CN110212114A - 显示基板、显示面板及其制备方法和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种显示基板,显示基板包括:衬底基板,衬底基板包括显示区和设置在显示区至少一侧的驱动区,显示区设置有第一电极层,驱动区设置有信号输出部,第一电极层与信号输出部相连;第一电极层所在区域被划分为面积相同的多个电极区,显示基板还包括与每个电极区一一对应的辅助电极,辅助电极与第一电极层并联,辅助电极的电阻与相应的电极区到信号输出部的最小距离反相关。本发明还提供了一种显示面板、显示面板的制备方法和显示装置。本发明通过在第一电极层上并联辅助电极,该辅助电极离驱动电路越远,其电阻越小,辅助电极对电压衰减的修正幅度越大,从而使阴极层上各处的电压保持一致,提升了显示区显示的均匀性。
Description
技术领域
本发明涉及显示领域,具体涉及一种显示基板、显示面板及其制备方法和显示装置。
背景技术
有机电致发光二极管(OLED,Organic Light-Emitting Diodes)顶发射常见结构包括阴极和阳极,以及在阴极和阳极之间的有机功能层。
在制备OLED器件的阳极时,通常使用功函数较低的金属,如铝、镁和银等材料,通过蒸镀或者溅射形成。制备OLED器件的阴极时,常采用高透光率的导电材料,例如氧化铟锌(IZO)等。然而氧化铟锌(IZO)等高透光率材料所制备的电极的阻抗相对较高,导致在阴极上出现电压衰减,严重影响屏幕显示亮度的均匀性。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提出了一种显示基板、显示面板及其制备方法和显示装置。
为了实现上述目的,本发明提供一种显示基板,所述显示基板包括:衬底基板,所述衬底基板包括显示区和设置在所述显示区至少一侧的驱动区,所述显示区设置有第一电极层,所述驱动区设置有信号输出部,所述第一电极层与所述信号输出部相连;
所述第一电极层所在区域被划分为面积相同的多个电极区,所述显示基板还包括与每个所述电极区一一对应的辅助电极,所述辅助电极与所述第一电极层并联,所述辅助电极的电阻与相应的所述电极区到所述信号输出部的最小距离反相关。
可选地,所述辅助电极包括至少一个导电部,所述导电部的电阻与相应的所述电极区到所述信号输出部的最小距离反相关,所述第一电极层所并联的多个所述导电部均匀分布。
可选地,所述显示区中还设置有像素界定层,所述像素界定层位于所述衬底基板与所述第一电极层之间;
所述像素界定层背离所述衬底基板一侧设置有第一凹槽;
所述导电部位于所述第一凹槽中,且位于所述第一电极层背离所述衬底基板的一侧。
可选地,所述导电部包括设置在所述第一凹槽中的多个纳米金属颗粒。
可选地,所述导电部的纳米金属颗粒的数量与所述导电部到所述信号输出部的最小距离正相关。
为了实现上述目的,本发明还提供一种显示面板,所述显示面板包括上述的显示基板。
可选地,所述显示面板还包括与所述显示基板相对设置的对盒基板;
所述对盒基板上面向所述衬底基板一侧设置有与所述第一凹槽位置对应的隔垫物;
所述隔垫物面向所述衬底基板的一侧设置有第二凹槽。
可选地,所述第二凹槽的容积与相应导电部的纳米金属颗粒的数量正相关。
为了实现上述目的,本发明还提供一种显示装置,所述显示装置包括上述的显示面板。
为了实现上述目的,本发明还提供一种显示面板的制备方法,制备方法包括:
提供衬底基板,所述衬底基板包括显示区和设置在所述显示区至少一侧的驱动区;
在所述驱动区形成信号输出部;
在所述显示区形成第一电极层,所述第一电极层与所述信号输出部相连;所述第一电极层所在区域被划分为面积相同的多个电极区;
形成与每个所述电极区一一对应的辅助电极;所述辅助电极与所述第一电极层并联,所述辅助电极的电阻与相应的所述电极区到所述信号输出部的最小距离反相关。
可选地,所述在所述显示区形成第一电极层的步骤之前还包括:
在所述显示区中形成像素界定层,所述像素界定层位于所述衬底基板与所述阴极层之间;在所述像素界定层背离所述衬底基板一侧形成有第一凹槽;
所述制备方法还包括:
提供用于与所述衬底基板相对设置的对盒基板;
在所述对盒基板用于面向所述衬底基板的一侧形成位置与所述第一凹槽一一对应的隔垫物,所述隔垫物面向所述衬底基板的一侧形成有第二凹槽;
所述形成与每个电极区一一对应的辅助电极的步骤包括:
在每个所述第二凹槽中形成中间导电部;
将所述对盒基板与所述衬底基板对盒,以使所述第二凹槽中的所述中间导电部落入所述第一凹槽中,形成导电部;
其中,所述辅助电极包括至少一个位于所述第一凹槽中的所述导电部。
可选地,所述第二凹槽的容积与相应的所述导电部的电阻反相关,所述第一电极层所并联的多个所述导电部均匀分布;
所述在每个所述第二凹槽中形成中间导电部的步骤包括:
在所述第二凹槽中注入墨水,所述墨水中包括纳米金属颗粒,并使得所述第二凹槽中的纳米金属颗粒的数量与所述第二凹槽的容积正相关;
对所述墨水进行干燥,以在每个所述第二凹槽中形成所述中间导电部。
附图说明
附图是用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与下面的具体实施方式一起用于解释本发明,但并不构成对本发明的限制。在附图中:
图1为本发明实施例提供的一种显示基板的示意图;
图2为本发明实施例提供的显示基板纵截面的示意图;
图3为本发明实施例提供的一种导电部分布的示意图;
图4为本发明实施例提供的包括第一凹槽的显示基板的示意图;
图5为本发明实施例提供的显示面板的示意图之一;
图6为本发明实施例提供的显示面板的示意图之二;
图7为本发明实施例提供的显示面板的制备方法的流程图;
图8为本发明实施例提供的制备对盒基板的流程图;
图9为本发明实施例提供的制备导电部过程的示意图。
其中,附图标记包括:
10、衬底基板;11、显示区;12、驱动区;121、信号输出部;20、第一电极层;21、电极区;30、辅助电极;31、导电部;40、像素界定层;41、第一凹槽;50、对盒基板;60、隔垫物;61、第二凹槽。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是,此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明,并不用于限制本发明。
本发明实施例提供一种显示基板,图1为本发明实施例提供的一种显示基板的示意图,图2为本发明实施例提供的显示基板纵截面的示意图,如图1以及图2所示,显示基板包括:
衬底基板10,衬底基板10包括显示区11和设置在显示区11至少一侧的驱动区12。显示区11设置有第一电极层20,驱动区12设置有信号输出部121,第一电极层20与信号输出部121相连。驱动区12还可以设置有驱动电路,例如GOA电路等。
上述显示基板可以为单端驱动显示基板或双端驱动显示基板,单端驱动显示基板即只在显示区11一侧设置驱动区12,第一电极层20的一侧与该驱动区12的信号输出部121相连;双端驱动显示基板指显示区11相对两侧均设置有驱动区12,第一电极层20的相对两侧与两个驱动区12分别相连。
第一电极层20可以为设置在显示区中的连续整层膜层,其所在区域被划分为面积相同的多个电极区21,多个电极区21可以沿图1中的左右方向依次排列,也可以呈阵列分布。显示基板还包括与每个电极区21一一对应的辅助电极30,辅助电极30的电阻与相应的电极区21到信号输出部121的最小距离反相关。
其中,当驱动区12数量为一个时,电极区21到信号输出部121的最小距离为:电极区21到该驱动区12中信号输出部121的距离;当驱动区12数量为两个时,电极区21到信号输出部121的最小距离为:电极区21到较近的驱动区12中信号输出部121的距离。
需要说明的是,在本发明实施例中,第一电极层20可以为阴极层;另外,本发明的显示基板尤其适用于顶发光结构,此时,第一电极层20采用氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)等透明导电材料。
随着电极区21与驱动区30的距离增加,第一电极层20上电压衰减也逐渐增大,严重影响屏幕显示亮度的均匀性。当第一电极层20采用透明导电材料时,亮度不均匀的问题更加严重。采用本发明实施例的显示基板,在第一电极层20上并联辅助电极30,该辅助电极30离驱动区越远,其电阻越小,辅助电极30对电压衰减的修正幅度越大,从而使第一电极层20上各处的电压保持一致,提升了显示区11显示的均匀性。
例如,如图1所示,将第一电极层20所在区域划分为3个电极区,分别为位置a的电极区21、位置b的电极区21以及位置c的电极区21,三个电极区21面积相等,且电极区21与信号输出部31的最小距离从左向右依次增大。随着电极区21与驱动区30的距离增加,电压衰减也逐渐增大,为保证显示区域的显示效果,需要根据电压衰减的幅度,进行针对性的修正,因此,如图2所示,在位置a的电极区21、电极区b和电极区c上均设置与第一电极层20并联辅助电极b1,并且,位置b处的电极区中所并联的辅助电极的电阻小于位置a处的电极区中所并联辅助电极,且大于位置c处的电极区中所并联的辅助电极的电阻。
在一具体实施例中,图3为本发明实施例提供的一种导电部分布的示意图,如图3所示,辅助电极30包括至少一个导电部31,导电部31的电阻与相应的电极区21到信号输出部121的最小距离反相关,第一电极层20所并联的多个导电部31均匀分布。
需要说明的是,当辅助电极30包括多个导电部31时,辅助电极30的电阻相当于多个导电部31的并联电阻。
具体地,导电部31为易导电金属材质,例如,镁(Mg)、金(Au)、铝(Al)、银(Ag)或者为由镁、金、铝、银中的至少两种组成的合金,再或者是包括镁、金、铝、银中的一种或多种的纳米金属颗粒等,在此不作限制。导电部31的位置可以设置在第一电极层背离衬底基板一侧,也可以设置在电极层与衬底基板之间。
图4为本发明实施例提供的包括第一凹槽的显示基板的示意图,如图4所示,在一具体发明实施例中,所述显示区11中还设置有像素界定层40,像素界定层40位于衬底基板40与第一电极层20之间。
像素界定层40背离衬底基板10一侧设置有第一凹槽41。
导电部31位于第一凹槽41中,且位于第一电极层20背离衬底基板10的一侧。
具体地,由于像素界定层40位于第一电极层20靠近衬底基板10一侧,因此,第一电极层20可以覆盖第一凹槽41的侧壁以及底面,从而使设置在第一凹槽41中的导电部31与第一电极层20接触实现并联。并且,由于导电部31被设置在第一凹槽41中,因此,在本发明实施例中的导电部31为具有固定形态的导电部31或者非固定形态的导电部31。
需要说明的是,本发明实施例中优选在像素界定层40上设置第一凹槽41,但除在像素界定层40上设置第一凹槽41外,也可以在其他位于第一电极层20与衬底基板10之间的层结构上设置第一凹槽41。
其中,导电部31为固定形态导电部31时,可以通过调整导电部31的电阻率、尺寸或截面大小,来使得导电部31的电阻随导电部31所处的电极区21到信号输出部121的最小距离的增大而减小。
可选的,导电部31包括多个纳米金属颗粒,纳米金属颗粒可以为纳米金球或者纳米银球,当然,纳米金属颗粒的材料也可以包括镁、铝、银中的一种或多种。
在一具体实施例中,导电部31的纳米金属颗粒的数量与导电部31到所述信号输出部31的最小距离正相关。纳米金属颗粒的数量越多,则导电部31的电阻越小。本发明实施例还提供一种显示面板,显示面板包括上述的显示基板。
如上文所述,在一具体实施例中,显示基板的辅助电极30包括至少一个导电部31,导电部31的电阻与相应的电极区21到信号输出部121的最小距离反相关,第一电极层20所并联的多个导电部31均匀分布。
图5为本发明实施例提供的显示面板的示意图,如图5所示,显示面板还包括与显示基板相对设置的对盒基板50。
对盒基板50上面向衬底基板10一侧设置有与第一凹槽41位置对应的隔垫物60。
隔垫物60面向衬底基板10的一侧设置有第二凹槽61。
具体地,第二凹槽61在衬底基板10的正投影位于第一凹槽41在衬底基板10上的正投影内,因此,在衬底基板10和对盒基板50对盒后,隔垫物50与第一电极层20接触,第二凹槽61与第一凹槽41对应连通。需要说明的是,设置导电部31时,先在第二凹槽61中制备中间导电部,在衬底基板10和对盒基板50对盒后,导电部31即位于第二凹槽61与第一凹槽41形成的用于盛放导电部的空间中,并与第一电极层20接触,实现与第一电极层20并联。
综上所述,当导电部31为纳米金属颗粒时,由于第一凹槽41和第二凹槽61形成了一用于盛放导电部的空间,从而可以避免纳米金属颗粒外泄,形成暗点不良。
如上文所述,在一具体实施例中,导电部31的纳米金属颗粒的数量与导电部31到所述信号输出部121的最小距离正相关。
具体地,第二凹槽61的容积随相应导电部31的纳米金属颗粒的数量的增大而增大。
需要说明的是,设置导电部31时,先在第二凹槽61中制备中间导电部,之后,通过对盒等工序,中间导电部落入第一凹槽41中,并与第一电极层20接触,形成导电部31,因此,第二凹槽61容积的大小决定中间导电部纳米金属颗粒数量的多少,也即后续形成的导电部31的纳米金属颗粒数量的多少,所以,第二凹槽41的容积越大,形成的导电部31的纳米金属颗粒的数量越多。其中,第二凹槽61的容积可以是通过调整第二凹槽61的挖槽深度来控制。
举例而言,图6为本发明实施例提供的显示面板的示意图,如图6所示,位置x、位置y以及位置z中的第一凹槽41与第二凹槽61形成的空间中均设置有导电部31,该导电部31为纳米金属颗粒;位置x与信号输出部121的最小距离小于位置y与信号输出部121的最小距离,位置z与信号输出部121的最小距离小于位置y与信号输出部121的最小距离,但大于位置x与信号输出部121的最小距离,因此,对于电压衰减的幅度而言,位置x的电压衰减幅度小于位置z的电压衰减幅度小于位置y的电压衰减幅度,所以,设置位置x的第二凹槽61的挖槽深度小于位置y的第二凹槽61的挖槽深度,位置z的第二凹槽61的挖槽深度小于位置y的第二凹槽61的挖槽深度,但大于位置x的第二凹槽61的挖槽深度。随着第二凹槽61的挖槽深度逐渐递增,第二凹槽61的容积也逐渐递增,形成的导电部31的纳米金属颗粒数量也逐渐递增,从而实现导电部31的电阻逐渐降低。
其中,对盒基板可以为彩膜基板,具体地,包括基底以及设置在基底上的彩膜层和黑矩阵,隔垫物设置在对应于黑矩阵的位置。
本发明实施例还提供一种显示装置,显示装置包括上述的显示面板。
该显示装置可以为电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。示例地,该显示装置可以为OLED显示面板。
本发明实施例还提供一种显示面板的制备方法,图7为本发明实施例提供的显示面板的制备方法的流程图,如图7所示,制备方法包括以下步骤:
S710、提供衬底基板,衬底基板包括显示区和设置在显示区至少一侧的驱动区。
具体地,衬底基板可以为透明基板,其可以采用玻璃、石英、透明树脂等具有一定硬度的导光且绝缘材料制成。
S720、在驱动区形成信号输出部。
S730、在显示区形成第一电极层,第一电极层与信号输出部相连;第一电极层所在区域被划分为面积相同的多个电极区。
具体地,通过成膜工艺(例如沉积、涂敷、溅射或者蒸镀)在驱动区形成信号输出部以及在显示区中形成第一电极层,并在第一电极层上,沿着逐渐远离信号输出部的方向,在第一电极层所在区域划分出面积大小相等的电极区,其中,第一电极层为透明导电材料,例如氧化铟锡或氧化铟锌等。
S740、形成与每个电极区一一对应的辅助电极;辅助电极与所述第一电极层并联,辅助电极的电阻与相应的电极区到信号输出部的最小距离反相关。即,辅助电极的电阻随辅助电极所对应的电极区与信号输出部的最小距离的增大而减小。
示例性地,当辅助电极包括多个具有固定形态的导电部时,可以通过成膜工艺(例如沉积、涂敷、溅射或者蒸镀)形成辅助电极;当然,也可以采用其他工艺。
随着电极区与驱动区的距离增加,电压衰减也逐渐增大,严重影响屏幕显示亮度的均匀性。当第一电极层采用透明导电材料时,亮度不均匀的问题更加严重。采用本发明实施例的显示基板,在第一电极层上并联辅助电极,该辅助电极离驱动区越远,其电阻越小,辅助电极对电压衰减的修正幅度越大,从而使阴极层上各处的电压保持一致,提升了显示区显示的均匀性。
如上文所述,在一具体实施例中,在制备第一电极层之前包括,在显示区中形成像素界定层,像素界定层位衬底基板与阴极层之间;在像素界定层背离衬底基板一侧形成第一凹槽。
具体地,在衬底基板上形成像素界定材料层,厚度可以根据实际情况确定,最好在1.5μm~2μm之间。之后,对像素界定材料层进行构图,得到具有多个第一凹槽的像素界定层。
需要说明的是,本发明实施例提供的制备方法,还包括在衬底基板上形成TFT层和发光功能层等其他层结构。
图8为本发明实施例提供的制备对盒基板的流程图,如图8所示,显示面板的制备方法还包括以下步骤:
S810、提供用于与衬底基板对向设置的对盒基板。
具体地,在对盒基板上制备黑矩阵,使用狭缝涂布的方式在对盒基板上涂覆彩膜材料,通过前烘、曝光、显影、后烘,图形化后,形成厚度为2.0微米彩膜层;之后,使用旋涂的方式在彩膜层上和黑矩阵上涂覆平坦层材料,通过前烘、曝光、显影、后烘,图形化后,形成厚度为2.0微米的平坦层。
S820、在对盒基板上面向衬底基板的一侧形成与第一凹槽位置对应的隔垫物,隔垫物面向衬底基板的一侧形成有第二凹槽。
具体地,在平坦层靠近衬底基板一侧形成隔垫物材料层,对隔垫物材料层进行构图,得到具有多个第二凹槽的隔垫物。其中,第二凹槽的容积随第二凹槽所对应的电极区离信号输出部的最小距离增大而增大,第二凹槽在平坦层上的位置与第一凹槽在衬底基板上的位置相对应,以便在对盒安装时,形成一用于盛放导电部的空间。其中,隔垫物材料层可以为光敏材料层;对其进行构图时,采用半色调掩膜板(Halftone mask)进行曝光,之后进行显影,从而得到具有多个第二凹槽的隔垫物。
在一具体实施例中,图9为本发明实施例提供的制备导电部过程的示意图,如图9所示,形成与每个电极区一一对应的辅助电极的步骤包括:
在每个第二凹槽61中形成中间导电部32。
将对盒基板50与衬底基板10对盒,以使第二凹槽61中的中间导电部32落入第一凹槽41中,形成导电部31,其中,辅助电极包括多个位于第一凹槽41中的导电部31。
如上文所述,在一具体实施例中,第二凹槽61的容积与相应的导电部31的体积正相关,第一电极层20所并联的多个导电部31均匀分布。
在每个第二凹槽61中形成中间导电部32的步骤包括:
在第二凹槽61中注入墨水33,墨水33中包括纳米金属颗粒。
对墨水进行干燥,以在每个第二凹槽61中形成中间导电部32。
其中,在每个第二凹槽61中注入墨水时,可以使墨水注满第二凹槽61,由于离信号输出部的最小距离越大,第二凹槽的61容积越大,因此,将每个第二凹槽61中注满墨水后并干燥后,可以使得离信号输出部越远的中间导电部32的电阻越小,从而使得中间导电部32落至第一凹槽中形成导电部后,导电部31的电阻能够与导电部31到信号输出部的最小距离反相关。
综上所述,当导电部31为纳米金属颗粒时,由于第一凹槽41和第二凹槽61形成了一用于盛放导电部的空间,从而可以避免纳米金属颗粒外泄,形成暗点不良。。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (12)
1.一种显示基板,其特征在于,所述显示基板包括:衬底基板,所述衬底基板包括显示区和设置在所述显示区至少一侧的驱动区,所述显示区设置有第一电极层,所述驱动区设置有信号输出部,所述第一电极层与所述信号输出部相连;
所述第一电极层所在区域被划分为面积相同的多个电极区,所述显示基板还包括与每个所述电极区一一对应的辅助电极,所述辅助电极与所述第一电极层并联,所述辅助电极的电阻与相应的所述电极区到所述信号输出部的最小距离反相关。
2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述辅助电极包括至少一个导电部,所述导电部的电阻与相应的所述电极区到所述信号输出部的最小距离反相关,所述第一电极层所并联的多个所述导电部均匀分布。
3.根据权利要求2所述的显示基板,其特征在于,所述显示区中还设置有像素界定层,所述像素界定层位于所述衬底基板与所述第一电极层之间;
所述像素界定层背离所述衬底基板一侧设置有第一凹槽;
所述导电部位于所述第一凹槽中,且位于所述第一电极层背离所述衬底基板的一侧。
4.根据权利要求3所述的显示基板,其特征在于,所述导电部包括设置在所述第一凹槽中的多个纳米金属颗粒。
5.根据权利要求4所述的显示基板,其特征在于,所述导电部的纳米金属颗粒的数量与所述导电部到所述信号输出部的最小距离正相关。
6.一种显示面板,其特征在于,所述显示面板包括权利要求1-5任一项所述的显示基板。
7.根据权利要求6所述的显示面板,其特征在于,所述显示基板为权利要求3所述的显示基板;
所述显示面板还包括与所述显示基板相对设置的对盒基板;
所述对盒基板上面向所述衬底基板一侧设置有与所述第一凹槽位置对应的隔垫物;
所述隔垫物面向所述衬底基板的一侧设置有第二凹槽。
8.根据权利要求7所述的显示面板,其特征在于,所述显示基板为权利要求5所述的显示基板;
所述第二凹槽的容积与相应导电部的纳米金属颗粒的数量正相关。
9.一种显示装置,其特征在于,所述显示装置包括权利要求6-8任一项所述的显示面板。
10.一种显示面板的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:
提供衬底基板,所述衬底基板包括显示区和设置在所述显示区至少一侧的驱动区;
在所述驱动区形成信号输出部;
在所述显示区形成第一电极层,所述第一电极层与所述信号输出部相连;所述第一电极层所在区域被划分为面积相同的多个电极区;
形成与每个所述电极区一一对应的辅助电极;所述辅助电极与所述第一电极层并联,所述辅助电极的电阻与相应的所述电极区到所述信号输出部的最小距离反相关。
11.根据权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述在所述显示区形成第一电极层的步骤之前还包括:
在所述显示区中形成像素界定层,所述像素界定层位于所述衬底基板与所述阴极层之间;在所述像素界定层背离所述衬底基板一侧形成有第一凹槽;
所述制备方法还包括:
提供用于与所述衬底基板相对设置的对盒基板;
在所述对盒基板用于面向所述衬底基板的一侧形成位置与所述第一凹槽一一对应的隔垫物,所述隔垫物面向所述衬底基板的一侧形成有第二凹槽;
所述形成与每个电极区一一对应的辅助电极的步骤包括:
在每个所述第二凹槽中形成中间导电部;
将所述对盒基板与所述衬底基板对盒,以使所述第二凹槽中的所述中间导电部落入所述第一凹槽中,形成导电部;
其中,所述辅助电极包括至少一个位于所述第一凹槽中的所述导电部。
12.根据权利要求11所述的显示面板的制备方法,其特征在于,所述第二凹槽的容积与相应的所述导电部的电阻反相关,所述第一电极层所并联的多个所述导电部均匀分布;
所述在每个所述第二凹槽中形成中间导电部的步骤包括:
在所述第二凹槽中注入墨水,所述墨水中包括纳米金属颗粒,并使得所述第二凹槽中的纳米金属颗粒的数量与所述第二凹槽的容积正相关;
对所述墨水进行干燥,以在每个所述第二凹槽中形成所述中间导电部。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020244488A1 (zh) * | 2019-06-03 | 2020-12-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板及其制备方法和显示装置 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104091818A (zh) * | 2014-06-23 | 2014-10-08 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板、装置及其制造方法 |
CN106328676A (zh) * | 2015-06-30 | 2017-01-11 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
CN107331690A (zh) * | 2017-08-18 | 2017-11-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机电致发光显示基板及有机电致发光显示装置 |
CN108933154A (zh) * | 2017-05-26 | 2018-12-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管显示基板的制备方法、显示基板及显示装置 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7722422B2 (en) * | 2007-05-21 | 2010-05-25 | Global Oled Technology Llc | Device and method for improved power distribution for a transparent electrode |
JP2009139678A (ja) * | 2007-12-07 | 2009-06-25 | Seiko Epson Corp | 発光装置及び電子機器並びに成膜方法 |
JP5735819B2 (ja) * | 2011-02-22 | 2015-06-17 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP6231281B2 (ja) * | 2013-01-23 | 2017-11-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
KR102234829B1 (ko) * | 2014-09-01 | 2021-04-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
EP3236507B1 (en) * | 2014-12-15 | 2021-09-01 | LG Display Co., Ltd. | Organic light-emitting device |
KR102432663B1 (ko) * | 2017-11-30 | 2022-08-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시장치 |
CN109817671A (zh) * | 2019-01-28 | 2019-05-28 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板 |
US11309355B2 (en) * | 2019-04-26 | 2022-04-19 | Innolux Corporation | Display device |
CN110212114B (zh) * | 2019-06-03 | 2021-01-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板及其制备方法和显示装置 |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104091818A (zh) * | 2014-06-23 | 2014-10-08 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种有机发光显示面板、装置及其制造方法 |
CN106328676A (zh) * | 2015-06-30 | 2017-01-11 | 乐金显示有限公司 | 有机发光二极管显示装置及其制造方法 |
CN108933154A (zh) * | 2017-05-26 | 2018-12-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管显示基板的制备方法、显示基板及显示装置 |
CN107331690A (zh) * | 2017-08-18 | 2017-11-07 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机电致发光显示基板及有机电致发光显示装置 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2020244488A1 (zh) * | 2019-06-03 | 2020-12-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板、显示面板及其制备方法和显示装置 |
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WO2020244488A1 (zh) | 2020-12-10 |
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