JP2015207484A - 表示装置、および表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】補助配線と上部電極との接続が簡略化された表示装置、および表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】複数の画素を有する表示装置であって、画素に対応する画素電極１１０と、画素電極と離隔して、画素電極と同一面上に配置される補助配線２１０と、画素電極および補助配線上にわたって配置され、画素電極の一部、および補助配線の一部を覆う絶縁層３００と、画素電極、補助配線、および絶縁層上に配置される有機発光層４００と、少なくとも補助配線に対応した位置の有機発光層上に配置される第１電極５００と、補助配線に対応する位置の有機発光層および第１電極に形成される開口部６００と、第１電極上と、開口部に対応する位置の補助配線上とに配置され、補助配線および第１電極を電気的に接続する第２電極５２０と、を備える、表示装置。
【選択図】図３

Description

本発明は、表示装置、および表示装置の製造方法に関する。

近年、有機エレクトロルミネッセンス素子（Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｉｏｄｅ：有機ＥＬ素子）などの発光素子を用いた表示装置の開発が盛んに行われている。例えば、アクティブ・マトリクス（ａｃｔｉｖｅ−ｍａｔｒｉｘ）駆動方式の有機ＥＬ表示装置は、画素ごとに配置された薄膜トランジスタ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｉｏｒ：ＴＦＴ）によって有機ＥＬ素子を発光させることで画像を表示する表示装置である。

このような表示装置では、ＴＦＴ回路によって各画素における開口率が低下することを防止するために、発光素子の発光方向をＴＦＴ側とは反対方向としたトップエミッション（ｔｏｐ ｅｍｉｓｓｉｏｎ）型構造が提案されている。

ここで、トップエミッション型構造の有機ＥＬ表示装置では、発光素子の発光方向側（すなわち、ＴＦＴ側とは逆側）の電極（以下、上部電極という）を薄膜化された金属や透明導電性酸化物を用いて、光透過性を有するように形成する必要がある。

ただし、薄膜化された金属や透明導電性酸化物を用いて形成された電極は、低抵抗化が困難であるため、電圧降下が発生し、表示装置の画面内において輝度むらが発生する。上記の輝度むらは、高輝度にするため大電流にするほど、また大画面化するほど顕著になるため、上部電極における電圧降下を抑制する様々な技術が検討されている。

例えば、特許文献１および２には、低抵抗の補助配線を用いて上部電極と電力供給源とを接続することにより、電圧降下を減少させる技術が開示されている。また、特許文献３には、補助配線と上部電極との接続部分が有機膜で覆われている場合に、レーザーアブレーション（ｌａｓｅｒ ａｂｌａｔｉｏｎ）を用いて接続部の有機膜を除去する方法が開示されている。さらに、特許文献４には、有機膜と上部電極の成膜時の回り込み特性を利用して、補助配線と上部電極とを接続する方法が開示されている。

特開２００１−１９５００８号公報 特開２００１−２３００８６号公報 特開２００５−０１１８１０号公報 特開２００５−０９３３９８号公報

しかし、特許文献１および２に開示された技術では、別途、補助配線を形成するため、表示装置の製造工程が増加し、製造コスト（ｃｏｓｔ）が増加したり、量産時の歩留まりが低下したりするという問題があった。また、特許文献３および４に開示された技術では、補助配線と上部電極とを接続する際に複雑な工程を必要とするため、表示装置の製造工程が複雑化し、製造コストが増加したり量産時の歩留まりが低下したりするという問題があった。

そこで、本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、本発明の目的とするところは、補助配線と上部電極との接続を簡略化することが可能な、新規かつ改良された表示装置、および表示装置の製造方法を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明のある観点によれば、複数の画素を有する表示装置であって、前記画素に対応する画素電極と、前記画素電極と離隔して、前記画素電極と同一面上に配置される補助配線と、前記画素電極および前記補助配線上にわたって配置され、前記画素電極の一部、および前記補助配線の一部を覆う絶縁層と、前記画素電極、前記補助配線、および前記絶縁層上に配置される有機発光層と、少なくとも前記補助配線に対応した位置の前記有機発光層上に配置される第１電極と、前記補助配線に対応する位置の前記有機発光層および前記第１電極に形成される開口部と、前記第１電極上と、前記開口部に対応する位置の前記補助配線上とに配置され、前記補助配線および前記第１電極を電気的に接続する第２電極と、を備える表示装置が提供される。

この構成によれば、本発明の一実施形態に係る表示装置は、画面内の欠陥発生確率を低下させ、かつ上部電極における電圧降下を抑制することで画面内の輝度むらを抑制することができる。

前記開口部に対応する位置における前記補助配線の前記第２電極側の面には、少なくとも１つ以上の段差が形成されてもよい。

この構成によれば、本発明の一実施形態に係る表示装置は、より確実に補助配線と上部電極とを接続することができるため、画面内の輝度むらを抑制することができる。

前記段差は、前記第２電極側の角が突出した逆テーパー形状を有してもよい。

この構成によれば、本発明の一実施形態に係る表示装置は、より確実に補助配線と上部電極とを接続することができるため、画面内の輝度むらを抑制することができる。

前記段差の高さは、前記有機発光層の膜厚の１／４以上であってもよい。

この構成によれば、本発明の一実施形態に係る表示装置は、より確実に補助配線と上部電極とを接続することができるため、画面内の輝度むらを抑制することができる。

前記表示装置は、少なくとも１つ以上の前記画素ごとに前記第２電極を備え、複数の前記第２電極において、前記第２電極によって電気的に接続された前記補助配線と前記第１電極との電気抵抗の平均値は、２００ｋΩ以下であってもよい。

この構成によれば、本発明の一実施形態に係る表示装置は、上部電極における電圧降下をより抑制することで画面内の輝度むらを抑制することができる。

前記第１電極は、前記補助配線に対応した位置の前記有機発光層上から前記画素電極に対応した位置の前記有機発光層上まで延設され、前記第２電極は、前記画素電極に対応した位置の前記有機発光層上に延設されなくともよい。

この構成によれば、本発明の一実施形態に係る表示装置は、構造設計の際の自由度を向上させることができる。

前記第１電極および前記第２電極の少なくともいずれかを介して前記補助配線と電気的に接続され、前記有機発光層を発光させるための電力を供給する電力供給配線をさらに備えてもよい。

この構成によれば、本発明の一実施形態に係る表示装置は、画面内の欠陥発生確率を低下させ、かつ上部電極における電圧降下を抑制することで画面内の輝度むらを抑制することができる。

また、上記課題を解決するために、本発明の別の観点によれば、複数の画素を有する表示装置の製造方法であって、前記画素の各々に対応する画素電極を形成するステップと、前記画素電極と離隔して、同一面上に補助配線を形成するステップと、前記画素電極および前記補助配線上にわたって形成され、前記画素電極の一部、および前記補助配線の一部を覆う絶縁層を形成するステップと、前記画素電極、前記補助配線、および前記絶縁層上に有機発光層を形成するステップと、少なくとも前記補助配線に対応した位置の前記有機発光層上に第１電極を形成するステップと、前記補助配線と前記第１電極との間に電圧を印加して放電を発生させ、前記有機発光層および前記第１電極を除去し、前記補助配線の一部を露出させる開口部を形成するステップと、前記第１電極上と、前記開口部によって露出された前記補助配線上とに前記補助配線および前記第１電極を電気的に接続する第２電極を形成するステップと、を含む表示装置の製造方法が提供される。

この構成によれば、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、補助配線と上部電極との接続形成を簡略化し、マスクとの精密なアライメントや選択的なレーザ照射等を行うことなく、補助配線と上部電極との接続を形成することができる。

前記表示装置は、互いに電気的に分離された前記補助配線を複数備え、前記開口部を形成するステップは、複数の前記補助配線ごとに行われてもよい。

この構成によれば、本発明の一実施形態に係る表示装置の製造方法は、大面積を一度に処理することによる電流の増加を抑制し、過大な電流が流れることによる焼損等の不具合の発生を抑制することができる。

以上説明したように本発明によれば、補助配線と上部電極との接続が簡略化された表示装置、および表示装置の製造方法が提供される。

本発明の第１の実施形態に係る表示装置の構成を示す概略図である。 図１における表示領域の補助配線のレイアウトを説明する平面図である。 図２のＩＶ−ＩＶ’方向における断面の模式図である。 図３で示した表示装置の製造工程を説明する断面図である。 図３で示した表示装置の製造工程を説明する断面図である。 図３で示した表示装置の製造工程を説明する断面図である。 図３で示した表示装置の製造工程を説明する断面図である。 図３で示した表示装置の製造工程を説明する断面図である。 第１の実施形態の変形例に係る表示装置の補助配線の一例を示した平面図（ａ）および断面図（ｂ）である。 第１の実施形態の変形例に係る表示装置の補助配線の他の一例を示した平面図（ａ）および断面図（ｂ）である。 第１の実施形態の変形例に係る表示装置の補助配線の他の一例を示した平面図（ａ）および断面図（ｂ）である。 第１の実施形態の変形例に係る表示装置の補助配線の他の一例を示した平面図（ａ）および断面図（ｂ）である。 第１の実施形態の変形例に係る表示装置において絶縁破壊による放電を行う際の断面図である。 第１の実施形態の変形例に係る表示装置が有する補助配線の好ましい例を示した断面図である。 第１の実施形態の変形例に係る表示装置が有する補助配線の好ましくない例を示した断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る表示装置の補助配線への電圧印加を説明する説明図である。 本発明の第３の実施形態に係る表示装置の積層構造を示す断面図である。

以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号または類似の符号（数字の後にＡ、Ｂ等を付しただけの符号）を付することにより重複説明を省略する。

＜１．第１の実施形態＞
以下では、図１〜１５を参照して、本発明の第１の実施形態に係る表示装置について説明する。

［１．１．表示装置の概略］
まず、図１を参照して、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の概略について説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る表示装置の構成を示す概略図である。

図１に示すように、表示装置１は、基板１０上に表示領域１００が設けられ、表示領域１００の周囲に駆動回路７１、７２、７３、７４、および電圧印加部７０が設けられる。

表示装置１は、例えば、トップエミッション型アクティブ・マトリクス駆動方式の有機ＥＬ表示装置である。表示装置１は、例えば、スマートフォン（ｓｍａｒｔ ｐｈｏｎｅ）、携帯電話、パーソナルコンピュータ（ｐｅｒｓｏｎａｌ ｃｏｍｐｕｔｅｒ）、およびテレビ（ＴＶ）などの画像を表示する電子機器に用いられる。

基板１０は、表示装置１を駆動させるための各種素子などが形成される基板である。基板１０は、例えば、ガラス（ｇｌａｓｓ）基板、Ｓｉ等の半導体基板、プラスチック（ｐｌａｓｔｉｃ）等の樹脂基板である。

表示領域１００には、表示装置１の各画素に対応する有機ＥＬ素子、該有機ＥＬ素子の発光を制御するＴＦＴ、および該ＴＦＴを制御するための制御線が形成される。また、表示領域１００には、有機ＥＬ素子の上部電極と接続される補助配線が形成される。かかる補助配線により、表示装置１は、電圧降下による表示領域１００内の輝度むらを抑制することができる。なお、かかる補助配線の詳細については、後述する。

駆動回路７１、７２、７３、７４は、制御線を介して、表示領域１００の各画素に設けられたＴＦＴ等の画素回路を制御するためのドライバ（ｄｒｉｖｅｒ）である。また、駆動回路７１、７２、７３、７４が形成された表示領域１００の外側には、有機ＥＬ素子を発光させるための電力を供給する電源、および該電源と上部電極とを補助配線を介して接続する電源接続配線が設けられてもよい。

電圧印加部７０には、補助配線および上部電極の間に交流電圧を印加するための電源が接続される。電圧印加部７０が印加する電圧は、例えば、交流電圧であるが、電圧印加部７０が印加する電圧は、直流電圧であってもよい。なお、後で詳述するが、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１は、電圧印加部７０により補助配線と上部電極との間に電圧を印加し、絶縁破壊による放電を発生させることで、補助配線および上部電極を電気的に接続するコンタクト（ｃｏｎｔａｃｔ）開口部を簡便に形成するものである。

本発明の第１の実施形態に係る表示装置１において、有機ＥＬ素子の上部電極（発光方向の電極）は、例えば、光透過性を有する薄膜金属、または透明導電性酸化物で形成される。これらの薄膜化された金属、または透明導電性酸化物は、一般的な金属と比較して面抵抗が数Ω／□以上と高いため、表示装置１において電圧降下により輝度むらが発生する。具体的には、表示装置１の表示領域１００中央部の輝度が低下する。

本発明の第１の実施形態に係る表示装置１では、基板１０上に低抵抗の金属からなる補助配線を設け、補助配線と上部電極とを簡略に接続し、補助配線を介して上部電極に対して電源から電力を供給する。したがって、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１は、上部電極による電圧降下を抑制することができる。特に、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１は、補助配線と上部電極との接続を簡略化することにより、表示装置１の製造コストを低下させ、量産時の歩留まりを向上させることができる。

［１．２．表示領域における配線構成］
次に、図２および３を参照して、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１の配線構成について説明する。図２は、図１における表示領域１００の補助配線のレイアウト（ｌａｙｏｕｔ）を説明する平面図である。なお、図２では、説明を簡略化するために一部の構成を省略しており、画素についても８つのみ記載し、残りは省略した。

図２に示すように、表示領域１００には、画素電極１１０Ｂ、１１０Ｇ、１１０Ｒ（以下、それぞれを区別しない場合には、画素電極１１０という）、および補助配線２１０が設けられ、表示領域１００の外側には、電源接続電極２５０が設けられる。また、画素電極１１０、補助配線２１０および電源接続電極２５０上には、第１開口部３１０、第２開口部３２０、および第３開口部３５０を有する絶縁層３００が設けられる。

なお、図２では、図示していないが、絶縁層３００上には、有機発光層、上部電極が順次設けられ、画素電極１１０、有機発光層、上部電極により有機ＥＬ素子が形成されている。かかる積層構造については、図３を参照して後述する。

画素電極１１０Ｂ、１１０Ｇ、１１０Ｒは、各画素に対応する有機ＥＬ素子の上部電極に対向する下部電極である。各画素電極１１０は、ＴＦＴを用いて形成された画素回路に接続されている。例えば、画素電極１１０Ｂは、発光色が青色の有機ＥＬ素子の下部電極であってもよく、画素電極１１０Ｇは、発光色が緑色の有機ＥＬ素子の下部電極であってもよく、画素電極１１０Ｒは、発光色が赤色の有機ＥＬ素子の下部電極であってもよい。

補助配線２１０は、隣接する画素電極１１０間に設けられ、各画素に対応する有機ＥＬ素子の上部電極に電力を供給する。なお、補助配線２１０は、少なくとも一部の画素電極１１０間に設けられていればよい。

ここで、画素電極１１０および補助配線２１０は、同一面上に設けられた導電膜で形成される。画素電極１１０および補助配線２１０は、低抵抗の金属で形成されることが好ましく、例えば、銀合金（ＡｇＰｄＣｕ等）で形成されてもよい。なお、画素電極１１０および補助配線２１０は、互いに異なる金属で形成されてもよい。一方、画素電極１１０に対向する上部電極は、例えば、マグネシウム−銀共蒸着合金（ＭｇＡｇ合金）などからなる金属薄膜、または酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）等の透明導電性酸化物で形成される。

電源接続電極２５０は、表示領域１００の外側に設けられ、有機ＥＬ素子を発光させるための電力を供給する電源と、上部電極とを接続する。なお、電源接続電極２５０は、表示領域１００全体で少なくとも１つ以上あればよい。

絶縁層３００は、開口部を有し、画素電極１１０、補助配線２１０、および電源接続電極２５０を覆うように形成される。絶縁層３００は、例えば、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）等の有機樹脂によって形成されてもよい。

具体的には、絶縁層３００は、各画素電極１１０に対応する位置に形成された第１開口部３１０と、補助配線２１０の一部に対応する位置に形成された第２開口部３２０と、電源接続電極２５０の一部に対応する位置に形成された第３開口部３５０とを有する。第１開口部３１０は、画素電極１１０と有機発光層とを接続するために設けられ、第２開口部３２０は、補助配線２１０と、有機ＥＬ素子の上部電極とを接続するために画素電極１１０間に設けられる。また、第３開口部３５０は、電源接続電極２５０と、上部電極とを接続するために電源接続電極２５０上に設けられる。なお、図２では、第２開口部３２０は、複数の画素電極（画素電極１１０Ｂ、１１０Ｇ、１１０Ｒ）ごとに設けられているが、本発明はかかる例示に限定されず、第２開口部３２０は、画素電極１１０ごとに設けられてもよい。

続いて、図３を参照して、上記で説明した表示装置１の積層構造について説明する。図３は、図２のＩＶ−ＩＶ’方向における断面の模式図である。

図３に示すように、基板１０００上には画素電極１１０、補助配線２１０および電源接続電極２５０が設けられる。画素電極１１０、補助配線２１０および電源接続電極２５０上には、第１開口部３１０、第２開口部３２０、および第３開口部３５０を有する絶縁層３００が設けられる。また、表示領域１００の絶縁層３００上には、有機発光層４００および第１上部電極５００が順次設けられる。ここで、有機発光層４００および第１上部電極５００には、コンタクト開口部６００が形成されている。

さらに、第１上部電極５００上には第２上部電極５２０が設けられ、第２上部電極５２０は、コンタクト開口部６００を介して補助配線２１０と接続している。なお、表示領域１００の外側の絶縁層３００上には、第１上部電極５００、第２上部電極５２０が順次設けられ、第３開口部３５０を介して電源接続電極２５０と接続している。

基板１０００は、例えば、ＴＦＴ等で形成された画素回路を含むガラス基板等である。基板１０００の表面は、例えば、ポリイミド等の絶縁膜によって平坦化されている。

画素電極１１０は、基板１０００上に設けられ、スルーホール（ｔｈｒｏｕｇｈｈｏｌｅ）等を介して基板１０００の画素回路に接続される。また、補助配線２１０は、画素電極１１０と離隔して基板１０００上に設けられ、電源接続電極２５０は、表示領域１００の外側の基板１０００上に設けられる。ここで、画素電極１１０、補助配線２１０、および電源接続電極２５０は、例えば、同一の導電膜で形成される。画素電極１１０、補助配線２１０、および電源接続電極２５０は、例えば、低抵抗の銀合金等の導電膜で形成されることが好ましい。

絶縁層３００は、画素電極１１０、補助配線２１０、および電源接続電極２５０上に設けられる。また、絶縁層３００には、画素電極１１０の一部に対応する位置に第１開口部３１０が形成され、また補助配線２１０の一部に対応する位置に第２開口部が形成され、さらに電源接続電極２５０の一部に対応する位置に第３開口部３５０が形成される。絶縁層３００は、例えば、ポリイミド等の有機樹脂によって形成されてもよい。

有機発光層４００は、表示領域１００の絶縁層３００、画素電極１１０、および補助配線２１０上に設けられる。また、有機発光層４００には、第２開口部３２０に対応する位置にコンタクト開口部６００が形成される。有機発光層４００は、有機ＥＬ素子において公知の発光材料を含む層であり、例えば、基板１０００側から正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の各層が順次積層された層であってもよい。

第１上部電極５００は、有機発光層４００および電源接続電極２５０上に設けられる。また、第１上部電極５００には、第２開口部３２０に対応する位置にコンタクト開口部６００が形成される。ここで、有機発光層４００が、第１上部電極５００および第２上部電極５２０と、画素電極１１０との間に積層されることによって有機ＥＬ素子が形成される。第１上部電極５００は、例えば、光透過性を有する薄膜金属、または透明導電性酸化物等で形成される。

第２上部電極５２０は、第１上部電極５００、コンタクト開口部６００に対応する位置の補助配線２１０、および電源接続電極２５０上に設けられ、第１上部電極５００と補助配線２１０とを電気的に接続する。また、第２上部電極５２０は、例えば、光透過性を有する金属薄膜、または透明導電性酸化物等で形成され、画素電極１１０に対応する領域の第１上部電極５００上に形成される。

ここで、図３で示す例では、電源接続電極２５０上には、第１上部電極５００および第２上部電極５２０が形成されているが、本発明はかかる例示に限定されない。電源接続電極２５０上には、第１上部電極５００および第２上部電極５２０の少なくともいずれか一方が形成されていればよい。

上記の積層構造によれば、有機ＥＬ素子を構成する第１上部電極５００は、第２上部電極５２０を介して電源接続電極２５０と接続し、電源接続電極２５０から有機発光層４００を発光させるための電力の供給を受けることができる。

また、補助配線２１０は、第２上部電極５２０を介して電源接続電極２５０と接続される。したがって、補助配線２１０は、第１上部電極５００よりも低抵抗であるため、電源接続電極２５０から離れた画素に対応する有機ＥＬ素子の第１上部電極５００に対しても、低抵抗の配線で電力を供給することができる。よって、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１は、第１上部電極５００を抵抗が高い透明電極として形成した場合でも電圧降下を抑制しながら電力を各有機ＥＬ素子に供給することができる。

したがって、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１は、各画素に対応する有機ＥＬ素子における電圧降下を抑制することができるため、表示領域１００内における輝度むらを抑制することができる。

なお、上記の例では、補助配線２１０は、第１上部電極５００および第２上部電極５２０を介して電源接続電極２５０と間接的に接続したが、補助配線２１０は、電源接続電極２５０と直接接続してもよい。

［１．３．表示装置の製造方法］
続いて、図４〜８を参照して、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１の製造方法について説明する。図４〜８は、図３で示した表示装置１の製造工程を説明する断面図である。

図４に示すように、基板１０００上に低抵抗の導電膜が成膜され、フォトリソグラフィ（ｐｈｏｔｏｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）等を用いたパターニング（ｐａｔｔｅｒｎｉｎｇ）により、画素電極１１０、補助配線２１０、および電源接続電極２５０が形成される。

次に、図５に示すように、画素電極１１０、補助配線２１０、および電源接続電極２５０上に絶縁層３００が成膜され、フォトリソグラフィ等を用いたパターニングにより、第１開口部３１０、第２開口部３２０、および第３開口部３５０が形成される。なお、絶縁層３００に感光性ポリイミド等を用いる場合は、露光、現像によりパターン（ｐａｔｔｅｒｎ）が形成されてもよい。

続いて、図６に示すように、表示領域１００内の絶縁層３００、画素電極１１０、および補助配線２１０上に有機発光層４００が形成される。具体的には、酸素プラズマ（ｐｌａｓｍａ）処理が施された後、マスク（ｍａｓｋ）等を用いて表示領域１００に有機発光層４００が成膜される。ここで、有機発光層４００は、複数の有機膜の積層構造で形成され、例えば、基板１０００側から、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層という積層構造にて形成されてもよい。また、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層の各層を形成する材料は、これらの層の材料として公知のものを任意に使用することができる。

なお、有機発光層４００は、少なくとも画素電極１１０上において、発光層を含むように形成されればよく、その他の領域では発光層を含まないように形成されてもよい。すなわち、有機発光層４００は、成膜される領域によって厚さ、または積層構造が異なるように形成されてもよい。

次に、図７に示すように、有機発光層４００および電源接続電極２５０上に光透過性を有する第１上部電極５００が形成される。第１上部電極５００は、例えば、光透過性を有するＭｇＡｇ合金などの金属薄膜、またはＩＴＯ等の透明導電性酸化物等で形成される。

続いて、図８に示すように、第２開口部３２０において、有機発光層４００および第１上部電極５００が除去され、コンタクト開口部６００が形成される。具体的には、図１にて説明した電圧印加部７０を介して、補助配線２１０と第１上部電極５００との間に電圧が印加されることで絶縁破壊による放電が発生し、有機発光層４００および第１上部電極５００が除去されてコンタクト開口部６００が形成される。ここで、電圧印加部７０によって補助配線２１０と第１上部電極５００との間に印加される電圧は、例えば、交流電圧であり、周波数は１００ｋＨｚ、実効印加電圧は１０〜３０Ｖｒｍｓである。

上記の工程のためには、第１上部電極５００は、例えば、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下程度であることが好ましい。第１上部電極５００が５ｎｍよりも薄い場合、導電性が低下し面抵抗が高くなることにより絶縁破壊による放電が発生しにくくなるため、好ましくない。また、第１上部電極５００が２０ｎｍよりも厚い場合、絶縁破壊による放電によって有機発光層４００および第１上部電極５００が除去されにくくなり、短絡部が形成される可能性が高くなるため、好ましくない。

この工程によれば、表示領域１００内のすべての第２開口部３２０において、補助配線２１０と、第１上部電極５００との間に電圧を印加することで絶縁破壊による放電を発生させ、コンタクト開口部６００を一度に形成することができる。ただし、本発明の第２の実施形態において後述するように、補助配線２１０と、第１上部電極５００との間で流れる電流が過大になることを防止するために、表示領域１００を複数の領域に分割し、それぞれの領域ごとにコンタクト開口部６００を形成してもよい。

次に、コンタクト開口部６００によって露出された補助配線２１０、第１上部電極５００、および電源接続電極２５０上に第２上部電極５２０が形成されることにより、図３に示した表示装置１が製造される。第２上部電極５２０は、コンタクト開口部６００を介して補助配線２１０と、第１上部電極５００とを電気的に接続し、電源接続電極２５０から補助配線２１０への電力供給を可能にする。ここで、第２上部電極５２０は、例えば、光透過性を有するＭｇＡｇ合金などの金属薄膜、またはＩＴＯ等の透明導電性酸化物等で形成される。

さらに、表示装置１は、表示領域１００を透明封止ガラスで覆い、空気および水分が浸入しないように、基板１０００と透明封止ガラスとをＵＶ硬化樹脂等で接着することで内部を封止してもよい。

ここで、上述したコンタクト開口部６００を形成する工程において、第１上部電極５００が画素電極１１０に対応する領域の有機発光層４００上に形成されている場合、第１上部電極５００は、有機発光層４００を保護し、有機ＥＬ素子の劣化を防止することができる。

具体的には、コンタクト開口部６００を形成する工程では、放電による絶縁破壊によって除去された第１上部電極５００および有機発光層４００がコンタミネーション（ｃｏｎｔａｍｉｎａｔｉｏｎ）として飛散する。第１上部電極５００が有機発光層４００上に形成されている場合、第１上部電極５００は、これらコンタミネーションから有機発光層４００を保護することができる。また、第１上部電極５００は、コンタクト開口部６００を形成する工程を行う際の外部環境の変化から有機発光層４００を保護することができる。

なお、コンタクト開口部６００を介した補助配線２１０と第２上部電極５２０との接続部分の電気抵抗は、低いほど画面全体の輝度むらの抑制、輝度均一性の確保、および消費電力の低減に有利である。表示領域１００内の輝度分布を均一に保つためには、例えば、接続部分における電圧降下を２Ｖ以下に抑制することが好ましく、０．５Ｖ以下に抑制することがさらに好ましい。そのため、有機発光層４００の発光に要する１画素のピーク（ｐｅａｋ）電流が１００μＡである高輝度表示装置において、１画素に対して１箇所の接続部分が形成される場合、接続部分での電気抵抗は２００ｋΩ以下であることが好ましく、５０ｋΩ以下であることがさらに好ましい。

また、複数（Ｎ個）画素に対して１箇所の接続部分が形成される場合、接続部分での電圧降下を２Ｖ以下に抑制するためには、接続部分での電気抵抗は、（１／Ｎ）×２００ｋΩ以下であることが好ましい。さらに、接続部分での電圧降下を０．５Ｖ以下に抑制するためには、接続部分での電気抵抗は、（１／Ｎ）×５０ｋΩ以下であることがさらに好ましい。

上述した補助配線２１０と第２上部電極５２０との接続部分の電気抵抗は、表示領域１００内のすべての接続部分での電気抵抗の平均値が上述した値以下であればよい。もちろん、表示領域１００内のすべての接続部分での電気抵抗が上述した値以下であるほうがより好ましいことは言うまでもない。

以上説明したように、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１は、第２開口部３２０における第１上部電極５００と補助配線２１０との間に電圧が印加され、絶縁破壊による放電を発生させることで有機発光層４００および第１上部電極５００が除去され、コンタクト開口部６００が形成される。したがって、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１は、コンタクト開口部６００により補助配線２１０の一部が露出されるため、第２上部電極５２０は、第１上部電極５００と補助配線２１０と電気的に接続することができる。

よって、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１は、放電により有機発光層４００および第１上部電極５００を除去するため、従来のように、マスクとの精密なアライメント（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）や選択的なレーザ照射等を行う必要がなく、工程をより簡略化することができる。そのため、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１は、表示領域１００内の欠陥発生確率を低下させ、かつ上部電極における電圧降下を抑制することで表示領域１００内の輝度むらを抑制することができる。

［１．４．表示装置の変形例］
次に、図９〜１５を参照して、本発明の第１の実施形態の変形例に係る表示装置について説明する。第１の実施形態の変形例に係る表示装置は、第２開口部３２０に対応する位置における補助配線２１０の基板１０００とは反対の面に段差を形成することによって、より確実に絶縁破壊による放電を発生させるものである。図９〜１２は、第１の実施形態の変形例に係る表示装置の補助配線２１０の一例を示した平面図（ａ）および断面図（ｂ）である。

図９〜１２にて示す表示装置は、基板１０００上に補助配線２１０が形成され、さらに補助配線２１０上に第２開口部３２０を有する絶縁層３００が形成されている。すなわち、図９〜１２にて示す表示装置の製造工程は、絶縁層３００が形成された後の図５で示した表示装置１の製造工程に対応する。なお、図９〜１２は、図２におけるコンタクト領域ＣＡを拡大して示しており、画素電極１１０および電源接続電極２５０が形成された領域については省略した。

図９で示すように、例えば、変形例に係る補助配線２１０は、補助配線２１０における他の領域よりも膜厚が薄いパターン領域２１１ａ（すなわち、凹部）を有することにより、段差が形成されてもよい。具体的には、第２開口部３２０により露出される補助配線２１０の一部領域は、他の補助配線２１０よりも膜厚が薄いパターン領域２１１ａとして形成され、パターン領域２１１ａと他の領域との境界において段差が形成される。

なお、図９で示した例とは逆に、変形例に係る補助配線２１０は、補助配線２１０における他の領域よりも膜厚が厚いパターン領域（すなわち、凸部）を有することにより、段差が形成されてもよいことは言うまでもない。

また、図１０で示すように、例えば、変形例に係る補助配線２１０は、補助配線２１０が形成されていないパターン領域２１１ｂを有することにより、段差が形成されてもよい。具体的には、第２開口部３２０に対応する位置の補助配線２１０の一部領域は、補助配線２１０が成膜されない、または補助配線２１０が除去されたパターン領域２１１ｂとして形成され、パターン領域２１１ｂと他の領域との境界において段差が形成される。

また、図１１で示すように、例えば、変形例に係る補助配線２１０は、補助配線２１０が形成されていないパターン領域２１１ｃを複数有し、パターン領域２１１ｃのそれぞれと他の領域との境界において段差が形成されてもよい。

さらに、図１２で示すように、例えば、補助配線２１０が形成されていないパターン領域２１１ｄは、第２開口部３２０に対応する領域に加えて、第２開口部３２０に対応しない他の領域に形成されてもよい。

ここで、上記のパターン領域２１１ａ、２１１ｂ、２１１ｃ、２１１ｄは、例えば、フォトリソグラフィ等により形成される。また、パターン領域２１１ａ、２１１ｂ、２１１ｃ、２１１ｄは、補助配線２１０が形成される際に形成されてもよいし、補助配線２１０が形成された後に形成されてもよい。

また、上記のパターン領域２１１ａ、２１１ｂ、２１１ｃ、２１１ｄの数、位置および大きさは、第２開口部３２０に対応する領域を含み、補助配線２１０を電気的に分断しないものであれば、任意に設定することができる。

続いて、図１３〜１５を参照して、第１の実施形態の変形例に係る表示装置が、補助配線２１０に段差が形成されることによって、より確実に絶縁破壊による放電を発生させることができる原理について説明する。

ここで、図１３は、第１の実施形態の変形例に係る表示装置において絶縁破壊による放電を行う際の断面図である。また、図１４は、第１の実施形態の変形例に係る表示装置が有する補助配線の好ましい例を示した断面図であり、図１５は、第１の実施形態の変形例に係る表示装置が有する補助配線の好ましくない例を示した断面図である。

図１３〜１５にて示す表示装置は、基板１０００上に段差が設けられた補助配線２１０が形成され、さらに補助配線２１０上に第２開口部３２０を有する絶縁層３００が形成される。また、絶縁層３００上に有機発光層４００が形成され、有機発光層４００上に第１上部電極５００が形成される。すなわち、図１３〜１５にて示す表示装置の製造工程は、第１上部電極５００が形成された後の図７で示した表示装置１の製造工程に対応する。なお、図１３〜１５においても画素電極１１０および電源接続電極２５０が形成された領域については省略した。

ここで、図１３で示した表示装置において、パターン領域２１１によって補助配線２１０ａに形成された段差付近（図１３のＰ１領域）では、補助配線２１０ａ上に形成された有機発光層４００の膜厚が他の領域よりも薄くなるため、他の領域よりも電気抵抗が低くなり電界が集中する。よって、補助配線２１０ａに形成された段差付近では、電界集中により低電圧にて放電が発生しやすくなる。

したがって、第１の実施形態の変形例に係る表示装置１は、補助配線２１０ａに段差を形成することで絶縁破壊による放電が発生しやすくなるため、より確実に有機発光層４００および第１上部電極５００を除去し、コンタクト開口部６００を形成することができる。

また、図１４に示すように、パターン領域２１１によって補助配線２１０ｂに形成された段差は、第２開口部３２０側の角が突出した逆テーパー（ｔａｐｅｒ）形状を有することが好ましい。具体的には、補助配線２１０ｂに形成された段差は、第１上部電極５００側の角がなす角度が９０°以下の鋭角となることが好ましい。例えば、パターン領域２１１において、補助配線２１０ｂが形成されていない場合、補助配線２１０ｂは、第１上部電極５００側の開口が基板１０００側の開口よりも狭くなるように形成されていることが好ましい。

この構成によれば、パターン領域２１１によって補助配線２１０ｂに形成された段差付近（図１４のＰ２領域）では、補助配線２１０ｂ上に形成された有機発光層４００の膜厚が他の領域よりもさらに薄くなる。したがって、図１４で示した表示装置は、補助配線２１０ｂに形成された段差付近にてより電界が集中しやすく、絶縁破壊による放電が発生しやすくなるため、より好ましい。

一方、補助配線２１０ｂに形成された段差が順テーパー形状であり、補助配線２１０ｂに形成された段差における第１上部電極５００側の角のなす角度が９０°以上の鈍角である場合、補助配線２１０ｂに形成された段差付近の有機発光層４００の膜厚と、他の領域の有機発光層４００の膜厚との差が小さくなる。したがって、補助配線２１０ｂに形成された段差付近にて電界が集中しにくくなり、絶縁破壊による放電が発生しにくくなるため、好ましくない。

さらに、パターン領域２１１によって補助配線２１０ｃに形成された段差の高さＴ１は、有機発光層４００の膜厚Ｔ２に対して、１／４以上となることが好ましい。例えば、図１５を参照すると、補助配線２１０ｃに形成された段差の高さＴ１が有機発光層４００の膜厚Ｔ２の１／４未満である場合、補助配線２１０ｃに形成された段差付近（図１５のＰ３領域）の有機発光層４００の膜厚と、他の領域の有機発光層４００の膜厚との差が小さくなる。したがって、補助配線２１０ｃに形成された段差付近にて電界が集中しにくくなり、絶縁破壊による放電が発生しにくくなるため、好ましくない。

以上にて、本発明の第１の実施形態に係る表示装置１について、詳細に説明した。

＜２．第２の実施形態＞
続いて、図１６を参照して、本発明の第２の実施形態に係る表示装置１Ａについて説明する。本発明の第２の実施形態に係る表示装置１Ａは、表示領域が複数の領域に分かれており、領域ごとに第１上部電極５００と補助配線２１０との間の電圧印加を行い、コンタクト開口部を形成する実施形態である。なお、図１６は、本発明の第２の実施形態に係る表示装置１Ａの補助配線２１０への電圧印加を説明する説明図である。

図１６に示すように、表示装置１Ａは、表示領域が第１表示領域１００Ａ１、および第２表示領域１００Ａ２に２領域に分割されている。また、表示装置１Ａは、第１表示領域１００Ａ１の第１上部電極５００と補助配線２１０との間に電圧を印加するための第１電圧印加部７０Ａ１と、第２表示領域１００Ａ２の第１上部電極５００と補助配線２１０との間に電圧を印加するための第２電圧印加部７０Ａ２と、備える。なお、第１上部電極５００および補助配線２１０の少なくともいずれか一方は、第１表示領域１００Ａ１、および第２表示領域１００Ａ２の間で電気的に分断されていることは言うまでもない。

この構成によれば、表示装置１Ａは、第１表示領域１００Ａ１、および第２表示領域１００Ａ２のそれぞれの領域において、別個に第１上部電極５００と補助配線２１０との間に電圧を印加し、コンタクト開口部を形成することができる。

したがって、本発明の第２の実施形態に係る表示装置１Ａは、大面積を一度に処理することによる電流の増加を抑制し、過大な電流が流れることによる焼損等の不具合の発生を抑制することができる。また、本発明の第２の実施形態に係る表示装置１Ａは、第１表示領域１００Ａ１での処理において一部で短絡が発生した場合でも、第２表示領域１００Ａ２での処理には、影響しないようにすることができる。

＜３．第３の実施形態＞
次に、図１７を参照して、本発明の第３の実施形態に係る表示装置について説明する。本発明の第３の実施形態に係る表示装置は、第２上部電極５２０ａが、画素電極１１０に対応した領域の有機発光層４００上に延設されない実施形態である。図１７は、本発明の第３の実施形態に係る表示装置の積層構造を示す断面図である。

図１７で示すように、本発明の第３の実施形態に係る表示装置において、第２上部電極５２０ａは、第１上部電極５００、コンタクト開口部６００に対応する位置の補助配線２１０、および電源接続電極２５０上に形成される。ただし、第２上部電極５２０ａは、画素電極１１０に対応する領域の有機発光層４００上には延設されない。すなわち、第２上部電極５２０ａは、コンタクト開口部６００に対応する位置の第１上部電極５００上と、コンタクト開口部６００によって露出された補助配線２１０上とに選択的に形成され、第１上部電極５００と補助配線２１０とを電気的に接続する。なお、第２上部電極５２０ａは、導電性を有していれば、いかなる金属で形成されてもよい。

一方、第１上部電極５００は、画素電極１１０に対応する領域の有機発光層４００上に延設され、有機発光層４００が第１上部電極５００および画素電極１１０の間に積層されることによって有機ＥＬ素子が形成される。このような有機ＥＬ素子では、第１上部電極５００が陰極となり、画素電極１１０が陽極となる。

例えば、第２上部電極５２０が画素電極１１０に対応する領域の有機発光層４００上に形成されている場合、有機ＥＬ素子の陰極は、第１上部電極５００および第２上部電極５２０にて形成される。このような有機ＥＬ素子では、第１上部電極５００および第２上部電極５２０の積層膜でマイクロキャビティ（ｍｉｃｒｏ ｃａｖｉｔｙ）構造を最適化する必要がある。また、第２上部電極５２０は、補助配線２１０と第１上部電極５００とを電気的に接続させる必要があるため、使用可能な膜厚およびシート抵抗が制限される。

一方、本発明の第３の実施形態に係る表示装置は、有機ＥＬ素子の陰極が第１上部電極５００のみで形成されるため、有機ＥＬ素子においてマイクロキャビティ構造を制御することが容易になる。また、第２上部電極５２０ａを任意の膜厚およびシート抵抗で成膜することができるため、例えば、補助配線２１０と第１上部電極５００との接続において、第２上部電極５２０ａを十分な膜厚で形成することでコンタクト抵抗を低減することが可能である。

したがって、本発明の第３の実施形態に係る表示装置は、有機ＥＬ素子のマクロキャビティ構造の制御がより容易になり、第２上部電極５２０ａを任意の膜厚およびシート抵抗することができるため、構造設計の際の自由度を向上させることができる。

なお、本発明に係る表示装置は、第３の実施形態とは逆に、第１上部電極５００が画素電極１１０に対応する領域の有機発光層４００上に形成されず、第２上部電極５２０が画素電極１１０に対応する領域の有機発光層４００上に形成される構造を採用することも可能である。このような場合、第２上部電極５２０および画素電極１１０の間に有機発光層４００が積層され、第２上部電極５２０が陰極となり、画素電極１１０が陽極となることで有機ＥＬ素子が形成される。

＜４．実施例＞
以下では、実施例及び比較例を参照しながら、本発明の一実施形態に係る表示装置について、具体的に説明する。

［４．１．表示装置の製造］
まず、以下の手順にて、本発明の一実施形態に係る表示装置を製造した。なお、以下で述べる表示装置の構造および製造方法はあくまでも一例であって、本発明の一実施形態に係る表示装置の構造および製造方法が下記の例に限定されるものではない。

（実施例１）
まず、ガラス基板上に低温ポリシリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）を用いたＴＦＴにて画素ピッチ（ｐｉｔｃｈ）３１８μｍの縦横１０画素×１０画素の画素回路を形成した。画素回路と画素電極との接続部分にはスルーホールを形成し、その他の部分にはポリイミドの平坦化膜（膜厚２μｍ）を形成した。

次に、画素電極、補助配線および電源接続電極を下層が銀合金（ＡｇＰｄＣｕ）（膜厚１５０ｎｍ）、上層がＩＴＯ（膜厚２０ｎｍ）の積層電極膜にて同一面にパターンニングして形成した。続いて、画素の開口部分（第１開口部）と、補助配線と上部電極との接続部分（第２開口部）と、が露出するようにポリイミドの絶縁層をパターニングして形成した。なお、補助配線と上部電極との接続部分は、１画素につき１箇所形成した。ここで、補助配線は、表示領域の外側に電圧印加用のパッド部を有するように形成し、後の工程において、第１上部電極と補助配線との間で電圧を印加できるようにした。また、電源接続電極は、表示装置の表示領域の外側に形成した。

続いて、絶縁層表面に酸素プラズマ処理を行った後、真空蒸着法にて有機発光層を形成した。なお、有機発光層は、下層から順に、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ層（［４，４’，４”−Ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌ−ｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉ−ｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ］）（膜厚５０ｎｍ）、ＮＰＢ層（（Ｎ，Ｎ−Ｄｉ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ−１−ｙｌ）−Ｎ，Ｎ−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−ｂｅｎｚｉｄｅｎｅ））（膜厚７０ｎｍ）、発光層（膜厚３０ｎｍ）、Ａｌｑ_３層（Ｔｒｉｓ（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎａｔｏ）ａｌｕｍｉｎｉｕｍ）（膜厚３０ｎｍ）、ＬｉＦ層（膜厚１ｎｍ）を積層することで形成した。ここで、発光層は、ＡＤＮ（９，１０−Ｄｉ（２−ｎａｐｈｔｈｙｌ）ａｎｔｈｒａｃｅｎｅと、発光層の総質量に対して５質量％のＤＰＡＶＢｉ（ ４，４’−Ｂｉｓ［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ｄｉｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｐｈｅｎｙｌ｝ｖｉｎｙｌ］ｂｉｐｈｅｎｙｌ）とを共蒸着することで形成した。なお、有機発光層は、マスク等を用いて表示装置の表示領域のみに成膜し、表示領域の外側の電圧印加用のパッド（ｐａｄ）部等には成膜されないようにした。

さらに、真空蒸着法にて第１上部電極をＭｇＡｇ（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）（膜厚５ｎｍ）にて形成した。ここで、第１上部電極についても電圧印加用のパッド部を有するようにマスク等でパターン形成して成膜した。

次に、窒素雰囲気下において、電圧印加用のパッド部を用いて補助配線と第１上部電極との間に交流電圧の印加を行った。印加した交流電圧の周波数は１００ｋＨｚ、実効印加電圧は１０〜３０Ｖｒｍｓである。かかる電圧印加により補助配線と第１上部電極との間で絶縁破壊による放電が発生し、有機発光層および第１上部電極が一部除去されていることを確認した。

さらに、真空蒸着法にて第２上部電極をＭｇＡｇ（Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）（膜厚１０ｎｍ）にて形成し、電源接続電極、補助配線および第１上部電極を接続した。続いて、窒素雰囲気下において、基板の表示領域を透明封止ガラスで覆い、基板と透明封止ガラスとをＵＶ硬化樹脂等で接着し封止することで、有機ＥＬ表示装置を製造した。

（実施例２）
第１上部電極を膜厚１５ｎｍで形成し、第２上部電極をスパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）法により酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を膜厚２０ｎｍで形成したこと以外は、実施例１と同様の方法で有機ＥＬ表示装置を製造した。

（実施例３）
第１上部電極を膜厚１５ｎｍで形成し、メタルマスク（ｍｅｔａｌ ｍａｓｋ）を用いて補助配線との第１上部電極との接続部分（コンタクト開口部）に対して選択的に第２上部電極を１２ｎｍで形成したこと以外は、実施例１と同様の方法で有機ＥＬ表示装置を製造した。なお、実施例３は、上述した第３の実施形態にて説明した構造を有する表示装置の実施例である。

（比較例１）
第２上部電極を介した電源接続電極、補助配線、および第１上部電極との電気的な接続を行わず、電源接続電極を第１上部電極に直接接続したこと以外は、実施例１と同様の方法で有機ＥＬ表示装置を製造した。

（比較例２）
放電によるコンタクト開口部の形成を行わず、電源接続電極、補助配線、および第１上部電極との電気的な接続を行わなかったこと以外は、実施例１と同様の方法で有機ＥＬ表示装置を製造した。

［４．２．評価結果］
以上にて製造した実施例１〜３、および比較例１、２に係る有機ＥＬ表示装置の評価結果を以下の表１に示す。

なお、製造した有機ＥＬ表示装置の補助配線と第１上部電極との接続部分の電気抵抗の測定には、Ｋｅｉｔｈｌｅｙ製２４００ソースメータを用いた。また、製造した有機ＥＬ表示装置の発光効率の評価には、浜松ホトニクス製Ｃ９９２０−１１輝度配向特性測定装置を用いた。さらに、下記の表１において、電気抵抗の値は、画素ごとに設けられた補助配線と第１上部電極との接続部分１００箇所の平均値で示した。また、駆動電圧および発光効率の測定は、３ｍＡの電流にて行った。

なお、比較例１では、補助配線と第１上部電極との接続部分がないため、電気抵抗は測定していない。また、比較例２は、有機ＥＬ素子に電圧を印加することができず、有機ＥＬ表示装置は点灯しなかった。比較例２において、補助配線と第１上部電極との間の電気抵抗を測定したところ、１ＧΩ以上であった。

表１に示す結果を参照すると、実施例１〜３に係る有機ＥＬ表示装置は、電源接続電極と第１上部電極とを直接接続した比較例１に対して、同様の駆動電圧および発光効率で発光することができることが分かった。

また、実施例１〜３に係る有機ＥＬ表示装置における補助配線と第１上部電極との接続部分の電気抵抗は、５０ｋΩ以下であり、電圧降下が抑制され、画面全体の輝度むらが抑制されていることがわかる。

以上にて説明したように、本発明の一実施形態に係る表示装置は、補助配線と上部電極との接続を簡略化し、マスクとの精密なアライメントや選択的なレーザ照射等を行うことなく、補助配線と上部電極との接続を形成することができる。また、本発明の一実施形態に係る表示装置は、画面内の欠陥発生確率を低下させ、かつ上部電極における電圧降下を抑制することで画面内の輝度むらを抑制することができる。

以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施形態について詳細に説明したが、本発明はかかる例に限定されない。本発明の属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。

１ 表示装置
１０、１０００ 基板
７０ 電圧印加部
７１、７２、７３、７４ 駆動回路
１００ 表示領域
１１０ 画素電極
２１０ 補助配線
２５０ 電源接続電極
３００ 絶縁層
３１０ 第１開口部
３２０ 第２開口部
３５０ 第３開口部
４００ 有機発光層
５００ 第１上部電極
５２０ 第２上部電極
６００ コンタクト開口部

Claims (9)

1. 複数の画素を有する表示装置であって、
   前記画素に対応する画素電極と、
   前記画素電極と離隔して、前記画素電極と同一面上に配置される補助配線と、
   前記画素電極および前記補助配線上にわたって配置され、前記画素電極の一部、および前記補助配線の一部を覆う絶縁層と、
   前記画素電極、前記補助配線、および前記絶縁層上に配置される有機発光層と、
   少なくとも前記補助配線に対応した位置の前記有機発光層上に配置される第１電極と、
   前記補助配線に対応する位置の前記有機発光層および前記第１電極に形成される開口部と、
   前記第１電極上と、前記開口部に対応する位置の前記補助配線上とに配置され、前記補助配線および前記第１電極を電気的に接続する第２電極と、を備える表示装置。
2. 前記開口部に対応する位置における前記補助配線の前記第２電極側の面には、少なくとも１つ以上の段差が形成される、請求項１に記載の表示装置。
3. 前記段差は、前記第２電極側の角が突出した逆テーパー形状を有する、請求項２に記載の表示装置。
4. 前記段差の高さは、前記有機発光層の膜厚の１／４以上である、請求項２または３に記載の表示装置。
5. 前記表示装置は、少なくとも１つ以上の前記画素ごとに前記第２電極を備え、
   複数の前記第２電極において、前記第２電極によって電気的に接続された前記補助配線と前記第１電極との電気抵抗の平均値は、２００ｋΩ以下である、請求項１〜４のいずれか一項に記載の表示装置。
6. 前記第１電極は、前記補助配線に対応した位置の前記有機発光層上から前記画素電極に対応した位置の前記有機発光層上まで延設され、前記第２電極は、前記画素電極に対応した位置の前記有機発光層上に延設されない、請求項１〜５のいずれか一項に記載の表示装置。
7. 前記第１電極および前記第２電極の少なくともいずれかを介して前記補助配線と電気的に接続され、前記有機発光層を発光させるための電力を供給する電力供給配線をさらに備える、請求項１〜６のいずれか一項に記載の表示装置。
8. 複数の画素を有する表示装置の製造方法であって、
   前記画素の各々に対応する画素電極を形成するステップと、
   前記画素電極と離隔して、同一面上に補助配線を形成するステップと、
   前記画素電極および前記補助配線上にわたって形成され、前記画素電極の一部、および前記補助配線の一部を覆う絶縁層を形成するステップと、
   前記画素電極、前記補助配線、および前記絶縁層上に有機発光層を形成するステップと、
   少なくとも前記補助配線に対応した位置の前記有機発光層上に第１電極を形成するステップと、
   前記補助配線と前記第１電極との間に電圧を印加して放電を発生させ、前記有機発光層および前記第１電極を除去し、前記補助配線の一部を露出させる開口部を形成するステップと、
   前記第１電極上と、前記開口部によって露出された前記補助配線上とに前記補助配線および前記第１電極を電気的に接続する第２電極を形成するステップと、を含む表示装置の製造方法。
9. 前記表示装置は、互いに電気的に分離された前記補助配線を複数備え、前記開口部を形成するステップは、複数の前記補助配線ごとに行われる、請求項８に記載の表示装置の製造方法。

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