JPH0990408A - 液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】不良となったスイッチング素子を正常なもの
へ、簡易な手法で速やかに切り替え可能な液晶表示素子
を提供すること。 【解決手段】第１および第２の信号線（４，５）と画素
電極（６）とに接続されている第１のスイッチング素子
（１）と、前記第１の信号線（４）と前記画素電極
（６）とに接続されているとともに、所定の金属（７）
および所定の絶縁膜を介して前記第１のスイッチング素
子（１）と前記第２の信号線（５）との接続部分（８）
に接続されている第２のスイッチング素子（２）と、を
備え、前記接続部分（８）を切断するとともに前記絶縁
膜を溶融することにより、前記第２のスイッチング素子
（２）と前記第２の信号線（５）とを接続可能にした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＴＦＴアレイを形
成して製造するアクティブマトリックス型の液晶表示素
子に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年液晶を用いた表示素子は、テレビの
画面やグラフィックディスプレイ等を指向した大容量で
高密度のものが盛んに開発、実用化されている。この種
の液晶表示素子には、表示電極に電圧を時分割的に印加
して液晶を駆動するシンプルマトリクス型液晶表示素子
がある。しかし最近はこのシンプルマトリクス型ばかり
でなく、より高い画質を得るために各画素毎に能動素子
を組込んだアクティブマトリクス型と呼ばれる液晶表示
素子の開発が進められている。

【０００３】このアクティブマトリクス型液晶表示素子
における能動素子としては、薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ：Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）や薄
膜ダイオードが使われている。しかし、液晶表示素子を
形成するプロセスで前記能動素子に不良が発生すると、
実際に表示を行なった際に点状あるいは線状の欠陥とな
り、表示素子としての品質上の問題が生じる。特に点欠
陥が生じると、表示素子自身完全な不良品とはならない
までも、表示品位を著しく落としてしまう。そのため、
望ましくはこの種の欠陥はゼロであるべきであり、製造
プロセス上あるいは設計パターン上この点欠陥を救済す
る手段が各種工夫されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら各種の工
夫が成されるものの、以下のような問題があるため欠陥
の救済が困難なものとなっている。 (1) 例えば、一つの画素において常時複数のトランジス
タを動作させるようにすると、例えばトランジスタが１
個となった画素と複数のままの画素とで動作条件が異な
り、表示素子として長期的な信頼性の低下を招く。 (2) 複数のトランジスタを作り込むプロセスにおいて、
不良となったトランジスタから正常なトランジスタに切
り替えるには、不良のトランジスタを切り離してから予
備のトランジスタを接続することになる。このため多く
の手続きが必要になり、生産性、補修歩留まりが悪くな
る。

【０００５】このように、上述したような欠陥の救済は
未だ完全には行なわれていない現況である。本発明の目
的は、不良となったスイッチング素子を正常なものへ、
簡易な手法で速やかに切り替え可能な液晶表示素子を提
供することにある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決し目的を
達成するために、本発明の液晶表示素子は以下の如く構
成されている。 （１）本発明の液晶表示素子は、所定の基板上に交差す
るように形成された第１および第２の信号線に接続さ
れ、かつ所定の画素電極に接続されたスイッチング素子
を有する液晶表示素子において、前記第１および第２の
信号線と前記画素電極とに接続されている第１のスイッ
チング素子と、前記第１の信号線と前記画素電極とに接
続されているとともに、所定の金属および所定の絶縁膜
を介して前記第１のスイッチング素子と前記第２の信号
線との接続部分に接続されている第２のスイッチング素
子と、を備え、前記接続部分を切断するとともに前記絶
縁膜を溶融することにより、前記第２のスイッチング素
子と前記第２の信号線とを接続可能にした。 （２）本発明の液晶表示素子は、所定の基板上に交差す
るように形成された第１および第２の信号線に接続さ
れ、かつ所定の画素電極に接続されたスイッチング素子
を有する液晶表示素子において、前記第１および第２の
信号線と前記画素電極とに接続されている第１のスイッ
チング素子と、前記第１および第２の信号線に接続され
ているとともに、所定の金属および所定の絶縁膜を介し
て前記第１のスイッチング素子と前記画素電極との接続
部分に接続されている第２のスイッチング素子と、を備
え、前記接続部分を切断するとともに前記絶縁膜を溶融
することにより、前記第２のスイッチング素子と前記画
素電極とを接続可能にした。 （３）本発明の液晶表示素子は、所定の基板上に交差す
るように形成された第１および第２の信号線に接続さ
れ、かつ所定の画素電極に接続されたスイッチング素子
を有する液晶表示素子において、前記第１および第２の
信号線と前記画素電極とに接続されている第１のスイッ
チング素子と、前記第１の信号線に接続されているとと
もに、第１の所定の金属および所定の絶縁膜を介して前
記第１のスイッチング素子と前記第２の信号線との第１
接続部分に接続されているとともに、第２の所定の金属
および前記所定の絶縁膜を介して前記第１のスイッチン
グ素子と前記画素電極との第２接続部分に接続されてい
る第２のスイッチング素子と、を備え、前記各接続部分
を切断するとともに前記絶縁膜を溶融することにより、
前記第２のスイッチング素子と前記第２の信号線および
前記第２のスイッチング素子と前記画素電極とを接続可
能にした。 （４）本発明の液晶表示素子は上記（１）乃至（３）の
いずれかに記載の素子であって、かつ前記接続部分の切
断および前記絶縁膜の溶融は、前記接続部分へのレーザ
の照射により行なう。

【０００７】上記手段（１）乃至（４）を講じた結果、
それぞれ次のような作用が生じる。 （１）本発明の液晶表示素子は、第１のスイッチング素
子と第２の信号線との接続部分を切断するとともに絶縁
膜を溶融することにより、第２のスイッチング素子と前
記第２の信号線とを接続可能にしたので、初期から動作
しており不良となった前記第１のスイッチング素子例え
ばトランジスタを、簡単な処理で速やかに前記第２のス
イッチング素子へ切替えることができる。これにより液
晶表示素子製造上の補修歩留まり、スループットが向上
する。また、補修部分が前記接続部分一カ所であるの
で、補修に必要とするスペースが小さくて済み、一画素
の開口率を高く維持することができる。したがって、画
素欠陥の無い高品位の液晶表示素子を高い生産性で製造
することができる。 （２）本発明の液晶表示素子は、第１のスイッチング素
子と画素電極との接続部分を切断するとともに絶縁膜を
溶融することにより、第２のスイッチング素子と前記画
素電極とを接続可能にしたので、初期から動作しており
不良となった前記第１のスイッチング素子例えばトラン
ジスタを、簡単な処理で速やかに前記第２のスイッチン
グ素子へ切替えることができる。これにより液晶表示素
子製造上の補修歩留まり、スループットが向上する。ま
た、補修部分が前記接続部分一カ所であるので、補修に
必要とするスペースが小さくて済み、一画素の開口率を
高く維持することができる。したがって、画素欠陥の無
い高品位の液晶表示素子を高い生産性で製造することが
できる。 （３）本発明の液晶表示素子は、第１のスイッチング素
子と第２の信号線との接続部分および前記第１のスイッ
チング素子と画素電極との接続部分を切断するととも
に、絶縁膜を溶融することにより、第２のスイッチング
素子と前記第２の信号線および前記第２のスイッチング
素子と前記画素電極とを接続可能にしたので、初期から
動作しており不良となった前記第１のスイッチング素子
例えばトランジスタを、簡単な処理で速やかに前記第２
のスイッチング素子へ切替えられる。これにより液晶表
示素子製造上の補修歩留まり、スループットが向上す
る。また、補修部分が前記各接続部分の二カ所であるの
で、補修に必要とするスペースが小さくて済み、一画素
の開口率を高く維持することができる。したがって、画
素欠陥の無い高品位の液晶表示素子を高い生産性で製造
することができる。 （４）本発明の液晶表示素子は、前記接続部分の切断お
よび前記絶縁膜の溶融は、前記接続部分へのレーザの照
射により行なうので、レーザを前記接続部分へ１回照射
するだけで前記接続部分の切断および前記絶縁膜の溶融
が行なえ、これによりスイッチング素子の切替えが可能
となり、補修作業の効率が向上する。

【０００８】

【発明の実施の形態】

（第１の実施の形態）図１は、本発明の第１の実施の形
態に係るＴＦＴ−ＬＣＤ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｄｅｐ
ｏｓｉｔｉｏｎ−ＬＣＤ）における、１画素のトランジ
スタ部分を示した平面図である。当該ＴＦＴ−ＬＣＤ
は、所定の基板上に複数の表示信号線と複数の走査信号
線とがそれぞれ交差するように形成されており、その交
差した各部分にトランジスタからなるスイッチング素子
が形成されている。当該ＴＦＴ−ＬＣＤは図１に示すよ
うに、一つの画素に二つのトランジスタ１、２が作り込
まれている。なお図１は、１本の表示信号線４と１本の
走査信号線５とが交差する部分の拡大図である。

【０００９】図１において、トランジスタ１は当該ＴＦ
Ｔ−ＬＣＤにおいて初期から動作するよう備えられてお
り、トランジスタ２はトランジスタ１が不良となった際
に動作するよう、予備として備えられている。なお、ト
ランジスタ１および２はゲート電極３を共有しており、
このゲート電極３は走査信号線４に接続されている。

【００１０】トランジスタ１のドレイン電極１１は表示
信号線５に接続されており、トランジスタ１のソース電
極１２は画素電極６に接続されている。一方、トランジ
スタ２のソース電極２２は画素電極６に接続されている
が、トランジスタ２のドレイン電極２１は表示信号線５
に接続されていない。ただし、このドレイン電極２１は
スルーホール２３により、図示しない層間絶縁膜（後述
する図３に示すゲート絶縁膜３２）の下にある金属線７
（ゲート電極３と同じ金属からなる）の一端に接続され
ている。この金属線７の他端は、トランジスタ１のドレ
イン電極１１と表示信号線５との接続部分８の下に、前
記層間絶縁膜を介して重なるように設置されている。す
なわち、ドレイン電極１１と表示信号線５との接続部分
８が上層の金属部、金属線７が下層の金属部となり、前
記上層の金属部と前記下層の金属部との間に前記層間絶
縁膜が設置されている。

【００１１】図２は、図１に示したトランジスタ部分の
等価回路を示す図である。図２においてトランジスタ１
および２のゲート電極は走査信号線４に接続されてい
る。またトランジスタ１および２のソース電極は画素電
極６に接続されている。さらに、トランジスタ１のドレ
イン電極は表示信号線５に接続され、トランジスタ２の
ドレイン電極は図１に示した金属線７により表示信号線
５と接続可能になっている。

【００１２】このような構成により、当該ＴＦＴ−ＬＣ
Ｄを形成するプロセスにおいてトランジスタ１が不良と
なった際、照射強度が適切に調整されかつその直径が接
続部分８のドレイン電極１１の幅より広いＹＡＧレーザ
を接続部分８へ照射することにより、トランジスタ１の
ドレイン電極１１と表示信号線５の接続部分８が切断さ
れる。それと同時に、上層の金属部である表示信号線５
と上記層間絶縁膜が溶融し、表示信号線５と下層の金属
部である金属線７が接続される。これにより、結果的に
トランジスタ２のドレイン電極２１と表示信号線５との
接続が行なわれる。このようにレーザにより一カ所の照
射を行なうだけで、不良となったトランジスタ１から正
常なトランジスタ２への切り替えを行なうことができ
る。

【００１３】図３は、図１に示したＴＦＴ−ＬＣＤの１
画素のトランジスタ部分における、Ｘ−Ｙ線での断面図
である。なお図３における各層の厚さは、便宜上認識し
易いよう図示している。絶縁基板３１上にはゲート電極
３、金属線７および図示しない表示信号線（図１に示し
た表示信号線５）が形成されている。そして、これら絶
縁基板３１、ゲート電極３、金属線７および前記表示信
号線はゲート絶縁膜３２により覆われている。また、ゲ
ート絶縁膜３２の上に画素電極６が配置している。

【００１４】ゲート電極３の上部に相当するゲート絶縁
膜３２の上には、ａ−Ｓｉ膜３３が覆われており、この
ａ−Ｓｉ膜３３の中央部の上にエッチング保護膜３４が
配置している。そしてこのエッチング保護膜３４の周辺
部とエッチング保護膜３４に覆われていないａ−Ｓｉ膜
３３に、ｎ＋ａ−Ｓｉ膜３５が覆われている。このｎ＋
ａ−Ｓｉ膜３５のうち画素電極６側のｎ＋ａ−Ｓｉ膜３
５にはソース電極１２が覆われており、さらにこのソー
ス電極１２はゲート絶縁膜３２の一部および画素電極６
の一部を覆っている。また金属線７側のｎ＋ａ−Ｓｉ膜
３５にはドレイン電極１１が覆われており、さらにこの
ドレイン電極１１はゲート絶縁膜３２を覆っている。

【００１５】そして、エッチング保護膜３４の中央部、
ソース電極１２、画素電極６およびドレイン電極１１を
パッシベーション膜３６が覆っており、さらにこのパッ
シベーション膜３６を配向膜３７が覆っている。また、
対向基板である絶縁基板４１はＩＴＯ膜４０を介して配
向膜３８に覆われており、配向膜３７と配向膜３８との
間には液晶３９が注入されている。

【００１６】図４は、上記ＴＦＴ−ＬＣＤの製造プロセ
スを示すフローチャートである。以下、図４に基づき当
該ＴＦＴ−ＬＣＤの製造プロセスを説明する。まず、ス
テップＳ１で絶縁基板３１上にスパッタ法によりタンタ
ル膜を３０００オングストローム成膜した後、ステップ
Ｓ２でこのタンタル膜を所定の形状にフォト・エッチン
グ（ＰＥＰ：Ｐｈｏｔｏ Ｅｎｇｒａｖｉｎｇ Ｐｒｏ
ｃｅｓｓ）することにより、ゲート電極３と図１に示し
た走査信号線４を形成する（１ｓｔ ＰＥＰ）。

【００１７】次にステップＳ３で、ＳｉＯｘからなるゲ
ート絶縁膜３２を３５００オングストローム、ＴＦＴの
チャネル領域となるａ−Ｓｉ膜３３を５００オングスト
ローム、各々プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａ
ｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法で基板全体に被膜す
る。また同様に、ＳｉＮｘからなるエッチング保護膜３
４をプラズマＣＶＤ法で１５００オングストローム被膜
する。その後ステップＳ４で、エッチング保護膜３４の
みを図３に示すような所定の形状にフォト・エッチング
により加工する（２ｎｄ ＰＥＰ）。

【００１８】続いてステップＳ５で、ｎ＋型ａ−Ｓｉ膜
３５を５００オングストローム被覆し、その後ステップ
Ｓ６で、ｎ＋型ａ−Ｓｉ膜３５と共にａ−Ｓｉ膜３３を
図３に示すような所定の形状に加工（３ｒｄ ＰＥＰ）
する。その後、ステップＳ７でＩＴＯ膜をスパッタ法で
１０００オングストローム被膜し、ステップＳ８でフォ
ト・エッチングにより透明な画素電極６として加工する
（４ｔｈ ＰＥＰ）。

【００１９】次にステップＳ９で、ゲート層パターンに
おける他層との電気的接続をする箇所をフォト・エッチ
ングにより形成する（５ｔｈ ＰＥＰ）。次にステップ
Ｓ１０で、アルミニウムをスパッタ法で５０００オング
ストローム被膜し、ステップＳ１１で、フォト・エッチ
ングにより図１に示した表示信号線５、ソース電極１
２、ドレイン電極１１を加工する（６ｔｈ ＰＥＰ）。
その後ステップＳ１２で、ＳｉＮｘのパッシベーション
膜３６を２０００オングストローム被膜した後、ステッ
プＳ１３でフォト・エッチングにより所定の形状に加工
する（７ｔｈ ＰＥＰ）。

【００２０】そしてステップＳ１４で、完成したＴＦＴ
アレイ基板を検査し、当該トランジスタ部の不良箇所を
特定する。その後ステップＳ１５で、上述したようにＹ
ＡＧレーザで不良となったトランジスタ１を切り放し、
同時に予備のトランジスタ２を接続する。このとき、レ
ーザの径は表示信号線５とドレイン電極１１を接続する
線幅より（少なくともドレイン電極１１側においては）
大きく、またレーザの中心位置は予備のトランジスタ２
につながる金属線７より外側（ドレイン電極１１側）と
する。これにより、切断されたトランジスタ１のドレイ
ン電極１１が、下の金属線７に接触することを防止す
る。

【００２１】その後ステップＳ１６で、配向膜３７を形
成してアレイ基板が完成する。それとともに、新たな絶
縁基板４１上に共通電極としてＩＴＯ膜４０を１０００
オングストローム被膜しさらに配向膜３８を形成した対
向基板を用意する。そしてこの対向基板を前記アレイ基
板に貼り合わせ、前記対向基板と前記アレイ基板との間
に液晶３９を注入することにより、アクティブマトリク
ス型液晶表示素子であるＴＦＴ−ＬＣＤが完成する。

【００２２】（第２の実施の形態）本第２の実施の形態
におけるＴＦＴ−ＬＣＤの１画素のトランジスタ部分
は、図１に示したトランジスタ２のドレイン電極２１が
表示信号線５に接続されており、ソース電極２２は画素
電極６に接続されていないものとする。

【００２３】また上記第１の実施の形態では、補修部分
を表示信号線５とドレイン電極１１との接続部分８とし
たが、本第２の実施の形態では、画素電極６とソース電
極１２との接続部分とする。そして、上記第１の実施の
形態にてドレイン電極２１側に設けられているスルーホ
ール２３および金属線７をドレイン電極２１側に設け
ず、同様のスルーホールをソース電極２２へ設け、ソー
ス電極２２を前記スルーホールにより、上記層間絶縁膜
（図３に示すゲート絶縁膜３２）の下に設置する所定の
金属線の一端に接続する。さらに前記金属線の他端をト
ランジスタ１のソース電極１２と画素電極６との接続部
分の下に前記層間絶縁膜を介して重なるように設置す
る。

【００２４】このような構成により、トランジスタ１が
不良となった際、適切に調整された照射強度のＹＡＧレ
ーザを前記接続部分へ照射することにより、トランジス
タ１のソース電極１２と画素電極６の接続部分が切断さ
れる。それと同時に、上層の金属部である画素電極６と
上記層間絶縁膜が溶融し、画素電極６と下層の金属部で
ある前記金属線が接続される。これにより、結果的にト
ランジスタ２のソース電極２２と画素電極６との接続が
行なわれる。

【００２５】（第３の実施の形態）本第３の実施の形態
におけるＴＦＴ−ＬＣＤの１画素のトランジスタ部分
は、図１に示したと同様トランジスタ２のドレイン電極
２１が表示信号線５に接続されていないとともに、上記
第２の実施の形態と同様ソース電極２２が画素電極６に
接続されていないものとする。

【００２６】また上記第１の実施の形態では、補修部分
を表示信号線５とドレイン電極１１との接続部分８と
し、上記第２の実施の形態では、補修部分を画素電極６
とソース電極１２との接続部分としたが、本第３の実施
の形態における補修部分は上記第１および第２の実施の
形態に示した両方の補修部分とする。そして、上記第１
の実施の形態にて示したスルーホール２３および金属線
７をドレイン電極２１側に設けるととも、上記第２の実
施の形態に示したと同様のスルーホールおよび金属線を
ソース電極２２側へ設ける。

【００２７】このような構成により、トランジスタ１が
不良となった際、適切に調整された照射強度のＹＡＧレ
ーザを上記した二つの接続部分へ照射することにより、
トランジスタ１のドレイン電極１１と表示信号線５との
接続部分およびソース電極１２と画素電極６との接続部
分が切断される。これにより、結果的にトランジスタ２
のドレイン電極２１と表示信号線５との接続およびソー
ス電極２２と画素電極６との接続が行なわれる。

【００２８】なお、本発明は上記各実施の形態に限定さ
れず、要旨を変更しない範囲で適宜変形して実施でき
る。 （変形例） (1) 第１の実施の形態に示した金属線７はゲート電極３
と同じ金属からなるとしたが、異なる金属であっても問
題はない。 (2) 二つのトランジスタ１，２のゲート電極３は、上記
各実施の形態のように必ずしも共有する必要はなく、全
く別個に設置してもよい。 (3) 第１の実施の形態では、検査・補修する工程をＴＦ
Ｔアレイ基板完成直後としたが、ＴＦＴ−ＬＣＤが完成
した後の表示検査で行なってもよい。また、ＴＦＴアレ
イ基板の完成前でもトランジスタが動作できるようにな
った後であればよい。 (4) また、照射するレーザの形状は必ずしも円である必
要はなく、楕円や、より細い径のレーザをスキャンして
照射してもよい。レーザの種類もＹＡＧレーザに限ら
ず、炭酸ガスレーザ等を用いてもよい。

【００２９】

【発明の効果】本発明によれば、不良となったスイッチ
ング素子を正常なものへ、簡易な手法で速やかに切り替
え可能な液晶表示素子を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係るＴＦＴ−ＬＣ
Ｄにおける、１画素のトランジスタ部分を示した平面
図。

【図２】本発明の第１の実施の形態に係るトランジスタ
部分の等価回路を示す図。

【図３】本発明の第１の実施の形態に係るＴＦＴ−ＬＣ
Ｄの１画素のトランジスタ部分における、Ｘ−Ｙ線での
断面図。

【図４】本発明の第１の実施の形態に係るＴＦＴ−ＬＣ
Ｄの製造プロセスを示すフローチャート。

【符号の説明】

１…トランジスタ、２…トランジスタ、３…ゲート電
極、４…走査信号線、５…表示信号線、６…画素電極、
７…金属線、８…接続部分、１１…ドレイン電極、１２
…ソース電極、２１…ドレイン電極、２２…ソース電
極、２３…スルーホール、３１…絶縁基板、３２…ゲー
ト絶縁膜、３３…ａ−Ｓｉ膜、３４…エッチング（チャ
ネル）保護膜、３５…ｎ＋ａ−Ｓｉ膜、３６…パッシベ
ーション膜、３７…配向膜、３８…配向膜、３９…液
晶、４０…ＩＴＯ膜、４１…絶縁基板。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】所定の基板上に交差するように形成された
   第１および第２の信号線に接続され、かつ所定の画素電
   極に接続されたスイッチング素子を有する液晶表示素子
   において、 前記第１および第２の信号線と前記画素電極とに接続さ
   れている第１のスイッチング素子と、 前記第１の信号線と前記画素電極とに接続されていると
   ともに、所定の金属および所定の絶縁膜を介して前記第
   １のスイッチング素子と前記第２の信号線との接続部分
   に接続されている第２のスイッチング素子と、を備え、 前記接続部分を切断するとともに前記絶縁膜を溶融する
   ことにより、前記第２のスイッチング素子と前記第２の
   信号線とを接続可能にしたことを特徴とする液晶表示素
   子。
2. 【請求項２】所定の基板上に交差するように形成された
   第１および第２の信号線に接続され、かつ所定の画素電
   極に接続されたスイッチング素子を有する液晶表示素子
   において、 前記第１および第２の信号線と前記画素電極とに接続さ
   れている第１のスイッチング素子と、 前記第１および第２の信号線に接続されているととも
   に、所定の金属および所定の絶縁膜を介して前記第１の
   スイッチング素子と前記画素電極との接続部分に接続さ
   れている第２のスイッチング素子と、を備え、 前記接続部分を切断するとともに前記絶縁膜を溶融する
   ことにより、前記第２のスイッチング素子と前記画素電
   極とを接続可能にしたことを特徴とする液晶表示素子。
3. 【請求項３】所定の基板上に交差するように形成された
   第１および第２の信号線に接続され、かつ所定の画素電
   極に接続されたスイッチング素子を有する液晶表示素子
   において、 前記第１および第２の信号線と前記画素電極とに接続さ
   れている第１のスイッチング素子と、 前記第１の信号線に接続されているとともに、第１の所
   定の金属および所定の絶縁膜を介して前記第１のスイッ
   チング素子と前記第２の信号線との第１接続部分に接続
   されているとともに、第２の所定の金属および前記所定
   の絶縁膜を介して前記第１のスイッチング素子と前記画
   素電極との第２接続部分に接続されている第２のスイッ
   チング素子と、を備え、 前記各接続部分を切断するとともに前記絶縁膜を溶融す
   ることにより、前記第２のスイッチング素子と前記第２
   の信号線および前記第２のスイッチング素子と前記画素
   電極とを接続可能にしたことを特徴とする液晶表示素
   子。
4. 【請求項４】前記接続部分の切断および前記絶縁膜の溶
   融は、前記接続部分へのレーザの照射により行なうこと
   を特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の液晶表
   示素子。