JP2002131779A - 液晶画像表示装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザーCVDなどの高価な導電性薄膜形成装
置を必要とせず、しかもフォトマスク数を増加させるこ
となく欠陥画素を隣接する同色の正常画素と電気的に接
続して修正することが出来る液晶画像表示装置を提供す
る。 【解決手段】 ドレイン電極に画素コンタクト部をドレ
イン電極から電気的に切断するための切断部が設けら
れ、切断部に画素電極が重ならないことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はトランジスタあるい
は蓄積容量に欠陥が生じている画素を修正することがで
きる液晶画像表示装置の構造に関する。また当該液晶画
像表示装置の製造方法に関する。また当該液晶画像表示
装置の欠陥の修正方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶画像表示装置は薄い、軽いと
いう際立った特長により、ノートパソコンにとどまらず
液晶モニターや液晶テレビ、あるいは携帯電話、ビデオ
カメラ、デジタルカメラなどに広く用いられている。

【０００３】アクティブマトリクス型液晶画像表示装置
は画素ごとに駆動素子としてトランジスタを備えている
ため高い表示品質を実現でき、それゆえ現在、液晶画像
表示装置の主流となっている。

【０００４】アクティブマトリクス型液晶画像表示装置
の構成を示す。互いに絶縁された走査電極と信号電極と
が直交し、その各交点にトランジスタが設けられてい
る。トランジスタは、走査電極と電気的に接続している
ゲート電極と、ゲート電極上のゲート絶縁膜と半導体膜
からなる半導体領域と、半導体領域上の信号電極と電気
的に接続しているソース電極と、半導体領域上のドレイ
ン電極とからなっている。トランジスタと、ドレイン電
極と電気的に接続している画素電極と、画素電極と電気
的に接続している蓄積容量とで１つの画素を構成してい
る。

【０００５】液晶画像表示装置は多数の画素から構成さ
れており、例えば1024ドット×768ドットのXGA型液晶画
像表示装置では200万個以上の画素からなっている。液
晶画像表示装置は厳しい管理のもとで製造されている
が、それでも全ての画素を欠陥なく形成するのは非常に
困難である。

【０００６】画素の欠陥には、走査電極や信号電極の断
線などによる線欠陥や、トランジスタや蓄積容量の欠陥
などによる点欠陥が多い。このうち点欠陥は大きく分け
て、画素が常に点灯している輝点欠陥と、画素が常に消
灯している黒点欠陥に分かれる。どちらの点欠陥も液晶
画像表示装置の表示品質を大きく低下させるが、黒点欠
陥の方が輝点欠陥に比べて表示品質に与える影響が小さ
い。そのため輝点欠陥が存在した場合、さまざまな方法
で輝点欠陥を黒点欠陥に変換して表示品質の低下を抑え
る救済措置がとられることが多い。

【０００７】しかし輝点欠陥より表示品質に与える影響
が小さいとはいえ、黒点欠陥も明るい白を表示した場合
などにおいてその存在が識別でき、液晶画像表示装置の
表示品質を低下させていた。

【０００８】そのために点欠陥画素の画素電極を隣接す
る同色の正常画素の画素電極と電気的に接続し、欠陥画
素を隣接する同色の正常画素と同じ表示状態にする修正
方法がある。この修正方法を適用すると、液晶画像表示
装置の表示品質の低下を最小限にとどめることが出来
る。特開平5-216053号公報では、駆動素子が機能しない
画素を修正するために、欠陥画素を隣接する正常画素と
導電性の薄膜で電気的に接続する画像表示装置の修正方
法が開示されている。また特開平9-54340号公報では、
駆動素子が機能しない画素を修正するために、欠陥修正
用配線を用いて欠陥画素を隣接する正常画素と電気的に
接続する画像表示装置の修正方法が開示されている。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら特開平5-
216053号公報を実施するにあたっては、導電性の薄膜を
形成するためにレーザーCVDなどの高価な導電性薄膜形
成装置が必要になるという問題があった。また駆動素子
の不良でソース電極の信号が常に画素電極に印加されて
いる欠陥画素の修正には、欠陥画素を隣接する正常画素
と接続しても欠陥画素を救済できないばかりか、欠陥画
素と電気的に接続した正常画素も欠陥画素にしてしまう
ため、この修正方法は適用できなかった。また特開平9-
54340を実施するにあたっては、走査電極、信号電極、
画素電極、駆動素子とは絶縁性を保持した欠陥修正用配
線を形成する必要があるため、フォトマスク数が最低1
枚以上増加し、液晶画像表示装置の製造コストを大きく
増大させてしまうという問題があった。

【００１０】本発明の目的は、レーザーCVDなどの高価
な導電性薄膜形成装置を必要とせず、しかもフォトマス
ク数を増加させることなく欠陥画素を隣接する同色の正
常画素と電気的に接続して修正することが出来る液晶画
像表示装置の構造及びその製造方法及びその修正方法を
提供することを目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明は、絶縁基板上の
ゲート電極を兼ねる走査電極と、前記ゲート電極上のゲ
ート絶縁膜と、半導体膜からなる半導体領域と、信号電
極と、前記半導体領域上のソース電極とドレイン電極よ
りなるトランジスタと、前記ドレイン電極と電気的に接
続している画素コンタクト部と、前記ドレイン電極と電
気的に接続している蓄積容量電極と、保護絶縁膜と、前
記保護絶縁膜上にあり前記画素コンタクト部と電気的に
接続されている画素電極と、前記絶縁基板と対向する透
明性絶縁基板またはカラーフィルタとの間に液晶を充填
してなる液晶画像表示装置において、前記ドレイン電極
に前記画素コンタクト部を前記ドレイン電極から電気的
に切断するための切断部が設けられ、前記切断部に前記
画素電極が重ならないことを特徴とする液晶画像表示装
置である。本発明に従えば、液晶画像表示装置において
画素コンタクト部をドレイン電極からレーザーなどを用
いて電気的に切断した切断部において、画素電極とドレ
イン電極及び蓄積容量電極が電気的に接続することを防
ぐことが出来る。

【００１２】また本発明は、液晶画像表示装置におい
て、画素電極形成前に検査を行い、前記画素電極形成工
程において欠陥の修正を行うことを特徴とする請求項１
記載の液晶画像表示装置の製造方法である。本発明に従
えば、画素電極形成前に検査を行い欠陥を発見すること
で、画素電極形成工程において欠陥の修正も同時に行う
ことが出来る。

【００１３】また本発明は、前記検査により前記トラン
ジスタに欠陥が判明した欠陥画素において、前記欠陥画
素の前記ドレイン電極と前記画素コンタクト部を前記切
断部において電気的に切断し、画素電極形成工程におい
て前記欠陥画素の画素電極を隣接する正常画素の画素電
極と電気的に接続することを特徴とする請求項１記載の
液晶画像表示装置の欠陥修正方法である。本発明に従え
ば、欠陥が判明したトランジスタを欠陥画素の画素電極
から電気的に切断してから画素電極形成工程において欠
陥画素の画素電極を隣接する正常画素の画素電極と電気
的に接続することで、欠陥画素の画素電極と隣接する正
常画素の画素電極を欠陥が判明したトランジスタの影響
を受けることなく電気的に接続できる。このため例えば
ソース電極に印加された信号が常にドレイン電極に入力
される欠陥が判明したトランジスタを欠陥画素の画素電
極から電気的に切断せずに欠陥画素の画素電極と隣接す
る正常画素の画素電極を電気的に接続した場合に起き
る、欠陥画素だけではなく隣接する正常画素まで欠陥画
素にしてしまうといった不具合を防ぐことが出来る。

【００１４】また本発明は、前記検査により蓄積容量に
欠陥が判明した欠陥画素において、前記欠陥画素の前記
ドレイン電極と前記画素コンタクト部を前記切断部にお
いて電気的に切断し、画素電極形成工程において前記欠
陥画素の画素電極を隣接する正常画素の画素電極と電気
的に接続することを特徴とする請求項１記載の液晶画像
表示装置の欠陥修正方法である。本発明に従えば、欠陥
が判明した蓄積容量を欠陥画素の画素電極から電気的に
切断してから画素電極形成工程において欠陥画素の画素
電極を隣接する正常画素の画素電極と電気的に接続する
ことで、欠陥画素の画素電極と隣接する正常画素の画素
電極を欠陥が判明した蓄積容量の影響を受けることなく
電気的に接続できる。このため例えば蓄積容量電極が走
査電極と電気的に接続している欠陥が判明した蓄積容量
を欠陥画素の画素電極から電気的に切断せずに欠陥画素
の画素電極と隣接する正常画素の画素電極を電気的に接
続した場合に起きる、欠陥画素だけではなく隣接する正
常画素まで欠陥画素にしてしまうといった不具合を防ぐ
ことが出来る。

【００１５】また本発明は、画素電極を隣接する画素の
画素電極と電気的に接続するために、画素電極形成工程
において、画素電極膜のエッチングまでに接続する画素
電極間にエッチング耐性膜を形成し、前記エッチング耐
性膜の形成個所の画素電極膜を残すことにより、画素電
極を隣接する画素の画素電極と電気的に接続する画素電
極間接続方法である。本発明に従えば、画素電極と隣接
する画素の画素電極との電気的接続を、高価な導電性薄
膜形成装置を使用せずに、かつ画素形成工程において同
時に行うことができる。

【００１６】また本発明は、画素電極を隣接する画素の
画素電極と電気的に接続するために、画素電極形成工程
において、レジストのポストベーク前に接続する画素電
極間にレジストを塗布し、前記レジスト塗布個所の画素
電極膜を残すことにより、画素電極を隣接する画素の画
素電極と電気的に接続する画素電極間接続方法である。
本発明に従えば、画素電極と隣接する画素の画素電極と
の電気的接続を、高価な導電性薄膜形成装置を使用せず
に、かつ画素形成工程において同時に行うことができ
る。

【００１７】また本発明は、画素電極を隣接する画素の
画素電極と電気的に接続するために、画素電極形成工程
において、ポジレジスト露光前に接続する画素電極間の
ポジレジスト上に遮光物を形成することで前記遮光物下
のレジストを残し、前記遮光物下の電極膜を残すことに
より、画素電極を隣接する正常画素の画素電極と電気的
に接続する画素電極間接続方法である。本発明に従え
ば、画素電極と隣接する画素の画素電極との電気的接続
を、高価な導電性薄膜形成装置を使用せずに、かつ画素
形成工程において同時に行うことができる。

【００１８】また本発明は、画素電極を隣接する画素の
画素電極と電気的に接続するために、画素電極形成工程
において、ネガレジスト露光後に接続する画素電極間の
ネガレジストを追加露光することで前記追加露光個所の
レジストを残し、前記追加露光個所の画素電極膜を残す
ことにより、画素電極を隣接する画素の画素電極と電気
的に接続する画素電極間接続方法である。本発明に従え
ば、画素電極と隣接する画素の画素電極との電気的接続
を、高価な導電性薄膜形成装置を使用せずに、かつ画素
形成工程において同時に行うことができる。

【００１９】

【発明の実施の形態】（実施の形態１）ガラス基板１上
に金属電極膜を成膜した後、フォト工程、エッチング工
程によりゲート電極を兼ねる走査電極２を形成する（図
１）。

【００２０】ゲート絶縁膜３、非晶質半導体膜４、コン
タクト膜５を連続成膜した後、フォト工程、エッチング
工程により非晶質半導体膜４とコンタクト膜５からなる
半導体領域をゲート電極上に形成する（図２）。

【００２１】金属電極膜を成膜した後、フォト工程、エ
ッチング工程によりソース電極６と一体となった信号電
極７と、画素コンタクト部１０及び蓄積容量電極９と一
体となったドレイン電極８を形成する（図３）。ソース
電極６とドレイン電極８にはさまれた領域はチャネルに
なっている。なおこの実施形態では蓄積容量電極９が前
段の走査電極２上に形成されているが、蓄積容量電極が
共通容量電極上に形成される構成もある。

【００２２】保護絶縁膜１２を成膜した後、フォト工
程、エッチング工程により画素コンタクト部１０上のコ
ンタクト孔、走査電極端子コンタクト孔、信号電極端子
コンタクト孔を形成する（図４）。なお図４には走査電
極端子コンタクト孔、信号電極端子コンタクト孔は記載
されていない。

【００２３】検査を行う。検査には走査電極端子コンタ
クト孔、信号電極端子コンタクト孔にプローブ針を接触
させ、全ての画素に対して、トランジスタを介して蓄積
容量に電荷を蓄積して一定時間後に蓄積されている電荷
量を測定することで、トランジスタ、蓄積容量、走査電
極、信号電極などの欠陥を検査する電気的検査を用い
る。なお光学的に配線パターンなどを検査する光学的検
査を併用してもよい。

【００２４】検査により欠陥のあるトランジスタや蓄積
容量が検出された場合、欠陥のあるトランジスタや蓄積
容量が検出された欠陥画素の切断部において画素コンタ
クト部をドレイン電極からレーザーなどを用いて電気的
に切断する（図５）。

【００２５】透明電極膜１６を成膜した後、フォト工程
においてレジスト塗布、プリベーク、レジスト露光、現
像までを通常どおり行った後、欠陥画素の画素電極と隣
接する正常画素のうち対応するカラーフィルタの色が欠
陥画素と同色である画素の画素電極とを電気的に接続す
るために、接続する画素電極間に対応する位置にレジス
ト１４を塗布する（図６）。画素電極の一辺は数十μ
ｍ、隣接画素間は数μｍであるのが一般的なので、レジ
スト塗布には塗布針や毛細管などを用いる。なおレジス
トはポジレジスト、ネガレジストのいずれでもよい。

【００２６】その後は通常どおりポストベークを行いレ
ジストを硬化させた後、エッチング工程を行い画素電極
１７を形成する（図７）。レジスト塗布個所の電極膜が
残るため、欠陥画素の画素電極を隣接する正常画素の画
素電極と電気的に接続することができる。

【００２７】配向膜を形成し対向するカラーフィルタと
の間に液晶を充填することで液晶表示装置が完成する。

【００２８】（実施の形態２）ガラス基板１上に金属電
極膜を成膜した後、フォト工程、エッチング工程により
ゲート電極を兼ねる走査電極２を形成する（図１）。

【００２９】ゲート絶縁膜３、非晶質半導体膜４、コン
タクト膜５を連続成膜した後、フォト工程、エッチング
工程により非晶質半導体膜４とコンタクト膜５からなる
半導体領域をゲート電極上に形成する（図２）。

【００３０】金属電極膜を成膜した後、フォト工程、エ
ッチング工程によりソース電極６と一体となった信号電
極７と、画素コンタクト部１０及び蓄積容量電極９と一
体となったドレイン電極８を形成する（図３）。ソース
電極６とドレイン電極８にはさまれた領域はチャネルに
なっている。なおこの実施形態では蓄積容量電極９が前
段の走査電極２上に形成されているが、蓄積容量電極が
共通容量電極上に形成される構成もある。

【００３１】保護絶縁膜１２を成膜した後、フォト工
程、エッチング工程により画素コンタクト部１０上のコ
ンタクト孔、走査電極端子コンタクト孔、信号電極端子
コンタクト孔を形成する（図４）。なお図４には走査電
極端子コンタクト孔、信号電極端子コンタクト孔は記載
されていない。

【００３２】検査を行う。検査には走査電極端子コンタ
クト孔、信号電極端子コンタクト孔にプローブ針を接触
させ、全ての画素に対して、トランジスタを介して蓄積
容量に電荷を蓄積して一定時間後に蓄積されている電荷
量を測定することで、トランジスタ、蓄積容量、走査電
極、信号電極などの欠陥を検査する電気的検査を用い
る。なお光学的に配線パターンなどを検査する光学的検
査を併用してもよい。

【００３３】検査により欠陥のあるトランジスタや蓄積
容量が検出された場合、欠陥のあるトランジスタや蓄積
容量が検出された欠陥画素の切断部において画素コンタ
クト部をドレイン電極からレーザーなどを用いて電気的
に切断する（図５）。

【００３４】透明電極膜１６を成膜した後、フォト工程
においてポジレジスト塗布、プリベークまでを通常どお
り行った後、欠陥画素の画素電極と隣接する正常画素の
うち対応するカラーフィルタの色が欠陥画素と同色であ
る画素の画素電極とを電気的に接続するために、接続す
る画素電極間に対応する位置のレジスト１４上に遮光イ
ンク１８を塗布する（図８）。画素電極の一辺は数十μ
ｍ、隣接画素間は数μｍであるのが一般的なので、遮光
インク塗布には塗布針や毛細管などを用いる。なお遮光
インクはフォト工程の現像あるいはエッチング工程のレ
ジスト剥離において剥離されるものが望ましい。

【００３５】その後は通常どおりレジスト露光、現像、
ポストベークを行った後、エッチング工程を行い画素電
極１７を形成する（図７）。遮光インクを塗布した個所
のレジストが残るためその下の電極膜が残り、欠陥画素
の画素電極を隣接する正常画素の画素電極と電気的に接
続することができる。

【００３６】配向膜を形成し対向するカラーフィルタと
の間に液晶を充填することで液晶表示装置が完成する。

【００３７】（実施の形態３）ガラス基板１上に金属電
極膜を成膜した後、フォト工程、エッチング工程により
ゲート電極を兼ねる走査電極２を形成する（図１）。

【００３８】ゲート絶縁膜３、非晶質半導体膜４、コン
タクト膜５を連続成膜した後、フォト工程、エッチング
工程により非晶質半導体膜４とコンタクト膜５からなる
半導体領域をゲート電極上に形成する（図２）。

【００３９】金属電極膜を成膜した後、フォト工程、エ
ッチング工程によりソース電極６と一体となった信号電
極７と、画素コンタクト部１０及び蓄積容量電極９と一
体となったドレイン電極８を形成する（図３）。ソース
電極６とドレイン電極８にはさまれた領域はチャネルに
なっている。なおこの実施形態では蓄積容量電極９が前
段の走査電極２上に形成されているが、蓄積容量電極が
共通容量電極上に形成される構成もある。

【００４０】保護絶縁膜１２を成膜した後、フォト工
程、エッチング工程により画素コンタクト部１０上のコ
ンタクト孔、走査電極端子コンタクト孔、信号電極端子
コンタクト孔を形成する（図４）。なお図４には走査電
極端子コンタクト孔、信号電極端子コンタクト孔は記載
されていない。

【００４１】検査を行う。検査には走査電極端子コンタ
クト孔、信号電極端子コンタクト孔にプローブ針を接触
させ、全ての画素に対して、トランジスタを介して蓄積
容量に電荷を蓄積して一定時間後に蓄積されている電荷
量を測定することで、トランジスタ、蓄積容量、走査電
極、信号電極などの欠陥を検査する電気的検査を用い
る。なお光学的に配線パターンなどを検査する光学的検
査を併用してもよい。

【００４２】検査により欠陥のあるトランジスタや蓄積
容量が検出された場合、欠陥のあるトランジスタや蓄積
容量が検出された欠陥画素の切断部において画素コンタ
クト部をドレイン電極からレーザーなどを用いて電気的
に切断する（図５）。

【００４３】透明電極膜１６を成膜した後、フォト工程
においてネガレジスト塗布、プリベーク、レジスト露光
までを通常どおり行った後、欠陥画素の画素電極と隣接
する正常画素のうち対応するカラーフィルタの色が欠陥
画素と同色である画素の画素電極とを電気的に接続する
ために、接続する画素電極間に対応する位置のレジスト
１４を追加露光する（図９）。画素電極の一辺は数十μ
ｍ、隣接画素間は数μｍであるのが一般的なので、追加
露光にはポイント露光機を用いる。

【００４４】その後は通常どおり、現像、ポストベーク
を行った後、エッチング工程を行い画素電極１７を形成
する（図７）。追加露光した個所のレジストが残るため
その下の電極膜が残り、欠陥画素の画素電極を隣接する
正常画素の画素電極と電気的に接続することができる。

【００４５】配向膜を形成し対向するカラーフィルタと
の間に液晶を充填することで液晶表示装置が完成する。

【００４６】

【発明の効果】本発明によれば、レーザーCVDなどの高
価な導電性薄膜形成装置を必要とせず、しかもフォトマ
スク数を増加させることなく欠陥画素を隣接する同色の
正常画素と電気的に接続して修正することが出来る。

【図面の簡単な説明】

【図１】ゲート電極を兼ねる走査電極を形成したときの
画素部断面図と画素部平面図

【図２】半導体領域形成時の画素部断面図と画素部平面
図

【図３】ソース電極と一体となった信号電極と、画素コ
ンタクト部及び蓄積容量電極と一体となったドレイン電
極を形成したときの画素部断面図と画素部平面図

【図４】画素コンタクト部上のコンタクト孔、走査電極
端子コンタクト孔、信号電極端子コンタクト孔を形成し
たときの画素部断面図と画素部平面図

【図５】画素コンタクト部をドレイン電極からレーザー
などを用いて電気的に切断したときの画素部断面図と画
素部平面図

【図６】接続する画素電極間に対応するレジストパター
ンの間にレジストを塗布したときの画素部断面図と画素
部平面図

【図７】画素電極を形成したときの画素部断面図と画素
部平面図

【図８】接続する画素電極間に対応する位置のレジスト
上に遮光インクを塗布したときの画素部断面図と画素部
平面図

【図９】接続する画素電極間に対応する位置のレジスト
を追加露光したときの画素部断面図と画素部平面図

【符号の説明】

１ ガラス基板 ２ 走査電極 ３ ゲート絶縁膜 ４ 非晶質半導体膜 ５ コンタクト膜 ６ ソース電極 ７ 信号電極 ８ ドレイン電極 ９ 蓄積容量電極 １０ 画素コンタクト部 １１ 切断部 １２ 保護絶縁膜 １３ レーザー切断部 １４ レジスト １５ 画素接続部 １６ 透明電極膜 １７ 画素電極 １８ 遮光インク １９ 追加露光部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H088 FA06 FA10 FA12 FA14 FA16 GA02 HA02 HA08 HA12 MA16 2H092 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JB13 JB23 JB32 JB33 JB37 JB51 JB57 JB63 JB69 KA05 KA07 KB14 MA05 MA08 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA27 MA35 MA37 MA41 MA49 MA57 NA25 NA27 NA29 PA07 5C094 AA42 AA43 AA44 BA03 BA43 CA19 CA24 DA14 DA15 EA03 EA04 EA07 EA10 EB02 FB12 FB14 FB15 GB10 5F110 AA16 AA27 BB01 CC07 DD02 GG02 GG15 HK09 HK16 HL07 NN02 NN72 NN73 QQ09 5G435 AA00 AA17 BB12 KK05 KK10

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁基板上のゲート電極を兼ねる走査電
   極と、 前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、半導体膜からなる
   半導体領域と、 信号電極と、前記半導体領域上のソース電極とドレイン
   電極よりなるトランジスタと、前記ドレイン電極と電気
   的に接続している画素コンタクト部と、前記ドレイン電
   極と電気的に接続している蓄積容量電極と、 保護絶縁膜と、 前記保護絶縁膜上にあり前記画素コンタクト部と電気的
   に接続されている画素電極と、 前記絶縁基板と対向する透明性絶縁基板またはカラーフ
   ィルタとの間に液晶を充填してなる液晶画像表示装置に
   おいて、 前記ドレイン電極に前記画素コンタクト部を前記ドレイ
   ン電極から電気的に切断するための切断部が設けられ、
   前記切断部に前記画素電極が重ならないことを特徴とす
   る液晶画像表示装置。
2. 【請求項２】 絶縁基板上のゲート電極を兼ねる走査電
   極と、前記ゲート電極上のゲート絶縁膜と、半導体膜か
   らなる半導体領域と、信号電極と、前記半導体領域上の
   ソース電極とドレイン電極よりなるトランジスタと、前
   記ドレイン電極と電気的に接続している画素コンタクト
   部と、前記ドレイン電極と電気的に接続している蓄積容
   量電極と、保護絶縁膜と、前記保護絶縁膜上にあり前記
   画素コンタクト部と電気的に接続されている画素電極
   と、前記絶縁基板と対向する透明性絶縁基板またはカラ
   ーフィルタとの間に充填された液晶とを具備し、前記ド
   レイン電極に前記画素コンタクト部を前記ドレイン電極
   から電気的に切断するための切断部が設けられ、前記切
   断部に前記画素電極が重ならない液晶画像表示装置を製
   造する方法であって、画素電極形成前に検査を行い、画
   素電極形成工程において欠陥の修正を行うことを特徴と
   する液晶画像表示装置の製造方法。
3. 【請求項３】 前記検査により前記トランジスタに欠陥
   が判明した欠陥画素において、前記欠陥画素の前記ドレ
   イン電極と前記画素コンタクト部を前記切断部において
   電気的に切断し、画素電極形成工程において前記欠陥画
   素の画素電極を隣接する正常画素の画素電極と電気的に
   接続することを特徴とする請求項２記載の液晶画像表示
   装置の製造方法。
4. 【請求項４】 前記検査により蓄積容量に欠陥が判明し
   た欠陥画素において、前記欠陥画素の前記ドレイン電極
   と前記画素コンタクト部を前記切断部において電気的に
   切断し、画素電極形成工程において前記欠陥画素の画素
   電極を隣接する正常画素の画素電極と電気的に接続する
   ことを特徴とする請求項２または請求項３に記載の液晶
   画像表示装置の製造方法。
5. 【請求項５】 画素電極を隣接する画素の画素電極と電
   気的に接続するために、画素電極形成工程において、画
   素電極膜のエッチングまでに接続する画素電極間にエッ
   チング耐性膜を形成し、前記エッチング耐性膜の形成個
   所の画素電極膜を残すことにより、画素電極を隣接する
   画素の画素電極と電気的に接続する画素電極間接続方
   法。
6. 【請求項６】 画素電極を隣接する画素の画素電極と電
   気的に接続するために、画素電極形成工程において、レ
   ジストのポストベーク前に接続する画素電極間にレジス
   トを塗布し、前記レジスト塗布個所の画素電極膜を残す
   ことにより、画素電極を隣接する画素の画素電極と電気
   的に接続する画素電極間接続方法。
7. 【請求項７】 画素電極を隣接する画素の画素電極と電
   気的に接続するために、画素電極形成工程において、ポ
   ジレジスト露光前に接続する画素電極間のポジレジスト
   上に遮光物を形成することで前記遮光物下のレジストを
   残し、前記遮光物下の画素電極膜を残すことにより、画
   素電極を隣接する画素の画素電極と電気的に接続する画
   素電極間接続方法。
8. 【請求項８】 画素電極を隣接する画素の画素電極と電
   気的に接続するために、画素電極形成工程において、ネ
   ガレジスト露光後に接続する画素電極間のネガレジスト
   を追加露光することで前記追加露光個所のレジストを残
   し、前記追加露光個所の画素電極膜を残すことにより、
   画素電極を隣接する画素の画素電極と電気的に接続する
   画素電極間接続方法。