CN102934154B - 显示面板及其制造方法 - Google Patents

显示面板及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102934154B
CN102934154B CN201180003310.3A CN201180003310A CN102934154B CN 102934154 B CN102934154 B CN 102934154B CN 201180003310 A CN201180003310 A CN 201180003310A CN 102934154 B CN102934154 B CN 102934154B
Authority
CN
China
Prior art keywords
pixel electrode
driver element
separately
connecting portion
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201180003310.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN102934154A (zh
Inventor
竹内孝之
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Japan Display Design And Development Contract Society
Original Assignee
Joled Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Joled Inc filed Critical Joled Inc
Publication of CN102934154A publication Critical patent/CN102934154A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN102934154B publication Critical patent/CN102934154B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259Repairing; Defects
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09FDISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • G09F9/35Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements being liquid crystals
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

配置于晶体管阵列基板的多个驱动单元包括一部分有缺陷的驱动单元。在将多个像素电极中与有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第一像素电极、将多个像素电极中与没有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第二像素电极的情况下,第二像素电极各自形成为其一部分进入对应的接触孔,第二像素电极各自的进入接触孔的部分与对应的驱动单元的供电衬垫接触,从而第二像素电极各自与对应的驱动单元电连接,第一像素电极各自与对应的驱动单元保持非电连接,通过连接部与相邻的第二像素电极的任一第二像素电极连接。所述连接部各自在从所述第一像素电极到所述相邻的第二像素电极的形成有各个所述连接部的全部区域,以与所述层间绝缘膜接触的状态而形成。

Description

显示面板及其制造方法
技术领域
本发明涉及有源矩阵驱动型的显示面板及其制造方法。
背景技术
在这种显示面板中,按呈矩阵状配置的各像素电极而配置有驱动单元。各驱动单元构成为包括薄膜晶体管元件。理想的是各驱动单元的所有薄膜晶体管元件都正常工作,但实际上由于栅极绝缘膜的耐压不良、布线的断线等,有时会存在几个有缺陷的薄膜晶体管元件。当通过包括有缺陷的薄膜晶体管元件的驱动单元来驱动像素电极时,有可能会导致在显示面板产生暗点和/或亮点。因此,例如在专利文献1中,使有缺陷的驱动单元和与所述驱动单元对应的像素电极非电连接,并且使所述像素电极和与没有缺陷的驱动单元对应的像素电极电连接。
更详细地说明,在专利文献1中,在基板上呈矩阵状配置多个像素电极,并且使栅极信号线在行方向上延伸,使源极信号线在列方向上延伸,来形成相邻的像素电极之间。即,多个像素电极和各信号线存在于同层上、且在相邻的像素电极之间存在栅极信号线和源极信号线中的任一信号线。因此,为了连接相邻的像素电极彼此,由绝缘膜覆盖所述信号线以使得不会各像素电极之间的信号线不发生短路,然后经由金属薄膜连接相邻的像素电极彼此。
根据该结构,与有缺陷的驱动单元对应的像素电极通过与其电连接的没有缺陷的驱动单元来驱动,因此能够防止在显示面板产生暗点和/或亮点。
在先技术文献
专利文献1:日本特开昭63-276032号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是,从防止短路的观点考虑,覆盖信号线的绝缘膜的膜厚优选在某种程度上为厚绝缘膜。这是因为:若绝缘膜为薄膜,则在所述绝缘膜容易发生针孔和/或撕裂等,即使假设由绝缘膜覆盖信号线,在所述绝缘膜上形成的金属薄膜与信号线也很可能发生短路。若发生短路,则与没有缺陷的驱动单元对应的像素电极也无法正常驱动,因此显示面板的不良范围扩大,会导致画质进一步的劣化。
然而,若使绝缘膜的膜厚加厚,则基板与绝缘膜的段差会变大,因此金属薄膜容易断线。这是因为:金属薄膜通过溅射法等形成,但由于基板与绝缘膜的段差变大,因此难以覆盖绝缘膜的侧面部分。若发生断线,则相邻的像素电极彼此没有电连接,因此画质没有得以改善。
于是,本发明的目的在于提供一种相邻的像素电极的连接部分不容易断线的显示面板。
用于解决问题的手段
为了解决上述问题,本发明的一种方式的显示面板包括:晶体管阵列基板,其呈矩阵状配置有多个包括薄膜晶体管元件的驱动单元;层间绝缘膜,其形成在所述晶体管阵列基板上,在与所述多个驱动单元对应的各区域的一部分形成有接触孔;以及多个像素电极,其与所述多个驱动单元对应地呈矩阵状配置在所述层间绝缘膜上,所述多个驱动单元包括一部分有缺陷的驱动单元,在将所述多个像素电极中与有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第一像素电极、将所述多个像素电极中与没有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第二像素电极的情况下,所述第二像素电极各自形成为其一部分进入对应的接触孔,所述第二像素电极各自的进入接触孔的部分与对应的驱动单元的供电衬垫接触,从而所述第二像素电极各自与对应的驱动单元电连接,所述第一像素电极各自与对应的驱动单元保持非电连接,所述第一像素电极各自通过由导电性材料构成的连接部与相邻的第二像素电极的任一第二像素电极连接,所述连接部各自在从所述第一像素电极到所述相邻的第二像素电极的形成有各个所述连接部的全部区域,以与所述层间绝缘膜接触的状态而形成。
发明的效果
在本发明的一种方式的显示面板中,所述第一像素电极各自通过由导电性材料构成的连接部与相邻的第二像素电极的任一第二像素电极连接,所述连接部各自在从所述第一像素电极到所述相邻的第二像素电极的形成有各个所述连接部的全部区域,以与所述层间绝缘膜接触的状态而形成。换言之,在所述层间绝缘膜上的、从所述第一像素电极到所述相邻的第二像素电极的形成有各个连接部的全部区域不存在段差。因此,连接部不容易断线。
另外,所述第一像素电极各自通过与由所述连接部连接的所述第二像素电极对应的没有缺陷的驱动单元来驱动,因此能够防止在显示面板产生亮点或暗点。由此,能够抑制由于亮点或暗点导致的画质的劣化。
附图说明
图1的(a)是表示包括本发明实施方式1的显示面板105的显示装置100的电结构的框图。图1的(b)是表示显示面板105具有的一个像素电路的电路结构及与其周边电路的连接的图。
图2是表示显示面板105中的栅极线200、数据线201、电源线202以及驱动单元209的布局的示意俯视图。
图3是表示显示面板105中的像素电极205的布局的示意俯视图。
图4的(a)是示意表示显示面板105的结构的局部剖视图(图2的A-A’剖面)。图4的(b)是示意表示显示面板105的结构的局部剖视图(图2的B-B’剖面)。
图5是示意表示显示面板105的结构的局部剖视图(图3的C-C’剖面)。
图6是表示显示面板105的制作工序的图。
图7是表示像素电极形成工序和像素电极连接工序的一例的工序图。
图8是表示像素电极形成工序和像素电极连接工序中后续于图7所示工序的部分的一例的工序图。
图9是示意表示显示面板105的主要部分的局部剖视图。
图10是变形例1的显示面板中的像素电极的示意俯视图。
图11是示意表示变形例1的显示面板的结构的局部剖视图(图10的D-D’剖面)。
图12是表示变形例1的显示面板105的制作工序的图。
图13是表示变形例1的像素电极形成工序的一例的工序图。
图14是表示像素电极形成工序中后续于图13所示工序的部分的一例的工序图。
图15是变形例2的显示面板中的像素电极的示意俯视图。
图16是表示变形例2的像素电极形成工序的一例的工序图(与图15的E-E’剖面相当)。
图17是表示像素电极形成工序中后续于图16所示工序的部分的一例的工序图。
图18是变形例3的显示面板中的像素电极的示意俯视图。
图19是表示变形例3的显示面板的制作工序的图。
图20是表示变形例3的像素电极形成工序的一例的工序图(与图19的F-F’剖面相当)。
图21是表示像素电极形成工序中后续于图20所示工序的部分的一例的工序图。
图22是表示变形例4的显示面板中的栅极线200a、电源线202a、驱动单元501以及像素电极601的布局的示意俯视图。
图23的(a)是示意表示变形例4的显示面板结构的局部剖视图(图22的G-G’剖面)。图23的(b)是示意表示变形例4的显示面板结构的局部剖视图(图22的H-H’剖面)。
图24是表示显示装置100的外观的图。
标号说明
100显示装置
101控制电路
102存储器
103扫描线驱动电路
104数据线驱动电路
105显示面板
200栅极线
201数据线
202电源线
203开关晶体管
204驱动晶体管
205像素电极
206保持电容
207共用电极
208像素电路
209驱动单元
具体实施方式
<实施方式>
本发明的一种方式的显示面板包括:晶体管阵列基板,其呈矩阵状配置有多个包括薄膜晶体管元件的驱动单元;层间绝缘膜,其形成在所述晶体管阵列基板上,在与所述多个驱动单元对应的各区域的一部分形成有接触孔;以及多个像素电极,其与所述多个驱动单元对应地呈矩阵状配置在所述层间绝缘膜上,所述多个驱动单元包括一部分有缺陷的驱动单元,在将所述多个像素电极中与有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第一像素电极、将所述多个像素电极中与没有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第二像素电极的情况下,所述第二像素电极各自形成为其一部分进入对应的接触孔,所述第二像素电极各自的进入接触孔的部分与对应的驱动单元的供电衬垫接触,从而所述第二像素电极各自与对应的驱动单元电连接,所述第一像素电极各自与对应的驱动单元保持非电连接,所述第一像素电极各自通过由导电性材料构成的连接部与相邻的第二像素电极的任一第二像素电极连接,所述连接部各自在从所述第一像素电极到所述相邻的第二像素电极的形成有各个所述连接部的全部区域,以与所述层间绝缘膜接触的状态而形成。
在本发明的一种方式的显示面板中,所述第一像素电极各自通过由导电性材料构成的连接部与相邻的第二像素电极的任一第二像素电极连接,所述连接部各自在从所述第一像素电极到所述相邻的第二像素电极的形成有各个所述连接部的全部区域,以与所述层间绝缘膜接触的状态而形成。换言之,在所述层间绝缘膜上的、从所述第一像素电极到所述相邻的第二像素电极的形成有各个连接部的全部区域不存在段差。因此,连接部不容易断线。
另外,所述第一像素电极各自通过与由所述连接部连接的所述第二像素电极对应的没有缺陷的驱动单元来驱动,因此能够防止在显示面板产生亮点或暗点。由此,能够抑制由于亮点或暗点导致的画质的劣化。
在此,作为本发明的其他方式,可以为,所述多个像素电极和所述连接部各自由相同的材料构成,所述第一像素电极、所述相邻的第二像素电极以及所述连接部各自一体形成。
此时,作为本发明的其他方式,可以为,电极材料膜中的与所述多个像素电极和所述连接部各自相当的部分在由抗蚀剂材料覆盖的状态下被蚀刻,由此所述第一像素电极、所述相邻的第二像素电极以及所述连接部各自一体形成。
在本方式的显示面板中,在由所述连接部连接的所述第一像素电极与所述相邻的第二像素电极之间,不存在例如自然氧化膜那种存在于连接界面而成为电阻成分的连接界面。因此,与存在连接边界的情况相比,从所述第一像素电极到由所述连接部连接的所述相邻的第二像素电极的图像信号的衰减较少。其结果,在与有缺陷的驱动单元对应的像素中也能够得到良好的发光。
在此,作为本发明的其他方式,所述连接部各自可以由绝缘部覆盖。
在此,作为本发明的其他方式,所述绝缘部可以为划分所述多个像素电极的隔壁。
在此,作为本发明的其他方式,可以为,至少一个第一像素电极被分割,所分割出的第一像素电极各自分别与相邻于所述第一像素电极的第二像素电极连接。
在本发明的显示面板中,所分割出的第一像素电极各自分别与相邻于所述第一像素电极的第二像素电极连接,因此例如在所分割出的第一像素电极与图像的缝隙(切れ目)相当的情况下,能够减轻用户的违和感。
在此,作为本发明的其他方式,可以为,所述第一像素电极各自通过对应的驱动单元的所述薄膜晶体管元件中的、向所述第一像素电极各自的供电路径被切断,从而与对应的有缺陷的驱动单元保持非电连接。
在此,作为本发明的其他方式,所述第一像素电极各自可以为与对应的接触孔相当的部分欠缺的形状。
在此,作为本发明的其他方式,所述层间绝缘膜可以包括形成在所述晶体管阵列基板上的钝化膜、和形成在所述钝化膜上的平坦化膜。
在此,作为本发明的其他方式,所述第一像素电极各自可以与行方向上相邻的第二像素电极连接。
在此,作为本发明的其他方式,所述第一像素电极各自可以与列方向上相邻的第二像素电极连接。
在将显示面板中的发光色按各列而不同作为前提的情况下,在本方式的显示面板中,所述第一像素电极各自与相同发光色的第二像素电极连接,因此能够减轻对用户的违和感。
在此,作为本发明的其他方式,所述显示面板可以是电致发光显示面板。
在此,作为本发明的其他方式,所述显示面板可以是有机电致发光显示面板。
在此,本发明的一个方式的显示面板的制造方法,包括:准备工序,准备基板;晶体管阵列基板形成工序,通过在所述基板上呈矩阵状配置多个包括薄膜晶体管元件的驱动单元,形成晶体管阵列基板;层间绝缘膜形成工序,在所述晶体管阵列基板上形成层间绝缘膜,所述层间绝缘膜在与所述多个驱动单元对应的各区域的一部分形成有接触孔;以及像素电极形成工序,在所述层间绝缘膜上与所述多个驱动单元对应地呈矩阵状配置多个像素电极,所述多个驱动单元包括一部分有缺陷的驱动单元,在将所述多个像素电极中与有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第一像素电极、将所述多个像素电极中与没有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第二像素电极的情况下,将所述第二像素电极各自形成为其一部分进入对应的接触孔,通过使所述第二像素电极各自的进入接触孔的部分与对应的驱动单元的供电衬垫接触,使所述第二像素电极各自与对应的驱动单元电连接,使所述第一像素电极各自与对应的驱动单元非电连接,将所述第一像素电极各自通过由导电性材料构成的连接部与相邻的第二像素电极的任一第二像素电极连接,在从所述第一像素电极到所述相邻的第二像素电极的形成有各个所述连接部的全部区域,形成为使所述连接部各自与所述层间绝缘膜接触。
在此,作为本发明的其他方式,可以为,在所述像素电极形成工序中,使用与像素电极相同的材料作为连接部的材料,一体形成所述第一像素电极、所述相邻的第二像素电极以及所述连接部各自。
此时,作为本发明的其他方式,可以为,所述像素电极形成工序包括:电极材料膜形成工序,在所述层间绝缘膜上形成由电极材料构成的膜;抗蚀剂膜形成工序,在所述电极材料膜上形成抗蚀剂膜;抗蚀剂膜图案形成工序,将所述抗蚀剂膜图案形成为与所述多个像素电极对应的预定形状;抗蚀剂材料追加工序,通过对图案形成为所述预定形状的抗蚀剂膜中与所述第一像素电极各自和相邻的所述第二像素电极的任一第二像素电极之间相当的部分,追加抗蚀剂材料,从而对与从所述第一像素电极各自到所述任一第二像素电极的区域相当的部分进行填埋;蚀刻工序,通过对所述电极材料膜进行蚀刻,一体形成所述第一像素电极、所述相邻的第二像素电极以及所述连接部各自。
在本发明的一个方式的显示面板的制造方法中,没有必要另行追加形成连接部的工序,因此能够简化制造工序,同时实现一体形成所述第一像素电极、所述相邻的第二像素电极以及所述连接部各自的构造。
另外,在抗蚀剂蚀刻后进行抗蚀剂修正,因此没有必要准备与有缺陷的薄膜晶体管元件的位置相应的曝光用掩模,因此从成本的观点考虑是有用的。
在此,作为本发明的其他方式,还可以包括由绝缘部覆盖所述连接部各自的工序。
在此,作为本发明的其他方式,所述绝缘部可以为划分所述多个像素电极的隔壁。
在此,作为本发明的其他方式,可以为,所述像素电极形成工序中,在所述蚀刻工序前还包括抗蚀剂膜除去工序,在所述抗蚀剂膜除去工序中,通过激光除去图案形成为所述预定形状的抗蚀剂膜中与至少一个第一像素电极的中央部相当的部分,在所述抗蚀剂材料追加工序中,通过对图案形成为所述预定形状的抗蚀剂膜中与所述至少一个第一像素电极各自和相邻的两个所述第二像素电极之间相当的部分各自,追加抗蚀剂材料,从而对与从所述至少一个第一像素电极各自到所述两个第二像素电极各自的区域相当的部分进行填埋,在所述蚀刻工序中,分割形成所述至少一个第一像素电极,并且形成为使所分割出的第一像素电极各自分别与相邻于所述第一像素电极的各第二像素电极连接。
在此,作为本发明的其他方式,可以为,所述像素电极形成工序中,在所述蚀刻工序前还包括抗蚀剂膜除去工序,在所述抗蚀剂膜除去工序中,通过激光除去图案形成为所述预定形状的抗蚀剂膜中与对应于第一像素电极各自的接触孔相当的部分,在所述蚀刻工序中,将所述第一像素电极各自形成为与对应的接触孔相当的部分欠缺的形状。
在本方式的显示面板的制造方法中,不是通过另行设置布线切断工序来使有缺陷的驱动单元与像素电极非电连接,而是通过对进行了图案形成的抗蚀剂层进行修正来实现非电连接的结构。因此,能够简化制造工序。
在此,作为本发明的其他方式,在所述绝缘材料膜形成工序之前还可以包括对所述各有缺陷的驱动单元的薄膜晶体管中的向对应的第一像素电极的供电路径进行切断的工序。
在此,作为本发明的其他方式,形成所述层间绝缘膜的工序可以包括:在所述晶体管阵列基板上形成钝化膜的工序;和在所述钝化膜上形成平坦化膜的工序。
在此,本发明的一个方式的显示面板的制造方法可以包括:准备工序,准备基板;晶体管阵列基板形成工序,通过在所述基板上呈矩阵状配置多个包括薄膜晶体管元件的驱动单元,形成晶体管阵列基板;检查工序,检查所述晶体管阵列基板中的各薄膜晶体管元件有无缺陷;位置信息取得工序,基于所述检查的结果,取得所述晶体管阵列基板中的有缺陷的驱动单元的位置信息;切断工序,通过对所取得的位置信息表示的有缺陷的驱动单元的布线或薄膜晶体管元件的至少一部分进行切断,使所述驱动单元为非电导通;层间绝缘膜形成工序,在所述晶体管阵列基板上形成层间绝缘膜,所述层间绝缘膜在与所述多个驱动单元对应的各区域的一部分形成有接触孔;以及像素电极形成工序,在所述层间绝缘膜上与所述多个驱动单元对应地呈矩阵状配置多个像素电极,所述多个驱动单元包括一部分有缺陷的驱动单元,在将所述多个像素电极中与有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第一像素电极、将所述多个像素电极中与没有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第二像素电极的情况下,将所述第二像素电极各自形成为其一部分进入对应的接触孔,通过使所述第二像素电极各自的进入接触孔的部分与对应的驱动单元的供电衬垫接触,使所述第二像素电极各自与对应的驱动单元电连接,通过使所述第一像素电极各自与对应的有缺陷的驱动单元非电导通,使其与对应的有缺陷的驱动单元非电连接,所述像素电极形成工序包括以下工序:在所述层间绝缘膜上形成由电极材料构成的膜;在所述电极材料膜上形成抗蚀剂膜;将所述抗蚀剂膜图案形成为与所述多个像素电极对应的预定形状;通过对图案形成为所述预定形状的抗蚀剂膜中与所述第一像素电极各自和相邻的所述第二像素电极的任一第二像素电极之间相当的部分,追加抗蚀剂材料,从而对与从所述第一像素电极各自到所述任一第二像素电极的区域相当的部分进行填埋;以及蚀刻工序,通过对所述电极材料膜进行蚀刻,一体形成所述第一像素电极、所述相邻的第二像素电极以及所述连接部各自。
在此,本发明的一个方式的显示面板的制造方法可以包括:准备工序,准备基板;晶体管阵列基板形成工序,通过在所述基板上呈矩阵状配置多个包括薄膜晶体管元件的驱动单元,形成晶体管阵列基板;检查工序,检查所述晶体管阵列基板中的各薄膜晶体管元件有无缺陷;位置信息取得工序,基于所述检查的结果,取得所述晶体管阵列基板中的有缺陷的驱动单元的位置信息;层间绝缘膜形成工序,在所述晶体管阵列基板上形成层间绝缘膜,所述层间绝缘膜在与所述多个驱动单元对应的各区域的一部分形成有接触孔;以及像素电极形成工序,在所述层间绝缘膜上与所述多个驱动单元对应地呈矩阵状配置多个像素电极,所述多个驱动单元包括一部分有缺陷的驱动单元,在将所述多个像素电极中与有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第一像素电极、将所述多个像素电极中与没有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第二像素电极的情况下,所述像素电极形成工序包括以下工序:在所述层间绝缘膜上形成由电极材料构成的膜;在所述电极材料膜上形成抗蚀剂膜;将所述抗蚀剂膜图案形成为与所述多个像素电极对应的预定形状;通过对图案形成为所述预定形状的抗蚀剂膜中与所述第一像素电极各自和相邻的所述第二像素电极的任一第二像素电极之间相当的部分,追加抗蚀剂材料,从而对与从所述第一像素电极各自到所述任一第二像素电极的区域相当的部分进行填埋;除去与图案形成为所述预定形状的抗蚀剂膜中与所述第一像素电极各自对应的接触孔相当的部分;通过对所述电极材料膜进行蚀刻,一体形成所述第一像素电极、所述相邻的第二像素电极以及所述连接部各自,并且形成与对应的接触孔相当的部分欠缺的第一像素电极。
<实施方式1>
—显示装置100的概略框图—
图1(a)是表示包括本发明实施方式1的显示面板105的显示装置100的电结构的框图。如图1(a)所示,显示装置100包括控制电路101、存储器102、扫描线驱动电路103、数据线驱动电路104以及呈行列状配置有像素电路的显示面板105。显示面板105例如是电致发光(以下记为“EL”)显示面板,也可以是有机EL显示面板。另外,显示面板105也可以是液晶显示面板。
图1(b)是表示显示面板105具有的一个像素电路的电路结构及与其周边电路的连接的图。如图1(b)所示,像素电路208包括栅极线200、数据线201、电源线202、开关晶体管203、驱动晶体管204、像素电极205、保持电容206以及共用电极207。开关晶体管203和驱动晶体管204是薄膜晶体管元件。在像素电极205和共用电极207之间形成有层叠多个功能层而构成的发光层或液晶。
周边电路包括扫描线驱动电路103和数据线驱动电路104。另外,由开关晶体管203、驱动晶体管204以及保持电容206构成驱动单元209。
在显示面板105为EL显示面板的情况下,从数据线驱动电路104提供的信号电压经由开关晶体管203被施加到驱动晶体管204的栅极端子。驱动晶体管204使与该数据电压对应的电流在源极-漏极端子之间流动。通过使该电流流向像素电极205,从而得到与该电流对应的发光辉度。
在显示面板105为液晶显示面板的情况下,通过施加于栅极线200的电压,使电流在开关晶体管203的源极-漏极端子之间流动,此时施加于数据线201的电压被提供给像素电极205。
—布局—
接着,说明显示面板105中的栅极线200、数据线201、电源线202以及驱动单元209的布局。图2是表示显示面板105中的栅极线200、数据线201、电源线202以及驱动单元209的布局的示意俯视图。
如图2所示,多个驱动单元209呈矩阵状配置。多个驱动单元209的一部分是有缺陷的驱动单元,其余部分是没有缺陷(即正常工作)的驱动单元。有缺陷的驱动单元是指包括始终处于导通状态的薄膜晶体管、或者始终处于截止状态的薄膜晶体管的驱动单元。在以后的说明中,着眼于在列(Y轴)方向上相邻的两个驱动单元(驱动单元209a和驱动单元209b)来进行说明。在图2中,驱动单元209a表示没有缺陷的驱动单元,驱动单元209b表示有缺陷的驱动单元。
在没有缺陷的驱动单元209a中,驱动晶体管204a和用于对与所述驱动单元209a对应的像素电极进行供电的供电衬垫211a通过布线连接(参照虚线a)。因此,从驱动晶体管204a向经由接触孔212a与供电衬垫211a连接的像素电极进行供电。即,驱动单元209a与对应的像素电极电连接。
另一方面,在有缺陷的驱动单元209b中,连接驱动晶体管204b和用于对与所述驱动单元209b对应的像素电极进行供电的供电衬垫211b的布线被切断(参照虚线b)。因此,不会从驱动晶体管204b向经由接触孔212b与供电衬垫211b连接的像素电极进行供电。即,有缺陷的驱动单元209b与对应的像素电极保持非电连接。
另外,在由行方向上配置的多个驱动单元构成的驱动单元行的一侧,形成有栅极线200。另一方面,在由列方向上配置的多个驱动单元构成的驱动单元列的一侧,形成有数据线201,在另一侧形成有电源线202。
图3是表示显示面板105中的像素电极205的布局的示意俯视图。如图3所示,多个像素电极205呈矩阵状配置。多个像素电极205以与图2所示的多个驱动单元209一一对应的方式设置。因此,在多个像素电极205中存在与没有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极(第二像素电极)、以及与有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极(第一像素电极)。在以后的说明中,着眼于列(Y轴)方向上相邻的两个像素电极(像素电极205a和像素电极205b)来进行说明。在图3中,像素电极205a表示与驱动单元209a对应的像素电极,像素电极205b表示与驱动单元209b对应的像素电极。
像素电极205a和像素电极205b经由由导电性材料构成的连接部221ab连接。在显示面板105中发光色按各列不同的情况下,如图3所示,优选将像素电极205b与列方向上相邻的像素电极205a连接。
如先前进行的说明,从驱动单元209b的驱动晶体管204b向供电衬垫211b延伸的布线被切断,因此通过使像素电极205b与像素电极205a连接,由此像素电极205b由驱动单元209a来驱动。即,由驱动单元209a来驱动两方的像素电极。
因此,能够防止由于有缺陷的驱动单元209b导致在显示面板105产生暗点和/或亮点,因此能够防止画质的劣化。
—剖视图—
图4(a)是示意表示显示面板105的结构的局部剖视图(图2的A-A’剖面),表示与没有缺陷的驱动单元209a中的驱动晶体管204a对应的部分。如图4(a)所示,在基板401上设置有栅电极402a,在设置有栅电极402a的基板401上设置有栅极绝缘膜403。在栅极绝缘膜403上的与栅电极402a的上方相当的部分设置有半导体层404a。除此以外,在栅极绝缘膜403上还设置有源漏电极布线(以下记为“SD电极布线”)405a、406a。该SD电极布线405a、406a各自一部分爬上半导体层404a,隔着间隔而位于所述半导体层404a上。进而,形成层间绝缘膜407以使其覆盖SD电极布线405a、406a。层间绝缘膜407例如是2层构造,包括钝化膜408和平坦化膜409,所述钝化膜408为了保护薄膜晶体管元件而形成为覆盖SD电极布线405a、406a,所述平坦化膜409为了将形成有薄膜晶体管元件的区域和没有形成薄膜晶体管元件的区域的表面段差调整得平坦而形成在钝化膜408上。
图4(b)是示意表示显示面板105的结构的局部剖视图(图2的B-B’剖面),表示与有缺陷的驱动单元209b中的驱动晶体管204b对应的部分。如图4(b)所示,在基板401上设置有栅电极402b,在设置有栅电极402b的基板401上设置有栅极绝缘膜403。在栅极绝缘膜403上的与栅电极402b的上方相当的部分设置有半导体层404b。除此以外,在栅极绝缘膜403上还设置有SD电极布线405b、406b。该SD电极布线405b、406b各自一部分爬上半导体层404b,隔着间隔而位于所述半导体层404b上。
但是,在图4(b)中,SD电极布线406b的一部分被切断,这一点与图4(a)所示的结构不同。即,SD电极布线406b包括电极部分406b1和电极部分406b2,在电极部分406b1和电极部分406b2之间存在间隙。因此,不会从驱动单元209b向与所述驱动单元209b对应的像素电极供电。
进而形成层间绝缘膜407以使其覆盖SD电极布线405b、406b。层间绝缘膜407例如是2层构造,包括钝化膜408和在钝化膜408上形成的平坦化膜409。
图5是示意表示显示面板105的结构的局部剖视图(图3的C-C’剖面)。在基板401上设置有栅极线200,在设置有栅极线200的基板401上设置有栅极绝缘膜403。在栅极绝缘膜403上按顺序层叠有钝化膜408和平坦化膜409。在平坦化膜409上隔着间隔设置有像素电极205a和像素电极205b,形成有连接部221ab以使得联系该像素电极205a和像素电极205b。该连接部221ab为金属薄膜,在像素电极205a与像素电极205b之间的形成有所述连接部221ab的全部区域,所述连接部221ab以与平坦化膜409接触的状态而形成。因此,连接部221ab成为不容易断线的结构。
另外,着眼于栅极线200和连接部221ab的位置关系,该栅极线200和连接部221ab隔着栅极绝缘膜403、钝化膜408以及平坦化膜409而对向。在此,平坦化膜409的膜厚为例如4000nm,是非常厚的厚膜。因此,在平坦化膜409不容易产生针孔。因此,能够防止连接部221ab和在平坦化膜409的下方形成的栅极线200发生短路。
在栅极线200与连接部221ab之间产生寄生电容。在此,因为像素电极205b与像素电极205a电连接,所以它们为同电位、且电信号也为同相位。因此,由于寄生电容,恐会在相邻像素之间产生图像信号的延迟和/或串扰(crosstalk),使画质劣化。
然而,在本实施方式中,因为平坦化膜409为厚膜,所以连接部221ab与栅极线200之间的间隔变大,因此能够减小连接部221ab与栅极线200之间的寄生电容。由此,能够防止由于图像信号的延迟和/或串扰引起的画质劣化。
在此,作为没有缺陷的驱动单元和与所述驱动单元对应的像素电极,以驱动单元209a和像素电极205a为例,对它们的结构进行了说明,但对于其他没有缺陷的驱动单元和与所述驱动单元对应的像素电极,也为同样的结构。
同样地,作为第一像素电极、与所述第一像素电极连接的第二像素电极以及连接它们的连接部,以像素电极205a、像素电极205b以及连接部221ab为例,对它们的结构进行了说明,但对于其他的第一像素电极、与所述第一像素电极连接的第二像素电极以及连接它们的连接部,也为同样的结构。
—制作工序—
说明显示面板105的制作工序。在此,特别说明从形成晶体管阵列的工序到形成像素电极的工序。图6是表示显示面板105的制作工序的图。
首先,在步骤S101的晶体管阵列形成工序中,在基板上呈矩阵状形成多个驱动单元,从而形成晶体管阵列基板。
在步骤S102的晶体管阵列检查工序中,检查呈矩阵状形成的多个驱动单元中哪个薄膜晶体管元件有缺陷。具体而言,首先,缺陷检查装置设定呈矩阵状形成的多个驱动单元中的各薄膜晶体管元件的地址(address)。接着,对栅极线、数据线以及电源线施加电位,使用非接触的电位计来测量各地址的电位。若测量出的电位是正常值,则判断为与该地址对应的薄膜晶体管元件没有缺陷。另一方面,若测量出的电位不是正常值,则判断为与该地址对应的薄膜晶体管元件有缺陷。在此,缺陷有2种。薄膜晶体管元件始终处于导通的状态即短路状态、和薄膜晶体管元件始终处于截止的状态即截止状态。缺陷检查装置通过调整各信号线的电位来判断有缺陷的薄膜晶体管处于哪种状态。即,缺陷检查装置判断各薄膜晶体管元件处于正常、短路状态、截止状态中的哪一种。
在步骤S103的布线切断工序中,对判断为有缺陷的薄膜晶体管元件中的、向对应的像素电极的供电路径进行切断。例如,切断薄膜晶体管中的向供电衬垫延伸的布线。
此外,在缺陷为短路状态的情况下,需要切断向像素电极的供电路径,但在缺陷为截止状态的情况下,未必需要切断向像素电极的供电路径。这是因为在截止状态的情况下所对应的像素成为暗点,在该情况下,即使其周边的像素发光,该像素也不容易显眼。
另一方面,在导通状态的情况下,所对应的像素成为亮点,在该情况下,在其周边的像素变暗的情况下(在显示面板不显示图像或显示低辉度的光栅(raster)等情况下),成为亮点的像素即使为1个也非常显眼,因此容易被用户识别出来。因此,亮点即使存在1个,也会被作为不良品面板。因此,需要切断导通状态的薄膜晶体管的布线。
在步骤S104的层间绝缘膜形成工序中,在晶体管阵列基板上形成层间绝缘膜。该层间绝缘膜构成为在与各驱动单元中的供电衬垫对应的一部分设置有接触孔。
在步骤S105的像素电极形成工序中,将多个像素电极形成为矩阵状,以使得与多个驱动单元一一对应。在本实施方式中,多个像素电极各自形成为其一部分进入对应的接触孔,所述一部分与对应的供电衬垫接触。
在步骤S106的像素电极连接工序中,经由连接部将第一像素电极各自与相邻于所述第一像素电极的第二像素电极的任一第二像素电极连接。
使用图7、图8详细说明像素电极形成工序和像素电极连接工序。图7是表示像素电极形成工序和像素电极连接工序的一例的工序图。图8是表示像素电极形成工序和像素电极连接工序中后续于图7所示工序的部分的一例的工序图。
图7(a)示出如下状态:在基板401上形成栅极线200,形成栅极绝缘膜403以覆盖栅极线200,在栅极绝缘膜403上按顺序形成钝化膜408、平坦化膜409以及电极材料膜411。
然后,如图7(b)所示,在电极材料膜411上形成抗蚀剂层412,然后如图7(c)所示,在抗蚀剂层412上重叠具有预定形状的开口部的掩模413,从掩模413上使抗蚀剂感光。然后,以显影液(例如,TMAH(Tetramethylammoniumhydroxide)水溶液)洗出多余的抗蚀剂,从而完成抗蚀剂层412的图案形成。进行了图案形成的抗蚀剂层412,如图7(d)所示,除去与栅极线200的上方相当的部分,由抗蚀剂部分412a和抗蚀剂部分412b构成。然后,通过湿式蚀刻液对电极材料膜411进行湿式蚀刻,如图7(e)所示,仅留下电极材料膜411中的由抗蚀剂层412a、412b覆盖的部分。然后,通过例如有机类剥离液除去所述部分上的抗蚀剂层412a、412b。由此,如图7(f)所示,形成像素电极205a、205b。以上为像素电极形成工序的说明。
接着,如图8(a)所示,在相邻的像素电极205a、205b之间通过激光CVD414层叠金属薄膜,如图8(b)所示,通过连接部221ab连接这些像素电极205a、205b。
—显示面板105的结构—
在此,作为显示面板105的一例,说明EL显示面板的结构。
图9是示意表示显示面板105的主要部分的局部剖视图。如图9所示,在晶体管阵列基板301上形成有钝化膜408,在钝化膜408上形成有平坦化膜409。在该平坦化膜409上形成有像素电极(阳极)205a、205b。像素电极以子像素为单位,图案形成为行列状而形成。另外,通过在X轴方向上相邻的3个子像素的组合来构成1个像素(pixel)。
在相邻的像素电极205a、205b之间形成有堤304,在由堤304规定的区域内,在像素电极205a、205b上层叠有预定颜色的发光层305G、305R。发光层305R、305G、305B例如是有机发光层。进而,在发光层305R、305G、305B上,共用电极(阴极)207形成为超出由堤304规定的区域而与相邻的发光层的共用电极连续。
像素电极205a和像素电极205b通过连接部221ab连接,该连接部221ab由堤304覆盖。因此,即使连接部221ab的一部分形成为爬上像素电极205a、205b,也不会对之后的工序产生影响。
此外,虽然在图9中没有表示,但在晶体管阵列基板301上形成的钝化膜408和平坦化膜409,在与多个驱动单元相当的各区域的一部分形成有接触孔。像素电极205a、205b沿着对应的接触孔而形成,由此与对应的供电衬垫接触。
以下,详细说明显示面板105为EL显示面板的情况下的各部分的材料等。
—各部分结构—
晶体管阵列基板301在基板上呈矩阵状配置有多个驱动单元。
钝化膜408由聚酰亚胺类树脂或者硅类树脂等绝缘材料形成。
平坦化膜409由聚酰亚胺类树脂或者丙烯类树脂等绝缘材料形成。
像素电极205a、205b由铝(Al)或铝合金形成。另外,也可以例如由银(Ag)、银钯铜的合金、银铷金的合金、钼铬的合金(MoCr)、镍铬的合金(NiCr)等来形成。在显示面板105为顶部发射型的情况下,像素电极205a、205b优选由光反射性的材料形成。此外,像素电极205a、205b以外的像素电极205也由与它们同样的材料形成。
连接部221ab由铝(Al)或铝合金形成。另外,也可以例如由银(Ag)、银钯铜的合金、银铷金的合金、钼铬的合金(MoCr)、镍铬的合金(NiCr)等来形成。连接部221ab可以为与像素电极205a、205b相同的材料。
堤304由树脂等有机材料形成,具有绝缘性。作为有机材料的例子,举出丙烯类树脂、聚酰亚胺类树脂、酚醛清漆型酚醛树脂等。堤304优选具有耐有机溶剂性。进而,堤304有时被进行湿式蚀刻处理、烘培处理等,因此优选由对于这些处理不会过度变形、变质等的耐性高的材料来形成。
在发光层305R、305G、305B为有机发光层的情况下,优选例如由日本特开平5-163488号公报所记载的类喔星(oxinoid)化合物、苝化合物、香豆素化合物、氮杂香豆素化合物、噁唑化合物、噁二唑化合物、紫环酮(perinone)化合物、吡咯并吡咯化合物、萘化合物、蒽化合物(アントラセン化合物)、芴化合物、荧蒽化合物、并四苯化合物、芘化合物、晕苯化合物、喹诺酮化合物及氮杂喹诺酮化合物、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物、若丹明化合物、(chrysene)化合物、菲化合物、环戊二烯化合物、茋化合物、二苯基苯醌化合物、苯乙烯基化合物、丁二烯化合物、双氰亚甲基吡喃化合物、双氰亚甲基噻喃化合物、荧光素化合物、吡喃鎓化合物、噻喃鎓化合物、硒吡喃鎓化合物、碲吡喃鎓化合物、芳香族坎利酮化合物、低聚亚苯基化合物、噻吨化合物、蒽化合物(アンスラセン化合物)、花青苷化合物、吖啶化合物、8-羟基喹啉化合物的金属配合物、2,2’-联吡啶化合物的金属配合物、席夫碱与III族金属的配合物、8-羟基喹啉(喔星)金属配合物、稀土类配合物等荧光物质来形成。
共用电极(阴极)207例如由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等形成。在显示面板105为顶部发射型的情况下,共用电极207优选由光透射性的材料形成。
以上,基于实施方式说明了本发明的显示面板,但本发明当然不限于上述实施方式。例如可以考虑以下的变形例。
<变形例1>
对改变了连接部的结构的一个变形例进行说明。在本变形例中,显示面板中的栅极线200、数据线201、电源线202以及驱动单元209的布局与图2相同。
—显示面板中的像素电极的布局—
图10是变形例1的显示面板中的像素电极的示意俯视图。如图10所示,多个像素电极231呈矩阵状配置。多个像素电极231以与图2所示的多个驱动单元209一一对应的方式设置。因此,与图3所示的结构同样,在多个像素电极231中存在与没有缺陷的驱动单元对应的像素电极(第二像素电极)、以及与有缺陷的驱动单元对应的像素电极(第一像素电极)。在图10中,像素电极231a表示与驱动单元209a对应的像素电极,像素电极231b表示与驱动单元209b对应的像素电极。
与图3同样,像素电极231a和像素电极231b经由由导电性材料形成的连接部231ab连接。与图3的结构不同之处在于像素电极231a、像素电极231b以及连接部231ab一体形成。
—剖视图—
图11是示意表示变形例1的显示面板的结构的局部剖视图(图10的D-D’剖面)。如图11所示,在基板401上设置有栅极线200,在设置有栅极线200的基板401上设置有栅极绝缘膜403。进而,在栅极绝缘膜403上按顺序层叠有钝化膜408和平坦化膜409。至此与图5所示的结构相同。但在变形例1中,在平坦化膜409上隔着间隔设置有像素电极,没有另行设置连接部来连接这些电极,像素电极231a、231b以及连接部231ab由同一材料构成且一体形成。
即,在由连接部231ab连接的像素电极231a与像素电极231b之间不存在例如自然氧化膜那种存在于连接界面而成为电阻成分的连接界面。因此,在像素电极231a与像素电极231b的连接中,不存在纯粹的电阻以外的电阻成分。因此,与存在于连接边界的情况相比,从像素电极231a向像素电极231b的图像信号的衰减较少。其结果,在与有缺陷的驱动单元对应的像素中也能够得到良好的发光。
另外,连接部231ab在从像素电极231a至像素电极231b的形成有所述连接部231ab的全部区域,以与平坦化膜409接触的状态而形成,连接部231ab不容易断线。
—制作工序—
说明变形例1的显示面板的制作工序。图12是表示变形例1的显示面板的制作工序的图。
图12的从步骤S201到步骤S204与图6的从步骤S101到步骤S104相同。因此,在此省略其说明。
在步骤S205的像素电极形成工序中,将多个像素电极形成为矩阵状,以使得与多个驱动单元一一对应。多个像素电极使用光刻法来形成。在使用光刻法形成多个像素电极时,一般而言,在对抗蚀剂层进行了图案形成之后设置抗蚀剂修正工序。该工序是检查并修正进行了图案形成的抗蚀剂层的断线等的工序,通过分配器(dispenser)追加抗蚀剂材料,或者通过激光除去进行了图案形成的抗蚀剂层的一部分。在本变形例中,在该抗蚀剂修正工序中,在像素电极231a与像素电极231b之间追加抗蚀剂材料。由此,像素电极231a、231b以及连接部231ab一体形成。详细内容使用图13、14进行说明。
图13是表示变形例1的像素电极形成工序的一例的工序图。图14是表示像素电极形成工序中后续于图13所示工序的部分的一例的工序图。从图13(a)到图13(d)与从图7(a)到图7(d)相同,因此省略说明。
在抗蚀剂层的图案形成之后,如图14(a)所示,在抗蚀剂部分412a与抗蚀剂部分412b之间的间隙部分(露出电极材料膜411的部分)通过分配器411追加抗蚀剂材料,由此如图14(b)所示,由抗蚀剂材料412ab填埋所述间隙部分。
然后,通过湿式蚀刻液对电极材料膜411进行湿式蚀刻,仅留下由抗蚀剂材料覆盖的部分。在此,如图14(b)所示,抗蚀剂部分412a与抗蚀剂部分412b之间的间隙部分也由抗蚀剂材料412ab覆盖,因此如图14(c)所示,没有中断地遍及整体而留下电极材料膜411。即,电极材料膜411中与抗蚀剂部分412a和抗蚀剂部分412b之间相当的部分也留下。
然后,通过例如有机类剥离液除去抗蚀剂部分412a和抗蚀剂部分412b以及抗蚀剂部分412ab。在电极材料膜411中与像素电极231a、像素电极231b以及连接部231ab相当的部分由抗蚀剂材料覆盖的状态下,进行电极材料膜411的蚀刻工序,因此如图14(d)所示,像素电极231a、像素电极231b以及连接部231ab一体形成。
此外,在通过分配器414追加了抗蚀剂材料412ab之后,可以设置通过使用激光除去多余的抗蚀剂来整齐所追加的抗蚀剂材料412ab的形状(使其为线状)的工序。由此,能够使连接部的线状整齐。
如上所述在变形例1的制造方法中,在对电极材料膜411进行蚀刻时,为了一体形成像素电极231a、像素电极231b以及连接部231ab,预先对进行了图案形成的抗蚀剂层进行修正。该修正通过检测并修正抗蚀剂层的断线等的被称为抗蚀剂修正工序的已有工序来进行。
即,在对电极材料膜411进行了蚀刻之后,没有另行设置形成连接部的工序,而是通过被称为抗蚀剂修正工序的已有工序来对进行了图案形成的抗蚀剂层进行修正,从而与像素电极231a和像素电极231b的形成同时,也实现连接部231ab的形成。
因为没有必要另行追加形成连接部的工序,所以能够简化制造工序,同时实现一体形成相邻的像素电极的构造。
另外,根据变形例1的制造方法,在抗蚀剂图案形成之后进行抗蚀剂修正,因此没有必要准备与有缺陷的薄膜晶体管元件的位置相应的曝光用掩模。因此,从成本的观点考虑是有用的。
<变形例2>
对改变了与有缺陷的驱动单元对应的像素电极的形状的一个变形例进行说明。变形例2也与变形例1同样,通过抗蚀剂修正工序对进行了图案形成的抗蚀剂层进行修正。由此,改变与有缺陷的驱动单元对应的像素电极的形状。在本变形例中,显示面板中的栅极线200、数据线201、电源线202以及驱动单元209的布局与图2相同。
—显示面板中的像素电极的布局—
图15是变形例2的显示面板中的像素电极的示意俯视图。如图15所示,多个像素电极241呈矩阵状配置。多个像素电极241以图2所示的与多个驱动单元一一对应的方式设置。因此,与图3所示的结构同样,在多个像素电极241中存在与没有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极(第二像素电极)、以及与有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极(第一像素电极)。在以下的说明中,着眼于像素电极241a、像素电极241b以及像素电极241c进行说明。在图15中,像素电极241a、241c表示与没有缺陷的驱动单元对应的像素电极,像素电极241b表示与有缺陷的驱动单元对应的像素电极。
与图3的结构不同之处在于像素电极241b被分割、所分割出的各部分与不同的像素电极连接。在此,像素电极241b被分割为部分像素电极241b1、241b2,部分像素电极241b1经由连接部241cb1与像素电极241c连接,部分像素电极241b2经由连接部241ab2与像素电极241a连接。
由于从驱动单元209的驱动晶体管204b向供电衬垫211b延伸的布线被切断,因此通过使像素电极241b2与像素电极241a连接,从而像素电极241b2由驱动单元209a来驱动。即,通过驱动单元209a驱动两方的像素电极。
同样地,通过使像素电极241b1与像素电极241c连接,从而像素电极241b1由与像素电极241c对应的没有缺陷的驱动单元来驱动。即,通过与像素电极241c对应的驱动单元来驱动两方的像素电极。
根据该结构,能够防止由于有缺陷的驱动单元209b导致在显示面板产生暗点和/或亮点的情况,因此能够防止画质的劣化。
除此以外,例如在像素电极241a和像素电极241b的边界与图像的缝隙相当的情况下,因为仅像素电极241b的一部分即部分像素电极241b2与像素电极241a连接,所以相比于像素电极241b整体与像素电极241a连接的情况,能够减轻用户的违和感。
—制作工序—
说明显示面板的制作工序。图16是表示变形例2的像素电极形成工序的一例的工序图(与图15的E-E’剖面相当)。图17是表示像素电极形成工序中后续于图16所示工序的部分的一例的工序图。
图16(a)示出在基板401上按顺序形成第一板层415、栅极绝缘膜403、第二板层416、钝化膜408、平坦化膜409以及电极材料膜411的状态。
然后,如图16(b)所示,在电极材料膜411上形成抗蚀剂层417,然后如图16(c)所示,在抗蚀剂层417上重叠具有预定形状的开口部的掩模418,从掩模418上使抗蚀剂感光。然后,以显影液(例如,TMAH水溶液)洗出多余的抗蚀剂,从而完成抗蚀剂层417的图案形成。进行了图案形成的抗蚀剂层417,如图16(d)所示,覆盖电极材料膜411整体。
接着,如图16(e)所示,使用激光器419除去抗蚀剂层417的一部分,从而对进行了图案形成的抗蚀剂层进行修正。由此,如图17(a)所示,电极材料膜411中的一部分从抗蚀剂部分417a、417b露出。
然后,通过湿式蚀刻液对电极材料膜411进行湿式蚀刻,仅留下由抗蚀剂材料覆盖的部分。在此,如图17(b)所示,仅留下电极材料膜411中由抗蚀剂部分417a、417b覆盖的部分。
然后,通过例如有机类剥离液除去抗蚀剂部分417a和抗蚀剂部分417b。由此,如图17(c)所示,形成像素电极241b1和像素电极241b2。
如上所述在变形例2的制造方法中,在对电极材料膜进行蚀刻时,为了分割形成像素电极241b,预先对进行了图案形成的抗蚀剂层进行修正。该修正通过被称为抗蚀剂修正工序的已有工序来进行。即,通过被称为抗蚀剂修正工序的已有工序来对进行了图案形成的抗蚀剂层进行修正,从而实现像素电极被分割而成的构造。因此,不必增加工序数,就能够实现与有缺陷的驱动单元对应的像素电极被分割的构造。
另外,根据变形例2的制造方法,在抗蚀剂图案形成之后进行抗蚀剂修正,因此没有必要准备与有缺陷的薄膜晶体管元件的位置相应的曝光用掩模。因此,从成本的观点考虑是有用的。
<变形例3>
对改变了与有缺陷的驱动单元对应的像素电极的形状的一个变形例进行说明。变形例3也与变形例1、2同样,通过抗蚀剂修正工序对进行了图案形成的抗蚀剂层进行修正。由此,改变与有缺陷的驱动单元对应的像素电极的形状。在本变形例中,显示面板中的栅极线200、数据线201、电源线202以及驱动单元209的布局与图2相同。
—显示面板中的像素电极的布局—
图18是变形例3的显示面板中的像素电极的示意俯视图。如图18所示,多个像素电极251呈矩阵状配置。多个像素电极251以图2所示的与多个驱动单元一一对应的方式设置。因此,与图3所示的结构同样,在多个像素电极251中存在与没有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极(第二像素电极)、以及与有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极(第一像素电极)。在图18中,像素电极251a表示与驱动单元209a对应的像素电极,像素电极251b表示与驱动单元209b对应的像素电极。
如图18所示,像素电极251a和像素电极251b经由由导电性材料形成的连接部251ab连接。像素电极251a、像素电极251b以及连接部251ab可以一体形成。
从驱动单元209b的驱动晶体管204b向供电衬垫211b延伸的布线被切断,因此通过使像素电极251b与像素电极251a连接,像素电极251b由驱动单元209a来驱动。即,由驱动单元209a来驱动两方的像素电极。
根据该结构,能够防止由于有缺陷的驱动单元209b导致在显示面板产生暗点和/或亮点的情况,因此能够防止画质的劣化。
在图18中,与图3、10不同之处在于与像素电极251b对应的接触孔212b没有被所述像素电极251b覆盖。即,在本变形例中,相对于像素电极251a覆盖接触孔261a(即,形成为一部分进入对应的接触孔),像素电极251b没有覆盖接触孔212b,成为与接触孔212b相当的部分欠缺的形状。
如此,通过对像素电极251b的形状下功夫,使像素电极251b与有缺陷的驱动单元209b为非电连接的状态。
—制作工序—
说明的显示面板的制作工序。图19是表示变形例3的显示面板的制作工序的图。
图19的从步骤S301到步骤S302与图6的从步骤S101到步骤S102相同。因此,在此省略其详细说明。
在本变形例中,在步骤S302的晶体管阵列检查工序之后,不必经过布线切断工序,进入步骤S303的层间绝缘膜形成工序。
然后,在步骤S304的像素电极形成工序中,将多个像素电极形成为矩阵状,以使得与多个驱动单元一一对应。在像素电极形成工序中,如先前说明的那样,包括抗蚀剂修正工序。在本变形例中,通过该抗蚀剂修正工序除去进行了图案形成的抗蚀剂层中与接触孔212b相当的部分。使用图20、21对像素电极形成工序的详细内容进行说明。图20是表示变形例3的像素电极形成工序的一例的工序图(与图19的F-F’剖面相当)。图21是表示像素电极形成工序中后续于图20所示工序的部分的一例的工序图。
图20(a)示出在基板401上按顺序形成栅极绝缘膜403、供电衬垫211a、钝化膜408、平坦化膜409以及电极材料膜411的状态。但是,在钝化膜408和平坦化膜409中与供电衬垫211a的上方相当的一部分形成有接触孔212b,电极材料膜411在平坦化膜409上沿着接触孔212b而形成。
然后,如图20(b)所示,在电极材料膜411上形成抗蚀剂层421,然后如图20(c)所示,在抗蚀剂层421上重叠具有预定形状的开口部的掩模422,从掩模422上使抗蚀剂感光。然后,以显影液(例如,TMAH水溶液)洗出多余的抗蚀剂,从而完成抗蚀剂层421的图案形成。进行了图案形成的抗蚀剂层421,如图20(d)所示,除去了从接触孔212b偏离的部分(与像素电极251b和像素电极251c之间相当的部分),由抗蚀剂部分421a和抗蚀剂部分421b构成。
接着,如图21(a)所示,通过对抗蚀剂部分421b中与接触孔212b的上方相当的部分照射激光419,如图21(b)所示,除去所述部分,使电极材料膜411中与接触孔212b相当的部分露出。
然后,通过湿式蚀刻液对电极材料膜411进行湿式蚀刻,仅留下由抗蚀剂材料覆盖的部分。在此,如图21(b)所示,电极材料膜411中与接触孔212b相当的部分没有由抗蚀剂部分421c覆盖,因此如图21(c)所示,电极材料膜411中的所述部分被除去。然后,通过例如有机类剥离液除去抗蚀剂部分421a和抗蚀剂部分421c。由此,如图21(d)所示,形成像素电极251a和像素电极251b。在此,像素电极251b没有形成为延伸到接触孔212b,没有与供电衬垫211b接触。因此,供电衬垫211b与像素电极251b没有电连接。
如上所述在变形例3的制造方法中,在对电极材料膜211进行蚀刻时,为了使所形成的像素电极251b成为与接触孔相当的部分欠缺的形状,预先对进行了图案形成的抗蚀剂层进行修正。不必通过另行设置布线切断工序来使有缺陷的驱动单元与像素电极非电连接,而是通过被称为抗蚀剂修正工序的已有工序进行修正来实现非电连接的结构。因此,能够简化制造工序。
除此以外,通过对进行了图案形成的抗蚀剂层进行修正,使有缺陷的驱动单元与像素电极非电连接,因此没有必要改变薄膜晶体管元件的布局。
虽然在此没有特别说明,但在抗蚀剂修正工序中,如图14(a)、(b)所示,通过对与相邻的像素电极之间相当的部分追加抗蚀剂材料,可以一体形成像素电极251a、像素电极251b以及连接部251ab。如此,使有缺陷的驱动单元与像素电极非电连接,同时能够不必另行追加工序而一体形成像素电极251a、像素电极251b以及连接部251ab。
另外,根据变形例3的制造方法,与变形例1和2同样,没有必要准备与有缺陷的薄膜晶体管元件的位置相应的曝光用掩模,因此从成本的观点考虑是有用的。
此外,在此,对使像素电极251b的形状为与接触孔相当的部分欠缺的形状(即像素电极251b没有进入接触孔)进行了说明,但只要不与供电衬垫211b接触,也可以使像素电极251b的一部分进入接触孔。
<变形例4>
对改变了各驱动单元的结构的一个变形例进行说明。在本变形例中,各驱动单元包括一个薄膜晶体管元件。
—布局—
说明变形例4的显示面板中的栅极线200a、电源线202a、驱动单元501以及像素电极601的布局。图22是表示变形例4的显示面板中的栅极线200a、电源线202a、驱动单元501以及像素电极601的布局的示意俯视图。
如图22所示,多个驱动单元501呈矩阵状配置。多个驱动单元501的一部分是有缺陷的驱动单元,其余部分是没有缺陷的驱动单元。另外,多个像素电极601以与多个驱动单元501一一对应的方式被配置成矩阵状。因此,在多个像素电极601中存在与没有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极(第二像素电极)、以及与有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极(第一像素电极)。在以后的说明中,着眼于驱动单元501a、驱动单元501b、像素电极601a、像素电极601b进行说明。在图9中,驱动单元501a表示没有缺陷的驱动单元,驱动单元501b表示有缺陷的驱动单元,像素电极601a表示与驱动单元501a对应的像素电极,像素电极601b表示与驱动单元502b对应的像素电极。
在没有缺陷的驱动单元501a中,驱动单元501a和用于对像素电极601a进行供电的供电衬垫503a通过布线连接(参照虚线502a)。因此,从驱动单元501a向经由接触孔504a与供电衬垫503a连接的像素电极601a进行供电。即,驱动单元501a与像素电极601a电连接。
另一方面,在有缺陷的驱动单元501b中,连接驱动单元501b和用于对像素电极601b进行供电的供电衬垫503b的布线被切断(参照虚线502b)。因此,不会从驱动单元501b向经由接触孔504b与供电衬垫503b连接的像素电极601b进行供电。即,有缺陷的驱动单元501b与像素电极601b非电连接。
像素电极601a和像素电极601b经由由导电性材料形成的连接部601ab连接。
如先前进行的说明,从驱动单元501b向供电衬垫503b延伸的布线被切断,因此通过使像素电极601b与像素电极601a连接,像素电极601b由驱动单元501a来驱动。即,由驱动单元501a来驱动两方的像素电极。
因此,能够防止由于有缺陷的驱动单元501b导致在显示面板产生暗点和/或亮点的情况,因此能够防止画质的劣化。
在由行方向上配置的多个驱动单元构成的驱动单元行的一侧,形成有栅极线200a。另一方面,在由列方向上配置的多个驱动单元构成的驱动单元列的一侧,形成有电源线202a。
—剖视图—
图23(a)是示意表示变形例4的显示面板的结构的局部剖视图(图22的G-G’剖面)。如图23(a)所示,在基板601上设置有栅电极602a,在设置有栅电极602a的基板601上设置有栅极绝缘膜603。在栅极绝缘膜603上的与栅电极602a上方相当的部分设置有半导体层604a。除此以外,在栅极绝缘膜603上还设置有SD电极布线605a、606a、供电衬垫503a。这些SD电极布线605a、606a各自的一部分爬上半导体层604a,在所述半导体层604a上隔开间隔地配置。进而,形成层间绝缘膜609以使得覆盖SD电极布线605a、606a、供电衬垫503a。层间绝缘膜609例如是2层构造,包括钝化膜607和平坦化膜608。在层间绝缘膜609形成有接触孔504a,沿着该接触孔504a形成有像素电极601a,与供电衬垫503a接触。
图23(b)是示意表示变形例4的显示面板的结构的局部剖视图(图22的H-H’剖面)。如图23(b)所示,在基板601上设置有栅电极602b,在设置有栅电极602b的基板601上设置有栅极绝缘膜603。在栅极绝缘膜603上的与栅电极602b上方相当的部分设置有半导体层604b。除此以外,在栅极绝缘膜603上还设置有SD电极布线605b、606b以及供电衬垫503b。这些SD电极布线605b、606b各自的一部分爬上半导体层604b,在所述半导体层604b上隔开间隔地配置。
但是,在图23(b)中,SD电极布线606b的一部分被切断这一点与图23(a)的结构不同。即,SD电极布线606b包括电极部分606b1和电极部分606b2,在它们之间存在间隙。因此,不会从有缺陷的驱动单元501b向像素电极601b供电。
进而,形成层间绝缘膜609以使得覆盖SD电极布线605b、606b和供电衬垫503b。层间绝缘膜609例如是2层构造,包括钝化膜607和平坦化膜608。在层间绝缘膜609形成有接触孔504b。沿着该接触孔504b形成有像素电极601b,与供电衬垫503b接触。
另外,图22的I-I’剖面与图5所示的剖面图相同。简单地说明,在平坦化膜上隔着间隔设置有像素电极601a和像素电极601b形成连接部601ab以使其连接这些像素电极。该连接部601ab为金属薄膜,在像素电极601a与像素电极601b之间的形成有所述连接部601ab的全部区域中,所述连接部601ab以与平坦化膜409接触的状态而形成。因此,连接部601ab成为不容易断线的结构。
另外,栅极线200a和连接部601ab介由不容易产生针孔的膜厚的平坦化膜608而对向。因此,能够防止栅极线200a和连接部601ab短路。
而且,因为平坦化膜409为厚膜,所以栅极线200a与连接部601ab之间的间隔变大。因此能够减小寄生电容。由此,能够防止由于图像信号的延迟和/或串扰(crosstalk)等引起的画质劣化。
此外,也可以将变形例1~3组合于本变形例中。
<其他变形例>
(1)在显示面板为有机EL显示面板的情况下,也可以在像素电极与有机发光层之间根据需要插入空穴注入层、空穴输送层或者空穴注入兼输送层。也可以在共用电极与有机发光层之间根据需要插入电子注入层、电子输送层或者电子注入兼输送层。
(2)作为显示面板的一例,也简单说明液晶显示面板的结构。在液晶显示面板中,在晶体管阵列基板上形成有钝化膜,在钝化膜上形成有平坦化膜。在该平坦化膜上形成有多个像素电极。至此为与EL显示面板同样的结构。与EL显示面板的不同处在于,共用电极被设置成与多个像素电极对向,在多个像素电极与共用电极之间填充有液晶。
(3)在本说明书中,矩阵状为也包含蜂巢状的概念。因此,相邻的像素电极并不限于行方向和列方向,也包含斜方向。由此,可以使有缺陷的像素电极与斜方向上相邻的像素电极连接。
(4)与有缺陷的驱动单元对应的像素电极,与列方向上相邻的像素电极连接,但也可以与行方向上相邻的像素电极连接。特别是在显示面板为显示单色的显示面板的情况下,并不一定需要与列方向上相邻的像素电极连接。
(5)层间绝缘膜407可以仅包括钝化膜。该情况下,至少在像素电极205a与像素电极205b之间的区域,为了成为连接部205ab不容易断线的结构,需要其平坦。在上述的变形例中也是同样的。
(6)多个像素电极各自包括形成在层间绝缘膜上的部分和进入对应的接触孔的部分。各部分不一定需要一体形成,也可以由各种不同的材料形成。
(7)虽未示出显示装置100的外观,但例如具有如图24所示的外观。
产业上的可利用性
本发明能够利用于例如家用、公共设施用、或者业务用的各种显示装置、电视装置、便携型电子设备用显示器等所使用的显示面板。

Claims (14)

1.一种显示面板,包括:
晶体管阵列基板,其呈矩阵状配置有多个包括薄膜晶体管元件的驱动单元;
层间绝缘膜,其形成在所述晶体管阵列基板上,在与所述多个驱动单元对应的各区域的一部分形成有接触孔;以及
多个像素电极,其与所述多个驱动单元对应地呈矩阵状配置在所述层间绝缘膜上,
所述多个驱动单元包括一部分有缺陷的驱动单元,
在将所述多个像素电极中与有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第一像素电极、将所述多个像素电极中与没有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第二像素电极的情况下,
所述第二像素电极各自形成为其一部分进入对应的接触孔,
所述第二像素电极各自的进入接触孔的部分与对应的驱动单元的供电衬垫接触,从而所述第二像素电极各自与对应的驱动单元电连接,
所述第一像素电极各自与对应的驱动单元保持非电连接,
所述第一像素电极各自通过由导电性材料构成的连接部与相邻的第二像素电极的任一第二像素电极连接,
所述连接部各自在从所述第一像素电极到所述相邻的第二像素电极的形成有各个所述连接部的全部区域,以与所述层间绝缘膜接触的状态而形成,
所述第一像素电极的至少一个第一像素电极被分割,
所分割出的第一像素电极各自分别与相邻于所述第一像素电极的各第二像素电极连接。
2.根据权利要求1所述的显示面板,
所述多个像素电极和所述连接部由相同的材料构成,
所述第一像素电极、所述相邻的第二像素电极以及所述连接部一体形成。
3.根据权利要求2所述的显示面板,
电极材料膜中的与所述多个像素电极和所述连接部各自相当的部分在由抗蚀剂材料覆盖的状态下被蚀刻,由此所述第一像素电极、所述相邻的第二像素电极以及所述连接部一体形成。
4.根据权利要求1~3中的任一项所述的显示面板,
所述第一像素电极各自通过对应的驱动单元的所述薄膜晶体管元件中的、向所述第一像素电极各自的供电路径被切断,从而与对应的有缺陷的驱动单元保持非电连接。
5.根据权利要求1~3中的任一项所述的显示面板,
所述第一像素电极各自为与对应的接触孔相当的部分欠缺的形状。
6.根据权利要求4所述的显示面板,
所述第一像素电极各自为与对应的接触孔相当的部分欠缺的形状。
7.一种显示面板,包括:
晶体管阵列基板,其呈矩阵状配置有多个包括薄膜晶体管元件的驱动单元;
层间绝缘膜,其形成在所述晶体管阵列基板上,在与所述多个驱动单元对应的各区域的一部分形成有接触孔;以及
多个像素电极,其与所述多个驱动单元对应地呈矩阵状配置在所述层间绝缘膜上,
所述多个驱动单元包括一部分有缺陷的驱动单元,
在将所述多个像素电极中与有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第一像素电极、将所述多个像素电极中与没有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第二像素电极的情况下,
所述第二像素电极各自形成为其一部分进入对应的接触孔,
所述第二像素电极各自的进入接触孔的部分与对应的驱动单元的供电衬垫接触,从而所述第二像素电极各自与对应的驱动单元电连接,
所述第一像素电极各自与对应的驱动单元保持非电连接,
所述第一像素电极各自通过由导电性材料构成的连接部与相邻的第二像素电极的任一第二像素电极连接,
所述连接部各自在从所述第一像素电极到所述相邻的第二像素电极的形成有各个所述连接部的全部区域,以与所述层间绝缘膜接触的状态而形成,
所述第一像素电极各自为与对应的接触孔相当的部分欠缺的形状。
8.根据权利要求7所述的显示面板,
所述多个像素电极和所述连接部由相同的材料构成,
所述第一像素电极、所述相邻的第二像素电极以及所述连接部一体形成。
9.根据权利要求8所述的显示面板,
电极材料膜中的与所述多个像素电极和所述连接部各自相当的部分在由抗蚀剂材料覆盖的状态下被蚀刻,由此所述第一像素电极、所述相邻的第二像素电极以及所述连接部一体形成。
10.一种显示面板的制造方法,包括:
准备工序,准备基板;
晶体管阵列基板形成工序,通过在所述基板上呈矩阵状配置多个包括薄膜晶体管元件的驱动单元,形成晶体管阵列基板;
层间绝缘膜形成工序,在所述晶体管阵列基板上形成层间绝缘膜,所述层间绝缘膜在与所述多个驱动单元对应的各区域的一部分形成有接触孔;以及
像素电极形成工序,在所述层间绝缘膜上与所述多个驱动单元对应地呈矩阵状配置多个像素电极,
所述多个驱动单元包括一部分有缺陷的驱动单元,
在将所述多个像素电极中与有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第一像素电极、将所述多个像素电极中与没有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第二像素电极的情况下,
将所述第二像素电极各自形成为其一部分进入对应的接触孔,
通过使所述第二像素电极各自的进入接触孔的部分与对应的驱动单元的供电衬垫接触,使所述第二像素电极各自与对应的驱动单元电连接,
使所述第一像素电极各自与对应的驱动单元非电连接,
将所述第一像素电极各自通过由导电性材料构成的连接部与相邻的第二像素电极的任一第二像素电极连接,
在从所述第一像素电极到所述相邻的第二像素电极的形成有各个所述连接部的全部区域,形成为使所述连接部各自与所述层间绝缘膜接触,
所述像素电极形成工序中,使用与像素电极相同的材料作为连接部的材料,所述像素电极形成工序包括:
电极材料膜形成工序,在所述层间绝缘膜上形成由电极材料构成的膜;
抗蚀剂膜形成工序,在所述电极材料膜上形成抗蚀剂膜;
抗蚀剂膜图案形成工序,将所述抗蚀剂膜图案形成为与所述多个像素电极对应的预定形状;
抗蚀剂材料追加工序,通过对图案形成为所述预定形状的抗蚀剂膜中与所述第一像素电极各自和相邻的所述第二像素电极的任一第二像素电极之间相当的部分,追加抗蚀剂材料,从而对与从所述第一像素电极各自到所述任一第二像素电极的区域相当的部分进行填埋;
抗蚀剂膜除去工序,通过激光除去图案形成为所述预定形状的抗蚀剂膜中与至少一个第一像素电极的中央部相当的部分;和
蚀刻工序,在所述抗蚀剂膜除去工序后对所述电极材料膜进行蚀刻,从而所述第一像素电极、所述相邻的第二像素电极以及所述连接部一体形成,
在所述抗蚀剂材料追加工序中,通过对图案形成为所述预定形状的抗蚀剂膜中与所述至少一个第一像素电极各自和相邻的两个所述第二像素电极之间相当的部分各自,追加抗蚀剂材料,从而对与从所述至少一个第一像素电极各自到所述两个第二像素电极各自的区域相当的部分进行填埋,
在所述蚀刻工序中,分割形成所述至少一个第一像素电极,并且形成为使所分割出的第一像素电极各自分别与相邻于所述第一像素电极的各第二像素电极连接。
11.一种显示面板的制造方法,包括:
准备工序,准备基板;
晶体管阵列基板形成工序,通过在所述基板上呈矩阵状配置多个包括薄膜晶体管元件的驱动单元,形成晶体管阵列基板;
层间绝缘膜形成工序,在所述晶体管阵列基板上形成层间绝缘膜,所述层间绝缘膜在与所述多个驱动单元对应的各区域的一部分形成有接触孔;以及
像素电极形成工序,在所述层间绝缘膜上与所述多个驱动单元对应地呈矩阵状配置多个像素电极,
所述多个驱动单元包括一部分有缺陷的驱动单元,
在将所述多个像素电极中与有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第一像素电极、将所述多个像素电极中与没有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第二像素电极的情况下,
将所述第二像素电极各自形成为其一部分进入对应的接触孔,
通过使所述第二像素电极各自的进入接触孔的部分与对应的驱动单元的供电衬垫接触,使所述第二像素电极各自与对应的驱动单元电连接,
使所述第一像素电极各自与对应的驱动单元非电连接,
将所述第一像素电极各自通过由导电性材料构成的连接部与相邻的第二像素电极的任一第二像素电极连接,
在从所述第一像素电极到所述相邻的第二像素电极的形成有各个所述连接部的全部区域,形成为使所述连接部各自与所述层间绝缘膜接触,
所述像素电极形成工序中,使用与像素电极相同的材料作为连接部的材料,所述像素电极形成工序包括:
电极材料膜形成工序,在所述层间绝缘膜上形成由电极材料构成的膜;
抗蚀剂膜形成工序,在所述电极材料膜上形成抗蚀剂膜;
抗蚀剂膜图案形成工序,将所述抗蚀剂膜图案形成为与所述多个像素电极对应的预定形状;
抗蚀剂材料追加工序,通过对图案形成为所述预定形状的抗蚀剂膜中与所述第一像素电极各自和相邻的所述第二像素电极的任一第二像素电极之间相当的部分,追加抗蚀剂材料,从而对与从所述第一像素电极各自到所述任一第二像素电极的区域相当的部分进行填埋;
抗蚀剂膜除去工序,通过激光除去图案形成为所述预定形状的抗蚀剂膜中与第一像素电极各自对应的接触孔相当的部分;和
蚀刻工序,在所述抗蚀剂膜除去工序后对所述电极材料膜进行蚀刻,从而所述第一像素电极、所述相邻的第二像素电极以及所述连接部一体形成,
在所述蚀刻工序中,将所述第一像素电极各自形成为与对应的接触孔相当的部分欠缺的形状。
12.根据权利要求10或11所述的显示面板的制造方法,
在所述层间绝缘膜形成工序之前还包括对各所述有缺陷的驱动单元的薄膜晶体管中的向对应的第一像素电极的供电路径进行切断的工序。
13.一种显示面板的制造方法,包括:
准备工序,准备基板;
晶体管阵列基板形成工序,通过在所述基板上呈矩阵状配置多个包括薄膜晶体管元件的驱动单元,形成晶体管阵列基板;
检查工序,检查所述晶体管阵列基板中的各薄膜晶体管元件有无缺陷;
位置信息取得工序,基于所述检查的结果,取得所述晶体管阵列基板中的有缺陷的驱动单元的位置信息;
切断工序,通过对所取得的位置信息表示的有缺陷的驱动单元的布线或薄膜晶体管元件的至少一部分进行切断,使所述驱动单元为非电导通;
层间绝缘膜形成工序,在所述晶体管阵列基板上形成层间绝缘膜,所述层间绝缘膜在与所述多个驱动单元对应的各区域的一部分形成有接触孔;以及
像素电极形成工序,在所述层间绝缘膜上与所述多个驱动单元对应地呈矩阵状配置多个像素电极,
所述多个驱动单元包括一部分有缺陷的驱动单元,
在将所述多个像素电极中与有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第一像素电极、将所述多个像素电极中与没有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第二像素电极的情况下,
将所述第二像素电极各自形成为其一部分进入对应的接触孔,
通过使所述第二像素电极各自的进入接触孔的部分与对应的驱动单元的供电衬垫接触,使所述第二像素电极各自与对应的驱动单元电连接,
通过使所述第一像素电极各自与对应的有缺陷的驱动单元非电导通,从而使所述第一像素电极各自与对应的有缺陷的驱动单元非电连接,
所述像素电极形成工序包括以下工序:
在所述层间绝缘膜上形成由电极材料构成的膜;
在所述电极材料膜上形成抗蚀剂膜;
将所述抗蚀剂膜图案形成为与所述多个像素电极对应的预定形状;
抗蚀剂材料追加工序,通过对图案形成为所述预定形状的抗蚀剂膜中与所述第一像素电极各自和相邻的所述第二像素电极的任一第二像素电极之间相当的部分,追加抗蚀剂材料,从而对与从所述第一像素电极各自到所述任一第二像素电极的区域相当的部分进行填埋;
抗蚀剂膜除去工序,通过激光除去图案形成为所述预定形状的抗蚀剂膜中与至少一个第一像素电极的中央部相当的部分;和
蚀刻工序,在所述抗蚀剂膜除去工序后对所述电极材料膜进行蚀刻,从而所述第一像素电极、所述相邻的第二像素电极以及连接部一体形成,
在所述抗蚀剂材料追加工序中,通过对图案形成为所述预定形状的抗蚀剂膜中与所述至少一个第一像素电极各自和相邻的两个所述第二像素电极之间相当的部分各自,追加抗蚀剂材料,从而对与从所述至少一个第一像素电极各自到所述两个第二像素电极各自的区域相当的部分进行填埋,
在所述蚀刻工序中,分割形成所述至少一个第一像素电极,并且形成为使所分割出的第一像素电极各自分别与相邻于所述第一像素电极的各第二像素电极连接。
14.一种显示面板的制造方法,包括:
准备工序,准备基板;
晶体管阵列基板形成工序,通过在所述基板上呈矩阵状配置多个包括薄膜晶体管元件的驱动单元,形成晶体管阵列基板;
检查工序,检查所述晶体管阵列基板中的各薄膜晶体管元件有无缺陷;
位置信息取得工序,基于所述检查的结果,取得所述晶体管阵列基板中的有缺陷的驱动单元的位置信息;
层间绝缘膜形成工序,在所述晶体管阵列基板上形成层间绝缘膜,所述层间绝缘膜在与所述多个驱动单元对应的各区域的一部分形成有接触孔;以及
像素电极形成工序,在所述层间绝缘膜上与所述多个驱动单元对应地呈矩阵状配置多个像素电极,
所述多个驱动单元包括一部分有缺陷的驱动单元,
在将所述多个像素电极中与有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第一像素电极、将所述多个像素电极中与没有缺陷的驱动单元分别对应的像素电极称为第二像素电极的情况下,
所述像素电极形成工序包括以下工序:
在所述层间绝缘膜上形成由电极材料构成的膜;
在所述电极材料膜上形成抗蚀剂膜;
将所述抗蚀剂膜图案形成为与所述多个像素电极对应的预定形状;
通过对图案形成为所述预定形状的抗蚀剂膜中与所述第一像素电极各自和相邻的所述第二像素电极的任一第二像素电极之间相当的部分,追加抗蚀剂材料,从而对与从所述第一像素电极各自到所述任一第二像素电极的区域相当的部分进行填埋;
除去与图案形成为所述预定形状的抗蚀剂膜中与所述第一像素电极各自对应的接触孔相当的部分;以及
通过对所述电极材料膜进行蚀刻,所述第一像素电极、所述相邻的第二像素电极以及连接部一体形成,并且形成与对应的接触孔相当的部分欠缺的第一像素电极。
CN201180003310.3A 2011-05-26 2011-05-26 显示面板及其制造方法 Active CN102934154B (zh)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2011/002952 WO2012160609A1 (ja) 2011-05-26 2011-05-26 表示パネルおよびその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN102934154A CN102934154A (zh) 2013-02-13
CN102934154B true CN102934154B (zh) 2016-04-13

Family

ID=47216716

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201180003310.3A Active CN102934154B (zh) 2011-05-26 2011-05-26 显示面板及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US8704309B2 (zh)
JP (1) JP5842812B2 (zh)
KR (1) KR101733820B1 (zh)
CN (1) CN102934154B (zh)
WO (1) WO2012160609A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20130082997A1 (en) * 2011-09-30 2013-04-04 Apple Inc. System and method for detection of dimensions of display panel or other patterned device
KR102145850B1 (ko) * 2014-05-30 2020-08-20 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치와 픽셀의 리페어 방법
US20160147323A1 (en) * 2014-11-21 2016-05-26 Interface Optoelectronics Corporation Touch control panel structure and method of manufacturing the same
CN107703657A (zh) * 2017-11-23 2018-02-16 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板缺陷修补方法
CN110741428B (zh) * 2018-02-28 2021-12-21 京瓷株式会社 显示装置、玻璃基板及玻璃基板的制造方法
WO2020059125A1 (ja) * 2018-09-21 2020-03-26 シャープ株式会社 表示装置
CN111180467A (zh) * 2020-01-06 2020-05-19 昆山国显光电有限公司 阵列基板、显示面板及阵列基板的制造方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100514657C (zh) * 2005-01-31 2009-07-15 三菱电机株式会社 有源矩阵衬底及其制造方法
CN100535968C (zh) * 2005-12-02 2009-09-02 乐金显示有限公司 平板显示器及其制造方法、制造装置、图像质量控制方法和图像质量控制装置

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63276032A (ja) 1987-05-07 1988-11-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクテイブマトリツクスアレイ
JPS6448038A (en) * 1987-08-18 1989-02-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd Active matrix array
US4877174A (en) 1988-12-21 1989-10-31 International Business Machines Corporation Tab device excise and lead form apparatus
US5343216A (en) 1989-01-31 1994-08-30 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and active matrix display apparatus
JPH0748146B2 (ja) * 1989-01-31 1995-05-24 シャープ株式会社 アクティブマトリクス基板及びアクティブマトリクス表示装置
EP0381428B1 (en) 1989-01-31 1995-06-21 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate and active matrix display display apparatus
JPH02223928A (ja) * 1989-02-27 1990-09-06 Hitachi Ltd 欠陥救済方法
JPH02262125A (ja) 1989-03-31 1990-10-24 Sony Corp アクティブマトリクス型液晶表示装置
DE69111968T2 (de) 1990-09-27 1996-02-22 Sharp Kk Anzeigeeinrichtung mit aktiver Matrix.
KR920006894A (ko) 1990-09-27 1992-04-28 쓰지 하루오 액티브 매트릭스 표시장치
JP2654259B2 (ja) 1991-02-21 1997-09-17 シャープ株式会社 アクティブマトリクス表示装置
US5443922A (en) 1991-11-07 1995-08-22 Konica Corporation Organic thin film electroluminescence element
JPH05163488A (ja) 1991-12-17 1993-06-29 Konica Corp 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子
JPH095786A (ja) 1995-06-21 1997-01-10 Advanced Display:Kk Tftアレイ基板並びにこれを用いた液晶表示装置およびtftアレイ基板の製造方法
JPH095785A (ja) 1995-06-21 1997-01-10 Advanced Display:Kk Tftアレイ基板並びにこれを用いた液晶表示装置およびtftアレイ基板の製造方法
JP3470586B2 (ja) * 1997-06-25 2003-11-25 日本ビクター株式会社 表示用マトリクス基板の製造方法
US6259424B1 (en) 1998-03-04 2001-07-10 Victor Company Of Japan, Ltd. Display matrix substrate, production method of the same and display matrix circuit
TW525305B (en) 2000-02-22 2003-03-21 Semiconductor Energy Lab Self-light-emitting device and method of manufacturing the same
JP4342696B2 (ja) 2000-06-09 2009-10-14 シャープ株式会社 液晶パネルの欠陥修正方法
JP2002131779A (ja) * 2000-10-26 2002-05-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶画像表示装置及びその製造方法
US7220611B2 (en) * 2003-10-14 2007-05-22 Lg.Philips Lcd Co., Ltd. Liquid crystal display panel and fabricating method thereof
JP2007072116A (ja) 2005-09-06 2007-03-22 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 液晶表示装置
JP2007241183A (ja) 2006-03-13 2007-09-20 Mitsubishi Electric Corp 表示装置および表示装置の修復方法
JP2007298791A (ja) 2006-05-01 2007-11-15 Mitsubishi Electric Corp 液晶表示装置及びその欠陥修復方法
JP2008241821A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Mitsubishi Electric Corp 半透過型液晶表示装置
JP5024529B2 (ja) * 2007-04-12 2012-09-12 ソニー株式会社 表示装置の製造方法およびtftアレイ基板の製造方法
US8021935B2 (en) * 2008-10-01 2011-09-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Thin film device fabrication process using 3D template
JP2010145875A (ja) * 2008-12-20 2010-07-01 Videocon Global Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JP2010249883A (ja) * 2009-04-10 2010-11-04 Panasonic Corp 画像表示装置及びその修正方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100514657C (zh) * 2005-01-31 2009-07-15 三菱电机株式会社 有源矩阵衬底及其制造方法
CN100535968C (zh) * 2005-12-02 2009-09-02 乐金显示有限公司 平板显示器及其制造方法、制造装置、图像质量控制方法和图像质量控制装置

Also Published As

Publication number Publication date
US8704309B2 (en) 2014-04-22
CN102934154A (zh) 2013-02-13
KR101733820B1 (ko) 2017-05-08
JPWO2012160609A1 (ja) 2014-07-31
WO2012160609A1 (ja) 2012-11-29
KR20140015112A (ko) 2014-02-06
JP5842812B2 (ja) 2016-01-13
US20120299021A1 (en) 2012-11-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN102934154B (zh) 显示面板及其制造方法
CN109728033B (zh) 显示装置及其制造方法
TWI388912B (zh) 製造陣列基板之方法
EP3139410B1 (en) Amoled array substrate, manufacturing method thereof, and display device
JP4075028B2 (ja) 回路基板、表示装置、および電子機器
KR102490623B1 (ko) 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법
TWI391022B (zh) 顯示面板及其製造方法
CN110047874B (zh) 显示装置
JP6935244B2 (ja) 表示装置、および表示装置の製造方法
KR102167131B1 (ko) 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조방법
US9443884B2 (en) Method for manufacturing ESD device, ESD device and display panel
CN111524954B (zh) 显示基板及其维修方法、显示装置
US8514211B2 (en) Display panel
JP2006330469A (ja) 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
KR20210016111A (ko) 표시 장치
KR20070002492A (ko) 디스플레이장치 및 그 제조방법
US20120299116A1 (en) Display panel and method of manufacturing the same
US8963160B2 (en) Thin film transistor array substrate, manufacturing method thereof and display device
KR20170102142A (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법.
US9117785B2 (en) Display device and method of manufacturing the same
JP4424078B2 (ja) 表示パネル及びその製造方法
KR102347412B1 (ko) 표시장치용 표시패널 및 표시패널 검사 방법
US20060220580A1 (en) Array substrate
JP2009059705A (ja) 表示装置
KR20160082738A (ko) 유기발광 표시장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C53 Correction of patent of invention or patent application
CB02 Change of applicant information

Address after: Tokyo, Japan

Applicant after: JOLED Inc.

Address before: Osaka Japan

Applicant before: Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd.

COR Change of bibliographic data

Free format text: CORRECT: APPLICANT; FROM: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO, LTD. TO: JANPAN ORGANIC RATE DISPLAY CO., LTD.

Free format text: CORRECT: ADDRESS; FROM:

C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20231124

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Japan Display Design and Development Contract Society

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: JOLED Inc.

TR01 Transfer of patent right