JPH04136918A - アクティブマトリクス表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、表示用絵素電極にスイッチング素子を介して
駆動信号を印加することにより、表示を実行する表示装
置に関し、特に絵素電極をマトリクス状に配列して高密
度表示を行うアクティブマトリクス駆動方式の表示装置
に関する。

（従来の技術） 従来より、液晶表示装置、ＥＬ表示装置、プラズマ表示
装置等に於いては、マトリクス状に配列された絵素電極
を選択駆動することにより、画面上に表示パターンが形
成される。選択された絵素電極とこれに対向する対向電
極との間に電圧が印加され、これらの電極の間に介在す
る液晶等の表示媒体の光学的変調が行われる。この光学
的変調が表示パターンとして視認される。絵素電極の駆
動方式として、個々の独立した絵素電極を配列し、この
絵素電極のそれぞれにスイッチング素子を連結して駆動
するアクティブマトリクス駆動方式が知られている。絵
素電極を選択駆動するスイッチング素子としては、ＴＰ
Ｔ　（薄膜トランジスタ）素子、ＭＴＭ　（金属−絶縁
周一金属）素子、ＭＯＳトランジスタ素子、ダイオード
、バリスタ等が一般的に知られている。アクティブマト
リクス駆動方式は、高コントラストの表示が可能であり
、液晶テレビジョン、ワードプロセッサ、コンピュータ
の端末表示装置等に実用化されている。

このようなアクティブマトリクス表示装置に於て、例え
ばスイッチング素子が不良素子として形成されると、そ
の不良素子に接続された絵素電極には本来印加されるべ
き信号が印加されないため、表示画面上では点状の絵素
欠陥、即ち、点欠陥として現れる。

このような不良素子は、スイッチング素子を形成した後
、表示装置を組み立てる前に発見できれば、レーザトリ
ミング等で修正可能なものも弗る。

しかし、表示装置を組み立てる前の基板の状態で、何十
万という数のスイッチング素子の中から不良素子を検出
することは極めて困難である。即ち、量産レベルで上記
の検出を行うことは、時間及びコストの面で不可能に近
イ。

一方、スイッチング素子を形成した基板と対向基板とを
貼り合わせて表示装置を構成した後では、バス配線に所
定の電気信号を加えることにより、点欠陥を目視で容易
に検出することができる。しかし、このように表示装置
を組み立てた状態では、逆に点欠陥の修正を行うことが
できない。このような欠陥のある製品は廃棄せざるを得
ないため、コストが大きく上昇してしまう。

（発明が解決しようとする課題） 絵素欠陥を容易に検出でき、しかもその絵素欠陥を容易
に修正し得る構造を有する表示装置が開発されている。

第７図及び第８図にこのような液晶表示装置を構成する
一方の基板の平面図を示す。

第７図の液晶表示装置には、互いに平行に配列されたゲ
ートバス配線２１に直交して、ソースバス配線２３が配
設されている。２本のゲートバス配線２１及び２本のソ
ースバス配線２３に囲まれた矩形の各領域には、絵素電
極４１が配されている。

ゲートバス配線２１から分岐したゲートバス支線２２上
には、スイッチング素子として機能するＴＦＴ３１が形
成されている。ゲートバス支線２２はＴＦＴ３１のゲー
ト電極として機能する部分と、該部分より幅の小さい部
分とを有する。ＴＦＴ３１のドレイン電極３３は絵素電
極４１に電気的に接続され、ＴＦＴ３１のソース電極３
２はソースバス配線２３に接続されている。

絵素欠陥の検出は、この表示装置を作動させることによ
り目視て行い得る。ＴＦＴ３１の不良による絵素欠陥が
発見されると、まず、ゲートバス支線２２の細くなった
部分にレーザ光を照射することにより、ＴＦＴ３１とゲ
ートバス配線２１とを切り離す。次に、ＴＦＴ３１の入
力端子であるソース電極３２とゲートバス支線２２との
重畳部と、ＴＦＴ３１の出力端子であるトレイン電極３
３とゲートバス配線２２との重畳部とにレーザ光を照射
する。これにより、ソース電極３２とドレイン電極３３
とかゲートバス支線２２を介して電気的に接続される。

このように修正すると、不良ＴＦＴ３１に接続されてい
た絵素電極４１には、ソースバス配線２３によって直接
駆動されることになる。

第８図の表示装置には、ゲートバス配線２１から分岐し
たゲートバス突出部４３と、ソースバス配線２３から分
岐したソースバス突出部４６とが設けられている。第８
図のＴｌｌ−１１Ｉ線に沿った断面図を第３図に示す。

第３図に示すように、ゲートバス突出部４３のほぼ中央
部には、絶縁膜を挾んでソースバス突出部４６が重畳さ
れている。また、ゲートバス突出部４３の端部上には、
絵素電極４１に電気的に接続された導電片４４が、上記
絶縁膜を挟んで重畳されている。この表示装置では、ゲ
ートバス支線２２のゲート電極として機能している部分
の幅とそれ以外の部分の幅とは等しい。

この表示装置に於いても、絵素欠陥の検出は、この表示
装置を作動させることにより目視で行い得る。ＴＦＴ３
１の不良による絵素欠陥が発見されると、透明な基板を
介して、ゲートバス突出部４３とソースバス突出部４６
との重畳部と、ゲートバス突出部４３と導電片４４との
重畳部とにレーザ光が照射される。更に、レーザ光等の
照射によってゲートバス突出部４３の付は根部分が切断
され、ケートバス突出部４３とゲートバス配線２１とが
切り離される。これにより、ソースバス配線２３によっ
て絵素電極４１が直接駆動される。

第７図及び第８図の表示装置の正常な絵素電極４１に於
いては、ケートバス配線２１の選択時間内にソースバス
配線２３から供給された信号は、次にこのゲートバス配
線２１か選択されるまでの１周期の間保持される。しか
し、上述のように修正した絵素電極４１には、ゲートバ
ス配線２１か選択されているか否かにかかわらずソース
バス配線２３の信号が印加されるため、この修正絵素電
極４１を１周期を通して見ると、この周期の間にソース
バス配線２３に入力された信号電圧の実効値に相当する
表示が行われる。従って、修正絵素電極４１は、それに
接続されているソースバス配線２３に接続された全ての
絵素電極４１の平均的な明るさの表示を行うことになり
、完全な点欠陥となることを避けることができる。即ち
、修正絵素電極は正常には作動し得ないけれども、点欠
陥としてはきわめて判別しにくいものとなる。

上記の絵素欠陥の修正に於いて、ソースバス配線２３と
修正絵素電極４１との接続部分は、正常なＴＦＴ３１の
オン状態での抵抗値より小さくなければならない。なぜ
なら、ＴＦＴ３１の選択期間毎に次々と変化するソース
バス配線２３の信号を、速やかに修正絵素電極４１に直
接入力しなければならないからである。

このような絵素欠陥の修正機能を有する表示装置では、
例えば第９図の斜線部８１に示すように、絵素電極４１
と該絵素電極４１に接続されているソースバス配線２３
との間のリークによって絵素欠陥が生じている場合には
、前述の第７図で説明したように、ＴＦＴ３１のソース
電極３２とドレイン電極３３とをゲートバス支線２２を
介して接続し、ゲートバス支線２２を切断することによ
り、修正され得る。しかし、第９図の斜線部８２に示す
ように、絵素電極４１と該絵素電極４１に隣接する絵素
電極に接続されているソースバス配線２３との間のリー
クによって絵素欠陥が生じている場合には、上述のよう
な修正を行うと、隣接するソースバス配線２３及び２３
が欠陥を生じている絵素電極４１を介して接続され、画
面上には線欠陥が現れる。線欠陥は点欠陥より重大な影
響を及ぼすので、表示装置の歩留りを大きく低下させる
ことになる。

本発明はこのような問題点を解決するものであり、本発
明の目的は、絵素電極と該絵素電極に接続されている信
号線に隣接する信号線との間のリークによって絵素欠陥
が生じても、これを修正し得るアクティブマトリクス表
示装置を提供することである。

（課題を解決するための手段） 本発明のアクティブマトリクス表示装置は、対の絶縁性
基板と、該一対の基板の何れか一方の基板上にマトリク
ス状に配列された絵素電極と、該絵素電極の間に縦横に
配線された走査線及び信号線と、該走査線から分岐した
走査支線と、該走査支線の先端部に形成され、該絵素電
極に接続されたスイッチング素子と、該絵素電極に接続
された該走査線に隣接する走査線から該絵素電極の隅部
に突出する走査線突出部と、該絵素電極に接続された該
信号線に隣接する信号線から該隅部に突出し、該走査線
突出部に絶縁膜を介して重畳された信号線突出部と、該
絵素電極に電気的に接続され、該走査線突出部の端部に
絶縁膜を介して重畳された導電体片と、を備えており、
そのことによって上記目的が達成される。

また、前記走査支線が、先端部の幅の大きい部分と、該
先端部以外の幅の小さい部分とを有する構成とすること
ができる。

また、前記隣接する走査線から前記絵素電極の他の隅部
に突出する他の走査線突出部と、該絵素電極に接続され
た前記信号線から該他の隅部に突出し、該他の走査線突
出部に絶縁膜を介して重畳された他の信号線突出部と、
該絵素電極に電気的に接続され、該他の走査線突出部の
端部に絶縁膜を介して重畳された他の導電体片と、を更
に備えた構成とすることができる。

更に、本発明のアクティブマトリクス表示装置は、一対
の絶縁性基板と、該一対の基板の何れか一方の基板上に
マｌ−ＩＪクス状に配列された絵素電極と、該絵素電極
の間に縦横に配線された走査線及び信号線と、該走査線
から分岐だ走査支線と、該走査支線の先端部に形成され
、該絵素電極に接続されたスイッチング素子と、該絵素
電極に重畳された付加容量配線と、該付加容量配線から
該絵素電極の隅部に突出する付加容量配線突出部と、該
絵素電極に接続された該信号線に隣接する信号線から該
隅部に突出し、該付加容量配線突出部に絶縁膜を介して
重畳された信号線突出部と、該絵素電極に電気的に接続
され、該付加容量配線突出部の端部に絶縁膜を介して重
畳された導電体片と、を備えており、そのことによって
上記目的が達成される。

また、前記走査支線が、先端部の幅の大きい部分と、該
先端部以外の幅の小さい部分とを有する構成とすること
ができる。

また、前記付加容量配線から前記絵素電極の他の隅部に
突出する他の付加容量配線突出部と、該絵素電極に接続
された前記信号線から該他の隅部に突出し、該他の付加
容量配線突出部に絶縁膜を介して重畳された他の信号線
突出部と、該絵素電極に電気的に接続され、該他の付加
容量配線突出部の端部に絶縁膜を介して重畳された他の
導電体片と、を更に備えた構成とすることができる。

（作用） 本発明のアクティブマトリクス表示装置に於いて、絵素
電極と該絵素電極に接続されている信号線との間のリー
クによって絵素欠陥が生じている場合には、基板外部か
らの光エネルギー照射によって、スイッチング素子の入
力端子と出力端子とが走査支線を介して接続される。更
に、必要に応じて、走査支線が走査線から切り離される
。

また、絵素電極と該絵素電極に接続されている信号線に
隣接する信号線との間のリークによって絵素欠陥が生じ
ている場合には、走査線突出部と信号線突出部との重畳
部と、走査線突出部と導電体片との重畳部とに光エネル
ギーが照射される。

更に、走査線突出部と走査線とが光エネルギー照射によ
って切り離される。これにより、該絵素電極は隣接する
信号線に直接接続される。

また、付加容量配線を有する本発明のアクティブマトリ
クス表示装置に於いて、絵素電極と該絵素電極に接続さ
れている信号線に隣接する信号線との間のリークによっ
て絵素欠陥が生じている場合には、付加容量配線突出部
と信号線突出部との重畳部と、付加容量配線突出部と導
電体片との重畳部とに光エネルギーが照射される。更に
、付加容量配線突出部と付加容量配線とが光エネルギ照
射によって切り離される。これにより、該絵素電極は隣
接する信号線に直接接続される。

（実施例） 本発明の実施例について以下に説明する。

第１図に本発明の表示装置の一実施例に用いられるアク
ティブマトリクス基板の平面図を示す。

第２図に第１図のＩＦ−ＩＦ線に沿ったこの表示装置の
断面図を示す。第３図に第１図のｍ−ｍ線に沿った断面
図を示す。本実施例のアクティブマトリクス型表示装置
を製造工程に従って説明する。本実施例の表示装置は、
一対の絶縁性基板１及び２と、一方の基板１上にマトリ
クス状に配列された絵素電極４１と、絵素電極４１の間
に縦横に配線された走査線として機能するゲートバス配
線２１゜及び信号線として機能するソースバス配線２３
と、ゲートバス配線２１から分岐した走査支線としての
ゲートバス支線２２と、ゲートバス支線２２の先端部に
形成され、絵素電極４１に接続されたスイッチング素子
として機能するＴＦＴ３１と、絵素電極４１に接続され
たゲートバス配線２１ａに隣接するゲートバス配線２１
ｂから絵素電極４１の隅部に突出するゲートバス突出部
４３と、絵素電極４１に接続されたソースバス配線２３
ａに隣接するソースバス配線２３ｂから該隅部に突出し
、ゲートバス突出部４３にケート絶縁膜１１を介して重
畳されたソースバス突出部４６と、絵素電極４１に電気
的に接続され、ゲートバス突出部４３の端部にゲート絶
縁膜１１を介して重畳された導電体片４４と、を備えて
いる。ゲートバス支線２２は、ゲート電極２５として機
能する先端部の幅の大きい部分と、該先端部以外の幅の
小さい部分とを有する。ゲートバス配線２１は各ゲート
バス配線２Ｌａ、２１ｂ・・・からなり、ソースバス配
線２３は各ソースバス配線２３ａ、２３ｂ・・・からな
る。

本実施例では、絶縁性基板１として透明のガラス基板を
用いた。ゲートバス配線２１、ゲートバス支線２２、及
びゲートバス突出部４３は、一般にＴａ、Ｔｉ、ＡＩ、
Ｃｒ等の単層又はこれらの多層金属で形成されるが、本
実施例ではＴａを使用した。ケートバス配線２１、ゲー
トバス支線２２及びゲートバス突出部４３は、スパッタ
リング法により形成されたＴａ金属層をバターニングす
ることにより形成される。ゲートバス配線２１等を形成
する前に、ガラス基板１上にＴａ２０５等から成るベー
スコート膜を形成してもよい。

ゲートバス配線２１、ゲートバス支線２２及びゲートバ
ス突出部４３上には、ＳｉＮｘからなるバス絶縁膜１１
を全面に形成した。ゲート絶縁膜１１は、プラズマＣＶ
Ｄ法により３０００人の厚さに形成されている。ゲート
絶縁膜１１を形成する前に、ケー！・バス配線２１、ケ
ートバス支線２２及びゲートバス突出部４３の陽極酸化
を行って、Ｔａ２０６からなる陽極酸化膜を形成しても
よい。

次に、ゲートバス支線２２の先端部に、スイッチング素
子として機能するＴＦＴ３１を形成した。

ＴＦＴ３１について第２図を参照しながら説明する。上
述のようにゲート絶縁膜１１を形成した後、後にチャネ
ル層１２となるアモルファスシリコン（ａ−３ｔ）層と
、後にエツチングストッパ層１３となるＳｉＮｘ層とを
堆積させた。ａ−８ｔ層の厚さは３００人、ＳｉＮｘ層
の厚さは２０００人である。次に、ＳｉＮｘ層のバター
ニングを行い、エツチングストッパ層１３を形成した。

更に、ａＳｉ層及びエツチングストッパ層１３上の全面
に、後にコンタクト層１４．１４となる、Ｐ（リン）を
添加したｎ＋型ａ−３ｉ層を、プラズマＣＶＤ法により
８００人の厚さに堆積させた。次に、上記ａ−３ｔ層及
びｎ＋型ａ−３ｉ層のパターニングを同時に行い、チャ
ネル層１２及びコンタクト層１４．１４を形成した。

次に、後にソース電極３２、ソースバス配線２３、ドレ
イン電極３３及び導電体片４４となるＴｉ金属層を形成
した。上記ソースバス配線２３等は、一般に、Ｔｉ５Ａ
ｌ、ＭｏＳ　Ｃｒ等の単層又はこれらの多層金属で形成
されるが、本実施例ではＴｉを使用した。Ｔｉ金属層は
スパッタリング法により形成される。このＴｉ金属層を
パターニングすることにより、ソース電極３２、ソース
バス配線２３、ドレイン電極３３、及び導電体片４４を
形成した。ソースバス配線２３はゲートバス配線２１と
、前述のゲート絶縁膜１１を挟んで交差している。また
、第１図及び第３図に示すように、ソースバス突出部４
６はゲートバス突出部４３のほぼ中央部にゲート絶縁膜
１１を挟んで重畳されるように形成される。導電体片４
４はゲートバス突出部４３の端部の上にゲート絶縁膜１
１を挟んで形成される。

次に、第１図に示すように、ゲートバス配線２１とソー
スバス配線２３とに囲まれた矩形の領域に、Ｉ　Ｔｏ　
（Ｉｎｄｉｕｍ　ｔｉｎ　ｏｘｉｄｅ）から成る絵素電
極４１を形成した。絵素電極４１はＴＦＴ３１のドレイ
ン電極３３の端部に重畳され、ドレイン電極３３に電気
的に接続されている。また、第３図に示すように、絵素
電極４１は導電体片４４上にも重畳されて形成される。

更に、絵素電極４１を形成した基板上の全面に、Ｓｉ層
ヶからなる保護膜１７を堆積した。保護膜１７は、絵素
電極４１の中央部で除去した窓状の形状としてもよい。

保護膜１７上には配向膜１９を形成した。ガラス基板ｌ
に対向するガラス基板２上には、対向電極３及び配向膜
９が形成されている。これらの基板１及び２の間に液晶
層１８を封入し、本実施例のアクティブマトリクス型表
示装２０〜 置が完成する。

本実施例のアクティブマトリクス表示装置を全面駆動さ
せることにより、絵素欠陥の発生位置は目視で容易に特
定される。ＴＦＴ３１の不良により絵素電極４１にソー
スバス配線２３の信号を十分に印加できないことによる
絵素欠陥、又は絵素電極４１と該絵素電極４１に接続さ
れているソースバス配線２３ａとの間のリークによる絵
素欠陥が生じている場合には、基板１又は２の外部から
レーザ光等の光エネルギーが照射される。本実施例では
、光エネルギーとして、ＹＡＧレーザ光を用いた。レー
ザ光照射によってゲート絶縁膜１１が破壊され、ＴＦＴ
３１のソース電極３２とドレイン電極３３とがゲート電
極２５を介して接続される。更に、必要に応じて、ゲー
トバス支線２２がゲートバス配線２１から切り離される
。このように、同じレーザ光を用いても条件を適切に設
定すれば、金属層の切断と金属層間の接続とを行い得る
。また、ソース電極３２とドレイン電極３３との接続と
、ゲートバス支線２２の切断とを逆の順序で行ってもよ
い。

このようにして修正された絵素電極４１は、ソースバス
配線２３ａに接続された全ての絵素電極４１の平均的な
明るさの表示を行うことになり、完全な点欠陥となるこ
とを避けることができる。

また、基板Ｉ上の全面には保護膜１７が形成されている
ので、レーザ光を照射しても表示媒体である液晶層１８
の特性劣化は生じない。

また、絵素電極４１と該絵素電極４１に接続されている
ソースバス配線２３ａに隣接するソースバス配線２３ｂ
との間のリークによって絵素欠陥が生じている場合には
、ゲートバス突出部４３とソースバス突出部４６との重
畳部と、ゲートバス突出部４３と導電体片４４との重畳
部とにレーザ光が照射される。更に、ゲートバス突出部
４３とゲートバス配線２１ｂとがレーザ光照射によって
切り離される。これにより、絵素欠陥を生じていた絵素
電極４１は隣接するソースバス配線２３．ｂに直接接続
される。

このようにして修正された絵素電極４１は、該絵素電極
４１か接続されているソースバス配線２３ａに隣接する
ソースバス配線２３ｂに接続された全ての絵素電極４１
の、平均的な明るさの表示を行うことになり、完全な点
欠陥となることを避けることができる。

第４図に本発明の他の実施例に用いられるアクティブマ
トリクス基板の平面図を示す。この表示装置には、前述
の第１図の構成に加えて、ゲートバス配線２１ｂから絵
素電極４１の他の隅部に突出する他のゲートバス突出部
５３と、ソースバス配線２３ａから該他の隅部に突出し
、ゲートバス突出部５３にゲート絶縁膜１１を介して重
畳された他のソースバス突出部５６と、絵素電極４１に
電気的に接続され、ゲートバス突出部５３の端部にゲー
ト絶縁膜１１を介して重畳された他の導電体片５４と、
を更に備えている。また、ゲートバス支線２２は第１図
の基板とは異なり、全長に亘って同じ幅を有している。

本実施例のアクティブマトリクス表示装置に於いて、絵
素電極４１と該絵素電極４１に接続されているソースバ
ス配線２３ａに隣接するソースバス配線２３ｂとの間の
リークによって絵素欠陥が生じている場合には、前述の
第１図の実施例の場合と同様にして修正することかでき
る。ＴＦＴ３１の不良により絵素電極４１にソースバス
配線２３ａの信号を十分に印加てきないことによる絵素
欠陥、又は絵素電極４１と該絵素電極４１に接続されて
いるソースバス配線２３ａとの間のリークによる絵素欠
陥が生じている場合には、ゲートバス突出部５３とソー
スバス突出部５６との重畳部と、ゲートバス突出部５３
と導電体片５４との重畳部とにレーザ光が照射される。

更に、ケートバス突出部５３とゲートバス配線２１ｂと
がレーザ光照射によって切り離される。これにより、絵
素欠陥を生じていた絵素電極４１はソースバス配線２３
ａに直接接続される。

第５図に本発明の表示装置の更に他の実施例に用いられ
るアクティブマトリクス基板の平面図を示す。本実施例
の表示装置では、ゲートバス配線２１か絵素電極４１に
重畳され、ゲートバス配線２１と絵素電極４１との重畳
部に付加容量４２（斜線部）が形成されている。本実施
例の表示装置では、後述する第６図の実施例に比べ、付
加容量４２を有しているにもかかわらず開口率が大きい
という利点を有している。付加容量４２は、絵素電極４
１に蓄積されたソースバス配線２３からの信号を保持す
る機能を果たす。本実施例に於いても、第４図の実施例
と同様に絵素欠陥の修正を行うことができる。

第６図に本発明の表示装置の更に他の実施例に用いられ
るアクティブマトリクス基板の平面図を示す。本実施例
の表示装置では、付加容量配線２４が設けられ、絵素電
極４１と付加容量配線２４との重畳部に付加容量４２（
斜線部）が形成されている。付加容量配線２４には対向
基板２上の対向電極３と同じ信号が印加される。付加容
量配線２４はゲートバス配線２１と同時に形成される。

本実施例では、前述の第５図の実施例に於けるゲートバ
ス突出部４３及び５３に代えて、それぞれ付加容量配線
２４から突出した付加容量突出部４５及び５５か、絵素
電極４１の隅部のそれぞれに突出している。従って、本
実施例では、付加容量配線突出部４５とソースバス突出
部４６との重畳部と、付加容量配線突出部４５と導電体
片４４との重畳部とにレーザ光を照射することにより、
絵素欠陥が修正される。同様に、付加容量配線突出部５
５とソースバス突出部５６との重畳部と、付加容量配線
突出部５５と導電体片５４との重畳部とにレーザ光を照
射することにより、絵素欠陥が修正される。

第５図及び第６図の実施例では、前述の第４図の実施例
に付加容量を設けた構成について説明したが、本発明は
第１図の構成に付加容量を設けた構成とすることもでき
る。

（発明の効果） 本発明のアクティブマトリクス型表示装置では、絵素欠
陥を容易に検出することができる表示装置の状態で、ス
イッチング素子の不良や絵素電極と該絵素電極に接続さ
れた信号線との間のリークによる絵素欠陥を目立たない
ように修正することができる。また、絵素電極と該絵素
電極に接続されている信号線に隣接する信号線との間の
リークによって絵素欠陥が生じても、これを目立たない
ように修正することができる。従って、本発明によれば
、高い歩留りで表示装置を生産することができ、表示装
置のコスト低下に寄与することができる。

４、゛　　の、　なセロ 第１図は本発明の一実施例のアクティブマトリクス型表
示装置に用いられるアクティブマトリクス基板の平面図
、第２図は第１図の基板を用いた表示装置の第１図に於
けるｎ−ｎ線に沿った断面図、第３図は第１図の■−■
線に沿った断面図、第４図は本発明の表示装置の他の実
施例に用いられる基板の平面図、第５図及び第６図は付
加容量を有する本発明の表示装置の実施例に用いられる
基板の平面図、第７図及び第８図はアクティブマトリク
ス型表示装置の改良例に用いられるアクティブマトリク
ス基板の平面図、第９図は従来のアクティブマトリクス
基板に於ける絵素電極のり−ク発生原囚を示す図である
。

１．２・・・ガラス基板、３・・・対向電極、９，１９
・・・配向膜、１１・・・ゲート絶縁膜、１２・・・チ
ャネル層、１３・・・エツチングストッパ層、１４川コ
ンタクト層、１８・・・液晶層、２１，２１ａ、２１ｂ
・・・ケートハス配線、２２・・・ケートバス支線、２
３゜２３ａ、２３ｂ・・・ソースバス配線、２４・・・
付加容量配線、２５・・・ゲート電極、３１・・・ＴＦ
Ｔ、３２・・・ソース電極、３３・・・ドレイン電極、
４１・・・絵素電極、４２・・・付加容量、４３．５３
川ゲ一トバス突出部、４４．５４・・・導電体片、４６
．５６・・・ソースバス突出部、５５・・・付加容量配
線突出部。

以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、一対の絶縁性基板と、 該一対の基板の何れか一方の基板上にマトリクス状に配
   列された絵素電極と、 該絵素電極の間に縦横に配線された走査線及び信号線と
   、 該走査線から分岐した走査支線と、 該走査支線の先端部に形成され、該絵素電極に接続され
   たスイッチング素子と、 該絵素電極に接続された該走査線に隣接する走査線から
   該絵素電極の隅部に突出する走査線突出部と、 該絵素電極に接続された該信号線に隣接する信号線から
   該隅部に突出し、該走査線突出部に絶縁膜を介して重畳
   された信号線突出部と、 該絵素電極に電気的に接続され、該走査線突出部の端部
   に絶縁膜を介して重畳された導電体片と、を備えたアク
   ティブマトリクス表示装置。 ２、前記走査支線が、先端部の幅の大きい部分と、該先
   端部以外の幅の小さい部分とを有する、請求項１に記載
   のアクティブマトリクス表示装置。 ３、前記隣接する走査線から前記絵素電極の他の隅部に
   突出する他の走査線突出部と、 該絵素電極に接続された前記信号線から該他の隅部に突
   出し、該他の走査線突出部に絶縁膜を介して重畳された
   他の信号線突出部と、 該絵素電極に電気的に接続され、該他の走査線突出部の
   端部に絶縁膜を介して重畳された他の導電体片と、 を更に備えた請求項１に記載のアクティブマトリクス表
   示装置。 ４、一対の絶縁性基板と、 該一対の基板の何れか一方の基板上にマトリクス状に配
   列された絵素電極と、 該絵素電極の間に縦横に配線された走査線及び信号線と
   、 該走査線から分岐た走査支線と、 該走査支線の先端部に形成され、該絵素電極に接続され
   たスイッチング素子と、 該絵素電極に重畳された付加容量配線と、 該付加容量配線から該絵素電極の隅部に突出する付加容
   量配線突出部と、 該絵素電極に接続された該信号線に隣接する信号線から
   該隅部に突出し、該付加容量配線突出部に絶縁膜を介し
   て重畳された信号線突出部と、該絵素電極に電気的に接
   続され、該付加容量配線突出部の端部に絶縁膜を介して
   重畳された導電体片と、 を備えたアクティブマトリクス表示装置。 ５、前記走査支線が、先端部の幅の大きい部分と、該先
   端部以外の幅の小さい部分とを有する、請求項４に記載
   のアクティブマトリクス表示装置。 ６、前記付加容量配線から前記絵素電極の他の隅部に突
   出する他の付加容量配線突出部と、該絵素電極に接続さ
   れた前記信号線から該他の隅部に突出し、該池の付加容
   量配線突出部に絶縁膜を介して重畳された他の信号線突
   出部と、該絵素電極に電気的に接続され、該他の付加容
   量配線突出部の端部に絶縁膜を介して重畳された他の導
   電体片と、 を更に備えた請求項４に記載のアクティブマトリクス表
   示装置。