JP3990374B2 - 有機電界発光表示装置 - Google Patents
有機電界発光表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3990374B2 JP3990374B2 JP2004090466A JP2004090466A JP3990374B2 JP 3990374 B2 JP3990374 B2 JP 3990374B2 JP 2004090466 A JP2004090466 A JP 2004090466A JP 2004090466 A JP2004090466 A JP 2004090466A JP 3990374 B2 JP3990374 B2 JP 3990374B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- supply line
- light emitting
- organic light
- emitting display
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 82
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 26
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 14
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 9
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 9
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- -1 Acryl Chemical group 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
- H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
- H10K59/1315—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals comprising structures specially adapted for lowering the resistance
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
- H10K2102/3023—Direction of light emission
- H10K2102/3026—Top emission
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
本発明は有機電界発光表示装置に係り、さらに詳細には低抵抗金属で反射膜と電源供給ラインを同時に形成して電圧降下及び電源供給ライン間のショートを防止する有機電界発光表示装置に関する。
アクティブマトリックス有機電界発光表示装置（Ａｃｔｉｖｅ Ｍａｔｒｉｘ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ Ｄｉｓｐｌａｙ；ＡＭＯＬＥＤ）は一般に、各単位画素が基本的にスイッチングトランジスタ、駆動トランジスタ、キャパシター及び発光素子を備え、前記駆動トランジスタ及びキャパシターには電源供給ラインから共通電源Ｖｄｄが提供される。電源供給ラインは駆動トランジスタを通じて発光素子に流れる電流を制御する役割を有するので、均一な輝度を得るためにはマトリックス状に配列された数多くの画素に均一に共通電源が提供されなければならない。
添付された図面を参照して、従来技術に対して説明する。
図１は、従来の有機電界発光表示装置を示す断面図である。
図１を参照すれば、バッファー層１１０が形成された絶縁基板１００上にポリシリコン膜からなる活性層１２０を形成する。
その次に、前記絶縁基板１００全面にゲート絶縁膜１３０とゲートメタルを蒸着して、ゲートメタルをパターニングしてゲート電極１４０を形成する。
前記ゲート電極１４０を形成した後、前記ゲート電極１４０をマスクとして利用して所定の不純物をドーピングして、ソース領域１２１とドレイン領域１２５を形成する。そして、前記活性層１２０のうちソース領域１２１とドレイン領域１２５間の領域はチャネル領域１２３として作用する。
その後、層間絶縁膜１５０を蒸着して、パターニングしてソース領域１２１とドレイン領域１２５の一部を露出させるコンタクトホール１５１、１５５を形成する。絶縁基板１００全面に金属層を蒸着した後、フォトエッチングしてソース／ドレイン電極１６１、１６５を形成する。前記ソース／ドレイン電極１６１、１６５のうちいずれか一つ、例えばソース電極１６１が電源供給ラインの役割を有する。
前記ソース／ドレイン電極１６１、１６５を含む絶縁基板１００全面に保護膜１７０を形成して、前記保護膜１７０にドレイン電極１６５の一部を露出させるビアホール１７５を形成する。
その次に、前記絶縁基板１００の反射率が優れたＡｇ、Ａｌなどの金属を蒸着した後、ＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な伝導性物質を蒸着してパターニングして反射膜１８１と透明電極１８３で構成されるアノード（ａｎｏｄｅ）電極１８０を形成する。
以後には、図面上には図示しなかったが、有機発光層とカソード電極を形成する。
前記した従来の有機電界発光表示装置は、通常的に電源供給ラインをソース／ドレイン電極１６１、１６５を利用して形成する。しかし、前記ソース／ドレイン電極１６１、１６５として主に使われるＭｏＷは、抵抗が高くて電圧降下（ＩＲ ｄｒｏｐ）が多いという問題点がある。
また、ソース／ドレイン電極１６１、１６５を電源供給ラインとして用いる場合には、隣接した配線間にショートが発生するという問題点がある。
したがって、本発明の目的は前記した従来技術の問題点を解決するためのことであって、本発明は低抵抗金属で反射膜と同時に電源供給ラインを形成して、電圧降下と電源供給ライン間のショート発生を防止した有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供することにその目的がある。
前記した目的を達成するための本発明は絶縁基板上に形成されたゲートライン、データライン及び電源供給ラインと；前記ゲートライン、データライン及び電源供給ラインにより限定される画素領域と；前記画素領域に配列される少なくとも反射膜及び画素電極を備える画素を含み、前記反射膜は前記電源供給ラインと同一層上に形成される有機電界発光表示装置を提供することを特徴とする。
また、本発明は絶縁基板上に形成され、ソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタと；前記絶縁基板上に形成され、前記ソース／ドレイン電極のうちいずれか一つを露出させるコンタクトホールを備えた第１絶縁膜と；前記第１絶縁膜上に形成された反射膜と；前記第１絶縁膜上に形成され、前記コンタクトホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうちいずれか一つと電気的に連結する電源供給ラインと；前記反射膜及び電源供給ラインを備える前記絶縁基板上に形成され、前記ソース／ドレイン電極のうち他の一つを露出させるビアホールを備えた第２絶縁膜と；前記第２絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうち他の一つと電気的に連結した画素電極を含む有機電界発光表示装置を提供することを特徴とする。
また、本発明は絶縁基板上に形成され、ソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタと；前記絶縁基板上に形成され、前記ソース／ドレイン電極を露出させるコンタクトホールを備えた第１絶縁膜と；前記第１絶縁膜上に形成され、前記ソース／ドレイン電極のうちいずれか一つと電気的に連結する第１画素電極と；前記第１絶縁膜上に形成され、前記コンタクトホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうち他の一つと電気的に連結する電源供給ラインと；前記第１画素電極及び電源供給ラインを備える前記絶縁基板上に形成され、前記第１画素電極の一部分を露出させるビアホールを備えた第２絶縁膜と；前記第２絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを通じて前記第１画素電極と電気的に連結した第２画素電極を含む有機電界発光表示装置を提供することを特徴とする。
本発明の望ましい実施例において、前記電源供給ラインは、ゲートライン及びデータラインと他の層上に形成されることが望ましい。
また、前記反射膜と電源供給ラインは、間に絶縁層が介在して電気的に分離（絶縁）されている。
また、前記第１画素電極と電源供給ラインは、間に絶縁層が介在しており、ビアホールを通じて電気的に連結（接続）している。
また、前記反射膜または第１画素電極及び電源供給ラインは同一物質からなって、抵抗が低い金属で構成されることが望ましい。また、前記反射膜及び電源供給ラインは厚さが１０００Åないし５０００Åであることが望ましい。
また、前記電源供給ラインは、線状（ｌｉｎｅａｒ）または格子（ｇｒｉｄ）構造で形成されることが望ましい。
また、前記第１絶縁膜は保護膜であって、第２絶縁膜は平坦化膜であり、前記第２絶縁膜はアクリル、ＰＩ、ＰＡまたはＢＣＢなどの透明有機物質からなることが望ましく、厚さが１μｍないし２μｍであることが望ましい。
前記したように本発明によると、本発明は電源供給ラインを反射膜または第１画素電極と同時に形成して電源供給ライン間のショート発生を防止する有機電界発光表示装置を提供することができる。
また、本発明は電源供給ラインとして反射膜または第１画素電極物質で用いられる低抵抗金属を用いて電圧降下効果を抑制した有機電界発光表示装置を提供することができる。
前記では本発明の望ましい実施例を参照しながら説明したが、該技術分野の熟練された当業者は特許請求範囲に記載された本発明の思想及び領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができることを理解することができる。
以下、添付した図面を参照して、本発明の実施例を説明する。
（実施例１）
図２Ａは、本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置の平面構造を示したものであって、図２Ｂは断面構造を示したものである。図２Ｂは図２ＡのIIＢ−IIＢ線による有機電界発光表示装置の断面構造であって、画素のうち駆動薄膜トランジスタ、ＥＬ素子及びキャパシターに限定して示したものである。
図２Ａは、本発明の第１実施例による有機電界発光表示装置の平面構造を示したものであって、図２Ｂは断面構造を示したものである。図２Ｂは図２ＡのIIＢ−IIＢ線による有機電界発光表示装置の断面構造であって、画素のうち駆動薄膜トランジスタ、ＥＬ素子及びキャパシターに限定して示したものである。
図２Ａ及び図２Ｂを参照すれば、第１実施例によるアクティブマトリックス有機電界発光表示装置は、絶縁基板２００上に形成された複数のゲートライン２１０、前記ゲートライン２１０と交差するように前記絶縁基板２００上に形成された複数のデータライン２２０、共通電源を供給するための電源供給ライン２３０及び前記信号ライン２１０、２２０と電源供給ライン２３０に連結する複数の画素を備える。
各画素は、前記ゲートライン２１０及びデータライン２２０に連結するスイッチング用薄膜トランジスタ２７０と、ビアホール２５９を通じて電源供給ライン２３０に連結するキャパシター２４０と、前記ビアホール２５９を通じて電源供給ライン２３０に連結する駆動用薄膜トランジスタ２５０及びＥＬ素子２６０を備える。
前記キャパシター２４０の上部電極２４６及び下部電極２４４は、層間絶縁膜２５５の上、下部にアイランド（ｉｓｌａｎｄ）状でそれぞれ形成される。前記キャパシター２４０の下部電極２４４は駆動用薄膜トランジスタ２５０のゲート電極２５４に連結して、スイッチング用薄膜トランジスタ２７０のソース／ドレイン電極２７３ａ、２７３ｂのうちいずれか一つ、例えばソース電極２７３ａにコンタクトホール２７４を通じて連結する。前記キャパシター２４０の上部電極２４６はビアホール２５９を通じて電源供給ライン２３０に連結する。前記ＥＬ素子２６０の反射膜２６１は電源供給ライン２３０と同一層、例えば第１絶縁膜２５７上に形成され、第２絶縁膜２６２によって他の層と絶縁される。
また、前記ＥＬ素子の画素電極２６３は、第２絶縁膜２６２上に形成されてビアホール２５８を通じて駆動用薄膜トランジスタ２５０のソース／ドレイン電極２５６ａ、２５６ｂのうちいずれか一つ、例えばドレイン電極２５６ｂに連結する。
この時、前記ゲートライン２１０とデータライン２２０は、両ライン２１０、２２０間に層間絶縁膜２５５からなる絶縁層を介在して電気的に相互分離される。前記電源供給ライン２３０は第１絶縁膜２５７とゲート絶縁膜２５３からなる絶縁層を介在して前記ゲートライン２１０及びデータライン２２０と電気的に相互分離される。したがって、本発明においては電源供給ライン２３０が反射膜２６１と同一層、すなわち第１絶縁膜２５７上に形成される。それゆえ、電源供給ライン２３０がゲートライン２１０またはデータライン２２０とは異なった層上に形成されるので、インラインショートが防止される。
前記したような構造を有する本発明の有機電界発光表示装置の製造方法を説明すると次の通りである。
バッファー層２５１が形成された絶縁基板２００上にポリシリコン膜で形成された活性層２５２を形成する。
その次に、前記活性層２５２を含むバッファー層２５１上にゲート絶縁膜２５３を形成して、前記ゲート絶縁膜２５３上にゲートメタルを蒸着して、ゲートメタルをパターニングしてゲート電極２５０を形成する。
前記ゲート電極２５４を形成した後、前記ゲート電極２５４をマスクとして利用して所定の不純物を注入して、ソース／ドレイン領域２５２ａ、２５２ｂを形成する。
前記ソース／ドレイン領域２５２ａ、２５２ｂを形成した次に、層間絶縁膜２５５を蒸着して、パターニングしてソース領域２５２ａとドレイン領域２５２ｂの一部を露出させるコンタクトホール２５５ａ、２５５ｂを形成する。
前記コンタクトホール２５５ａ、２５５ｂを形成した次に、前記絶縁基板２００の全面に金属物質を蒸着してパターニングして前記コンタクトホール２５５ａ、２５５ｂを通じて前記ソース／ドレイン領域２５２ａ、２５２ｂと電気的に連結するソース／ドレイン電極２５６ａ、２５６ｂを形成して活性層２５２、ゲート電極２５４、ソース／ドレイン電極２５６ａ、２５６ｂなどで構成される薄膜トランジスタを形成する。
その次に、前記薄膜トランジスタを含む絶縁基板２００全面に第１絶縁膜２５７を形成してエッチングして前記ソース／ドレイン電極２５６ａ、２５６ｂのうちいずれか一つ、例えばソース電極２５６ａの一部を露出させるビアホール２５９を形成する。前記第１絶縁膜２５７はＳｉＮｘまたはＳｉＯ２等のような無機物質を用いて形成して保護膜として作用する。
前記ビアホール２５９を形成した後、絶縁基板２００全面に抵抗が低く、反射率が優れた金属物質を蒸着してパターニングして以後に形成される有機発光層から発光する光を反射させる役割を有する反射膜２６１を形成すると同時に、前記ビアホール２５９を通じて前記ソース電極２５６ａと電気的に連結する電源供給ライン２３０を形成する。この時、前記反射膜２６１及び電源供給ライン２３０は反射率が優れ、抵抗が低い金属を用いることが望ましく、さらに望ましくはＡｌ、Ａｇなどの金属を用いる。また、前記反射膜２６１及び電源供給ライン２３０は厚さが１０００Åないし５０００Åであることが望ましい。
前記反射膜２６１と電源供給ライン２３０を同時に形成した後、前記絶縁基板２００全面に第２絶縁膜２６２を形成してパターニングして、前記第２絶縁膜２６２に前記ソース／ドレイン電極２５６ａ、２５６ｂのうち他の一つ、例えばドレイン電極２５６ｂの一部を露出させるビアホール２５８を形成する。
この時、前記第２絶縁膜２６２は、平坦化膜として作用し、アクリル（Ａｃｒｙｌ）、ＰＩ（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ＰＡ（Ｐｏｌｙａｍｉｄｅ）またはＢＣＢ（Ｂｅｎｚｏｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ）等のように透明で、流動性があって下部構造の屈曲を緩和させて平坦化させることができる物質を用い、以後に形成される有機発光層から発光する光の透過と充分な平坦化を考慮して１μｍないし２μｍの厚さに蒸着することが望ましい。
前記ビアホール２５８を形成した後、前記絶縁基板２００全面にＩＴＯ、ＩＺＯなどの透明な伝導性の物質を蒸着してパターニングして前記ソース／ドレイン電極のうち他の一つと電気的に連結する画素電極２６３を形成する。
その次に、前記画素電極２６３上に画素電極の一部分を露出させる開口部２６９を備える画素定義膜２６４と、有機発光層２６５と、カソード電極２６６を形成してＥＬ素子２６０を形成する。
以後には、図面上には図示しなかったが、封じ基板を利用して前記絶縁基板２００を封止して前面発光有機電界発光表示装置を形成する。
図３Ａ及び図３Ｃは、本発明の望ましい実施例による反射膜３６１と電源供給ライン３３０の平面構造を示したものである。
図３Ａでは、電源供給ラインの各格子内に反射膜３６１がアイランド状で含まれる形態に形成される。前記したように、前記電源供給ライン３３０が格子型で形成されれば、電源電圧Ｖｄｄを４方向（矢印表示）から印加できるので、電源供給ライン３３０を通した電圧降下効果を抑制することができる。
また、図３Ｂでは、前記アイランド状の反射膜３６１が列と行のマトリックス状に配列されて、列方向に配列された隣接する反射膜３６１間にライン（ｌｉｎｅ）状で電源供給ライン３３０が形成される。
また、図３Ｃでのように、列と行のマトリックス状に配列された前記アイランド状の隣接する反射膜３６１間に行方向に配列されることができる。
（実施例２）
図４Ａは、本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置の平面構造を示したものであって、図４Ｂは断面構造を示したものである。図４Ｂは図４ＡのIVＢ−IVＢ線による有機電界発光表示装置の断面構造であって、画素のうち駆動薄膜トランジスタ、ＥＬ素子及びキャパシターに限定して示したものである。
図４Ａは、本発明の第２実施例による有機電界発光表示装置の平面構造を示したものであって、図４Ｂは断面構造を示したものである。図４Ｂは図４ＡのIVＢ−IVＢ線による有機電界発光表示装置の断面構造であって、画素のうち駆動薄膜トランジスタ、ＥＬ素子及びキャパシターに限定して示したものである。
図４Ａ及び図４Ｂに示したアクティブマトリックス有機電界発光表示装置は、前記第１実施例のアクティブマトリックス有機電界発光表示装置と構造的に同様である。ただし、第１実施例の反射膜と画素電極が相互に電気的に連結して反射型第１画素電極４６１と透過型第２画素電極４６４で構成され、前記反射型第１画素電極４６１が下部のソース／ドレイン電極４５６ａ、４５６ｂと連結する構造だけが違う。
すなわち、第２実施例によるアクティブマトリックス有機電界発光表示装置は、図４Ａ及び図４Ｂでのように、ＥＬ素子４６０の第１画素電極４６１は電源供給ライン４３０と同一層、例えば第１絶縁膜４５７上に形成され、第１絶縁膜のコンタクトホール４５８を通じて駆動用トランジスタのソース／ドレイン電極４５６ａ、４５６ｂのうちいずれか一つ、例えばドレイン電極４５６ｂに連結する。
また、前記ＥＬ素子の第２画素電極４６４は、第２絶縁膜４６２上に形成されてビアホール４６３を通じて第１画素電極４６１に電気的に連結する。
図５Ａ及び図５Ｃは、本発明の望ましい実施例による第１画素電極５６１と電源供給ライン５３０の平面構造を示したものである。
図５Ａでは、電源供給ラインの各格子内に第１画素電極５６１がアイランド状で含まれる形態に形成され、前記電源供給ライン５３０が格子型で形成される。
また、図５Ｂ及び図５Ｃでは、前記アイランド状の第１画素電極５６１が列と行のマトリックス状に配列されて、列方向または行方向に配列された隣接する第１画素電極５６１間にライン状で電源供給ライン５３０が形成される。
前記したように、電源供給ラインをソース／ドレイン電極と同時に形成しなくて、反射膜２６１または第１画素電極４６１と同時に形成することによって、ゲート／データラインと電源供給ライン間のインラインショート（ｉｎ−ｌｉｎｅ ｓｈｏｒｔ）問題を解決することができる。また、反射膜２６１または第１画素電極４６１として用いられる低抵抗金属を電源供給ラインとして用いることによって、電圧降下効果を抑制することができる。
また、付随的にゲート／データラインとのインラインショートを解決することによって、電源供給ラインの幅を広げることができる。
２００ 絶縁基板
２１０ ゲートライン
２２０ データライン
２３０、４３０、５３０ 電源供給ライン
２４０ キャパシター
２５０ 駆動用薄膜トランジスタ
２５２ 活性層
２５７、４５７ 第１絶縁膜
２５８ ビアホール
２５９ ビアホール
２６０、４６０ ＥＬ素子
２６１ 反射膜
２６２、４６２ 第２絶縁膜
２７０ スイッチング用薄膜トランジスタ
４６１ 反射型第１画素電極
４６２ 透過型第２画素電極
４６３ ビアホール
５６１ 第１画素電極
２１０ ゲートライン
２２０ データライン
２３０、４３０、５３０ 電源供給ライン
２４０ キャパシター
２５０ 駆動用薄膜トランジスタ
２５２ 活性層
２５７、４５７ 第１絶縁膜
２５８ ビアホール
２５９ ビアホール
２６０、４６０ ＥＬ素子
２６１ 反射膜
２６２、４６２ 第２絶縁膜
２７０ スイッチング用薄膜トランジスタ
４６１ 反射型第１画素電極
４６２ 透過型第２画素電極
４６３ ビアホール
５６１ 第１画素電極
Claims (9)
- 絶縁基板上に形成され、ソース／ドレイン電極を備える薄膜トランジスタと；
前記絶縁基板上に形成され、前記ソース／ドレイン電極のうちいずれか一つを露出させるコンタクトホールを備えた第１絶縁膜と；
前記第１絶縁膜上に形成された反射膜と；
前記第１絶縁膜上に形成され、前記反射膜とは絶縁され、前記コンタクトホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうちいずれか一つと電気的に連結する電源供給ラインと；
前記反射膜及び電源供給ラインを備える前記絶縁基板上に形成され、前記ソース／ドレイン電極のうち他の一つを露出させるビアホールを備えた第２絶縁膜と；
前記第２絶縁膜上に形成され、前記ビアホールを通じて前記ソース／ドレイン電極のうち他の一つと電気的に連結した画素電極を含み、前記電源供給ラインは前記ソース／ドレイン電極のうち、前記画素電極と電気的に連結されない電極と接続されることを特徴とする有機電界発光表示装置。 - 前記反射膜及び電源供給ラインは、ゲートライン及びデータラインと異なる層上に形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記反射膜及び電源供給ラインは、同一物質からなることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記反射膜及び電源供給ラインは、Ａｌ又はＡｇ物質からなることを特徴とする請求項３に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第２絶縁層は、アクリル、ＰＩ、ＰＡまたはＢＣＢなどの透明有機物質からなることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記電源供給ラインは、線状構造で形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記電源供給ラインは、格子構造で形成されることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第１絶縁膜は保護膜であって、第２絶縁膜は平坦化膜であることを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
- 前記第２絶縁膜は、１μｍないし２μｍの厚さを有することを特徴とする請求項１に記載の有機電界発光表示装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020030058871A KR100560782B1 (ko) | 2003-08-25 | 2003-08-25 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005070741A JP2005070741A (ja) | 2005-03-17 |
| JP3990374B2 true JP3990374B2 (ja) | 2007-10-10 |
Family
ID=34270610
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2004090466A Expired - Lifetime JP3990374B2 (ja) | 2003-08-25 | 2004-03-25 | 有機電界発光表示装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8130174B2 (ja) |
| JP (1) | JP3990374B2 (ja) |
| KR (1) | KR100560782B1 (ja) |
| CN (2) | CN1592518A (ja) |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI253872B (en) * | 2004-09-23 | 2006-04-21 | Au Optronics Corp | Organic electro-luminescence device and method for forming the same |
| JP4832781B2 (ja) * | 2005-03-29 | 2011-12-07 | 富士フイルム株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| US20080252204A1 (en) * | 2005-03-31 | 2008-10-16 | Pioneer Corporation | Organic Electroluminescence Device and Manufacturing Method of the Same |
| KR100731750B1 (ko) | 2005-06-23 | 2007-06-22 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터 및 이를 이용한 유기전계발광표시장치의제조방법 |
| KR20070019495A (ko) * | 2005-08-12 | 2007-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 및 그의 제조방법 |
| KR20070019496A (ko) * | 2005-08-12 | 2007-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 백색 유기 발광 소자 및 그의 제조방법 |
| KR100721949B1 (ko) | 2005-09-16 | 2007-05-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 표시장치 |
| KR100738235B1 (ko) * | 2005-09-20 | 2007-07-12 | 엘지전자 주식회사 | 전계발광소자 |
| KR100719568B1 (ko) * | 2005-10-22 | 2007-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| JP4946003B2 (ja) * | 2005-10-26 | 2012-06-06 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置、および電気光学装置の製造方法 |
| KR100759558B1 (ko) * | 2005-11-12 | 2007-09-18 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| JP4939045B2 (ja) * | 2005-11-30 | 2012-05-23 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
| JP5107546B2 (ja) * | 2006-09-15 | 2012-12-26 | グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー | 表示装置 |
| KR100740132B1 (ko) | 2006-11-10 | 2007-07-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
| US7977678B2 (en) * | 2007-12-21 | 2011-07-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor display device |
| JP5627682B2 (ja) | 2010-06-18 | 2014-11-19 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP5117553B2 (ja) * | 2010-08-05 | 2013-01-16 | 富士フイルム株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| CN102779830B (zh) * | 2012-06-12 | 2015-02-04 | 南京中电熊猫液晶显示科技有限公司 | 一种金属氧化物的显示装置及其制造方法 |
| KR102200795B1 (ko) * | 2012-10-31 | 2021-01-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 나노 와이어를 이용한 투명도전막 및 그 제조방법과 이를 이용한 어레이 기판, 유기전계발광소자 및 터치패널 |
| KR102018284B1 (ko) | 2013-02-28 | 2019-09-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| KR102096051B1 (ko) * | 2013-03-27 | 2020-04-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치 |
| JP2016057533A (ja) * | 2014-09-11 | 2016-04-21 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| KR102566630B1 (ko) | 2015-12-30 | 2023-08-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광표시장치 |
| KR102611794B1 (ko) * | 2016-11-30 | 2023-12-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치와 그의 제조방법 |
| CN207165572U (zh) * | 2017-09-12 | 2018-03-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
| TWI691104B (zh) * | 2018-07-18 | 2020-04-11 | 友達光電股份有限公司 | 發光裝置及其製造方法 |
| CN110518142A (zh) * | 2019-08-15 | 2019-11-29 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
| CN110718571A (zh) * | 2019-10-14 | 2020-01-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN110752316B (zh) * | 2019-11-08 | 2022-08-05 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种有机显示面板及电子装置 |
| KR20210086334A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| US20220399528A1 (en) * | 2020-12-23 | 2022-12-15 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Organic light-emitting display substrate and display device |
| CN114883344B (zh) * | 2022-04-24 | 2023-06-30 | 绵阳惠科光电科技有限公司 | 显示面板及显示装置 |
Family Cites Families (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6686976B2 (en) * | 1992-10-08 | 2004-02-03 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal light valve and projection type display using same |
| MY114271A (en) * | 1994-05-12 | 2002-09-30 | Casio Computer Co Ltd | Reflection type color liquid crystal display device |
| JPH1031231A (ja) * | 1996-07-15 | 1998-02-03 | Sony Corp | 反射型ゲストホスト液晶表示装置及びその製造方法 |
| KR100338011B1 (ko) * | 1999-06-30 | 2002-05-24 | 윤종용 | 액정 표시 장치용 기판의 제조 방법 |
| CN1195243C (zh) * | 1999-09-30 | 2005-03-30 | 三星电子株式会社 | 用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列屏板及其制造方法 |
| JP2002032037A (ja) | 2000-05-12 | 2002-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| US7019457B2 (en) * | 2000-08-03 | 2006-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device having both electrodes formed on the insulating layer |
| JP5030345B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2012-09-19 | 三洋電機株式会社 | 半導体装置 |
| JP4925528B2 (ja) * | 2000-09-29 | 2012-04-25 | 三洋電機株式会社 | 表示装置 |
| TW522752B (en) * | 2000-10-20 | 2003-03-01 | Toshiba Corp | Self-luminous display panel and method of manufacturing the same |
| JP2003022983A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Alps Electric Co Ltd | ＩＩーＶＩ族化合物半導体のｎ型電極およびその製造方法、発光ダイオード、半導体レーザ、面発光装置並びに液晶表示装置 |
| US6771328B2 (en) * | 2001-07-25 | 2004-08-03 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Active matrix organic electroluminescent device simplifying a fabricating process and a fabricating method thereof |
| JP2003076301A (ja) * | 2001-09-07 | 2003-03-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 発光素子、及びそれを用いた表示装置 |
| JP2003108068A (ja) * | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Toshiba Corp | 表示装置 |
| KR100635042B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2006-10-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전면전극을 구비한 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR100491144B1 (ko) | 2001-12-26 | 2005-05-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조방법 |
| KR100453634B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2004-10-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 능동행렬 유기전기발광소자 |
| JP4074099B2 (ja) | 2002-02-04 | 2008-04-09 | 東芝松下ディスプレイテクノロジー株式会社 | 平面表示装置およびその製造方法 |
-
2003
- 2003-08-25 KR KR1020030058871A patent/KR100560782B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-03-25 JP JP2004090466A patent/JP3990374B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 2004-08-23 US US10/922,915 patent/US8130174B2/en active Active
- 2004-08-25 CN CNA2004100682492A patent/CN1592518A/zh active Pending
- 2004-08-25 CN CN2012102459056A patent/CN102751311A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8130174B2 (en) | 2012-03-06 |
| CN1592518A (zh) | 2005-03-09 |
| JP2005070741A (ja) | 2005-03-17 |
| KR20050021718A (ko) | 2005-03-07 |
| KR100560782B1 (ko) | 2006-03-13 |
| US20050057460A1 (en) | 2005-03-17 |
| CN102751311A (zh) | 2012-10-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3990374B2 (ja) | 有機電界発光表示装置 | |
| JP4177225B2 (ja) | アノード電極層を電源供給層として用いたフラットパネルディスプレイ及びその製造方法 | |
| KR102448611B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| KR102246294B1 (ko) | 유기발광표시장치 및 그 제조 방법 | |
| KR102227455B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR102050434B1 (ko) | 플렉서블 유기전계 발광소자 및 그 제조방법 | |
| KR102067966B1 (ko) | 유기발광 다이오드 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| KR102356592B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| KR102616580B1 (ko) | 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
| JP5595392B2 (ja) | Ｅｌ表示パネル、ｅｌ表示装置及びｅｌ表示パネルの製造方法 | |
| KR20180110258A (ko) | 유기 발광 표시 장치 | |
| US11355568B2 (en) | Organic light emitting diode display device | |
| KR102331171B1 (ko) | 표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20120072173A (ko) | 유기전계 발광소자용 기판 | |
| KR102582066B1 (ko) | 칩 온 필름 패키지 및 칩 온 필름 패키지를 포함하는 표시 장치 | |
| KR102315889B1 (ko) | 표시 패널 | |
| KR20060120852A (ko) | 박막트랜지스터 기판 및 이를 포함한 디스플레이장치 | |
| KR20170007649A (ko) | 표시 장치 | |
| KR20140064553A (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2005107492A (ja) | エレクトロルミネセンスディスプレイ装置 | |
| US9608009B2 (en) | Display device and method of fabricating the same | |
| KR101169095B1 (ko) | 유기 전계 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR101621555B1 (ko) | 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조 방법 | |
| KR20150001068A (ko) | 유기전계발광 표시장치 | |
| US9257360B2 (en) | Backplane for display device, and display device including the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20050112 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061016 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070130 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070501 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070619 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070719 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100727 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3990374 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100727 Year of fee payment: 3 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100727 Year of fee payment: 3 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100727 Year of fee payment: 3 |
|
| R360 | Written notification for declining of transfer of rights |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100727 Year of fee payment: 3 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110727 Year of fee payment: 4 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120727 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120727 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130727 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130727 Year of fee payment: 6 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130727 Year of fee payment: 6 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |