JPH04324819A - アクティブマトリックス表示体の画素欠陥修正方法及びその表示体 - Google Patents
アクティブマトリックス表示体の画素欠陥修正方法及びその表示体Info
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- JPH04324819A JPH04324819A JP3095764A JP9576491A JPH04324819A JP H04324819 A JPH04324819 A JP H04324819A JP 3095764 A JP3095764 A JP 3095764A JP 9576491 A JP9576491 A JP 9576491A JP H04324819 A JPH04324819 A JP H04324819A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/50—Protective arrangements
- G02F2201/506—Repairing, e.g. with redundant arrangement against defective part
- G02F2201/508—Pseudo repairing, e.g. a defective part is brought into a condition in which it does not disturb the functioning of the device
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は液晶ディスプレイに用い
るアクティブマトリックス表示体の画素欠陥修正方法及
びその表示体に関する。
るアクティブマトリックス表示体の画素欠陥修正方法及
びその表示体に関する。
【０００２】
【従来の技術】画素の一つ一つにスイッチングトランジ
スタを配したアクティブマトリックス方式による表示体
は、より高精細及び高コントラストを要求されるＴＶや
パソコン表示体等への応用開発が著しい。しかし、従来
の単純マトリックス基板と比較して製造工程が複雑であ
り、さまざまな欠陥が発生しやすい。特に問題となるの
は、製造工程中で発生する断線、異物内在による画素欠
陥である。高精細化にともなう画素の著しい増加は、当
然のことながら画素欠陥を増加させる。従来より、これ
らの画素欠陥について、個数制限等で数個レベルの画素
欠陥は許容可としたとりくみが実用レベルで行なわれて
いる。特に、電圧を印加しない状態で表示体で光の透過
するノーマリー白モードのアクティブマトリックス表示
体は、点灯全黒表示時、断線及び液晶層内の異物により
、画素が輝点として確認され、著しく画質品位を落すこ
とになる。さらには、画素トランジスターと修正用配線
の薄膜が層間の絶縁膜の一部を介して若干のショート部
を有する時発生する黒点は、数分のうちに輝点に変化す
る為、長時間の表示外観検査の必要性があり、確認の困
難さと、品質保証面から、問題があった。さらには、高
精細にともなう画素の小型化に対して、開孔率を広くと
る為、冗長回路等による修正を前程とした設計がとりづ
らい問題がある。
スタを配したアクティブマトリックス方式による表示体
は、より高精細及び高コントラストを要求されるＴＶや
パソコン表示体等への応用開発が著しい。しかし、従来
の単純マトリックス基板と比較して製造工程が複雑であ
り、さまざまな欠陥が発生しやすい。特に問題となるの
は、製造工程中で発生する断線、異物内在による画素欠
陥である。高精細化にともなう画素の著しい増加は、当
然のことながら画素欠陥を増加させる。従来より、これ
らの画素欠陥について、個数制限等で数個レベルの画素
欠陥は許容可としたとりくみが実用レベルで行なわれて
いる。特に、電圧を印加しない状態で表示体で光の透過
するノーマリー白モードのアクティブマトリックス表示
体は、点灯全黒表示時、断線及び液晶層内の異物により
、画素が輝点として確認され、著しく画質品位を落すこ
とになる。さらには、画素トランジスターと修正用配線
の薄膜が層間の絶縁膜の一部を介して若干のショート部
を有する時発生する黒点は、数分のうちに輝点に変化す
る為、長時間の表示外観検査の必要性があり、確認の困
難さと、品質保証面から、問題があった。さらには、高
精細にともなう画素の小型化に対して、開孔率を広くと
る為、冗長回路等による修正を前程とした設計がとりづ
らい問題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術に対して
本発明はかかる画素単位の輝点及び輝点に変化するモー
ドを確実に黒点のモードとすることによって、欠陥部を
目立たなくするとともに、欠陥許容個数の増加がはから
れ、歩留り向上及び検査工数を著しく低減することを目
的とする。
本発明はかかる画素単位の輝点及び輝点に変化するモー
ドを確実に黒点のモードとすることによって、欠陥部を
目立たなくするとともに、欠陥許容個数の増加がはから
れ、歩留り向上及び検査工数を著しく低減することを目
的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決する為
に、本発明のアクティブマトリックス表示体の画素欠陥
修正方法として、表示体を点灯表示させた状態で、欠陥
画素部の画素トランジスター薄膜と、修正用配線シリコ
ン薄膜及び層間の絶縁膜に対して、レーザ照射等でショ
ートモードを形成させる事を特徴とし、確実性を増加す
る為複数ケ所ショートさせる。
に、本発明のアクティブマトリックス表示体の画素欠陥
修正方法として、表示体を点灯表示させた状態で、欠陥
画素部の画素トランジスター薄膜と、修正用配線シリコ
ン薄膜及び層間の絶縁膜に対して、レーザ照射等でショ
ートモードを形成させる事を特徴とし、確実性を増加す
る為複数ケ所ショートさせる。
【０００５】
【作用】この修正方法であれば画素欠陥部に常時ゲート
電圧が印加される為、ノーマリー白モードにおいて常時
黒点となり、変化しない。この時ショートの確実性を高
める為、少なくとも２点以上の接触ケ所をもうける事が
望ましい。
電圧が印加される為、ノーマリー白モードにおいて常時
黒点となり、変化しない。この時ショートの確実性を高
める為、少なくとも２点以上の接触ケ所をもうける事が
望ましい。
【０００６】
【実施例】以下本発明について実施例に基づいて詳細に
説明する。
説明する。
【０００７】図１は、本発明のアクティブマトリックス
表示体の画素欠陥修正方法およびその表示体の概念図を
示したものである。１は画素のスイッチングを行なう画
素トランジスターでありシリコン薄膜でできている。２
は走査電極配線。３は、修正用配線。４はデータ配線。 ５は画素電極。６はコンタクトホールである。７はレー
ザ照射による穴である。走査電極配線２に順次ゲートパ
ルス電圧を印加し、行ごとに画素トランジスター１を導
通状態に励起する。表示信号電圧は、ゲートパルス電圧
に同期してデータ配線４に供給され、画素トランジスタ
ー１を通して画素電極５に伝達される。ゲートパルス電
圧が次の行に移ると画素トランジスター１は非導通状態
となり、データ配線４と画素電極５は絶縁される。製造
工程でデータ配線４と画素電極５がオープンとなる欠陥
が生じると、表示信号電圧を印加しない状態で光が透過
するノーマリー白モードの場合、常にその画素は光が透
過する輝点モードの点状欠陥となる。
表示体の画素欠陥修正方法およびその表示体の概念図を
示したものである。１は画素のスイッチングを行なう画
素トランジスターでありシリコン薄膜でできている。２
は走査電極配線。３は、修正用配線。４はデータ配線。 ５は画素電極。６はコンタクトホールである。７はレー
ザ照射による穴である。走査電極配線２に順次ゲートパ
ルス電圧を印加し、行ごとに画素トランジスター１を導
通状態に励起する。表示信号電圧は、ゲートパルス電圧
に同期してデータ配線４に供給され、画素トランジスタ
ー１を通して画素電極５に伝達される。ゲートパルス電
圧が次の行に移ると画素トランジスター１は非導通状態
となり、データ配線４と画素電極５は絶縁される。製造
工程でデータ配線４と画素電極５がオープンとなる欠陥
が生じると、表示信号電圧を印加しない状態で光が透過
するノーマリー白モードの場合、常にその画素は光が透
過する輝点モードの点状欠陥となる。
【０００８】上記画素の画素トランジスター１と修正用
配線３をレーザ照射することによってショートさせる。 そして、修正用配線３に液晶のしきい値電圧より高い直
流電圧または、交流電圧を印加すると、前記画素は、常
に光の透過する輝点モードの画素欠陥から、常に光の透
過しない黒点モードの画素欠陥へと変化する。黒点は、
輝点に比較して見えにくい為、許容個数が増加し、歩留
り向上及び、品質の安定化に寄与する。この時、レーザ
修正は、複数ケ所行なう事で、よりショートを確実にす
る事が必要である。
配線３をレーザ照射することによってショートさせる。 そして、修正用配線３に液晶のしきい値電圧より高い直
流電圧または、交流電圧を印加すると、前記画素は、常
に光の透過する輝点モードの画素欠陥から、常に光の透
過しない黒点モードの画素欠陥へと変化する。黒点は、
輝点に比較して見えにくい為、許容個数が増加し、歩留
り向上及び、品質の安定化に寄与する。この時、レーザ
修正は、複数ケ所行なう事で、よりショートを確実にす
る事が必要である。
【０００９】図２は、上記修正作業を行なった後の画素
の断面図である。修正用配線３と、画素電極５がレーザ
照射による穴７によって導通していることがわかる。
の断面図である。修正用配線３と、画素電極５がレーザ
照射による穴７によって導通していることがわかる。
【００１０】
【発明の効果】本発明によれば、修正用の特別な配線を
必要としなく、特に高密度な画素に対して開口率を広く
とれるとともに、容易に画素欠陥を見えにくいモードに
できる為、歩留りの向上及び、品質の安定化が顕著に向
上する効果がある。
必要としなく、特に高密度な画素に対して開口率を広く
とれるとともに、容易に画素欠陥を見えにくいモードに
できる為、歩留りの向上及び、品質の安定化が顕著に向
上する効果がある。
【図１】本発明の一実施例のアクティブマトリックス表
示体の画素欠陥修正方法と概念図である。
示体の画素欠陥修正方法と概念図である。
【図２】画素欠陥修正後の断面図である。
【符号の説明】
１ 画素トランジスター
２ 走査電極配線
３ 修正用配線
４ データ配線
５ 画素電極
６ コンタクトホール
７ レーザ照射穴
Claims (1)
- 【請求項１】アクティブマトリックス表示体の画素欠陥
について、画素トランジスターと修正用配線部を、複数
ケ所レーザ照射によりショートする事を特徴とするアク
ティブマトリックス表示体の画素欠陥修正方法及びその
表示体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3095764A JPH04324819A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | アクティブマトリックス表示体の画素欠陥修正方法及びその表示体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3095764A JPH04324819A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | アクティブマトリックス表示体の画素欠陥修正方法及びその表示体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04324819A true JPH04324819A (ja) | 1992-11-13 |
Family
ID=14146557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3095764A Pending JPH04324819A (ja) | 1991-04-25 | 1991-04-25 | アクティブマトリックス表示体の画素欠陥修正方法及びその表示体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH04324819A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5977563A (en) * | 1996-05-09 | 1999-11-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and correcting method of structural defect |
| WO2002065203A1 (fr) * | 2001-02-15 | 2002-08-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Affichage a cristaux liquides et procede de reparation de celui-ci |
| JP2002303881A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Toshiba Corp | 電極基板、表示パネル及びそのリペア方法 |
| JP2009151094A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Ips Alpha Technology Ltd | 表示装置 |
| WO2012105180A1 (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネル及びその製造方法、並びにアレイ基板及びその製造方法 |
| US8390654B2 (en) | 2007-08-30 | 2013-03-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display and method for fabricating the same |
-
1991
- 1991-04-25 JP JP3095764A patent/JPH04324819A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5977563A (en) * | 1996-05-09 | 1999-11-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and correcting method of structural defect |
| US6297520B1 (en) | 1996-05-09 | 2001-10-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Active matrix substrate and correcting method of structural defect thereof |
| WO2002065203A1 (fr) * | 2001-02-15 | 2002-08-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Affichage a cristaux liquides et procede de reparation de celui-ci |
| JP2002303881A (ja) * | 2001-04-04 | 2002-10-18 | Toshiba Corp | 電極基板、表示パネル及びそのリペア方法 |
| US8390654B2 (en) | 2007-08-30 | 2013-03-05 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display and method for fabricating the same |
| JP2009151094A (ja) * | 2007-12-20 | 2009-07-09 | Ips Alpha Technology Ltd | 表示装置 |
| WO2012105180A1 (ja) * | 2011-01-31 | 2012-08-09 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネル及びその製造方法、並びにアレイ基板及びその製造方法 |
| JP5243664B2 (ja) * | 2011-01-31 | 2013-07-24 | シャープ株式会社 | 液晶表示パネル及びその製造方法、並びにアレイ基板及びその製造方法 |
| KR101311693B1 (ko) * | 2011-01-31 | 2013-09-26 | 샤프 가부시키가이샤 | 액정표시패널 및 그 제조방법, 그리고 어레이 기판 및 그 제조방법 |
| TWI415239B (zh) * | 2011-01-31 | 2013-11-11 | Sharp Kk | Liquid crystal display panel, manufacturing method thereof, and array substrate and manufacturing method thereof |
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