KR20020030897A - 레이저 화학증착장비를 이용한 원 픽셀 리페어 방법 - Google Patents
레이저 화학증착장비를 이용한 원 픽셀 리페어 방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20020030897A KR20020030897A KR1020000061253A KR20000061253A KR20020030897A KR 20020030897 A KR20020030897 A KR 20020030897A KR 1020000061253 A KR1020000061253 A KR 1020000061253A KR 20000061253 A KR20000061253 A KR 20000061253A KR 20020030897 A KR20020030897 A KR 20020030897A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- pixel
- data line
- thin film
- film transistor
- pixel electrode
- Prior art date
Links
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 230000008439 repair process Effects 0.000 title claims description 13
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 17
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 13
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims description 8
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 238000005282 brightening Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000003313 weakening effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/1306—Details
- G02F1/1309—Repairing; Testing
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136259—Repairing; Defects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/03—Manufacturing methods
- H01L2224/034—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bonding area
- H01L2224/03444—Manufacturing methods by blanket deposition of the material of the bonding area in gaseous form
- H01L2224/03452—Chemical vapour deposition [CVD], e.g. laser CVD
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
Abstract
본 발명은 TV용 LCD에 있어서, 특히 정상적인 화이트 모드에서의 화이트 픽셀 결함에 대한 리페어가 가능하도록 한 것으로, 본 발명에 따른 레이저 화학증착장비를 이용한 원 픽셀 리페어 방법은, 서로 교차되는 게이트라인 및 데이터라인에 의해 형성되는 화소전극과; 상기 데이터라인 및 게이트라인에 연결됨과 동시에 상기 화소전극과 연결되는 화소 구동용 박막 트랜지스터를 포함하는 액정표시소자에 있어서, 상기 박막 트랜지스터가 연결되는 화소전극의 특정 부위가 오픈될 경우, 상기 부위만 레이저 화학증착장비로 금속패턴을 상층에 형성하여 화소전극을 박막 트랜지스터에 전기적으로 쇼트시켜 리페어하는 것을 특징으로 한다.
여기서, 상기 박막 트랜지스터가 불량이 발생할 경우 상기 박막 트랜지스터에 연결되는 화소전극과 데이터 라인을 레이저를 이용하여 통과공을 가공한 후, 상기 통과공으로 레이저 화학증착장비로 금속패턴을 형성하여 데이터 라인과 화소전극을 전기적으로 쇼트시켜 주는 것을 특징으로 한다.
이 같은 본 발명에 의하면, 액정표시소자의 원픽셀(One pixel) 오픈 영역에서의 결함 발생시 레이저 화학증착장비(CVD)를 이용하여 국소적인 부분에만 금속패턴을 형성하여 줌으로써, 액정표시소자의 구동시 휘점 불량을 약하게 함과 아울러, 불량율을 낮추어 생산 단가를 줄일 수 있도록 한 것이다.
Description
본 발명은 TV용 액정표시소자(LCD)의 원 픽셀(one pixel)에 있어서, 특히 픽셀의 특정 부위의 결점 발생시 레이저 화학증착장비(CVD)를 이용하여 금속패턴으로 전기적으로 연결해 줄 수 있도록 한 레이저 화학증차장비를 이용한 원 픽셀 리페어 방법에 관한 것이다.
일반적으로, TFT-LCD는 고개구율, 광시야각, 저소비전력등과 함께 대형화가 중요한 발전방향으로 자리잡고 있다. 이러한 TFT-LCD를 대형화하는데 있어서, TFT 구동능력, 액정 동작전압 및 높은 비저항의 유지등이 요구되고 있다.
도 1은 액정표시장치의 원 픽셀을 보인 도면으로서, 서로 교차하는 게이트 라인(10)과 데이터 라인(20)이 배열되고, 상기 게이트 라인(10) 및 데이터 라인(20)에 의해 만들어지는 화소영역에는 투명도전막으로 된 화소전극(30)이 형성되고, 게이트 라인(10)과 데이터 라인(20)이 교차하는 부분에는 박막 트랜지스터(40)가 형성된다.
이러한 원 픽셀은 일정개의 단위 픽셀이 모여 이루어지는 메인 픽셀이다.
상기와 같은 액정표시소자에 있어서, 박막 트랜지스터(40)에 불량이 발생하지 않아 정상적으로 동작을 하는 경우에는 상기 박막 트랜지스터(40)를 통해 상기 화소전극(30)에 전압이 인가됨으로써, 박막 트랜지스터(40)는 정상적으로 동작하게 된다.
그러나, 상기와 같은 박막 트랜지스터(40)의 불량 또는 해당 셀이 오픈(OPEN)될 경우 박막 트랜지스터(40)를 통해 화소전극(30)으로 전압이 인가되지않고, 이에 따라 불량이 발생한 박막 트랜지스터(40)에 대응하는 해당 화소전극(30)은 항상 화이트 픽셀(White pixel)로 존재하게 된다. 즉, 화이트 픽셀 결함이 발생하게 되고, 항상 밝은 휘점으로 남아있게 된다.
이런 경우 종래에는 해당 픽셀을 재 증착과정, 식각과정, 에칭과정, 스트립, 세정과정을 다시 거치게 된다.
이러한 박막 트랜지스터의 결함은 각 제조회사 마다 1내지 8개정도 발생하게 되는데, 각 박막트랜지스터에 대해 상기 과정을 거칠 경우 제품 양산에 많은 손해를 가져오게 된다.
한편, 또 다른 원 픽셀 리페어 방법으로는 도 2를 참조하여 설명하면, 박막 트랜지스터(40)의 불량이 발생한 경우 일정한 게이트 라인(30)과 나란하게 게이트 패턴(50)을 형성시켜 주어, 데이터 라인(20)과 화소전극(30) 사이를 연결시켜 준다.
즉, 데이터 라인(20)과 화소전극(30)을 연결부위를 레이저(laser) 용접된 게이트 패턴(50)을 통해 쇼트시켜 주어, 화소전극(30)에는 데이터 라인(20)으로부터 게이트 패턴(50)을 통해 전압이 인가되어 평균전압이 걸리게 됨으로써, 액정표시소자의 약 휘점화가 가능하게 된다.
그러나, 상기와 같이 데이터 라인과 화소전극 사이에 게이트 패턴을 추가 형성해 줌으로써, 그 부분에서의 기생용량이 증가하는 문제가 있다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 화소전극 사이의 픽셀 오픈시 레이저 화학증착장비를 이용한 금속패턴을 이용하여 화소영역 상층에 전기적으로 연결해 줄 수 있도록 한 것이다.
또, 박막 트랜지스터의 전기적인 불량 발생시 데이터 라인과 화소전극 사이를 레이저 화학증착장비를 이용하여 금속패턴을 형성해 줌으로써, 불량 부위만 국소적으로 리페어할 수 있도록 한 레이저 화학증착장비를 이용한 원픽셀 리페어 방법을 제공함에 그 목적이 있다.
도 1은 종래 픽셀 오픈시 픽셀 재 증착을 위한 원 픽셀 평면도.
도 2는 종래 약 휘점화시 게이트 패턴을 데이터 라인과 화소 픽셀 사이에 형성하여 웰딩한 원 픽셀 평면도.
도 3은 본 발명에 따른 제 1실시예로서, (a)는 원픽셀 오픈시 리페어 방법을 보인 원픽셀 평면도이고 (b)는 도 3a의 A-A'단면도.
도 4는 본 발명에 따른 제 2실시예로서, (a)는 약 휘점화 리페어 방법을 보인 원픽셀 평면도이고, (b)는 도 4a의 B-B'단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10,110,210...게이트라인20,120,220...데이터라인
30,130,230...화소전극40,140,240...박막 트랜지스터
150,250...금속패턴111,211...게이트 전극
121,221...소스/드레인 전극160,260...글래스 기판
170,270...유전 방지막180...보호막
상기한 목적 달성을 위한, 본 발명에 따른 레이저 화학증착장비를 이용한 원픽셀 리페어 방법은, 서로 교차하는 게이트 라인과 데이터 라인과; 상기 데이터 라인 및 게이트 라인에 의해 만들어지는 화소영역에 형성된 화소전극과; 상기 데이터 라인 및 게이트 라인에 연결됨과 동시에 상기 화소전극과 연결되는, 화소 구동용 박막 트랜지스터를 포함하는 원 픽셀로 이루어진 액정 표시소자에 있어서,
상기 박막 트랜지스터가 연결되는 화소전극의 특정 부위가 오픈될 경우, 상기 부위만 레이저 화학증착장비로 금속패턴을 이용하여 상층에 형성시켜, 화소전극을 박막 트랜지스터에 전기적으로 쇼트시켜 리페어하는 것을 특징으로 한다.
그리고, 박막 트랜지스터가 불량이 발생할 경우 상기 박막 트랜지스터에 연결되는 화소전극과 데이터 라인을 레이저를 이용하여 통과공을 가공한 후, 상기 통과공으로 레이저 화학증착장비로 금속패턴을 형성하여 데이터 라인과 화소전극을 전기적으로 쇼트시켜 주는 것을 특징으로 한다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명을 설명하면 다음과 같다.
도 3의 (a)(b)는 본 발명에 따른 픽셀 오픈시 리페어 방법을 보인 평면 및 그 A-A'단면도이고, 도 4의 (a)(b)는 본 발명에 따른 약 휘점화시 리페어 방법을 보이기 위한 원 픽셀의 평면 및 그 B-B'단면도이다.
도 3을 참조하면, 서로 교차하는 게이트 라인(110) 및 데이터 라인(120), 상기 게이트 라인(110) 및 데이터 라인(120)에 의해 만들어지는 화소영역에 형성된 화소전극(130), 상기 게이트 라인(110) 및 데이터 라인(120)에 연결됨과 동시에 상기 화소전극과 연결되는 화소 구동용 박막 트랜지스터(140)로 이루어진 원 픽셀에 있어서, 박막 트랜지스터(140)의 드레인 전극과 화소전극(130) 사이에 레이저 화학증차장비를 이용하여 금속패턴(150)을 선택적으로 국소부위에 웰딩해 준 구조이다.
여기서, 글래스 기판(160)상에 적층되는 게이트 전극(111)은 게이트 라인(110)으로부터 분기되고, 소스/드레인 전극(121)은 데이터 라인(120)으로부터 분기되며, 상기 소스/드레인 전극(121) 상에는 유전 방지막(170) 및 보호막(180)이 형성된 구조이다.
도 4를 참조하면, 게이트 라인(210) 및 데이터 라인(220), 화소전극(230), 박막 트랜지스터(240), 글래스 기판(260) 상에 게이트 라인(210)으로부터 분기된 게이트 전극(211) 및 데이터 라인(220)으로부터 분기된 소스/드레인 전극(221)을 적층시킨 원 픽셀에 있어서, 박막 트랜지스터 불량시 데이터 라인(220)과 화소전극(230) 사이를 레이저 화학증착장비(laser CVD)를 이용하여 금속패턴(250)을 웰딩해 준 구조이다.
상기와 같이 구성되는 본 발명에 따른 원픽셀 리페어 방법에 대하여 첨부된 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.
도 3의 (a)(b)를 참조하면, 글래스 기판(160)상에 게이트 라인(110) 및 데이터 라인(120)을 서로 교차하게 적층하고, 상기 게이트 라인(110)과 드레인 라인(120) 상에 유전체 방지막(170)을 적층해 준다.
그리고, 상기 게이트 라인(110)과 데이터 라인(120)에 의해 만들어지는 화소영역에 형성된 화소전극(130)을 적층하여 원 픽셀 액정표시소자가 만들어진다.
여기서, 게이트 라인(110)과 드레인 라인(120)이 서로 교차점 부근에 배치되는 박막 트랜지스터(140)는 게이트 라인(110)으로부터 분기된 게이트전극(111) 및 데이터 라인(120)으로부터 분기된 소스/드레인 전극(121)을 포함하게 된다.
이러한 원 픽셀 박막트랜지스터(140)를 통해서 화소전극(130)에 전압이 공급되면 화소전극(130)은 정상적으로 동작하게 된다.
그러나, 박막 트랜지스터(140)를 형성하는 톱니 모양의 드레인 전극과 화소전극(130) 사이가 오픈(OPEN) 즉, 하부 레이어(게이트 전극, 소스/드레인 전극) 단차부분이 오픈되는 경우, 박막 트랜지스터(140)를 통해서 화소전극(130)에 전압이 인가되지 않고 이에 따라 불량이 발생한 박막 트랜지스터(140)에 대응하는 해당 화소전극(130)은 항상 화이트 픽셀로 존재하게 된다.
이러한 불량(픽셀 오픈)이 발생할 경우 레이저 화학증착장비를 이용하여 금속패턴(150)을 도 3의 (b)와 같이 그 픽셀의 상층에 형성해 줌으로써, 박막 트랜지스터(140)와 화소전극(130) 사이를 전기적으로 쇼트시켜 준다. 즉, 레이저 화학증착장비를 이용하여 픽셀이 오픈된 영역에만 국소적으로 금속패턴(150)을 형성하는 리페어(Repair) 방법으로 약 휘점(輝點)화하여 포인트 결점에 대한 수율 저하를 최소화하게 된다.
한편, 도 4의 (a)(b)를 참조하면, 글래스 기판(260)상에 게이트 라인(210) 및 데이터 라인(220)을 서로 교차하게 적층하고, 상기 게이트 라인(210)과 데이터 라인(220) 상에 유전 방지막(270)을 적층하게 된다.
여기서, 게이트 라인(210)과 드레인 라인(220)이 서로 교차점 부근에 배치되는 박막 트랜지스터(240)는 게이트 라인(210)으로부터 분기된 게이트전극(211) 및 데이터 라인(220)으로부터 분기된 소스/드레인전극(221)에 의해 화소전극에 구동용 전압을 공급한다.
그리고, 상기 게이트 라인(210)과 데이터 라인(220)에 의해 만들어지는 화소영역에 형성된 화소전극(230)을 적층해 줌으로써, 원 픽셀 액정표시소자가 만들어지면, 박막 트랜지스터(240)를 통해서 화소전극(230)에 전압이 공급되어, 화소전극(230)이 정상적으로 동작하게 된다.
그러나, 박막 트랜지스터(240)에 불량이 발생하는 경우, 박막 트랜지스터(240)를 통해서 화소전극(230)에 전압이 인가되지 않고 이에 따라 불량이 발생한 박막 트랜지스터(240)에 대응하는 해당 화소전극(230)은 항상 화이트 픽셀(white pixel)로 존재하게 된다.
이를 해결하기 위해서, 데이터 라인(220)과 화소전극(230) 사이를 연결시켜 주는데, 먼저 레이저를 이용하여 통과공(미도시)을 가공하고, 레이저 화학증착장비를 이용하여 금속패턴을 상기 통과공에 형성해 줌으로써, 데이터 라인(220)과 화소전극(230)이 쇼트상태가 된다.
이에 따라 화소전극(230)에는 항상 데이터 라인(220)으로부터 전압이 인가됨에 따라 평균전압이 걸리게 되어, 화이트 모드(white mode)에서의 화이트 픽셀 결함은 발생하지 않고 불량이 난 화소는 평균전압이 인가됨에 따라 항상 중간 계조의 멸점이 된다.
그러므로, 사람의 눈에는 화이트 픽셀 결점에 비해 상대적으로 덜 인식되게 되어 화이트 픽셀 결함에 의한 화질저하 및 수율 저하를 방지한다.
이상에서 설명한 바와 같이, 본 발명은 액정표시소자의 원 픽셀에 있어서 특정 포인트 결점 발생시 레이저 화학증착장비를 이용한 금속패턴으로 리페어함으로써, 액정표시소자를 약 휘점화하고, TV 모델 개발에 따른 포인트 결점에 의한 수율 저하를 최소화할 수 있고, 픽셀 오픈 불량을 전기적으로 연결해 줄 수 있어, 액정표시소자의 불량률을 낮추고 생산단가를 절감할 수 있는 효과가 있다.
Claims (2)
- 서로 교차하는 게이트 라인과 데이터 라인과; 상기 데이터 라인 및 게이트 라인에 의해 만들어지는 화소영역에 형성된 화소전극과; 상기 데이터 라인 및 게이트 라인에 연결됨과 동시에 상기 화소전극과 연결되는, 화소 구동용 박막 트랜지스터를 포함하는 원 픽셀 액정 표시소자에 있어서,상기 박막 트랜지스터가 연결되는 화소전극의 특정 부위가 오픈될 경우, 상기 부위만 레이저 화학증착장비로 금속패턴을 이용하여 상층에 형성시켜, 화소전극을 박막 트랜지스터에 전기적으로 쇼트시켜 리페어하는 것을 특징으로 하는 레이저 화학증착장비를 이용한 원픽셀 리페어 방법.
- 제 1항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터가 불량이 발생할 경우 상기 박막 트랜지스터에 연결되는 화소전극과 데이터 라인을 레이저를 이용하여 통과공을 가공한 후, 상기 통과공으로 레이저 화학증착장비로 금속패턴을 형성하여 데이터 라인과 화소전극을 전기적으로 쇼트시켜 주는 것을 특징으로 하는 레이저 화학증착장비를 이용한 원픽셀 리페어 방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000061253A KR100695614B1 (ko) | 2000-10-18 | 2000-10-18 | 레이저 화학증착장비를 이용한 원 픽셀 리페어 방법 및 이를 이용하여 리페어된 액정표시소자의 기판 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020000061253A KR100695614B1 (ko) | 2000-10-18 | 2000-10-18 | 레이저 화학증착장비를 이용한 원 픽셀 리페어 방법 및 이를 이용하여 리페어된 액정표시소자의 기판 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20020030897A true KR20020030897A (ko) | 2002-04-26 |
| KR100695614B1 KR100695614B1 (ko) | 2007-03-14 |
Family
ID=19694079
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020000061253A KR100695614B1 (ko) | 2000-10-18 | 2000-10-18 | 레이저 화학증착장비를 이용한 원 픽셀 리페어 방법 및 이를 이용하여 리페어된 액정표시소자의 기판 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100695614B1 (ko) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100487429B1 (ko) * | 2001-11-15 | 2005-05-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 결함수리방법 및 액정표시소자 |
| KR100759283B1 (ko) * | 2005-01-18 | 2007-09-17 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 표시장치 및 표시장치의 결함 복구 방법 |
| US7502094B2 (en) | 2005-02-15 | 2009-03-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Repairing device and repairing method for display device |
| KR20130143420A (ko) * | 2012-06-21 | 2013-12-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치의 리페어 방법 |
| US9711585B2 (en) | 2015-03-04 | 2017-07-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| US9818343B2 (en) | 2015-04-30 | 2017-11-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method for repairing the same |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990052415A (ko) * | 1997-12-22 | 1999-07-05 | 김영환 | 액정표시소자 및 그의 리페어방법 |
-
2000
- 2000-10-18 KR KR1020000061253A patent/KR100695614B1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100487429B1 (ko) * | 2001-11-15 | 2005-05-03 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시소자의 결함수리방법 및 액정표시소자 |
| KR100759283B1 (ko) * | 2005-01-18 | 2007-09-17 | 미쓰비시덴키 가부시키가이샤 | 표시장치 및 표시장치의 결함 복구 방법 |
| US7502094B2 (en) | 2005-02-15 | 2009-03-10 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Repairing device and repairing method for display device |
| KR20130143420A (ko) * | 2012-06-21 | 2013-12-31 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시장치의 리페어 방법 |
| US9711585B2 (en) | 2015-03-04 | 2017-07-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| US9818343B2 (en) | 2015-04-30 | 2017-11-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method for repairing the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100695614B1 (ko) | 2007-03-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101447493B (zh) | 有源矩阵衬底、显示装置以及像素缺陷修正方法 | |
| US7394518B2 (en) | Process and structure for repairing defect of liquid crystal display | |
| US6839099B2 (en) | Liquid crystal display device and deficiency correcting method thereof | |
| US8059224B2 (en) | Repair method of a pixel structure including a gate having a notch | |
| US7330222B2 (en) | Display device and method for fabricating the same | |
| KR100504228B1 (ko) | 액정표시장치 | |
| US7414697B1 (en) | Liquid crystal display with particular gate dummy patterns to facilitate repair | |
| JP2005316489A (ja) | 表示装置とそれに生じる欠陥の修復方法 | |
| KR100779013B1 (ko) | 액정표시장치의 게이트 라인 오픈 리페어 방법 | |
| US7990486B2 (en) | Liquid crystal display panel with line defect repairing mechanism and repairing method thereof | |
| KR100695614B1 (ko) | 레이저 화학증착장비를 이용한 원 픽셀 리페어 방법 및 이를 이용하여 리페어된 액정표시소자의 기판 | |
| KR0182247B1 (ko) | 리페어선을 가지고 있는 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 | |
| KR100477131B1 (ko) | 액정 표시 장치의 화소 수리 방법 | |
| KR20010103431A (ko) | 액정표시장치용 어레이기판 제조방법 | |
| KR100719916B1 (ko) | 라인 오픈 및 층간 쇼트 리페어용 수단이 구비된 박막트랜지스터 액정표시장치 | |
| JP5080402B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| KR100218509B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
| KR100804322B1 (ko) | 박막 트랜지스터 액정표시장치 | |
| KR100395935B1 (ko) | 공통전극 상의 스토리지 커패시터의 구조 | |
| KR19990052415A (ko) | 액정표시소자 및 그의 리페어방법 | |
| KR19990024910A (ko) | 화소 결함 제거 방법 | |
| KR100585825B1 (ko) | 엘시디 패널 | |
| KR20070061976A (ko) | 액정표시장치 및 그 제조방법 | |
| KR20030058224A (ko) | 액정 표시 소자 | |
| JPH0961846A (ja) | マトリクスアレイ基板およびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121228 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131227 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150227 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160226 Year of fee payment: 10 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |