KR100738235B1 - 전계발광소자 - Google Patents

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KR100738235B1
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Abstract

본 발명은 기판 상에 형성된 구동부와, 전술한 기판 상에 구동부와 인접하여 형성된 발광부와, 전술한 구동부와 발광부 사이가 분리되도록 형성된 절연막을 포함하는 전계발광소자를 제공한다.
유기전계발광소자, 박막트랜지스터부, 애노드 전극, 절연막, 절단부, 발광 영역, 비발광 영역

Description

전계발광소자{Luminescence Emitting Diodes}
도 1은 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자의 구조 평면도.
도 2a 및 도 2b는 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자에 따른 도 1 상의 C 영역의 부분 확대도.
도 3은 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자에 따른 도 1 상의 A-A' 단면도.
도 4는 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자에 따른 도 1 상의 B-B' 단면도.
도 5는 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자에 따른 도 1 상의 B-B' 단면도.
도 6은 본 발명의 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자의 구조 평면도.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자에 따른 도 6 상의 C 영역의 부분 확대도.
도 8은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 도 6 상의 A-A' 단면도.
도 9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 도 6 상의 B-B' 단면도.
도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 도 6 상의 B-B' 단면도.
도 11은 본 발명의 패시브 매트릭스형 유기전계발광소자의 구조 평면도.
도 12는 본 발명의 제 3 실시예에 따른 도 11 상의 A-A' 단면도.
도 13은 본 발명의 제 3 실시예에 따른 도 11 상의 B-B' 단면도.
* 도면의 주요부호에 대한 설명 *
42 : 투명 기판 44 : 데이터 라인(Data Line)
46 : 전원전압 라인(VDD Line) 48 : 스캔 라인(Scan Line)
50 : ITO 애노드 전극 51a,51b : 절연막
52 : 스위칭 TFT 54 : 구동 TFT
56 : 커패시터 S0 : 구동부 형성영역
S1 : 비발광 영역 S2 : 발광부 영역
H : 절단부( H1: 제 1 절단부, H2: 제 2 절단부)
본 발명은 전계발광소자의 구조에 있어서, 애노드 전극 상의 절연층 구조를 효율적으로 형성한 것을 특징으로 하는 전계발광소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 단, 이하 전계발광 소자를 설명시 전계발광소자에 유기물 발광층을 포함하는 경우로 예를 들어 설명한다.
통상적으로, 유기전계발광소자(OLED; Organic Light Emitting Diodes)는 형광성 유기화합물을 전기적으로 여기시켜 발광시키는 자발광형 디스플레이에 응용된다. 이 유기전계발광소자는 낮은 전압에서 구동이 가능하며, 박형 등의 장점을 갖고 있다. 또한, 유기전계발광소자는 광시야각과 빠른 응답속도 등 액정표시장치에서 문제로 지적되는 단점을 해결할 수 있는 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.
유기전계발광소자는 서브픽셀을 구동하는 방식에 따라 패시브 매트릭스형 유기전계발광소자(Passive Matrix OLED, PMOLED)와 박막트랜지스터(박막트랜지스터)를 이용하여 구동하는 방식인 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(Active Matrix OLED, AMOLED)로 구분할 수 있다.
도 1은 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(10)의 구조 평면도이다.
도 1을 참조하면, 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(10)는 투명 기판(12) 상에 데이터 라인(14,Data Line)과 전원공급 라인(16,VDD Line)이 상호 간 소정의 거리가 이격되도록 교번하여 나란히 배치되어 있었고, 이를 기준으로 격자 모양으로 픽셀(P)을 구획하도록 스캔 라인(18,Scan Line)이 형성되어 있었다.
전술한 데이터 라인(14,Data Line)과 전원공급 라인(16,VDD Line) 및 스캔 라인(18,Scan Line)에 의해 구획된 픽셀(P)에는 발광부(19)와 구동부(22,24,26)가 구비되어 있었다.
이하, 전술한 다수의 픽셀(P) 중 하나의 픽셀(P)을 포함하는 C 영역을 구분하여, 도 2a 및 도 2b 상에 부분 확대도로 도시하여 설명하였다.
단, 설명의 편의상 도 2a 및 도 2b는 유기발광층 및 캐소드 전극을 선택적으 로 생략하여 도시하였다.
도 2a를 참조하면, C 영역은 데이터 라인(14)과 전원공급 라인(16) 및 스캔 라인(18)에 의해 픽셀(P)로 구획되어 있었고, 픽셀(P) 안에는 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(10)의 발광부(19)의 형성영역을 규정하는 ITO 애노드 전극(20)이 형성되어 있었다.
또한, ITO 애노드 전극(20)과 근접하여, 데이터 라인(14)과 스캔 라인(16)이 연결된 스위칭 박막트랜지스터(22, S/W TFT; Switching Thin Film Transistor)와 전원 공급라인(18)이 연결된 구동 박막트랜지스터(24, DR TFT; Driving Thin Film Transistor)가 전기적으로 연결되도록 구비되어 있었다. 또한, 스위칭 박막트랜지스터(22) 및 구동 박막트랜지스터(24)가 ITO 애노드 전극(20)과 전기적으로 연결되도록 저장 커패시터(26, Cst; Storage Capacitor)가 구비되어 있었다.
도 2b를 참조하면, 절연막 형성에 따른 실제 발광부(19)의 형성 영역을 볼 수 있다.
계속해서, 전술한 바와 같은 구조를 가진 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(10)에 따른 도 1의 단면도를 도 3과 도 4에서 도시하여 설명한다.
도 3은 도 1 상의 A-A' 단면도이고, 도 4는 도 1 상의 B-B' 단면도이다.
단, 설명의 용이성을 위해 도 3 및 도 4는 유기 발광층 및 캐소드 전극을 생략하여 도시하였다. 또한, 도 1 및 도 2a를 참조하여, 동일한 요소에 대하여 동일한 부호를 사용하였다.
도 1 및 도 2a와 도 3을 참조하면, 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광소 자(10)는 투명 기판(12) 상에 실제 발광영역(S2 ; 전술한 바에 따라, 발광부(19)를 지칭하므로 이하, 발광부 영역(S2)이라 함.)을 규정하는 ITO 애노드 전극(20)이 형성되어 있었고, ITO 애노드 전극(20)에 근접하여 박막트랜지스터부(22,24) 및 저장 커패시터(26) 등이 구동부 형성영역(S0)에 전기적으로 연결되어 구비되어 있었다.
계속해서 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(10)의 구동을 위해, 전술한 ITO 애노드 전극(20)과 박막트랜지스터부(22,24) 및 저장 커패시터 상(26)에 유기 발광층 및 캐소드 전극을 형성 후 전하 인가시, 전류나 전압이 ITO 애노드 전극(20)의 끝단에 집중되기 때문에 그 부분에서 쇼트(Short)가 발생할 가능성이 증가하였다.
따라서, 박막트랜지스터부(22,24)와 저장 커패시터(26) 등의 구동부 형성영역(S0)과 스캔 전극(18) 및 ITO 애노드 전극(20)의 끝단을 포함하는 영역 상에 절연막(21)을 형성함으로 비발광 영역(S1)을 구획하였다.
도 4를 참조하면, 도 3과 동일한 구조를 따르며 절단면의 관점의 차이로 비발광 영역(S1)에 데이터 라인(14)과 전원공급 라인(16)이 포함되어 있는 것을 볼 수 있었다.
즉, 도 4에 따른 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자는 투명 기판(12) 상에 발광부 영역(S2)을 규정하는 ITO 애노드 전극(20)이 형성되어 있었고, ITO 애노드 전극(20)에 근접하여 그 좌우편에 데이터 라인(14)과 전원공급 라인(16)이 구 비되었으며, 전술한 데이터 라인(14)과 전원공급 라인(16) 및 ITO 애노드 전극(20)의 양 끝단을 포함하는 영역 상에 절연막(21)이 형성되어 비발광 영역(S1)으로 구획되어 있었다.
도 5는 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(10)에 따른 도 1 상의 B-B' 단면도이다.
도 5를 참조하면, 투명 기판(12) 상에 발광부 영역(S2)를 규정하는 ITO 애노드 전극(20)이 형성되어 있었고, ITO 애노드 전극(20)에 근접하여 ITO 애노드 전극(20)의 좌우편에 데이터 라인(14)과 전원공급 라인(16)이 구비되며, 전술한 데이터 라인(14)과 전원공급 라인(16) 및 ITO 애노드 전극(20)의 양 끝단을 포함하는 영역 상에 절연막(21)이 형성되어 비발광 영역(S1)으로 구분되어 있었다. 또한, 전술한 발광부 영역(S2) 및 비발광 영역(S1) 상에 유기 발광층(22)과 캐소드 전극(24)이 순차적으로 형성되어 있었다.
일반적으로, 유기전계발광소자는 낮은 구동 전압과 적은 전력소모, 경량성등의 우수한 특성에도 불구하고, 수명문제로 인해 제품의 실용화에 큰 문제가 있었다. 이러한 수명문제는 산소와 수분 등의 불순물에 의한 소자의 산화 및 열화에 의한 것이었다.
예를 들어 절연막 형성 공정 상, 절연막이 공기 중에 방치되므로 절연막에 흡수되어 잔류하는 수분이나, 예를 들어 포토리소그라피(Photo Lithogrphy) 공정을 거쳐 격벽과 절연막 등에 남아 있는 용매 류와 수분 등의 불순물이 유기전계발광소자의 구동시 발생하는 열에 의해 격벽과 절연막으로부터 방출, 확산되므로 소자가 산화 및 열화되는 문제가 야기되었다.
같은 맥락으로 도 5를 참조하면, 도 1 내지 도 5에 도시하여 전술한 바와 같은 절연막 구조를 갖는 종래의 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(10)는 전원을 공급하여 소자 구동시, 발생하는 열에 의해 절연막으로부터 수분을 포함한 각종 불순물(F)이 가스형태로 방출되어 애노드 전극 및 유기 발광층을 산화 또는 열화 시키므로 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(10)의 발광효율 저하(fade out) 문제가 발생하였다.
또한, 불순물에 의한 소자의 산화 및 열화는 종래 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(10)의 수명을 단축시켜 제품의 신뢰도를 저하시키는 문제점이 있었다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 절연막 구조를 효율적으로 형성하여 유기전계발광소자의 발광효율 및 수명을 향상시키는 데 있다.
이러한 목적을 달성하기 위해 본 발명은 기판 상에 형성된 구동부와, 전술한 기판 상에 구동부와 인접하여 형성된 발광부와, 전술한 구동부와 발광부 사이가 분리되도록 형성된 절연막을 포함하는 전계발광소자를 제공한다.
이때, 전술한 절연막은 전술한 구동부 형성영역의 금속성 영역 상에 선택적으로 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 전계발광소자의 발광부에는 유기물 발광층이 채택 적용된 것을 특징으로 한다.
다른 측면에서, 기판 상에 형성된 구동부와, 전술한 기판 상에서 구동부에 인접하여 형성된 발광부를 포함하는 다수의 픽셀을 가지며, 전술한 다수의 픽셀 사이가 분리되도록 절연막이 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자를 제공한다.
이때, 전술한 전계발광소자는 전술한 다수의 픽셀 각각에 포함된 구동부와 발광부 사이에 분리된 절연막을 갖는 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 절연막은 전술한 구동부 형성영역의 금속성 영역 상에 선택적으로 형성된 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 전계발광소자의 발광부에는 유기물 발광층이 채택 적용된 것을 특징으로 한다.
또 다른 측면에서, 본 발명은 전술한 전계발광소자에 대응되는 다양한 제조방법을 제공한다.
본 발명은 기판 상에 박막트랜지스터부 및 커패시터가 전기적으로 연결되도록 구동부를 형성하는 구동부 형성단계와, 전술한 기판 상에서 구동부와 전기적으로 연결되며, 전술한 구동부와 인접하도록 애노드 전극을 형성하여 발광부 영역을 규정하는 발광부 형성단계와, 전술한 기판 상에서 구동부와 발광부 영역 사이가 분리되도록 절연막을 형성하는 절연막 형성단계를 포함하는 전계발광소자의 제조방법 을 제공한다.
이때, 전술한 절연막 형성단계는 절연막을 전술한 구동부의 형성영역 중 금속성 영역 상에 선택적으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 발광부에는 유기물 발광층이 채택 적용된 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 절연막 형성단계의 절연막은 리소그라피(Lithography) 또는 프린팅(screening printing, inkjet printing, contact printing) 또는 Molding 중 어느 하나의 방법으로 채택 형성되는 것을 특징으로 한다.
다른 측면에서, 본 발명은 전술한 기판 상에 박막트랜지스터부 및 커패시터가 전기적으로 연결되도록 구동부를 형성하는 구동부 형성단계와, 전술한 기판 상에서 구동부와 전기적으로 연결되며, 전술한 구동부와 인접하도록 애노드 전극을 형성하여 발광부 영역을 규정하는 발광부 형성단계와, 전술한 기판 상에서 구동부와 발광부 영역을 포함하도록 픽셀을 다수 형성하되, 전술한 다수의 픽셀 사이가 분리되도록 절연막을 형성하는 절연막 형성단계를 포함하는 전계발광소자의 제조방법을 제공한다.
이때, 전술한 절연막 형성단계는 전술한 다수의 픽셀 각각에 포함된 구동부와 발광부 영역 사이가 분리되도록 절연막을 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 절연막 형성단계는 절연막을 전술한 구동부의 형성영역 중 금속성 영역 상에 선택적으로 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 발광부에는 유기물 발광층이 채택 적용된 것을 특징으로 한다.
또한, 전술한 절연막 형성단계의 절연막은 리소그라피(Lithography) 또는 프 린팅(screening printing, inkjet printing, contact printing) 또는 몰딩(Molding) 중 어느 하나의 방법으로 채택 형성되는 것을 특징으로 한다.
이하, 본 발명에 따른 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(40)(이하, 유기전계발광소자)에 대하여 도시하여 설명하였으며, 동일한 기능 요소에 대하여는 동일한 부호를 부여하여, 설명의 용이성을 도모하였다.
도 6은 본 발명에 따른 유기전계발광소자(40)의 평면도이다.
도 6을 참조하면, 투명 기판(42) 상에 데이터 라인(44,Data Line)과 전원공급 라인(46,VDD Line)이 상호 간 소정의 거리가 이격되도록 교번하여 나란히 배치되어 있었고, 이를 기준으로 격자 모양으로 픽셀(P)을 구획하도록 스캔 라인(48,Scan Line)이 형성되어 있었다.
전술한 데이터 라인(44,Data Line)과 전원공급 라인(46,VDD Line) 및 스캔 라인(48,Scan Line)에 의해 구획된 픽셀(P)에는 발광부(49)와 구동부(52,54,56)가 구비되어 있었다.
이하, 전술한 다수의 픽셀(P) 중 하나의 픽셀(P)을 포함하는 C 영역을 구분하여, 도 7a 및 도 7b 상에 부분 확대도로 도시하여 설명하였다.
단, 설명의 편의상 도 7a 및 도 7b는 유기발광층 및 캐소드 전극을 선택적으로 생략하여 도시하였다.
도 7a를 참조하면, C 영역은 데이터 라인(44)과 전원공급 라인(46) 및 스캔 라인(48)에 의해 픽셀(P)로 구획되어 있고, 픽셀(P) 안에는 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(50)의 발광부(49)의 형성영역을 규정하는 ITO 애노드 전극(50)이 형성되어 있다.
또한, ITO 애노드 전극(50)과 근접하여, 데이터 라인(44)과 스캔 라인(46)이 연결된 스위칭 박막트랜지스터(52, S/W TFT; Switching Thin Film Transistor)와 전원 공급라인(48)이 연결된 구동 박막트랜지스터(54, DR TFT; Driving Thin Film Transistor)가 전기적으로 연결되도록 구비되어 있다. 또한, 스위칭 박막트랜지스터(52) 및 구동 박막트랜지스터(54)가 ITO 애노드 전극(50)과 전기적으로 연결되도록 저장 커패시터(56, Cst; Storage Capacitor)가 구비되어 있다.
도 7b를 참조하면, 절연막 형성에 따른 실제 발광부(59)의 형성 영역을 볼 수 있다.
계속해서, 본 발명의 유기전계발광소자(40)에 따른 도 6상의 단면도를 도 8 및 도 9에 도시하여 설명한다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광소자(40)의 단면도이다.
도 8은 도 6 상의 A-A' 단면도이며, 도 9는 도 6 상의 B-B' 단면도이다.
단, 설명의 용이성을 위해 도 8 및 도 9는 유기 발광층 및 캐소드 전극을 선택적으로 생략하여 도시하였다.
도 8을 참조하면, 본 발명에 따른 유기전계발광소자(40)는 투명 기판(42) 상 에 실제 발광영역(S2 ; 전술한 바에 따라, 발광부(49)를 지칭하므로 이하, 발광부 영역(S2)이라 함.)을 규정하는 ITO 애노드 전극(50)이 형성되어 있고, ITO 애노드 전극(50)에 근접하여 박막트랜지스터부(52,54) 및 저장 커패시터(56) 등이 형성된 구동부 형성영역(S0)이 구비되어 있다.
또한, 구동부 형성영역(S0)과 발광부 영역(S2)의 사이에 형성된 제 1 절단부(H1)와 도 6상에 도시하여 전술한 픽셀(P) 간에 형성된 제 2 절단부(H2)에 의해 상호 간 분리되어 절연막(51a,51b)이 형성되어 있다. 즉, ITO 애노드 전극(50)의 가장자리 영역 상에 형성된 제 2 절연막(51b)과 구동부 형성영역(S0) 상에 형성된 제 1 절연막(51a) 및 전술한 제 1 및 제 2 절연막(51a,52b) 사이의 소정 간격의 제 1 절단부(H1) 및 제 2 절단부(H2)를 포함하도록 비발광 영역(S1)이 형성되어 있다.
전술한 절연막 구조는 예를 들어, 포토 리소그라피(Photo Lithography) 공정을 사용하여 제 1 및 제 2 절연막(51a,52b)을 포함한 절연막부를 형성한 후, 형성된 절연막부에 식각 등의 공정으로 제 1 절단부(H1) 및 제 2 절단부(H2)를 형성하는 방법이 사용될 수 있다.
다른 방법으로는 예를 들어, 프린팅(screening printing, inkjet printing, contact printing) 또는 몰딩(Molding) 중 어느 하나의 방법을 채택하여 제 1 절연막(51a)과 제 2 절연막(51b) 사이에 소정의 간격을 이격시켜 제 1 절단부(H1) 및 제 2 절단부(H2)가 존재하도록 절연막을 형성하는 방법이 사용될 수 있다.
도 9를 참조하면, 도 8과 동일한 절연막 구조를 따르며, 절단면의 관점의 차이로 비발광 영역(S1)에 데이터 라인(44)과 전원공급 라인(46)이 포함되어 있는 것을 볼 수 있다.
즉, 도 9에 도시된 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계발광소자(40)는 투명 기판(42) 상에 실제 발광영역(S2)을 규정하는 ITO 애노드 전극(50)이 형성되어 있고, ITO 애노드 전극(50)에 근접하여 그 좌우편에 데이터 라인(44)과 전원공급 라인(46)이 구비되며, 전술한 데이터 라인(44) 및 전원공급 라인(46)의 형성영역과 ITO 애노드 전극(50)의 양 끝단을 포함하는 영역 상에 제 1 및 제 2 절연막(51a,51b)이 형성되어 비발광 영역(S1)으로 구분되어 있다.
이때, 제 1 절연막(51a)과 제 2 절연막(51b) 사이에는 절연막이 존재하지 않는 절단부(H)가 형성되어 있다.
도 10은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 도 6 상의 B-B' 단면도이다.
단, 도 10은 설명의 용이성을 위해 발광층 및 캐소드 전극을 선택적으로 생략하여 도시하였다.
도 10을 참조하면, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(50)는 도 9 상의 본 발명의 제 1 실시예와 동일한 구조를 따르고 있으나, 절연막(51a,51b) 구조에 있어 차이가 있다.
본 발명의 제 2 실시예에 따른 액티브 매트릭스형 유기전계발광소자(50)의 절연막 구조(51a,51b)는 구동부 형성영역(S0) 상에서 금속성 영역에 선택적으로 제 1 절연막(51a)을 형성하여, 본 발명의 제 1 실시예와 비교하여 소자의 절연과 산화 및 열화 방지 측면에서 더욱 효과적이다.
도 11은 본 발명에 따른 패시브 매트릭스형 유기전계발광소자(60)의 평면도이다.
도 11을 참조하면, 본 발명에 따른 패시브 매트릭스형 유기전계발광소자(60)는 발광 영역(S2)과 비발광 영역(S1)으로 패터닝되어 있다.
전술한 발광 영역(S2)은 투명 기판 상에 형성된 제 1 전극에 의해 규정되며, 상호 간 소정의 간격이 이격되어 규칙적인 격자 형태로 구획 형성되어 있다.
또한, 비발광 영역(S1)은 전술한 발광 영역(S2)을 구획하는 격벽(66) 및 절연막 형성 영역(65)으로 규정된다.
도 12는 도 11 상의 본 발명의 제 3 실시예에 따른 패시브 매트릭스형 유기전계발광소자(60) 의 A-A' 단면도이고, 도 13은 B-B' 단면도이다. 단, 도 12와 도 13은 설명의 용이성을 위해 유기발광층과 캐소드 전극을 생략하여 도시하였다.
도 12를 참조하면, 투명 기판(64) 상에 다수의 제 1 전극(64)이 상호 간 소정 간격으로 이격되어 형성되어있고, 제 1 전극(64)은 발광 영역(S2)을 규정한다.
전술한 소정의 간격에는 제 1 절연막(65a)이 형성되어 있고, 제 1 전극(64)의 가장자리 영역 상에 제 2 절연막(65b)이 형성되어 있다. 이때, 제 1 절연막 (65a)과 제 2 절연막(65b) 사이에는 절연막이 없는 절단부(H)가 형성되어 있다.
비발광 영역(S1)은 전술한 제 1 절연막(65a)과 제 2 절연막(65b) 및 절단부(H)에 의해 규정된다.
도 13을 참조하면, 도 12와 동일한 구조를 따르며, 관점 상의 차이로 격벽은 보이지 않는다.
이상 본 발명의 제 3 실시예에 따른 패시브 매트릭스형 유기전계발광소자(60)의 절연막 구조에 있어서, 절단부(H)는 제 1 절연막과 제 2 절연막 사이에 하나씩 형성된 것으로 설명하였으나, 필요에 따라 그 이상으로 구비될 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 유기전계발광소자의 절연막 구조에 있어서, 절단부를 효과적으로 형성하여 종래 유기전계발광소자의 구조상 문제점을 해결하고, 소기의 목적을 달성할 수 있다.
이상 종래 기술 및 본 발명을 설명함에 있어, 발광부에 유기물 발광층을 채택 적용한 유기전계발광 표시장치의 경우로 예를 들어 설명하였으나, 본 발명은 이에 국한되지 않으며, 발광부에 유기물뿐만 아니라 무기물 또한 이용 가능한 전계발광 표시장치(ELD)의 범주로 이해하여야 한다.
이상 다양한 실시예를 들어 본 발명에 대하여 서술하였으나, 본 발명의 범위는 전술한 상세 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고, 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
위에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 유기전계발광소자의 절연막 구조에 있어서, 절단부를 효과적으로 형성하여 절연막으로부터 방출, 확산되는 수분 또는 불순물에 의한 유기전계발광소자의 산화 및 열화를 방지하여, 발광효율저하(fade-out)와 수명 저하를 방지하고, 제품의 신뢰도를 향상시킬 수 있다.

Claims (14)

  1. 기판 상에 형성된 구동부와;
    상기 기판 상에 상기 구동부와 인접하여 형성된 발광부와;
    상기 구동부와 상기 발광부 사이가 분리되도록 형성된 절연막을 포함하는 전계발광소자.
  2. 기판 상에 형성된 구동부와, 상기 기판 상에서 상기 구동부에 인접하여 형성된 발광부를 포함하는 다수의 픽셀을 가지며,
    상기 다수의 픽셀 사이가 분리되도록 절연막이 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 다수의 픽셀 각각에 포함된 상기 구동부와 상기 발광부 사이에 분리된 절연막을 갖는 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  4. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 절연막은 상기 구동부 형성영역의 금속성 영역 상에 선택적으로 형성된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  5. 제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광부에는 유기물 발광층이 채택 적용된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 발광부에는 유기물 발광층이 채택 적용된 것을 특징으로 하는 전계발광소자.
  7. 기판 상에 박막트랜지스터부 및 커패시터가 전기적으로 연결되도록 구동부를 형성하는 구동부 형성단계와;
    상기 기판 상에서 상기 구동부와 전기적으로 연결되며, 상기 구동부와 인접하도록 애노드 전극을 형성하여 발광부 영역을 규정하는 발광부 형성단계와;
    상기 기판 상에서 상기 구동부와 상기 발광부 영역 사이가 분리되도록 절연막을 형성하는 절연막 형성단계를 포함하는 전계발광소자의 제조방법.
  8. 기판 상에 박막트랜지스터부 및 커패시터가 전기적으로 연결되도록 구동부를 형성하는 구동부 형성단계와;
    상기 기판 상에서 상기 구동부와 전기적으로 연결되며, 상기 구동부와 인접하도록 애노드 전극을 형성하여 발광부 영역을 규정하는 발광부 형성단계와;
    상기 기판 상에서 상기 구동부와 상기 발광부 영역을 포함하도록 픽셀을 다 수 형성하되, 상기 다수의 픽셀 사이가 분리되도록 절연막을 형성하는 절연막 형성단계를 포함하는 전계발광소자의 제조방법.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 절연막 형성단계는 상기 다수의 픽셀 각각에 포함된 상기 구동부와 상기 발광부 영역 사이가 분리되도록 절연막을 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
  10. 제 7항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 절연막 형성단계는 절연막을 상기 구동부의 형성영역 중 금속성 영역 상에 선택적으로 형성하는 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
  11. 제 7항 내지 제 9항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 발광부에는 유기물 발광층이 채택 적용된 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 발광부에는 유기물 발광층이 채택 적용된 것을 특징으로 하는 전계발광소자의 제조방법.
  13. 제 11항에 있어서,
    상기 절연막 형성단계의 절연막은 리소그라피 또는 프린팅 또는 몰딩 중 어느 하나의 방법으로 채택 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 절연막 형성단계의 절연막은 리소그라피 또는 프린팅 또는 몰딩 중 어느 하나의 방법으로 채택 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
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