CN103226268A - 一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置 - Google Patents

一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明涉及液晶显示技术领域，公开了一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置。所述阵列基板包括：基板；设置在所述基板上的第一透明导电层；设置在所述第一导电层上的绝缘层；设置在所述绝缘层上且与所述第一透明导电层形成水平电场的第二透明导电层；所述第二透明导电层包括多条透明电极，相邻透明电极之间具有狭缝结构，且所述每个透明电极的两端分别具有弯折结构。本发明有益效果如下：通过透明电极采用弯折结构，使得透明电极两端的电场与中间电场形成强弱互补的关系，阻挡了数据线形成的侧电场对正常显示区域液晶分子的影响，使液晶显示面板在显示时，液晶分子的光透过率保持一致，从而提高了液晶显示面板的显示效果。

Description

一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及到一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置。
背景技术
在平板显示装置中，薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor LiquidCrystal Display，简称TFT-LCD）具有体积小、功耗低、制造成本相对较低和无辐射等特点，在当前的平板显示器市场占据了主导地位。目前，TFT-LCD的显示模式主要有TN（Twisted Nematic，扭曲向列）模式、VA（Vertical Alignment，垂直取向）模式、IPS（In-Plane Switching，平面方向转换）模式和AD-SDS（ADvanced Super Dimension Switch，高级超维场转换，简称ADS）模式等。
其中，ADS模式是平面电场宽视角核心技术-高级超维场转换技术（ADvanced Super Dimension Switch），其核心技术特性描述为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（push Mura）等优点。针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。
如图1所示，图1为现有技术中阵列基板的俯视图，现有ADS模式的阵列基板上形成有栅线31和数据线30，相邻的栅线31和数据线30限定了亚像素区，每一个亚像素区内形成有一个薄膜晶体管（TFT）、条形公共电极32和像素电极33，公共电极32与像素电极33之间为绝缘层（俯视图未示出）。在无电压时，公共电极32和像素电极33之间无电场，位于阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子34不发生偏转；当施加电压时，公共电极32和像素电极33之间形成水平电场，液晶分子34沿着电场的方向发生偏转，在宽视角的前提下，实现了较高的透光效率。
现有技术的缺陷在于，如图2所示，图2为现有技术中的液晶显示面板的显示效果图，由于ADS模式的液晶显示面板20中像素单元的液晶分子受到数据线产生的侧向电场的影响，导致像素单元边缘的液晶分子不规则排列、当液晶显示面板受到外力的情况下（指压/指划等），边缘不规则的液晶分子会带动像素区域电场相对较弱部分的液晶分子排列发生变化，最终表现为液晶显示面板上的压痕或划痕不消失的现象。
发明内容
本发明提供了一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置，用以提高液晶显示面板的显示效果。
本发明提供了一种阵列基板，包括：
基板；
设置在所述基板上的第一透明导电层；
设置在所述第一导电层上的绝缘层；
设置在所述绝缘层上且与所述第一透明导电层形成水平电场的第二透明导电层；所述第二透明导电层包括多条透明电极，相邻透明电极之间具有狭缝结构，且所述每个透明电极的两端分别具有弯折结构。
优选的，所述任两个透明电极的宽度相同，且任两个狭缝结构的宽度相同。
优选的，所述透明电极两端的弯折结构的弯折方向相同。
优选的，每个透明电极的两个弯折结构端部的顶点连线位于一对相邻两个透明电极之间时，为该一对相邻两个透明电极之间狭缝结构的中心线。
优选的，所述多条透明电极呈两两对称的八字形辐射排列。
优选的，所述第一透明导电层为像素电极，所述第二透明导电层为公共电极。
优选的，所述第一透明导电层为公共电极，所述第二透明导电层为像素电极。
本发明还提供了一种液晶显示面板，包括上述任一种阵列基板。
本发明还提供了一种显示装置，包括上述任一种阵列基板。
本发明有益效果如下：通过透明电极采用弯折结构，使得透明电极两端的电场与中间电场形成强弱互补的关系，阻挡了数据线形成的侧电场对正常显示区域液晶分子的影响，使液晶显示面板在显示时，液晶分子的光透过率保持一致，从而提高了液晶显示面板的显示效果。
附图说明
图1为现有技术中阵列基板的俯视图；
图2为现有技术中的液晶显示面板的显示效果图；
图3为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图4为透明电极端部的弯折结构示意图。
附图标记：
10-基板              11-第一透明导电层      12-绝缘层
13-第二透明导电层    14-透明电极            15-狭缝结构
16-弯折结构          20-液晶显示面板        21-暗线
30-数据线            31-栅线                32-公共电极
33-像素电极          34-液晶分子
具体实施方式
为了提高液晶显示面板的显示效果，本发明实施例提供了一种阵列基板、液晶显示面板及显示装置。在本发明的技术方案中，通过透明电极两端采用弯折结构，使得透明电极两端的电场与中间电场形成强弱互补的关系，阻挡了数据线形成的侧电场对正常显示区域液晶分子的影响，从而提高了液晶显示面板的显示效果。为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，以下举实施例对本发明作进一步详细说明。
如图3和图4所示，图3为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图，图4为透明电极端部的弯折结构的结构示意图。
本发明实施例提供的一种阵列基板，包括：
基板10；
设置在所述基板10上的第一透明导电层11；
设置在所述第一导电层11上的绝缘层12；
设置在所述绝缘层12上且与所述第一透明导电层11形成水平电场的第二透明导电层13；所述第二透明导电层13包括多条透明电极14，相邻透明电极14之间具有狭缝结构15，且所述每个透明电极14的两端分别具有弯折结构16。
本发明实施例提供的阵列基板在液晶显示面板显示画面时的工作原理为：
当阵列基板通电开始工作时，第二透明导电层13与第一透明导电层11在狭缝结构15之间形成水平电场，从而使设置在阵列基板上方的液晶分子在水平电场中发生偏转，在通电时，设置在阵列基板上的数据线也会产生侧电场，从而对位于边缘的液晶分子的偏转造成影响，此时，增设的弯折结构16与第一透明导电层11形成的水平电场与中间电场形成强弱互补的关系，边缘弯折区域电场相对较强的位置与正常显示区域电场相对较弱的位置处于同一水平线上，从而阻止了数据线产生的侧电场对正常显示区域液晶分子的影响，使液晶分子保持一致的偏转，从而使整个液晶层中液晶分子的光透过率保持一致。
在本发明实施例提供的阵列基板，增设的弯折结构16与第一透明导电层11形成的水平电场与中间电场形成强弱互补的关系，抵消了数据线形成的侧电场对边缘液晶分子的影响，从而保证了整个液晶层中的液晶分子的光透过率保持一致，提高了液晶显示面板的显示效果。
在上述实施例中，透明电极14两端弯折结构16的弯折方向可以保持一致，也可以选择不同，只需保证形成的弯折结构16与第一透明导电层11形成的水平电场能够抵消数据线形成的侧电场对边缘液晶分子的影响即可，较佳的，所述透明电极14两端的弯折结构16的弯折方向相同，在生产阵列基板时便于弯折结构16的刻蚀。
在上述实施例中，为了进一步降低数据线产生的侧电场对边缘液晶分子的影响，优选的，每个透明电极14的两个弯折结构16端部的顶点连线位于一对相邻两个透明电极14之间时，为该一对相邻两个透明电极14之间狭缝结构15的中心线。保证了弯折区域电场相对较强的位置与正常显示区域电场相对较弱的位置处于同一水平线上，从而能够抵消数据线形成的侧电场对显示区域液晶分子的影响。
在上述实施例中，多条透明电极14的排列方式可以选择多种，较佳的，所述多条透明电极14呈两两对称的八字形辐射排列，采用比较常用的八字形辐射排列，最大限度的降低了本发明实施例对生产条件的要求，便于本发明实施例的生产。
在上述实施例中，为了使位于阵列基板形成的电场比较均匀，从而使位于阵列基板上方的液晶分子在受到电场影响时偏转方向保持一致，较佳的，所述任两个透明电极14的宽度相同，且任两个狭缝结构15的宽度相同。此外，采用此种结构在生产阵列基板时还便于透明电极14的刻蚀生成。
在图3所示的实施例中，所述第一透明导电层11为像素电极，所述第二透明导电层13为公共电极，所述绝缘层12设置在公共电极下方，在本实施例中，公共电极具有多个狭缝结构15，且公共电极中的每个单个电极的两端分别具有弯折结构16。
在本发明另一实施例中，所述第一透明导电层11为公共电极，所述第二透明导电层13为像素电极，所述绝缘层12在像素电极下方，则在本实施例中，像素电极具有多个狭缝结构15，且像素电极中的单个电极的两端分别具有弯折结构16。
本发明实施例还提供了一种液晶显示面板，包括上述任一种阵列基板，以及设置在阵列基板上的液晶层，通过增设的弯折结构16与第一透明导电层11形成的水平电场与中间电场形成强弱互补的关系，边缘弯折区域电场相对较强的位置与正常显示区域电场相对较弱的位置处于同一水平线上，从而阻止了数据线产生的侧电场对正常显示区域液晶分子的影响，使液晶分子保持一致的偏转，从而提高了液晶显示面板具有较佳的显示效果。
本发明实施例还提供了一种显示装置，包括上述任一种阵列基板，通过增设的弯折结构16与第一透明导电层11形成的水平电场与中间电场形成强弱互补的关系，边缘弯折区域电场相对较强的位置与正常显示区域电场相对较弱的位置处于同一水平线上，从而阻止了数据线产生的侧电场对正常显示区域液晶分子的影响，使液晶分子保持一致的偏转，提高了显示装置具有较佳的显示效果。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (9)

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
基板；
设置在所述基板上的第一透明导电层；
设置在所述第一导电层上的绝缘层；
设置在所述绝缘层上且与所述第一透明导电层形成水平电场的第二透明导电层；所述第二透明导电层包括多条透明电极，相邻透明电极之间具有狭缝结构，且所述每个透明电极的两端分别具有弯折结构。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述任两个透明电极的宽度相同，且任两个狭缝结构的宽度相同。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述透明电极两端的弯折结构的弯折方向相同。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述每个透明电极的两个弯折结构端部的顶点连线位于一对相邻两个透明电极之间时，为该一对相邻两个透明电极之间狭缝结构的中心线。
5.如权利要求1～4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述多条透明电极呈两两对称的八字形辐射排列。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明导电层为像素电极，所述第二透明导电层为公共电极。
7.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，所述第一透明导电层为公共电极，所述第二透明导电层为像素电极。
8.一种液晶显示面板，其特征在于，包括如权利要求1～7任一项所述的阵列基板。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1～7任一项所述的阵列基板。
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