JPS63276032A - アクテイブマトリツクスアレイ - Google Patents
アクテイブマトリツクスアレイInfo
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- JPS63276032A JPS63276032A JP62111056A JP11105687A JPS63276032A JP S63276032 A JPS63276032 A JP S63276032A JP 62111056 A JP62111056 A JP 62111056A JP 11105687 A JP11105687 A JP 11105687A JP S63276032 A JPS63276032 A JP S63276032A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
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-
- G—PHYSICS
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はアクティブマトリックス型液晶表示装置に用い
るアクティブマトリックスアレイに関するものである。
るアクティブマトリックスアレイに関するものである。
従来の技術
近年、液晶表示装置の絵素数増大に伴って、走査線数が
増え、従来から用いられている単純マトリックス型液晶
表示装置では表示コントラストや応答速度が低下するこ
とから、各絵素にスイッチング素子を配置したアクティ
ブマトリックス型液晶表示装置が利用されつつある。
増え、従来から用いられている単純マトリックス型液晶
表示装置では表示コントラストや応答速度が低下するこ
とから、各絵素にスイッチング素子を配置したアクティ
ブマトリックス型液晶表示装置が利用されつつある。
しかしながら前記アクティブマトリックス型液晶表示装
置に用いるアクティブマトリックスアレイは一枚の基板
上に数万個以上の薄膜トランジスタを無欠陥に製造しな
ければならず、したがってこの製造歩留りが非常に大き
な課題となる。高い歩留りにてアクティブマトリックス
アレイを製造するためには、クリーン度の高い、ＩＣ製
造ライン並のラインにて製造する必要があるが、万一１
〜２個の欠陥が発生した場合には、これを修正する方法
も確立しておかなければならない、前記欠陥修正が可能
なアクティブマトリックスアレイの１例について以下に
述べる。
置に用いるアクティブマトリックスアレイは一枚の基板
上に数万個以上の薄膜トランジスタを無欠陥に製造しな
ければならず、したがってこの製造歩留りが非常に大き
な課題となる。高い歩留りにてアクティブマトリックス
アレイを製造するためには、クリーン度の高い、ＩＣ製
造ライン並のラインにて製造する必要があるが、万一１
〜２個の欠陥が発生した場合には、これを修正する方法
も確立しておかなければならない、前記欠陥修正が可能
なアクティブマトリックスアレイの１例について以下に
述べる。
以下、図面を参照しながら従来のアクティブマトリック
スアレイについて説明する。第１７図は従来のアクティ
ブマトリックスアレイの一部拡大平面図である。ただし
一部説明に不用な箇所は省略しである。第１７図におい
てｌａ、ｌｂ、ｌｃ。
スアレイについて説明する。第１７図は従来のアクティ
ブマトリックスアレイの一部拡大平面図である。ただし
一部説明に不用な箇所は省略しである。第１７図におい
てｌａ、ｌｂ、ｌｃ。
１ｄは絵素電極、２．６は絶縁体膜、３はゲート信号線
、４はソース信号線、５はドレイン端子、７は金属薄膜
である。第１８図は第１７図のＡＡ’線による断面図上
ある。第１８図において８は透明基板、９は電気的接続
用パターン、１０はコンタクトホールである。第１８図
に示すように透明基板８上に電気的接続用パターン９を
形成し、その上に絶縁膜６を形成し、コンタクトホール
１０をあけたのち絵素電極１ａおよび１ｃを形成する。
、４はソース信号線、５はドレイン端子、７は金属薄膜
である。第１８図は第１７図のＡＡ’線による断面図上
ある。第１８図において８は透明基板、９は電気的接続
用パターン、１０はコンタクトホールである。第１８図
に示すように透明基板８上に電気的接続用パターン９を
形成し、その上に絶縁膜６を形成し、コンタクトホール
１０をあけたのち絵素電極１ａおよび１ｃを形成する。
さらに絶縁膜６と絵素電極ＩＣと重なる部分上には金属
薄膜７を形成している。
薄膜７を形成している。
以上のように構成されたアクティブマトリックスアレイ
について、その修正方法を第１９図を参照しながら説明
する。第１９図はアクティブマトリックスアレイの一部
拡大平面図である。第１９図において１）は薄膜トラン
ジスタのソース・ドレイン間の短絡欠陥である。先にも
述べたようにアクティブマトリックスアレイには少なく
とも数万個以上の薄膜トランジスタを作製する必要があ
る。しかしすべての薄膜トランジスタが良品となる確率
は比較的低い、したがって歩留りを向上させるためには
不良薄膜トランジスタが駆動する絵素をなんらかの手段
を用いて正常に点燈させる必要がある。欠陥モードとし
てはたとえば第１９図のように薄膜トランジスタのソー
ス・ドレインの短絡欠陥が発生した場合はたえずソース
信号線４に印加される信号が絵素電極１ａに流れこみ、
常に点燈状態（以後白欠陥と呼ぶ）となる。また以後常
に非点燈状態となる欠陥を黒欠陥と呼ぶ。そこでまず絵
素電極１ａに信号が入力されないようにＢＢ’線の箇所
をレーザ光などにより切断する。
について、その修正方法を第１９図を参照しながら説明
する。第１９図はアクティブマトリックスアレイの一部
拡大平面図である。第１９図において１）は薄膜トラン
ジスタのソース・ドレイン間の短絡欠陥である。先にも
述べたようにアクティブマトリックスアレイには少なく
とも数万個以上の薄膜トランジスタを作製する必要があ
る。しかしすべての薄膜トランジスタが良品となる確率
は比較的低い、したがって歩留りを向上させるためには
不良薄膜トランジスタが駆動する絵素をなんらかの手段
を用いて正常に点燈させる必要がある。欠陥モードとし
てはたとえば第１９図のように薄膜トランジスタのソー
ス・ドレインの短絡欠陥が発生した場合はたえずソース
信号線４に印加される信号が絵素電極１ａに流れこみ、
常に点燈状態（以後白欠陥と呼ぶ）となる。また以後常
に非点燈状態となる欠陥を黒欠陥と呼ぶ。そこでまず絵
素電極１ａに信号が入力されないようにＢＢ’線の箇所
をレーザ光などにより切断する。
次にａ点にレーザ光を照射し、金属薄膜７を溶解し、第
２０図に示すように、金属薄膜７を介して絵素電極１ｃ
と電気的接続パターンを電気的に接続する。ゆえに絵素
電８ｉｌａは電気的接続パターンを介して絵素電極１ｃ
と接続され、絵素電極ｌｃを駆動する薄膜トランジスタ
により駆動されることになり、疑似的に正常点燈になる
。前記点燈状態は映像信号を表示する場合は、絵素電極
１ａと１ｃは同一表示をおこなうことになるが視覚的に
なんら正常点燈とかわらない、（たとえば特開昭５９−
１０１６９３号） 発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のようなアクティブマトリックスアレ
イの構成では、隣接した絵素電極に重なるように電気的
接続パターンを形成している０通常電気的接続パターン
は金属で形成する必要がある。したがって前記電気的接
続パターンは不透明なため、絵素の開口率を低下させて
しまう、またソース信号線４の下部に電気的接続パター
ン９を形成しているため、ソース信号線下部の絶縁膜６
にピンホールが生じていた場合、ソース信号線−電気的
接続パターン−絵素電極なる信号入力経路が生じる。し
たがって絵素電極は常時点燈の白欠陥を発生させる。前
記欠陥は薄膜トランジスタの欠陥と同数程度発生する可
能性があり、かえってアクティブマトリックスアレイの
欠陥率を高めるという問題点があった。
２０図に示すように、金属薄膜７を介して絵素電極１ｃ
と電気的接続パターンを電気的に接続する。ゆえに絵素
電８ｉｌａは電気的接続パターンを介して絵素電極１ｃ
と接続され、絵素電極ｌｃを駆動する薄膜トランジスタ
により駆動されることになり、疑似的に正常点燈になる
。前記点燈状態は映像信号を表示する場合は、絵素電極
１ａと１ｃは同一表示をおこなうことになるが視覚的に
なんら正常点燈とかわらない、（たとえば特開昭５９−
１０１６９３号） 発明が解決しようとする問題点 しかしながら上記のようなアクティブマトリックスアレ
イの構成では、隣接した絵素電極に重なるように電気的
接続パターンを形成している０通常電気的接続パターン
は金属で形成する必要がある。したがって前記電気的接
続パターンは不透明なため、絵素の開口率を低下させて
しまう、またソース信号線４の下部に電気的接続パター
ン９を形成しているため、ソース信号線下部の絶縁膜６
にピンホールが生じていた場合、ソース信号線−電気的
接続パターン−絵素電極なる信号入力経路が生じる。し
たがって絵素電極は常時点燈の白欠陥を発生させる。前
記欠陥は薄膜トランジスタの欠陥と同数程度発生する可
能性があり、かえってアクティブマトリックスアレイの
欠陥率を高めるという問題点があった。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するため本発明のアクティブマトリッ
クスアレイは、アクティブマトリックスアレイの信号線
上に絶縁体膜を形成したという構成をそなえたものであ
る。
クスアレイは、アクティブマトリックスアレイの信号線
上に絶縁体膜を形成したという構成をそなえたものであ
る。
作用
本発明は上記したアクティブマトリックスアレイの構成
により、前記アクティブマトリックスアレイに不良トラ
ンジスタが発生した場合、不良トランジスタを絵素電極
から切りはなし、前記絵素電極と隣接絵素電極とを信号
線上に形成された絶縁膜を介して接続することによりア
クティブマトリックスアレイの欠陥を修正することがで
きる。
により、前記アクティブマトリックスアレイに不良トラ
ンジスタが発生した場合、不良トランジスタを絵素電極
から切りはなし、前記絵素電極と隣接絵素電極とを信号
線上に形成された絶縁膜を介して接続することによりア
クティブマトリックスアレイの欠陥を修正することがで
きる。
実施例
本発明の一実施例のアクティブマトリックスアレイにつ
いて、図面を参照しながら説明する。
いて、図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の第１の実施例におけるアクティブマト
リックスアレイの一部拡大図を示すものである。第１図
において２５は信号線との絶縁膜（以後信号線絶縁膜と
呼ぶ）である。またこの信号線絶縁膜２５は無機物質の
絶縁物が適し、特にＳ ｉ０２ 、Ｓ ｉＮｘ、Ｔａ２
０５など薄膜トランジスタ形成時に用いる無機物質を用
いて信号線絶縁膜を形成することより、薄膜トランジス
タと信号線絶縁膜２５とを同時に形成できるという利点
を有する。第２図は第１図のＣＣ゛線における断面図で
ある。第２図で明らかなように信号￥ａ４を被覆するよ
うに信号線絶縁膜２５を形成する。またこの信号線絶縁
膜２５は通常透明物質であるから絵素電極１ａ、ｌｃに
重なっても絵素の開口率を低下させることはない。
リックスアレイの一部拡大図を示すものである。第１図
において２５は信号線との絶縁膜（以後信号線絶縁膜と
呼ぶ）である。またこの信号線絶縁膜２５は無機物質の
絶縁物が適し、特にＳ ｉ０２ 、Ｓ ｉＮｘ、Ｔａ２
０５など薄膜トランジスタ形成時に用いる無機物質を用
いて信号線絶縁膜を形成することより、薄膜トランジス
タと信号線絶縁膜２５とを同時に形成できるという利点
を有する。第２図は第１図のＣＣ゛線における断面図で
ある。第２図で明らかなように信号￥ａ４を被覆するよ
うに信号線絶縁膜２５を形成する。またこの信号線絶縁
膜２５は通常透明物質であるから絵素電極１ａ、ｌｃに
重なっても絵素の開口率を低下させることはない。
以上のように構成したアクティブマトリックスアレイに
おいてその欠陥修正方法について説明する。第３図は欠
陥修正方法を説明するための説明図であり、修正が終了
したところを示している。
おいてその欠陥修正方法について説明する。第３図は欠
陥修正方法を説明するための説明図であり、修正が終了
したところを示している。
まず欠陥が発生したトランジスタのドレイン端子をＢＢ
゛線で切断し絵素電極１ａから切り離す。
゛線で切断し絵素電極１ａから切り離す。
次に光ＣＶＤ法またはスパッタ法などにより接続部１２
を形成し、接続絵素電極ＩＣと接続する。
を形成し、接続絵素電極ＩＣと接続する。
第４図は第３図ＤＤ’線での断面図である。第５図は光
ＣＶＤ法による修正装置の構成図である。
ＣＶＤ法による修正装置の構成図である。
第５図において１３はアクティブマトリックスアレイ、
１４は位置決め手段、１５は原料ガス供給手段、１６は
ガス処理手段、１７は光量を制御するための制御用ス、
リフト、１８はミラー、１９はレーザまたは紫外域高調
波発生手段、２０はモニタ手段、２１はレンズ、２２は
光ＣＶＤ法によりアクティブマトリックスアレイ表面に
形成された金属薄膜（第３図では接続部１２）、２３は
光を入射するための窓である。まずアクティブマトリッ
クスアレイ１３を位置決めする０次に原料ガス供給手段
１５より原料ガスを供給する。この原料ガスとしてカル
ボニル化合物のＭｏ （Ｃｏ） ６などが適する０次に
レーザまたは紫外域高調波発生手段１９が発生する光を
第３図絵素電極１ａより信号線薄膜１）上を経て絵素電
極１ｃ上に照射し、金属薄膜２２を形成する。このレー
ザまたは紫外域高調波発生手段１９としてＡｒレーザま
たはＹＡＧレーザなどが適する。第６図はスパッタ法に
よる修正装置の構成図である。第６図において２４はガ
ラス基板の裏面にＣ「などの金属＊Ｈを蒸着した金属薄
膜ガラス基板である。まずアクティブマトリックスアレ
イ１３を位置決めする０次にレーザまたは紫外域高調波
発生手段１９が発生する光をレンズ２１によりしぼりこ
み金属薄膜ガラス基板２４の金属薄膜に照射する。金属
薄膜は蒸発し、前記蒸発した金属は絵素電極１ａ、ｌｃ
および信号線絶縁膜２５上に蒸着する。上記に示した方
法などにより絵素電極１ａと１０を接続することにより
アクティブマトリックスアレイを修正する。
１４は位置決め手段、１５は原料ガス供給手段、１６は
ガス処理手段、１７は光量を制御するための制御用ス、
リフト、１８はミラー、１９はレーザまたは紫外域高調
波発生手段、２０はモニタ手段、２１はレンズ、２２は
光ＣＶＤ法によりアクティブマトリックスアレイ表面に
形成された金属薄膜（第３図では接続部１２）、２３は
光を入射するための窓である。まずアクティブマトリッ
クスアレイ１３を位置決めする０次に原料ガス供給手段
１５より原料ガスを供給する。この原料ガスとしてカル
ボニル化合物のＭｏ （Ｃｏ） ６などが適する０次に
レーザまたは紫外域高調波発生手段１９が発生する光を
第３図絵素電極１ａより信号線薄膜１）上を経て絵素電
極１ｃ上に照射し、金属薄膜２２を形成する。このレー
ザまたは紫外域高調波発生手段１９としてＡｒレーザま
たはＹＡＧレーザなどが適する。第６図はスパッタ法に
よる修正装置の構成図である。第６図において２４はガ
ラス基板の裏面にＣ「などの金属＊Ｈを蒸着した金属薄
膜ガラス基板である。まずアクティブマトリックスアレ
イ１３を位置決めする０次にレーザまたは紫外域高調波
発生手段１９が発生する光をレンズ２１によりしぼりこ
み金属薄膜ガラス基板２４の金属薄膜に照射する。金属
薄膜は蒸発し、前記蒸発した金属は絵素電極１ａ、ｌｃ
および信号線絶縁膜２５上に蒸着する。上記に示した方
法などにより絵素電極１ａと１０を接続することにより
アクティブマトリックスアレイを修正する。
第７図は本発明の第２の実施例におけるアクティブマト
リックスアレイの一部拡大図を示すものである。第２の
実施例では信号線絶縁膜２５をゲート信号線３上に形成
している。第８図は第７図のアクティブマトリックスア
レイの修正を終了したところを示すアクティブマトリッ
クスアレイの一部拡大図である。第８図において不良薄
膜トランジスタのドレイン端子５をＢＢ”線で切断し、
光ＣＶＤ法またはスパッタ法などにより絵素電極１ａと
１ｂを接続したところを示している。
リックスアレイの一部拡大図を示すものである。第２の
実施例では信号線絶縁膜２５をゲート信号線３上に形成
している。第８図は第７図のアクティブマトリックスア
レイの修正を終了したところを示すアクティブマトリッ
クスアレイの一部拡大図である。第８図において不良薄
膜トランジスタのドレイン端子５をＢＢ”線で切断し、
光ＣＶＤ法またはスパッタ法などにより絵素電極１ａと
１ｂを接続したところを示している。
第９図は本発明の第３の実施例におけるアクティブマト
リックスアレイの一部拡大図を示すものである。第３の
実施例では信号線絶縁膜２５をゲート信号線３．絵素電
極１ｂの一端、ソース信号線４上に形成している。第１
０図は第９図のアクティブマトリックスアレイの修正を
終了したところを示すアクティブマトリックスアレイの
一部拡大図である。第１０図において不良トランジスタ
のドレイン端子５をＢＢ’線で切断し、光ＣＶＤ法また
はスパッタ法などにより絵素電極１ａとｌｄを接続した
ところを示している。
リックスアレイの一部拡大図を示すものである。第３の
実施例では信号線絶縁膜２５をゲート信号線３．絵素電
極１ｂの一端、ソース信号線４上に形成している。第１
０図は第９図のアクティブマトリックスアレイの修正を
終了したところを示すアクティブマトリックスアレイの
一部拡大図である。第１０図において不良トランジスタ
のドレイン端子５をＢＢ’線で切断し、光ＣＶＤ法また
はスパッタ法などにより絵素電極１ａとｌｄを接続した
ところを示している。
以下第１）図、第１２図、第１３図、第１４図。
第１５図は本発明の実施例のアクティブマトリックスア
レイの一部拡大図である。第１）図はすべてのソース信
号線４上に信号線絶縁膜２５を形成した例であり、第１
２図はすべてのゲート信号線３上に信号線絶縁膜２５を
形成した例であり、第１３図はソース信号線の１ｍごと
に信号線絶縁膜２５を形成した例であり、第１４図はソ
ース信号線の交互に信号線絶縁膜２５を形成した例であ
り、第１５図はゲート信号線およびソース信号線上に信
号線絶縁膜２５を形成した例である。
レイの一部拡大図である。第１）図はすべてのソース信
号線４上に信号線絶縁膜２５を形成した例であり、第１
２図はすべてのゲート信号線３上に信号線絶縁膜２５を
形成した例であり、第１３図はソース信号線の１ｍごと
に信号線絶縁膜２５を形成した例であり、第１４図はソ
ース信号線の交互に信号線絶縁膜２５を形成した例であ
り、第１５図はゲート信号線およびソース信号線上に信
号線絶縁膜２５を形成した例である。
なお、本実施例において信号線上の一部に信号線絶縁膜
２５を形成するとしたが、これに限るものではなく、第
、１６図のように信号線全体を被覆するような構造でも
よいことは明らかである。
２５を形成するとしたが、これに限るものではなく、第
、１６図のように信号線全体を被覆するような構造でも
よいことは明らかである。
発明の効果
以上のように本発明はアクティブマトリックスアレイは
絵素電極間に形成された信号線上に絶縁体膜を形成した
ものであるから、駆動用トランジスタに不良が生じた場
合、前記不良駆動トランジスタからの信号が絵素電極に
入力されないようにし、前記駆動トランジスタが接続さ
れた絵素電極と隣接した絵素電極間を前記信号線上に形
成された絶縁体膜上をへて電気的に接続する接続部を形
成することにより、容易に絵素欠陥を修正することがで
きる。
絵素電極間に形成された信号線上に絶縁体膜を形成した
ものであるから、駆動用トランジスタに不良が生じた場
合、前記不良駆動トランジスタからの信号が絵素電極に
入力されないようにし、前記駆動トランジスタが接続さ
れた絵素電極と隣接した絵素電極間を前記信号線上に形
成された絶縁体膜上をへて電気的に接続する接続部を形
成することにより、容易に絵素欠陥を修正することがで
きる。
また信号線上に信号線絶縁膜２５を形成するだけでよい
から、前記信号線絶縁膜の形成プロセスは従来の電気的
接続パターンの形成プロセスと比較していたって容易で
ある。
から、前記信号線絶縁膜の形成プロセスは従来の電気的
接続パターンの形成プロセスと比較していたって容易で
ある。
また従来のアクティブマトリックスアレイでは電気的接
続パターンにより絵素の開口率を低下させるという問題
点があったが、通常、絶縁体は光の透過率が高いため本
発明のアクティブマトリックスでは信号線絶縁膜が絵素
領域に重って開口率が低下するという問題点は全くなく
なる。
続パターンにより絵素の開口率を低下させるという問題
点があったが、通常、絶縁体は光の透過率が高いため本
発明のアクティブマトリックスでは信号線絶縁膜が絵素
領域に重って開口率が低下するという問題点は全くなく
なる。
さらに従来のアクティブマトリックスでは信号線の下部
に電気的接続パターンが形成されているため、信号線下
の絶縁膜にピンホールが生じていた場合、信号線と絵素
電極が電気的接続状態となり、絵素の黒欠陥、白欠陥を
発生させるという問題点があったが、本発明のアクティ
ブマトリックスでは欠陥が発生した箇所のみに信号線絶
縁膜上に接続部を形成するものであるから、任意箇所の
駆動用薄膜トランジスタが不良かつ信号線絶縁膜にピン
ホールが発生している確率はきわめて低いため、従来の
問題点がなくなるという大きな効果を有する。
に電気的接続パターンが形成されているため、信号線下
の絶縁膜にピンホールが生じていた場合、信号線と絵素
電極が電気的接続状態となり、絵素の黒欠陥、白欠陥を
発生させるという問題点があったが、本発明のアクティ
ブマトリックスでは欠陥が発生した箇所のみに信号線絶
縁膜上に接続部を形成するものであるから、任意箇所の
駆動用薄膜トランジスタが不良かつ信号線絶縁膜にピン
ホールが発生している確率はきわめて低いため、従来の
問題点がなくなるという大きな効果を有する。
第１図は本発明の第１の実施例におけるアクティブマト
リックスアレイの一部拡大図、第２図は第１図ＣＣ′線
での断面図、第３図は本発明の第１の実施例におけるア
クティブマトリックスアレイに修正を加えたときのアク
ティブマトリックスアレイの一部拡大図、第４図は第３
図ＤＤ’腺での断面図、第５図は光ＣＶＤ法による修正
装置の構成図、第６図はスパンタ法による修正装置の構
成図、第７図は本発明の第２の実施例におけるアクティ
ブマトリックスアレイの一部拡大図、第８図は本発明の
第２の実施例におけるアクティブマトリックスアレイに
修正を加えたときのアクティブマトリックスアレイの一
部拡大図、第９図は本発明の第３の実施例におけるアク
ティブマトリックスアレイの一部拡大図、第１０図は本
発明の第３の実施例におけるアクティブマトリックスア
レイに修正を加えたときのアクティブマトリックスアレ
イの一部拡大図、第１）図、第１２図、第１３図、第１
４図、第１５図、第１６図は本発明のアクティブマトリ
ックスアレイの一部拡大図、第１７図は従来のアクティ
ブマトリックスアレイの一部拡大図、第１８図、第２０
図は第１７図のＡＡ線での断面図、第１９図は従来のア
クティブマトリックスアレイに修正を加えたときのアク
ティブマトリックスアレイの一部拡大図である。 １ ａ、 １ ｂ、 ｌ ｃ、１ ｄ−絵素電極、
２．６・・・・・・絶縁体膜、３・・・・・・ゲート信
号線、４・・・・・・ソース信号線、５・・・・・・ド
レイン端子、７・・・・・・金属薄膜、８・・・・・・
透明基板、９・・・・・・電気的接続用パターン、１０
・・・・・・コンタクトホール、１）・・・・・・短絡
欠陥、１２・・・・・・接続部、１３・・・・・・アク
ティブマトリックスアレイ、１４・・・・・・位置決め
手段、１５・・・・・・原料ガス供給手段、１６・・・
・・・ガス処理手段、１７・・・・・・制御用スリット
、１８・・・・・・ミラー、１９・・・・・・レーザま
たは紫外域高調波発生手段、２０・・・・・・モニタ手
段、２１・・・・・・レンズ、２２・・・・・・金属薄
膜、２３・・・・・・窓、２４・・・・・・金属薄膜ガ
ラス基板、２５・・・・・・信号線絶縁＠。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名１ａ、ｌｂ
、Ｉｃ、Ｉｃｌ −款走ｔ 極２゛−、１）！縁体膜 ３− ケート落予諌 ２５ °パ σ夛ａ封」１膜 ８−・透１）＠抜 第 ４ 図 １３− アクテイフマトソツクスアレイ１４−一−イ
ｊシニｌ＞」象艷めぞ（ｊｊテ＋５−８Ｐ＋ガ２＃絵手
段 ２０−モニタ手段 第 ５図 ｎ−窓 ２４−全Ａｆｆｉ膜ガヲスエ状 第６図 第７図 第８図 第９図 邪１０図 富１）ｉ″Ａ 第１２図 第１３図 第１４図 ”ｊｓ １５図 酊１６図 Ｉａ、Ｉム、Ｉｃ、１ｃｌ −−紋 未 ｔ Ｊｉ
＆２．１−Ｍ縁体膜 汁−ゲート信号線 ４−・ソース信号線 ５“°−ドレイン塙子 第１７図 ７−“金属：Ｉ７．膜＋７
− 妓絡欠 Ｍ 第１９図 第２０図
リックスアレイの一部拡大図、第２図は第１図ＣＣ′線
での断面図、第３図は本発明の第１の実施例におけるア
クティブマトリックスアレイに修正を加えたときのアク
ティブマトリックスアレイの一部拡大図、第４図は第３
図ＤＤ’腺での断面図、第５図は光ＣＶＤ法による修正
装置の構成図、第６図はスパンタ法による修正装置の構
成図、第７図は本発明の第２の実施例におけるアクティ
ブマトリックスアレイの一部拡大図、第８図は本発明の
第２の実施例におけるアクティブマトリックスアレイに
修正を加えたときのアクティブマトリックスアレイの一
部拡大図、第９図は本発明の第３の実施例におけるアク
ティブマトリックスアレイの一部拡大図、第１０図は本
発明の第３の実施例におけるアクティブマトリックスア
レイに修正を加えたときのアクティブマトリックスアレ
イの一部拡大図、第１）図、第１２図、第１３図、第１
４図、第１５図、第１６図は本発明のアクティブマトリ
ックスアレイの一部拡大図、第１７図は従来のアクティ
ブマトリックスアレイの一部拡大図、第１８図、第２０
図は第１７図のＡＡ線での断面図、第１９図は従来のア
クティブマトリックスアレイに修正を加えたときのアク
ティブマトリックスアレイの一部拡大図である。 １ ａ、 １ ｂ、 ｌ ｃ、１ ｄ−絵素電極、
２．６・・・・・・絶縁体膜、３・・・・・・ゲート信
号線、４・・・・・・ソース信号線、５・・・・・・ド
レイン端子、７・・・・・・金属薄膜、８・・・・・・
透明基板、９・・・・・・電気的接続用パターン、１０
・・・・・・コンタクトホール、１）・・・・・・短絡
欠陥、１２・・・・・・接続部、１３・・・・・・アク
ティブマトリックスアレイ、１４・・・・・・位置決め
手段、１５・・・・・・原料ガス供給手段、１６・・・
・・・ガス処理手段、１７・・・・・・制御用スリット
、１８・・・・・・ミラー、１９・・・・・・レーザま
たは紫外域高調波発生手段、２０・・・・・・モニタ手
段、２１・・・・・・レンズ、２２・・・・・・金属薄
膜、２３・・・・・・窓、２４・・・・・・金属薄膜ガ
ラス基板、２５・・・・・・信号線絶縁＠。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 はか１名１ａ、ｌｂ
、Ｉｃ、Ｉｃｌ −款走ｔ 極２゛−、１）！縁体膜 ３− ケート落予諌 ２５ °パ σ夛ａ封」１膜 ８−・透１）＠抜 第 ４ 図 １３− アクテイフマトソツクスアレイ１４−一−イ
ｊシニｌ＞」象艷めぞ（ｊｊテ＋５−８Ｐ＋ガ２＃絵手
段 ２０−モニタ手段 第 ５図 ｎ−窓 ２４−全Ａｆｆｉ膜ガヲスエ状 第６図 第７図 第８図 第９図 邪１０図 富１）ｉ″Ａ 第１２図 第１３図 第１４図 ”ｊｓ １５図 酊１６図 Ｉａ、Ｉム、Ｉｃ、１ｃｌ −−紋 未 ｔ Ｊｉ
＆２．１−Ｍ縁体膜 汁−ゲート信号線 ４−・ソース信号線 ５“°−ドレイン塙子 第１７図 ７−“金属：Ｉ７．膜＋７
− 妓絡欠 Ｍ 第１９図 第２０図
Claims (2)
- （１）透過型液晶表示パネルに用いるアクティブマトリ
ックスアレイであって、絵素電極間に形成された信号線
上に絶縁体膜を形成したことを特徴とするアクティブマ
トリックスアレイ。 - （２）絶縁体膜はスイッチング素子形成時に用いる絶縁
物質で形成することを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載のアクティブマトリックスアレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111056A JPS63276032A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | アクテイブマトリツクスアレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62111056A JPS63276032A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | アクテイブマトリツクスアレイ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63276032A true JPS63276032A (ja) | 1988-11-14 |
Family
ID=14551284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62111056A Pending JPS63276032A (ja) | 1987-05-07 | 1987-05-07 | アクテイブマトリツクスアレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63276032A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02310537A (ja) * | 1989-05-26 | 1990-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アクティブマトリックスアレイ |
| JPH055902A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示パネル |
| CN100419503C (zh) * | 2004-09-27 | 2008-09-17 | 株式会社日立显示器 | 图形修正装置和显示装置的制造方法 |
| JP2008262013A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Sony Corp | 表示装置の製造方法およびｔｆｔアレイ基板の製造方法 |
| US8704309B2 (en) | 2011-05-26 | 2014-04-22 | Panasonic Corporation | Display panel and method of manufacturing the same |
-
1987
- 1987-05-07 JP JP62111056A patent/JPS63276032A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02310537A (ja) * | 1989-05-26 | 1990-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | アクティブマトリックスアレイ |
| JPH055902A (ja) * | 1991-06-27 | 1993-01-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 液晶表示パネル |
| CN100419503C (zh) * | 2004-09-27 | 2008-09-17 | 株式会社日立显示器 | 图形修正装置和显示装置的制造方法 |
| JP2008262013A (ja) * | 2007-04-12 | 2008-10-30 | Sony Corp | 表示装置の製造方法およびｔｆｔアレイ基板の製造方法 |
| US8704309B2 (en) | 2011-05-26 | 2014-04-22 | Panasonic Corporation | Display panel and method of manufacturing the same |
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