JPH09179143A - 液晶表示装置における欠陥画素修正方法 - Google Patents
液晶表示装置における欠陥画素修正方法Info
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- JPH09179143A JPH09179143A JP34050195A JP34050195A JPH09179143A JP H09179143 A JPH09179143 A JP H09179143A JP 34050195 A JP34050195 A JP 34050195A JP 34050195 A JP34050195 A JP 34050195A JP H09179143 A JPH09179143 A JP H09179143A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】開口率を全くあるいはほとんど低下させること
なく、欠陥画素を目立たなくする欠陥画素修正方法を提
供する。 【解決手段】データバスライン２からのデータ信号が印
加されない欠陥画素の画素電極４を有するＴＦＴ方式の
液晶表示装置において、ゲートバスライン１に接続され
ているＴＦＴ６のゲート電極１ａの部分に、光エネルギ
ーを照射し、該ゲート電極１ａと欠陥画素の画素電極４
とをドレイン電極３を介して電気的に接続し、該欠陥画
素の画素電極４にゲートバスライン１の走査信号を入力
するように構成している。
なく、欠陥画素を目立たなくする欠陥画素修正方法を提
供する。 【解決手段】データバスライン２からのデータ信号が印
加されない欠陥画素の画素電極４を有するＴＦＴ方式の
液晶表示装置において、ゲートバスライン１に接続され
ているＴＦＴ６のゲート電極１ａの部分に、光エネルギ
ーを照射し、該ゲート電極１ａと欠陥画素の画素電極４
とをドレイン電極３を介して電気的に接続し、該欠陥画
素の画素電極４にゲートバスライン１の走査信号を入力
するように構成している。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワードプロセッサ
やパーソナルコンピュータ等の表示装置として用いられ
る液晶表示装置に関し、さらに詳しくは、液晶表示装置
における欠陥画素の修正方法に関する。
やパーソナルコンピュータ等の表示装置として用いられ
る液晶表示装置に関し、さらに詳しくは、液晶表示装置
における欠陥画素の修正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶表示装置は、電極基板間に
液晶材料を封じ込み、両電極間に電気信号を印加するこ
とにより、バックライト等の光源から入射する光を変化
させて情報を表示するものであり、ブラウン管方式と比
較して、薄型、軽量、低消費電力であることを特徴とす
る次世代表示装置として期待されている。
液晶材料を封じ込み、両電極間に電気信号を印加するこ
とにより、バックライト等の光源から入射する光を変化
させて情報を表示するものであり、ブラウン管方式と比
較して、薄型、軽量、低消費電力であることを特徴とす
る次世代表示装置として期待されている。
【０００３】しかし、液晶表示装置は、その製造工程に
おいて、高度な薄膜生成技術や微細加工技術が必要なこ
とから１００％の良品率を達成することは困難であり、
特に、近年の液晶表示装置では、高精細化が進み、一層
の微細加工技術が必要とされているために、なおさら困
難である。また、表示品位規格も厳しくなってきたた
め、少量の欠陥でも製品不良になってしまう。
おいて、高度な薄膜生成技術や微細加工技術が必要なこ
とから１００％の良品率を達成することは困難であり、
特に、近年の液晶表示装置では、高精細化が進み、一層
の微細加工技術が必要とされているために、なおさら困
難である。また、表示品位規格も厳しくなってきたた
め、少量の欠陥でも製品不良になってしまう。
【０００４】このような液晶表示装置に発生する欠陥と
しては、画素電極を選択駆動するためのスイッチング素
子として用いられるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）部分の
不良があげられ、その原因としては、薄膜生成時のダス
ト等による画素電極部へのデータバスラインの断線ある
いはＴＦＴ部分の特性不良などが考えられる。
しては、画素電極を選択駆動するためのスイッチング素
子として用いられるＴＦＴ（薄膜トランジスタ）部分の
不良があげられ、その原因としては、薄膜生成時のダス
ト等による画素電極部へのデータバスラインの断線ある
いはＴＦＴ部分の特性不良などが考えられる。
【０００５】図４は、このような欠陥が生じたＴＦＴ方
式の液晶表示装置の基板の平面図であり、この図４で
は、信号線であるデータバスライン２に断線が生じた例
を示している。
式の液晶表示装置の基板の平面図であり、この図４で
は、信号線であるデータバスライン２に断線が生じた例
を示している。
【０００６】同図において、１は走査線としてのゲート
バスラインであり、このゲートバスラインの支線１ａの
部分に、スイッチング素子としてのＴＦＴ６が形成され
ており、前記支線１ａが、ＴＦＴ６のゲート電極として
機能する。また、２は信号線としてのデータバスライン
であり、このデータバスライン２の支線２ａがＴＦＴ６
のソース電極として機能する。ＴＦＴ６のドレイン電極
３は、画素電極４に接続されている。
バスラインであり、このゲートバスラインの支線１ａの
部分に、スイッチング素子としてのＴＦＴ６が形成され
ており、前記支線１ａが、ＴＦＴ６のゲート電極として
機能する。また、２は信号線としてのデータバスライン
であり、このデータバスライン２の支線２ａがＴＦＴ６
のソース電極として機能する。ＴＦＴ６のドレイン電極
３は、画素電極４に接続されている。
【０００７】このＴＦＴ方式の液晶表示装置では、欠陥
がない場合には、走査線であるゲートバスライン１の走
査信号でＴＦＴ６のスイッチング動作が制御され、オン
したときには、データバスライン２のデータ信号がＴＦ
Ｔ６のドレイン電極３を介して画素電極４に印加される
ものである。
がない場合には、走査線であるゲートバスライン１の走
査信号でＴＦＴ６のスイッチング動作が制御され、オン
したときには、データバスライン２のデータ信号がＴＦ
Ｔ６のドレイン電極３を介して画素電極４に印加される
ものである。
【０００８】ところが、データバスライン２には、矢符
Ａで示されるように断線が生じているために、画素電極
４には、常にデータ信号が入力されず、ノーマリホワイ
ト方式の液晶表示装置では、常に白表示、ノーマリブラ
ック方式の液晶表示装置では、常に黒表示の欠陥画素と
なってしまう。
Ａで示されるように断線が生じているために、画素電極
４には、常にデータ信号が入力されず、ノーマリホワイ
ト方式の液晶表示装置では、常に白表示、ノーマリブラ
ック方式の液晶表示装置では、常に黒表示の欠陥画素と
なってしまう。
【０００９】近年では、良好な画質を得られることから
ノーマリホワイト方式が主流となっているが、上記の欠
陥画素は、常に明るい輝点となり、製品の品質上、非常
に目立つ欠陥となってしまう。
ノーマリホワイト方式が主流となっているが、上記の欠
陥画素は、常に明るい輝点となり、製品の品質上、非常
に目立つ欠陥となってしまう。
【００１０】このような欠陥画素を目立たなくする方法
として、本件出願人は、データ信号を、該欠陥画素電極
に光エネルギーを用いて直接入力する方法を提案してい
る（特開平４―０１６９２９号公報など）。
として、本件出願人は、データ信号を、該欠陥画素電極
に光エネルギーを用いて直接入力する方法を提案してい
る（特開平４―０１６９２９号公報など）。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
特開平４−０１６９２９号公報では、スイッチング素子
の走査線の側部から該走査線までの距離、すなわち、図
４の構成では、ＴＦＴ６のゲートバスライン１側の側部
から該ゲートバスライン１までの距離ｘが、光エネルギ
ーを照射してＴＦＴ６とゲートバスライン１との間を切
断し得る大きさに設定する必要があり、その分配線が増
えて開口率が低下することになり、低消費電力を図る上
で好ましくない。
特開平４−０１６９２９号公報では、スイッチング素子
の走査線の側部から該走査線までの距離、すなわち、図
４の構成では、ＴＦＴ６のゲートバスライン１側の側部
から該ゲートバスライン１までの距離ｘが、光エネルギ
ーを照射してＴＦＴ６とゲートバスライン１との間を切
断し得る大きさに設定する必要があり、その分配線が増
えて開口率が低下することになり、低消費電力を図る上
で好ましくない。
【００１２】すなわち、液晶表示装置においては、低消
費電力化を図るために、液晶セルの光透過率を向上させ
てバックライト等の光源の消費電力を低減する必要があ
り、液晶セルの光透過率を向上させるためには、開口率
を高める必要がある。
費電力化を図るために、液晶セルの光透過率を向上させ
てバックライト等の光源の消費電力を低減する必要があ
り、液晶セルの光透過率を向上させるためには、開口率
を高める必要がある。
【００１３】本発明は、上述の点に鑑みて為されたもの
であって、開口率を全くあるいはほとんど低下させるこ
となく、欠陥画素を目立たなくする欠陥画素修正方法を
提供することを目的とする。
であって、開口率を全くあるいはほとんど低下させるこ
となく、欠陥画素を目立たなくする欠陥画素修正方法を
提供することを目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明では、上述の目的
を達成するために、次のように構成している。
を達成するために、次のように構成している。
【００１５】すなわち、本発明は、走査電極に与えられ
る走査信号によってスイッチング制御されるスイッチン
グ素子と、該スイッチング素子に接続された画素電極と
を備える液晶表示装置における欠陥画素の修正方法であ
って、前記走査電極部分に光エネルギーを照射して該走
査電極と前記欠陥画素の画素電極とを電気的に接続し、
該欠陥画素の画素電極に前記走査信号を入力するもので
ある。
る走査信号によってスイッチング制御されるスイッチン
グ素子と、該スイッチング素子に接続された画素電極と
を備える液晶表示装置における欠陥画素の修正方法であ
って、前記走査電極部分に光エネルギーを照射して該走
査電極と前記欠陥画素の画素電極とを電気的に接続し、
該欠陥画素の画素電極に前記走査信号を入力するもので
ある。
【００１６】また、前記走査電極の前記光エネルギーが
照射される部分を、大きく形成するのが好ましい。
照射される部分を、大きく形成するのが好ましい。
【００１７】前記スイッチング素子を、薄膜トランジス
タとして、前記光エネルギーを、前記薄膜トランジスタ
のゲート電極とドレイン電極との重畳部分に照射するよ
うにしてもよい。
タとして、前記光エネルギーを、前記薄膜トランジスタ
のゲート電極とドレイン電極との重畳部分に照射するよ
うにしてもよい。
【００１８】本発明によれば、光エネルギーを照射する
ことによって、走査電極と欠陥画素の画素電極とを電気
的に接続して欠陥画素の画素電極に走査信号を入力する
ようにしたので、欠陥画素を目立たないように修正する
ことができる。
ことによって、走査電極と欠陥画素の画素電極とを電気
的に接続して欠陥画素の画素電極に走査信号を入力する
ようにしたので、欠陥画素を目立たないように修正する
ことができる。
【００１９】また、走査電極は、光エネルギーが照射さ
れる部分を大きくすることにより、光エネルギーの照射
によって走査線の断線が生じることもない。
れる部分を大きくすることにより、光エネルギーの照射
によって走査線の断線が生じることもない。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、図面によって本発明の実施
の形態について、詳細に説明する。
の形態について、詳細に説明する。
【００２１】（実施の形態１）図１は、本発明の一つの
実施の形態に係る欠陥画素修正方法が適用される液晶表
示装置の基板の平面図であり、図４に対応する部分に
は、同一の参照符号を付す。 この図１の液晶表示装置
においては、信号線であるデータバスライン２が薄膜生
成時のダストで矢符Ａで示されるように消失してしまっ
た例を示しており、データバスライン２のデータ信号が
画素電極４に印加されないため欠陥画素となっている。
実施の形態に係る欠陥画素修正方法が適用される液晶表
示装置の基板の平面図であり、図４に対応する部分に
は、同一の参照符号を付す。 この図１の液晶表示装置
においては、信号線であるデータバスライン２が薄膜生
成時のダストで矢符Ａで示されるように消失してしまっ
た例を示しており、データバスライン２のデータ信号が
画素電極４に印加されないため欠陥画素となっている。
【００２２】このＴＦＴ方式の液晶表示装置には、上述
の特開平４―０１６９２９公報などに示される様な冗長
設計が組み込まれている、すなわち、ＴＦＴ６のゲート
バスライン１側の側部から該ゲートバスライン１までの
距離ｘが、光エネルギーを照射してＴＦＴ６とゲートバ
スライン１との間を切断し得る大きさに設定されてい
る。なお、この例は、データバスライン２の断線である
ために、特開平４―０１６９２９公報などに示される様
な修正が行うことはできない。
の特開平４―０１６９２９公報などに示される様な冗長
設計が組み込まれている、すなわち、ＴＦＴ６のゲート
バスライン１側の側部から該ゲートバスライン１までの
距離ｘが、光エネルギーを照射してＴＦＴ６とゲートバ
スライン１との間を切断し得る大きさに設定されてい
る。なお、この例は、データバスライン２の断線である
ために、特開平４―０１６９２９公報などに示される様
な修正が行うことはできない。
【００２３】この実施の形態では、欠陥画素を目立たな
くするために、次のように構成している。
くするために、次のように構成している。
【００２４】すなわち、この実施の形態の欠陥画素修正
方法では、ゲートバスライン１の走査電極としてのゲー
ト電極１ａとドレイン電極３との重畳部である交点部５
に、光エネルギー、例えば波長１０００ナノメータ程度
のＹＡＧレーザあるいはＹＦＬレーザなどの照射を行
う。この光エネルギーにより、重畳部である交点部５に
はスポット状の穴が開き、この穴の周囲では、ゲートバ
スライン１の支線であるゲート電極１ａとドレイン電極
３とが電気的に接続される。
方法では、ゲートバスライン１の走査電極としてのゲー
ト電極１ａとドレイン電極３との重畳部である交点部５
に、光エネルギー、例えば波長１０００ナノメータ程度
のＹＡＧレーザあるいはＹＦＬレーザなどの照射を行
う。この光エネルギーにより、重畳部である交点部５に
はスポット状の穴が開き、この穴の周囲では、ゲートバ
スライン１の支線であるゲート電極１ａとドレイン電極
３とが電気的に接続される。
【００２５】したがって、ドレイン電極３を介してゲー
トバスライン１と欠陥画素の画素電極４とが電気的に接
続されることになり、これによって、欠陥画素の画素電
極４には、常にゲートバスライン１からの走査信号が入
力されることになる。
トバスライン１と欠陥画素の画素電極４とが電気的に接
続されることになり、これによって、欠陥画素の画素電
極４には、常にゲートバスライン１からの走査信号が入
力されることになる。
【００２６】図２は、ゲートバスライン１の走査信号の
波形図である。通常、１ライン目ゲートバスラインの走
査信号は、同図（Ａ）に示されるように、非常に短いＴ
on時間と非常に長いＴoff時間から構成されており、２
ライン目ゲートバスラインの走査信号は、同図（Ｂ）に
示されるように、１ライン目のゲートバスライン信号か
ら非常に短い時間だけ遅れた同じ波形で構成されてお
り、以下、各ゲートバスラインの走査信号は、同様に短
い時間だけ順次遅れた波形となるように構成されてい
る。
波形図である。通常、１ライン目ゲートバスラインの走
査信号は、同図（Ａ）に示されるように、非常に短いＴ
on時間と非常に長いＴoff時間から構成されており、２
ライン目ゲートバスラインの走査信号は、同図（Ｂ）に
示されるように、１ライン目のゲートバスライン信号か
ら非常に短い時間だけ遅れた同じ波形で構成されてお
り、以下、各ゲートバスラインの走査信号は、同様に短
い時間だけ順次遅れた波形となるように構成されてい
る。
【００２７】この実施の形態においては、ＴonとＴoff
の時間比率は、ＶＧＡでは約１：５００、ＸＧＡでは約
１：８００になるため、ゲートバスライン１の走査信号
としては、Ｔoffの電圧が常にかかっていると考えるこ
とができる。液晶表示装置は、Ｔoff電圧を通常―１０
Ｖから―１５Ｖで駆動しているので、この電圧が本発明
によって修正された欠陥画素の画素電極４に入力される
ことになる。なお、正常画素には通常±５Ｖ以内の電圧
がかけられて液晶分子を動かして表示を行う。ただし、
本発明のように―１０Ｖから―１５Ｖの電圧を欠陥画素
の画素電極４に入力しても影響はない。
の時間比率は、ＶＧＡでは約１：５００、ＸＧＡでは約
１：８００になるため、ゲートバスライン１の走査信号
としては、Ｔoffの電圧が常にかかっていると考えるこ
とができる。液晶表示装置は、Ｔoff電圧を通常―１０
Ｖから―１５Ｖで駆動しているので、この電圧が本発明
によって修正された欠陥画素の画素電極４に入力される
ことになる。なお、正常画素には通常±５Ｖ以内の電圧
がかけられて液晶分子を動かして表示を行う。ただし、
本発明のように―１０Ｖから―１５Ｖの電圧を欠陥画素
の画素電極４に入力しても影響はない。
【００２８】以上のようにして、欠陥画素の画素電極４
と図示しない対向ガラス電極との間に、電位差が生じる
ことになり、近年主流となっているノーマリホワイト方
式の液晶表示装置では、輝点となっていた欠陥画素が、
目立たない黒表示に修正されることになる。
と図示しない対向ガラス電極との間に、電位差が生じる
ことになり、近年主流となっているノーマリホワイト方
式の液晶表示装置では、輝点となっていた欠陥画素が、
目立たない黒表示に修正されることになる。
【００２９】この実施の形態に係る欠陥画素修正方法
を、ＴＦＴ方式の液晶表示装置の欠陥画素５０点に施し
た所、すべての欠陥画素を目立たない黒表示とすること
ができ、１００％の成功を得ることができた。
を、ＴＦＴ方式の液晶表示装置の欠陥画素５０点に施し
た所、すべての欠陥画素を目立たない黒表示とすること
ができ、１００％の成功を得ることができた。
【００３０】この実施の形態で使用した光エネルギー
は、波長１０６４ナノメータのＹＡＧレーザ、照射サイ
ズは５×５ミクロンであった。
は、波長１０６４ナノメータのＹＡＧレーザ、照射サイ
ズは５×５ミクロンであった。
【００３１】光エネルギー照射サイズは、あまり小さい
と電気的接続ができず、また、信頼性も低い。また、Ｔ
ＦＴの特性上、ゲート電極１ａとドレイン電極３の重な
り幅は５ミクロン以下のことが多いため、光エネルギー
照射サイズは、３ミクロン以上５ミクロン以下であるの
が好ましい。
と電気的接続ができず、また、信頼性も低い。また、Ｔ
ＦＴの特性上、ゲート電極１ａとドレイン電極３の重な
り幅は５ミクロン以下のことが多いため、光エネルギー
照射サイズは、３ミクロン以上５ミクロン以下であるの
が好ましい。
【００３２】（実施の形態２）図３は、本発明の他の実
施の形態に係る欠陥画素修正方法が適用される液晶表示
装置の基板の平面図である。
施の形態に係る欠陥画素修正方法が適用される液晶表示
装置の基板の平面図である。
【００３３】同図において、１は走査線としてのゲート
バスラインであり、このゲートバスライン１がスイッチ
ング素子としてのＴＦＴ６のゲート電極として機能す
る。また、２は信号線としてのデータバスラインであ
り、このデータバスラインの支線２ａが、ＴＦＴ６のソ
ース電極として機能する。また、ＴＦＴ６のドレイン電
極３は、画素電極４に接続されている。
バスラインであり、このゲートバスライン１がスイッチ
ング素子としてのＴＦＴ６のゲート電極として機能す
る。また、２は信号線としてのデータバスラインであ
り、このデータバスラインの支線２ａが、ＴＦＴ６のソ
ース電極として機能する。また、ＴＦＴ６のドレイン電
極３は、画素電極４に接続されている。
【００３４】このＴＦＴ方式の液晶表示装置において
も、信号線であるデータバスライン２が、薄膜生成時の
ダストで矢符Ａで示されるように消失してしまってお
り、データバスライン２のデータ信号が画素電極４に印
加されないため欠陥画素となっている。
も、信号線であるデータバスライン２が、薄膜生成時の
ダストで矢符Ａで示されるように消失してしまってお
り、データバスライン２のデータ信号が画素電極４に印
加されないため欠陥画素となっている。
【００３５】このＴＦＴ方式の液晶表示装置には、高開
口率を確保するために、特開平４―０１６９２９号公報
や上述の実施の形態に示されるような冗長設計がされて
おらず、特開平４―０１６９２９号公報のような修正を
行う事ができない。
口率を確保するために、特開平４―０１６９２９号公報
や上述の実施の形態に示されるような冗長設計がされて
おらず、特開平４―０１６９２９号公報のような修正を
行う事ができない。
【００３６】この実施の形態では、このような冗長設計
の有無に拘わらず、欠陥画素を目立たなくするために、
次のように構成している。
の有無に拘わらず、欠陥画素を目立たなくするために、
次のように構成している。
【００３７】すなわち、この実施の形態の欠陥画素修正
方法では、ＴＦＴ６の走査電極であるゲート電極とドレ
イン電極３の重畳部である交点部５に光エネルギーによ
り照射を行う。この光エネルギーにより、上述の実施の
形態と同様に、ゲートバスライン１のゲート電極とドレ
イン電極３とが電気的に接続され、ドレイン電極３を介
してゲートバスライン１と画素電極４とが電気的に接続
され、これによって、欠陥画素の画素電極４には、常に
ゲートバスライン１の走査信号が入力されることにな
る。
方法では、ＴＦＴ６の走査電極であるゲート電極とドレ
イン電極３の重畳部である交点部５に光エネルギーによ
り照射を行う。この光エネルギーにより、上述の実施の
形態と同様に、ゲートバスライン１のゲート電極とドレ
イン電極３とが電気的に接続され、ドレイン電極３を介
してゲートバスライン１と画素電極４とが電気的に接続
され、これによって、欠陥画素の画素電極４には、常に
ゲートバスライン１の走査信号が入力されることにな
る。
【００３８】光エネルギーの照射によってゲートバスラ
イン１には、スポット状の穴が生じるので、その線幅が
減少することになり、照射パワー、照射位置によっては
ゲートバスライン１の断線を生じる可能性がある。そこ
で、この実施の形態では、ゲートバスライン１には、ド
レイン電極３側へ数ミクロン程度膨出した膨出部１ｂを
形成して大きくし、断線対策としている。
イン１には、スポット状の穴が生じるので、その線幅が
減少することになり、照射パワー、照射位置によっては
ゲートバスライン１の断線を生じる可能性がある。そこ
で、この実施の形態では、ゲートバスライン１には、ド
レイン電極３側へ数ミクロン程度膨出した膨出部１ｂを
形成して大きくし、断線対策としている。
【００３９】この実施の形態に係る欠陥画素修正方法
を、図３のＴＦＴ方式の液晶表示装置の欠陥画素５０点
に施した所、すべての欠陥画素を目立たない黒表示とす
ることができ、１００％の成功を得ることができた。
を、図３のＴＦＴ方式の液晶表示装置の欠陥画素５０点
に施した所、すべての欠陥画素を目立たない黒表示とす
ることができ、１００％の成功を得ることができた。
【００４０】この実施の形態で使用した光エネルギー
は、波長１０６４ナノメータのＹＡＧレーザ、照射サイ
ズは４×４ミクロンであった。
は、波長１０６４ナノメータのＹＡＧレーザ、照射サイ
ズは４×４ミクロンであった。
【００４１】上述の膨出部１ｂのないＴＦＴ方式の液晶
表示装置では、欠陥画素５０点に同様な修正を施した
所、すべての欠陥画素を目立たない黒表示することかで
き、１００％の成功を得たが、ゲートバスライン１の断
線が８％程度発生した。したがって、ゲートバスライン
１に膨出部１ｂを形成するのは断線対策として有効とい
える。また、開口率を０．５％減少させただけで、十分
効果のある膨出部１ｂを形成することができた。
表示装置では、欠陥画素５０点に同様な修正を施した
所、すべての欠陥画素を目立たない黒表示することかで
き、１００％の成功を得たが、ゲートバスライン１の断
線が８％程度発生した。したがって、ゲートバスライン
１に膨出部１ｂを形成するのは断線対策として有効とい
える。また、開口率を０．５％減少させただけで、十分
効果のある膨出部１ｂを形成することができた。
【００４２】膨出部１ｂの大きさは、ＴＦＴの特性上、
ゲートバスライン１とドレイン電極３の重なりや半導体
層のギヤップの制限があるために、あまり大きくするこ
とができないが、数ミクロンで効果があることから、膨
出部１ｂは、５ミクロン以下で十分である。
ゲートバスライン１とドレイン電極３の重なりや半導体
層のギヤップの制限があるために、あまり大きくするこ
とができないが、数ミクロンで効果があることから、膨
出部１ｂは、５ミクロン以下で十分である。
【００４３】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、光エネル
ギーを照射することによって、走査電極と欠陥画素の画
素電極とを電気的に接続して欠陥画素の画素電極に走査
信号を入力するようにしたので、冗長設計の有無に拘わ
らず、欠陥画素を目立たないように修正することができ
る。
ギーを照射することによって、走査電極と欠陥画素の画
素電極とを電気的に接続して欠陥画素の画素電極に走査
信号を入力するようにしたので、冗長設計の有無に拘わ
らず、欠陥画素を目立たないように修正することができ
る。
【００４４】しかも、余分な配線を形成する必要がない
ので、開口率を低下させることなく、確実な修正を行う
ことができる。
ので、開口率を低下させることなく、確実な修正を行う
ことができる。
【００４５】また、走査電極は、光エネルギーが照射さ
れる部分を大きくすることにより、光エネルギーの照射
によって走査線の断線が生じることもない。
れる部分を大きくすることにより、光エネルギーの照射
によって走査線の断線が生じることもない。
【図１】本発明の一つの実施の形態に係る欠陥画素修正
方法が適用される液晶表示装置の基板の平面図である。
方法が適用される液晶表示装置の基板の平面図である。
【図２】走査信号の波形図である。
【図３】本発明の他の実施の形態に係る欠陥画素修正方
法が適用される液晶表示装置の基板の平面図である。
法が適用される液晶表示装置の基板の平面図である。
【図４】液晶表示装置の欠陥画素を示す基板の平面図で
ある。
ある。
１ ゲートバスライン ２ データバスライン ３ ドレイン電極
Claims (3)
- 【請求項１】 走査電極に与えられる走査信号によって
スイッチング制御されるスイッチング素子と、該スイッ
チング素子に接続された画素電極とを備える液晶表示装
置における欠陥画素の修正方法であって、 前記走査電極部分に光エネルギーを照射して該走査電極
と前記欠陥画素の画素電極とを電気的に接続し、該欠陥
画素の画素電極に前記走査信号を入力することを特徴と
する液晶表示装置における欠陥画素修正方法。 - 【請求項２】 前記走査電極は、光エネルギーが照射さ
れる部分が大きく形成されている請求項１記載の液晶表
示装置における欠陥画素修正方法。 - 【請求項３】 前記スイッチング素子は、薄膜トランジ
スタであって、該薄膜トランジスタのゲート電極が前記
走査電極とされるとともに、ドレイン電極が、前記画素
電極に接続され、前記光エネルギーを、前記ゲート電極
と前記ドレイン電極との重畳部分に照射する請求項１ま
たは２記載の液晶表示装置における欠陥画素修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34050195A JPH09179143A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 液晶表示装置における欠陥画素修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34050195A JPH09179143A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 液晶表示装置における欠陥画素修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09179143A true JPH09179143A (ja) | 1997-07-11 |
Family
ID=18337578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34050195A Pending JPH09179143A (ja) | 1995-12-27 | 1995-12-27 | 液晶表示装置における欠陥画素修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09179143A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6094177A (en) * | 1997-11-27 | 2000-07-25 | Yamamoto; Kiyoshi | Planar radiation antenna elements and omni directional antenna using such antenna elements |
| JP2007003709A (ja) * | 2005-06-22 | 2007-01-11 | Sharp Corp | アクティブマトリクス基板、表示装置およびその欠陥修正方法 |
| US7385652B2 (en) | 2005-01-18 | 2008-06-10 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Display device and defect-restoration method therefor |
| JP2010122624A (ja) * | 2008-11-21 | 2010-06-03 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置及び輝点抑制方法 |
| WO2012105180A1 (ja) | 2011-01-31 | 2012-08-09 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネル及びその製造方法、並びにアレイ基板及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-12-27 JP JP34050195A patent/JPH09179143A/ja active Pending
Cited By (7)
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| CN100445853C (zh) * | 2005-01-18 | 2008-12-24 | 三菱电机株式会社 | 显示装置及显示装置的缺陷修复方法 |
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| US8629948B2 (en) | 2011-01-31 | 2014-01-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display panel and method for fabricating same, and array substrate and method for fabricating same |
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