WO2012105180A1 - 液晶表示パネル及びその製造方法、並びにアレイ基板及びその製造方法 - Google Patents

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drain electrode
capacitor
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義仁 原
幸伸 中田
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シャープ株式会社
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Definitions

  • the present invention relates to a liquid crystal display panel and a method for manufacturing the same, and an array substrate and a method for manufacturing the same, and more particularly to a liquid crystal display panel and a defect correction technique by blackening in an array substrate constituting the liquid crystal display panel.
  • the liquid crystal display panel has, for example, a TFT array substrate provided with a thin film transistor (hereinafter referred to as “TFT”) for each sub-pixel which is the minimum unit of an image, and a TFT array substrate so as to face the TFT array substrate.
  • TFT thin film transistor
  • a counter substrate provided and a liquid crystal layer provided between the TFT array substrate and the counter substrate are provided.
  • the TFT array substrate includes, for example, a plurality of gate lines provided so as to extend in parallel to each other, a plurality of capacitance lines provided between the respective gate lines and arranged so as to extend in parallel to each other, and each gate line. And a gate insulating film provided so as to cover each capacitor line, a plurality of source lines provided on the gate insulating film so as to extend in parallel to each other in a direction orthogonal to each gate line, each gate line and each source A plurality of TFTs provided at each line intersection, an interlayer insulating film provided so as to cover each TFT and each source line, and provided in a matrix on the interlayer insulating film and connected to each TFT. And a plurality of pixel electrodes.
  • the TFT was provided in an island shape so as to overlap the gate electrode on the gate insulating film, a gate electrode provided on a transparent substrate such as a glass substrate, a gate insulating film provided to cover the gate electrode, and the like.
  • the gate electrode is, for example, a portion where each gate line protrudes laterally.
  • the source electrode is, for example, a portion where each source line protrudes to the side.
  • the drain electrode is connected to the pixel electrode via a contact hole formed in the interlayer insulating film, and constitutes an auxiliary capacitor by overlapping with the capacitor line via the gate insulating film.
  • a foreign substance having conductivity or a film residue is interposed between a source electrode and a drain electrode, the source electrode and the drain electrode may be short-circuited. . Then, since the display signal from the source line is always input to the pixel electrode of the subpixel, the subpixel is easily detected as a bright spot. Therefore, in the sub-pixel in which the bright spot is detected, for example, the drain electrode is cut, and the bright spot is detected by connecting the side of the cut drain electrode connected to the pixel electrode and the gate line or the capacitor line. Defects that become black spots will be corrected.
  • a TFT liquid crystal display device having a pixel electrode of a defective pixel to which a data signal (display signal) from a data bus line (source line) is not applied is connected to a gate bus line (gate line).
  • the gate electrode portion of the TFT is irradiated with light energy, the gate electrode and the pixel electrode of the defective pixel are electrically connected via the drain electrode, and the gate bus line is scanned to the pixel electrode of the defective pixel.
  • a low aperture ratio is caused by the light-shielding capacitive line arranged in each sub-pixel. Therefore, instead of the capacitive line, between the interlayer insulating film and each pixel electrode.
  • a TFT array with a high aperture ratio in which an auxiliary capacitance is configured by the capacitive electrode, each pixel electrode, and the insulating film between them by arranging a transparent capacitive electrode and an insulating film in order to improve the aperture ratio.
  • a substrate has been proposed.
  • the interlayer insulating film is composed of a laminated film in which a relatively thin inorganic insulating film and a relatively thick organic insulating film are sequentially laminated, defect correction by blackening is performed.
  • defect correction by blackening is performed.
  • the connection portion is irradiated with laser light from the transparent substrate side, it is difficult to electrically connect the drain electrode and the capacitor electrode corresponding to the capacitor line. This is because even if the metal of the drain electrode is scattered in the interlayer insulating film due to laser light irradiation, the organic insulating film constituting the interlayer insulating film is relatively thick. This is probably because the electrode does not reach the electrode.
  • the connection portion when the connection portion is irradiated with laser light from the transparent substrate side, the metal of the capacitance line is scattered in the relatively thin gate insulating film and reaches the drain electrode.
  • the drain electrode and the capacitor line are electrically connected, and the defect can be corrected by blackening.
  • the present invention has been made in view of such a point, and an object of the present invention is to reliably connect the drain electrode and the capacitor electrode in defect correction by blackening.
  • an interlayer insulating film between a drain electrode and a capacitor electrode is formed by sequentially laminating an inorganic insulating film and an organic insulating film, and the drain electrode and the capacitor electrode are exposed from the organic insulating film.
  • a connection region that overlaps with each other through an inorganic insulating film is provided.
  • a liquid crystal display panel includes a plurality of subpixels, an array substrate and a counter substrate provided so as to face each other, and a liquid crystal layer provided between the array substrate and the counter substrate.
  • the array substrate is provided for each of the sub-pixels on the transparent substrate, and has a plurality of switching elements each having a source electrode and a drain electrode arranged to be separated from each other, and covers the switching elements.
  • a liquid crystal display panel comprising a plurality of pixel electrodes connected to each other, wherein the array substrate has a connection region in which the drain electrode and the capacitor electrode overlap each other through the inorganic insulating film exposed from the organic insulating film. It is provided.
  • the interlayer insulating film between the drain electrode and the capacitor electrode is formed by sequentially laminating the inorganic insulating film and the organic insulating film, and the drain electrode and the capacitor electrode are exposed from the organic insulating film. Since the connection region overlaps with each other through the inorganic insulating film, the connection region where the drain electrode and the capacitance electrode overlap with each other has a relatively thick organic layer as an insulating film that electrically insulates between the drain electrode and the capacitance electrode. Only a relatively thin inorganic insulating film is disposed without the insulating film.
  • the drain electrode is irradiated with laser light from the transparent substrate side.
  • the metal of the drain electrode scatters in the interlayer insulating film (inorganic insulating film and organic insulating film), the drain electrode is cut, and the drain electrode and the capacitor electrode overlap each other through the inorganic insulating film
  • the metal of the drain electrode is scattered in the relatively thin inorganic insulating film and easily reaches the capacitor electrode, so that it is connected to the pixel electrode of the cut drain electrode.
  • the side and the capacitor electrode are securely connected.
  • the pixel electrode is fixed to the potential of the capacitor electrode (for example, the ground potential), and the bright spot is blackened.
  • the electrode and the capacitor electrode are securely connected.
  • Each pixel electrode may be provided with an opening so as to overlap the connection region.
  • each pixel electrode is provided with an opening so as to overlap the connection region, for example, as a structure for regulating the alignment of the liquid crystal layer. Damage to the pixel electrode due to is suppressed.
  • a gate insulating film, the drain electrode, an inorganic insulating film, a capacitive electrode, a capacitive insulating film, and each pixel electrode may be sequentially stacked on the transparent substrate.
  • the connection area of the array substrate has a laminated structure of pixel electrode (uppermost layer) / capacitance insulating film / capacitance electrode / inorganic insulating film / drain electrode / gate insulating film / transparent substrate (lowermost layer).
  • a substrate structure in which the drain electrode and the capacitor electrode can be reliably connected is specifically configured.
  • the method for manufacturing a liquid crystal display panel according to the present invention includes a plurality of sub-pixels, an array substrate and a counter substrate provided to face each other, and a liquid crystal layer provided between the array substrate and the counter substrate.
  • the array substrate is provided for each of the sub-pixels on the transparent substrate and covers a plurality of switching elements each having a source electrode and a drain electrode arranged to be separated from each other, and the switching elements
  • An interlayer insulating film in which an inorganic insulating film and an organic insulating film are sequentially stacked, a capacitive electrode provided on the interlayer insulating film, and a capacitive insulating film provided so as to cover the capacitive electrode;
  • An auxiliary capacitor is provided on each of the sub-pixels, and is provided on the capacitor insulating film so as to face the capacitor electrode, and is insulated from the capacitor electrode and connected to the drain electrode of each switching element.
  • a method for manufacturing a display panel wherein a detection step of detecting a sub-pixel in which a short circuit has occurred between the source electrode and the drain electrode in the plurality of sub-pixels, and a sub-pixel in which a short circuit has been detected in the detection step
  • the drain electrode is irradiated with laser light from the transparent substrate side to cut the drain electrode, and the connection region is irradiated with laser light from the transparent substrate side, so that each of the cut drain electrodes is And a correction step of connecting the side connected to the pixel electrode and the capacitor electrode.
  • the interlayer insulating film between the drain electrode and the capacitive electrode is formed by sequentially laminating the inorganic insulating film and the organic insulating film, and the drain electrode and the capacitive electrode are exposed from the organic insulating film. Since the connection region overlaps with each other through the inorganic insulating film, the connection region where the drain electrode and the capacitance electrode overlap with each other has a relatively thick organic layer as an insulating film that electrically insulates between the drain electrode and the capacitance electrode. Only a relatively thin inorganic insulating film is disposed without the insulating film.
  • the detection process for example, when a subpixel in which a short circuit has occurred between the source electrode and the drain electrode is detected as a bright spot by a lighting test, in the subpixel in which the short circuit has occurred in the correction process, By irradiating the drain electrode with laser light from the transparent substrate side, the metal of the drain electrode is scattered in the interlayer insulating film (inorganic insulating film and organic insulating film), and the drain electrode is cut, and the drain electrode and the capacitor By irradiating laser light from the transparent substrate side to the connection region where the electrodes overlap each other through the inorganic insulating film, the metal of the drain electrode scatters in the relatively thin inorganic insulating film and easily reaches the capacitive electrode.
  • the interlayer insulating film inorganic insulating film and organic insulating film
  • the side of the cut drain electrode connected to the pixel electrode is reliably connected to the capacitor electrode.
  • the pixel electrode is fixed to the potential of the capacitor electrode (for example, the ground potential), and the bright spot is blackened.
  • the electrode and the capacitor electrode are securely connected.
  • the laser light may be irradiated to the end of the connection region and the outside of the connection region adjacent to the end.
  • the laser light is not concentrated only on the connection region by irradiating the end of the connection region and the outside of the connection region adjacent to the end of the connection region. And the drain electrode and the capacitor electrode are more reliably connected.
  • the array substrate according to the present invention includes a plurality of switching elements each having a plurality of subpixels and a source electrode and a drain electrode that are provided for each of the subpixels on the transparent substrate and are arranged so as to be separated from each other. And an interlayer insulating film in which an inorganic insulating film and an organic insulating film are sequentially stacked, a capacitor electrode provided on the interlayer insulating film, and a capacitor electrode.
  • the interlayer insulating film between the drain electrode and the capacitor electrode is formed by sequentially laminating the inorganic insulating film and the organic insulating film, and the drain electrode and the capacitor electrode are exposed from the organic insulating film.
  • a relatively thick organic insulating film is disposed in the connecting region where the drain electrode and the capacitor electrode overlap each other as an insulating film that electrically insulates between the drain electrode and the capacitor electrode. Instead, only a relatively thin inorganic insulating film is disposed.
  • the drain electrode when a subpixel in which a short circuit has occurred is detected between the source electrode and the drain electrode, for example, in the subpixel in which the short circuit has occurred, by irradiating the drain electrode with laser light from the transparent substrate side, The metal of the drain electrode scatters in the interlayer insulating film (inorganic insulating film and organic insulating film), the drain electrode is cut, and laser light is applied to the connection region where the drain electrode and the capacitor electrode overlap with each other through the inorganic insulating film. Is irradiated from the transparent substrate side, so that the metal of the drain electrode is scattered in the relatively thin inorganic insulating film and easily reaches the capacitor electrode. The electrode is securely connected. As a result, in the sub-pixel in which the short circuit has occurred, the pixel electrode is fixed to the potential of the capacitor electrode (for example, the ground potential) and becomes a black spot. Are securely connected.
  • the array substrate manufacturing method includes a plurality of sub-pixels and a plurality of sub-pixels each having a source electrode and a drain electrode that are provided for each of the sub-pixels on the transparent substrate and are spaced apart from each other.
  • a plurality of pixel electrodes connected to the respective drain electrodes, and the drain electrodes and the capacitor electrodes are provided so as to overlap each other through the inorganic insulating film exposed from the organic insulating film And a detection step of detecting a sub-pixel in which a short circuit has occurred between the source electrode and the drain electrode in the plurality of sub-pixels, and the detection step.
  • the drain electrode is irradiated with laser light from the transparent substrate side to cut the drain electrode, and the connection region is irradiated with laser light from the transparent substrate side, And a correction step of connecting the side of the cut drain electrode connected to each pixel electrode and the capacitor electrode.
  • the interlayer insulating film between the drain electrode and the capacitor electrode is formed by sequentially stacking the inorganic insulating film and the organic insulating film, and the drain electrode and the capacitor electrode are exposed from the organic insulating film.
  • a relatively thick organic insulating film is disposed in the connecting region where the drain electrode and the capacitor electrode overlap each other as an insulating film that electrically insulates between the drain electrode and the capacitor electrode. Instead, only a relatively thin inorganic insulating film is disposed. Therefore, in the detection process, when a subpixel in which a short circuit occurs between the source electrode and the drain electrode is detected by an optical inspection or an inspection by the charge detection method, the subpixel in which the short circuit has occurred in the correction process.
  • the drain electrode is irradiated with laser light from the transparent substrate side, so that the metal of the drain electrode is scattered in the interlayer insulating film (inorganic insulating film and organic insulating film), and the drain electrode is cut, and the drain electrode
  • the metal of the drain electrode scatters in the relatively thin inorganic insulating film and easily reaches the capacitive electrode. Therefore, the side of the cut drain electrode connected to the pixel electrode and the capacitor electrode are reliably connected.
  • the pixel electrode is fixed to the potential of the capacitor electrode (for example, the ground potential) and becomes a black spot. Are securely connected.
  • the interlayer insulating film between the drain electrode and the capacitive electrode is formed by sequentially laminating the inorganic insulating film and the organic insulating film, and the drain electrode and the capacitive electrode are interposed via the inorganic insulating film exposed from the organic insulating film. Therefore, the drain electrode and the capacitor electrode can be reliably connected in the defect correction by blackening.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the liquid crystal display panel according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of each sub-pixel of the TFT array substrate constituting the liquid crystal display panel according to the first embodiment.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the TFT array substrate along the line III-III in FIG.
  • FIG. 4 is an enlarged plan view of the connection region provided in each subpixel of the TFT array substrate and the vicinity thereof.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view of the TFT array substrate along the line VV in FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of the liquid crystal display panel in the correction process.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the liquid crystal display panel of FIG. 6 after the correction process.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the liquid crystal display panel according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a plan view of each sub-pixel of the TFT array substrate constituting the liquid crystal display panel according to the first embodiment.
  • FIG. 8 is an enlarged plan view of the connection region provided in each subpixel of the TFT array substrate constituting the liquid crystal display panel according to Embodiment 2 and the vicinity thereof.
  • FIG. 9 is an enlarged plan view of the connection region provided in each subpixel of the TFT array substrate constituting the liquid crystal display panel according to Embodiment 3 and the vicinity thereof.
  • FIG. 10 is a cross-sectional view of the TFT array substrate along the line XX in FIG.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view of the TFT array substrate in the correction process according to the fourth embodiment.
  • Embodiment 1 of the Invention 1 to 7 show Embodiment 1 of a liquid crystal display panel and a method for manufacturing the same according to the present invention.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of the liquid crystal display panel 50 of the present embodiment.
  • 2 is a plan view of each subpixel P of the TFT array substrate 30a constituting the liquid crystal display panel 50
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of the TFT array substrate 30a taken along line III-III in FIG.
  • It is. 4 is an enlarged plan view of the connection region R provided in each sub-pixel P of the TFT array substrate 30a and the vicinity thereof
  • FIG. 5 is a TFT array along the line VV in FIG. It is sectional drawing of the board
  • the liquid crystal display panel 50 includes a TFT array substrate 30a and a counter substrate 40 provided so as to face each other, a liquid crystal layer 45 provided between the TFT array substrate 30a and the counter substrate 40, The TFT array substrate 30a and the counter substrate 40 are adhered to each other, and a sealing material 46 provided in a frame shape is provided between the TFT array substrate 30a and the counter substrate 40 to enclose the liquid crystal layer 45.
  • the terminal area T is defined on the surface of the TFT array substrate 30 a protruding from the counter substrate 40, but the display area D is defined on the inner side of the sealing material 46. .
  • a plurality of sub-pixels P are arranged in a matrix.
  • the TFT array substrate 30 a covers the transparent substrate 10, the plurality of gate lines 11 provided on the transparent substrate 10 so as to extend in parallel with each other, and the gate lines 11.
  • a gate insulating film 12 provided, a plurality of source lines 14 provided on the gate insulating film 12 so as to extend in parallel to each other in a direction perpendicular to the gate lines 11, and the gate lines 11 and the source lines 14.
  • the TFT 5 includes a gate electrode 11a provided on the transparent substrate 10, a gate insulating film 12 provided so as to cover the gate electrode 11a, and a gate electrode on the gate insulating film 12.
  • the semiconductor layer 13 is provided in an island shape so as to overlap with 11a, and the source electrode 14a and the drain electrode 14b are provided on the semiconductor layer 13 so as to be separated from each other.
  • the gate electrode 11 a is a portion where each gate line 11 protrudes laterally for each subpixel P.
  • the gate electrode 11a composed of a portion protruding to the side of each gate line 11 is illustrated, but this gate electrode may be a part of the gate line 11 extending in a linear shape.
  • the semiconductor layer 13 is provided on, for example, an intrinsic amorphous silicon layer (not shown) having a channel region and an intrinsic amorphous silicon layer so that the channel region is exposed, and n connected to the source electrode 14a and the drain electrode 14b, respectively. + An amorphous silicon layer (not shown).
  • amorphous silicon is exemplified as the semiconductor layer 13, but the semiconductor layer 13 may be, for example, polysilicon or an In—Ga—Zn—O-based oxide semiconductor.
  • the source electrode 14a is a portion in which each source line 14 protrudes laterally for each subpixel P, as shown in FIG.
  • the source electrode 14a composed of a portion protruding to the side of each source line 14 is illustrated, but the source electrode may be a part of the source line 14 extending linearly.
  • the drain electrode 14b is connected to the pixel electrode 20a while being insulated from the capacitor electrode 18a, that is, through a contact hole 19c formed in the capacitor insulating film 19 covering the capacitor electrode 18a. Has been.
  • the capacitor electrode 18a is integrally formed over all the subpixels P, and each subpixel P has an opening 18c at the connection portion between the drain electrode 14b and the pixel electrode 20a. is doing. As shown in FIGS. 3 and 5, the capacitor electrode 18 a is opposed to the pixel electrode 20 a through the capacitor insulating film 19, thereby constituting the auxiliary capacitor 6 for each subpixel P. Further, as shown in FIG. 4, the capacitor electrode 18 a protrudes to the left middle portion of the opening 16 c of the organic insulating film 16 to be described later.
  • the interlayer insulating film 17 includes an inorganic insulating film 15 provided on the transparent substrate 10 side and an organic insulating film 16 laminated on the inorganic insulating film 15.
  • the organic insulating film 16 has an opening 16c at the connection portion between the drain electrode 14b and the pixel electrode 20a.
  • the inorganic insulating film 15 is organically insulated. The film 16 is exposed. Then, in the opening 16c of the organic insulating film 16, as shown in FIGS.
  • connection region R The hatched portion in FIG. 4 is configured.
  • the pixel electrode 20a uppermost layer
  • capacitor insulating film 19 the pixel electrode 20a disposed on the entire surface in the drawing is omitted.
  • the counter substrate 40 includes, for example, a transparent substrate (not shown), a black matrix (not shown) provided in a lattice shape on the transparent substrate, a red layer, a green layer, and a black layer provided between the lattices of the black matrix, respectively.
  • a plurality of colored layers such as a blue layer, a black matrix, a common electrode (not shown) provided to cover each colored layer, and a plurality of photo spacers (not shown) provided in a column shape on the common electrode
  • an alignment film (not shown) provided so as to cover the common electrode and each photospacer.
  • the liquid crystal layer 45 is made of a nematic liquid crystal material having electro-optical characteristics.
  • the liquid crystal display panel 50 configured as described above applies a predetermined voltage for each subpixel P to the liquid crystal layer 45 disposed between each pixel electrode 20a on the TFT array substrate 30a and the common electrode on the counter substrate 40. By changing the alignment state of the liquid crystal layer 45, the transmittance of light transmitted through the panel is adjusted to each sub-pixel P, and an image is displayed.
  • the manufacturing method of the liquid crystal display panel 50a of this embodiment includes a TFT array substrate manufacturing process, a counter substrate manufacturing process, a liquid crystal injection process, a detection process, and a correction process.
  • 6 is a cross-sectional view of the liquid crystal display panel 50 in the correction process
  • FIG. 7 is a cross-sectional view of the liquid crystal display panel 50a after the correction process is performed on the liquid crystal display panel 50 of FIG. .
  • a molybdenum film (thickness of about 150 nm) or the like is formed on the entire transparent substrate 10 such as a glass substrate or a plastic substrate by sputtering, for example, and then photolithography, etching and etching are performed on the molybdenum film.
  • the resist line is washed to form the gate line 11 and the gate electrode 11a.
  • the method of forming the gate line 11 and the gate electrode 11a using the molybdenum film is exemplified.
  • a metal such as an aluminum film, a tungsten film, a tantalum film, a chromium film, a titanium film, or a copper film is used.
  • the gate line 11 and the gate electrode 11a may be formed using a film, an alloy film thereof, a metal nitride film, or a laminated film thereof.
  • a silicon nitride film (having a thickness of about 100 nm to 600 nm) is formed on the entire substrate on which the gate line 11 and the gate electrode 11a are formed, for example, by plasma CVD (Chemical Vapor Deposition) method. 12 is formed.
  • the method of forming the gate insulating film 12 using a silicon nitride film has been exemplified, but for example, a silicon oxide film (SiOx), a silicon oxynitride film (SiOxNy, x> y), nitriding oxide
  • the gate insulating film 12 may be formed using a single layer film such as a silicon film (SiNxOy, x> y) or a laminated film thereof.
  • an intrinsic amorphous silicon film (thickness of about 100 nm) and a phosphorus-doped n + amorphous silicon film (thickness of about 50 nm) are sequentially formed on the entire substrate on which the gate insulating film 12 is formed, for example, by plasma CVD.
  • the semiconductor layer forming portion (13) is formed by performing photolithography, etching, and resist peeling cleaning on the laminated film of the intrinsic amorphous silicon film and the n + amorphous silicon film.
  • a titanium film (thickness of about 20 nm to 150 nm), an aluminum film (thickness of about 50 nm to 400 nm), and the like are sequentially formed on the entire substrate on which the semiconductor layer forming portion (13) has been formed by, for example, sputtering.
  • the source line 14, the source electrode 14a, and the drain electrode 14b are formed by performing photolithography, etching, and resist peeling cleaning on the metal laminated film.
  • the method of forming the source line 14, the source electrode 14a, and the drain electrode 14b by using a metal laminated film of a titanium film and an aluminum film is exemplified.
  • the source line 14, the source electrode 14a, and the drain electrode 14b may be formed using a metal film such as a tantalum film, a chromium film, a titanium film, or a copper film, an alloy film thereof, a metal nitride film, or a laminated film thereof. Good.
  • the n + amorphous silicon film in the semiconductor layer forming portion is etched to form a channel region, and the semiconductor layer 13 and the TFT 5 including the semiconductor layer 13 are formed. .
  • an inorganic insulating film (15) such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, and a silicon nitride oxide film is formed with a thickness of about 300 nm on the entire substrate on which the TFT 5 is formed, for example, by plasma CVD.
  • a photosensitive resin film made of a photosensitive acrylic resin or the like is formed on the entire substrate on which the inorganic insulating film (15) is formed, for example, by spin coating or slit coating, to a thickness of 2.0 ⁇ m to 4.0 ⁇ m. After coating to the extent, the organic insulating film 16 having the openings 16c is formed by performing exposure, development and baking on the photosensitive resin film.
  • a transparent conductive film such as an ITO (IndiumInTin Oxide) film is formed on the entire substrate on which the organic insulating film 16 is formed, for example, by a sputtering method to a thickness of about 50 nm to 200 nm.
  • the capacitor electrode 18a having the opening 18c is formed by performing photolithography, etching, and resist peeling cleaning.
  • an inorganic insulating film such as a silicon nitride film, a silicon oxide film, or a silicon nitride oxide film is formed on the entire substrate on which the capacitor electrode 18a is formed by a plasma CVD method, for example, with a thickness of about 300 nm.
  • the interlayer insulating film 17 composed of the inorganic insulating film 15 and the organic insulating film 16 is obtained by performing photolithography, etching, and resist peeling cleaning on the insulating film (19) and the previously formed inorganic insulating film (15).
  • a capacitor insulating film 19 having a contact hole 19c is formed.
  • the transparent conductive film is formed on the transparent conductive film.
  • the pixel electrode 20a is formed by performing photolithography, etching, and resist peeling cleaning.
  • an alignment film is formed by baking and rubbing the applied film.
  • the TFT array substrate 30a can be manufactured as described above.
  • a black colored photosensitive resin is applied to the entire transparent substrate such as a glass substrate or a plastic substrate by, for example, a spin coating method or a slit coating method, and then the coating film is exposed and developed. And by baking, a black matrix is formed to a thickness of about 1.0 ⁇ m.
  • a photosensitive resin colored in red, green or blue for example, is applied to the entire substrate on which the black matrix is formed, for example, by spin coating or slit coating, and then applied to the coating film.
  • a colored layer for example, a red layer
  • a selected color is formed to a thickness of about 2.0 ⁇ m.
  • the same process is repeated for the other two colors to form other two colored layers (for example, a green layer and a blue layer) with a thickness of about 2.0 ⁇ m.
  • a common electrode is formed by forming a transparent conductive film such as an ITO film with a thickness of about 50 nm to 200 nm on the entire substrate on which the colored layers are formed, for example, by sputtering.
  • a photosensitive resin film made of photosensitive acrylic resin or the like is formed to the entire substrate on which the common electrode is formed, for example, by spin coating or slit coating.
  • a photo spacer is formed to a thickness of about 4.0 ⁇ m.
  • an alignment film is formed by baking and rubbing the applied film.
  • the counter substrate 40 can be manufactured as described above.
  • ⁇ Liquid crystal injection process First, for example, after a sealing material 46 made of UV (ultraviolet) curing and thermosetting resin is printed on the surface of the counter substrate 40 manufactured in the counter substrate manufacturing process in a frame shape, A liquid crystal material is dropped inside.
  • a sealing material 46 made of UV (ultraviolet) curing and thermosetting resin is printed on the surface of the counter substrate 40 manufactured in the counter substrate manufacturing process in a frame shape.
  • the counter substrate 40 onto which the liquid crystal material is dropped and the TFT array substrate 30a manufactured in the TFT array substrate manufacturing process are bonded together under reduced pressure, and then the bonded body is brought to atmospheric pressure. By opening, the surface and the back surface of the bonded body are pressurized.
  • the sealing material 46 is cured by heating the bonded body.
  • the unnecessary part is removed by dividing the bonded body in which the sealing material 46 is cured by, for example, dicing.
  • the liquid crystal display panel 50 (before inspection) can be manufactured.
  • a gate inspection signal having a bias voltage of ⁇ 15 V having a bias voltage of ⁇ 10 V, a period of 16.7 msec, a pulse width of 50 ⁇ sec is input to each gate line 11, and the TFTs 5 of all subpixels P are input. Is turned on, and a source inspection signal having a potential of ⁇ 2 V whose polarity is inverted every 16.7 msec is input to each source line 14, whereby a source inspection signal is input to the pixel electrode 20 a via each TFT 5. To do.
  • a common electrode inspection signal having a direct current potential of ⁇ 1 V is input to the common electrode of the counter substrate 40, thereby arranging the pixel electrode 20 a of the TFT array substrate 30 a and the common electrode of the counter substrate 40.
  • a voltage to the liquid crystal layer 45 each subpixel P constituted by each pixel electrode 20a is turned on.
  • the display screen changes from black display to white display.
  • the sub-pixel P in which a short circuit S see a two-dot chain line in FIG.
  • the pixel is not related to the on / off control of the TFT 5. Since the source inspection signal is always input to the electrode 20a, the subpixel P is detected as a bright spot on the black display screen.
  • the X pixel of the drain electrode 14b is irradiated with the laser light L in the detected sub-pixel P as shown in FIGS.
  • the side of the cut drain electrode 14b connected to the pixel electrode 20a is connected to the capacitor electrode 18a.
  • the reference numerals of the drain electrode 14b and the capacitor electrode 18a connected to each other are 14ba and 18aa, respectively, and the reference numeral of the inorganic insulating film 15 disposed therebetween is 15a.
  • the reference numeral of the TFT array substrate 30a provided with them is 30aa.
  • the laser beam L is output with a spot size of about 2.5 ⁇ m ⁇ 2.5 ⁇ m from, for example, a YAG (Yttrium Aluminum Garnet) laser. If the size of the connection region R is about 5 ⁇ m ⁇ 5 ⁇ m or more, the connection region R can be corrected by irradiating the connection region R with laser light.
  • the interlayer insulating film 17 between the drain electrode 14b and the capacitor electrode 18a is the inorganic insulating film 15.
  • the organic insulating film 16 are sequentially stacked, and the drain electrode 14b and the capacitor electrode 18a have a connection region R that overlaps with the inorganic insulating film 15 exposed from the organic insulating film 16.
  • the relatively thick organic insulating film 16 is not disposed as an insulating film that electrically insulates between the drain electrode 14b and the capacitor electrode 18a. Only 15 are arranged.
  • the sub circuit P in which the short circuit S has occurred between the source electrode 14a and the drain electrode 14b is detected as a bright spot by the lighting inspection, the sub circuit P in which the short circuit S has occurred in the correction process.
  • the metal of the drain electrode 14b is scattered in the interlayer insulating film 17 (inorganic insulating film 15 and organic insulating film 16).
  • the electrode 14b is cut, and the drain electrode 14b and the capacitor electrode 18a are irradiated with laser light L from the transparent substrate 10 side to the connection region R where the drain electrode 14b and the capacitor electrode 18a overlap with each other through the inorganic insulating film 15, thereby comparing the metal of the drain electrode 14b. Since the thin inorganic insulating film 15 scatters and easily reaches the capacitor electrode 18a, the image of the cut drain electrode 14b is reduced. And connected to the electrode 20a side and the capacitor electrode 18a can be reliably connected. Thereby, in the sub-pixel P in which the short circuit S has occurred, the pixel electrode 20a is fixed to the potential of the capacitor electrode 18a (for example, the ground potential), and the bright spot can be turned into a black spot. Therefore, the liquid crystal display panel 50 (50a ), The drain electrode 14b (14ba) and the capacitor electrode 18a (18aa) can be reliably connected.
  • FIG. 8 is an enlarged plan view of the connection region R provided in each sub-pixel P of the TFT array substrate 30b constituting the liquid crystal display panel of this embodiment and the vicinity thereof.
  • the pixel electrode (20a) disposed on the entire surface in the drawing is omitted.
  • the same parts as those in FIGS. 1 to 7 are denoted by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
  • region R was illustrated, in this embodiment, the laser beam L is irradiated.
  • a method for manufacturing a liquid crystal display panel in which a part of the Y portion is included in the connection region R will be exemplified.
  • the liquid crystal display panel of this embodiment is provided between the TFT array substrate 30b (see FIG. 8) and the counter substrate 40 (see FIG. 1), and the TFT array substrate 30b and the counter substrate 40 provided so as to face each other.
  • the liquid crystal layer 45 (see FIG. 1), the TFT array substrate 30b and the counter substrate 40 are bonded to each other, and the liquid crystal layer 45 is provided between the TFT array substrate 30b and the counter substrate 40 in a frame shape.
  • a sealing material 46 see FIG. 1).
  • the TFT array substrate 30b covers the transparent substrate 10 (see FIG. 3), the plurality of gate lines 11 (see FIG. 2) provided on the transparent substrate 10 so as to extend in parallel to each other, and the gate lines 11 so as to cover them.
  • a plurality of TFTs 5 (see FIGS. 2 and 3) provided at each intersection of each gate line 11 and each source line 14, and an interlayer insulating film 17 (see FIG. 2 and FIG. 3) provided so as to cover each TFT 5 and each source line 14. 3), a capacitor electrode 18b (see FIG.
  • a capacitor insulating film 19 (see FIG. 3) provided so as to cover the capacitor electrode 18b, and a capacitor insulating film 19 Set in a matrix on top It is provided with a plurality of pixel electrodes 20a which are connected to each TFT 5 (see FIGS. 2 and 3), an alignment film provided so as to cover the pixel electrodes 20a and (not shown).
  • the capacitor electrode 18b protrudes from the lower left portion of the opening 16c of the organic insulating film 16 in the drawing. Then, in the opening 16c of the organic insulating film 16, as shown in FIG. 8, the protruding portions of the drain electrode 14b and the capacitor electrode 18b overlap with each other through the inorganic insulating film 15, so that the connection region R (in the drawing) (See hatched part).
  • the TFT array substrate 30b of this embodiment and the liquid crystal display panel including the same can be manufactured by changing the pattern shape of the capacitor electrode 18a in the TFT array substrate manufacturing process of Embodiment 1 described above. And a detection process is performed with respect to the manufactured liquid crystal display panel provided with the TFT array substrate 30b similarly to the said Embodiment 1, and when the short circuit S is detected, a correction process will be performed. Specifically, in the correction process, as shown in FIG. 2, in the subpixel P in which the short circuit S is detected, the X portion of the drain electrode 14b is irradiated with the laser light L as shown in FIG.
  • the drain electrode 14b and the capacitor electrode 18b of the TFT array substrate 30b are similar to the first embodiment.
  • the interlayer insulating film 17 is formed by sequentially laminating the inorganic insulating film 15 and the organic insulating film 16, and the drain electrode 14 b and the capacitor electrode 18 b are connected to each other through the inorganic insulating film 15 exposed from the organic insulating film 16. Since R is provided, the drain electrode 14b and the capacitor electrode 18b can be reliably connected in the defect correction by blackening of the liquid crystal display panel.
  • the laser light L is irradiated to the end of the connection region R and the outside of the connection region R adjacent thereto in the correction process.
  • the irradiation of the laser beam L is not concentrated only on the connection region R, excessive scattering of the metal of the drain electrode 14b can be suppressed, and the drain electrode 14b and the capacitor electrode 18b can be more reliably connected. it can.
  • FIG. 9 is an enlarged plan view of the connection region R provided in each subpixel P of the TFT array substrate 30c constituting the liquid crystal display panel of this embodiment and the vicinity thereof, and FIG. FIG. 11 is a cross-sectional view of the TFT array substrate 30c along the line X.
  • the TFT array substrates 30a and 30b in which the pixel electrode 20a overlaps with the connection region R are illustrated, but in this embodiment, the TFT array substrate 30c in which the pixel electrode 20b does not overlap with the connection region R is illustrated. To do.
  • the liquid crystal display panel of this embodiment includes a TFT array substrate 30c (see FIGS. 9 and 10) and a counter substrate 40 (see FIG. 1) provided so as to face each other, and between the TFT array substrate 30c and the counter substrate 40.
  • the liquid crystal layer 45 (see FIG. 1) provided on the TFT array substrate 30c and the counter substrate 40 are bonded to each other, and the liquid crystal layer 45 is enclosed between the TFT array substrate 30c and the counter substrate 40 in a frame shape.
  • the sealing material 46 (refer FIG. 1) provided is provided.
  • the TFT array substrate 30c includes a transparent substrate 10, a plurality of gate lines 11 (see FIG. 2) provided on the transparent substrate 10 so as to extend in parallel with each other, and each gate line.
  • a gate insulating film 12 provided so as to cover 11, a plurality of source lines 14 provided on the gate insulating film 12 so as to extend in parallel to each other in a direction orthogonal to the gate lines 11 (see FIG. 2),
  • a plurality of TFTs 5 (see FIGS. 2 and 3) provided at each intersection of each gate line 11 and each source line 14, and an interlayer insulating film 17 provided so as to cover each TFT 5 and each source line 14.
  • the capacitor electrode 18b protrudes from the lower left portion of the opening 16c of the organic insulating film 16 in the drawing.
  • the opening 16c of the organic insulating film 16 as shown in FIGS. 9 and 10, the protruding portions of the drain electrode 14b and the capacitor electrode 18b overlap with each other through the inorganic insulating film 15, thereby connecting regions R ( The hatched portion in FIG. 9) is configured.
  • an opening 20c of the pixel electrode 20b is provided so as to overlap the connection region R.
  • the opening 20c of the pixel electrode 20b is configured to function as a structure for regulating the alignment of the liquid crystal layer 45.
  • the TFT array substrate 30c of this embodiment and the liquid crystal display panel including the same can be manufactured by changing the pattern shape of the capacitor electrode 18a and the pixel electrode 20a in the TFT array substrate manufacturing process of Embodiment 1 described above. . And a detection process is performed with respect to the manufactured liquid crystal display panel provided with the TFT array substrate 30c like the said Embodiment 1, and when the short circuit S is detected, a correction process will be performed. Specifically, in the correction process, as shown in FIG. 2, in the subpixel P in which the short circuit S is detected, the X portion of the drain electrode 14b is irradiated with the laser light L as shown in FIG. In addition to cutting the drain electrode 14b at the X portion, as shown in FIG. 9, by irradiating the Y portion including the outside of the connection region R adjacent to the upper right portion of the connection region R in the drawing, The side of the cut drain electrode 14b connected to the pixel electrode 20b is connected to the capacitor electrode 18b.
  • the drain electrode 14b and the capacitor electrode in the TFT array substrate 30c as in the first and second embodiments.
  • An interlayer insulating film 17 between 18 b is formed by sequentially laminating the inorganic insulating film 15 and the organic insulating film 16, and the drain electrode 14 b and the capacitor electrode 18 b overlap with each other through the inorganic insulating film 15 exposed from the organic insulating film 16. Since the connection region R is provided, the drain electrode 14b and the capacitor electrode 18b can be reliably connected in the defect correction by the blackening of the liquid crystal display panel.
  • the laser beam L is irradiated to the end of the connection region R and the outside of the connection region R adjacent thereto in the correction process.
  • the irradiation of the laser beam L is not concentrated only on the connection region R, excessive scattering of the metal of the drain electrode 14b can be suppressed, and the drain electrode 14b and the capacitor electrode 18b can be more reliably connected. it can.
  • each pixel electrode 20b overlaps the connection region R as a structure for regulating the alignment of the liquid crystal layer 45.
  • the opening 20c is provided, damage to the pixel electrode 20b due to the irradiation of the laser light L to the connection region R can be suppressed.
  • FIG. 11 shows an embodiment of a TFT array substrate and a manufacturing method thereof according to the present invention. Specifically, FIG. 11 is a cross-sectional view of the TFT array substrate 30a in the correction process of this embodiment.
  • the liquid crystal display panel that performs the detection process and the correction process in the panel state and the manufacturing method thereof are exemplified.
  • the TFT array substrate 30a that performs the detection process and the correction process in the substrate state and the manufacture thereof. The method is illustrated.
  • the TFT array substrate 30a of the present embodiment is the same as the TFT array substrate 30a of the first embodiment, but may be the TFT array substrate 30b of the second embodiment or the TFT array substrate 30c of the third embodiment.
  • the TFT array substrate 30a of the present embodiment includes, for example, subpixels P in which a short circuit S has occurred between the source electrode 14a and the drain electrode 14b by optical inspection using a CCD (Charge Coupled Device) camera or inspection using a charge detection method. By detecting, a detection process is performed, and when the short circuit S is detected, a correction process is performed. Specifically, in the correction process, in the sub-pixel P in which the short circuit S is detected, the drain electrode 14b is cut at the X portion by irradiating the X portion (see FIG. 2) of the drain electrode 14b with the laser light L. At the same time, as shown in FIG. 11, by irradiating the Y portion (see FIG. 4) of the connection region R with laser light L, the side of the cut drain electrode 14b connected to the pixel electrode 20a and the capacitor electrode 18a Are connected (see TFT array substrate 30aa in FIG. 7).
  • CCD Charge Coupled Device
  • the interlayer insulating film 17 between the drain electrode 14b and the capacitor electrode 18a is formed by sequentially stacking the inorganic insulating film 15 and the organic insulating film 16. Since the drain electrode 14b and the capacitor electrode 18a are provided with the connection region R that overlaps with each other through the inorganic insulating film 15 exposed from the organic insulating film 16, the drain electrode 14b and the capacitor electrode 18a overlap with each other. In this case, only the relatively thin inorganic insulating film 15 is disposed without the relatively thick organic insulating film 16 as the insulating film for electrically insulating the drain electrode 14b and the capacitor electrode 18a.
  • the short circuit S in the correction process when the sub-pixel P in which the short circuit S has occurred between the source electrode 14a and the drain electrode 14b is detected by the optical inspection or the inspection by the charge detection method in the detection process, the short circuit S in the correction process.
  • the metal of the drain electrode 14b is scattered in the interlayer insulating film 17 (inorganic insulating film 15 and organic insulating film 16) by irradiating the drain electrode 14b with the laser light L from the transparent substrate 10 side.
  • the drain electrode 14b is cut, and the drain electrode 14b and the capacitor electrode 18a are irradiated with laser light L from the transparent substrate 10 side to the connection region R where the drain electrode 14b and the capacitor electrode 18a overlap each other through the inorganic insulating film 15.
  • the metal is scattered in the relatively thin inorganic insulating film 15 and easily reaches the capacitor electrode 18a. It is possible to reliably connect the electrode 14b of the pixel electrode 20a connected to the side and the capacitor electrode 18a.
  • the pixel electrode 20a is fixed to the potential of the capacitor electrode 18a (for example, the ground potential) and becomes a black spot.
  • the drain electrode 14b and the capacitor electrode 18a can be reliably connected.
  • the correction method for cutting the drain electrode 14b is exemplified.
  • the source electrode 14a can be cut, the source electrode 14a is cut at its base instead of cutting the drain electrode 14b. May be.
  • the TFT is exemplified as the switching element.
  • the present invention can also be applied to other three-terminal switching elements such as MOSFET (Metal / Oxide / Semiconductor / Field / Effect / Transistor).
  • each pixel has three subpixels (red, green, and blue) is illustrated.
  • each pixel has four or more subpixels (for example, red, green, and blue).
  • the present invention can also be applied to liquid crystal display panels having green, blue, white, red, green, blue, yellow, and the like.
  • an array substrate in which a plurality of subpixels are arranged in a matrix and a liquid crystal display panel including the same are exemplified.
  • the present invention is an array in which a plurality of subpixels are arranged in a delta shape.
  • the present invention can also be applied to a substrate and a liquid crystal display panel including the substrate.
  • the TFT array substrate in which the TFT electrode connected to the pixel electrode is used as the drain electrode is illustrated.
  • the TFT electrode connected to the pixel electrode is referred to as the source electrode. It can also be applied to a substrate.
  • the present invention is useful for a display panel having an auxiliary capacitor because the drain electrode and the capacitor electrode are reliably connected in defect correction by blackening.

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Abstract

　透明基板（１０）に各副画素毎にそれぞれ設けられ、各々、互いに離間するように配置されたソース電極及びドレイン電極（１４ｂ）を有する複数のスイッチング素子と、各スイッチング素子を覆うように設けられ、無機絶縁膜（１５）及び有機絶縁膜（１６）が順に積層された層間絶縁膜（１７）と、層間絶縁膜（１７）上に設けられた容量電極（１８ａ）と、容量電極（１８ａ）を覆うように設けられた容量絶縁膜（１９）と、容量絶縁膜（１９）上に設けられ、容量電極（１８ａ）に対向して各副画素毎に補助容量（６）を構成し、容量電極（１８ａ）と絶縁状態で各スイッチング素子のドレイン電極（１４ｂ）にそれぞれ接続された複数の画素電極（２０ａ）とを備え、ドレイン電極（１４ｂ）及び容量電極（１８ａ）が有機絶縁膜（１６）から露出する無機絶縁膜（１５）を介して互いに重なる接続領域（Ｒ）を備えている。

Description

液晶表示パネル及びその製造方法、並びにアレイ基板及びその製造方法
　本発明は、液晶表示パネル及びその製造方法、並びにアレイ基板及びその製造方法に関し、特に、液晶表示パネル及びそれを構成するアレイ基板における黒点化による欠陥修正技術に関するものである。
　液晶表示パネルは、例えば、画像の最小単位である各副画素毎に薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor、以下、「ＴＦＴ」とも称する）などが設けられたＴＦＴアレイ基板と、ＴＦＴアレイ基板に対向するように設けられた対向基板と、ＴＦＴアレイ基板及び対向基板の間に設けられた液晶層とを備えている。
　ＴＦＴアレイ基板は、例えば、互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線と、各ゲート線の間にそれぞれ設けられ、互いに平行に延びるように配置された複数の容量線と、各ゲート線及び各容量線を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に各ゲート線と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線と、各ゲート線及び各ソース線の交差部分毎にそれぞれ設けられた複数のＴＦＴと、各ＴＦＴ及び各ソース線を覆うように設けられた層間絶縁膜と、層間絶縁膜上にマトリクス状に設けられ、各ＴＦＴにそれぞれ接続された複数の画素電極とを備えている。
　ＴＦＴは、例えば、ガラス基板などの透明基板に設けられたゲート電極と、ゲート電極を覆うように設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上にゲート電極に重なるように島状に設けられた半導体層と、半導体層上に互いに離間するように設けられたソース電極及びドレイン電極とを備えている。ここで、ゲート電極は、例えば、各ゲート線が側方に突出した部分である。また、ソース電極は、例えば、各ソース線が側方に突出した部分である。さらに、ドレイン電極は、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して画素電極に接続されていると共に、ゲート絶縁膜を介して容量線と重なることにより、補助容量を構成している。
　液晶表示パネルでは、各副画素毎に設けられたＴＦＴにおいて、例えば、ソース電極及びドレイン電極の間に導電性を有する異物や膜残りなどが介在すると、ソース電極及びドレイン電極が短絡するおそれがある。そうなると、その副画素の画素電極には、ソース線からの表示信号が常に入力されるので、その副画素が輝点として検出され易くなってしまう。そのため、輝点が検出された副画素では、例えば、ドレイン電極を切断すると共に、切断されたドレイン電極の画素電極に接続された側とゲート線又は容量線とを接続することにより、輝点を黒点化する欠陥修正が行われることになる。
　例えば、特許文献１には、データバスライン（ソース線）からのデータ信号（表示信号）が印加されない欠陥画素の画素電極を有するＴＦＴ方式の液晶表示装置において、ゲートバスライン（ゲート線）に接続されているＴＦＴのゲート電極の部分に、光エネルギーを照射し、そのゲート電極と欠陥画素の画素電極とをドレイン電極を介して電気的に接続し、欠陥画素の画素電極にゲートバスラインの走査信号を入力する、欠陥画素の修正方法が開示されている。
　ここで、特許文献１のように、ドレイン電極とゲート線とを電気的に接続する修正方法では、液晶層の階調特性によっては輝点が黒点化せずに、中間調の輝点として検出される場合があるので、液晶表示パネルの製造では、ドレイン電極と容量線とを電気的に接続して黒点化する修正方法が主流になっている。
特開平９－１７９１４３号公報
　ところで、上述した構成のＴＦＴアレイ基板では、各副画素に配置された遮光性の容量線により、低開口率になってしまうので、容量線を代わりに、層間絶縁膜及び各画素電極の間に透明な容量電極及び絶縁膜を順に配置させることにより、容量電極と、各画素電極と、それらの間の絶縁膜とにより補助容量を構成して、開口率を向上させた高開口率のＴＦＴアレイ基板が提案されている。
　しかしながら、この高開口率のＴＦＴアレイ基板では、層間絶縁膜が、比較的薄い無機絶縁膜と比較的厚い有機絶縁膜とを順に積層した積層膜により構成されていると、黒点化による欠陥修正を行う際に、透明基板側から接続箇所にレーザー光を照射しても、ドレイン電極と容量線に相当する容量電極とを電気的に接続することが困難である。これは、レーザー光の照射により、ドレイン電極の金属が層間絶縁膜中に飛散しても、層間絶縁膜を構成する有機絶縁膜が比較的厚いので、ドレイン電極の金属が容量線に相当する容量電極に到達しないためと考えられる。これに対して、上述した低開口率のＴＦＴアレイ基板では、透明基板側から接続箇所にレーザー光を照射すると、容量線の金属が比較的薄いゲート絶縁膜中に飛散してドレイン電極に到達することにより、ドレイン電極と容量線とが電気的に接続されて、黒点化による欠陥修正を行うことができる。
　本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、黒点化による欠陥修正において、ドレイン電極と容量電極とを確実に接続することにある。
　上記目的を達成するために、本発明は、ドレイン電極及び容量電極の間の層間絶縁膜が無機絶縁膜及び有機絶縁膜を順に積層して形成され、ドレイン電極及び容量電極が有機絶縁膜から露出する無機絶縁膜を介して互いに重なる接続領域を備えるようにしたものである。
　具体的に本発明に係る液晶表示パネルは、複数の副画素と、互いに対向するように設けられたアレイ基板及び対向基板と、上記アレイ基板及び対向基板の間に設けられた液晶層とを備え、上記アレイ基板が、透明基板に上記各副画素毎にそれぞれ設けられ、各々、互いに離間するように配置されたソース電極及びドレイン電極を有する複数のスイッチング素子と、上記各スイッチング素子を覆うように設けられ、無機絶縁膜及び有機絶縁膜が順に積層された層間絶縁膜と、上記層間絶縁膜上に設けられた容量電極と、上記容量電極を覆うように設けられた容量絶縁膜と、上記容量絶縁膜上に設けられ、上記容量電極に対向して上記各副画素毎に補助容量を構成し、該容量電極と絶縁状態で上記各スイッチング素子のドレイン電極にそれぞれ接続された複数の画素電極とを備えた液晶表示パネルであって、上記アレイ基板には、上記ドレイン電極及び容量電極が上記有機絶縁膜から露出する上記無機絶縁膜を介して互いに重なる接続領域が設けられていることを特徴とする。
　上記の構成によれば、アレイ基板において、ドレイン電極及び容量電極の間の層間絶縁膜が無機絶縁膜及び有機絶縁膜を順に積層して形成され、ドレイン電極及び容量電極が有機絶縁膜から露出する無機絶縁膜を介して互いに重なる接続領域を備えているので、ドレイン電極及び容量電極が互いに重なる接続領域には、ドレイン電極及び容量電極の間を電気的に絶縁する絶縁膜として、比較的厚い有機絶縁膜が配置されずに、比較的薄い無機絶縁膜だけが配置される。そのため、ソース電極及びドレイン電極の間で短絡が発生した副画素が輝点として検出された場合には、例えば、その短絡が発生した副画素において、ドレイン電極にレーザー光を透明基板側から照射することにより、ドレイン電極の金属が層間絶縁膜（無機絶縁膜及び有機絶縁膜）中を飛散して、ドレイン電極が切断されると共に、ドレイン電極及び容量電極が無機絶縁膜を介して互いに重なる接続領域にレーザー光を透明基板側から照射することにより、ドレイン電極の金属が比較的薄い無機絶縁膜中を飛散して容量電極に容易に到達するので、切断されたドレイン電極の画素電極に接続された側と容量電極とが確実に接続される。これにより、短絡が発生した副画素では、画素電極が容量電極の電位（例えば、接地電位）に固定されて、輝点が黒点化されるので、液晶表示パネルの黒点化による欠陥修正において、ドレイン電極と容量電極とが確実に接続される。
　上記各画素電極には、上記接続領域に重なるように開口部が設けられていてもよい。
　上記の構成によれば、各画素電極には、例えば、液晶層の配向を規制するための構造体として、接続領域に重なるように開口部が設けられているので、接続領域に対するレーザー光の照射による画素電極の損傷が抑制される。
　上記アレイ基板の上記接続領域では、上記透明基板上にゲート絶縁膜、上記ドレイン電極、無機絶縁膜、容量電極、容量絶縁膜及び各画素電極が順に積層されていてもよい。
　上記の構成によれば、アレイ基板の接続領域では、画素電極（最上層）／容量絶縁膜／容量電極／無機絶縁膜／ドレイン電極／ゲート絶縁膜／透明基板（最下層）の積層構造を有しているので、ドレイン電極及び容量電極が確実に接続可能な基板構造が具体的に構成される。
　また、本発明に係る液晶表示パネルの製造方法は、複数の副画素と、互いに対向するように設けられたアレイ基板及び対向基板と、上記アレイ基板及び対向基板の間に設けられた液晶層とを備え、上記アレイ基板が、透明基板に上記各副画素毎にそれぞれ設けられ、各々、互いに離間するように配置されたソース電極及びドレイン電極を有する複数のスイッチング素子と、上記各スイッチング素子を覆うように設けられ、無機絶縁膜及び有機絶縁膜が順に積層された層間絶縁膜と、上記層間絶縁膜上に設けられた容量電極と、上記容量電極を覆うように設けられた容量絶縁膜と、上記容量絶縁膜上に設けられ、上記容量電極に対向して上記各副画素毎に補助容量を構成し、該容量電極と絶縁状態で上記各スイッチング素子のドレイン電極にそれぞれ接続された複数の画素電極とを備え、上記アレイ基板には、上記ドレイン電極及び容量電極が上記有機絶縁膜から露出する上記無機絶縁膜を介して互いに重なる接続領域が設けられた液晶表示パネルを製造する方法であって、上記複数の副画素において、上記ソース電極及びドレイン電極の間で短絡が発生した副画素を検出する検出工程と、上記検出工程で短絡が検出された副画素において、上記ドレイン電極にレーザー光を上記透明基板側から照射して該ドレイン電極を切断すると共に、上記接続領域にレーザー光を上記透明基板側から照射して、該切断されたドレイン電極の上記各画素電極に接続された側と上記容量電極とを接続する修正工程とを備えることを特徴とする。
　上記の方法によれば、アレイ基板において、ドレイン電極及び容量電極の間の層間絶縁膜が無機絶縁膜及び有機絶縁膜を順に積層して形成され、ドレイン電極及び容量電極が有機絶縁膜から露出する無機絶縁膜を介して互いに重なる接続領域を備えているので、ドレイン電極及び容量電極が互いに重なる接続領域には、ドレイン電極及び容量電極の間を電気的に絶縁する絶縁膜として、比較的厚い有機絶縁膜が配置されずに、比較的薄い無機絶縁膜だけが配置される。そのため、検出工程において、例えば、点灯検査により、ソース電極及びドレイン電極の間で短絡が発生した副画素が輝点として検出された場合には、修正工程において、その短絡が発生した副画素において、ドレイン電極にレーザー光を透明基板側から照射することにより、ドレイン電極の金属が層間絶縁膜（無機絶縁膜及び有機絶縁膜）中を飛散して、ドレイン電極が切断されると共に、ドレイン電極及び容量電極が無機絶縁膜を介して互いに重なる接続領域にレーザー光を透明基板側から照射することにより、ドレイン電極の金属が比較的薄い無機絶縁膜中を飛散して容量電極に容易に到達するので、切断されたドレイン電極の画素電極に接続された側と容量電極とが確実に接続される。これにより、短絡が発生した副画素では、画素電極が容量電極の電位（例えば、接地電位）に固定されて、輝点が黒点化されるので、液晶表示パネルの黒点化による欠陥修正において、ドレイン電極と容量電極とが確実に接続される。
　上記修正工程では、上記接続領域の端部及び該端部に隣接する該接続領域の外部に上記レーザー光を照射してもよい。
　上記の方法によれば、修正工程では、接続領域の端部及びそれに隣接する接続領域の外部にレーザー光を照射することにより、レーザー光の照射が接続領域だけに集中しないので、ドレイン電極の金属の過度の飛散が抑制され、ドレイン電極と容量電極とがいっそう確実に接続される。
　また、本発明に係るアレイ基板は、複数の副画素と、透明基板に上記各副画素毎にそれぞれ設けられ、各々、互いに離間するように配置されたソース電極及びドレイン電極を有する複数のスイッチング素子と、上記各スイッチング素子を覆うように設けられ、無機絶縁膜及び有機絶縁膜が順に積層された層間絶縁膜と、上記層間絶縁膜上に設けられた容量電極と、上記容量電極を覆うように設けられた容量絶縁膜と、上記容量絶縁膜上に設けられ、上記容量電極に対向して上記各副画素毎に補助容量を構成し、該容量電極と絶縁状態で上記各スイッチング素子のドレイン電極にそれぞれ接続された複数の画素電極とを備えたアレイ基板であって、上記ドレイン電極及び容量電極が上記有機絶縁膜から露出する上記無機絶縁膜を介して互いに重なる接続領域を備えていることを特徴とする。
　上記の構成によれば、ドレイン電極及び容量電極の間の層間絶縁膜が無機絶縁膜及び有機絶縁膜を順に積層して形成され、ドレイン電極及び容量電極が有機絶縁膜から露出する無機絶縁膜を介して互いに重なる接続領域を備えているので、ドレイン電極及び容量電極が互いに重なる接続領域には、ドレイン電極及び容量電極の間を電気的に絶縁する絶縁膜として、比較的厚い有機絶縁膜が配置されずに、比較的薄い無機絶縁膜だけが配置される。そのため、ソース電極及びドレイン電極の間で短絡が発生した副画素が検出された場合には、例えば、その短絡が発生した副画素において、ドレイン電極にレーザー光を透明基板側から照射することにより、ドレイン電極の金属が層間絶縁膜（無機絶縁膜及び有機絶縁膜）中を飛散して、ドレイン電極が切断されると共に、ドレイン電極及び容量電極が無機絶縁膜を介して互いに重なる接続領域にレーザー光を透明基板側から照射することにより、ドレイン電極の金属が比較的薄い無機絶縁膜中を飛散して容量電極に容易に到達するので、切断されたドレイン電極の画素電極に接続された側と容量電極とが確実に接続される。これにより、短絡が発生した副画素では、画素電極が容量電極の電位（例えば、接地電位）に固定されて、黒点化されるので、アレイ基板の黒点化による欠陥修正において、ドレイン電極と容量電極とが確実に接続される。
　また、本発明に係るアレイ基板の製造方法は、複数の副画素と、透明基板に上記各副画素毎にそれぞれ設けられ、各々、互いに離間するように配置されたソース電極及びドレイン電極を有する複数のスイッチング素子と、上記各スイッチング素子を覆うように設けられ、無機絶縁膜及び有機絶縁膜が順に積層された層間絶縁膜と、上記層間絶縁膜上に設けられた容量電極と、上記容量電極を覆うように設けられた容量絶縁膜と、上記容量絶縁膜上に設けられ、上記容量電極に対向して上記各副画素毎に補助容量を構成し、該容量電極と絶縁状態で上記各スイッチング素子のドレイン電極にそれぞれ接続された複数の画素電極と、上記ドレイン電極及び容量電極が上記有機絶縁膜から露出する上記無機絶縁膜を介して互いに重なるように設けられた接続領域とを備えたアレイ基板を製造する方法であって、上記複数の副画素において、上記ソース電極及びドレイン電極の間で短絡が発生した副画素を検出する検出工程と、上記検出工程で短絡が検出された副画素において、上記ドレイン電極にレーザー光を上記透明基板側から照射して該ドレイン電極を切断すると共に、上記接続領域にレーザー光を上記透明基板側から照射して、該切断されたドレイン電極の上記各画素電極に接続された側と上記容量電極とを接続する修正工程とを備えることを特徴とする。
　上記の方法によれば、ドレイン電極及び容量電極の間の層間絶縁膜が無機絶縁膜及び有機絶縁膜を順に積層して形成され、ドレイン電極及び容量電極が有機絶縁膜から露出する無機絶縁膜を介して互いに重なる接続領域を備えているので、ドレイン電極及び容量電極が互いに重なる接続領域には、ドレイン電極及び容量電極の間を電気的に絶縁する絶縁膜として、比較的厚い有機絶縁膜が配置されずに、比較的薄い無機絶縁膜だけが配置される。そのため、検出工程において、光学的検査や電荷検出法による検査により、ソース電極及びドレイン電極の間で短絡が発生した副画素が検出された場合には、修正工程において、その短絡が発生した副画素において、ドレイン電極にレーザー光を透明基板側から照射することにより、ドレイン電極の金属が層間絶縁膜（無機絶縁膜及び有機絶縁膜）中を飛散して、ドレイン電極が切断されると共に、ドレイン電極及び容量電極が無機絶縁膜を介して互いに重なる接続領域にレーザー光を透明基板側から照射することにより、ドレイン電極の金属が比較的薄い無機絶縁膜中を飛散して容量電極に容易に到達するので、切断されたドレイン電極の画素電極に接続された側と容量電極とが確実に接続される。これにより、短絡が発生した副画素では、画素電極が容量電極の電位（例えば、接地電位）に固定されて、黒点化されるので、アレイ基板の黒点化による欠陥修正において、ドレイン電極と容量電極とが確実に接続される。
　本発明によれば、ドレイン電極及び容量電極の間の層間絶縁膜が無機絶縁膜及び有機絶縁膜を順に積層して形成され、ドレイン電極及び容量電極が有機絶縁膜から露出する無機絶縁膜を介して互いに重なる接続領域を備えているので、黒点化による欠陥修正において、ドレイン電極と容量電極とを確実に接続することができる。
図１は、実施形態１に係る液晶表示パネルの断面図である。 図２は、実施形態１に係る液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板の各副画素の平面図である。 図３は、図２中のIII－III線に沿ったＴＦＴアレイ基板の断面図である。 図４は、ＴＦＴアレイ基板の各副画素に設けられた接続領域及びその近傍を拡大した平面図である。 図５は、図４中のV－V線に沿ったＴＦＴアレイ基板の断面図である。 図６は、修正工程における液晶表示パネルの断面図である。 図７は、図６の液晶表示パネルの修正工程後の断面図である。 図８は、実施形態２に係る液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板の各副画素に設けられた接続領域及びその近傍を拡大した平面図である。 図９は、実施形態３に係る液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板の各副画素に設けられた接続領域及びその近傍を拡大した平面図である。 図１０は、図９中のX－X線に沿ったＴＦＴアレイ基板の断面図である。 図１１は、実施形態４に係る修正工程におけるＴＦＴアレイ基板の断面図である。
　以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は、以下の各実施形態に限定されるものではない。
　《発明の実施形態１》
　図１～図７は、本発明に係る液晶表示パネル及びその製造方法の実施形態１を示している。具体的に、図１は、本実施形態の液晶表示パネル５０の断面図である。また、図２は、液晶表示パネル５０を構成するＴＦＴアレイ基板３０ａの各副画素Ｐの平面図であり、図３は、図２中のIII－III線に沿ったＴＦＴアレイ基板３０ａの断面図である。さらに、図４は、ＴＦＴアレイ基板３０ａの各副画素Ｐに設けられた接続領域Ｒ及びその近傍を拡大した平面図であり、図５は、図４中のV－V線に沿ったＴＦＴアレイ基板３０ａの断面図である。
　液晶表示パネル５０は、図１に示すように、互いに対向するように設けられたＴＦＴアレイ基板３０ａ及び対向基板４０と、ＴＦＴアレイ基板３０ａ及び対向基板４０の間に設けられた液晶層４５と、ＴＦＴアレイ基板３０ａ及び対向基板４０を互いに接着すると共に、ＴＦＴアレイ基板３０ａ及び対向基板４０の間に液晶層４５を封入するために枠状に設けられたシール材４６とを備えている。ここで、液晶表示パネル５０では、図１に示すように、対向基板４０から突出するＴＦＴアレイ基板３０ａの表面に端子領域Ｔが規定さえ、シール材４６の内側に表示領域Ｄが規定されている。そして、表示領域Ｄでは、複数の副画素Ｐ（図２参照）がマトリクス状に配列されている。
　ＴＦＴアレイ基板３０ａは、図２及び図３に示すように、透明基板１０と、透明基板１０上に互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線１１と、各ゲート線１１を覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に各ゲート線１１と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線１４と、各ゲート線１１及び各ソース線１４の交差部分毎、すなわち、各副画素Ｐ毎にそれぞれ設けられた複数のＴＦＴ５と、各ＴＦＴ５及び各ソース線１４を覆うように設けられた層間絶縁膜１７と、層間絶縁膜１７上に設けられた容量電極１８ａと、容量電極１８ａを覆うように設けられた容量絶縁膜１９と、容量絶縁膜１９上にマトリクス状に設けられ、各ＴＦＴ５にそれぞれ接続された複数の画素電極２０ａと、各画素電極２０ａを覆うように設けられた配向膜（不図示）とを備えている。
　ＴＦＴ５は、図２及び図３に示すように、透明基板１０上に設けられたゲート電極１１ａと、ゲート電極１１ａを覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上にゲート電極１１ａに重なるように島状に設けられた半導体層１３と、半導体層１３上に互いに離間するように設けられたソース電極１４ａ及びドレイン電極１４ｂとを備えている。
　ゲート電極１１ａは、図２に示すように、各ゲート線１１が各副画素Ｐ毎に側方に突出した部分である。なお、本実施形態では、各ゲート線１１の側方に突出した部分からなるゲート電極１１ａを例示したが、このゲート電極は、線状に延びるゲート線１１の一部分であってもよい。
　半導体層１３は、例えば、チャネル領域を有する真性アモルファスシリコン層（不図示）と、チャネル領域が露出するように真性アモルファスシリコン層上に設けられ、ソース電極１４ａ及びドレイン電極１４ｂにそれぞれ接続されたｎ＋アモルファスシリコン層（不図示）とを備えている。なお、本実施形態では、半導体層１３として、アモルファスシリコンを例示したが、半導体層１３は、例えば、ポリシリコンやＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ－Ｏ系などの酸化物半導体であってもよい。
　ソース電極１４ａは、図２に示すように、各ソース線１４が各副画素Ｐ毎に側方に突出した部分である。なお、本実施形態では、各ソース線１４の側方に突出した部分からなるソース電極１４ａを例示したが、このソース電極は、線状に延びるソース線１４の一部分であってもよい。
　ドレイン電極１４ｂは、図２及び図３に示すように、容量電極１８ａと絶縁状態で、すなわち、容量電極１８ａを覆う容量絶縁膜１９に形成されたコンタクトホール１９ｃを介して、画素電極２０ａに接続されている。
　容量電極１８ａは、図３～図５に示すように、全ての副画素Ｐにわたって一体に形成され、各副画素Ｐ毎に、ドレイン電極１４ｂと画素電極２０ａとの接続部分で開口部１８ｃを有している。そして、容量電極１８ａは、図３及び図５に示すように、容量絶縁膜１９を介して、画素電極２０ａに対向することにより、各副画素Ｐ毎に補助容量６を構成している。また、容量電極１８ａは、図４に示すように、後述する有機絶縁膜１６の開口部１６ｃの図中左中部に突出している。
　層間絶縁膜１７は、図３及び図５に示すように、透明基板１０側に設けられた無機絶縁膜１５と、無機絶縁膜１５に積層された有機絶縁膜１６とを備えている。ここで、有機絶縁膜１６は、図３～図５に示すように、ドレイン電極１４ｂと画素電極２０ａとの接続部分において開口部１６ｃを有し、開口部１６ｃでは、無機絶縁膜１５が有機絶縁膜１６から露出している。そして、有機絶縁膜１６の開口部１６ｃでは、図４及び図５に示すように、ドレイン電極１４ｂ、及び容量電極１８ａの突出部分が無機絶縁膜１５を介して互いに重なることにより、接続領域Ｒ（図４中のハッチング部分参照）が構成されている。また、接続領域Ｒでは、図５に示すように、画素電極２０ａ（最上層）／容量絶縁膜１９／容量電極１８ａ／無機絶縁膜１５／ドレイン電極１４ｂ／ゲート絶縁膜１２／透明基板１０（最下層）の積層構造を有している。なお、図４では、図中全面に配置する画素電極（２０ａ）が省略されている。
　対向基板４０は、例えば、透明基板（不図示）と、透明基板上に格子状に設けられたブラックマトリクス（不図示）と、ブラックマトリクスの各格子間にそれぞれ設けられた赤色層、緑色層及び青色層などの複数の着色層（不図示）と、ブラックマトリクス、各着色層を覆うように設けられた共通電極（不図示）と、共通電極上に柱状に設けられた複数のフォトスペーサ（不図示）と、共通電極及び各フォトスペーサを覆うように設けられた配向膜（不図示）とを備えている。
　液晶層４５は、電気光学特性を有するネマチックの液晶材料などにより構成されている。
　上記構成の液晶表示パネル５０は、ＴＦＴアレイ基板３０ａ上の各画素電極２０ａと対向基板４０上の共通電極との間に配置する液晶層４５に各副画素Ｐ毎に所定の電圧を印加して、液晶層４５の配向状態を変えることにより、各副画素Ｐにパネル内を透過する光の透過率を調整して、画像を表示するように構成されている。
　次に、本実施形態の液晶表示パネル５０ａの製造方法について、図６及び図７を用いて説明する。ここで、本実施形態の液晶表示パネル５０ａの製造方法は、ＴＦＴアレイ基板製造工程、対向基板製造工程、液晶注入工程、検出工程及び修正工程を備える。なお、図６は、修正工程における液晶表示パネル５０の断面図であり、図７は、図６の液晶表示パネル５０に対して、修正工程を行った後の液晶表示パネル５０ａの断面図である。
　＜ＴＦＴアレイ基板製造工程＞
　まず、ガラス基板やプラスチック基板などの透明基板１０の基板全体に、例えば、スパッタリング法により、モリブデン膜（厚さ１５０ｎｍ程度）などを成膜した後に、そのモリブデン膜に対して、フォトリソグラフィ、エッチング及びレジストの剥離洗浄を行うことにより、ゲート線１１及びゲート電極１１ａを形成する。なお、本実施形態では、モリブデン膜を用いてゲート線１１及びゲート電極１１ａを形成する方法を例示したが、例えば、アルミニウム膜、タングステン膜、タンタル膜、クロム膜、チタン膜、銅膜などの金属膜、その合金膜や金属窒化膜、又はそれらの積層膜を用いて、ゲート線１１及びゲート電極１１ａを形成してもよい。
　続いて、ゲート線１１及びゲート電極１１ａが形成された基板全体に、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、窒化シリコン膜（厚さ１００ｎｍ～６００ｎｍ程度）を成膜して、ゲート絶縁膜１２を形成する。なお、本実施形態では、窒化シリコン膜を用いて、ゲート絶縁膜１２を形成する方法を例示したが、例えば、酸化シリコン膜（ＳｉＯｘ）、酸化窒化シリコン膜（ＳｉＯｘＮｙ、ｘ＞ｙ）、窒化酸化シリコン膜（ＳｉＮｘＯｙ、ｘ＞ｙ）などの単層膜、又はそれらの積層膜を用いて、ゲート絶縁膜１２を形成してもよい。
　そして、ゲート絶縁膜１２が形成された基板全体に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、真性アモルファスシリコン膜（厚さ１００ｎｍ程度）及びリンがドープされたｎ＋アモルファスシリコン膜（厚さ５０ｎｍ程度）を順に成膜した後に、真性アモルファスシリコン膜及びｎ＋アモルファスシリコン膜の積層膜に対して、フォトリソグラフィ、エッチング及びレジストの剥離洗浄を行うことにより、半導体層形成部（１３）を形成する。
　さらに、半導体層形成部（１３）が形成された基板全体に、例えば、スパッタリング法により、チタン膜（厚さ２０ｎｍ～１５０ｎｍ程度）及びアルミニウム膜（厚さ５０ｎｍ～４００ｎｍ程度）などを順に成膜した後に、その金属積層膜に対して、フォトリソグラフィ、エッチング及びレジストの剥離洗浄を行うことにより、ソース線１４、ソース電極１４ａ及びドレイン電極１４ｂを形成する。なお、本実施形態では、チタン膜及びアルミニウム膜の金属積層膜を用いて、ソース線１４、ソース電極１４ａ及びドレイン電極１４ｂを形成する方法を例示したが、例えば、アルミニウム膜、タングステン膜、モリブデン膜、タンタル膜、クロム膜、チタン膜、銅膜などの金属膜、その合金膜や金属窒化膜、又はそれらの積層膜を用いて、ソース線１４、ソース電極１４ａ及びドレイン電極１４ｂを形成してもよい。
　続いて、ソース電極１４ａ及びドレイン電極１４ｂをマスクとして、上記半導体層形成部のｎ＋アモルファスシリコン膜をエッチングすることにより、チャネル領域を形成して、半導体層１３及びそれを備えたＴＦＴ５を形成する。
　そして、ＴＦＴ５が形成された基板全体に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機絶縁膜（１５）を厚さ３００ｎｍ程度で成膜する。
　さらに、無機絶縁膜（１５）が成膜された基板全体に、例えば、スピンコート法又はスリットコート法により、感光性のアクリル樹脂などからなる感光性樹脂膜を厚さ２．０μｍ～４．０μｍ程度に塗布した後に、その感光性樹脂膜に対して、露光、現像及びベーキングを行うことにより、開口部１６ｃを有する有機絶縁膜１６を形成する。
　続いて、有機絶縁膜１６が形成された基板全体に、例えば、スパッタリング法により、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜などの透明導電膜を厚さ５０ｎｍ～２００ｎｍ程度で成膜した後に、その透明導電膜に対して、フォトリソグラフィ、エッチング及びレジストの剥離洗浄を行うことにより、開口部１８ｃを有する容量電極１８ａを形成する。
　そして、容量電極１８ａが形成された基板全体に、例えば、プラズマＣＶＤ法により、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜などの無機絶縁膜を厚さ３００ｎｍ程度で成膜した後に、その無機絶縁膜（１９）及び先に成膜した無機絶縁膜（１５）に対して、フォトリソグラフィ、エッチング及びレジストの剥離洗浄を行うことにより、無機絶縁膜１５及び有機絶縁膜１６からなる層間絶縁膜１７、並びにコンタクトホール１９ｃを有する容量絶縁膜１９を形成する。
　さらに、層間絶縁膜１７及び容量絶縁膜１９が形成された基板全体に、例えば、スパッタリング法により、ＩＴＯ膜などの透明導電膜を厚さ５０ｎｍ～２００ｎｍ程度で成膜した後に、その透明導電膜に対して、フォトリソグラフィ、エッチング及びレジストの剥離洗浄を行うことにより、画素電極２０ａを形成する。
　最後に、画素電極２０ａが形成された基板全体に、例えば、印刷法によりポリイミドの樹脂膜を塗布した後に、その塗布膜に対して、焼成及びラビング処理を行うことにより、配向膜を形成する。
　以上のようにして、ＴＦＴアレイ基板３０ａを製造することができる。
　＜対向基板製造工程＞
　まず、ガラス基板やプラスチック基板などの透明基板の基板全体に、例えば、スピンコート法又はスリットコート法により、黒色に着色された感光性樹脂を塗布した後に、その塗布膜に対して、露光、現像及びベーキングを行うことにより、ブラックマトリクスを厚さ１．０μｍ程度に形成する。
　続いて、上記ブラックマトリクスが形成された基板全体に、例えば、スピンコート法又はスリットコート法により、例えば、赤色、緑色又は青色に着色された感光性樹脂を塗布した後に、その塗布膜に対して、露光、現像及びベーキングを行うことにより、選択した色の着色層（例えば、赤色層）を厚さ２．０μｍ程度に形成する。そして、他の２色についても同様な工程を繰り返して、他の２色の着色層（例えば、緑色層及び青色層）を厚さ２．０μｍ程度に形成する。
　そして、上記各着色層が形成された基板全体に、例えば、スパッタリング法により、ＩＴＯ膜などの透明導電膜を厚さ５０ｎｍ～２００ｎｍ程度で成膜することにより、共通電極を形成する。
　さらに、上記共通電極が形成された基板全体に、例えば、スピンコート法又はスリットコート法により、感光性のアクリル樹脂などからなる感光性樹脂膜を塗布した後に、その感光性樹脂膜に対して、露光、現像及びベーキングを行うことにより、フォトスペーサを厚さ４．０μｍ程度に形成する。
　最後に、上記フォトスペーサが形成された基板全体に、例えば、印刷法によりポリイミドの樹脂膜を塗布した後に、その塗布膜に対して、焼成及びラビング処理を行うことにより、配向膜を形成する。
　以上のようにして、対向基板４０を製造することができる。
　＜液晶注入工程＞
　まず、例えば、上記対向基板製造工程で製造された対向基板４０の表面に、ＵＶ（ultraviolet）硬化及び熱硬化の併用型樹脂などからなるシール材４６を枠状に印刷した後に、シール材４６の内側に液晶材料を滴下する。
　続いて、上記液晶材料が滴下された対向基板４０と、上記ＴＦＴアレイ基板製造工程で製造されたＴＦＴアレイ基板３０ａとを、減圧下で貼り合わせた後に、その貼り合わせた貼合体を大気圧に開放することにより、その貼合体の表面及び裏面を加圧する。
　さらに、上記貼合体に挟持されたシール材４６にＵＶ光を照射した後に、その貼合体を加熱することによりシール材４６を硬化させる。
　最後に、上記シール材４６を硬化させた貼合体を、例えば、ダイシングにより分断することにより、その不要な部分を除去する。
　以上のようにして、液晶表示パネル５０（検査前）を製造することができる。
　＜検出工程＞
　上記製造された液晶表示パネル５０において、各ゲート線１１に、バイアス電圧－１０Ｖ、周期１６．７ｍｓｅｃ、パルス幅５０μｓｅｃの＋１５Ｖのパルス電圧のゲート検査信号を入力して、全ての副画素ＰのＴＦＴ５をオン状態にすると共に、各ソース線１４に、１６．７ｍｓｅｃ毎に極性が反転する±２Ｖの電位のソース検査信号を入力することにより、各ＴＦＴ５を介して画素電極２０ａにソース検査信号を入力する。そして、同時に、対向基板４０の共通電極に直流で－１Ｖの電位の共通電極検査信号を入力することにより、ＴＦＴアレイ基板３０ａの各画素電極２０ａと対向基板４０の共通電極との間に配置する液晶層４５に電圧を印加して、各画素電極２０ａにより構成される各副画素Ｐが点灯状態になる。このとき、例えば、ノーマリブラックモード（電圧無印加時に黒表示）の液晶表示パネル５０では、表示画面が黒表示から白表示となる。ここで、膜残りなどにより、ソース電極１４ａ及びドレイン電極１４ｂの間で短絡Ｓ（図２中の２点鎖線参照）が発生した副画素Ｐでは、ＴＦＴ５のオン／オフ制御に関係せず、画素電極２０ａにソース検査信号が常に入力されるので、その副画素Ｐは、黒表示の表示画面において輝点として検出される。
　＜修正工程＞
　上記検出工程で短絡Ｓが検出された場合には、その検出された副画素Ｐにおいて、図２及び図６に示すように、ドレイン電極１４ｂのＸ部にレーザー光Ｌを照射することにより、ドレイン電極１４ｂをＸ部で切断すると共に、接続領域ＲのＹ部にレーザー光Ｌを照射することにより、切断されたドレイン電極１４ｂの画素電極２０ａに接続された側と容量電極１８ａとを接続する。ここで、図７の修正工程後の液晶表示パネル５０ａでは、互いに接続されたドレイン電極１４ｂ及び容量電極１８ａの符号をそれぞれ１４ｂａ及び１８ａａとし、それらの間に配置する無機絶縁膜１５の符号を１５ａとし、それらを備えたＴＦＴアレイ基板３０ａの符号を３０ａａとしている。また、レーザー光Ｌは、例えば、ＹＡＧ（Yttrium Aluminium Garnet）レーザーなどから、２．５μｍ×２．５μｍ程度のスポットサイズで出力されたものである。なお、接続領域Ｒは、その大きさが５μｍ×５μｍ程度以上あれば、接続領域Ｒにレーザー光を照射して、修正可能である。
　以上のようにして、黒点化による欠陥修正が行われた液晶表示パネル５０ａを製造することができる。
　以上説明したように、本実施形態の液晶表示パネル５０（５０ａ）及びその製造方法によれば、ＴＦＴアレイ基板３０ａにおいて、ドレイン電極１４ｂ及び容量電極１８ａの間の層間絶縁膜１７が無機絶縁膜１５及び有機絶縁膜１６を順に積層して形成され、ドレイン電極１４ｂ及び容量電極１８ａが有機絶縁膜１６から露出する無機絶縁膜１５を介して互いに重なる接続領域Ｒを備えているので、ドレイン電極１４ｂ及び容量電極１８ａが互いに重なる接続領域Ｒには、ドレイン電極１４ｂ及び容量電極１８ａの間を電気的に絶縁する絶縁膜として、比較的厚い有機絶縁膜１６が配置されずに、比較的薄い無機絶縁膜１５だけが配置される。そのため、検出工程において、点灯検査により、ソース電極１４ａ及びドレイン電極１４ｂの間で短絡Ｓが発生した副画素Ｐが輝点として検出された場合には、修正工程において、その短絡Ｓが発生した副画素Ｐにおいて、ドレイン電極１４ｂにレーザー光Ｌを透明基板１０側から照射することにより、ドレイン電極１４ｂの金属が層間絶縁膜１７（無機絶縁膜１５及び有機絶縁膜１６）中を飛散して、ドレイン電極１４ｂが切断されると共に、ドレイン電極１４ｂ及び容量電極１８ａが無機絶縁膜１５を介して互いに重なる接続領域Ｒにレーザー光Ｌを透明基板１０側から照射することにより、ドレイン電極１４ｂの金属が比較的薄い無機絶縁膜１５中を飛散して容量電極１８ａに容易に到達するので、切断されたドレイン電極１４ｂの画素電極２０ａに接続された側と容量電極１８ａとを確実に接続することができる。これにより、短絡Ｓが発生した副画素Ｐでは、画素電極２０ａが容量電極１８ａの電位（例えば、接地電位）に固定されて、輝点を黒点化することができるので、液晶表示パネル５０（５０ａ）の黒点化による欠陥修正において、ドレイン電極１４ｂ（１４ｂａ）と容量電極１８ａ（１８ａａ）とを確実に接続することができる。
　《発明の実施形態２》
　図８は、本実施形態の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板３０ｂの各副画素Ｐに設けられた接続領域Ｒ及びその近傍を拡大した平面図である。ここで、図８では、図４と同様に、図中全面に配置する画素電極（２０ａ）が省略されている。なお、以下の各実施形態において、図１～図７と同じ部分については同じ符号を付して、その詳細な説明を省略する。
　上記実施形態１では、レーザー光Ｌを照射するＹ部の大部分が接続領域Ｒに含まれる液晶表示パネル５０（５０ａ）の製造方法を例示したが、本実施形態では、レーザー光Ｌを照射するＹ部の一部分が接続領域Ｒに含まれる液晶表示パネルの製造方法を例示する。
　本実施形態の液晶表示パネルは、互いに対向するように設けられたＴＦＴアレイ基板３０ｂ（図８参照）及び対向基板４０（図１参照）と、ＴＦＴアレイ基板３０ｂ及び対向基板４０の間に設けられた液晶層４５（図１参照）と、ＴＦＴアレイ基板３０ｂ及び対向基板４０を互いに接着すると共に、ＴＦＴアレイ基板３０ｂ及び対向基板４０の間に液晶層４５を封入するために枠状に設けられたシール材４６（図１参照）とを備えている。
　ＴＦＴアレイ基板３０ｂは、透明基板１０（図３参照）と、透明基板１０上に互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線１１（図２参照）と、各ゲート線１１を覆うように設けられたゲート絶縁膜１２（図３参照）と、ゲート絶縁膜１２上に各ゲート線１１と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線１４（図２参照）と、各ゲート線１１及び各ソース線１４の交差部分毎にそれぞれ設けられた複数のＴＦＴ５（図２及び図３参照）と、各ＴＦＴ５及び各ソース線１４を覆うように設けられた層間絶縁膜１７（図３参照）と、層間絶縁膜１７上に設けられた容量電極１８ｂ（図８参照）と、容量電極１８ｂを覆うように設けられた容量絶縁膜１９（図３参照）と、容量絶縁膜１９上にマトリクス状に設けられ、各ＴＦＴ５にそれぞれ接続された複数の画素電極２０ａ（図２及び図３参照）と、各画素電極２０ａを覆うように設けられた配向膜（不図示）とを備えている。
　ＴＦＴアレイ基板３０ｂでは、図８に示すように、容量電極１８ｂが有機絶縁膜１６の開口部１６ｃの図中左下部に突出している。そして、有機絶縁膜１６の開口部１６ｃでは、図８に示すように、ドレイン電極１４ｂ、及び容量電極１８ｂの突出部分が無機絶縁膜１５を介して互いに重なることにより、接続領域Ｒ（図中のハッチング部分参照）が構成されている。
　本実施形態のＴＦＴアレイ基板３０ｂ及びそれを備えた液晶表示パネルは、上記実施形態１のＴＦＴアレイ基板製造工程において、容量電極１８ａのパターン形状を変更すれば、製造することができる。そして、製造されたＴＦＴアレイ基板３０ｂを備えた液晶表示パネルに対して、上記実施形態１と同様に、検出工程を行い、短絡Ｓが検出された場合には、修正工程を行うことになる。具体的に、その修正工程では、短絡Ｓが検出された副画素Ｐにおいて、上記実施形態１と同様に、図２に示すように、ドレイン電極１４ｂのＸ部にレーザー光Ｌを照射することにより、ドレイン電極１４ｂをＸ部で切断すると共に、図８に示すように、接続領域Ｒの図中右上部及びそれに隣接する接続領域Ｒの外部を含むＹ部にレーザー光Ｌを照射することにより、切断されたドレイン電極１４ｂの画素電極２０ａに接続された側と容量電極１８ｂとを接続する。
　以上説明したように、本実施形態のＴＦＴアレイ基板３０ｂを備えた液晶表示パネル及びその製造方法によれば、上記実施形態１と同様に、ＴＦＴアレイ基板３０ｂにおいて、ドレイン電極１４ｂ及び容量電極１８ｂの間の層間絶縁膜１７が無機絶縁膜１５及び有機絶縁膜１６を順に積層して形成され、ドレイン電極１４ｂ及び容量電極１８ｂが有機絶縁膜１６から露出する無機絶縁膜１５を介して互いに重なる接続領域Ｒを備えているので、液晶表示パネルの黒点化による欠陥修正において、ドレイン電極１４ｂと容量電極１８ｂとを確実に接続することができる。
　また、本実施形態のＴＦＴアレイ基板３０ｂを備えた液晶表示パネル及びその製造方法によれば、修正工程では、接続領域Ｒの端部及びそれに隣接する接続領域Ｒの外部にレーザー光Ｌを照射することにより、レーザー光Ｌの照射が接続領域Ｒだけに集中しないので、ドレイン電極１４ｂの金属の過度の飛散を抑制することができ、ドレイン電極１４ｂと容量電極１８ｂとをいっそう確実に接続することができる。
　《発明の実施形態３》
　図９は、本実施形態の液晶表示パネルを構成するＴＦＴアレイ基板３０ｃの各副画素Ｐに設けられた接続領域Ｒ及びその近傍を拡大した平面図であり、図１０は、図９中のX－X線に沿ったＴＦＴアレイ基板３０ｃの断面図である。
　上記各実施形態では、接続領域Ｒに画素電極２０ａが重なっているＴＦＴアレイ基板３０ａ及び３０ｂを例示したが、本実施形態では、接続領域Ｒに画素電極２０ｂが重なっていないＴＦＴアレイ基板３０ｃを例示する。
　本実施形態の液晶表示パネルは、互いに対向するように設けられたＴＦＴアレイ基板３０ｃ（図９及び図１０参照）及び対向基板４０（図１参照）と、ＴＦＴアレイ基板３０ｃ及び対向基板４０の間に設けられた液晶層４５（図１参照）と、ＴＦＴアレイ基板３０ｃ及び対向基板４０を互いに接着すると共に、ＴＦＴアレイ基板３０ｃ及び対向基板４０の間に液晶層４５を封入するために枠状に設けられたシール材４６（図１参照）とを備えている。
　ＴＦＴアレイ基板３０ｃは、図９及び図１０に示すように、透明基板１０と、透明基板１０上に互いに平行に延びるように設けられた複数のゲート線１１（図２参照）と、各ゲート線１１を覆うように設けられたゲート絶縁膜１２と、ゲート絶縁膜１２上に各ゲート線１１と直交する方向に互いに平行に延びるように設けられた複数のソース線１４（図２参照）と、各ゲート線１１及び各ソース線１４の交差部分毎にそれぞれ設けられた複数のＴＦＴ５（図２及び図３参照）と、各ＴＦＴ５及び各ソース線１４を覆うように設けられた層間絶縁膜１７と、層間絶縁膜１７上に設けられた容量電極１８ｂと、容量電極１８ｂを覆うように設けられた容量絶縁膜１９と、容量絶縁膜１９上にマトリクス状に設けられ、各ＴＦＴ５にそれぞれ接続された複数の画素電極２０ｂと、各画素電極２０ｂを覆うように設けられた配向膜（不図示）とを備えている。
　ＴＦＴアレイ基板３０ｃでは、図９に示すように、容量電極１８ｂが有機絶縁膜１６の開口部１６ｃの図中左下部に突出している。そして、有機絶縁膜１６の開口部１６ｃでは、図９及び図１０に示すように、ドレイン電極１４ｂ、及び容量電極１８ｂの突出部分が無機絶縁膜１５を介して互いに重なることにより、接続領域Ｒ（図９中のハッチング部分参照）が構成されている。
　また、ＴＦＴアレイ基板３０ｃでは、図９及び図１０に示すように、接続領域Ｒに重なるように、画素電極２０ｂの開口部２０ｃが設けられている。ここで、画素電極２０ｂの開口部２０ｃは、液晶層４５の配向を規制するための構造体として機能するよう構成されている。
　本実施形態のＴＦＴアレイ基板３０ｃ及びそれを備えた液晶表示パネルは、上記実施形態１のＴＦＴアレイ基板製造工程において、容量電極１８ａ及び画素電極２０ａのパターン形状を変更すれば、製造することができる。そして、製造されたＴＦＴアレイ基板３０ｃを備えた液晶表示パネルに対して、上記実施形態１と同様に、検出工程を行い、短絡Ｓが検出された場合には、修正工程を行うことになる。具体的に、その修正工程では、短絡Ｓが検出された副画素Ｐにおいて、上記実施形態１と同様に、図２に示すように、ドレイン電極１４ｂのＸ部にレーザー光Ｌを照射することにより、ドレイン電極１４ｂをＸ部で切断すると共に、図９に示すように、接続領域Ｒの図中右上部及びそれに隣接する接続領域Ｒの外部を含むＹ部にレーザー光Ｌを照射することにより、切断されたドレイン電極１４ｂの画素電極２０ｂに接続された側と容量電極１８ｂとを接続する。
　以上説明したように、本実施形態のＴＦＴアレイ基板３０ｃを備えた液晶表示パネル及びその製造方法によれば、上記実施形態１及び２と同様に、ＴＦＴアレイ基板３０ｃにおいて、ドレイン電極１４ｂ及び容量電極１８ｂの間の層間絶縁膜１７が無機絶縁膜１５及び有機絶縁膜１６を順に積層して形成され、ドレイン電極１４ｂ及び容量電極１８ｂが有機絶縁膜１６から露出する無機絶縁膜１５を介して互いに重なる接続領域Ｒを備えているので、液晶表示パネルの黒点化による欠陥修正において、ドレイン電極１４ｂと容量電極１８ｂとを確実に接続することができる。
　また、本実施形態のＴＦＴアレイ基板３０ｃを備えた液晶表示パネル及びその製造方法によれば、修正工程では、接続領域Ｒの端部及びそれに隣接する接続領域Ｒの外部にレーザー光Ｌを照射することにより、レーザー光Ｌの照射が接続領域Ｒだけに集中しないので、ドレイン電極１４ｂの金属の過度の飛散を抑制することができ、ドレイン電極１４ｂと容量電極１８ｂとをいっそう確実に接続することができる。
　また、本実施形態のＴＦＴアレイ基板３０ｃを備えた液晶表示パネル及びその製造方法によれば、各画素電極２０ｂには、液晶層４５の配向を規制するための構造体として、接続領域Ｒに重なるように開口部２０ｃが設けられているので、接続領域Ｒに対するレーザー光Ｌの照射による画素電極２０ｂの損傷を抑制することができる。
　《発明の実施形態４》
　図１１は、本発明に係るＴＦＴアレイ基板及びその製造方法の実施形態を示している。具体的に、図１１は、本実施形態の修正工程におけるＴＦＴアレイ基板３０ａの断面図である。
　上記各実施形態では、パネル状態で検出工程及び修正工程を行う液晶表示パネル及びその製造方法を例示したが、本実施形態では、基板状態で検出工程及び修正工程を行うＴＦＴアレイ基板３０ａ及びその製造方法を例示する。
　本実施形態のＴＦＴアレイ基板３０ａは、上記実施形態１のＴＦＴアレイ基板３０ａと同一であるが、上記実施形態２のＴＦＴアレイ基板３０ｂや上記実施形態３のＴＦＴアレイ基板３０ｃであってもよい。
　本実施形態のＴＦＴアレイ基板３０ａは、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）カメラによる光学的検査や電荷検出法による検査により、ソース電極１４ａ及びドレイン電極１４ｂの間で短絡Ｓが発生した副画素Ｐが検出することにより、検出工程を行い、短絡Ｓが検出された場合には、修正工程を行うことになる。具体的に、その修正工程では、短絡Ｓが検出された副画素Ｐにおいて、ドレイン電極１４ｂのＸ部（図２参照）にレーザー光Ｌを照射することにより、ドレイン電極１４ｂをＸ部で切断すると共に、図１１に示すように、接続領域ＲのＹ部（図４参照）にレーザー光Ｌを照射することにより、切断されたドレイン電極１４ｂの画素電極２０ａに接続された側と容量電極１８ａとを接続する（図７中のＴＦＴアレイ基板３０ａａ参照）。
　以上説明したように、本実施形態のＴＦＴアレイ基板３０ａ及びその製造方法によれば、ドレイン電極１４ｂ及び容量電極１８ａの間の層間絶縁膜１７が無機絶縁膜１５及び有機絶縁膜１６を順に積層して形成され、ドレイン電極１４ｂ及び容量電極１８ａが有機絶縁膜１６から露出する無機絶縁膜１５を介して互いに重なる接続領域Ｒを備えているので、ドレイン電極１４ｂ及び容量電極１８ａが互いに重なる接続領域Ｒには、ドレイン電極１４ｂ及び容量電極１８ａの間を電気的に絶縁する絶縁膜として、比較的厚い有機絶縁膜１６が配置されずに、比較的薄い無機絶縁膜１５だけが配置される。そのため、検出工程において、光学的検査や電荷検出法による検査により、ソース電極１４ａ及びドレイン電極１４ｂの間で短絡Ｓが発生した副画素Ｐが検出された場合には、修正工程において、その短絡Ｓが発生した副画素Ｐにおいて、ドレイン電極１４ｂにレーザー光Ｌを透明基板１０側から照射することにより、ドレイン電極１４ｂの金属が層間絶縁膜１７（無機絶縁膜１５及び有機絶縁膜１６）中を飛散して、ドレイン電極１４ｂが切断されると共に、ドレイン電極１４ｂ及び容量電極１８ａが無機絶縁膜１５を介して互いに重なる接続領域Ｒにレーザー光Ｌを透明基板１０側から照射することにより、ドレイン電極１４ｂの金属が比較的薄い無機絶縁膜１５中を飛散して容量電極１８ａに容易に到達するので、切断されたドレイン電極１４ｂの画素電極２０ａに接続された側と容量電極１８ａとを確実に接続することができる。これにより、短絡Ｓが発生した副画素Ｐでは、画素電極２０ａが容量電極１８ａの電位（例えば、接地電位）に固定されて、黒点化されるので、ＴＦＴアレイ基板３０ａの黒点化による欠陥修正において、ドレイン電極１４ｂと容量電極１８ａとを確実に接続することができる。
　なお、上記各実施形態では、ドレイン電極１４ｂを切断する修正方法を例示したが、ソース電極１４ａが切断可能な構造であれば、ドレイン電極１４ｂを切断する代わりに、ソース電極１４ａをその基部で切断してもよい。
　また、上記各実施形態では、スイッチング素子として、ＴＦＴを例示したが、本発明は、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)などの他の３端子のスイッチング素子にも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、各画素が３つの副画素（赤、緑及び青）を有する液晶表示パネルを例示したが、本発明は、各画素が４つ以上の副画素（例えば、赤、緑、青及び白や赤、緑、青及び黄など）を有する液晶表示パネルにも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、複数の副画素がマトリクス状に配列されたアレイ基板及びそれを備えた液晶表示パネルを例示したが、本発明は、複数の副画素がデルタ状に配列されたアレイ基板及びそれを備えた液晶表示パネルにも適用することができる。
　また、上記各実施形態では、画素電極に接続されたＴＦＴの電極をドレイン電極としたＴＦＴアレイ基板を例示したが、本発明は、画素電極に接続されたＴＦＴの電極をソース電極と呼ぶＴＦＴアレイ基板にも適用することができる。
　以上説明したように、本発明は、黒点化による欠陥修正において、ドレイン電極と容量電極とを確実に接続するので、補助容量を有する表示パネルについて有用である。
Ｌ　　　　レーザー光
Ｐ　　　　副画素
Ｒ　　　　接続領域
Ｓ　　　　短絡
５　　　　ＴＦＴ（スイッチング素子）
６　　　　補助容量
１０　　　透明基板
１２　　　ゲート絶縁膜
１４ａ　　ソース電極
１４ｂ　　ドレイン電極
１５，１５ａ　　　無機絶縁膜
１６　　　有機絶縁膜
１７　　　層間絶縁膜
１８ａ，１８ｂ　　容量電極
１９　　　容量絶縁膜
２０ａ，２０ｂ　　画素電極
２０ｃ　　開口部
３０ａ，３０ａａ，３０ｂ，３０ｃ　　ＴＦＴアレイ基板
４０　　　対向基板
４５　　　液晶層
５０，５０ａ　　　液晶表示パネル

Claims (7)

  1. 　複数の副画素と、
    　互いに対向するように設けられたアレイ基板及び対向基板と、
    　上記アレイ基板及び対向基板の間に設けられた液晶層とを備え、
    　上記アレイ基板が、
    　透明基板に上記各副画素毎にそれぞれ設けられ、各々、互いに離間するように配置されたソース電極及びドレイン電極を有する複数のスイッチング素子と、
    　上記各スイッチング素子を覆うように設けられ、無機絶縁膜及び有機絶縁膜が順に積層された層間絶縁膜と、
    　上記層間絶縁膜上に設けられた容量電極と、
    　上記容量電極を覆うように設けられた容量絶縁膜と、
    　上記容量絶縁膜上に設けられ、上記容量電極に対向して上記各副画素毎に補助容量を構成し、該容量電極と絶縁状態で上記各スイッチング素子のドレイン電極にそれぞれ接続された複数の画素電極とを備えた液晶表示パネルであって、
    　上記アレイ基板には、上記ドレイン電極及び容量電極が上記有機絶縁膜から露出する上記無機絶縁膜を介して互いに重なる接続領域が設けられていることを特徴とする液晶表示パネル。
  2. 　請求項１に記載された液晶表示パネルにおいて、
    　上記各画素電極には、上記接続領域に重なるように開口部が設けられていることを特徴とする液晶表示パネル。
  3. 　請求項１に記載された液晶表示パネルにおいて、
    　上記アレイ基板の上記接続領域では、上記透明基板上にゲート絶縁膜、上記ドレイン電極、無機絶縁膜、容量電極、容量絶縁膜及び各画素電極が順に積層されていることを特徴とする液晶表示パネル。
  4. 　複数の副画素と、
    　互いに対向するように設けられたアレイ基板及び対向基板と、
    　上記アレイ基板及び対向基板の間に設けられた液晶層とを備え、
    　上記アレイ基板が、
    　透明基板に上記各副画素毎にそれぞれ設けられ、各々、互いに離間するように配置されたソース電極及びドレイン電極を有する複数のスイッチング素子と、
    　上記各スイッチング素子を覆うように設けられ、無機絶縁膜及び有機絶縁膜が順に積層された層間絶縁膜と、
    　上記層間絶縁膜上に設けられた容量電極と、
    　上記容量電極を覆うように設けられた容量絶縁膜と、
    　上記容量絶縁膜上に設けられ、上記容量電極に対向して上記各副画素毎に補助容量を構成し、該容量電極と絶縁状態で上記各スイッチング素子のドレイン電極にそれぞれ接続された複数の画素電極とを備え、
    　上記アレイ基板には、上記ドレイン電極及び容量電極が上記有機絶縁膜から露出する上記無機絶縁膜を介して互いに重なる接続領域が設けられた液晶表示パネルを製造する方法であって、
    　上記複数の副画素において、上記ソース電極及びドレイン電極の間で短絡が発生した副画素を検出する検出工程と、
    　上記検出工程で短絡が検出された副画素において、上記ドレイン電極にレーザー光を上記透明基板側から照射して該ドレイン電極を切断すると共に、上記接続領域にレーザー光を上記透明基板側から照射して、該切断されたドレイン電極の上記各画素電極に接続された側と上記容量電極とを接続する修正工程とを備えることを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
  5. 　請求項４に記載された液晶表示パネルの製造方法において、
    　上記修正工程では、上記接続領域の端部及び該端部に隣接する該接続領域の外部に上記レーザー光を照射することを特徴とする液晶表示パネルの製造方法。
  6. 　複数の副画素と、
    　透明基板に上記各副画素毎にそれぞれ設けられ、各々、互いに離間するように配置されたソース電極及びドレイン電極を有する複数のスイッチング素子と、
    　上記各スイッチング素子を覆うように設けられ、無機絶縁膜及び有機絶縁膜が順に積層された層間絶縁膜と、
    　上記層間絶縁膜上に設けられた容量電極と、
    　上記容量電極を覆うように設けられた容量絶縁膜と、
    　上記容量絶縁膜上に設けられ、上記容量電極に対向して上記各副画素毎に補助容量を構成し、該容量電極と絶縁状態で上記各スイッチング素子のドレイン電極にそれぞれ接続された複数の画素電極とを備えたアレイ基板であって、
    　上記ドレイン電極及び容量電極が上記有機絶縁膜から露出する上記無機絶縁膜を介して互いに重なる接続領域を備えていることを特徴とするアレイ基板。
  7. 　複数の副画素と、
    　透明基板に上記各副画素毎にそれぞれ設けられ、各々、互いに離間するように配置されたソース電極及びドレイン電極を有する複数のスイッチング素子と、
    　上記各スイッチング素子を覆うように設けられ、無機絶縁膜及び有機絶縁膜が順に積層された層間絶縁膜と、
    　上記層間絶縁膜上に設けられた容量電極と、
    　上記容量電極を覆うように設けられた容量絶縁膜と、
    　上記容量絶縁膜上に設けられ、上記容量電極に対向して上記各副画素毎に補助容量を構成し、該容量電極と絶縁状態で上記各スイッチング素子のドレイン電極にそれぞれ接続された複数の画素電極と、
    　上記ドレイン電極及び容量電極が上記有機絶縁膜から露出する上記無機絶縁膜を介して互いに重なるように設けられた接続領域とを備えたアレイ基板を製造する方法であって、
    　上記複数の副画素において、上記ソース電極及びドレイン電極の間で短絡が発生した副画素を検出する検出工程と、
    　上記検出工程で短絡が検出された副画素において、上記ドレイン電極にレーザー光を上記透明基板側から照射して該ドレイン電極を切断すると共に、上記接続領域にレーザー光を上記透明基板側から照射して、該切断されたドレイン電極の上記各画素電極に接続された側と上記容量電極とを接続する修正工程とを備えることを特徴とするアレイ基板の製造方法。
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