CN105576001A - 有机发光二极管显示器 - Google Patents

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Abstract

一种有机发光二极管(OLED)显示器包括：像素电极，每个像素电极与被设置在基板的显示区域中的像素区域相对应；被设置在显示区域的中心部分的第一像素区域；被设置在显示区域的边缘部分的第二像素区域；辅助线，每条辅助线被设置为与至少一个像素电极相邻；被设置在像素电极上的发射层；以及被设置在发射层上的对电极，对电极通过接触孔接触辅助线中的每一条，其中第一像素区域中对电极与辅助线之间的总接触面积大于第二像素区域中对电极与辅助线之间的总接触面积。

Description

有机发光二极管显示器
相关申请的交叉引用
此申请要求2014年11月3日提交的韩国专利申请No.10-2014-0151586的优先权和权益，该韩国专利申请出于各种目的通过引用合并于此，就像在本文中完全阐述一样。
技术领域
示例性实施例涉及有机发光二极管(OLED)显示器。
背景技术
OLED显示器是其中像素中的每一个包括有机发光器件的显示设备。例如，有机发光器件可以包括像素电极、被设置为面对像素电极的对电极、以及被插入在像素电极与对电极之间并包括发射层的有机层。在OLED显示器中，对于每个像素，像素电极可被图案化为岛形。对电极可以对于多个像素整体形成。
在此背景技术部分公开的上述信息仅用于增强对本发明构思的背景的理解，因此，它可能包含不构成在该国本领域普通技术人员已经知晓的现有技术的信息。
发明内容
本发明的示例性实施例提供了一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。
另外方面将部分在随后的详细描述中提出，部分地从公开显而易见，或者可以通过对发明构思的实践来获知。
根据发明构思的一个示例性实施例，一种有机发光二极管(OLED)显示器包括：像素电极，每个像素电极与被设置在基板的显示区域中的像素区域相对应；被设置在显示区域的中心部分的第一像素区域；被设置在显示区域的边缘部分的第二像素区域；辅助线，每条辅助线被设置为与至少一个像素电极相邻；被设置在像素电极上的发射层；以及被设置在发射层上的对电极，对电极通过接触孔接触辅助线中的每一条，其中第一像素区域中对电极与辅助线之间的总接触面积大于第二像素区域中对电极与辅助线之间的总接触面积。
根据发明构思的一个示例性实施例，一种制造有机发光二极管(OLED)显示器的方法包括：形成像素电极，像素电极与被设置在基板的显示区域中的像素区域相对应；形成与像素电极相邻的辅助线；形成包括被设置在像素电极的每一个上的第一开口和被设置在辅助线中的第二开口的像素限定层，像素限定层被设置在像素电极与辅助线之间；在像素限定层的上表面、像素电极和辅助线上形成中间层；在第一开口中形成发射层；去除中间层的部分来暴露辅助线，以形成接触孔；形成对电极，对电极经由接触孔接触辅助线，其中被设置在显示区域的中心部分的第一像素区域中对电极与辅助线之间的接触孔处的总接触面积大于被设置在显示区域的边缘部分的第二像素区域中对电极与辅助线之间的接触孔处的总接触面积。
前述总的描述和下面的详细描述是示例性的和解释性的，旨在提供对要求保护的主题的进一步解释。
附图说明
被包括以提供对本发明构思的进一步理解并且被合并在申请文件中并构成申请文件一部分的附图示出了本发明构思的示例性实施例，并与说明书一起用来解释本发明构思的原理。
图1是示意性示出了根据一个示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器的框图。
图2是示出了图1的OLED显示器的第二电源电压线与对电极之间的电连接的平面图。
图3A是与图2的区域IIIa相对应的平面图，示出了根据一个示例性实施例的像素区域。
图3B示出了图3A的修改示例性实施例。
图4是沿图3A的线A-A'和B-B'截取的剖视图，示出了根据一个示例性实施例的OLED显示器中的第一像素区域和第二像素区域。
图5是沿图3B的线C-C'和D-D'截取的剖视图，示出了根据一个示例性实施例的OLED显示器中的第一像素区域和第二像素区域。
图6是沿图3A的线A-A'和B-B'截取的剖视图，示出了根据一个示例性实施例的OLED显示器中的第一像素区域和第二像素区域。
图7是沿图3B的线C-C'和D-D'截取的剖视图，示出了根据一个示例性实施例的OLED显示器中的第一像素区域和第二像素区域。
图8是沿图3A的线A-A'和B-B'截取的剖视图，示出了根据一个示例性实施例的OLED显示器中的第一像素区域和第二像素区域。
图9是沿图3B的线C-C'和D-D'截取的剖视图，示出了根据一个示例性实施例的OLED显示器中的第一像素区域和第二像素区域。
图10A、图10B、图10C和图10D是示出了根据一个示例性实施例的根据OLED显示器的制造方法的剖视图。
图11A、图11B、图11C和图11D是示出了根据一个示例性实施例的根据OLED显示器的制造方法的剖视图。
图12A、图12B、图12C和图12D是示出了根据一个示例性实施例的根据OLED显示器的制造方法的剖视图。
图13A、图13B、图13C和图13D是示出了根据一个示例性实施例的根据OLED显示器的制造方法的剖视图。
图14A、图14B、图14C和图14D是示出了根据一个示例性实施例的根据OLED显示器的制造方法的剖视图。
图15A、图15B、图15C和图15D是示出了根据一个示例性实施例的根据OLED显示器的制造方法的剖视图。
具体实施方式
在下面的描述中，出于解释的目的，许多具体的细节被阐述，以便提供对各示例性实施例的全面理解。然而，很明显，各种示例性实施例可以在没有这些特定细节或具有一个或多个等效布置的情况下实施。在其它情况下，公知的结构和设备以框图的形式示出，以避免不必要地使各示例性实施例模糊。
在附图中，出于清楚和描述目的，层、膜、面板、区域等的尺寸和相对尺寸可能被放大了。此外，相同的附图标记指代相同的元件。
当一元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接至”或“联接至”另一元件或层时，它可以直接在另一元件或层上，直接连接至或联接至另一元件或层，或者可以存在中间元件或中间层。然而，当一元件或层被称为“直接在”另一元件或层“上”、“直接连接至”或“直接联接至”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。出于公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”和“选自由X、Y和Z组成的组中的至少一个”可以被解释为只有X、只有Y、只有Z，或X、Y和Z中的两个或更多个的任意组合，诸如，例如，XYZ、XYY、YZ和ZZ。贯穿全文，相同的附图标记指代相同的元件。如本文所用，术语“和/或”包括相关联的所列项目中的一个或多个的任意和所有组合。
虽然术语第一、第二等可在本文中用来描述各个元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该受这些术语的限制。这些术语用来区分一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一个元件、组件、区域、层和/或部分。因此，下面讨论的第一元件、组件、区域、层和/或部分可以被称为第二元件、组件、区域、层和/或部分，而不脱离本公开的教导。
出于描述的目的，在本文中可以使用诸如“之下”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等的空间相对术语来描述如图中所示的一个元件或特征相对于另一个(些)元件或特征的关系。除了图中描述的方位之外，空间相对术语意在包含设备在使用、操作和/或制造中的不同方位。例如，如果图中设备被翻转，则被描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将然后被定向为在其它元件或特征的“上方”。因此，术语“下方”可以包括上方和下方两种方位。此外，设备可被另外定向(例如旋转90度或者在其它方向)，这样，本文使用的空间相对描述符可以进行相应的解释。
本文使用的术语用于描述特定的示例性实施例，并不旨在进行限制。如本文所用，单数形式的“一个”和“该”旨在也包括复数形式，除非上下文另有明确说明。此外，当在申请文件中使用时，术语“包括”和/或“包含”表明存在所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组，但不排除存在或添加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
在本文中将参考作为理想示例性实施例和/或中间结构的示意图的剖视图描述各示例性实施例。这样，作为例如制造技术和/或公差的结果的与示例形状的偏差是可以预期的。因此，本文公开的示例性实施例不应该被解释为局限于所示的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如，被示出为矩形的注入区域将通常在其边缘具有圆形或弯曲的特征和/或注入浓度的梯度，而不是从注入区域到非注入区域的二值变化。同样地，通过注入形成的埋区会导致在埋区和通过其发生注入的表面之间的区域中的一些注入。因此，图中示出的区域本质上是示意性的，它们的形状并不意图示出装置的区域的实际形状，并且并非旨在是限制性的。
除非另有定义，否则本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本公开作为其一部分的技术领域的普通技术人员所通常理解的相同含义。例如那些在常用字典中定义的术语应该被解释为具有与它们在相关领域的上下文的含义一致的含义，将不以理想化或过于正式的意义来解释，除非在本文中明确地如此定义。
图1是示意性示出了根据一个示例性实施例的有机发光二极管(OLED)显示器1的框图。
参照图1，根据一个示例性实施例的OLED显示器1可以包括显示单元10、扫描驱动单元20、数据驱动单元30、第一电源单元40、第二电源单元50和控制单元60。
显示单元10可以包括被布置成大致矩阵形式、并位于用于施加扫描信号的多条扫描线SL1至SLm和用于施加数据信号的多条数据线DL1至DLn的相交区域处的多个像素PX。像素PX中的每一个可以连接至各自的扫描线SL、数据线DL以及用于施加第一电源电压ELVDD与第二电源电压ELVSS的线。像素PX可以包括像素电路和有机发光器件OLED，像素电路包括多个薄膜晶体管和存储电容器。
扫描驱动单元20生成扫描信号，并通过扫描线SL1至SLm将生成的扫描信号传送到每个像素PX。数据驱动单元30生成数据信号，并通过数据线DL1至DLn将生成的数据信号传送到每个像素PX。扫描线SL1至SLM分别连接至被布置在同一行中的像素PX。数据线DL1至DLn分别连接至被布置在同一列中的像素PX。像素PX可以根据响应于通过扫描线SL1至SLm接收的扫描信号而通过数据线DL1至DLn接收的数据信号的电平，发光或不发光。
控制单元60可以接收图像数据，并控制扫描驱动单元20、数据驱动单元30、第一电源单元40和第二电源单元50。控制单元60可以生成多个控制信号和数字数据。控制单元60可将生成的控制信号提供给扫描驱动单元20，将生成的控制信号和数字数据提供给数据驱动单元30，并将控制信号提供给第一电源单元40和第二电源单元50。
第一电源单元40和第二电源单元50可以在控制单元60的控制下分别生成第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS。由第一电源单元40生成的第一电源电压ELVDD和由第二电源单元50生成的第二电源电压ELVSS被提供给像素PX。第一电源电压ELVDD的电压电平高于第二电源电压ELVSS的电压电平。例如，第一电源电压ELVDD可以被施加到有机发光器件的阳极，第二电源电压ELVSS可以被施加到其阴极。
第一电源电压ELVDD和第二电源电压ELVSS可通过形成在显示单元10中的电源线网络被提供给像素PX。如图1所示，用于将第一电源电压ELVDD提供给像素PX中的每一个的第一电源电压线400可包括彼此平行设置的主电源线410和420、以及彼此平行并连接主电源线410和420的多条辅助线430。
主电源线410和420被布置在显示单元10的外部，并在第二方向D2上延伸。辅助线430在显示单元10的相对端连接至主电源线410和420，并在第一方向D1上彼此平行地延伸。辅助线430中的每一条电连接至在第一方向D1上布置的像素PX中的每一个处提供的像素电路，并提供第一电源电压ELVDD。
如图1和图2所示，用于将第二电源电压ELVSS提供给对电极230(参见图2)的第二电源电压线500可包括彼此平行的主电源线510和520、以及彼此平行设置并连接主电源线510和520的多条辅助线530。主电源线510和520在第二方向D2上延伸，辅助线530在显示单元10的相对端连接至主电源线510和520，并在第一方向D1上彼此平行地延伸。第二电源电压线500电连接至对电极230，并将第二电源电压ELVSS施加给对电极230。下面参照图2描述第二电源电压线500与对电极230之间的电连接。
图2是示出了图1的OLED显示器1的第二电源电压线500与对电极230之间的电连接的平面图。
参照图2，显示区域AA可包括多个像素区域PA。像素PX形成在像素区域PA的每一个中。显示区域AA可包括中心部分AC和边缘部分AE。中心部分AC可以包括一个或多个像素区域PA，并且边缘部分AE可包括一个或多个像素区域PA。像素区域PA可以从中心部分AC到边缘部分AE布置，包括位于中心部分AC和边缘部分AE中。
对电极230可以被形成为覆盖显示区域AA的整个表面，并且一对主电源线510和520可以被布置在显示区域AA的相对端。
在主电源线510和520中，任一主电源线(在下文中被称为第一主电源线)，例如主电源线510，在第二方向D2上延伸。另一主电源线(在下文中被称为第二主电源线)，例如主电源线520，在第二方向D2上延伸，并被设置为与第一主电源线510分离。
第一主电源线510和第二主电源线520可以电连接至对电极230，并且由第二电源单元50生成的第二电源电压ELVSS可通过第一主电源线510和第二主电源线520被施加到对电极230。在一个示例性实施例中，第一主电源线510和第二主电源线520的至少一部分直接接触对电极230，以电连接至对电极230。然而，这仅仅是示例性的。例如，相反，第一主电源线510和第二主电源线520可以经由诸如导电层或桥线的介质层或介质结构(未示出)电连接至对电极230。
辅助线530联接至第一主电源线510和第二主电源线520，并在第一方向D1上延伸。第一方向D1是垂直于第二方向D2并跨过显示区域AA的方向。辅助线530被布置成彼此分离并且彼此平行。辅助线530中的每一条可以被设置为与由在第一方向D1上布置的像素PX形成的每列相对应。辅助线530可以经由接触区域CNT接触对电极230，并且接触区域CNT可以被布置在像素PX中的每一个处。
由于对电极230形成在显示区域AA的整个表面上，因此如果第二电源电压ELVSS仅通过第一主电源线510和第二主电源线520被提供给对电极230，则可能由于在对电极230中可能生成的电压降(IR降)而出现亮度偏差。然而，根据本示例性实施例，由于对电极230和辅助线530彼此接触，可以降低其中不存在辅助线530的比较实施例中可能出现的IR降，因此可以降低亮度偏差。
第一主电源线510和第二主电源线520可以分别沿显示区域AA的第一长边部分e1和第二长边部分e2布置。用于连接第一主电源线510和第二主电源线520的辅助线530可以与显示区域AA的第一短边部分e3和第二短边部分e4平行。然而，在比较实施例中，如果辅助线530被设置为与显示区域AA的第一长边部分e1和第二长边部分e2平行，则辅助线530可能是长的，因此，由于因增加的长度导致的线阻的增加可能生成IR降或亮度偏差。
由于第一主电源线510和第二主电源线520被布置在显示区域AA外，第一主电源线510和第二主电源线520的宽度可以大于辅助线530的宽度。因此，由于第一主电源线510和第二主电源线520具有比辅助线530的线阻低的线阻，因此由电流的流动生成的IR降可以是可忽略的小。然而，由于辅助线530延伸越过显示区域AA，因此辅助线530的线宽可以小。因此，在一个比较示例中，辅助线530的线阻大于第一主电源线510和第二主电源线520的线阻。在这种情况下，可生成由于辅助线530而导致的IR降，并且随着OLED显示器的尺寸增大，这样的现象可能变得严重。
然而，根据本发明的示例性实施例，关于由于辅助线530而导致的IR降，由于根据辅助线530与对电极230彼此接触的位置的总接触面积可以不同地形成，因此由于辅助线530的线阻而导致的IR降和由此导致的亮度偏差可以得到解决。
例如，与显示区域AA的中心部分AC相对应的像素区域(在下文中被称为第一像素区域)中的接触区域CNT的总面积可以大于与显示区域AA的边缘部分AE相对应的像素区域(在下文中被称为第二像素区域)中的接触区域CNT的总面积，其中与显示区域AA的中心部分AC相对应的像素区域被设置为远离第一主电源线510和第二主电源线520并可能具有相对大的IR降，与显示区域AA的边缘部分AE相对应的像素区域被设置为靠近第一主电源线510和第二主电源线520并可能具有相对小的IR降。换句话说，第一像素区域中辅助线530与对电极230之间的总接触面积可以大于第二像素区域中辅助线530与对电极230之间的总接触面积。
辅助线530与对电极230之间的总接触面积可以通过调整用于连接辅助线530与对电极230的接触孔的大小和/或数量来调整。下面描述对于每个像素区域辅助线530与对电极230之间的总接触面积。
图3A是与图2的区域IIIa对应的平面图，示出了根据一个示例性实施例的OLED显示器中与在第一方向D1上布置的像素PX对应的像素区域PA(包括PAedge和PAcenter)和辅助线530。图3B示出了图3A的修改示例性实施例。
参照图3A，形成在像素区域PA(包括PAedge和PAcenter)中的像素PX中的每一个可以包括多个子像素P1、P2和P3。虽然图3A示出了红色、绿色和蓝色的三个子像素P1、P2和P3形成像素PX，但本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，红色、绿色、蓝色和白色的四个子像素(未示出)可以形成像素PX。
第一像素区域PAcenter中辅助线530与对电极230之间的接触孔的尺寸可以大于第二像素区域PAedge中辅助线530与对电极230之间的接触孔的尺寸。因此，第一像素区域PAcenter中辅助线530与对电极230之间的接触区域CNT的尺寸可以大于第二像素区域PAedge中辅助线530与对电极230之间的接触区域CNT的尺寸。
如上所述，由于第一主电源线510和第二主电源线520形成在辅助线530的相对端，并且第二电源电压ELVSS通过辅助线530的相对端被施加，因此接触孔的尺寸可以相对于跨显示区域AA的中心部分AC的假想平分线HL(参见图2)对称地形成。根据由于辅助线530的线阻而导致的IR降，接触孔的尺寸可以从第一像素区域PAcenter朝第二像素区域PAedge逐渐减小。
除了图3A所示的示例性实施例之外或可替代地，参照图3B，第一像素区域PAcenter中辅助线530与对电极230之间的接触孔的数量可以大于第二像素区域PAedge中辅助线530与对电极230之间的接触孔的数量。因此，第一像素区域PAcenter中辅助线530与对电极230之间的接触区域CNT的数量可以大于第二像素区域PAedge中辅助线530与对电极230之间的接触区域CNT的数量。
如上所述，由于第一主电源线510和第二主电源线520形成在辅助线530的相对端，并且第二电源电压ELVSS通过辅助线530的相对端被施加，因此各个像素区域的接触孔数量可以相对于跨显示区域AA的中心部分AC或第一像素区域PAcenter的中心的假想平分线HL(参见图2)对称。也就是说，根据由于辅助线530的线阻而导致的IR降，对于在从第一像素区域PAcenter朝第二像素区域PAedge的方向上的各个像素区域，接触孔的数量可以逐渐减小。
图4是沿图3A的线A-A'和B-B'截取的剖视图，示出了根据一个示例性实施例的OLED显示器中的第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge。
参照图4，薄膜晶体管(TFT)、存储电容器Cap、有机发光器件OLED以及连接在辅助线530与对电极230之间的接触孔CH形成在形成于基板100上的第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge中的每一个上。接触区域CNT形成在辅助线530和对电极230通过接触孔CH彼此接触的地方。第一像素区域PAcenter中的接触孔CH的尺寸大于第二像素区域PAedge中的接触孔CH的尺寸。
基板100可以由各种材料形成，包括，例如，玻璃材料、金属材料或诸如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)或聚酰亚胺的塑料材料。
用于防止杂质侵入到薄膜晶体管TFT的半导体层310内的缓冲层110、用于使薄膜晶体管TFT的半导体层310和栅电极320绝缘的栅绝缘层130、用于使薄膜晶体管TFT的源电极330S和漏电极330D与栅电极320绝缘的层间绝缘层150、以及用于覆盖薄膜晶体管TFT并具有大致平坦的上表面的平坦化层170形成在基板100上。
在薄膜晶体管TFT中，栅电极320可以形成在半导体层310上，并且源电极330S和漏电极330D可以形成在栅电极320上。存储电容器Cap可以包括与栅电极320形成在同一层上的下电极以及与源电极330S和漏电极330D形成在同一层上的上电极。层间绝缘层150可确定存储电容器Cap的电容。
像素电极210可以形成在平坦化层170上，并且可电连接薄膜晶体管TFT的源电极330S和漏电极330D中的任意一个。像素电极210对于每个像素被图案化。像素电极210可以是反射电极。例如，像素电极210可以包括由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物形成的反射层210b，但不限于此，并且可以包括分别位于反射层210b的下侧和上侧并由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)形成的层210a和210c，但不限于此。
辅助线530可以包括第一辅助线层531和形成在第一辅助线层531上的第二辅助线层532。第一辅助线层531可与薄膜晶体管TFT的电极中的任意一个位于同一层。例如，第一辅助线层531可以与薄膜晶体管TFT的源电极330S和漏电极330D形成在同一层上。第二辅助线层532可以与像素电极210形成在同一层上。
第一辅助线层531与源电极330S和漏电极330D设置在同一层上，并由与可以包括具有低电阻的材料的源电极330S和漏电极330D相同的材料形成。第一辅助线层531在第一方向D1上延伸，以电连接至第一主电源线510和第二主电源线520(参见图2)。根据第二电源电压ELVSS的电流流经第一辅助线层531。通过具有相对低的电阻的第一辅助线层531施加的第二电源电压ELVSS可以通过第二辅助线层532被施加到对电极230。
第二辅助线层532在与接触孔CH相对应的位置处可被图案化为岛形。由于第二辅助线层532被插入在第一辅助线层531与对电极230之间，而不是第一辅助线层531与对电极230彼此直接接触，因此接触区域CNT可以通过在平坦化层170中设置空隙来以各种方式进行设计。
像素限定层180位于像素电极210和辅助线530上，并且可包括暴露像素电极210的上部的第一开口OP1和暴露辅助线530的一部分(也就是第二辅助线层532)的第二开口OP2。像素限定层180可以通过第一开口OP1限定像素，并且可以通过增加像素电极210的端部与对电极230之间的距离而防止在像素电极210的端部产生电弧。
第一中间层221可以位于通过第一开口OP1暴露的像素电极210的上部、像素电极210与辅助线530之间的像素限定层180的上表面、以及辅助线530上。第一中间层221可以一体地形成在像素PX上。
第一中间层221可以具有多层或单层结构。例如，第一中间层221可以是具有单层结构的空穴传输层(HTL)。可替代地，第一中间层221可以包括空穴注入层(HIL)和HTL。
第二中间层222可以具有多层或单层结构。第二中间层222可包括电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
发射层223可被插入在第一中间层221与第二中间层222之间，并且可包括可以发射例如红光、绿光、蓝光和/或白光的低分子量有机材料或聚合物有机材料。
在本示例性实施例中，尽管发射层223被提供在第一中间层221与第二中间层222之间，但本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，如果第一中间层221和发射层223由聚合物材料形成，则第二中间层222可以被省略。在这种情况下，发射层223可以被插入在第一中间层221与对电极230之间。
对电极230可以一体地形成在多个像素PX上。对电极230可以是透光电极，并且可包括多层。例如，对电极230可以包括由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或其化合物形成的第一层、以及由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成并位于第一层的上侧和/或下侧处的第二层。
第一中间层221和第二中间层222可以形成在与像素限定层180的第二开口OP2相对应的位置，并且可以包括暴露辅助线530的接触孔CH。对电极230可通过接触孔CH接触辅助线530。由于位于显示区域AA的中心部分AC处的第一像素区域PAcenter的接触孔CH的尺寸可以大于位于显示区域AA的边缘部分AE处的第二像素区域PAedge的接触孔CH的尺寸，因此第一像素区域PAcenter中的总接触面积可以大于第二像素区域PAedge中的总接触面积。
图5是沿图3B的线C-C'和D-D'截取的剖视图，示出了根据一个示例性实施例的OLED显示器中的第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge。
参照图5，根据一个示例性实施例的OLED显示器可以具有与参照图4描述的OLED显示器的结构相同的结构，除了接触孔CH的数量和接触区域CNT的数量之外。
在辅助线530和对电极230通过形成在第一中间层221和第二中间层222中的接触孔CH彼此接触的地方，形成接触区域CNT。第一像素区域PAcenter中的接触孔CH的数量大于第二像素区域PAedge中的接触孔CH的数量。因此，第一像素区域PAcenter中的总接触面积大于第二像素区域PAedge中的总接触面积。
辅助线530可以包括第一辅助线层531和第二辅助线层532。由于第二辅助线层532被图案化为与接触孔CH对应的岛形，因此位于第一像素区域PAcenter中的第二辅助线层532的数量可以与接触孔CH的数量相同。
图6是沿图3A的线A-A'和B-B'截取的剖视图，示出了根据一个示例性实施例的OLED显示器中的第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge。
参照图6，根据一个示例性实施例的OLED显示器可以具有与参照图4描述的OLED显示器的结构相同的结构，除了辅助线530的结构之外。
根据图6所示的示例性实施例，辅助线530可以与像素电极210形成在同一层上，并由与像素电极210相同的材料形成。在这种情况下，由于线和器件可以形成在平坦化层170下方，因此可以获得用于形成像素电路的充分空间。
与像素电极210形成在同一层上的辅助线530通过形成在第一中间层221和第二中间层222中的接触孔CH接触对电极230，从而形成接触区域CNT。第一像素区域PAcenter中的接触孔CH的尺寸可以大于第二像素区域PAedge中的接触孔CH的尺寸。因此，第一像素区域PAcenter中的总接触面积大于第二像素区域PAedge中的总接触面积。
图7是沿图3B的线C-C'和D-D'截取的剖视图，示出了根据一个示例性实施例的OLED显示器中的第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge。
参照图7，该OLED显示器可具有与参照图6描述的OLED显示器的结构相同的结构，除了接触孔CH的数量和根据其形成的接触区域CNT的数量之外。
在辅助线530和对电极230通过形成在第一中间层221和第二中间层222中的接触孔CH彼此接触的地方，形成接触区域CNT。辅助线530可以与像素电极210形成在同一层上，并由与像素电极210相同的材料形成。
第一像素区域PAcenter中的接触孔CH的数量可以大于第二像素区域PAedge中的接触孔CH的数量。因此，第一像素区域PAcenter中的总接触面积可以大于第二像素区域PAedge中的总接触面积。
图8是沿图3A的线A-A'和B-B'截取的剖视图，示出了根据一个示例性实施例的OLED显示器中的第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge。
参照图8，根据本示例性实施例的OLED显示器可以具有与参照图4描述的OLED显示器的结构相同的结构，除了辅助线530的结构之外。
根据图8所示的示例性实施例，辅助线530可以与薄膜晶体管TFT的至少一个电极形成在同一层上。例如，辅助线530可以与源电极330S和漏电极330D形成在同一层上，并由与源电极330S和漏电极330D相同的材料形成。
由于源电极330S和漏电极330D被平坦化层170覆盖，因此平坦化层170可包括形成在与第二开口OP2相对应的位置处的通孔TH，以暴露辅助线530的上部。第二开口OP2和通孔TH可以具有基本相同的尺寸，并且接触孔CH的尺寸可以等于或小于第二开口OP2和通孔TH中的每一个的尺寸。
与源电极330S和漏电极330D形成在同一层上的辅助线530通过形成在第一中间层221和第二中间层222中的接触孔CH接触对电极230，从而形成接触区域CNT。
第一像素区域PAcenter中的接触孔CH的尺寸大于第二像素区域PAedge中的接触孔CH的尺寸。因此，第一像素区域PAcenter中的总接触面积大于第二像素区域PAedge中的总接触面积。
图9是沿图3B的线C-C'和D-D'截取的剖视图，示出了根据一个示例性实施例的OLED显示器中的第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge。
参照图9，该OLED显示器可具有与参照图8描述的OLED显示器的结构相同的结构，除了接触孔CH的数量和根据其形成的接触区域CNT的数量之外。
在辅助线530和对电极230通过形成在第一中间层221和第二中间层222中的接触孔CH彼此接触的地方，形成接触区域CNT。第一像素区域PAcenter中的接触孔CH的数量可以大于第二像素区域PAedge中的接触孔CH的数量。因此，第一像素区域PAcenter中的总接触面积可以大于第二像素区域PAedge中的总接触面积。
辅助线530可以与薄膜晶体管TFT的至少一个电极形成在同一层上。例如，辅助线530可以与源电极330S和漏电极330D形成在同一层上，并由与源电极330S和漏电极330D相同的材料形成。由于源电极330S和漏电极330D被平坦化层170覆盖，因此平坦化层170可包括形成在与第二开口OP2相对应的位置处的通孔TH，以暴露辅助线530的上部。第二开口OP2和通孔TH可以具有基本相同的尺寸。接触孔CH的尺寸等于或小于第二开口OP2和通孔TH中的每一个的尺寸。
图10A至图10D是示出了根据一个示例性实施例的根据OLED显示器的制造方法的剖视图，显示了第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge。通过根据本示例性实施例的制造方法制造的OLED显示器对应于参照图4描述的OLED显示器。
参照图10A，像素电极210和辅助线530形成在位于基板100的显示区域AA中的第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge中的每一个中。像素电极210电连接至薄膜晶体管TFT的源电极330S和漏电极330D中的一个。
在形成像素电极210和辅助线530之前，可以形成各种层。例如，可以在基板100上形成用于防止杂质侵入到薄膜晶体管TFT的半导体层310内的缓冲层110、用于使薄膜晶体管TFT的半导体层310和栅电极320绝缘的栅绝缘层130、以及用于使薄膜晶体管TFT的源电极330S和/或漏电极330D与栅电极320绝缘的层间绝缘层150。
辅助线530可以包括与源电极330S和漏电极330D形成在同一层上的第一辅助线层531以及与像素电极210形成在同一层上的第二辅助线层532。在制造源电极330S和漏电极330D的过程中形成第一辅助线层531，并且在制造像素电极210的过程中形成第二辅助线层532。
例如，金属层(未示出)可以形成在层间绝缘层150上，并被图案化，使得薄膜晶体管TFT的源电极330S和漏电极330D以及第一辅助线层531被形成。接下来，包括暴露源电极330S和漏电极330D中的任意一个以及第一辅助线层531的一部分的通孔的平坦化层170被形成。接下来，反射电极层(未示出)形成在平坦化层170上，并被图案化，使得像素电极210和第二辅助线层532被形成。如参照图2所描述的，第一辅助线层531被形成为在第一方向D1上延伸。相反，第二辅助线层532可被图案化为岛形。
存储电容器Cap可以包括与栅电极320形成在同一层上的下电极以及与源电极330S和漏电极330D形成在同一层上的上电极。层间绝缘层150可确定存储电容器Cap的电容。
参照图10B，包括暴露像素电极210的上部的第一开口OP1和暴露辅助线530的一部分(例如第二辅助线层532的上部)的第二开口OP2的像素限定层180被形成。接下来，第一中间层221形成在通过第一开口OP1暴露的像素电极210的上部、像素电极210与辅助线530之间的像素限定层180的上表面、以及辅助线530上。第一中间层221可以是HTL。可替代地，第一中间层221可以包括HIL和HTL，但不限于此，可以包括其它层。
发射层223形成在第一中间层221上，以位于第一开口OP1中，并且第二中间层222形成在第一中间层221上。第二中间层222可包括ETL和/或EIL。虽然图10A至图10D所示的示例性实施例中包括了形成第二中间层222的过程，但本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，第二中间层222可以被省略。
参照图10B和图10C，激光束被照射，以除去第一中间层221和第二中间层222的、形成在第二开口OP2中的部分，使得接触孔CH被形成。由于激光束的尺寸决定了接触孔CH的尺寸，因此在第一像素区域PAcenter中照射的激光束的尺寸可以大于在第二像素区域PAedge中照射的激光束的尺寸。因此，形成在第一像素区域PAcenter中的接触孔CH的尺寸可以大于形成在第二像素区域PAedge中的接触孔CH的尺寸。
参照图10D，对电极230形成在与像素电极210和辅助线530对应的区域中。对电极230跨像素区域整体地形成，并且可以覆盖像素区域。在这种状态下，对电极230可以直接接触通过接触孔CH暴露的辅助线530，例如，第二辅助线层532。
如上所述，由于第一像素区域PAcenter的接触孔CH的尺寸大于第二像素区域PAedge的接触孔CH的尺寸，因此第一像素区域PAcenter中辅助线530与对电极230之间的总接触面积大于第二像素区域PAedge中辅助线530与对电极230之间的总接触面积。
根据上述制造方法，各个像素区域的辅助线530与对电极230之间的总接触面积可以不同。辅助线530与对电极230之间的总接触面积可由接触孔CH的尺寸确定。如上参照图1至图3A所描述的，通过使用根据本示例性实施例的制造方法，接触孔CH的尺寸可以逐渐减小，使得辅助线530与对电极230之间的总接触面积在从第一像素区域PAcenter朝第二像素区域PAedge的方向上逐渐减小。各个像素区域的接触孔CH可相对于跨显示区域AA的中心部分AC的假想平分线HL(参见图2)对称地形成。
图11A至图11D是示出了根据一个示例性实施例的根据OLED显示器的制造方法的剖视图，显示了第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge。根据图11A至图11D所示的示例性实施例制造的OLED显示器对应于参照图5描述的OLED显示器。根据本示例性实施例的制造方法可以与参照图10A至图10D描述的制造方法基本相同，除了接触孔CH的数量之外。
参照图11A，像素电极210和辅助线530形成在位于基板100的显示区域AA中的第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge中的每一个中。辅助线530可以包括与源电极330S和漏电极330D形成在同一层上的第一辅助线层531以及与像素电极210形成在同一层上的第二辅助线层532。
例如，金属层(未示出)可以形成在层间绝缘层150上，并被图案化，使得薄膜晶体管TFT的源电极330S和漏电极330D以及第一辅助线层531被形成。接下来，包括暴露源电极330S和漏电极330D中的一个以及第一辅助线层531的一部分的通孔的平坦化层170被形成。此后，反射电极层(未示出)可以形成在平坦化层170上，并被图案化，使得像素电极210和第二辅助线层532被形成。如参照图2所描述的，第一辅助线层531被形成为在第一方向D1上延伸。相反，第二辅助线层532可被图案化为岛形。在这种状态下，多个第二辅助线层532被形成为在第一像素区域PAcenter中彼此分离。
参照图11B，包括暴露像素电极210的上部的第一开口OP1和暴露辅助线530的一部分(例如第二辅助线层532的上部)的第二开口OP2的像素限定层180被形成。像素限定层180的第二开口OP2被形成为多个，以与被提供在第一像素区域PAcenter中的第二辅助线层532相对应。
此后，第一中间层221形成在通过第一开口OP1暴露的像素电极210的上部、像素电极210与辅助线530之间的像素限定层180的上表面、以及辅助线530上。发射层223形成在第一中间层221上，以位于第一开口OP1中，并且第二中间层222形成在第一中间层221上。虽然图11A至图11D所示的示例性实施例中包括了形成第二中间层222的过程，但本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，第二中间层222可以被省略。
参照图11B和图11C，激光束被照射，以除去第一中间层221和第二中间层222的、形成在第二开口OP2中的部分，使得接触孔CH被形成。照射到第一像素区域PAcenter上的激光束的尺寸和照射到第二像素区域PAedge上的激光束的尺寸可以彼此相同。然而，由于激光束照射到第一像素区域PAcenter中的多个位置，因此形成在第一像素区域PAcenter中的接触孔CH的数量可以大于形成在第二像素区域PAedge中的接触孔CH的数量。
参照图11D，对电极230形成在与像素电极210和辅助线530对应的区域中。对电极230可以直接接触通过接触孔CH暴露的辅助线530，例如，第二辅助线层532。
如上所述，由于第一像素区域PAcenter中的接触孔CH的数量大于第二像素区域PAedge中的接触孔CH的数量，因此第一像素区域PAcenter中辅助线530与对电极230之间的总接触面积大于第二像素区域PAedge中辅助线530与对电极230之间的总接触面积。
根据上述制造方法，对于各个像素区域，辅助线530与对电极230之间的总接触面积可以不同。辅助线530与对电极230之间的总接触面积可由接触孔CH的数量确定。如上参照图1、图2以及图3B所描述的，通过使用根据图11A至图11D所示的示例性实施例的制造方法，接触孔CH的数量可以逐渐减小，使得辅助线530与对电极230之间的总接触面积从第一像素区域PAcenter朝第二像素区域PAedge逐渐减小。各个像素区域的接触孔CH可相对于跨显示区域AA的中心部分AC的假想平分线HL(参见图2)对称地形成。
图12A至图12D是示出了根据一个示例性实施例的根据OLED显示器的制造方法的剖视图，显示了第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge。由根据图12A至图12D所示的示例性实施例的制造方法制造的OLED显示器对应于参照图6描述的OLED显示器。
参照图12A，像素电极210和辅助线530形成在位于基板100的显示区域AA中的第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge的每一个中。像素电极210电连接至薄膜晶体管TFT的源电极330S和漏电极330D中的一个。辅助线530可以与像素电极210形成在同一层上。
例如，反射电极层(未示出)可以形成在平坦化层170上，并被图案化，使得像素电极210和辅助线530被形成。如上参照图2所描述的，辅助线530被形成为在第一方向D1上延伸。
参照图12B，包括暴露像素电极210的上部的第一开口OP1和暴露辅助线530的一部分的第二开口OP2的像素限定层180被形成。此后，第一中间层221形成在通过第一开口OP1暴露的像素电极210的上部、像素电极210与辅助线530之间的像素限定层180的上表面、以及辅助线530上。
发射层223形成在第一中间层221上，以位于第一开口OP1中，并且第二中间层222形成在第一中间层221上。虽然图12A至图12D所示的示例性实施例中包括了形成第二中间层222的过程，但本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，第二中间层222可以被省略。
参照图12B和图12C，激光束被照射，以除去第一中间层221和第二中间层222的、形成在第二开口OP2中的部分，使得接触孔CH被形成。由于激光束的尺寸确定了接触孔CH的尺寸，因此比照射到第二像素区域PAedge上的激光束大的激光束可以被用于第一像素区域PAcenter。因此，形成在第一像素区域PAcenter中的接触孔CH的尺寸大于形成在第二像素区域PAedge中的接触孔CH的尺寸。
参照图12D，对电极230形成在与像素电极210和辅助线530对应的区域中。对电极230可以直接接触通过接触孔CH暴露的辅助线530。
如上所述，由于第一像素区域PAcenter的接触孔CH的尺寸大于第二像素区域PAedge的接触孔CH的尺寸，因此第一像素区域PAcenter中辅助线530与对电极230之间的总接触面积大于第二像素区域PAedge中辅助线530与对电极230之间的总接触面积。
根据图12A至图12D所示的上述制造方法，对于各个像素区域，辅助线530与对电极230之间的总接触面积可以不同。辅助线530与对电极230之间的总接触面积可由接触孔CH的尺寸确定。如上参照图1至图3A所描述的，通过使用根据该示例性实施例的制造方法，接触孔CH的尺寸可以逐渐减小，使得辅助线530与对电极230之间的总接触面积从第一像素区域PAcenter朝第二像素区域PAedge逐渐减小。各个像素区域的接触孔CH可相对于跨显示区域AA的中心部分AC的假想平分线HL(参见图2)对称地形成。
图13A至图13D是示出了根据一个示例性实施例的根据OLED显示器的制造方法的剖视图，显示了第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge。根据图13A至图13D所示的示例性实施例制造的OLED显示器对应于参照图7描述的OLED显示器。根据图13A至图13D所示的示例性实施例的制造方法可以与参照图12A至图12D描述的制造方法基本相同，除了接触孔CH的数量之外。
参照图13A，像素电极210和辅助线530形成在位于基板100的显示区域AA中的第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge中的每一个中。像素电极210电连接至薄膜晶体管TFT的源电极330S和漏电极330D中的一个。辅助线530可以与像素电极210形成在同一层上。
反射电极层(未示出)可以形成在平坦化层170上，并被图案化，使得像素电极210和辅助线530被形成。如上参照图2所描述的，辅助线530被形成为在第一方向D1上延伸。
参照图13B，包括暴露像素电极210的上部的第一开口OP1和暴露辅助线530的一部分的第二开口OP2的像素限定层180被形成。第二开口OP2在第一像素区域PAcenter中被形成为多个。
此后，第一中间层221形成在通过第一开口OP1暴露的像素电极210的上部、像素电极210与辅助线530之间的像素限定层180的上表面、以及辅助线530上。发射层223形成在第一中间层221上，以位于第一开口OP1中，并且第二中间层222形成在第一中间层221上。虽然图13A至图13D所示的示例性实施例中包括了形成第二中间层222的过程，但本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，第二中间层222可以被省略。
参照图13B和图13C，激光束被照射，以除去第一中间层221和第二中间层222的、形成在第二开口OP2中的部分，使得接触孔CH被形成。照射到第一像素区域PAcenter上的激光束的尺寸和照射到第二像素区域PAedge上的激光束的尺寸可以彼此相同。然而，由于激光束照射到第一像素区域PAcenter中的多个位置，因此形成在第一像素区域PAcenter中的接触孔CH的数量大于形成在第二像素区域PAedge中的接触孔CH的数量。
参照图13D，对电极230形成在与像素电极210和辅助线530对应的区域中。对电极230可以直接接触通过接触孔CH暴露的辅助线530。
如上所述，由于第一像素区域PAcenter中的接触孔CH的数量大于第二像素区域PAedge中的接触孔CH的数量，因此第一像素区域PAcenter中辅助线530与对电极230之间的总接触面积大于第二像素区域PAedge中辅助线530与对电极230之间的总接触面积。
根据上述制造方法，对于各个像素区域，辅助线530与对电极230之间的总接触面积可以不同。辅助线530与对电极230之间的总接触面积可由接触孔CH的数量确定。如上参照图1、图2以及图3B所描述的，通过使用根据本示例性实施例的制造方法，接触孔CH的数量可以逐渐减小，使得辅助线530与对电极230之间的总接触面积从第一像素区域PAcenter朝第二像素区域PAedge逐渐减小。各个像素区域的接触孔CH可相对于跨显示区域AA的中心部分AC的假想平分线HL(参见图2)对称地形成。
图14A至图14D是示出了根据一个示例性实施例的根据OLED显示器的制造方法的剖视图，显示了第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge。由根据图14A至图14D所示的示例性实施例的制造方法制造的OLED显示器对应于参照图8描述的OLED显示器。
参照图14A，像素电极210和辅助线530形成在位于基板100的显示区域AA中的第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge中的每一个中。像素电极210电连接至薄膜晶体管TFT的源电极330S和漏电极330D中的任意一个。辅助线530可以与源电极330S和漏电极330D形成在同一层上。
例如，金属层(未示出)可以形成在层间绝缘层150上，并被图案化，使得薄膜晶体管TFT的源电极330S和漏电极330D以及辅助线530被形成。此后，平坦化层170被形成，并且反射电极层(未示出)可以形成在平坦化层170上，然后，像素电极210可以通过图案化反射电极层来形成。
接下来，包括暴露像素电极210的上部的第一开口OP1和位于与辅助线530的一部分对应的位置处的第二开口OP2的像素限定层180被形成。
当像素限定层180的第二开口OP2形成时，位于像素限定层180的第二开口OP2下方的平坦化层170被一起图案化，由此在与第二开口OP2对应的位置处形成通孔TH。由于第二开口OP2和通孔TH在同一过程中被图案化，因此第二开口OP2和通孔TH可以具有基本相同的尺寸。
参照图14B，第一中间层221形成在通过第一开口OP1暴露的像素电极210的上部、位于像素电极210之间的像素限定层180的上表面以及通过通孔TH暴露的辅助线530上。发射层223形成在第一中间层221上，以位于第一开口OP1中，并且第二中间层222形成在第一中间层221上。虽然图14A至图14D所示的示例性实施例中包括了形成第二中间层222的过程，但本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，第二中间层222可以被省略。
参照图14B和图14C，激光束被照射，以除去第一中间层221和第二中间层222的、形成在第二开口OP2中的部分，使得接触孔CH被形成。比照射到第二像素区域PAedge上的激光束大的激光束可以被用于第一像素区域PAcenter。因此，形成在第一像素区域PAcenter中的接触孔CH的尺寸大于形成在第二像素区域PAedge中的接触孔CH的尺寸。
参照图14D，对电极230形成在与像素电极210和辅助线530对应的区域中。对电极230可以直接接触通过接触孔CH暴露的辅助线530。
如上所述，由于第一像素区域PAcenter的接触孔CH的尺寸大于第二像素区域PAedge的接触孔CH的尺寸，因此第一像素区域PAcenter中辅助线530与对电极230之间的总接触面积大于第二像素区域PAedge中辅助线530与对电极230之间的总接触面积。
根据上述制造方法，对于各个像素区域，辅助线530与对电极230之间的总接触面积可以不同。辅助线530与对电极230之间的总接触面积可由接触孔CH的尺寸确定。如上参照图1至图3A所述，通过使用根据本示例性实施例的制造方法，接触孔CH的尺寸可以逐渐减小，使得辅助线530与对电极230之间的总接触面积从第一像素区域PAcenter朝第二像素区域PAedge逐渐减小。各个像素区域的接触孔CH可相对于跨显示区域AA的中心部分AC的假想平分线HL(参见图2)对称地形成。
图15A至图15D是示出了根据一个示例性实施例的根据OLED显示器的制造方法的剖视图，显示了第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge。根据图15A至图15D所示的示例性实施例制造的OLED显示器对应于参照图9描述的OLED显示器。根据图15A至图15D所示的示例性实施例的制造方法可以与参照图14A至图14D描述的制造方法基本相同，除了接触孔CH的数量之外。
参照图15A，像素电极210和辅助线530形成在位于基板100的显示区域AA中的第一像素区域PAcenter和第二像素区域PAedge中的每一个中。
例如，金属层(未示出)可以形成在层间绝缘层150上，并被图案化，使得薄膜晶体管TFT的源电极330S和漏电极330D以及辅助线530被形成。此后，平坦化层170被形成，并且反射电极层(未示出)可以形成在平坦化层170上，然后，像素电极210可以通过图案化反射电极层来形成。
接下来，包括暴露像素电极210的上部的第一开口OP1和被布置在与辅助线530的一部分对应的位置处的第二开口OP2的像素限定层180可以通过涂覆绝缘层(未示出)并图案化绝缘层来形成。在这种状态下，第二开口OP2可以在第一像素区域PAcenter中被形成为多个。
当像素限定层180的第二开口OP2形成时，位于像素限定层180的第二开口OP2下方的平坦化层170在同一过程中被图案化，由此在与第二开口OP2对应的位置处形成通孔TH。由于第二开口OP2和通孔TH在同一过程中被图案化，因此第二开口OP2和通孔TH可以具有基本相同的尺寸。
参照图15B，第一中间层221形成在通过第一开口OP1暴露的像素电极210的上部、位于像素电极210之间的像素限定层180的上表面、以及通过通孔TH暴露的辅助线530上。发射层223形成在第一中间层221上，以位于第一开口OP1中，并且第二中间层222形成在第一中间层221上。虽然图15A至图15D所示的示例性实施例中包括了形成第二中间层222的过程，但本发明构思的示例性实施例不限于此。例如，第二中间层222可以被省略。
参照图15B和图15C，激光束被照射，以除去第一中间层221和第二中间层222的、形成在第二开口OP2中的部分，使得接触孔CH被形成。照射到第一像素区域PAcenter上的激光束的尺寸和照射到第二像素区域PAedge上的激光束的尺寸可以彼此相同。然而，由于激光束照射到第一像素区域PAcenter中的多个位置，因此形成在第一像素区域PAcenter中的接触孔CH的数量大于形成在第二像素区域PAedge中的接触孔CH的数量。
参照图15D，对电极230形成在与像素电极210和辅助线530对应的区域中。对电极230可以直接接触通过接触孔CH暴露的辅助线530。
如上所述，由于第一像素区域PAcenter中的接触孔CH的数量大于第二像素区域PAedge中的接触孔CH的数量，因此第一像素区域PAcenter中辅助线530与对电极230之间的总接触面积大于第二像素区域PAedge中辅助线530与对电极230之间的总接触面积。
根据上述制造方法，对于各个像素区域，辅助线530与对电极230之间的总接触面积可以不同。辅助线530与对电极230之间的总接触面积可由接触孔CH的数量确定。如上参照图1、图2以及图3B所描述的，通过使用根据本示例性实施例的制造方法，接触孔CH的数量可以逐渐减小，使得辅助线530与对电极230之间的总接触面积从第一像素区域PAcenter朝第二像素区域PAedge逐渐减小。各个像素区域的接触孔CH可相对于跨显示区域AA的中心部分AC的假想平分线HL(参见图2)对称地形成。
如上所述，根据本发明构思的示例性实施例的OLED显示器及其制造方法，有机发光显示设备可被容易地制造并且可以具有高的发光稳定性。
应当理解，在本文中描述的示例性实施例应仅被认为是描述意义，而不是为了限制的目的。对各实施例内的特征或方面的描述通常应认为可用于其它实施例中的其它类似特征或方面。
尽管在本文中已经描述了某些示例性实施例和实施方式，但其它实施例和修改从此描述中将是显而易见的。因此，发明构思不限于这样的实施例，而是所呈现的权利要求和各种明显修改和等同布置的更宽范围。

Claims (15)

1.一种有机发光二极管显示器，包括：
像素电极，每个像素电极与被设置在基板的显示区域中的像素区域相对应；
第一像素区域，被设置在所述显示区域的中心部分；
第二像素区域，被设置在所述显示区域的边缘部分；
辅助线，每条辅助线被设置为与至少一个像素电极相邻；
发射层，被设置在所述像素电极上；以及
对电极，被设置在所述发射层上，所述对电极通过接触孔接触所述辅助线中的每一条，
其中所述第一像素区域中所述对电极与所述辅助线之间的总接触面积大于所述第二像素区域中所述对电极与所述辅助线之间的总接触面积。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一像素区域中的接触孔中的至少一个接触孔的尺寸大于所述第二像素区域中的接触孔中的至少一个接触孔的尺寸。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一像素区域中的接触孔的数量大于所述第二像素区域中的接触孔的数量。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述对电极与所述辅助线之间的总接触面积在从所述第一像素区域朝所述第二像素区域的方向上逐渐减小。
5.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述接触孔相对于跨所述显示区域的所述中心部分的假想平分线对称地形成在所述显示区域中。
6.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述辅助线被设置为彼此平行，所述辅助线中的每一条从所述显示区域的第一侧到所述显示区域的第二侧跨过整个显示区域。
7.根据权利要求6所述的有机发光二极管显示器，其中所述显示区域的第一侧是所述显示区域的第一长边部分，并且所述显示区域的第二侧是所述显示区域的第二长边部分。
8.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：
第一电源电压线，被配置为将第一电源电压施加到所述像素电极；以及
第二电源电压线，被配置为将第二电源电压施加到所述对电极，所述第二电源电压低于所述第一电源电压，
其中所述第二电源电压线包括形成在所述显示区域的相对侧的第一主电源线和第二主电源线，
其中所述辅助线的相对端分别电连接至所述第一主电源线和所述第二主电源线，并且
其中所述辅助线跨过所述显示区域。
9.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：
像素限定层，包括形成在所述像素电极上的第一开口和形成在所述辅助线上的第二开口，所述像素限定层被设置在所述像素电极与所述辅助线之间；以及
中间层，被设置在所述像素限定层的上表面、所述像素电极以及所述辅助线上，
其中所述中间层包括暴露所述辅助线中的每一条的上部的接触孔。
10.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，进一步包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：源电极；漏电极；以及栅电极，
其中每条辅助线包括：
第一辅助线层，与所述薄膜晶体管的所述源电极、所述漏电极以及所述栅电极中的至少一个电极设置在同一层上；以及
第二辅助线层，与所述像素电极设置在同一层上。
11.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示器，其中所述第二辅助线层经由所述接触孔直接接触所述对电极。
12.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示器，其中所述源电极和所述漏电极被设置在所述栅电极上，并且所述第一辅助线层与所述源电极和所述漏电极设置在同一层上。
13.根据权利要求10所述的有机发光二极管显示器，其中所述第一辅助线层在与所述显示区域的短边部分平行的方向上延伸并跨过所述显示区域，并且所述第二辅助线层在与所述接触孔中的每一个相对应的位置处被图案化成岛形。
14.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述辅助线与所述像素电极设置在同一层上，并由与所述像素电极相同的材料形成。
15.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，进一步包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：源电极；漏电极；以及栅电极，
其中所述辅助线中的每一条与所述漏电极和所述源电极设置在同一层上，并由与所述漏电极和所述源电极相同的材料形成。
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