CN106297668A - 一种有机发光二极管驱动电路、阵列基板和显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种有机发光二极管驱动电路、阵列基板和显示装置,该有机发光二极管驱动电路包括:多个驱动薄膜晶体管和多个补偿薄膜晶体管,补偿薄膜晶体管用于对驱动薄膜晶体管的阈值电压进行补偿;每一补偿薄膜晶体管对应一驱动薄膜晶体管,补偿薄膜晶体管的源电极连接一补偿信号线,漏电极与对应的驱动薄膜晶体管的漏电极连接;多个补偿薄膜晶体管分成多组,每一组包括至少两个补偿薄膜晶体管,该至少两个补偿薄膜晶体管共用栅电极和源电极,并连接同一条所述补偿信号线。本发明用于解决现有的驱动电路中,补偿信号线充电速率缓慢或充电不足,造成补偿效果差的问题。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种有机发光二极管驱动电路、阵列基板和显示装置。
背景技术
近几年来,AMOLED(有源有机发光二极管)显示装置渐渐在市场上拓展开来,其超高对比度,超薄厚度,超广色域,良好的大视角观赏体验,超快反应速度,及可超大曲率挠曲等特性,使得AMOLED显示装置有很大的潜力及市场未来。
AMOLED显示装置包括有机发光二极管阵列基板,有机发光二极管阵列基板又包括有机发光二极管以及用于驱动有机发光二极管的驱动薄膜晶体管(TFT),驱动薄膜晶体管的阈值电压(Vth)容易发生漂移,尤其是Oxide(氧化物)TFT,因而需要外部电学补偿机制补足TFT的此缺陷,使AMOLED显示装置的显示更完美。
现有的一种有机发光二极管阵列基板的电路结构请参见图1,图1中的有机发光二极管阵列基板包括:有机发光二极管OLED以及用于驱动OLED的驱动电路,该驱动电路包括:驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2和电容Cst,为了对T1的阈值电压进行补偿,该驱动电路还包括:补偿薄膜晶体管T3,T3的栅电极接Sense Scan(感应扫描)信号,源电极通过一条Sense line(补偿信号线)接Sense(感应)信号,漏电极与OLED的阳极连接。图1中,SwitchScan是开关扫描信号,Data是数据信号,OVDD为工作电压,OVSS为接地端电压,D、G、S为电路节点。
外部补偿机制需要有足够的时间以及充电速度才有最佳的补偿效果,然而随著显示装置尺寸的增加,分辨率的提升,Sense line的RC Loading也大幅上升,造成Sense line充电速率缓慢或充电不足,达不到想要的补偿效果。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种有机发光二极管驱动电路、阵列基板和显示装置,用于解决现有的有机发光二极管的驱动电路中的Sense line充电速率缓慢或充电不足,造成补偿效果差的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种有机发光二极管驱动电路,包括:
多个驱动薄膜晶体管,用于驱动有机发光二极管发光,每一驱动薄膜晶体管对应一有机发光二极管,所述驱动薄膜晶体管的源极与电源连接,漏极与对应的有机发光二极管连接;
多个补偿薄膜晶体管,用于对所述驱动薄膜晶体管的阈值电压进行补偿;其中,每一所述补偿薄膜晶体管对应一驱动薄膜晶体管,所述补偿薄膜晶体管的源电极连接一补偿信号线,所述补偿薄膜晶体管的漏电极与对应的驱动薄膜晶体管的漏电极连接;
所述多个补偿薄膜晶体管分成多组,其中,每一组包括至少两个补偿薄膜晶体管,所述至少两个补偿薄膜晶体管对应的亚像素相邻,所述至少两个补偿薄膜晶体管共用栅电极和源电极,共用的所述源电极连接同一条所述补偿信号线。
优选地,每一组包括两个补偿薄膜晶体管,属于同一组的两个补偿薄膜晶体管中,源电极位于两个补偿薄膜晶体管的漏电极之间,与两个漏电极均相对。
优选地,每一组包括四个补偿薄膜晶体管。
优选地,所述四个补偿薄膜晶体管对应的亚像素呈两行两列方式排列。
优选地,属于同一组的四个补偿薄膜晶体管中,源电极位于四个补偿薄膜晶体管的漏电极之间,与四个漏电极均相对。
优选地,属于同一组的四个补偿薄膜晶体管分别对应红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素和白色亚像素。
优选地,所述补偿薄膜晶体管的漏电极通过一电容与对应的驱动薄膜晶体管的栅电极连接。
本发明还提供一种有机发光二极管阵列基板,包括:有机发光二极管以及用于驱动所述有机发光二极管驱动电路,所述驱动电路为上述驱动电路。
本发明还提供一种有机发光二极管显示装置,包括上述有机发光二极管阵列基板。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
两个或多于两个的补偿薄膜晶体管共用栅电极和源电极,且连接同一条补偿信号线,与现有技术中多个补偿薄膜晶体管均分开设置(即补偿薄膜晶体管之间不共用栅电极,也不共用源电极)的驱动电路相比,由于源电极和栅电极的个数减少,减少了源电极和栅电极的重叠面积,减少了补偿薄膜晶体管的源电极和栅电极之间的寄生电容,同时,也减少了补偿信号线的跨线重叠面积,从而降低了补偿信号线上RC Loading中的C(电容),可提高补偿信号线的充电速度,达到预期的补偿效果。
附图说明
图1为现有技术中的有机发光二极管阵列基板的电路结构示意图;
图2为本发明一实施例的有机发光二极管驱动电路的结构示意图;
图3为本发明另一实施例的有机发光二极管驱动电路的结构示意图;
图4为现有技术的有机发光二极管阵列基板的结构示意图;
图5为本发明一实施例的有机发光二极管阵列基板的结构示意图;
图6为对图4和图5中的有机发光二极管阵列基板在sense阶段,进行sense lineRC Loading对充电能力影响的模拟仿真结果示意图;
图7为本发明另一实施例的有机发光二极管阵列基板的结构示意图;
图8为对图7和现有设计中的有机发光二极管阵列基板在sense阶段,进行senseline RC Loading对充电能力影响的模拟仿真结果示意图;
图9为本发明实施例的有机发光二极管驱动电路的驱动信号示意图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例的附图,对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
除非另作定义,此处使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“一个”或者“一”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也相应地改变。
为解决现有的有机发光二极管的驱动电路中的Sense line充电速率缓慢或充电不足,造成补偿效果差的问题,本发明实施例提供一种有机发光二极管驱动电路,包括:
多个驱动薄膜晶体管,用于驱动有机发光二极管发光,每一驱动薄膜晶体管对应一有机发光二极管,所述驱动薄膜晶体管的源极与电源连接,漏极与对应的有机发光二极管连接;
多个补偿薄膜晶体管,用于对所述驱动薄膜晶体管的阈值电压进行补偿;其中,每一所述补偿薄膜晶体管对应一驱动薄膜晶体管,所述补偿薄膜晶体管的源电极连接一补偿信号线(即Sense line),所述补偿薄膜晶体管的漏电极与对应的驱动薄膜晶体管的漏电极连接;
其中,所述多个补偿薄膜晶体管分成多组,其中,每一组包括至少两个补偿薄膜晶体管,所述至少两个补偿薄膜晶体管对应的亚像素相邻,所述至少两个补偿薄膜晶体管共用栅电极和源电极,共用的所述源电极连接同一条所述补偿信号线。
本发明实施例中,两个或多于两个的补偿薄膜晶体管共用栅电极和源电极,且连接同一条补偿信号线,与现有技术中多个补偿薄膜晶体管均分开设置(即补偿薄膜晶体管之间不共用栅电极,也不共用源电极)的驱动电路相比,由于源电极和栅电极的个数减少,减少了源电极和栅电极的重叠面积,减少了补偿薄膜晶体管的源电极和栅电极之间的寄生电容,同时,也减少了补偿信号线的跨线重叠面积,从而降低了补偿信号线上RC Loading中的C(电容),可提高补偿信号线的充电速度,达到预期的补偿效果。
本发明实施例中,优选地,栅电极、源电极和补偿信号线均采用金属采用制成。
本发明实施例中,优选地,补偿信号线与数据线平行。
上述实施例中提到的亚像素相邻,可以是在行方向上相邻,也可以是在列方向上相邻。
本发明实施例中的阵列基板包括多个亚像素,每一亚像素包括一有机发光二极管和上述驱动电路。
请参考图2,图2为本发明一实施例的有机发光二极管驱动电路的结构示意图,该实施例中,多个补偿薄膜晶体管分成多组,每一组包括两个补偿薄膜晶体管(补偿薄膜晶体管200A和补偿薄膜晶体管200B),其中,补偿薄膜晶体管200A和补偿薄膜晶体管200B对应的亚像素相邻,补偿薄膜晶体管200A和补偿薄膜晶体管200B共用栅电极201和源电极205,共用的源电极205连接同一条补偿信号线206,此外,补偿薄膜晶体管200A的漏电极204与其对应的驱动薄膜晶体管(图未示出)的漏电极连接,补偿薄膜晶体管200B的漏电极203与其对应的驱动薄膜晶体管(图未示出)的漏电极连接。
图2中,202为有源层,本发明实施例中,补偿薄膜晶体管200A和补偿薄膜晶体管200B共用有源层202,当然在本发明的其他一些实施例中,补偿薄膜晶体管200A和补偿薄膜晶体管200B也可以不共用有源层,即两个薄膜晶体管的有源层可分开设置。
本发明实施例中,两个补偿薄膜晶体管共用一栅电极和一源电极,且连接同一条补偿信号线,与现有技术中多个补偿薄膜晶体管均分开设置(即补偿薄膜晶体管之间不共用栅电极,也不共用源电极)的驱动电路相比,由于源电极和栅电极的个数减少,减少了源电极和栅电极的重叠面积,补偿薄膜晶体管的源电极和栅电极之间的寄生电容减少了一半,同时,也减少了补偿信号线的跨线重叠面积,从而降低了补偿信号线上RC Loading中的C(电容),可提高补偿信号线的充电速度,达到预期的补偿效果。
本发明实施例中,属于同一组的两个补偿薄膜晶体管和补偿薄膜晶体管中,源电极位于两个补偿薄膜晶体管的漏电极之间,与两个漏电极均相对,从而可保证两个补偿薄膜晶体管的良好工作。优选地,源电极距离两个补偿薄膜晶体管的漏电极的距离相同。
请参考图3,图3为本发明另一实施例的有机发光二极管驱动电路的结构示意图,该实施例中,多个补偿薄膜晶体管分成多组,每一组包括四个补偿薄膜晶体管(补偿薄膜晶体管200A、补偿薄膜晶体管200B、补偿薄膜晶体管200C和补偿薄膜晶体管200D),其中,补偿薄膜晶体管200A、补偿薄膜晶体管200B、补偿薄膜晶体管200C和补偿薄膜晶体管200D对应的亚像素相邻,补偿薄膜晶体管200A、补偿薄膜晶体管200B、补偿薄膜晶体管200C和补偿薄膜晶体管200D共用栅电极201和源电极205,共用的源电极205连接同一条补偿信号线206,此外,四个补偿薄膜晶体管对应的漏电极(漏电极203、漏电极204、漏电极207和漏电极208)均与其对应的驱动薄膜晶体管(图未示出)的漏电极连接。
图3中,202为有源层,本发明实施例中,补偿薄膜晶体管200A和补偿薄膜晶体管200B共用有源层202A,补偿薄膜晶体管200C和补偿薄膜晶体管200D共用有源层202B,当然,在本发明的其他一些实施例中,四个补偿薄膜晶体管的有源层也可以为其他类型的设置,例如,四个补偿薄膜晶体管均不共用有源层,或者,四个补偿薄膜晶体管共用一有源层,又或者,补偿薄膜晶体管200A和补偿薄膜晶体管200D共用有源层,补偿薄膜晶体管200B和补偿薄膜晶体管200C共用有源层。
本发明实施例中,四个补偿薄膜晶体管共用一栅电极和一源电极,且连接同一条补偿信号线,与现有技术中多个补偿薄膜晶体管均分开设置(即补偿薄膜晶体管之间不共用栅电极,也不共用源电极)的驱动电路相比,由于源电极和栅电极的个数减少,减少了源电极和栅电极的重叠面积,补偿薄膜晶体管的源电极和栅电极之间的寄生电容减少了四分之三,同时,也减少了补偿信号线的跨线重叠面积,从而降低了补偿信号线上RC Loading中的C(电容),可提高补偿信号线的充电速度,达到预期的补偿效果。
本发明实施例中,属于同一组的四个补偿薄膜晶体管中,源电极位于四个补偿薄膜晶体管的漏电极之间,与四个漏电极均相对,从而保证四个补偿薄膜晶体管均可良好地工作。优选地,源电极与四个漏电极之间的距离相同。
优选地,本发明实施例中,属于同一组的四个补偿薄膜晶体管对应的亚像素呈两行两列方式排列。
进一步优选地,本发明实施例中,属于同一组的四个补偿薄膜晶体管分别对应红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素和白色亚像素。
本发明实施例中的每一亚像素的驱动电路的整体结构可参见附图1,与现有技术所不同的是,补偿薄膜晶体管T3与相邻的亚像素的驱动电路中的补偿薄膜晶体T3共用栅电极和源电极。
本发明实施例还提供一种有机发光二极管阵列基板,包括:有机发光二极管以及用于驱动所述有机发光二极管驱动电路,所述驱动电路为上述任一实施例中的驱动电路。
本发明实施例还提供一种有机发光二极管显示装置,包括上述有机发光二极管阵列基板。
请参考图4和图5,图4为现有技术的一有机发光二极管阵列基板的结构示意图,图5为本发明一实施例的有机发光二极管阵列基板的结构示意图。
图4和图5中的有机发光二极管阵列基板均包括多个有机发光二极管(OLED)以及用于驱动OLED的驱动电路,该驱动电路包括:驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、电容Cst和补偿薄膜晶体管T3,补偿薄膜晶体管T3的栅电极接Sense Scan(感应扫描)信号,源电极通过Sense line(补偿信号线)接Sense(感应)信号,漏电极与对应的OLED的阳极连接。图4和图5中,Switch Scan是开关扫描信号,Data是数据信号,OVDD为工作电压,其电路具体连接关系请参见图1。
从图4中可以看出,现有设计中,每一有机发光二极管对应一补偿薄膜晶体管T3,每一补偿薄膜晶体管T3包括栅电极401、有源层402、源电极403和漏电极404,各个有机发光二极管对应的补偿薄膜晶体管T3各自独立。
从图5中可以看出,本发明实施例中,每一有机发光二极管对应一补偿薄膜晶体管T3,每一补偿薄膜晶体管T3包括栅电极501、有源层502、源电极503和漏电极504。多个补偿薄膜晶体管T3分成多组,每一组包括两个补偿薄膜晶体管T3,属于同一组的两个补偿薄膜晶体管T3共用源电极503和栅电极501,且源电极503连接同一条补偿信号线。图5中,位于sense line左侧的两个补偿薄膜晶体管T3属于同一组,位于sense line右侧的两个补偿薄膜晶体管T3属于同一组。
对比图4和图5可以看出,本发明实施例中,由于源电极和栅电极的个数减少,从而减少了源电极和栅电极的重叠面积,补偿薄膜晶体管的源电极和栅电极之间的寄生电容减少了一半,同时,也减少了补偿信号线的跨线重叠面积,从而降低了补偿信号线上RCLoading中的C(电容),可提高补偿信号线的充电速度,达到预期的补偿效果。
请参考图6,图6为对图4和图5中的有机发光二极管阵列基板在sense阶段,进行sense line RC Loading对充电能力影响的模拟仿真结果示意图,图6中,横坐标为补偿时间(Sense time),纵坐标为补偿电压(Sense V),C为sense line的电容,从图6中可以看出,本发明实施例的有机发光二极管显示装置能够大大增加sense line充电速率,得到更好的补偿效果。
请参考图7,图7为本发明另一实施例的有机发光二极管阵列基板的结构示意图。
图7中的有机发光二极管阵列基板包括多个有机发光二极管(OLED)以及用于驱动OLED的驱动电路,该驱动电路包括:驱动薄膜晶体管T1、开关薄膜晶体管T2、电容Cst和补偿薄膜晶体管T3,补偿薄膜晶体管T3的栅电极接Sense Scan(感应扫描)信号,源电极通过Sense line(补偿信号线)接Sense(感应)信号,漏电极与对应的OLED的阳极连接。图7中,Switch Scan是开关扫描信号,Data是数据信号,OVDD为工作电压,其电路具体连接关系请参见图1。
从图7中可以看出,本发明实施例中,每一有机发光二极管对应一补偿薄膜晶体管T3,每一补偿薄膜晶体管T3包括栅电极501、有源层502、源电极503和漏电极504。多个补偿薄膜晶体管T3分成多组,每一组包括四个补偿薄膜晶体管T3,属于同一组的四个补偿薄膜晶体管T3共用源电极803和栅电极801,且源电极803连接同一条补偿信号线。
图7所示的有机发光二极管阵列基板中,每一有机发光二极管对应一亚像素,图7示出的四个有机发光二极管分别对应R、G、B、W四个亚像素。
对比图7可以看出,本发明实施例中,由于源电极和栅电极的个数减少,从而减少了源电极和栅电极的重叠面积,补偿薄膜晶体管的源电极和栅电极之间的寄生电容减少了四分之三,同时,也减少了补偿信号线的跨线重叠面积,从而降低了补偿信号线上RCLoading中的C(电容),可提高补偿信号线的充电速度,达到预期的补偿效果。
请参考图8,图8为对图7和现有设计中的有机发光二极管阵列基板的在sense阶段,进行sense line RC Loading对充电能力影响的模拟仿真结果示意图,图8中,横坐标为补偿时间(Sense time),纵坐标为补偿电压(Sense V),C为sense line的电容,从图8中可以看出,本发明实施例的有机发光二极管显示装置能够大大增加sense line充电速率,得到更好的补偿效果。
下面对本发明实施例中的有机发光二极管驱动电路的工作过程进行简单说明。本发明实施例中的有机发光二极管驱动电路的连接关系可参见图1,如图9所示,该种驱动电路的工作过程一般分为三个阶段:Sense阶段,Compensation(补偿)阶段,和Emission(发光)阶段,在Sense阶段:打开G1,G2对sense TFT充电,Compensation阶段:根据sense结果调整data值,完成补偿,Emission阶段:充电至设定的Vgs,关闭G1,G2然后发光。图9中,V_BLANKING是指显示屏在一个周期内有一小段时间是不发光的阶段,ACTIVE AREA是指正常发光阶段,G1(n)是G1波型,G2(n)是G2波型,VGm是Data电压的最大值,VG0是Data电压的最小值,TR是指Reset Time,Tc是指Charging Time,TH是指Holding Time,VSENSE是指senseFloating时被充电充到的值,VREFL是指sense非Floating时,输入的参考电压,通常接地。
以上所述是本发明的优选实施方式,应当指出,对于本技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明所述原理的前提下,还可以作出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种有机发光二极管驱动电路,其特征在于,包括:
多个驱动薄膜晶体管,用于驱动有机发光二极管发光,每一驱动薄膜晶体管对应一有机发光二极管,所述驱动薄膜晶体管的源极与工作电压连接,漏极与对应的有机发光二极管连接;
多个补偿薄膜晶体管,用于对所述驱动薄膜晶体管的阈值电压进行补偿;其中,每一所述补偿薄膜晶体管对应一驱动薄膜晶体管,所述补偿薄膜晶体管的源电极连接一补偿信号线,所述补偿薄膜晶体管的漏电极与对应的驱动薄膜晶体管的漏电极连接;
所述多个补偿薄膜晶体管分成多组,其中,每一组包括至少两个补偿薄膜晶体管,所述至少两个补偿薄膜晶体管对应的亚像素相邻,所述至少两个补偿薄膜晶体管共用栅电极和源电极,共用的所述源电极连接同一条所述补偿信号线。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管驱动电路,其特征在于,每一组包括两个补偿薄膜晶体管,属于同一组的两个补偿薄膜晶体管中,源电极位于两个补偿薄膜晶体管的漏电极之间,与两个漏电极均相对。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管驱动电路,其特征在于,每一组包括四个补偿薄膜晶体管。
4.根据权利要求3所述的有机发光二极管驱动电路,其特征在于,所述四个补偿薄膜晶体管对应的亚像素呈两行两列方式排列。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管驱动电路,其特征在于,属于同一组的四个补偿薄膜晶体管中,源电极位于四个补偿薄膜晶体管的漏电极之间,与四个漏电极均相对。
6.根据权利要求4或5所述的有机发光二极管驱动电路,其特征在于,属于同一组的四个补偿薄膜晶体管分别对应红色亚像素、绿色亚像素、蓝色亚像素和白色亚像素。
7.根据权利要求1所述的有机发光二极管驱动电路,其特征在于,所述补偿薄膜晶体管的漏电极通过一电容与对应的驱动薄膜晶体管的栅电极连接。
8.一种有机发光二极管阵列基板,其特征在于,包括:有机发光二极管以及用于驱动所述有机发光二极管驱动电路,所述驱动电路为如权利要求1-7任一项所述的驱动电路。
9.一种有机发光二极管显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所示的有机发光二极管阵列基板。
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