JP2018060743A

JP2018060743A - 表示装置

Info

Publication number: JP2018060743A
Application number: JP2016199034A
Authority: JP
Inventors: 尚紀徳田; Hisanori Tokuda
Original assignee: Japan Display Inc
Current assignee: Japan Display Inc
Priority date: 2016-10-07
Filing date: 2016-10-07
Publication date: 2018-04-12
Also published as: US10026920B2; US20180102497A1

Abstract

【課題】少ない製造工程で製造され、表示品位が高くかつ寿命の長い有機ＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】有機ＥＬ表示装置であって、複数の駆動トランジスタが形成された基板と、前記駆動トランジスタを介して表示画像に応じた電圧を供給する第１配線と、前記電圧に応じた輝度の光を発する有機ＥＬ膜と、前記有機ＥＬ膜の下層に形成されたアノード電極と、第１低抵抗部と、前記第１低抵抗部とは分離された第２低抵抗部と、前記第１低抵抗部と前記第２低抵抗部との間に配置された高抵抗部と、を含む補助電極膜と、を含み、前記第１低抵抗部は、前記第１配線及び前記アノード電極と電気的に接続され、前記第２低抵抗部は、前記アノード電極との間に静電容量を形成し、前記高抵抗部は、前記第１低抵抗部及び前記第２低抵抗部よりも電気抵抗が高い、ことを特徴とする。
【選択図】図３

Description

本発明は、表示装置に関する。

近年、有機ＥＬ表示装置の高品質化や製造コスト低減について技術開発が進められている。有機ＥＬ表示装置は、電子回路が形成された複数の画素によって画像を表示している。当該電子回路は、信号が供給される複数の電極やコンデンサ等を含むため、上記高品質化や製造コスト低減のためには、電極やコンデンサを構成する薄膜に関する技術開発が重要である。

例えば、特許文献１は、インジウムに対して１０〜４０重量％のスズ含有量を成膜し、さらに、酸素を含む雰囲気中で２００℃以上の温度で加熱処理することで、電気抵抗が均一なＩＴＯ薄膜の製造方法を開示している。

また、例えば、特許文献２は、レーザーを照射することで基板を加熱し、結晶性基板上に基板温度５００〜１０００℃においてＩＴＯ膜を堆積させることにより、電気抵抗の低いＩＴＯ薄膜の製造方法を開示している。

特開２００３−４８７５２号公報特開２００１−８９８４６号公報

画素に含まれる電極にはそれぞれ異なる信号が供給されることから、異なる信号を供給される膜は、電気的に分離されている必要がある。また、製造コストを低減するためには、製造工程の数を削減することが望ましいため、１度の成膜工程で複数の電気的に分離された膜を形成できれば、製造コストを低減することができる。

上記特許文献１及び特許文献２によれば、電気抵抗が均質なＩＴＯ膜や、電気抵抗が低いＩＴＯ膜を形成することができる。しかしながら、単にレーザーを照射するだけでは電気的に分離された複数の膜を形成することができない。従って、同じ工程で形成した膜に異なる信号を供給する場合には、物理的に分離された形状の膜を形成する必要がある。

例えば、図７（ａ）は、従来技術における画素構成において、補助電極膜３１０を物理的に分離することで、同じ工程で形成し、かつ、異なる信号を供給できるようにした補助電極膜３１０を有する画素２０８の平面図である。また、図７（ｂ）は、図７（ａ）におけるVII−VII断面を示す図である。

図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、表示パネル２００は、第１配線３０２と、第２配線３０４と、補助電極膜３１０と、アノード電極３２２と、有機ＥＬ膜３２８と、カソード電極３３０等を含んで構成される。また、補助電極膜３１０は、第１配線３０２及び第２配線３０４から異なる信号が供給されるように、平坦化膜３０６の頂部で物理的に分離されている。

補助電極膜３１０が物理的に分離されていることから、補助電極膜３１０の上層に形成されるアノード電極３２２及びカソード電極３３０は、補助電極膜３１０が分離された箇所の上層で段差を有する。アノード電極３２２とカソード電極３３０の間に形成される有機ＥＬ膜３２８は薄いことから、当該段差がある領域７００でアノード電極３２２とカソード電極３３０が短絡するおそれがある。アノード電極３２２とカソード電極３３０が短絡すると、アノード電極３２２とカソード電極３３０の間に形成された有機ＥＬ膜３２８は発光しないことから、表示不良の原因となる。

そこで、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示す構成において、アノード電極３２２と有機ＥＬ膜３２８の間にリブ３２４を形成する構成が考えられる。図８（ａ）は、アノード電極３２２と有機ＥＬ膜３２８の間にリブ３２４を形成する構成とした場合における、画素２０８の平面図である。また、図８（ｂ）は、図８（ａ）におけるVIII−VIII断面を示す図である。

しかしながら、当該構成によれば、リブ開口部３２６の面積がリブ３２４によって小さくなるため、１画素２０８あたりの発光面積が小さくなる。従って、当該構成によって、表示品位は低下する。また、発光面積の低下を補うように、有機ＥＬ膜３２８に大電流を供給した場合、有機ＥＬ膜３２８の寿命が短くなる。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであって、その目的は、少ない製造工程で製造され、表示品位が高くかつ寿命の長い有機ＥＬ表示装置を提供することにある。

本発明の一態様は、有機ＥＬ表示装置であって、複数の駆動トランジスタが形成された基板と、前記駆動トランジスタを介して表示画像に応じた電圧を供給する第１配線と、前記電圧に応じた輝度の光を発する有機ＥＬ膜と、前記有機ＥＬ膜の下層に形成されたアノード電極と、第１低抵抗部と、前記第１低抵抗部とは分離された第２低抵抗部と、前記第１低抵抗部と前記第２低抵抗部との間に配置された高抵抗部と、を含む補助電極膜と、を含み、前記第１低抵抗部は、前記第１配線及び前記アノード電極と電気的に接続され、前記第２低抵抗部は、前記アノード電極との間に静電容量を形成し、前記高抵抗部は、前記第１低抵抗部及び前記第２低抵抗部よりも電気抵抗が高い、ことを特徴とする。

本発明の実施形態に係る表示装置を概略的に示す図である。表示パネルを概略的に示す図である。画素について説明する為の図である。画素回路について説明する為の図である。画素回路の変形例について説明する為の図である。本発明の製造工程について説明するための図である。従来技術において、補助電極膜を物理的に分離した場合について説明する為の図である。補助電極膜を分離した箇所にリブを形成した場合について説明する為の図である。

以下に、本発明の各実施の形態について、図面を参照しつつ説明する。なお、開示はあくまで一例に過ぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は、説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に評される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して詳細な説明を適宜省略することがある。

図１は、本発明の実施形態に係る有機ＥＬ表示装置１００の概略を示す図である。図に示すように、有機ＥＬ表示装置１００は、上フレーム１１０及び下フレーム１２０に挟まれるように固定された表示パネル２００から構成されている。

図２は、図１の表示パネル２００の構成を示す概略図である。図２に示すように、表示パネル２００は、アレイ基板２０２と、保護フィルム２０４と、駆動ＩＣ（Integrated Circuit）２０６と、を有する。また、有機ＥＬ表示装置１００は、複数の画素２０８によって構成された表示領域２１０を備える。複数の画素２０８については後述する。アレイ基板２０２は、後述する有機ＥＬ膜３２８、有機ＥＬ膜３２８に対する不純物の侵入を防止する封止膜３３２等が形成される。

駆動ＩＣ２０６は、例えば、各副画素に配置された駆動トランジスタ４１４（後述）に対してソース・ドレイン間を導通させるための電圧や、階調値に対応する電流を供給する。当該駆動ＩＣ２０６によって、表示パネル２００は、有機ＥＬ表示装置１００に入力された映像信号に応じた画像を、表示領域２１０に表示する。

保護フィルム２０４は、表示パネル２００を外傷から保護するアクリル製のフィルムであって、接着剤によって、アレイ基板２０２に接着される。

続いて、画素２０８の詳細について説明する。図３（ａ）は、図２における一画素２０８を拡大した図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のIII−III断面を示す図である。

図３（ｂ）に示すように、表示パネル２００は、基板（図示なし）上に形成されたアレイ層３００と、第１配線３０２と、第２配線３０４と、平坦化膜３０６と、補助電極膜３１０と、層間絶縁膜３１８と、アノード電極３２２と、リブ３２４と、有機ＥＬ膜３２８と、カソード電極３３０と、封止膜３３２と、を含む。

アレイ層３００は、複数の駆動トランジスタ４１４（図４参照）が形成される。具体的には、アレイ層３００は、樹脂で形成された可撓性を有する基板又はガラス基板の上層に形成される。アレイ層３００は、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極及び半導体層等を含んで構成される複数の駆動トランジスタ４１４を含むように形成される。また、アレイ層３００は、有機ＥＬ膜３２８に供給する電流を制御する駆動トランジスタ４１４（図４参照）を含むように形成される。

第１配線３０２は、駆動トランジスタ４１４を介して表示画像に応じた電圧を供給する。具体的には、第１配線３０２は、アレイ層３００の上層に、アレイ層３００に形成される駆動トランジスタ４１４のソース又はドレイン電極と電気的に接続して形成される。第１配線３０２は、駆動トランジスタ４１４を介して表示画像に応じた電圧を後述する補助電極膜３１０の第１低抵抗部３１２に供給する。

第２配線３０４は、補助電極膜３１０と電気的に接続して形成される。具体的には、第２配線３０４は、アレイ層３００の上層に、後述する補助電極膜３１０の第２低抵抗部３１４と電気的に接続するように形成される。

また、第２配線３０４は、少なくともタイミング制御トランジスタ４０４がＯＦＦ状態である時に、一定の電圧が供給される。例えば、第２配線３０４は、駆動トランジスタ４１４のゲート端子と電気的に接続され、第１配線３０２と同電位の電圧が供給される。また、第２配線３０４は、表示パネル２００の外部からＧＮＤ電圧が印加されてもよい。

平坦化膜３０６は、アレイ層３００、第１配線３０２及び第２配線３０４の上層に形成される。具体的には、平坦化膜３０６は、第１配線３０２の頂部及び第２配線３０４の頂部で平坦化膜開口部３０８を有するように、かつ、第１配線３０２及び第２配線３０４が形成されていない領域のアレイ層３００を覆うように絶縁材料で形成される。

補助電極膜３１０は、第１低抵抗部３１２と、第１低抵抗部３１２とは分離された第２低抵抗部３１４と、第１低抵抗部３１２と第２低抵抗部３１４との間に配置された高抵抗部３１６と、を含んで構成される。具体的には、補助電極膜３１０は、リブ開口部３２６を介して第１配線３０２と電気的に接続され、絶縁膜開口部３２０を介してアノード電極３２２と電気的に接続された第１低抵抗部３１２を有する。第１低抵抗部３１２は、例えばＩＴＯで形成され、高抵抗部３１６より３桁電気抵抗が低く形成される。また、第１低抵抗部３１２は、図３（ａ）に示すように、後述するリブ開口部３２６、平坦化膜開口部３０８及び絶縁膜開口部３２０に跨って形成される。

また、補助電極膜３１０は、リブ開口部３２６を介して第２配線３０４と電気的に接続された第２低抵抗部３１４を有する。第２低抵抗部３１４は、第１低抵抗部３１２と同様に、例えばＩＴＯで形成され、高抵抗部３１６より３桁電気抵抗が低く形成される。また、第２低抵抗部３１４は、高抵抗部３１６によって第１低抵抗部３１２と電気的に分離して形成される。また、第２配線３０４が駆動トランジスタ４１４のゲート端子と電気的に接続され、第２配線３０４に駆動トランジスタ４１４のゲート端子と同じ電圧が印加されることにより、第２低抵抗部３１４は、アノード電極３２２との間に静電容量を形成する。さらに、第２低抵抗部３１４は、図３（ａ）に示すように、リブ開口部３２６及び平坦化膜開口部３０８と重複する位置に形成される。

また、補助電極膜３１０は、第１低抵抗部３１２及び第２低抵抗部３１４と同じ層において、物理的に接する高抵抗部３１６を有する。高抵抗部３１６は、第１低抵抗部３１２及び第２低抵抗部３１４よりも酸素分子の少ない材料で、第１低抵抗部３１２及び第２低抵抗部３１４よりも電気抵抗が高く形成される。また、高抵抗部３１６は、図３（ａ）に示すように、リブ開口部３２６と重複する位置に形成される。

層間絶縁膜３１８は、補助電極膜３１０及びリブ３２４の上層に形成される。具体的には、層間絶縁膜３１８は、第１低抵抗部３１２の左端部に絶縁膜開口部３２０を有し、絶縁膜開口部３２０が形成されていない領域の補助電極膜３１０及びリブ３２４を覆うように、絶縁材料で形成される。

アノード電極３２２は、有機ＥＬ膜３２８の下層に形成される。具体的には、アノード電極３２２は、層間絶縁膜３１８の上層に、絶縁膜開口部３２０を介して第１低抵抗部３１２と電気的に接続して、透過性及び導電性を有する材料で形成される。また、アノード電極３２２は、平面視において、平坦化膜３０６の頂部で第２低抵抗部３１４と重なるように形成されることにより、第２低抵抗部３１４との間に静電容量を形成する。

リブ３２４は、アノード電極３２２の上層に形成される。具体的には、リブ３２４は、層間絶縁膜３１８を覆うようにかつアノード電極３２２及びの上層に形成される。また、リブ３２４は、平坦化膜３０６の頂部において、第１低抵抗部３１２、高抵抗部３１６及び第２低抵抗部３１４の上層にリブ開口部３２６を有するように形成される。リブ開口部３２６は、表示パネル２００から光が取り出される領域となる。

有機ＥＬ膜３２８は、電圧に応じた輝度の光を発する。具体的には、有機ＥＬ膜３２８は、リブ３２４の端部の上層及びリブ開口部３２６においてアノード電極３２２の上層に形成される。なお、有機ＥＬ膜３２８は、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子注入層、電子輸送層等を含んで形成されるが、従来技術と同様である為、詳細な説明は省略する。

カソード電極３３０は、有機ＥＬ膜３２８の上層に形成される。具体的には、カソード電極３３０は、有機ＥＬ膜３２８及びリブ３２４を覆うように、光の透過性及び導電性を有する材料で形成される。カソード電極３３０は、有機ＥＬ膜３２８に電子を供給することによって、アノード電極３２２から有機ＥＬ膜３２８に供給されるホールとともに、有機ＥＬ膜３２８を発光させる。

封止膜３３２は、カソード電極３３０の上層に形成される。具体的には、封止膜３３２は、カソード電極３３０を覆うように、水分を透過しない無機材料で形成される。封止膜３３２は、有機ＥＬ膜３２８に水分が侵入することで有機ＥＬ膜３２８が劣化することを防止する。

上記の構成によれば、発光面積がリブ３２４によって小さくなることを防止できるため、輝度の低下を防止できる。また、１画素あたりの有機ＥＬ膜３２８に流す電流の大きさを小さくすることで有機ＥＬ膜３２８の寿命が長くすることができる。また、第１低抵抗部３１２、高抵抗部３１６及び第２低抵抗部３１４を同じ層に形成することで、後述する製造方法によって、少ない製造工程で製造することができる。

続いて、画素２０８に形成された画素回路について説明する。図４は、本発明の実施形態における、一画素２０８に形成された画素回路を概略的に示す一例である。図４に示すように、画素回路は、ゲート信号線４００と、映像信号線４０２と、タイミング制御トランジスタ４０４と、第１コンデンサ４０６と、第２コンデンサ４０８と、電源４１０と、カソード配線４１２と、駆動トランジスタ４１４と、有機ＥＬ素子４１６と、アノード配線４１８と、を含んで構成される。

ゲート信号線４００は、タイミング制御トランジスタ４０４のゲート端子と接続される。具体的には、ゲート信号線４００は、駆動ＩＣ２０６から供給されたタイミング制御トランジスタ４０４のＯＮ状態とＯＦＦ状態とを切り替えるゲート信号を、タイミング制御トランジスタ４０４のゲート端子に供給する。

映像信号線４０２は、タイミング制御トランジスタ４０４のソース端子又はドレイン端子の一方と接続される。具体的には、映像信号線４０２は、駆動ＩＣ２０６から供給された映像信号に応じた電圧を、タイミング制御トランジスタ４０４のソース端子又はドレイン端子の一方に供給する。

タイミング制御トランジスタ４０４は、有機ＥＬ素子４１６に電流を流すタイミングを制御する。具体的には、タイミング制御トランジスタ４０４は、ゲート端子に印加される電圧がハイ状態又はロー状態のいずれか一方の状態で、タイミング制御トランジスタ４０４のソース端子とドレイン端子を導通する。タイミング制御トランジスタ４０４は、ゲート端子に供給されるゲート信号の状態に応じて、映像信号線４０２の電圧を第１コンデンサ４０６及び第２コンデンサ４０８に供給することで、有機ＥＬ素子４１６に電流を流すタイミングを制御する。

第１コンデンサ４０６及び第２コンデンサ４０８は、映像信号線４０２から供給された電圧を保持する。具体的には、第１コンデンサ４０６及び第２コンデンサ４０８は、タイミング制御トランジスタ４０４がオン状態であるタイミングで、映像信号線４０２の電圧と同電位となる。その後、ゲート信号によって、タイミング制御トランジスタ４０４は、ソース端子とドレイン端子が電気的に遮断された状態となる。第１コンデンサ４０６及び第２コンデンサ４０８は、次にタイミング制御トランジスタ４０４がオン状態となるまで、フローティング状態となるため、映像信号線４０２から供給された電圧を保持する。

第１コンデンサ４０６は、従来技術で用いられるコンデンサであるため、詳細な説明は省略する。一方、第２コンデンサ４０８は、図３に示すアノード電極３２２と第２低抵抗部３１４との間に形成された静電容量である。従って、本発明によれば、従来技術に対して、第２コンデンサ４０８が付加されるため、有機ＥＬ素子４１６のアノード端子の電圧を保持するコンデンサの容量を大きくすることができる。当該コンデンサの容量を大きくすることにより、１フレーム期間における有機ＥＬ素子４１６の発光量の低下を少なくすることができる。

電源４１０は、駆動トランジスタ４１４と接続され、アノード配線４１８を介して有機ＥＬ素子４１６に電流を供給する。具体的には、電源４１０は、駆動トランジスタ４１４のソース端子またはドレイン端子と電気的に接続される。電源４１０は、一定の電圧が印加されるため、駆動トランジスタ４１４がオン状態であるときに、有機ＥＬ素子４１６に電流を供給する。

カソード配線４１２は、有機ＥＬ素子４１６と電気的に接続される。具体的には、カソード配線４１２は、有機ＥＬ素子４１６のカソード端子と電気的に接続され、電源４１０との間で電圧を印加されることにより、有機ＥＬ素子４１６を発光させる。なお、カソード配線４１２は、図３におけるカソード電極３３０と電気的に接続される。

駆動トランジスタ４１４は、タイミング制御トランジスタ４０４、第１コンデンサ４０６、第２コンデンサ４０８、電源４１０、及び、アノード配線４１８と接続される。具体的には、駆動トランジスタ４１４のゲート端子は、タイミング制御トランジスタ４０４のソース端子又はドレイン端子、第１コンデンサ４０６及び第２コンデンサ４０８と電気的に接続される。駆動トランジスタ４１４のソース端子又はドレイン端子の一方は、電源４１０と電気的に接続される。また、駆動トランジスタ４１４のソース端子又はドレイン端子の他の一方は、第１コンデンサ４０６、第２コンデンサ４０８及びアノード配線４１８と電気的に接続される。

また、駆動トランジスタ４１４は、アノード配線４１８を介して有機ＥＬ素子４１６に電流を供給する。具体的には、駆動トランジスタ４１４は、第１コンデンサ４０６及び第２コンデンサ４０８に保持された電圧に応じて、電源４１０から供給される電流を有機ＥＬ素子４１６に供給する。

有機ＥＬ素子４１６は、電源４１０から供給される電流によって発光する。具体的には、有機ＥＬ素子４１６は、第１コンデンサ４０６及び第２コンデンサ４０８に保持された電圧に応じた電流が、駆動トランジスタ４１４によって供給される。なお、有機ＥＬ素子４１６は、図３における有機ＥＬ膜３２８によって構成される。

アノード配線４１８は、駆動トランジスタ４１４、第１コンデンサ４０６、第２コンデンサ４０８及び有機ＥＬ素子４１６と電気的に接続される。具体的には、アノード配線４１８は、駆動トランジスタ４１４のソース端子またはドレイン端子、及び有機ＥＬ素子４１６と接続され、電源４１０から供給された電流を有機ＥＬ素子４１６に供給する。また、アノード配線４１８は、図３で示したアノード電極３２２と電気的に接続され、駆動トランジスタ４１４のゲート端子と電気的に接続された配線との間で静電容量を形成する。具体的には、図３で示したように、第２配線３０４が駆動トランジスタ４１４のゲート端子と電気的に接続されている場合には、アノード電極３２２は、駆動トランジスタ４１４のゲート端子と電気的に接続された第２低抵抗部３１４との間に静電容量を形成する。

本発明によれば、上記のように、アノード配線４１８と第２低抵抗部３１４との間に静電容量を形成することで、コンデンサの静電容量を大きくできるため、１フレーム期間における有機ＥＬ素子４１６の発光量の低下を少なくすることができる。

なお、アノード配線４１８との間に静電容量を形成する配線は、駆動トランジスタ４１４のゲート端子と接続された配線に限られない。例えば、図５に示すように、第２コンデンサ４０８は、アノード配線４１８と、表示パネル２００の外部からＧＮＤ電圧が印加された第２配線３０４との間に形成された静電容量であってもよい。また、第２配線３０４は、少なくともタイミング制御トランジスタ４０４がＯＦＦ状態である時に、一定の電圧が供給されていればよく、ＧＮＤ電圧以外の電圧であってもよい。

続いて、図６を用いて、上記有機ＥＬ表示装置１００の製造方法について説明する。まず、図６（ａ）に示すように、基板上にアレイ層３００、第１配線３０２及び第２配線３０４を順に形成する。次に、アレイ層３００、第１配線３０２及び第２配線３０４を覆うように平坦化膜３０６を形成し、第１配線３０２及び第２配線３０４の頂部に平坦化膜開口部３０８を形成する。

次に、アレイ層３００、第１配線３０２及び第２配線３０４の上層に補助電極膜３１０を形成する。具体的には、平坦化膜開口部３０８において第１配線３０２及び第２配線３０４と接するように、かつ、第１配線３０２と第２配線３０４の間に形成された平坦化膜３０６の頂部で切れ目がないように補助電極膜３１０を形成する。

続いて、図６（ｂ）に示すように、第１配線３０２と第２配線３０４の間に形成された平坦化膜３０６の頂部において、補助電極膜３１０にレーザー６００を照射する。具体的には、例えば、補助電極膜３１０がＩＴＯで形成された場合、リブ開口部３２６が形成される中央部の補助電極膜３１０に対して、酸素分子が除去されるエネルギーを有するレーザー６００を照射する。

レーザー６００が照射されると、図６（ｃ）に示すように、レーザー６００が照射された領域は、酸素分子が失われることによって高抵抗化し、高抵抗部３１６となる。また、補助電極膜３１０は、高抵抗部３１６によって分断された領域のうち、第１配線３０２と接続された領域が第１低抵抗部３１２となり、第２配線３０４を接続された領域が第２低抵抗部３１４となる。

続いて、図６（ｄ）に示すように、層間絶縁膜３１８、絶縁膜開口部３２０、アノード電極３２２、リブ３２４、リブ開口部３２６、有機ＥＬ膜３２８、カソード電極３３０、封止膜３３２が順に形成される。当該工程については、従来技術と同様である為、詳細な説明は省略する。

以上のように、１度のレーザー照射工程によって、同じ工程で形成された補助電極膜に対して第１低抵抗部３１２、第２低抵抗部３１４及び高抵抗部３１６を形成することができ、従来技術と比較して少ない製造工程で電気的に分離された複数の膜を形成することができる。

本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除若しくは設計変更を行ったもの、又は、工程の追加、省略若しくは条件変更を行ったものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含まれる。

１００有機ＥＬ表示装置、１１０上フレーム、１２０下フレーム、２００表示パネル、２０２アレイ基板、２０４保護フィルム、２０６駆動ＩＣ、２０８画素、２１０表示領域、３００アレイ層、３０２第１配線、３０４第２配線、３０６平坦化膜、３０８平坦化膜開口部、３１０補助電極膜、３１２第１低抵抗部、３１４第２低抵抗部、３１６高抵抗部、３１８層間絶縁膜、３２０絶縁膜開口部、３２２アノード電極、３２４リブ、３２６リブ開口部、３２８有機ＥＬ膜、３３０カソード電極、３３２封止膜、４００ゲート信号線、４０２映像信号線、４０４タイミング制御トランジスタ、４０６第１コンデンサ、４０８第２コンデンサ、４１０電源、４１２カソード配線、４１４駆動トランジスタ、４１６有機ＥＬ素子、４１８アノード配線、６００レーザー、７００段差がある領域。

Claims

複数の駆動トランジスタが形成された基板と、
前記駆動トランジスタを介して表示画像に応じた電圧を供給する第１配線と、
前記電圧に応じた輝度の光を発する有機ＥＬ膜と、
前記有機ＥＬ膜の下層に形成されたアノード電極と、
第１低抵抗部と、前記第１低抵抗部とは分離された第２低抵抗部と、前記第１低抵抗部と前記第２低抵抗部との間に配置された高抵抗部と、を含む補助電極膜と、
を含み、
前記第１低抵抗部は、前記第１配線及び前記アノード電極と電気的に接続され、
前記第２低抵抗部は、前記アノード電極との間に静電容量を形成し、
前記高抵抗部は、前記第１低抵抗部及び前記第２低抵抗部よりも電気抵抗が高い、
ことを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
前記第２低抵抗部は、前記駆動トランジスタのゲート電極と電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
さらに、ＧＮＤ電圧が印加された第２配線を含み、
前記第２低抵抗部は、前記第２配線と電気的に接続されることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
さらに、前記アノード電極の上層にリブを含み、
前記リブは、前記高抵抗部の上層に開口部を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。
前記高抵抗部は、前記第１低抵抗部及び前記第２低抵抗部よりも酸素分子の少ない材料で形成されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の有機ＥＬ表示装置。