CN108933154A - 有机发光二极管显示基板的制备方法、显示基板及显示装置 - Google Patents
有机发光二极管显示基板的制备方法、显示基板及显示装置 Download PDFInfo
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Abstract
本公开涉及一种有机发光二极管显示基板的制备方法及所制备的有机发光二极管显示基板。所述方法包括：在衬底基板上依次形成辅助电极和具有至少一个过孔的绝缘层；在所述绝缘层上形成有机发光层；向所述过孔中注入导电液体，所述导电液体固化后与所述辅助电极电连接；以及在所述有机发光层上形成阴极层，所述阴极层通过所述过孔中固化的导电液体与所述辅助电极电连接。根据本公开提供的OLED显示器件的制备方法，可以有效降低阴极层的电压降，有利于制备大尺寸显示屏。
Description
技术领域
本公开的实施例涉及显示技术领域，尤其涉及一种有机发光二极管(OLED)显示基板的制备方法及所制造的有机发光二极管显示基板及包括该显示基板的显示装置。
背景技术
有机发光二极管(OLED)显示器件中，由于提高分辨率的和延长器件寿命的需求，OLED器件逐步由底发射方式转为顶发射。在大尺寸有源矩阵OLED(AMOLED)应用中，顶发射需要阴极有足够的光透过率，氧化物半导体材料具有较高的光透光率，经常被用作阴极的材料。但是，氧化物半导体材料方块电阻大，无法平衡阴极电压降(IR drop)和光透过率的问题，很难在大尺寸显示器上应用。
发明内容
本公开的目的之一是提供一种OLED显示基板的制备方法及其所制造的OLED显示基板，其能够降低阴极压降，因而适于制备大尺寸显示屏。
根据本公开的一个方面，提供一种OLED显示基板的制备方法，包括：
在衬底基板上依次形成辅助电极和具有至少一个过孔的绝缘层，在所述过孔中露出所述辅助电极的至少一部分；
在所述绝缘层上形成有机发光层；
向所述过孔中注入导电液体，所述导电液体固化后与所述辅助电极电连接；以及
在所述有机发光层上形成阴极层，所述阴极层通过所述过孔中固化的导电液体与所述辅助电极电连接。
根据本发明的一个实施例，所述有机发光层包括形成于过孔中的部分。
根据本发明的一个实施例，向所述过孔中注入导电液体包括：通过喷墨打印工艺向所述过孔中喷射导电液滴，以穿透所述有机发光层。
根据本发明的一个实施例，所述导电液滴的温度在50℃-300℃之间。
根据本发明的一个实施例，所述导电液滴的材料为合金，所述合金的熔点在50℃-300℃之间。
根据本发明的一个实施例，所述导电液滴的材料为焊料，所述焊料的熔点在50℃-300℃之间。
根据本发明的一个实施例，在所述衬底基板上形成导电层，所述辅助电极和所述导电层的图形通过一次构图工艺形成。
根据本发明的一个实施例，通过一次构图工艺形成所述辅助电极和栅线。
根据本发明的一个实施例，通过一次构图工艺形成所述辅助电极和数据线。
根据本发明的一个实施例，通过一次构图工艺形成辅助电极和像素电极。
根据本发明的一个实施例，所述绝缘层包括像素界定层，并且，通过一次构图工艺在所述像素界定层中形成用于限定像素单元的过孔和用于暴露所述辅助电极的所述过孔。
根据本发明的一个实施例，用于限定像素单元的过孔和用于暴露所述辅助电极的所述过孔在衬底基板上的正投影不重叠。
根据本发明的一个实施例，所述绝缘层包括像素界定层和平坦化层，并且，所述过孔穿透所述像素界定层和平坦化层。
根据本发明的一个实施例，所述绝缘层包括像素界定层、平坦化层、钝化层和栅极绝缘层，所述过孔穿透所述像素界定层、平坦化层、钝化层和栅极绝缘层。
根据本发明的一个实施例，靠近显示基板的中心的所述过孔分布的密度大于靠近显示基板的边缘的所述过孔分布的密度。
根据本发明的一个实施例，所述辅助电极为条状，并平行于栅线或数据线。
本发明第二方面提供一种采用前述第一方面的实施例的方法制备的有机发光二极管显示基板，包括：补底基板；在衬底基板上的辅助电极；在辅助电极上的绝缘层；在绝缘层上的有机发光层，所述有机发光层包括形成于过孔中的部分；以及在有机发光层上的阴极，其中，在绝缘层中具有至少一个用于连接辅助电极和阴极的过孔，所述过孔中具有导电元件，所述辅助电极和所述阴极通过所述导电元件电连接。
根据本发明的一个示例性实施例，所述有机发光层包括形成于过孔中的部分。
根据本发明的一个示例性实施例，所述辅助电极为条状，并平行于栅线或数据线。
本发明第三方面的实施例提供一种显示装置，包括前述第二方面的各实施例的显示基板。
根据本公开实施例的OLED显示基板的制备方法、显示基板和显示装置，通过向过孔中注入导电液体，随后形成阴极层时阴极通过导电液体固化形成的导电元件与辅助电极导电连接。因此，可以有效将阴极层通过导电元件与辅助电极连接，降低阴极层的电压降，有利于制备大尺寸显示屏。
附图说明
图1是根据本公开的一个实施例的OLED显示基板的制备方法的流程图。
图2a-2d是示出根据本公开的一个实施例的制作OLED显示器的方法的过程的示意图。
图3示出了根据本公开的一个实施例的阵列基板的平面示意图。
图4a-4m根据本公开的一个实施例的制作一个具体的OLED显示器的过程的图示。
具体实施方式
为更清楚地阐述本公开的目的、技术方案及优点，以下将结合附图对本公开的实施例进行详细的说明。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。应当理解，下文对于实施例的描述旨在对本公开的总体构思进行解释和说明，而不应当理解为是对本公开的限制。在说明书和附图中，相同或相似的附图标记指代相同或相似的部件或构件。为了清晰起见，附图不一定按比例绘制。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”“顶”或“底”等等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。当诸如层、膜、区域或衬底基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时，该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”，或者可以存在中间元件。
本公开的实施例针对现有技术存在的问题，提出一种有机发光二极管显示基板的制备方法，其能够有效将阴极层通过导电元件与辅助电极连接，降低顶发射OLED显示基板阴极压降，有利于制备大尺寸显示屏。
根据本公开实施例提出的有机发光二极管显示基板的制备方法，首先，在衬底基板上依次形成辅助电极和具有至少一个过孔的绝缘层，在所述过孔中露出所述辅助电极的至少一部分。接着，在所述绝缘层上形成有机发光层。之后，向所述过孔中注入导电液体，使所述导电液体固化后与所述辅助电极电连接。然后，在所述有机发光层上形成阴极层，所述阴极层通过所述过孔中固化的导电液体与所述辅助电极电连接。
根据上述OLED显示基板的制备方法，通过向辅助电极上方的过孔中注入导电液体，使所述导电液体固化后与所述辅助电极电连接，之后在有机发光层上形成阴极层，使所述阴极层通过所述过孔中固化的导电液体与所述辅助电极电连接，可以有效降低阴极层的电压降，有利于制备大尺寸显示屏。
在有机发光层先于透明阴极制作的情况下，有时透明阴极制作前有机发光层会优先进入辅助电极上方的过孔中，这些有机发光层材料会阻止透明阴极与辅助电极的接触，导致透明阴极与辅助电极无法电连接。根据本公开的一些实施例，注入的导电液体也可以破坏辅助电极上方的过孔中的有机发光层，使得辅助电极能够与阴极有效电连接。
图1是根据本公开的一个实施例的OLED显示基板的制备方法的流程图。
如图1所示，根据本公开的一个实施例的OLED显示基板的制备方法包括以下步骤：
S11：在衬底基板上依次形成辅助电极和具有至少一个过孔的绝缘层，在所述过孔中露出所述辅助电极的至少一部分。
衬底基板可以由碱性玻璃制成。辅助电极可以通过溅射工艺制作在衬底基板上。辅助电极的材料例如可以为各种制作导线的金属材料，包括但不限于金、银、铜、铝、铬、钼、合金等。绝缘层的材料例如可以为二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等或其混合材料。根据一个示例，可以通过化学汽相沉积工艺在辅助电极上形成绝缘层，并通过光刻工艺图案化绝缘层以在绝缘层中形成过孔。根据另外的示例，可采用干法蚀刻在绝缘层中形成过孔，本公开对此不做限定。
S12：在所述绝缘层上形成有机发光层。有机发光层可以包括空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层、电子注入层等。可采用蒸镀工艺逐层沉积有机发光层的各层材料。
S13：向所述过孔中注入导电液体，使所述导电液体固化后与所述辅助电极电连接。导电液体例如为熔融态的导电合金或者焊料。导电液体例如借助重力或高温击穿或破坏有机发光层而直接接触有机发光层下面的辅助电极，从而与辅助电极形成导电连接。
S14：在所述有机发光层上形成阴极层，使所述阴极层通过所述过孔中固化的导电液体与所述辅助电极电连接。例如，阴极层可以采用具有高的光透过率的金属氧化物材料制成，例如氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟、氧化铟镓和氧化铝锌中的一种或其任意组合，本公开的实施例对此不做限定。阴极材料可以通过溅射工艺或蒸镀工艺沉积在有机发光层上方，在此不做限定。
根据上述实施例的OLED显示基板的制备方法，通过向过孔中注入导电液体以穿透过孔中的有机发光层，所述液体固化后与所述辅助电极电连接；随后，使阴极层通过固化的导电液体与辅助电极导电连接，可以有效降低阴极层的电压降，有利于制备大尺寸显示屏。
根据本公开的一个示例的实施例，在上述步骤S13中，向过孔中注入导电液体可以包括：通过喷墨打印工艺向过孔中喷射导电的液滴。采用喷墨打印可以快速将导电的液滴注入辅助电极上方的过孔中，并破坏过孔中的有机发光层，实现辅助电极和阴极的导电接触。喷墨打印具有操作简单、成本低廉、定位准确、效率高及易于实现大尺寸等优点。
本领域技术人员可以想到，采用其它方法向过孔中注入导电液体也是可行的，只要能够使导电液体穿透有机发光层，实现辅助电极与其上方的阴极电连接即可。
根据一个实施例，当采用喷墨打印工艺向过孔中喷射导电的液滴时，所喷射的液滴的温度在50℃以上，例如在50℃-300℃之间。有机发光层材料的熔点在50℃左右，当喷射的液滴的温度大于50℃时，有机发光层材料可以被熔化和穿透，导电液滴能够直接接触有机发光层下面的辅助电极。另外，考虑到与喷墨打印工艺的兼容性，喷射的液滴的温度应小于300℃，以便于实施喷墨打印。
例如，在喷墨打印工艺中所喷射的液滴的材料可以为合金材料，例如钡、锡、铅、铟等的合金。合金的熔点例如在50℃-300℃之间，以能够熔化下方的有机发光层材料，并且易于形成导电液体。
根据另外的实施例，在喷墨打印工艺中所喷射的液滴的材料可以为焊料，例如钎焊焊料，其熔点例如在50℃-300℃之间，以能够熔化下方的有机发光层材料，并且易于形成导电液体。
图2a-2d是示出根据本公开的一个实施例的制作OLED显示器的方法的原理的示意图。
图2a示出了喷墨打印之前的OLED显示基板的剖面结构示意图。如图2a所示，在喷墨打印之前，OLED显示基板包括：衬底基板1、在衬底基板上的辅助电极2、在辅助电极2上的绝缘层3。所述绝缘层3中具有至少一个过孔35。所述过孔35被有机发光层4填充。在这种状态下，当后续层积阴极层时，阴极层沉积在过孔35中的有机发光层4的上方，有机发光层4不导电，会阻断阴极与辅助电极2的电连接，因而，辅助电极2不能起到降低阴极压降的作用。因此，必须去除过孔35中的有机发光层4，使得辅助电极2能够与阴极电连接。
本公开的实施例提出了一种通过喷墨打印快速去除过孔中的有机发光层4的方法。图2b示出了喷墨打印过程中液滴尚未进入辅助电极2上方的过孔35的状态。如图2b所示，通过喷墨打印机向过孔 35中喷射导电的液滴36。所采用的喷墨打印机例如市售的Micro LAB JET 4TM喷墨打印机。导电液滴36例如借助重力或喷射的冲击力穿透有机发光层4而接触有机发光层4下方的辅助电极2。
图2c示出了液滴36进入过孔35中且破坏有机发光层4而与辅助电极2直接接触的状态。喷射的液滴由导电材料制成，因此，液滴 36在过孔35中固化后会形成导电元件与辅助电极2导电接触。
注意，只在需要连接辅助电极2与阴极的过孔中打印导电液滴36，而OLED显示基板中其余位置的过孔，例如，用于形成像素的过孔45中则不必打印导电液滴36。此外，虽然图2c中示出了导电液滴36取代过孔35中的有机发光层的状态，但是，导电液滴击穿过孔 35中的有机发光层4即可，无须完全去除有机发光层4。
之后，如图2d所示，例如通过溅射工艺在有机发光层4的上方沉积一层透明导电层，例如ITO层，并刻蚀后形成阴极5。此时，过孔35中的有机发光层已被破坏，并被导电元件37部分代替，因此，阴极5可通过过孔35中的导电元件37与辅助电极2导电连接。通过上述方法制造的OLED显示基板有效将阴极层通过导电元件与辅助电极连接，可以有效降低阴极的电压降，有利于制备大尺寸显示屏。
根据一个示例的实施例，可以向过孔35中喷射高温的导电液滴。因为有机发光层材料的熔点较低，例如在50℃左右，高温的导电液滴可以熔化和破坏过孔35中的有机发光层4。例如，液滴的温度可以在50℃以上，例如在50℃-300℃之间。可选地，液滴的温度可以为100℃。
作为例子，在喷墨打印工艺中所喷射的液滴的材料可以为合金材料，例如钡、锡、铅、铟等的合金。合金的熔点可以选择在50℃-300℃之间，以有利于熔化有机发光层材料，并且该合金易于形成导电液体。
根据另外的例子，在喷墨打印工艺中所喷射的液滴的材料也可以为焊料。可以选择熔点在50℃-300℃之间的焊料，例如锡铅焊料。
本公开另一方面的实施例还提供了一种采用上述方法制备的 OLED显示基板。如图2d所示，制备的OLED显示基板包括：衬底基板1；在衬底基板1上的辅助电极2；在辅助电极2上的绝缘层3；在绝缘层3上的有机发光层4；以及在有机发光层上的阴极5。在绝缘层3中具有至少一个用于连接辅助电极2和阴极5的过孔35。所述过孔35中具有导电元件37，所述辅助电极2和所述阴极5通过所述导电元件37电连接。
所述导电元件37是通过向绝缘层3中的过孔中注入导电液体并固化后形成的。在注入导电液体的过程中用于连接辅助电极2和阴极5的有机发光层4被破坏，使导电液体固化后直接接触有机发光层下方的辅助电极2。从而，阴极5通过过孔35中的导电元件37与辅助电极2电连接，实现了降低阴极5电压降的目的，有利于制作大尺寸显示屏。
在上述实施例中，只是示意地示出了OLED显示基板的部分结构，以说明本公开的实施例。在实际的OLED显示基板中，图2a-2d所示的衬底基板1可以为阵列基板的一部分结构，例如阵列基板中的玻璃基板，或阵列基板中任意导电层下方的部分结构。辅助电极2可位于阵列基板1的导电层中。所述导电层例如为金属层。
具体地，所述金属层可以为栅线、数据线或像素电极所在的金属层。栅线可以和薄膜晶体管的栅极位于同一层。数据线可以和薄膜晶体管的源漏极位于同一层。像素电极可以为OLED显示器件的阳极。这样，不必在阵列基板中增加额外的导电层或金属层，有利于减小显示器件的厚度，简化显示器件的结构；并且，可以在制作栅线、数据线或像素电极的同时制作辅助电极，不必增加额外的制作工艺，从而简化制作工艺。
当辅助电极位于栅线所在的金属层中时，可以通过一次构图工艺形成辅助电极和阵列基板的栅线。辅助电极和栅线例如可以采用相同的金属材料形成，例如包括但不限于金、银、铜、铝、铬、钼、合金等，在此不做限制。这样，可以在制作阵列基板的栅线的同时制作辅助电极，不必增加额外的制作工艺，从而简化制作工艺。
类似地，当辅助电极位于数据线所在的金属层中时，可以通过一次构图工艺形成辅助电极和阵列基板的数据线。辅助电极和数据线例如可以采用相同的金属材料形成，例如包括但不限于金、银、铜、铝、铬、钼、合金等，在此不做限制。这样，可以在制作阵列基板的数据线的同时制作辅助电极，不必增加额外的制作工艺，从而简化制作工艺。
类似地，当辅助电极位于像素电极所在的导电层中时，可以通过一次构图工艺形成辅助电极和阵列基板的像素电极。像素电极的材料例如包括但不限于金、银、铜、铝、铬、钼、合金等，也可是氧化铟锡(ITO)等。在此不做限制。这样，可以在制作阵列基板的像素电极的同时制作辅助电极，不必增加额外的制作工艺，从而简化制作工艺。
根据一个具体的实施例，辅助电极上方的绝缘层可以为像素界定层。此时，可以在所述像素界定层中形成用于限定像素单元的过孔的同时形成用于暴露所述辅助电极的所述过孔。这样，可以通过同一次构图工艺，例如光刻工艺，在制作像素单元的过孔和用于连接辅助电极和阴极的过孔，不必增加额外的制作工艺，从而简化制作工艺。
根据另一个实施例，辅助电极上方的绝缘层可以为栅极绝缘层和平坦化层。栅极绝缘层是位于栅极的上方的绝缘层，平坦化层是位于薄膜晶体管的源漏极上方的绝缘层。这时，用于连接辅助电极和阴极的过孔需要穿透栅极绝缘层和平坦化层。例如，可以在形成栅极绝缘层和平坦化层后通过干法蚀刻一次性形成穿透两层的过孔。
根据另一个实施例，辅助电极上方的绝缘层可以为平坦化层。这时，用于连接辅助电极和阴极的过孔只需要穿透平坦化层即可。因此可以在形成平坦化层后通过干法蚀刻在平坦化层中形成过孔，以连接辅助电极和阴极。
可选地，可以对应每个像素设置一个用于连接辅助电极和阴极的过孔。或者，也可以是对应多个像素设置一个用于连接辅助电极和阴极的过孔。过孔在整个阵列基板中可以均匀设置，也可以不必均匀地设置。
对于大尺寸的显示面板，由于驱动电路设置在阵列基板的边缘部分，因此在靠近阵列基板中部处的阴极压降损失较大，而阵列基板的边缘部分处阴极压降损失较小。因此，根据一个实施例，将靠近阵列基板的中心的用于连接辅助电极和阴极的过孔的分布密度设置为大于靠近阵列基板的边缘的所述过孔的分布密度。这样，在阵列基板的中心部分处通过过孔引入较多的辅助电极，能够避免阵列基板中心处的压降损失过大，导致像素显示异常。
图3示出了根据本公开的一个实施例的阵列基板的平面示意图，其中，为简明起见，仅示出了开关晶体管T，而未示出驱动晶体管、电容器等本领域已知的用于OLED显示器件的阵列基板的其它元件。如图3所示，对于包括4×4个像素单元的阵列基板，靠近阵列基板的中心的2×2个像素单元可以设置较多的过孔，而靠近阵列基板的边缘的其它像素单元可以设置较少的过孔。具体地，靠近阵列基板的中心的第二行第二列、第二行第三列、第三行第二列和第三行第三列的每个像素单元中的用于连接辅助电极22和阴极的过孔H的数量设置为三个，而靠近阵列基板的边缘的其它像素单元中的过孔H的数量设置为一个。
或者，根据其它的实施例，在靠近阵列基板的中心的部分区域中，每一个像素单元设置一个过孔，而在靠近阵列基板的边缘的部分区域，多个像素单元设置一个过孔。越靠近阵列基板的中心，过孔的分布密度越大。
根据显示器件的具体结构和辅助电极的具体位置，所述绝缘层可以为栅绝缘层、钝化层、像素界定层和平坦化层中的一层或多层。所述过孔可以是穿透相应的一层或多层绝缘层的过孔，以用于电连接辅助电极和阴极。
为了便于制作辅助电极，辅助电极22可以为条状，并平行于栅线G或数据线D。图3中示出了辅助电极22平行于栅线G的情况。另外，为了不影响像素开口率，辅助电极可以形成在像素之间的间隙中。
本公开上述实施例的OLED显示基板的制备方法可以应用于制作顶栅形OLED显示器，也可以应用于制作底栅形OLED显示器，本公开对此不做限定。
以下参照图4a-4m以底栅结构的OLED显示器为例说明根据本公开的方法制作OLED显示基板的具体过程以及形成的显示基板。本领域技术人员应当理解，本公开的方法也可以应用于制作底栅形OLED 显示器。
首先，提供基板10。所述基板10例如可以由无碱玻璃制成，本公开对此不作限制。
接着，在基板10上形成TFT(薄膜晶体管)。以底柵结构为例，如图4a所示，在基板10上方层积第一金属层，并通过例如刻蚀工艺图案化第一金属层以形成栅极21和辅助电极22。例如，栅极金属材料层的材料可以为钼或铜等导电金属，这里不做限定。在图案化第一金属层以形成栅极21和辅助电极22的同时可以形成栅线。即，通过同一构图工艺图案化同一金属层以同时形成栅极21、辅助电极22和栅线23。
应当注意，为了使附图看起来更加清楚，在后续的图4b-4m中，省去了栅线23，以便使本领域技术人员更容易理解本公开的实施例。
接着，如图4b所示，在栅极21和辅助电极22上方铺设一层栅极绝缘层30，并通过例如光刻工艺图案化栅极绝缘层30以在栅极绝缘层30中形成第一过孔31。第一过孔31将用于连接OLED显示基板的阴极和辅助电极22。栅极绝缘层的材料例如可以为氧化硅、氮氧化硅等本领域栅极绝缘材料，这里不做限定。
如图4c所示，在栅极绝缘层30上方沉积一层半导体层并图案化以形成薄膜晶体管的半导体有源层40。半导体有源层40的材料例如为铟镓锌氧化物等常用材料，这里不做限定。
接下来，参考图4d，在半导体有源层40上方沉积一层钝化层(刻蚀阻挡层)50，例如无机非金属材料层，并经刻蚀工艺图案化后在钝化层50中形成第二过孔51和第三过孔52。第二过孔51分别形成在半导体有源层40的两端，将用于连接薄膜晶体管的源极和漏极。第三过孔52形成在辅助电极22上方，与第一过孔31连通。第三过孔52也将用于连接OLED显示基板的阴极和辅助电极22。
如图4e所示，在钝化层50上方沉积第二金属层，通过例如刻蚀工艺图案化第二金属层以形成薄膜晶体管的源极61和漏极62。第二金属层的材料可以为本领域源漏极金属材料，这里不做限定。在图案化第二金属层以形成源极61和漏极62的同时可以形成数据线63。即，通过同一构图工艺图案化同一金属层以同时形成源极61、漏极 62和数据线63。
应当注意，为了使附图看起来更加清楚，在后续的图4f-4m中，省去了数据线63，以便使本领域技术人员更容易理解本公开的实施例。
可选地，如图4f所示，在第二金属层的上方可形成保护层70。保护层70例如由无机绝缘材料形成，并通过例如光刻工艺图案化保护层70以在保护层70中形成第四过孔71和第五过孔72。第四过孔 71形成在薄膜晶体管的漏极62上方，第五过孔72形成在辅助电极 22上方，并与第一过孔31、第三过孔52连通。第四过孔71将用于连接像素电极和薄膜晶体管的漏极。第五过孔72将用于连接OLED显示基板的阴极和辅助电极22。
如图4g所示，在保护层70上方形成平坦化层80。该平坦化层 80的材料例如为氧化硅、氮氧化硅、氮化硅等本领域用于平坦化层的绝缘材料，在这里不作限定。通过例如光刻工艺图案化平坦化层 80，以在平坦化层80中形成第六过孔81和第七过孔82。第六过孔 81形成在薄膜晶体管的漏极62的上方，与第四过孔71连通。第七过孔82形成在辅助电极22上方，并与第一过孔31、第三过孔52、第五过孔72连通。第六过孔81将用于连接像素电极和薄膜晶体管的漏极62，第七过孔82将用于连接OLED显示基板的阴极和辅助电极 22。
如图4h所示，例如通过溅射工艺在平坦化层80上方沉积第三金属层，以用于形成OLED显示基板的阳极90，即阵列基板的像素电极。第三金属层的材料可以为本领域用于OLED显示基板的阳极金属材料，这里不做限定。根据需要，可选地，第三金属层可以包括金属反射层和ITO电极。第三金属层在第七过孔82处也形成与第七过孔82 连通的第八过孔92。因为第三金属层为导电层，不会影响辅助电极22与阴极的导电连接。这样，第三金属层也可以进入第七过孔82中，而不必在第三金属层中形成过孔92。或者，第三金属层可以部分地延伸到像素电极层下方，但不进入第七过孔82中。
如图4i所示，在第三金属层的上方铺设一层绝缘材料层，例如光刻胶层，并通过例如曝光和显影以图案化该光刻胶层，以在光刻胶层中形成像素界定层100，并且，在所述像素界定层100中形成限定像素单元的第九过孔101和用于连通辅助电极22和阴极的第十过孔 102，第十过孔102和第八过孔92连通。第九过孔101和第十过孔 102在衬底基板上的正投影不重叠。
如图4j所示，在像素界定层100上方例如通过蒸镀工艺沉积一层有机发光层200。具体地，有机发光层可以包括空穴注入层、空穴传输层、电致发光层、电子传输层、电子注入层等多层。可采用蒸镀工艺逐层沉积有机发光层的各层材料。
如图4k所示，因为有机发光层材料为整面蒸镀，所以有机发光层材料在进入像素界定层100限定的像素区域的同时，也进入了穿透栅级绝缘层30、钝化层50、保护层70、像素界定层80、阳极90和像素界定层100的由第一过孔31、第三过孔52、第五过孔72、第七过孔82、第八过孔92和第十过孔102形成的连通孔中。
在这种状态下，当后续OLED制作工艺中将阴极层沉积在有机发光层200上方时，即使阴极层进入由第一过孔31、第三过孔52、第五过孔72、第七过孔82、第八过孔92和第十过孔102形成的连通孔中，也由于该连通孔被有机发光层200填充而不能够与辅助电极22 电连接。因此，必须去除辅助电极22上方的过孔中的有机发光层200，以使得阴极和辅助电极22电连接，从而起到降低阴极压降，进而提高显示器显示质量的目的。
因此，根据本公开的一个实施例，通过喷墨打印工艺向辅助电极 22上方的过孔(连通孔)中喷射导电的液滴，以破坏过孔中的有机发光层200，使得后续制作中当沉积阴极层时阴极能够和辅助电极22 电连接。具体地，如图4k所示，可以向辅助电极22上方的过孔中喷射高温液滴，例如温度在50℃-300℃。可选地，导电液滴的温度可以为100℃。通过喷射高温的导电液滴，可熔化和击穿过孔中的有机发光层。之后，高温的导电液滴冷却固化并形成导电元件300。
根据一个实施例，所喷射的液滴的材料为合金，例如熔点在50℃ -300℃之间的合金材料。例如钡、锡、铅、铟等的合金。
根据另外的实施例，所喷射的液滴的材料可以为钎焊用焊料，例如锡铅焊料。可选地，所述焊料的熔点在在50℃-300℃之间，例如熔点为100℃。
如图4l所示，在有机发光层200上方沉积例如ITO、IZO等材料的透明阴极层400。此时，阴极层材料在进入像素界定层80限定的像素区域的同时，也进入了穿透栅级绝缘层30、钝化层50、保护层 70、像素界定层80和阳极90的由第一过孔31、第三过孔52、第五过孔72、第七过孔82、第八过孔92和第十过孔102形成的连通孔中。由于该连通孔中的有机发光层200被高温导电液滴穿透，并代之以导电元件300，所以阴极层400可通过导电元件300与辅助电极22电连接。由于连接了辅助电极，可以降低阴极压降，进而提高显示器显示质量，并有利于制作在尺寸显示面板。
接着，可在阴极层400上方通过化学汽相沉积等方法沉积一层无机绝缘材料的阻挡层500，以密封像素单元。形成的阵列基板如图4m 所示。
本领域技术人员可以理解，在上述步骤之后，还可以制作彩膜基板，并与所形成的阵列基板对盒以形成OLED显示设备。
根据上述实施例的OLED显示基板的制备方法，通过向过孔中注入导电液体，以穿透过孔中的有机发光层，且所述液体固化后形成导电元件与所述辅助电极电连接；随后，使阴极层通过导电液体固化成形成的导电元件与辅助电极导电连接。因此，可以有效降低阴极层的电压降，有利于制备大尺寸显示屏。
虽然以上实施例中，辅助电极22与栅极21形成在同一金属层中，并且辅助电极22通过穿透栅级绝缘层30、钝化层50、保护层70、平坦化层80、像素界定层100等多个绝缘层的过孔与阴极层400电连接，但是本公开不限于此。
根据以上实施例的变形例，辅助电极22可以与源极61和漏极 62形成在同一金属层中。当辅助电极22与源极61和漏极62形成在同一金属层中时，连通阴极400和辅助电极22的过孔可以仅穿透保护层70、平坦化层80和像素界定层100，而不必穿透栅级绝缘层30 和钝化层50。
根据以上实施例的另外的变形例子，辅助电极22可以作为像素电极的阳极90形成在同一层中。当辅助电极22与阳极90形成在同一层中时，连通阴极400和辅助电极22的过孔可以仅穿透像素界定层100，而不必穿透栅级绝缘层30、钝化层50、保护层70和平坦化层80。
因此，辅助电极可以形成于阵列基板中的任一导电层中，可以为金属导电层或非金属导电层，本公开对此不做限制。这样，可以在制作阵列基板的导电层的同时制作辅助电极，不必增加额外的制作工艺，从而简化制作工艺。
此外，以上实施例中，有些层可以省略，例如可以根据需要省略保护层70。或者，可以根据需要增加图中未示出的另外的层，只要可以通过穿过绝缘层的过孔使辅助电极和阴极电连接即可。因此，本公开实施例附图中，只涉及到与本公开实施例涉及到的结构，其他结构可参考通常设计。
此外，以上实施例中以逐层的方式形成连通辅助电极22和阴极层400的过孔，但是，本公开不限于此。例如，在制作栅级绝缘层 30、钝化层50、保护层70、平坦化层80、像素界定层100时，可以不必预先在辅助电极22上方的位置形成过孔，而是在制作完成栅级绝缘层30、钝化层50、保护层70、平坦化层80、像素界定层100之后，通过刻蚀工艺一次性形成从上至下穿透像素界定层100、平坦化层80、保护层70、钝化层50和栅级绝缘层30的过孔。
此外，以上以底栅结构的OLED显示基板为例说明了一个具体的OLED显示基板的制备过程。但是，本领域技术人员应当理解，本公开的构思也可以用于底栅结构的OLED显示基板或双栅结构的OLED显示基板，本公开对此不做限定。
本发明另外的实施例还涉及一种显示装置，包括前述实施例所制造的显示基板。所述显示装置例如可以为手机、电视机、平板电脑、笔记本电脑、数码相框、个人数字助理、导航仪等具有显示功能的装置。
以上通过举例的方式描述了本公开的几个实施例，但是本领域的技术人员将会认识到，在不背离本公开的构思的前提下，可以对本公开的实施例做出各种修改和变化。所有这些修改和变化都应当落入本公开的保护范围内。因此，本公开的保护范围应以权利要求限定的保护范围为准。
Claims (20)
1.一种有机发光二极管显示基板的制备方法，包括：
在衬底基板上依次形成辅助电极和具有至少一个过孔的绝缘层，在所述过孔中露出所述辅助电极的至少一部分；
在所述绝缘层上形成有机发光层；
向所述过孔中注入导电液体，所述导电液体固化后与所述辅助电极电连接；以及
在所述有机发光层上形成阴极层，所述阴极层通过所述过孔中固化的导电液体与所述辅助电极电连接。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有机发光层包括形成于过孔中的部分。
3.根据权利要求2所述的方法，其中，向所述过孔中注入导电液体包括：通过喷墨打印工艺向所述过孔中喷射导电液滴，以穿透过孔中的所述有机发光层。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述导电液滴的温度在50℃-300℃之间。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述导电液滴的材料为合金，所述合金的熔点在50℃-300℃之间。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，所述导电液滴的材料为焊料，所述焊料的熔点在50℃-300℃之间。
7.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其中，在所述衬底基板上形成导电层，所述辅助电极和所述导电层的图形通过一次构图工艺形成。
8.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其中，通过一次构图工艺形成所述辅助电极和栅线。
9.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其中，通过一次构图工艺形成所述辅助电极和数据线。
10.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其中，通过一次构图工艺形成辅助电极和像素电极。
11.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其中，所述绝缘层包括像素界定层，并且，通过一次构图工艺在所述像素界定层中形成用于限定像素单元的过孔和用于暴露所述辅助电极的所述过孔。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，用于限定像素单元的过孔和用于暴露所述辅助电极的所述过孔在衬底基板上的正投影不重叠。
13.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其中，所述绝缘层包括像素界定层和平坦化层，并且，所述过孔穿透所述像素界定层和平坦化层。
14.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其中，所述绝缘层包括像素界定层、平坦化层、钝化层和栅极绝缘层，所述过孔穿透所述像素界定层、平坦化层、钝化层和栅极绝缘层。
15.根据权利要求1-6任一项所述的方法，其中，靠近显示基板的中心的所述过孔分布的密度大于靠近显示基板的边缘的所述过孔分布的密度。
16.根据权利要求1-15任一项所述的方法，其中，所述辅助电极为条状，并平行于栅线或数据线。
17.一种采用权利要求1-16任一项所述的方法制备的有机发光二极管显示基板，包括：
补底基板；
在衬底基板上的辅助电极；
在辅助电极上的绝缘层；
在绝缘层上的有机发光层；以及
在有机发光层上的阴极，
其中，在绝缘层中具有至少一个用于连接辅助电极和阴极的过孔，所述过孔中具有导电元件，所述辅助电极和所述阴极通过所述导电元件电连接。
18.根据权利要求17所述的有机发光二极管显示基板，其中，所述有机发光层包括形成于过孔中的部分。
19.根据权利要求17所述的有机发光二极管显示基板，其中，所述辅助电极为条状，并平行于栅线或数据线。
20.一种显示装置，包括如权利要求17-19任一项所述的显示基板。
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