JP3025756B2 - アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法及び修正装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネルに
用いられるアクティブマトリクス基板の欠陥修正を、対
向基板と貼り合わせる前に行う欠陥修正方法及び修正装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶の電気光学効果を表示装置に利用し
た液晶表示装置は、現在ノートパソコン等の情報端末機
器をはじめとして、ＯＡ機器やＡＶ機器等さまざまな分
野に利用されている。

【０００３】この液晶表示装置は、互いに直交差するゲ
ート信号線及びデータ信号線や、マトリクス状に形成さ
れた多数の画素電極、及び各画素電極を制御するスイッ
チング素子等を備えたアクティブマトリクス基板と、カ
ラーフィルタや対向電極等を備えた対向基板とを、所定
の間隙を保って互いの電極形成面が向かい合うように貼
り合わせ、該間隙に液晶を注入・封止した構成となって
いる。

【０００４】ところで、前記アクティブマトリクス基板
の製造工程は複雑であり、多くの製造プロセスを経るこ
とが余儀なくされるため、異物の混入や、画素電極とゲ
ート信号線やデータ信号線とのリーク等の欠陥が発生し
やすく、これを完全に無くすことは非常に困難である。
したがって、前記欠陥を早期に検出し、必要に応じて修
正を行うことが生産歩留を向上させるために非常に重要
となっている。

【０００５】そこで、従来は前記アクティブマトリクス
基板と対向基板とを貼り合わせて、液晶を注入した後に
点灯検査を行って線欠陥や点欠陥の有無を検出し、該欠
陥部分が修正可能なものであればレーザ照射等によって
修正していた。

【０００６】図９は、従来の液晶表示パネルに用いるア
クティブマトリクス基板を示す断面図であり、１０１は
ガラス基板、１０２はゲート絶縁膜、１０３はデータ信
号線、１０４は画素電極である。なお、同図においてゲ
ート信号線やスイッチング素子等は省略している。ま
た、このアクティブマトリクス基板は、１０５のリーク
部によってデータ信号線１０３と画素電極１０４とがリ
ークしたものを示している。

【０００７】図９に示すアクティブマトリクス基板と、
図示しない対向基板とを貼り合わせて、その間隙に液晶
を注入した液晶パネルにおいては、画素電極とデータ信
号線とがリークしている為、データ信号線とリークして
いる画素電極は点灯検査によって点欠陥となって現れる
が、リーク部１０５を除去することによって修正が可能
である。従来から、このリーク部１０５を除去修正する
ためには、対向基板側から前記リーク部１０５を観察し
ても、対向基板上に形成されるＢＭ（ブラックマトリク
ス）がリーク部１０５の上面にあるため、欠陥箇所特定
ができず修正ができないので、図１０に示すように、基
板１０１の裏面からレーザを照射することにより、前記
リーク部１０５を除去していた。

【０００８】しかしながら、アクティブマトリクス基板
と対向基板とを貼り合わせて該基板間に液晶を注入した
液晶パネル段階で欠陥を検出する場合、検出された欠陥
が修正不可能なものであった場合、液晶パネル毎破棄せ
ざるを得なくなるため、生産歩留が低下してしまうとい
う問題があった。

【０００９】そこで、近年はアクティブマトリクス基板
状態でリークなどの欠陥を検出し、修正することが望ま
れるようになってきた。基板状態での欠陥は、画像処理
や抵抗検査等の手法によって検出できるようになってき
た。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年液晶表
示パネルの開口率を大きくするために、図１１に示すよ
うに、基板１０１上にデータ信号線１０３や、図示しな
いゲート信号線、ゲート絶縁膜、スイッチング素子等を
覆って層間絶縁膜１０６を形成し、該層間絶縁膜１０６
上に画素電極１０４を形成した構成のアクティブマトリ
クス基板を有する液晶表示装置が開発されている。この
アクティブマトリクス基板においては、前記信号線１０
３と画素電極１０４との間に容量を形成するため、これ
らをわずかに重ね合わせるように形成されている。

【００１１】このような構成のアクティブマトリクス基
板においては、例えば図１２に示すように、隣接する画
素電極１０４がリーク部１０５によってリークした場合
は、下層のデータ信号線１０３が邪魔となり、従来のよ
うに基板１０１の裏面側からレーザを照射することがで
きないという問題点があった。

【００１２】また、前記下層のデータ信号線を避けて基
板の裏面からレーザを照射した場合、層間絶縁膜１０６
の影響でレーザの照射痕がテーパ型となるためトリミン
グ精度が悪化し、所望の領域を除去することが困難であ
るという問題点があった。

【００１３】したがって、このようなアクティブマトリ
クス基板に対しては、レーザを基板の薄膜形成面側から
照射することが考えられる。基板に形成された薄膜を、
薄膜形成面側からレーザ照射することによって除去する
方法としては、特開平７−３０７３１４号公報に示され
ている。該公報では、基板上に直接成膜された薄膜を除
去するために、該薄膜に対して透明な波長を有するとと
もに、基板に対して吸収並びに反射する波長を有するパ
スルレーザを薄膜形成面側から除去したい領域に照射す
ることによって、薄膜を除去する方法が開示されてい
る。

【００１４】しかしながら、特開平７−３０７３１４号
公報に開示された技術は、照射するレーザは表面薄膜を
通過し、下層の基板で吸収並びに反射するものであるた
め、この技術を図１２に示すアクティブマトリクス基板
の修正に用いた場合、表面薄膜、すなわち画素電極を通
過したレーザが全て下層の層間絶縁膜で吸収並びに反射
するため、層間絶縁膜が著しく破壊され、該層間絶縁膜
の更に下層に形成されたデータ信号線にまで影響が及ん
でしまうことが考えられる。したがって、特開平７−３
０７３１４号公報に開示された技術では、図１２に示さ
れるアクティブマトリクス基板の修正に適用することは
できないという問題点があった。

【００１５】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであり、下層のデータ信号線等に影響を与えない
液晶表示パネルの欠陥修正方法及び修正装置を提供する
ことを目的とするものである。

【００１６】

【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス基板の欠陥修正方法は、互いに直交差するゲート
信号線及びデータ信号線と、これらの交差部近傍に設け
られたスイッチング素子とを備え、これらゲート信号
線、データ信号線及びスイッチング素子の上部に層間絶
縁膜が設けられ、かつ該層間絶縁膜上に透明導電膜から
なる画素電極が前記データ信号線に重ね合わせるように
設けられたアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法に
おいて、前記アクティブマトリクス基板の透明導電膜形
成面側から、発振波長が４００ｎｍ以下のレーザを用い
て、前記透明導電膜の一部を除去することを特徴とする
ものである。

【００１７】したがって、照射されるレーザが層間絶縁
膜の下層に形成された信号線にダメージを与えることな
く、アクティブマトリクス基板の修正を行うことが可能
となる。

【００１８】前記修正を、赤外線レーザのような熱加工
によって行った場合、修正箇所が炭化や熱変形をおこ
し、高いトリミング精度が得られない。また、ＩＴＯ等
の透明導電膜は赤外線をほとんど透過するため、下層パ
ターンにそのまま減衰していないエネルギーを与えてし
まう。そのため、層間絶縁膜より下層の信号線を損傷す
る可能性が高く、レーザの照射条件を設定するのが困難
である。このような理由により、前記レーザとしては非
熱加工が可能なものを用いた方がよいので、発振波長４
００ｎｍ以下のものを用いることが望ましい。

【００１９】また、４００ｎｍ以下の短波長レーザはエ
キシマレーザを用いることによって得ることができる
が、装置がより小型で扱い易すいＹＡＧレーザの第３高
調波または第４高調波を用いることが望ましい。

【００２０】また、前記画素電極が隣接する画素電極と
リークしたアクティブマトリクス基板に対しては、該リ
ーク部を除去する際に、下層の信号線幅以下の範囲内で
除去することにより、画素電極の開口率を落とすことな
く修正を行うことが可能となる。

【００２１】また、前記画素電極の形成領域内に導電性
異物が付着したアクティブマトリクス基板に対しては、
該異物を直接除去した場合、その破片が周囲に飛散して
新たな欠陥が生じたり、周辺膜の欠損等が発生したりす
ることがあるが、該異物の周囲の透明導電膜を除去する
ことにより、正常に修正を行うことが可能となる。

【００２２】本発明のアクティブマトリクス基板の欠陥
修正装置は、互いに直交差するゲート信号線及びデータ
信号線と、これらの交差部近傍に設けられたスイッチン
グ素子とを備え、これらゲート信号線、データ信号線及
びスイッチング素子の上部に層間絶縁膜が設けられ、か
つ該層間絶縁膜上に透明導電膜からなる画素電極が前記
データ信号線に重ね合わせるように設けられたアクティ
ブマトリクス基板の欠陥修正装置において、被修正基板
を載置するＸＹステージと、該ステージの上部に発振波
長が４００ｎｍ以下のレーザ発振器と、該レーザ発振器
から発せられるレーザの照射領域を制御する電動スリッ
トと、該スリットを通過するレーザを拡大或いは縮小す
るための集光レンズと、を少なくとも備え、前記レーザ
の照射パルスに同期して前記ＸＹステージを移動制御す
ることにより、被修正基板上に照射されるレーザを直線
状或いは曲線状に任意に走査させることを特徴とするも
のである。 また、互いに直交差するゲート信号線及びデ
ータ信号線と、これらの交差部近傍に設けられたスイッ
チング素子とを備え、これらゲート信号線、データ信号
線及びスイッチング素子の上部に層間絶縁膜が設けら
れ、かつ該層間絶縁膜上に透明導電膜からなる画素電極
が設けられたアクティブマトリクス基板の欠陥修正装置
において、被修正基板を載置するＸＹステージと、該ス
テージの上部にレーザ発振器と、該レーザ発振器から発
せられるレーザの照射領域を制御する電動スリットと、
該スリットを通過するレーザを拡大或いは縮小するため
の集光レンズと、を少なくとも備え、前記レーザの照射
パルスに同期して前記ＸＹステージを移動制御すること
により、被修正基板上に照射されるレーザを曲線状に任
意に走査させることを特徴とするものである。

【００２３】したがって、画素電極同士がリークした場
合には、リーク部を細長い線状に除去することにより、
開口率を落とすことなく欠陥を修正することが可能とな
る。また、画素電極上に導電性異物が付着した場合に
は、該異物の周囲を曲線状に除去することにより、正常
に修正を行うことが可能となる。

【００２４】

【発明の実施の形態】

（実施の形態１）以下、本発明の第１の実施形態につい
て、図１乃至図４を用いて説明する。本実施形態は、画
素電極同士がリークした場合の修正方法を示したもので
ある。

【００２５】図１は、ガラス基板１上にデータ信号線
２、ゲート信号線（図示せず）、ゲート絶縁膜（図示せ
ず）、容量配線（図示せず）、スイッチング素子（図示
せず）等を覆って層間絶縁膜３が形成され、該層間絶縁
膜３上に画素電極４が形成されたアクティブマトリクス
基板において、隣接する画素電極が図中５に示すように
リークしているものを示した図である。

【００２６】前記データ信号線２及び画素電極４は、そ
れぞれ厚みが１５００ｎｍ、１０００ｎｍのＩＴＯから
なっており、前記層間絶縁膜３は厚みが約１〜３μｍの
アクリル系樹脂からなっている。

【００２７】このアクティブマトリクス基板では、リー
ク部５の下層にデータ信号線２が存在するため、レーザ
は基板の裏面側から照射することができない。したがっ
て、図２に示すように、基板の画素電極形成面側からレ
ーザを照射する。

【００２８】このとき、レーザ照射によって下層の信号
線にダメージを与えないようにするため、レーザの強度
を調節する必要がある。下層の信号線にダメージを与え
なくするためには、レーザエネルギーが上層のＩＴＯで
ある程度吸収され、残りの透過するレーザエネルギーが
層間絶縁膜３で殆ど吸収され、下層の信号線２へ到達す
る時には損傷に至るエネルギーが得られないようにレー
ザの強度を設定すれば良い。本実施形態においては、前
記レーザとしてＹＡＧレーザの第３高調波（波長３５５
ｎｍ）を用いて、エネルギー密度を約２０〜２５ｍＪ／
ｃｍ² 、パルス幅を約８〜１０ｎｓとした。尚、前記レ
ーザとしてはＹＡＧレーザの第４高調波（波長２６６ｎ
ｍ）を用いても良い。

【００２９】図３の（ａ）は、図１に示したアクティブ
マトリクス基板に対し、本実施形態の修正を行った後の
アクティブマトリクス基板を示す断面図であり、図３の
（ｂ）は該基板を上面からみたときの平面図である。こ
の図から分かるように、上述したレーザを用いれば、照
射したレーザのうち、ＩＴＯを透過したレーザが層間絶
縁膜３で殆ど吸収され、下層の信号線２にダメージを与
えることなくリーク部５のＩＴＯを除去することができ
る。

【００３０】次に、本発明の修正を行うための欠陥修正
装置について説明する。

【００３１】図４は本発明の欠陥修正装置を示す概念図
であり、１１はＹＡＧレーザ発振器、１２は波長変換素
子、１３はエネルギー減衰フィルタである。ＹＡＧレー
ザ発振器１１からは、ＹＡＧレーザの基本波長である１
０６０ｎｍのレーザが発せられるが、これを波長変換素
子１２を介することによって、ＹＡＧレーザの第３高調
波に変換する。さらに、変換されたレーザはエネルギー
減衰フィルタ１３によってその強度が調節される。

【００３２】１５、１６は、レーザの照射スポットを写
すための光源およびＣＣＤカメラであり、１４はハーフ
ミラーである。また、１７はレーザの照射領域を制御す
るための電動スリット、１８は照射されたレーザの強度
を検出するパワー検出器、１９は照射されたレーザを拡
大或いは縮小するための集光レンズである。

【００３３】さらに、２０は被検査基板、２２は互いに
直交する２方向への移動が可能なＸＹステージ、２１は
該ＸＹステージ２２上に載置された被検査基板２０を照
らすバックライトである。

【００３４】前記ＹＡＧレーザ発振器１１、波長変換素
子１２、エネルギー減衰フィルタ１３、光源１５、ＣＣ
Ｄカメラ１６、電動スリット１７、パワー検出器１８、
集光レンズ１９、及びＸＹステージ２２は、インターフ
ェイス２３を介してＣＰＵやＲＯＭ、ＲＡＭを備えた制
御部２４に接続されている。これらは外部コントローラ
２５の命令を受けて動作し、ＣＣＤカメラ１６が撮像し
た様子はモニタ２６に映し出されるようになっている。

【００３５】次に、この欠陥修正装置を用いて、図１に
示したような画素電極同士がリークしたアクティブマト
リクス基板を修正する方法について説明する。

【００３６】まず、画像処理等の手法により欠陥が検出
されたアクティブマトリクス基板を、搬送系装置によっ
て前記欠陥修正装置にセットする。このとき、欠陥部分
の位置が分かっていれば、ＸＹステージ２２を移動制御
してレーザの照射領域を欠陥部分に大まかに合わせてお
く。

【００３７】次に、モニタ２６を見ながら外部コントロ
ーラ２５によってＸＹステージ２２や電動スリット１
７、集光レンズ１９を制御し、レーザの照射領域を微調
整する。

【００３８】次に、欠陥部分に向けてレーザを照射す
る。このとき、下層のデータ信号線の幅は一般的に８μ
ｍ程度であるので、除去する透明導電膜の幅もこれ以下
に抑えることが望ましい。そのため、信号線幅よりも小
さな照射サイズのレーザを複数回繰り返して照射し、レ
ーザの照射パルスに同期してＸＹステージを移動制御す
る。こうすることにより、図３の（ｂ）に示したように
該リーク部を細長い線状に除去することができる。これ
は、例えばモニタ２６上でレーザの照射を行う始点およ
び終点を指定することにより、前記レーザが任意の線上
を走査できるようにしておけば良い。これにより、画素
電極の開口率を落とすことなく欠陥を修正することがで
きる。

【００３９】なお、上述した実施形態で説明した修正に
おいて、画素電極間リークは膜が透明なので画像処理等
の手法ではリーク箇所が見つからない場合もある。この
ような場合は、予めＸＹステージ２２を移動制御する制
御部２４に画素電極パターンを記憶させておけば、リー
ク箇所が発見できなくても抵抗検査等によって欠陥画素
さえ特定できれば、欠陥画素を画素電極パターンに加工
することにより、リークを修正することができる。その
方法について、以下に簡単に説明する。

【００４０】まず、制御部２４内のＲＯＭに予め画素電
極の形状を記憶させておく。そして、搬送系装置から基
板がセットされると、検出装置で収集した欠陥画素の座
標などの欠陥情報をネットワークシステムから欠陥修正
装置に転送し、その情報を元にＸＹステージ２２を移動
させ、レーザの照射位置を欠陥画素に合わせる。

【００４１】その後、パターンマッチングにより薄膜除
去開始点を基板パターン形状より決定して、制御部２４
内のＲＯＭに記憶された画素電極の形状に合わせてＸＹ
ステージ２２を駆動し、自動修正を行う。

【００４２】このとき、制御部２４内のＲＯＭに複数の
画素電極の形状を記憶させておき、実際に修正を行う際
にはこれらの中から適切な画素電極のパターンを選択す
るようにしておけば、複数種類の基板に対して修正を行
うことが可能となる。

【００４３】（実施の形態２）以下、本発明の第２の実
施形態について、図５、図６を用いて説明する。本実施
形態は、導電性異物を介して画素電極と下層パターンが
リークした場合の修正方法を示したものである。

【００４４】図５は、ガラス基板１上にデータ信号線
２、ゲート信号線（図示せず）、ゲート絶縁膜（図示せ
ず）、スイッチング素子（図示せず）等を覆って層間絶
縁膜３が形成され、該層間絶縁膜３上に画素電極４が形
成されたアクティブマトリクス基板において、該層間絶
縁膜３を貫通する導電性異物６を介して、データ信号線
２と画素電極４とがリークしているものを示した図であ
る。

【００４５】なお、図示はしないが、前記導電性異物６
を介してゲート信号線が画素電極４とリークした場合
も、以下に示す修正方法を適用することができる。ま
た、ガラス基板１上に、前記ゲート信号線と平行に容量
配線を形成する場合もあるが、この容量配線と画素電極
４とが導電性異物６を介してリークした場合も同様であ
る。

【００４６】前記データ信号線２及び画素電極４は、そ
れぞれ厚みが約１５００ｎｍ、約１０００ｎｍのＩＴＯ
からなっており、前記層間絶縁膜３は厚みが約１〜３μ
ｍのアクリル系樹脂からなっている。

【００４７】このアクティブマトリクス基板では、導電
性異物６を直接レーザにより吹き飛ばすと層間絶縁膜３
が欠損してしまうので、新たな欠陥の発生につながって
しまう。したがって、前記導電性異物６には直接レーザ
を照射せず、該導電性異物６の周囲のＩＴＯをレーザで
除去することによってリークを修正する。なお、このと
きのレーザの照射条件は実施の形態１と同様である。図
６の（ａ）、（ｂ）に本実施形態の修正を行った後のア
クティブマトリクス基板の断面図及び上面からみたとき
の平面図を示す。

【００４８】また、本実施形態の修正を行うための欠陥
修正装置は、図４に示す欠陥修正装置を用いることがで
きる。

【００４９】なお、本実施形態のように、画素電極の形
成領域内に導電性異物が付着したときの欠陥検出は、画
像処理や抵抗検査の他にも膜厚検査や電気光学検査等を
用いることができる。

【００５０】該欠陥修正装置を用いて修正を行う場合、
導電性異物６の周囲にレーザを照射する必要があるが、
これは例えばモニタ２６上で中心位置と円周上の一点を
指定することにより、前記レーザが任意の円周上を走査
できるようにすれば良い。このとき、前記レーザで走査
する円周内部の面積は、画素電極の面積の１／３程度ま
でに抑えることが望ましい。

【００５１】（実施の形態３）以下、本発明の第３の実
施形態について、図７を用いて説明する。本実施形態
は、導電性異物が画素電極上に付着した場合、該導電性
異物によって画素電極と対向電極とがリークすることを
未然に防ぐ修正方法を示したものである。尚、図示はし
ないが、層間絶縁膜上に絶縁性又は導電性の異物が付着
し、該異物を覆って画素電極が形成された場合について
も、以下の説明と同様の修正方法を適用することができ
る。

【００５２】図７は、ガラス基板１上にデータ信号線
２、ゲート信号線（図示せず）、ゲート絶縁膜（図示せ
ず）、スイッチング素子（図示せず）等を覆って層間絶
縁膜３が形成され、該層間絶縁膜３上に画素電極４が形
成されたアクティブマトリクス基板において、前記画素
電極４上に導電性異物６が付着しているものを示した図
である。

【００５３】前記データ信号線２及び画素電極４は、そ
れぞれ厚みが約１５００ｎｍ、約１０００ｎｍのＩＴＯ
からなっており、前記層間絶縁膜３は厚みが約１〜３μ
ｍのアクリル系樹脂からなっている。

【００５４】このアクティブマトリクス基板を、このま
ま対向基板と貼り合わせた場合、前記導電性異物６によ
って、対向基板に形成された対向電極とリークしてしま
うため、これを未然に防ぐ必要がある。

【００５５】その方法として、前記導電性異物６の大き
さが、アクティブマトリクス基板と対向基板とのセル厚
以下となるように加圧装置によって加圧する方法がある
が、基板が薄くなった場合や大型となった場合には、加
圧によって基板が割れてしまうことが考えられる。

【００５６】そこで、実施の形態２と同様に、前記導電
性異物６の周囲のＩＴＯをレーザで除去することによっ
て、画素電極４と図示しない対向電極とのリークを未然
に防ぐことが可能となる。なお、レーザの照射条件は実
施の形態１と同様である。

【００５７】また、本実施形態の修正を行うための欠陥
修正装置は、図４に示す欠陥修正装置を用いることがで
きる。さらに、該欠陥修正装置を用いた修正方法は、実
施の形態２と同様なので説明を省略する。

【００５８】（実施の形態４）以下、本発明の第４の実
施形態について、図８を用いて説明する。本実施形態
は、画素電極となるＩＴＯ等の透明導電膜の形成前ある
いは形成途中に異物が付着し、パターニングの際に該異
物の裏側の透明導電膜がエッチングできずに画素電極同
士がリークした場合の修正方法を示したものである。

【００５９】図８は、ガラス基板１上にデータ信号線
２、ゲート信号線（図示せず）、ゲート絶縁膜（図示せ
ず）、スイッチング素子（図示せず）等を覆って層間絶
縁膜３が形成され、該層間絶縁膜３上に画素電極４が形
成されたアクティブマトリクス基板において、前記画素
電極４間のエッチング部に異物７が付着しているものを
示した図である。

【００６０】前記データ信号線２及び画素電極４は、そ
れぞれ厚みが約１５００ｎｍ、約１０００ｎｍのＩＴＯ
からなっており、前記層間絶縁膜３は厚みが約１〜３μ
ｍのアクリル樹脂からなっている。

【００６１】このアクティブマトリクス基板は、画素電
極４となるＩＴＯの形成前あるいは形成中に、ＩＴＯの
エッチング部に付着した異物７が障害となり、図８に示
すように、異物７の直下にフォト不良の発生領域８が生
じてしまうため所望のエッチングができず、該異物７の
下部において隣接する画素電極４同士がリークしてい
る。従って、前記異物７が導電性のものである場合はも
ちろんのこと、絶縁性のものであってもリークが発生し
てしまう。この欠陥は未然に防ぐことが難しく、また、
再度エッチングを試みたとしてもやはり前記異物７が障
害となってエッチングができず、前記リークを解消する
ことができない。

【００６２】そこで、実施の形態２と同様に、前記異物
７の周囲のＩＴＯをレーザで除去することによって、画
素電極４同士のリークを解消させることが可能となる。
なお、レーザの照射条件は実施の形態１と同様である。

【００６３】また、本実施形態の修正を行うための欠陥
修正装置は、図４に示す欠陥修正装置を用いることがで
きる。さらに、該欠陥修正装置を用いた修正方法は、実
施の形態２と同様なので説明を省略する。

【００６４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明のアクティ
ブマトリクス基板の欠陥修正方法は、透明導電膜形成面
側から、発振波長が４００ｎｍ以下のレーザを用いて、
前記透明導電膜の一部を除去するので、照射されるレー
ザが層間絶縁膜の下層に形成された信号線にダメージを
与えることなく、アクティブマトリクス基板の修正を行
うことができるという効果を奏する。

【００６５】前記レーザとして発振波長が４００ｎｍ以
下のものを用いれば非熱加工を行うことが可能となるの
で、層間絶縁膜や下層の信号線を損傷することなく修正
を行うことができるという効果を奏する。

【００６６】また、４００ｎｍ以下の短波長レーザはエ
キシマレーザを用いることによって得ることができる
が、ＹＡＧレーザの第３高調波または第４高調波を用い
れば装置を小型化することができ、扱い易いので望まし
い。

【００６７】また、前記画素電極が隣接する画素電極と
リークしたアクティブマトリクス基板に対しては、該リ
ーク部を除去する際に、下層の信号線幅以下の範囲内で
除去することにより、画素電極の開口率を落とすことな
く修正を行うことができるという効果を奏する。

【００６８】また、前記画素電極の形成領域内に導電性
異物が付着したアクティブマトリクス基板に対しては、
該異物の周囲の画素電極を除去するようにすれば、該異
物を直接除去した場合のように新たな欠陥が生じたり、
周辺膜の欠損等が発生したりすることがなく、正常に修
正を行うことができるという効果を奏する。

【００６９】本発明のアクティブマトリクス基板の欠陥
修正装置は、レーザの照射パルスに同期して前記ＸＹス
テージを移動制御することにより、被修正基板上に照射
されるレーザが直線状或いは曲線状に任意に走査するこ
とができるので、画素電極同士がリークした場合には、
リーク部を細長い線状に除去することにより、開口率を
落とすことなく欠陥を修正することができると共に、画
素電極上に導電性異物が付着した場合には、該異物の周
囲を曲線状に除去することにより、正常に修正を行うこ
とができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態１の欠陥修正方法により修正
される欠陥修正前のアクティブマトリクス基板の断面図
である。

【図２】本発明の実施形態１によるアクティブマトリク
ス基板の欠陥修正を行う様子を示す図である。

【図３】本発明の実施形態１による欠陥修正後のアクテ
ィブマトリクス基板の断面図及び平面図である。

【図４】本発明による欠陥修正を行うための欠陥修正装
置を示す概念図である。

【図５】本発明の実施形態２の欠陥修正方法により修正
される欠陥修正前のアクティブマトリクス基板の断面図
である。

【図６】本発明の実施形態２による欠陥修正後のアクテ
ィブマトリクス基板の断面図及び平面図である。

【図７】本発明の実施形態３の欠陥修正方法により修正
される欠陥修正前のアクティブマトリクス基板の断面図
である。

【図８】本発明の実施形態４の欠陥修正方法により修正
される欠陥修正前のアクティブマトリクス基板の断面図
である。

【図９】従来の欠陥修正方法により修正される欠陥修正
前のアクティブマトリクス基板の断面図である。

【図１０】従来のアクティブマトリクス基板の欠陥修正
を行う様子を示す図である。

【図１１】層間絶縁膜上に画素電極を形成したアクティ
ブマトリクス基板の断面図である。

【図１２】図１１におけるアクティブマトリクス基板の
画素電極同士がリークした時の断面図を示す図である。

【符号の説明】

１ ガラス基板 ２ データ信号線 ３ 層間絶縁膜 ４ 画素電極 ５ リーク部 ６ 導電性異物 ７ 異物 ８ フォト不良の発生領域 １１ ＹＡＧレーザ発振器 １２ 波長変換素子 １３ エネルギー減衰フィルタ １４ ハーフミラー １５ 光源 １６ ＣＣＤカメラ １７ 電動スリット １８ パワー検出器 １９ 集光レンズ ２０ 被検査基板 ２１ バックライト ２２ ＸＹステージ ２３ インターフェイス ２４ 制御部 ２５ 外部コントローラ ２６ モニタ

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 互いに直交差するゲート信号線及びデー
   タ信号線と、これらの交差部近傍に設けられたスイッチ
   ング素子とを備え、これらゲート信号線、データ信号線
   及びスイッチング素子の上部に層間絶縁膜が設けられ、
   かつ該層間絶縁膜上に透明導電膜からなる画素電極が前
   記データ信号線に重ね合わせるように設けられたアクテ
   ィブマトリクス基板の欠陥修正方法において、 前記アクティブマトリクス基板の透明導電膜形成面側か
   ら、発振波長が４００ｎｍ以下のレーザを用いて、前記
   透明導電膜の一部を除去することを特徴とするアクティ
   ブマトリクス基板の欠陥修正方法。
2. 【請求項２】 互いに直交差するゲート信号線及びデー
   タ信号線と、これらの交差部近傍に設けられたスイッチ
   ング素子とを備え、これらゲート信号線、データ信号線
   及びスイッチング素子の上部に層間絶縁膜が設けられ、
   かつ該層間絶縁膜上に透明導電膜からなる画素電極が設
   けられたアクティブマトリクス基板の欠陥修正方法にお
   いて、 前記アクティブマトリクス基板の透明導電膜形成面側か
   ら、ＹＡＧレーザの第３高調波または第４高調波を用い
   て、前記透明導電膜の一部を除去することを特徴とする
   アクティブマトリクス基板の欠陥修正方法。
3. 【請求項３】 前記画素電極が隣接する画素電極とリー
   クしたアクティブマトリクス基板に対して、該リーク部
   を除去する際に、下層の信号線幅以下の範囲内で除去す
   ることを特徴とする請求項１または請求項２記載のアク
   ティブマトリクス基板の欠陥修正方法。
4. 【請求項４】 前記画素電極の形成領域内に導電性異物
   が付着したアクティブマトリクス基板に対して、該異物
   の周囲の透明導電膜を除去することを特徴とする請求項
   １または請求項２記載のアクティブマトリクス基板の欠
   陥修正方法。
5. 【請求項５】 互いに直交差するゲート信号線及びデー
   タ信号線と、これらの交差部近傍に設けられたスイッチ
   ング素子とを備え、これらゲート信号線、データ信号線
   及びスイッチング素子の上部に層間絶縁膜が設けられ、
   かつ該層間絶縁膜上に透明導電膜からなる画素電極が前
   記データ信号線に重ね合わせるように設けられたアクテ
   ィブマトリクス基板の欠陥修正装置において、 被修正基板を載置するＸＹステージと、 該ステージの上部に発振波長が４００ｎｍ以下のレーザ
   発振器と、 該レーザ発振器から発せられるレーザの照射領域を制御
   する電動スリットと、 該スリットを通過するレーザを拡大或いは縮小するため
   の集光レンズと、 を少なくとも備え、 前記レーザの照射パルスに同期して前記ＸＹステージを
   移動制御することにより、被修正基板上に照射されるレ
   ーザを直線状或いは曲線状に任意に走査させることを特
   徴とするアクティブマトリクス基板の欠陥修正装置。
6. 【請求項６】 互いに直交差するゲート信号線及びデー
   タ信号線と、これらの交差部近傍に設けられたスイッチ
   ング素子とを備え、これらゲート信号線、データ信号線
   及びスイッチング素子の上部に層間絶縁膜が設けられ、
   かつ該層間絶縁膜上に透明導電膜からなる画素電極が設
   けられたアクティブマトリクス基板の欠陥修正装置にお
   いて、 被修正基板を載置するＸＹステージと、 該ステージの上部にレーザ発振器と、 該レーザ発振器から発せられるレーザの照射領域を制御
   する電動スリットと、 該スリットを通過するレーザを拡大或いは縮小するため
   の集光レンズと、 を少なくとも備え、 前記レーザの照射パルスに同期して前記ＸＹステージを
   移動制御することにより、被修正基板上に照射されるレ
   ーザを曲線状に任意に走査させることを特徴とするアク
   ティブマトリクス基板の欠陥修正装置。