JP2005173613A - 薄膜トランジスタ表示板 - Google Patents
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Abstract
【課題】 ステッチ不良が防止できる薄膜トランジスタ表示板を提供する。また、画素の開口率が確保できる薄膜トランジスタ表示板を提供する。
【解決手段】 薄膜トランジスタ表示板において、絶縁基板上にゲート電極を有するゲート線が形成され、ゲート線を覆うゲート絶縁膜上部にはゲート電極と重なる半導体層が形成されている。ゲート絶縁膜上部には、ゲート線と交差してソース電極を有するデータ線、データ線と分離されてデータ線と並んでのびているドレイン電極、及びドレイン電極と接続されて前段のゲート線と重なるストレージキャパシタ用導電体が形成されている。その上部には、ストレージキャパシタ用導電体を露出するコンタクトホールを有し、有機絶縁物質からなる保護膜が形成され、保護膜上部には、コンタクトホールを通じてストレージキャパシタ用導電体及びドレイン電極と接続されている画素電極が、形成されている。この時、データ線は、互いに隣接する画素領域の画素電極のうちの一つと完全に重なっている。
【選択図】 図1
Description
保護膜は、有機絶縁物質からなることが好ましく、保護膜の下部に形成されているカラーフィルターをさらに含むことができる。
まず、図1乃至図3を参照して、本発明の一実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の構造について詳細に説明する。
ゲート線121上には、窒化ケイ素(SiNx)などからなるゲート絶縁膜140が形成されている。
オーミック接触部材161、165及びゲート絶縁膜140上には、それぞれ、複数のデータ線171と複数のドレイン電極175及び複数のストレージキャパシタ用導電体177(維持蓄電器用導電体)(storage capacitor conductor)が形成されている。
オーミック接触部材161、165は、その下部の半導体151とその上部のデータ線171及びドレイン電極175の間にのみ存在し、接触抵抗を低くする役割をする。線状半導体151は、ソース電極173とドレイン電極175の間を始めとして、データ線171及びドレイン電極175によって覆われず露出された部分を有し、大部分のところで線状半導体151の幅がデータ線171の幅よりも小さいが、既に説明したように、ゲート線121と出会う部分で幅が大きくなり、ゲート線121とデータ線171の間の絶縁を強化する。
画素電極190は、コンタクトホール187を通じてドレイン電極175及びストレージキャパシタ用導電体177とそれぞれ物理的・電気的に接続され、ドレイン電極175からデータ電圧の印加を受ける。
接触補助部材82は、コンタクトホール182を通じてデータ線の端部179とそれぞれ接続される。接触補助部材82は、データ線171の各端部179と駆動集積回路のような外部装置との接着性を補完し、これらを保護する役割をするものであって必須ではなく、これらの適用は、選択的ある。勿論、ゲート線121の端部も、データ線の端部のように、保護膜のコンタクトホールを通じて接触補助部材と接続される。
本発明の他の実施例によれば、画素電極190の材料に、透明な導電性ポリマー(polymer)などを使用し、反射型液晶表示装置の場合には、不透明な反射性金属を用いてもよい。この時、接触補助部材82は、画素電極190と異なる物質、特にIZOまたはITOで形成することができる。
次に、窒化ケイ素のような無機絶縁膜を、または低い誘電率を有する有機絶縁膜を積層して保護膜180を形成し、その上部に感光膜をスピンコーティング方法で塗布し、その後マスクを用いるフォトエッチング工程で保護膜180若しくはゲート絶縁膜140をパターニングして、ストレージキャパシタ用導電体177、データ線の端部179を露出してコンタクトホール182、187を形成する。
図12は、本発明の他の実施例による液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図13及び図14は、それぞれ図12に示す薄膜トランジスタ表示板のXIII-XIII´線及びXIV-XIV´線による断面図である。
以下、図12乃至図14の構造を有する液晶表示装置用薄膜トランジスタ表示板を本発明の一実施例によって製造する方法について、図15乃至図22b、及び図12乃至図14を参照して詳細に説明する。
(1)その他の領域Bに位置する導電体層170、不純物非晶質シリコン層160及び非晶質シリコン層150の第3部分を除去、
(2)チャンネル領域Cに位置する感光膜の第2部分64を除去、
(3)チャンネル領域Cに位置する導電体層170及び不純物非晶質シリコン層160の第2部分を除去、そして
(4)配線領域Aに位置する感光膜の第1部分62を除去。
(1)その他の領域Bに位置する導電体層170の第3部分を除去、
(2)チャンネル領域Cに位置する感光膜の第2部分64を除去、
(3)その他の領域Bに位置する不純物非晶質シリコン層160及び非晶質シリコン層150の第3部分を除去、
(4)チャンネル領域Cに位置する導電体層170の第2部分を除去、
(5)配線領域Aに位置する感光膜の第1部分62を除去、そして
(6)チャンネル領域Cに位置する不純物非晶質シリコン層160の第2部分を除去。
まず、図18a及び18bに示すように、その他の領域Bに露出されている導電体層170を湿式或いは乾式でエッチング法によって除去して、下部の不純物非晶質シリコン層160第3部分を露出する。アルミニウム系列の導電膜は、主に湿式エッチングで行い、モリブデン系列の導電膜は、湿式及び乾式エッチングを選択的に実施できる。
しかし、保護膜180下部の画素領域には、ストレージキャパシタ用導電体177を露出する開口部を有する赤、緑、青のカラーフィルター230R、230G、230Bが縦方向に形成されている。ここで、赤、緑、青のカラーフィルター230R、230G、230Bの境界は、データ線171上部で一致することもあるが、データ線171上部で互いに重なり画素領域の間から漏れる光を遮断する機能を有することもできる。
以上、本発明の好ましい実施例について詳細に説明したが、本発明の権利範囲は、これに限定されず、特許請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態もまた、本発明の権利範囲に属する。
121 ゲート線
124 ゲート電極
140 ゲート絶縁膜
151、154 半導体
161、163、165 オーミック接触部材(抵抗性接触部材)
171 データ線
173 ソース電極
175 ドレイン電極
180 保護膜
181、182、185 コンタクトホール(接触孔)
190 画素電極
81、82 接触補助部材
Claims (11)
- 絶縁基板上に形成されている複数のゲート線と、
前記ゲート線を覆うゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上部に形成されている複数の半導体と、
前記ゲート絶縁膜上部に形成され、前記ゲート線と交差する複数のデータ線と前記データ線とから分離され、前記データ線と並んでのびているドレイン電極と、
前記ドレイン電極と接続され、前段の前記ゲート線と重なっている導電体と、
前記データ線及び前記ドレイン電極を覆っている保護膜と、
前記保護膜の第1コンタクトホールを通じて前記ドレイン電極と電気的に接続され、前記ゲート線と前記データ線によって囲まれた画素領域に配置されている画素電極と、
を備える薄膜トランジスタ表示板であって、
前記データ線は、互いに隣接する前記画素領域の前記画素電極のうちの一つと完全に重なっている、薄膜トランジスタ表示板。 - 前記ドレイン電極は、前記画素領域の周縁で前記データ線と並んでのびている、請求項1に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ドレイン電極は、前記画素電極の周縁部と少なくとも一部が重畳する、請求項2に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ドレイン電極は、前記画素電極の周縁部と完全に重畳する、請求項3に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記第1コンタクトホールは、一つからなっている、請求項1に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記第1コンタクトホールは、前記導電体の一部を露出する、請求項1に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記保護膜は、有機絶縁物質を備える、請求項1に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記保護膜は、カラーフィルターを備える、請求項1に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記保護膜は、前記データ線の端部、又は、前記ゲート絶縁膜と共に前記ゲート線の端部を露出する第2コンタクトホールを有し、
前記画素電極と同一層で形成され、前記第2コンタクトホールを通じて前記データ線の端部若しくは前記ゲート線の端部とそれぞれ接続されている接触補助部材をさらに備える、請求項1に記載の薄膜トランジスタ表示板。 - 前記ドレイン電極と前記データ線との間を除く前記半導体は、前記データ線及び前記ドレイン電極と同一形状に形成されている、請求項1に記載の薄膜トランジスタ表示板。
- 前記導電体と重なる前記ゲート線は、突出した拡張部を備える、請求項1に記載の薄膜トランジスタ表示板。
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