)은 콘택홀(CH)을 통해 노출된 보조배선(530), 예컨대 제2 보조배선층(532)과 직접 콘택할 수 있다.

이와 같이 본 발명은 도면에 도시된 일 실시예를 참고로 하여 설명하였으나 이는 예시적인 것에 불과하며 당해 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 실시예의 변형이 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

410, 420: 제1 전원공급배선의 주배선들
430: 제1 전원공급배선의 보조배선들
510, 520: 제2 전원공급배선의 주배선들
530: 제2 전원공급배선의 보조배선들
531: 제1 보조배선층
532: 제2 보조배선층
210: 화소전극
221: 제1 중간층
222: 제2 중간층
223: 발광층
230: 대향전극

Claims

기판의 표시영역에 위치하는 화소영역마다 형성된 화소전극들;
화소전극들과 인접하게 형성된 보조배선들;
상기 화소전극들 상에 형성된 발광층들; 및
상기 화소전극들 및 상기 보조배선들과 대응하도록 상기 발광층 상에 위치하되, 콘택홀들을 통해 상기 보조배선들과 콘택하는 대향전극;을 포함하며,
상기 표시영역의 중심부에 위치하는 제1 화소영역에서의 상기 보조배선과 상기 대향전극 간의 총 콘택면적은, 상기 표시영역의 에지부에 위치하는 제2 화소영역에서의 상기 보조배선과 상기 대향전극 간의 총 콘택면적 보다 큰, 유기 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 화소영역에서의 상기 보조배선과 상기 대향전극 간의 콘택홀의 크기는 상기 제2 화소영역에서의 상기 보조배선과 상기 대향전극 간의 콘택홀의 크기 보다 큰, 유기 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 화소영역에서의 상기 보조배선과 상기 대향전극 간의 콘택홀의 개수는 상기 제2 화소영역에서의 상기 보조배선과 상기 대향전극 간의 콘택홀의 개수보다 큰, 유기 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 제1 화소영역에서 상기 제2 화소영역을 향하는 방향을 따라 상기 보조 배선과 상기 대향전극 간의 총 콘택면적은 점진적으로 감소하는, 유기 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 콘택홀들은 상기 표시영역의 중심을 가로지르는 가상의 이등분선을 기준으로 대칭적으로 형성되는, 유기 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 보조배선들은 상기 표시영역의 일단에서 상기 표시영역의 타단을 향해 상기 표시영역을 가로지르도록 서로 평행하게 연장되는, 유기 발광 표시 장치.
제6항에 있어서,
상기 표시영역의 일단은 상기 표시영역의 제1 장변부이고, 상기 표시영역의 타단은 상기 표시영역의 제2 장변부인, 유기 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 화소전극들에 제1 전원전압을 제공하는 제1 전원전압배선, 및 상기 대향전극에 상기 제1 전원전압보다 낮은 레벨의 제2 전원전압을 제공하는 제2 전원전압배선을 포함하고,
상기 제2 전원전압배선은,
상기 표시영역의 양단에 형성된 제1 주전원배선 및 제2 주전원배선; 및
양단이 각각 상기 제1 주전원배선 및 상기 제2 주전원배선과 연결되며, 상기 표시영역을 가로지는 보조배선들;을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 화소전극들 상에 형성되는 제1 개구들 및 상기 보조배선들 상에 형성되는 제2 개구들을 포함하는 화소정의막; 및
상기 화소전극들과 상기 보조배선들 사이에 위치하는 화소정의막의 상면, 상기 화소전극들 및 상기 보조배선들 상에 위치하는 중간층;을 더 포함하며,
상기 중간층은 상기 보조배선들의 상부를 노출시키도록 형성된 콘택홀을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
소스전극, 드레인전극 및 게이트전극을 갖는 박막트랜지스터를 더 구비하고,
상기 보조배선 각각은,
상기 박막트랜지스터의 어느 일 전극과 동일층에 위치한 제1 보조배선층; 및
상기 화소전극과 동일층에 위치한 제2 보조배선층;을 포함하는, 유기 발광 표시 장치.
제10항에 있어서,
상기 제2 보조배선층은 상기 대향전극과 상기 콘택홀들을 통해 직접 접촉하는, 유기 발광 표시 장치.
제10항에 있어서,
상기 소스전극과 상기 드레인전극은 상기 게이트전극 보다 상부에 위치하며, 상기 제1 보조배선층은 상기 소스전극 및 상기 드레인전극과 동일층에 위치하는, 유기 발광 표시 장치.
제10항에 있어서,
상기 제1 보조배선층은 상기 표시영역을 가로지르도록 제1 방향을 따라 연장되며,
상기 제2 보조배선층은 상기 콘택홀과 대응되는 위치에 섬형(island type)으로 패터닝된, 유기 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 보조배선은 상기 화소전극과 동일층에 동일물질로 형성된, 유기 발광 표시 장치.
제1항에 있어서,
소스전극, 드레인전극 및 게이트전극을 갖는 박막트랜지스터를 더 구비하고, 상기 보조배선은 상기 드레인전극 및 소스전극과 동일층에 동일물질로 형성된, 유기 발광 표시 장치.
기판의 표시영역에 위치하는 화소영역마다 화소전극을 형성하는 단계;
상기 화소전극과 인접하게 보조배선을 형성하는 단계;
상기 화소전극 상에 위치하는 제1 개구 및 상기 보조배선 상에 위치하는 제2 개구를 포함하는 화소정의막을 형성하는 단계;
상기 화소전극과 상기 보조배선 사이에 위치하는 화소정의막의 상면, 상기 화소전극 및 상기 보조배선 상에 중간층을 형성하는 단계;
상기 제1 개구 상에 발광층을 형성하는 단계;
상기 보조배선이 노출되도록 상기 중간층의 일부를 제거하여 콘택홀을 형성하는 단계; 및
상기 콘택홀을 통해 상기 보조배선과 콘택하도록, 상기 화소전극 및 상기 보조배선과 대응하는 대향전극을 형성하는 단계;를 포함하며,
상기 콘택홀을 형성하는 단계는,
상기 표시영역의 중심부에 위치하는 제1 화소영역에서의 상기 보조배선과 상기 대향전극 간의 총 콘택면적이, 상기 표시영역의 에지부에 위치하는 제2 화소영역에서의 상기 보조배선과 상기 대향전극 간의 총 콘택면적 보다 크도록 콘택홀을 형성하는, 유기 발광 표시 장치의 제조방법.
제16항에 있어서,
상기 콘택홀을 형성하는 단계는 레이저 빔을 이용하는, 유기 발광 표시 장치의 제조방법.
제16항에 있어서,
상기 콘택홀을 형성하는 단계에서,
상기 제1 화소영역에서의 콘택홀의 크기가 상기 제2 화소영역에서의 콘택홀의 크기보다 크게 형성된, 유기 발광 표시 장치의 제조방법.
제16항에 있어서,
상기 콘택홀을 형성하는 단계에서,
상기 제1 화소영역에서의 콘택홀의 개수는 상기 제2 화소영역에서의 콘택홀의 개수보다 크게 형성된, 유기 발광 표시 장치의 제조방법.
제16항에 있어서,
상기 콘택홀을 형성하는 단계에서,
상기 콘택홀은 상기 표시영역의 중심을 가로지르는 가상의 이등분선을 기준으로 대칭적으로 형성되는, 유기 발광 표시 장치의 제조방법.
제16항에 있어서,
상기 콘택홀을 형성하는 단계에서,
상기 보조배선과 상기 대향전극 간의 총 콘택면적이 상기 제1 화소영역에서 상기 제2 화소영역을 향하는 방향을 따라 점진적으로 감소하도록 콘택홀을 형성하는, 유기 발광 표시 장치의 제조방법.
제16항에 있어서,
상기 보조배선은 상기 표시영역을 가로지르도록 제1 방향을 따라 연장된 제1 보조배선층, 및 상기 제1 보조배선층 상에 형성된 제2 보조배선층을 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조방법.
제22항에 있어서,
상기 제2 보조배선층은 상기 제2 개구와 대응되는 위치에 섬형으로 패터닝된, 유기 발광 표시 장치의 제조방법.
제22항에 있어서,
상기 기판은 소스전극, 드레인전극 및 게이트전극을 갖는 박막트랜지스터를 포함하고,
상기 보조배선을 형성하는 단계는,
상기 박막트랜지스터의 어느 일 전극과 동일층에 상기 제1 보조배선층을 형성하는 단계; 및
상기 화소전극과 동일층에 제2 보조배선층을 형성하는 단계;를 포함하는, 유기 발광 표시 장치의 제조방법.
제24항에 있어서,
상기 제1 보조배선층을 형성하는 단계는 상기 소스전극 및 상기 드레인전극을 형성하는 단계와 동일한 공정에서 수행되는, 유기 발광 표시 장치의 제조방법.
제16항에 있어서,
상기 보조배선은 상기 화소전극과 동일층에 동일물질로 형성되며, 상기 보조배선을 형성하는 단계는 상기 화소전극을 형성하는 단계와 동일한 공정에서 수행되는, 유기 발광 표시 장치의 제조방법.
제16항에 있어서,
상기 기판은 소스전극, 드레인전극 및 게이트전극을 갖는 박막트랜지스터를 포함하고,
상기 보조배선은 상기 소스전극 및 상기 드레인전극과 동일층에 동일물질로 형성되며, 상기 보조배선을 형성하는 단계는 상기 소스전극 및 상기 드레인전극을 형성하는 공정에서 함께 형성되는, 유기 발광 표시 장치의 제조방법.