KR20160092184A - 유기전계 발광소자 - Google Patents

Abstract

본 발명은 박막트랜지스터 완성 시점에서 이들 박막트랜지스터와 연결된 각 화소라인 별 전원배선의 쇼트 여부를 간단히 검사할 수 구조를 갖는 유기전계 발광소자에 관한 것으로, 복수의 부화소영역을 구비한 화소영역이 다수 구비된 표시영역과 상기 표시영역 외측의 비표시영역이 정의된 기판과, 상기 복수의 부화소영역 각각에 구비된 다수의 박막트랜지스터와, 상기 다수의 박막트랜지스터 중 어느 하나의 박막트랜지스터와 연결되며 제 1 전극과 유기 발광층 및 제 2 전극으로 구성된 유기전계 발광 다이오드와, 제 1 방향으로 연장되며, 상기 복수의 부화소영역 중 상기 제 1 방향과 교차하는 상기 제 2 방향으로 서로 인접하는 화소영역 사이에 구비된 전원배선 및 데이터 배선 및 상기 제 2 방향으로 연장되며, 상기 복수의 부화소영역 중 상기 제 1방향으로 서로 인접하는 부화소영역 사이에 구비된 게이트 배선을 포함하고, 상기 비표시영역에 상기 전원배선의 일끝단과 접촉하며 구비된 쇼팅바를 포함하는 유기전계 발광소자를 제공한다.
이러한 구성을 갖는 본 발명은 전원배선이 박막트랜지스터 및 배선의 불량 검사가 이루어지는 상기 박막트랜지스터의 완성 단계에서 각 화소영역 별로 분리된 구성을 이룸으로서 상기 불량 검사 실시 시 상기 전원배선의 단선 유무를 파악할 수 있게 됨으로서 리페어가 가능하게 되며, 이에 의해 최종 제품화시의 불량률을 저감시키는 효과가 있으며, 나아가 상기 전원배선이 제 1 전극을 형성하는 단계에서 상기 제 1 전극을 이루는 동일한 물질 및 동일층에 상기 각 전원배선의 일끝단과 연결되는 쇼팅바가 구비됨으로서 이에 의해 상기 전원배선은 모두 전기적으로 연결되어 등전위 상태가 되므로 전원배선 각각이 그 위치별 전압강하 현상이 억제되는 효과를 갖는다.

Description

유기전계 발광소자{Organic electro luminescent device}

본 발명은 유기전계 발광소자(organic electro luminescent device)에 관한 것으로, 특히 박막트랜지스터 완성 시점에서 이들 박막트랜지스터와 연결된 각 화소라인 별 전원배선의 쇼트 여부를 간단히 검사할 수 구조를 갖는 유기전계 발광소자에 관한 것이다.

평판 디스플레이(FPD; Flat Panel Display)중 하나인 유기전계 발광소자는 높은 휘도와 낮은 동작 전압 특성을 갖는다.

또한, 스스로 빛을 내는 자체발광형이기 때문에 명암대비(contrast ratio)가 크고, 초박형 디스플레이의 구현이 가능하며, 응답시간이 수 마이크로초(㎲) 정도로 동화상 구현이 쉽고, 시야각의 제한이 없으며 저온에서도 안정적이고, 직류 5V 내지 15V의 낮은 전압으로 구동하므로 구동회로의 제작 및 설계가 용이하다.

따라서 전술한 바와 같은 장점을 갖는 유기전계 발광소자는 최근에는 TV, 모니터, 핸드폰 등 다양한 IT기기에 이용되고 있다.

이러한 유기전계 발광소자는 풀 컬러 구현을 위하 하나의 화소영역은 적어도 적, 녹, 청색을 표시하기 위한 부화소영역을 포함하고 있으며, 각 부화소영역에는 2개 이상의 다수의 박막트랜지스터와 이들 박막트랜지스터와 연결되는 다수의 배선과 스토리지 커패시터 및 유기전계 발광 다이오드가 구비되고 있다.

이때, 상기 박막트랜지스터는 스위칭 박막트랜지스터와 구동 박막트랜지스터로 구성될 수도 있으며, 보다 안정성 있는 부화소영역의 구동 및 유기전계 발광 다이오드의 수명을 연장시키기 위해 하나 이상의 보조 박막트랜지스터가 더 구비될 수 있다.

한편, 상기 박막트랜지스터와 연결되는 배선은 게이트 배선과 데이터 배선과 전원배선을 주 배선으로 하고, 상기 보조 박막트랜지스터가 구비되는 경우 추가적으로 제 1 및 제 2 보조배선을 더 포함한다.

이러한 구성을 갖는 유기전계 발광소자는 상기 박막트랜지스터를 완성하는 단계에서 상기 박막트랜지스터의 구동 여부와 각 배선의 단선 여부에 대해 검사를 실시하고 있다.

헌데, 상기 다수의 배선 중 전원배선을 제외한 배선은 각 화소라인별로 혹은 각 부화소라인 별로 각각 형성됨으로서 각 배선의 화소라인별 혹은 부 화소라인별 단선 유무를 검사할 수 있다.

하지만, 상기 전원배선은 도 1(도 1은 종래의 유기전계 발광소자에 있어 전원배선만을 간략히 도시한 평면도) 및 도 2(도 1을 절단선 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도)에 도시한 바와같이, 화소라인 별로 구비되고 있지만 각 전원배선(PL)의 일 끝단은 상기 전원배선(PL)이 형성된 동일한 층에 구비된 쇼팅바(STB)에 의해 모두 연결된 구조를 이룸으로서 각 화소라인별로 단선 여부의 검사가 불가능한 실정이다.

즉, 도 1에 도시한 바와같이 어느 하나의 화소라인에서 단선이 발생되는 경우, 상기 전원배선(PL)은 전기적으로 모두 연결된 상태이므로 배선의 단선 검사를 실시하더라도 어느 화소라인에 대응되는 전원배선(PL)이 단선되었는지 검출되지 않는다.

따라서 상기 박막트랜지스터가 완성되는 시점에서 상기 박막트랜지스터 및 배선 불량 검사 진행 시 상기 전원배선(PL)에 대해서는 이의 단선 유무를 파악할 수 없으므로 불량이 내재된 상태로 최종 제품화 됨으로서 최종 제품의 불량률이 증가되고 있는 실정이다.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로, 박막트랜지스터가 완성되는 시점에서 상기 박막트랜지스터와 더불어 이와 연결된 모든 배선의 단선 검사를 실시하여 단선 여부를 파악할 수 있는 구조를 갖는 유기전계 발광소자를 제공하는 것을 그 목적으로 하고 있다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 유기전계 발광소자는, 복수의 부화소영역을 구비한 화소영역이 다수 구비된 표시영역과 상기 표시영역 외측의 비표시영역이 정의된 기판과, 상기 복수의 부화소영역 각각에 구비된 다수의 박막트랜지스터와, 상기 다수의 박막트랜지스터 중 어느 하나의 박막트랜지스터와 연결되며 제 1 전극과 유기 발광층 및 제 2 전극으로 구성된 유기전계 발광 다이오드와, 제 1 방향으로 연장되며, 상기 복수의 부화소영역 중 상기 제 1 방향과 교차하는 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 화소영역 사이에 구비된 전원배선 및 데이터 배선; 및 상기 제 2 방향으로 연장되며, 상기 복수의 부화소영역 중 상기 제 1방향으로 서로 인접하는 부화소영역 사이에 구비된 게이트 배선을 포함하고, 상기 비표시영역에 상기 전원배선의 일끝단과 접촉하며 구비된 쇼팅바를 포함하는 구성을 이루는 것이 특징이다.

이때, 상기 표시영역 및 비표시영역에는 상기 다수의 박막트랜지스터와 상기 제 1 전극 사이에 상기 전원배선의 일끝단을 노출시키는 배선 콘택홀이 구비된 평탄화층이 구비되며, 상기 쇼팅바와 상기 전원배선의 일끝단은 상기 배선 콘택홀을 통해 서로 접촉하는 구성을 이룰 수도 있으며, 나아가 상기 쇼팅바는 상기 제 1 전극과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.

본 발명의 또 다른 실시예에 따른 유기전계 발광소자는, 복수의 부화소영역을 구비한 화소영역이 다수 구비된 표시영역과 상기 표시영역 외측의 비표시영역이 정의된 기판과, 상기 복수의 부화소영역 각각에 구비된 다수의 박막트랜지스터와, 상기 다수의 박막트랜지스터 중 어느 하나의 박막트랜지스터와 연결되며 제 1 전극과 유기 발광층 및 제 2 전극으로 구성된 유기전계 발광 다이오드와, 제 1 방향으로 연장되며, 상기 복수의 부화소영역 중 상기 제 1 방향과 교차하는 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 화소영역 사이에 구비된 전원배선 및 데이터 배선; 및 상기 제 2 방향으로 연장되며, 상기 복수의 부화소영역 중 상기 제 1방향으로 서로 인접하는 부화소영역 사이에 구비된 게이트 배선; 및 상기 비표시영역에 상기 전원배선의 일끝단과 이격하며 상기 전원배선이 형성된 동일한 층에 동일한 물질로 구비된 쇼팅바를 포함하고, 상기 비표시영역에 상기 전원배선의 일끝단 및 상기 쇼팅바와 접촉하며 구비된 연결패턴을 포함하는 구성을 이룬다.

이때, 상기 표시영역 및 비표시영역에는 상기 다수의 박막트랜지스터와 상기 제 1 전극 사이에 상기 전원배선의 일끝단을 노출시키는 배선 콘택홀과 상기 쇼팅바를 노출시키는 쇼팅바 콘택홀을 갖는 평탄화층이 구비되며, 상기 연결패턴은 상기 배선 콘택홀 및 쇼팅바 콘택홀을 통해 상기 전원배선의 일끝단 및 쇼팅바와 접촉하는 구성을 이룰 수도 있으며, 나아가, 상기 연결패턴은 상기 제 1 전극과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.

한편, 본 발명의 일 및 또 다른 실시예에 따른 유기전계 발광소자에 있어서, 상기 부화소영역의 경계에 상기 제 1 방향으로 연장하는 제 1 보조배선과, 상기 화소영역의 경계에 상기 제 2 방향으로 연장하며 상기 게이트 배선과 이격하는 제 2 보조배선이 구비되며, 상기 다수의 박막트랜지스터는 상기 데이터 배선 및 게이트 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 스위칭 박막트랜지스터 및 상기 전원배선과 연결된 구동 박막트랜지스터와, 상기 구동 박막트랜지스터 및 상기 제 2 보조배선과 연결된 센싱 박막트랜지스터인 것이 특징이다.

그리고, 상기 전원배선은 상기 다수의 박막트랜지스터의 소스 및 드레인 전극이 형성된 동일한 층에 구비되며 상기 소스 및 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어질 수 있다.

본 발명의 각 제 1 실시예 및 이의 변형예에 따른 유기전계 발광소자는 전원배선이 박막트랜지스터 및 배선의 불량 검사가 이루어지는 상기 박막트랜지스터의 완성 단계에서 각 화소영역 별로 분리된 구성을 이룸으로서 상기 불량 검사 실시 시 상기 전원배선의 단선 유무를 파악할 수 있게 됨으로서 리페어가 가능하게 되며, 이에 의해 최종 제품화시의 불량률을 저감시키는 효과가 있다.

나아가 본 발명의 제 1 실시예 및 이의 변형예에 따른 유기전계 발광소자는 상기 전원배선이 제 1 전극을 형성하는 단계에서 상기 제 1 전극을 이루는 동일한 물질 및 동일층에 상기 각 전원배선의 일끝단과 연결되는 쇼팅바가 구비됨으로서 이에 의해 상기 전원배선은 모두 전기적으로 연결되어 등전위 상태가 되므로 전원배선 각각이 그 위치별 전압강하 현상이 억제되는 효과를 갖는다.

또한, 본 발명의 제 2 실시예 및 이의 변형예에 따른 유기전계 발광소자 역시 비록 쇼팅바가 전원배선 형성된 동일한 층인 층간절연막 상에 형성되고 있다 하더라도 박막트랜지스터의 소스 및 드레인 전극이 완성된 상태에서는 상기 각 전원배선의 일끝단과 상기 쇼팅바는 서로 접촉되어 전기적으로 연결된 상태가 아니므로 불량 검사 실시 시에 상기 각 전원배선의 단선 불량 여부를 알 수 있고 이에 의해 리페어가 가능하게 되며, 따라서 최종 제품화시의 불량률을 저감시키는 효과가 있다.

또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자는 최종 제품으로 완성 시 각 전원배선은 쇼팅바에 의해 전기적으로 연결된 상태가 되므로 전원배선 각각의 위치별 전압강하를 억제하여 등전위를 구현할 수 있는 장점을 갖는다.

도 1은 종래의 유기전계 발광소자에 있어 전원배선만을 간략히 도시한 평면도.
도 2는 도 1을 절단선 Ⅱ-Ⅱ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자에 있어 표시영역의 일부로서 하나의 화소영역에 대한 평면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자에 있어 전원배선만을 간략히 도시한 평면도.
도 5는 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자에 있어 박막트랜지스터의 소스 및 드레인 전극이 완성된 상태에서의 전원배선을 도시한 평면도.
도 6은 본 발명의 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 하나의 부화소영역(제 1 부화소영역)에 대한 회로도.
도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 도면으로서 도 3을 절단선 Ⅶ-Ⅶ을 따라 절단한 부분에 대한 단면도.
도 8은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 도면으로서 도 3을 절단선 Ⅷ-Ⅷ을 따라 절단한 부분에 대한 단면도.
도 9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 도면으로서 도 4를 절단선 Ⅸ-Ⅸ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도.
도 10은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자에 있어 박막트랜지스터 및 전원배선을 형성한 직후 불량 검사를 실시하는 단계에서의 전원배선의 일 끝단에 대한 단면도로서, 도5를 절단선 Ⅹ-Ⅹ을 따라 절단한 부분에 대한 단면도.
도 11은 본 발명의 제 1 실시예의 변형예에 따른 유기전계 발광소자의 전원배선과 쇼팅바의 평면 구조 도시한 도면.
도 12는 본 발명의 제 1 실시예의 변형예에 따른 유기전계 발광소자의 전원배선과 쇼팅바의 단면 구조를 나타낸 도면으로도 도 11을 절단선 ⅩⅡ-ⅩⅡ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도.
도 13은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자에 있어 전원배선만을 간략히 도시한 평면도.
도 14는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 도면으로서 도 13을 절단선 ⅩⅣ-ⅩⅣ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도.
도 15는 본 발명의 제 2 실시예의 변형예에 따른 유기전계 발광소자의 전원배선과 쇼팅바의 평면 구조 도시한 도면.
도 16은 본 발명의 제 2 실시예의 변형예에 따른 유기전계 발광소자의 전원배선과 쇼팅바의 단면 구조를 나타낸 도면으로도 도 15를 절단선 ⅩⅥ-ⅩⅥ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도.

이하, 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자에 있어 표시영역의 일부로서 하나의 화소영역에 대한 평면도이며, 도 4는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자에 있어 전원배선만을 간략히 도시한 평면도이며, 도 5는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자에 있어 박막트랜지스터의 소스 및 드레인 전극이 완성된 상태에서의 전원배선을 도시한 평면도이며, 도 6은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 하나의 부화소영역(제 1 부화소영역)에 대한 회로도이다.

이때, 설명의 편의를 위해 각 화소영역(P) 내의 일 방향으로 이웃하여 위치하는 3개의 부화소영역(SP1, SP2, SP3)을 제 1, 2, 3 부화소영역(SP1, SP2, SP3)이라 정의하며, 이들 각 부화소영역(SP1, SP2, SP3)별로 구비되는 3개의 데이터 배선(DL)을 각각 제 1, 2, 3 데이터 배선(DL1, DL2, DL3)이라 정의한다.

도시한 바와같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 각 화소영역(P)의 경계에 세로방향인 제 1 방향으로 연장하며 V_DD 전압을 인가하기 위한 전원배선(PL)이 구비되고 있으며, 이러한 전원배선(PL)과 이격하여 상기 제 1 및 제 2 부화소영역(SP1, SP2) 간의 경계에 제 1 및 제 2 데이터 배선(DL1, DL2)이 서로 이격하여 이웃하여 구비되고 있으며, 상기 제 2 및 제 3 부화소영역(SP2, SP3)간의 경계에는 제 1 보조배선(AL1) 및 제 3 데이터 배선(DL3)이 서로 이격하여 이웃하여 구비되고 있다.

이러한 제 1 방향으로 배치되는 상기 제 1, 2, 3 데이터 배선(DL1, DL2, DL3) 및 제 1 보조배선(AL1)은 모두 동일한 층에 동일한 금속물질 형성됨을 특징으로 하고 있으며, 이들 각 배선(DL1, DL2, DL3, AL1)은 각 화소라인별 혹은 각 부화소라인별로 하나씩 분리되며 형성되고 있는 것이 특징이다.

이때, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)에 있어 가장 특징적인 구성 중 하나로서 상기 전원배선(PL)도 상기 데이터 배선(DL) 및 제 1 보조배선(AL1)과 유사하게 상기 각 화소라인별로 각각 이격하며 그 일끝단의 서로 연결됨 없이 분리되어 형성되고 있는 것이 특징이다.

종래의 유기전계 발광소자의 경우, 전원배선(도 1의 PL)은 그 일끝단이 상기 전원배선(도 1의 PL)과 동일한 층에 동일한 금속물질로 이루어진 쇼팅바(도 1의 STB)에 의해 그 일끝단 모두 전기적으로 연결된 형태를 이루었다.

하지만, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)의 경우, 상기 전원배선(PL) 각각은 상기 전원배선(PL)이 형성된 층 즉, 박막트랜지스터(STr, DTr, SeTr)의 소스 및 드레인 전극((133a, 133b, 133c), (136a, 136b, 136c))이 형성된 층에 있어서 각 일 끝단이 연결되지 않고, 상기 전원배선(PL) 각각이 분리된 형태를 이루고 있는 것이 특징이다.

다음, 상기 제 1 방향과 교차하는 제 2 방향으로는 각 화소라인 별로 게이트 배선(GL)과 제 2 보조배선(AL2)이 서로 이격하며 구비되고 있다.

나아가 각 화소영역(P)에는 상기 제 1 보조배선(AL1)과 전기적으로 연결되며 각 부화소영역(SP1, SP2, SP3)으로 상기 제 1 보조배선(AL1)을 통해 인가되는 신호전압을 인가시키기 위한 제 1 보조패턴(AP1)과, 상기 전원배선(PL)과 전기적으로 연결되며 제 2 보조패턴(AP2)이 구비되고 있다.

이러한 게이트 배선(GL)과 제 2 보조배선(AL2)은 서로 동일한 층에 동일 물질로 이루어지며 상기 제 1 방향으로 연장하는 배선(DL1, DL2, DL3, AL1)들과는 적어도 하나의 절연층(미도시)이 사이에 두고 형성됨으로서 상기 제 1 방향으로 연장하는 배선(DL1, DL2, DL3, AL1)들과는 전기적으로 절연된 상태를 이룬다.

이때, 상기 제 1 방향으로 연장하는 배선(DL1, DL2, DL3, AL1)들은 박막트랜지스터(STr, DTr, SeTr)의 소스 및 드레인 전극((133a, 133b, 133c), (136a, 136b, 136c))이 형성된 층에 이들 소스 및 드레인 전극((133a, 133b, 133c), (136a, 136b, 136c))을 이루는 동일한 금속물질로 이루어지고 있으며, 상기 제 2 방향으로 연장하는 배선(GL, AL2)들은 박막트랜지스터(STr, DTr, SeTr)의 게이트 전극(115a, 115b, 115c)이 형성된 층에 상기 게이트 배선(GL)을 이루는 동일한 금속물질로 이루어지고 있다.

한편, 각 부화소영역(SP1, SP2, SP3)에는 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 구동 박막트랜지스터(DTr) 그리고 보조 박막트랜지스터로서 센스 박막트랜지스터(SeTr)가 구비되고 있다.

즉, 상기 각 화소영역(P) 내에는 상기 게이트 배선(GL) 및 데이터 배선(DL)과 연결된 스위칭 박막트랜지스터(STr)와, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)와 전원배선(PL)과 연결된 구동 박막트랜지스터(DTr)와, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 제 1 보조배선(AL1) 및 제 2 보조배선(AL2)과 연결된 센스 박막트랜지스터(SeTr)가 구비되고 있다.

이때, 상기 제 1 보조배선(AL1)(LS)은 센스 박막트랜지스터(SeTr)의 게이트 전극(115c)과 연결되고 있으며, 상기 제 2 보조배선(AL2)은 상기 센스 박막트랜지스터(SeTr)의 소스 전극(133c)과 전기적으로 연결되고 있다.

상기 제 1 보조배선(AL1)(LS)은 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)의 게이트 전극(115a)에 스캔 전압(scan voltage)을 인가하는 게이트 배선(GL)과 동일한 역할을 하는 것으로 상기 센스 박막트랜지스터(SeTr)의 게이트 전극(115c)에 센스 전압(sense voltage)을 인가하는 센스 배선의 역할을 하는 것이다.

또한, 상기 제 2 보조배선(AL2)은 센스 박막트랜지스터(SeTr)를 통해 스토리지 커패시터(StgC) 충전된 전하 등을 주기적으로 배출시키는 통로의 역할을 하는 것이다.

조금 더 구체적으로 각 부화소영역(SP1, SP2, SP3)에 구비된 구성요소간의 연결 관계를 살펴보면, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 소스 전극(133b)은 상기 전원배선(PL)과 연결되고 있으며, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136b)은 상기 센스 박막트랜지스터(SeTr)의 드레인 전극(136c) 및 스토리지 커패시터(StgC)와 연결되고 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(STr)의 드레인 전극(136a)은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극(115b)과 연결되고 있다.

이때, 각 부화소영역(SP1, SP2, SP3) 내에 구비된 상기 각 스위칭 박막트랜지스터(STr)의 드레인 전극(136a)과 각 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136b)은 절연층 즉, 게이트 절연막(미도시)과 층간절연막(미도시)을 사이에 두고 서로 중첩하며 구비됨으로서 스토리지 커패시터(StgC)를 이루고 있다.

그리고 각 부화소영역(SP1, SP2, SP3) 내에 각각 구비된 발광영역(유기전계 발광 다이오드가 구비되는 영역)에는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136b)과 연결되며 제 1 전극(150)과 유기 발광층(155) 및 제 2 전극(160)으로 이루어진 유기전계 발광 다이오드(E)가 구비되고 있으며, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136c)과 상기 유기전계 발광 다이오드(E)의 제 1 전극(150)이 서로 연결된 구성을 이루고 있다.

한편, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)에 있어 또 다른 특징적인 구성으로서 상기 각 전원배선(PL)의 일끝단과 연결되며 상기 각 전원배선(PL)이 형성된 층이 아닌 상기 유기전계 발광 다이오드(E)의 제 1 전극(150)이 형성된 층에는 상기 각 전원배선(PL)의 일 끝단이 위치하는 비표시영역(NA)에 대응하여 상기 각 전원배선(PL)의 일끝단과 중첩하는 쇼팅바(STB)가 구비되고 있으며, 이러한 쇼팅바(STB)는 상기 각 전원배선(PL)의 일 끝단을 각각 노출시키는 배선 콘택홀(Lch)을 통해 상기 각 전원배선(PL)과 접촉하는 구성을 이루고 있다.

따라서 상기 각 전원배선(PL)은 상기 제 1 전극(150)이 형성되는 시점에서 상기 제 1 전극(150)과 동일한 층에 동일한 물질로 이루어진 쇼팅바(STB)에 의해 전기적으로 연결된 구성을 이루는 것이 특징이다.

이렇게 각 전원배선(PL)을 이와 다른 층에 구비된 쇼팅바(STB)와 접촉하도록 하는 것은 상기 전원배선(PL)이 표시영역(DA) 전면에 대해 등전위를 이루도록 하기 위함이다. 상기 전원배선(PL)을 통해서는 표시영역(DA) 전면에 대해 동일한 전압이 인가되며, 이 경우 각 전원배선(PL)은 그 내부저항에 의해 표시영역(DA) 내 위치별로 전압 드롭핑 현상이 발생될 수 있으며, 이러한 것을 방지하기 위해 각 전원배선(PL)의 일 끝단을 쇼팅바(STB)를 개재하여 연결시키는 것이다.

이때, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 상기 각 전원배선(PL)의 일 끝단을 전기적으로 연결시키면서도 박막트랜지스터(STr, DTr, SeTr)가 완성되는 시점에서 실시하는 불량 검사 진행 시 상기 각 전원배선(PL)의 단선 여부를 알 수 있도록 하기 위해 상기 쇼팅바(STB)를 상기 전원배선(PL)이 형성된 층이 아니라 상기 전원배선(PL)이 형성된 후 절연층(미도시)을 개재하여 형성되는 제 1 전극(150)이 형성된 층에 형성하고 있는 것이다.

이렇게 각 전원배선(PL)과 쇼팅바(STB)를 이원화하여 서로 다른 층 더욱 정확히는 쇼팅바(STB)를 전원배선(PL) 상부에 위치하는 절연층(미도시) 상에 형성함으로서 상기 전원배선(PL)이 완성되는 시점, 즉 박막트랜지스터(STr, DTr, SeTr)의 소스 및 드레인 전극((133a, 133b, 133c), (136a, 136b, 136c))이 완성되는 시점에서 불량 검사 진행 시 상기 각 전원배선(PL)의 단선 여부를 알 수 있는 것이다.

종래의 유기전계 발광소자(도 1의 1)의 경우, 전원배선(도 1의 PL)은 이와 동일한 층에 쇼팅바(도 1의 STB)가 형성되어 상기 쇼팅바(도 1의 STB)에서 분기하는 형태로 상기 각 전원배선(PL)과 연결된 구성을 이룸으로서 박막트랜지스터(미도시)가 완성되는 시점에서 이미 상기 각 전원배선(도 1의 PL)은 상기 쇼팅바(도 1의 STB)에 의해 전기적으로 연결된 상태가 됨으로서 불량 검사 진행 시 상기 전원배선(도 1의 PL)의 단선 유무를 알 수 없었다.

하지만 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 전원배선(PL)과 쇼팅바(STB)가 이원화되어 구비됨에 의해 박막트랜지스터(STr, DTr, SeTr)의 소스 및 드레인 전극((133a, 133b, 133c), (136a, 136b, 136c))이 완성되는 시점에서는 쇼팅바(STB)가 형성되지 않음으로서 각 전원배선(PL)은 각 화소라인 별로 분리 형성된 상태가 되므로 불량 검사를 진행하게 되면 전원배선(PL)의 단선 여부를 알 수 있는 것이다.

한편, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)에 있어서 상기 쇼팅바(STB)는 제 1 전극(150)을 이루는 동일한 물질로 이루어짐을 일례로 보이고 있지만, 상기 쇼팅바(STB)는 반드시 상기 제 1 전극(150)을 이루는 물질로 이루어질 필요는 없으며, 상기 전원배선(PL) 형성된 이후에 구비된다면 어떠한 도전성 물질 혹은 금속물질로 이루어져도 무방하다.

이후에는 단면 구조를 통해 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)의 구성을 더욱 상세히 설명한다.

도 7은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 도면으로서 도 3을 절단선 Ⅶ-Ⅶ을 따라 절단한 부분에 대한 단면도이며, 도 8은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 도면으로서 도 3을 절단선 Ⅷ-Ⅷ을 따라 절단한 부분에 대한 단면도이며, 도 9는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 도면으로서 도 4를 절단선 Ⅸ-Ⅸ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도이며, 도 10은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)에 있어 박막트랜지스터 및 전원배선을 형성한 직후 불량 검사를 실시하는 단계에서의 전원배선의 일 끝단에 대한 단면도로서, 도5를 절단선 Ⅹ-Ⅹ을 따라 절단한 부분에 대한 단면도이다.

이때, 각 부화소영역(SP1, 미도시)을 구동하기 위한 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(도 3의 STr, DTr)와 센스 박막트랜지스터(도 3의 SeTr)는 모두 동일한 단면 구성을 가지므로 대표적으로 구동 박막트랜지스터(DTr)의 단면 구성에 대해서만 설명하며, 설명의 편의를 위해 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(도 3의 STr, DTr)와 센스 박막트랜지스터(도 3의 SeTr)를 구성하는 구성요소 중 이들 각 박막트랜지스터(도 3의 STr, DTr, 도 3의 SeTr)에 대응해서만 형성되는 구성요소 즉, 게이트 전극(115)과 반도체층(120)과 서로 이격하는 소스 전극(133) 및 드레인 전극(136)에 대해서는 동일한 숫자의 도면부호를 부여함과 동시에 스위칭, 구동 및 센스 박막트랜지스터(도 3의 STr, DTr, 도 3의 SeTr) 순으로 각 숫자의 도면부호 끝에 a, b, c를 함께 부여하였으며, 게이트 절연막(118)과 층간절연막(123) 및 평탄화막(140)은 표시영역(DA)에 전면에 걸쳐 서로 연결된 상태로 형성되는 구성요소이므로 동일한 숫자의 도면부호만을 부여하였다.

도시한 바와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)에 있어 각 부화소영역(SP1, 미도시)에는 다수의 박막트랜지스터(도 3의 STr, DTr, 도 3의 SeTr)와 유기전계 발광 다이오드(E)가 구비된 제 1 기판(110)과, 이와 대향하여 상기 유기전계 발광 다이오드(E)를 보호하고 외부로부터의 습기 또는 산소 유입을 방지하는 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(170)을 포함하여 구성되고 있다.

이때, 상기 제 2 기판(170)은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)에 있어서 상기 제 1 기판(110)과 마주하여 이격하는 형태로 구비된 것을 나타내고 있지만, 상기 제 2 기판(170)은 점착층을 포함하는 필름 형태로 상기 제 1 기판(110)의 최상층에 구비된 상기 제 2 전극(168)과 접촉하도록 구성될 수도 있으며, 또는 상기 제 2 전극(168) 상부로 유기절연막(미도시) 또는 무기절연막(미도시)이 더욱 구비되어 그 자체로 인캡슐레이션 막(미도시)으로 이용됨으로서 생략할 수도 있다.

본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 제 1 기판(110)에 구성적 특징이 있으므로 이후 제 1 기판(110)의 구성을 위주로 하여 설명한다.

상기 제 1 기판(110)에는 각 화소영역(P) 내의 각 부화소영역(SP1, 미도시) 내부 또는 이의 경계에 스위칭, 구동 및 센스 박막트랜지스터(도 3의 STr, DTr, 도 3의 SeTr)의 3개의 박막트랜지스터가 구비되고 있으며, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 연결되며 유기전계 발광 다이오드(E)가 구비되고 있다.

그리고 상기 스위칭 박막트랜지스터(미도시)와 연결되며 서로 교차하는 게이트 배선(GL) 및 데이터 배선(DL1, DL2, Dl3)이 구비되고 있으며, 상기 게이트 배선(GL)과 교차하며 상기 데이터 배선(DL1, DL2, Dl3)과 나란하게 이격하며 화소영역(P)의 경계에 전원배선(PL)이 구비되고 있고, 또한 각 화소영역(P)을 세로 방향인 제 1 방향으로 관통하며 제 2 및 제 3 부화소영역(도2의 SP2, 도2의 SP3)의 경계에 상기 데이터 배선(DL1, DL2, Dl3)과 나란하게 제 2 보조배선(AL2)이 구비되고 있다.

또한, 각 화소영역(P)에는 상기 제 1 보조배선(AL1)과 전기적으로 연결되며 각 부화소영역(SP1, 미도시)으로 상기 제 1 보조배선(AL1)을 통해 인가되는 신호전압을 인가시키기 위한 제 1 보조패턴(AP1)과, 상기 전원배선(PL)과 콘택홀(chl)을 통해 접촉하는 제 2 보조패턴(AP2)이 구비되고 있다.

한편, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 상기 스위칭 박막트랜지스터(도 3의 STr) 및 센스 박막트랜지스터(도 3의 SeTr)와 연결되는 동시에 상기 전원배선(PL) 및 유기전계 발광 다이오드(E)와 연결되고 있으며, 상기 센스 박막트랜지스터(도 3의 SeTr)는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 더불어 상기 제 1 보조배선(AL1)과 상기 제 2 보조패턴(AP2)을 매개로 하여 연결되고 있다.

상기 구동 박막트랜지스터(DTr)는 상기 제 1 기판(110) 상에 게이트 전극(115b)과, 게이트 절연막(118)과, 산화물 반도체층(120b)과, 반도체층 콘택홀(sch)이 구비된 층간절연막(123)과, 상기 층간절연막(123) 상에서 서로 이격하며 각각 상기 반도체층 콘택홀(sch)을 통해 상기 산화물 반도체층(120b)과 각각 접촉하는 소스 전극(133b) 및 드레인 전극(136b)이 순차 적층된 형태로 구성되고 있다.

그리고 상기 스위칭 박막트랜지스터(도 3의 STr)와 센스 박막트랜지스터(도 3의 SeTr) 또한 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)와 동일한 적층 구조를 이루고 있다.

또한, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 소스 전극(133b)은 상기 전원배선(PL)과 제 2 보조패턴(AP2)을 매개로 하여 연결되고 있다.

한편, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 게이트 전극(115b)이 형성된 동일한 층 즉, 제 1 기판(1410) 상에는 상기 구동 게이트 전극(115b)과 동일한 금속물질로 이루어지며 게이트 배선(GL)과, 상기 제 2 보조배선(AL2)과 이와 이격하며 상기 제 2 보조패턴(AP2)이 형성되고 있으며, 각 부화소영역(SP1, 미도시)에는 구동 박막트랜지스터(DTr)의 구동 게이트 전극(115b)과 콘택홀(chl)을 통해 접촉하는 스토리지 커패시터(StgC)의 제 1 전극(116)이 구비되고 있다.

또한, 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 소스 및 드레인 전극(133b, 136b)이 형성된 동일한 층 즉, 층간절연막(123) 상에는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 소스 및 드레인 전극(133b, 136b)과 동일한 금속물질로 이루어지며 상기 게이트 배선(GL)과 교차하는 제 1 방향으로 연장하며 이격하며 상기 데이터 배선(DL1, DL2, DL3)이 형성되고 있으며, 각 화소영역(P)의 경계에는 전원배선(PL)이 형성되고 있다.

나아가 각 화소영역(P)에는 상기 제 3 데이터 배선(DL3)과 이웃하여 이격하며 제 1 보조배선(AL1) 형성되고 있으며, 상기 제 1 보조배선(AL1)과 접촉하며 제 1 보조패턴(AP1)이 형성되고 있다.

이러한 제 1 보조패턴(AP1)은 상기 제 1, 2, 3 데이터 배선(DL1, DL2, DL3)과 교차하는 부분에서는 제거되어 이격하는 형태를 이루며, 이러한 이격하는 제 1 보조패턴(AP1) 간에는 이의 끝단을 노출시키는 콘택홀(chl)을 통해 상기 게이트 전극(115b)과 동일한 층에 형성된 제 1 연결패턴(cp1)과 접촉하는 구성을 이루고 있는 것이 특징이다. 이에 의해 상기 제 1 보조패턴(AP1)은 각 화소영역(P) 내에서 각 부화소영역(SP1, 미도시)에 구비되는 각 센스 박막트랜지스터(도 3의 SeTr)의 소스 전극(도 3의 133c)으로 상기 제 1 보조배선(AL1)으로 인가되는 신호전압을 전달할 수 있는 구조를 이루게 된다.

또한, 상기 층간절연막(123) 상의 각 부화소영역(SP1, 미도시)에 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 소스 및 드레인 전극(133b, 136b)과 동일한 금속물질로 이루어지며 상기 제 1 스토리지 전극(116)과 중첩하며 제 2 스토리지 전극(137)이 형성되고 있다. 이때, 상기 제 2 스토리지 전극(137)은 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136b)과 및 센스 박막트랜지스터(도 3의 SeTr)의 드레인 전극(도 3의 136c)과 연결되고 있다.

한편, 상기 스위칭 박막트랜지스터(도 3의 STr)의 게이트 전극(도 3의 115a)은 상기 게이트 배선(GL)과 연결되고 있으며, 상기 스위칭 박막트랜지스터(도 3의 STr)의 소스 전극(도 3의 133a)은 상기 데이터 배선(DL1)과 연결되고 있다.

그리고 상기 게이트 배선(GL)과 이격하여 형성된 상기 제 2 보조배선(AL2)은 그 차제로서 상기 센스 박막트랜지스터(도 3의 SeTr)의 게이트 전극(도 3의 115c)을 이루고 있으며, 상기 제 1 보조배선(AL1)과 연결된 상기 제 1 보조패턴(AP1)은 상기 센스 박막트랜지스터(도 3의 SeTr)의 소스 전극(도 3의 133c)과 연결되고 있으며, 상기 센스 박막트랜지스터(도 3의 SeTr)의 드레인 전극(도 3의 136c)은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136b)과 연결되고 있다.

그리고 상기 산화물 반도체층(120a, 도 3의 120b, 도 3의 120c)과 소스 전극(133a, 도 3의 133b, 도 3의 133c) 및 상기 산화물 반도체층(120a, 도 3의 120b, 도 3의 120c)과 드레인 전극(136a, 도 3의 136b, 도 3의 136c) 간은 상기 층간절연막(123)에 상기 산화물 반도체층(120a, 도 3의 120b, 도 3의 120c)을 노출시키는 반도체층 콘택홀(sch)이 구비됨으로서 이러한 반도체층 콘택홀(sch)을 통해 서로 접촉하는 구성을 이루고 있다.

즉, 층을 달리하서 형성되는 두 구성요소 간에는 이들 두 구성요소 사이에 개재된 절연층 예를들면 게이트 절연막(118) 또는(및) 층간절연막(123)에 콘택홀(chl) 또는 반도체층 콘택홀(sch)이 구비되고 있으며, 이러한 콘택홀(chl) 또는 반도체층 콘택홀(sch)을 통해 서로 다른 층에 구비된 두 구성요소는 접촉한 상태를 이룬다.

한편, 도면에 있어서는 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(도 3의 STr, DTr)와 센스 박막트랜지스터(도 3의 SeTr)가 보텀 게이트(bottom gate) 구조를 이루는 것을 일례로 나타내었지만, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(도 3의 STr, DTr)와 센스 박막트랜지스터(도 3의 SeTr)의 적층 구성은 다양하게 변형이 가능함은 자명하다 할 것이다.

일례로, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(도 3의 STr, DTr)와 센스 박막트랜지스터(도 3의 SeTr)는 폴리실리콘의 반도체층을 가지며 탑 게이트 타입(Top gate type)으로 구성될 수도 있다.

이러한 경우, 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(도 3의 STr, DTr)와 센스 박막트랜지스터(도 3의 SeTr)는 순수 폴리실리콘의 액티브 영역과 이의 양측에 불순물이 도핑된 폴리실리콘의 소스 및 드레인 영역으로 이루어진 반도체층과, 게이트 절연막과, 상기 액티브영역과 중첩하여 형성된 게이트 전극과, 상기 소스 및 드레인 영역을 각각 노출시키는 반도체층 콘택홀을 갖는 층간절연막과, 상기 반도체층 콘택홀을 통해 각각 상기 소스 및 드레인 영역과 접촉하며 서로 이격하며 형성된 소스 및 드레인 전극을 포함하여 구성된다.

한편, 상기 게이트 전극(115a, 도 3의 115b, 도 3의 115c)과 게이트 배선(GL), 데이터 배선(DL1, DL2, DL3)과 전원배선(PL), 소스 및 드레인 전극((도 3의 133a, 133b, 도 3의 133c), (도 3의 136a, 136b, 도 3의 136c))과, 제 1 및 제 2 보조배선(AL1, AL2) 및 제 1, 2 보조패턴(AP1, AP2)은 저저항 특성을 갖는 금속물질 예를들면 예를들면 구리(Cu), 구리 합금(AlNd), 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 몰리브덴(Mo) 및 몰리티타늄(MoTi) 중 선택된 하나 또는 둘 이상의 물질로 이루어짐으로서 단일층 또는 이중층 이상의 다중층 구조를 이루게 된다.

한편, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)에 있어 가장 특징적인 구성 중 하나인 상기 전원배선(PL)은 상기 층간절연막(123) 상에 각 화소영역(P)의 경계에 각 화소라인 별로 각각 분리된 상태로 형성되고 있으며, 상기 각 전원배선(PL)의 일 끝단이 위치하는 비표시영역(NA)에 있어서는 상기 층간절연막(123) 상에 쇼팅바(STB)가 형성되지 않아 각 전원배선(PL)의 일 끝단은 각 화소라인 별로 분리된 형태를 이루고 있는 것이 특징이다.

따라서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 상기 층간절연막(123) 위로 각 박막트랜지스터(도 3의 STr, DTr, 도 3의 SeTr)의 소스 및 드레인 전극((도 3의 133a, 133b, 도 3의 133c), (도 3의 136a, 136b, 도 3의 136c))이 형성되어 각 박막트랜지스터(도 3의 STr, DTr, 도 3의 SeTr)가 완성된 시점에서 상기 각 박막트랜지스터(도 3의 STr, DTr, 도 3의 SeTr)와 각 배선의 단선 검사를 실시하는 경우, 상기 전원배선(PL) 또한 단선 검사를 실시할 수 있으며, 단선 불량 여부를 명확히 확인 할 수 있다.

전원배선(PL)의 단선 불량이 확인 되는 경우, 현 상태 즉 박막트랜지스터가 완성된 상태에서 리페어 공정 일례로 웰딩을 진행하여 상기 전원배선(PL)의 단선된 부분을 리페어 함으로서 최종 제품화시 전원배선(PL)의 단선 불량을 방지할 수 있는 것이다.

다음, 이렇게 각 화소영역라인 별로 분리 형성된 상태의 전원배선(PL)과 상기 스위칭 및 구동 박막트랜지스터(도 3의 STr, DTr)와 센스 박막트랜지스터(도 3의 SeTr) 위로 그 표면이 평탄한 상태의 평탄화층(140)이 표시영역(DA) 전면을 포함하여 상기 전원배선(PL)의 일끝단이 위치하는 비표시영역(NA)에 대해 형성되고 있다.

이때, 도면에 나타내지 않았지만, 상기 평탄화층(140)과 각 박막트랜지스터(도 3의 STr, DTr, 도 3의 SeTr) 사이에는 무기절연물질 예를들면 산화실리콘(SiO₂) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 보호막(미도시)이 더욱 형성될 수 있다.

상기 평탄화층(140)(보호막(미도시)이 형성되는 경우 상기 보호막(미도시) 포함)에는 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)에 대응하여 이의 드레인 전극(136b)을 노출시키는 드레인 콘택홀(143)이 구비되고 있다. 이러한 드레인 콘택홀(143)은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136b)에 대응해서만 구비되는 것이며, 스위칭 및 센스 박막트랜지스터(도 3의 STr, 도 3의 SeTr)의 드레인 전극(도 3의 136a, 도 3의 136c)에 대해서는 형성되지 않는다. 이러한 드레인 콘택홀(143)은 상기 구동 박막트랜지스터(DTr)의 드레인 전극(136b)과 유기전계 발광 다이오드(E)의 제 1 전극(150)을 전기적으로 연결시키기 위함이다.

이때, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)에 있어 또 다른 구성적 특징으로 상기 평탄화층(140)에는 표시영역(DA) 외측의 비표시영역(NA)에 있어 상기 각 전원배선(PL)의 일끝단에 대해 이들 각 전원배선(PL)의 일 끝단을 노출시키는 배선 콘택홀(Lch)이 구비되고 있는 것이 특징이다.

이렇게 각 전원배선(PL)의 일끝단 각각에 대해 이를 노출시키는 상기 배선 콘택홀(Lch)이 구비된 것은 추후 상기 각 전원배선(PL)의 일끝단을 연결시키는 쇼팅바(STB)와 접촉하는 구성을 이루도록 하기 위함이다.

다음, 상기 평탄화층(140) 위로 각 부화소영역(SP1, 미도시)별로 상기 드레인 콘택홀(143)을 통해 상기 구동 드레인 전극(136b)과 접촉하는 제 1 전극(150)이 형성되고 있다.

도면에 있어서는 상기 제 1 전극(150)은 애노드 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어지고 있음을 일례로 보이고 있다.

하지만, 이러한 제 1 전극(150)은 유기전계 발광소자가 상부발광 방식을 동작하는 경우, 이중층 구조를 이룰 수 있으며, 이때, 상기 제 1 전극(150)의 상부층은 애노드 전극의 역할을 하며, 그 하부층은 반사층의 역할을 하도록 형성된다.

즉, 상기 제 1 전극(150)의 상부층은 애노드 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어지고, 상기 제 1 전극(150)의 하부층은 반사효율이 우수한 금속물질 혹은 합금인 알루미늄(Al), 알루미늄-네오디뮴(AlNd), 은(Ag), 은-팔라듐-구리(APC) 중 어느 하나로 이루어지도록 구성될 수도 있다.

이 경우, 상기 제 1 전극(150) 상부에 형성되는 유기 발광층(155)으로부터 발광된 빛을 상부로 반사시켜 재활용하여 발광효율을 향상시키는 역할을 하게 된다.

하지만 상기 제 1 전극(150)은 반드시 이중층 구조를 이루도록 할 필요가 없으며 하부발광 방식으로 동작하는 경우 애노드 전극의 역할을 하도록 일함수 값이 비교적 큰 투명 도전성 물질 예를들면 인듐-틴-옥사이드(ITO) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO)로 이루어진 단일층 구조를 이룰 수도 있다.

도면에 있어서는 상기 제 1 전극(150)은 단일층 구조를 이루는 것을 일례로 나타내었다.

그리고 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)의 특징적인 구성 중 하나로서 상기 전원배선(PL)의 일끝단이 위치하는 비표시영역(NA)에는 상기 전원배선(PL) 각각의 일끝단을 노출시키는 배선 콘택홀(Lch)을 통해 이들 각 전원배선(PL)의 일끝단과 접촉하는 쇼팅바(STB)가 형성되고 있다.

이러한 쇼팅바(STB)는 상기 평탄화층(140) 상에 상기 제 1 전극(150)을 이루는 동일한 물질로 이루어질 수 있으며, 이 경우, 상기 제 1 전극(150)이 단일층 구조를 갖는 경우 단일층을 이루며 상기 제 1 전극(150)이 이중층 구조를 갖는 경우 이중층 구조로 이루어질 수도 있다.

한편, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)에 있어서 상기 쇼팅바(STB)는 제 1 전극(150)을 이루는 동일한 물질로 이루어짐을 일례로 보이고 있지만, 상기 쇼팅바(STB)는 반드시 상기 제 1 전극(150)을 이루는 물질로 이루어질 필요는 없으며, 상기 전원배선(PL) 형성된 이후에 구비된다면 어떠한 도전성 물질 혹은 금속물질로 이루어져도 무방하다.

본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 상기 제 1 전극(150)이 형성되는 단계에서 상기 각 전원배선(PL)의 일끝단을 전기적으로 연결시키는 쇼팅바(STB)가 형성됨으로서 최종적으로 완성된 단계에서는 각 전원배선(PL)은 실질적으로 상기 쇼팅바(STB)에 의해 전기적으로 연결된 상태를 이루게 되며, 이에 의해 전원배선(PL) 자체의 내부 저항에 기인되는 위치별 전압강하 현상을 억제시킬 수 있다.

한편, 상기 제 1 전극(150) 위로 각 부화소영역(SP1, 미도시)의 경계에는 뱅크(153)가 형성되어 있다.

이때, 상기 뱅크(153)는 각 부화소영역(SP1, 미도시)을 둘러싸는 형태로 상기 제 1 전극(150)의 가장자리 소정폭과 중첩하며 상기 제 1 전극(150)의 중앙부를 노출시키며 형성되고 있다.

이러한 구성을 갖는 상기 뱅크(153)는 투명한 유기절연물질 예를들면 폴리이미드(poly imide)로 이루어지거나, 또는 블랙을 나타내는 물질 예를들면 블랙수지로 이루어지고 있다.

그리고 상기 각 부화소영역(SP1, 미도시)의 상기 뱅크(153)로 둘러싸인 제 1 전극(150)의 상부에는 유기 발광층(155)이 형성되어 있다.

또한, 상기 유기 발광층(155)과 상기 뱅크(153) 상부로 표시영역(DA) 전면에 대해 캐소드 전극을 역할을 하도록, 일함수 값이 비교적 작은 금속물질 예를들면 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 은(Ag), 마그네슘(Mg), 금(Au), 알루미늄마그네슘 합금(AlMg) 중 어느 하나 또는 둘 이상의 섞인 물질로 이루어진 제 2 전극(160)이 형성되고 있다.

한편, 각 부화소영역(SP1, 미도시)에 있어 상기 제 1, 2 전극(150, 160)과 그 사이에 형성된 상기 유기 발광층(155)은 유기전계 발광 다이오드(E)를 이루게 된다.

도면에 나타나지 않았지만, 상기 제 1 전극(150)과 유기 발광층(155) 사이 및 상기 유기 발광층(155)과 제 2 전극(160) 사이에는 각각 상기 유기 발광층(155)의 발광 효율 향상을 위해 다층 구조의 제 1 발광보상층(미도시)과 제 2 발광보상층(미도시)이 더욱 형성될 수도 있다.

이때, 다층의 상기 제 1 발광보상층(미도시)은 상기 제 1 전극(150) 상부로 순차 적층되며 정공주입층(hole injection layer)과 정공수송층(hole transporting layer)으로 이루어질 수 있으며, 상기 제 2 발광보상층(미도시)은 상기 유기 발광층(155)으로부터 순차 적층되며 전자수송층(electron transporting layer)과 전자주입층(electron injection layer)으로 이루어질 수 있다.

한편, 상기 제 1 발광보상층(미도시)과 제 2 발광보상층(미도시)은 이중층 구조를 이루는 것을 일례로 나타내었지만, 반드시 이중층 구조를 이룰 필요는 없다. 즉, 상기 제 1 발광보상층(미도시)은 정공주입층 또는 정공수송층이 되어 단일층 구조를 이룰 수도 있고, 상기 제 2 발광보상층(미도시) 또한 전자주입층 또는 전자수송층이 되어 단일층 구조를 이룰 수도 있다.

더불어 상기 제 1 발광보상층(미도시)은 전자블록킹층이 더욱 포함될 수도 있으며, 상기 제 2 발광보상층(미도시)은 정공블록킹층이 더욱 포함될 수도 있다.

그리고 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 전술한 구성을 갖는 상기 제 1 기판(110)에 대응하여 상기 유기전계 발광 다이오드(E)의 인캡슐레이션을 위한 제 2 기판(170)이 구비되고 있다.

이 경우, 상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(170)은 그 가장자리를 따라 실란트 또는 프릿으로 이루어진 접착제(미도시)가 구비되고 있으며, 이러한 접착제(미도시)에 의해 상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(170)이 합착되어 패널상태를 유지하고 있다.

이때, 서로 이격하는 상기 제 1 기판(110)과 제 2 기판(170) 사이에는 진공의 상태를 갖거나 또는 불활성 기체로 채워짐으로써 불활성 가스 분위기를 가질 수 있다.

상기 인캡슐레이션을 위한 상기 제 2 기판(170)은 유연한 특성을 갖는 플라스틱으로 이루어질 수도 있으며, 또는 유리기판으로 이루어질 수도 있다.

한편, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 인캡슐레이션을 위한 상기 제 2 기판(170)이 생략된 구성을 이룰 수도 있다.

즉, 상기 제 2 기판(170)은 점착층을 포함하는 필름 형태로 상기 제 1 기판(110)의 최상층에 구비된 상기 제 2 전극(168)과 접촉하도록 구성될 수도 있으며, 또는 상기 제 2 전극(160) 상부로 유기절연막(미도시) 또는 무기절연막(미도시)이 더욱 구비되어 캡핑막이 형성될 수 있으며, 상기 유기절연막(미도시) 또는 무기절연막(미도시)은 그 자체로 인캡슐레이션 막(미도시)으로 이용될 수도 있으며, 이 경우 상기 제 2 기판(170)은 생략된다.

이러한 구성을 갖는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)는 전원배선(PL)이 박막트랜지스터(도 3의 STr, DTr, 도 3의 SeTr) 및 배선의 불량 검사가 이루어지는 상기 박막트랜지스터(도 3의 STr, DTr, 도 3의 SeTr)의 완성 단계에서 각 화소영역(P) 별로 분리된 구성을 이룸으로서 상기 불량 검사 실시시 상기 전원배선(PL)의 단선 유무를 파악할 수 있게 됨으로서 리페어가 가능하게 되며 이에 의해 최종 제품화시의 불량률을 저감시키는 효과가 있다.

나아가 상기 전원배선(PL)은 제 1 전극(150)을 형성하는 단계에서 상기 제 1 전극(150)을 이루는 동일한 물질 및 동일층에 상기 각 전원배선(PL)의 일끝단과 연결되는 쇼팅바(STB)가 구비됨으로서 이에 의해 상기 전원배선(PL)은 모두 전기적으로 연결되어 등전위 상태가 되므로 전원배선(PL) 각각이 그 위치별 전압강하 현상이 억제되는 효과를 갖는다.

한편, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)의 경우, 상기 각 전원배선(PL)은 그 일끝단이 평탄화층(140)에 구비된 각 전원배선(PL)의 일끝단을 노출시키는 배선 콘택홀(Lch)을 통해 상기 평탄화층(140) 상부에 구비되는 쇼팅바(STB)에 의해 연결된 구성을 이루는 것을 보이고 있지만, 상기 쇼팅바(STB)는 상기 평탄화층(140)이 아니라 상기 전원배선(PL)의 일끝단과 이들 전원배선(PL)이 위치하는 상기 층간절연막(123) 상에 형성되는 구성을 이룰 수도 있다.

도 11은 본 발명의 제 1 실시예의 변형예에 따른 유기전계 발광소자의 전원배선과 쇼팅바의 평면 구조 도시한 도면이며, 도 12는 본 발명의 제 1 실시예의 변형예에 따른 유기전계 발광소자의 전원배선과 쇼팅바의 단면 구조를 나타낸 도면으로도 도 11을 절단선 ⅩⅡ-ⅩⅡ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도이다. 이때, 본 발명의 제 1 실시예의 변형예에 따른 유기전계 발광소자는 전원배선(PL)의 일끝단이 위치하는 비표시영역(NA)에서의 구성만을 달리 할 뿐 그 외의 구성은 전술한 본 발명의 제 1 실시예와 동일하므로 차별점이 있는 부분을 위주로 설명한다.

본 발명의 제 1 실시예의 변형예에 따른 유기전계 발광소자(102)에 있어 각 박막트랜지스터(미도시)의 소스 및 드레인 전극(미도시)이 형성된 층간절연막(123) 상에 각 화소라인 별로 이격하며 전원배선(PL)이 분리 형성되고 있으며, 이때, 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(도 3의 101)와는 달리 상기 각 박막트랜지스터(미도시)의 소스 및 드레인 전극(미도시) 위로 표시영역(DA)에 대해서만 구동 박막트랜지스터(미도시)의 드레인 전극(미도시)을 노출시키는 드레인 콘택홀(미도시)을 갖는 평탄화층(140)이 구비됨을 일 특징으로 하고 있다.

이때, 상기 평탄화층(140)이 표시영역(DA)에 대해서만 형성됨으로서 상기 각 전원배선(PL)은 비표시영역(NA)에 있어 그 일끝단이 상기 평탄화층(140) 외측으로 노출된 상태를 이루는 것이 특징이다.

그리고 상기 평탄화층(140) 위로 표시영역(DA)에 있어서는 상기 드레인 콘택홀(미도시)을 통해 상기 구동 박막트랜지스터(미도시)의 드레인 전극(미도시)과 접촉하며 각 부화소영역(미도시) 별로 제 1 전극(미도시)이 구비되고 있으며, 상기 비표시영역(NA)에 있어서는 상기 평탄화층(140) 외측으로 노출된 상기 각 전원배선(PL)의 일 끝단에 대해 상기 제 1 전극(미도시)을 이루는 동일한 물질로 상기 제 1 전극(미도시)과 동일한 적층 구조를 가지며 이들 각 전원배선(PL)의 일끝단과 직접 접촉하는 쇼팅바(STB)가 구비되고 있는 것이 특징이다.

한편, 본 발명의 제 1 실시예의 변형에에 따른 유기전계 발광소자(102)에 있어서 상기 쇼팅바(STB)는 제 1 전극(미도시)을 이루는 동일한 물질로 이루어짐을 일례로 보이고 있지만, 상기 쇼팅바(STB)는 반드시 상기 제 1 전극(미도시)을 이루는 물질로 이루어질 필요는 없으며, 상기 전원배선(PL) 형성된 이후에 구비된다면 어떠한 도전성 물질 혹은 금속물질로 이루어져도 무방하다.

이러한 구성을 갖는 본 발명의 제 1 실시예의 변형예에 따른 유기전계 발광소자(102)는 각 전원배선(PL)의 끝단을 노출시키는 배선 콘택홀 없이 상기 쇼팅바(STB)가 각 전원배선(PL)의 일끝단과 상기 각 일끝단 사이로 노출된 층간절연막(123) 위로 형성되고 있는 바, 상기 박막트랜지스터(미도시)의 소스 및 드레인 전극(미도시)이 완성되는 시점에서는 각 전원배선(PL)이 분리된 형태가 되므로 불량 검사 시 상기 전원배선(PL)의 단선 유무를 파악할 수 있으며, 나아가 최종 제품으로 완성 시 각 전원배선(PL)은 쇼팅바(STB)에 의해 전기적으로 연결된 상태가 되므로 전원배선(PL) 각각의 위치별 전압강하를 억제하여 등전위를 구현할 수 있는 장점을 갖는다.

그 외의 구성요소는 전술한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(101)와 동일하므로 이하 생략한다.

도 13은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자에 있어 전원배선만을 간략히 도시한 평면도이며, 도 14는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자의 도면으로서 도 13을 절단선 ⅩⅣ-ⅩⅣ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도이다.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자(201)는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기전계 발광소자(도 3의 101) 대비 각 전원배선(PL)의 일끝단과 이를 연결시키는 쇼팅바(STB)의 구조만을 달리하며, 그 외의 구성요소는 모두 동일하므로 차별점이 있는 부분에 대해서만 설명한다.

본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자(201)에 있어 가장 특징적인 구성은 전원배선(PL)의 일끝단이 위치하는 비표시영역(NA)에 있어 표시영역(DA)의 각 부화소영역(미도시)에 구비되는 각 박막트랜지스터(미도시)의 소스 및 드레인 전극(미도시)이 형성되는 층간절연막(123) 상에 상기 각 전원배선(PL)의 일끝단과 이격하여 상기 전원배선(PL)을 이루는 동일한 물질로 쇼팅바(STB)가 구비되고 있다는 것과, 이러한 서로 이격하는 각 전원배선(PL)의 일끝단과 쇼팅바(STB)가 이의 상부에 구비된 평탄화층(140) 상에 위치하는 제 1 전극(미도시)과 동일한 물질로 이루어지며 상기 전원배선(PL) 각각과 제 2 연결패턴(cp2)에 의해 서로 접촉하는 구성을 이루고 있다는 것이다.

이때, 상기 평탄화층(140)에는 각 전원배선(PL)의 일끝단을 노출시키는 배선 콘택홀(Lch)과 더불어 상기 쇼팅바(STB)에 대해 각 전원배선(PL)의 일끝단과 일대일 대응하도록 쇼팅바 콘택홀(Bch)이 구비되고 있으며, 상기 제 2 연결패턴(cp2)은 상기 각 전원배선(PL)의 일끝단과 일대일 대응하며 각각 상기 배선 콘택홀(Lch)과 쇼팅바 콘택홀(Bch)을 통해 상기 전원배선(PL) 및 쇼팅바(STB)과 동시에 접촉하는 구성을 이루는 것이 특징이다.

한편, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자(201)에 있어서 상기 제 2 연결패턴(cp2)는 제 1 전극(미도시)을 이루는 동일한 물질로 이루어짐을 일례로 보이고 있지만, 상기 제 2 연결패턴(cp2)는 반드시 상기 제 1 전극(미도시)을 이루는 물질로 이루어질 필요는 없으며, 상기 전원배선(PL) 형성된 이후에 구비된다면 어떠한 도전성 물질 혹은 금속물질로 이루어져도 무방하다.

이러한 구성을 갖는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자(201) 역시 비록 쇼팅바(STB)가 전원배선(PL)이 형성된 동일한 층인 층간절연막(123) 상에 형성되고 있다 하더라도 박막트랜지스터(미도시)의 소스 및 드레인 전극(미도시)이 완성된 상태에서는 상기 각 전원배선(PL)의 일끝단과 상기 쇼팅바(STB)는 서로 접촉되어 전기적으로 연결된 상태가 아니므로 불량 검사 실시 시에 상기 각 전원배선의 단선 불량 여부를 알 수 있고 이에 의해 리페어가 가능하게 되며, 따라서 최종 제품화시의 불량률을 저감시키는 효과가 있다.

또한, 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자(201)는 최종 제품으로 완성 시 각 전원배선(PL)은 쇼팅바(STB)에 의해 전기적으로 연결된 상태가 되므로 전원배선(PL) 각각의 위치별 전압강하를 억제하여 등전위를 구현할 수 있는 장점을 갖는다.

한편, 이러한 구성을 갖는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자(201) 또한 제 1 실시예의 변형예에 따른 유기전계 발광소자(도 11의 102)와 같이 그 변형예로서 도 15(본 발명의 제 2 실시예의 변형예에 따른 유기전계 발광소자의 전원배선과 쇼팅바의 평면 구조 도시한 도면) 및 도 16(본 발명의 제 2 실시예의 변형예에 따른 유기전계 발광소자의 전원배선과 쇼팅바의 단면 구조를 나타낸 도면으로도 도 15를 절단선 ⅩⅥ-ⅩⅥ를 따라 절단한 부분에 대한 단면도)을 참조하면, 평탄화층(140)이 표시영역(DA)에만 형성되고 비표시영역(NA)에 대해서는 형성되지 않는 경우 제 1 전극(미도시)을 형성한 동일한 물질로 이루어진 상기 제 2 연결패턴(cp2)이 상기 평탄화층(140) 외측으로 노출된 상기 각 전원배선(PL)의 일끝단 및 이외 이격하는 쇼팅바(STB)에 대해 직접 접촉하며 상기 전원배선(PL)과 쇼팅바(STB) 상부 및 이들 두 구성요소가 이격한 영역에 대해 형성된 구성을 이룰 수도 있다.

이러한 구성을 갖는 본 발명의 제 2 실시예의 변형예에 따른 유기전계 발광소자(202)는 각 전원배선(PL)의 끝단을 노출시키는 배선 콘택홀(Lch)과 쇼팅바(STB)를 노출시키는 쇼팅바 콘택홀 없이 상기 제 2 연결패턴(cp2)이 각 전원배선(PL)의 일끝단 및 쇼팅바(STB)와 상기 각 전원배선(PL)의 일끝단과 쇼팅바(STB) 사이로 노출된 층간절연막(123) 위로 형성되고 있는 바, 상기 박막트랜지스터(미도시)의 소스 및 드레인 전극(미도시)이 완성되는 시점에서는 각 전원배선(PL)이 분리된 형태가 되므로 불량 검사 시 상기 전원배선(PL)의 단선 유무를 파악할 수 있으며, 나아가 최종 제품으로 완성 시 각 전원배선(PL)은 제 2 연결패턴(cp2)을 매개로하여 쇼팅바(STB)와 전기적으로 연결된 상태가 되므로 전원배선(PL) 각각의 위치별 전압강하를 억제하여 등전위를 구현할 수 있는 장점을 갖는다.

그 외의 구성요소는 전술한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기전계 발광소자(도 13의 201)와 동일하므로 이하 생략한다.

본 발명은 전술한 실시예 및 변형예로 한정되지 않고, 본 발명의 취지 및 사상을 벗어나지 않는 한도내에서 다양하게 변경하여 실시할 수 있다.

101: 유기전계 발광소자
Bch: 배선 콘택홀
DA: 표시영역
NA: 비표시영역
PL: 전원배선
STB: 쇼팅바

Claims (8)

1. 복수의 부화소영역을 구비한 화소영역이 다수 구비된 표시영역과 상기 표시영역 외측의 비표시영역이 정의된 기판;
   상기 복수의 부화소영역 각각에 구비된 다수의 박막트랜지스터;
   상기 다수의 박막트랜지스터 중 어느 하나의 박막트랜지스터와 연결되며 제 1 전극과 유기 발광층 및 제 2 전극으로 구성된 유기전계 발광 다이오드;
   제 1 방향으로 연장되며, 상기 복수의 부화소영역 중 상기 제 1 방향과 교차하는 상기 제 2 방향으로 서로 인접하는 화소영역 사이에 구비된 전원배선 및 데이터 배선; 및
   상기 제 2 방향으로 연장되며, 상기 복수의 부화소영역 중 상기 제 1 방향으로 서로 인접하는 부화소영역 사이에 구비된 게이트 배선
   을 포함하고, 상기 비표시영역에 상기 전원배선의 일끝단과 접촉하며 구비된 쇼팅바를 포함하는 유기전계 발광소자.
   
2. 제 1 항에 있어서,
   상기 표시영역 및 비표시영역에는 상기 다수의 박막트랜지스터와 상기 제 1 전극 사이에 상기 전원배선의 일끝단을 노출시키는 배선 콘택홀이 구비된 평탄화층이 구비되며, 상기 쇼팅바와 상기 전원배선의 일끝단은 상기 배선 콘택홀을 통해 서로 접촉하는 유기전계 발광소자.
   
3. 제 1 항에 있어서,
   상기 쇼팅바는 상기 제 1 전극과 동일한 물질로 이루어진 유기전계 발광소자.
   
4. 복수의 부화소영역을 구비한 화소영역이 다수 구비된 표시영역과 상기 표시영역 외측의 비표시영역이 정의된 기판;
   상기 복수의 부화소영역 각각에 구비된 다수의 박막트랜지스터;
   상기 다수의 박막트랜지스터 중 어느 하나의 박막트랜지스터와 연결되며 제 1 전극과 유기 발광층 및 제 2 전극으로 구성된 유기전계 발광 다이오드;
   제 1 방향으로 연장되며, 상기 복수의 부화소영역 중 상기 제 1 방향과 교차하는 상기 제2 방향으로 서로 인접하는 화소영역 사이에 구비된 전원배선 및 데이터 배선;
   상기 제 2 방향으로 연장되며, 상기 복수의 부화소영역 중 상기 제 1 방향으로 서로 인접하는 부화소영역 사이에 구비된 게이트 배선; 및
   상기 비표시영역에 상기 전원배선의 일끝단과 이격하며 상기 전원배선이 형성된 동일한 층에 동일한 물질로 구비된 쇼팅바
   를 포함하고, 상기 비표시영역에 상기 전원배선의 일끝단 및 상기 쇼팅바와 접촉하며 구비된 연결패턴을 포함하는 유기전계 발광소자.
   
5. 제 4 항에 있어서,
   상기 표시영역 및 비표시영역에는 상기 다수의 박막트랜지스터와 상기 제 1 전극 사이에 상기 전원배선의 일끝단을 노출시키는 배선 콘택홀과 상기 쇼팅바를 노출시키는 쇼팅바 콘택홀을 갖는 평탄화층이 구비되며, 상기 연결패턴은 상기 배선 콘택홀 및 쇼팅바 콘택홀을 통해 상기 전원배선의 일끝단 및 쇼팅바와 접촉하는 유기전계 발광소자.
   
6. 제 4 항에 있어서,
   상기 연결패턴은 상기 제 1 전극과 동일한 물질로 이루어진 유기전계 발광소자.
   
7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
   상기 부화소영역의 경계에 상기 제 1 방향으로 연장하는 제 1 보조배선과, 상기 화소영역의 경계에 상기 제 2 방향으로 연장하며 상기 게이트 배선과 이격하는 제 2 보조배선이 구비되며, 상기 다수의 박막트랜지스터는 상기 데이터 배선 및 게이트 배선과 연결된 스위칭 박막트랜지스터와, 상기 스위칭 박막트랜지스터 및 상기 전원배선과 연결된 구동 박막트랜지스터와, 상기 구동 박막트랜지스터 및 상기 제 2 보조배선과 연결된 센싱 박막트랜지스터인 유기전계 발광소자.
   
8. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
   상기 전원배선은 상기 다수의 박막트랜지스터의 소스 및 드레인 전극이 형성된 동일한 층에 구비되며 상기 소스 및 드레인 전극과 동일한 물질로 이루어진 유기전계 발광소자.

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