TWI415239B - Liquid crystal display panel, manufacturing method thereof, and array substrate and manufacturing method thereof - Google Patents

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Yoshihito Hara
Yukinobu Nakata
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Sharp Kk
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Description

液晶顯示面板及其製造方法、以及陣列基板及其製造方法
本發明係關於液晶顯示面板及其製造方法、陣列基板及其製造方法。特別關於液晶顯示面板和構成該液晶顯示裝置的陣列基板之黑點化缺陷修正技術。
液晶顯示面板具備：例如對像素之最小單位即各副像素設置有薄膜電晶體(Thin Film Transistor，以下稱其為「TFT」)等而構成的TFT陣列基板、與TFT陣列基板相向設置的反基板以及設置於TFT陣列基板和反基板之間的液晶層。
TFT陣列基板例如具有：相互平行延伸設置的複數閘極線、分別設置於各閘極線之間、相互平行延伸配置的複數電容線、覆蓋著各閘極線和各電容線而設的閘極絕緣膜、在閘極絕緣膜上沿著與各閘極線正交之方向相互平行延伸而設的複數源極線、分別設置於各閘極線和各源極線之各交叉部分的複數TFT、覆蓋著各TFT和各源極線而設的層間絕緣膜、以及在層間絕緣膜上矩陣狀設置且分別與各TFT相連接的複數像素電極。
TFT例如具備：設置於玻璃基板等透明基板的閘極電極、覆蓋著閘極電極而設的閘極絕緣膜、在閘極絕緣膜上與閘極電極重疊地設置為島狀的半導體層、在半導體層上相互離開而設的源極電極和汲極電極。在此，閘極電極例如是各閘極線朝向一側突出之部分；源極電極例如是各源極線向一側突出之部分。而且，汲極電極經形成於層間絕緣膜之接觸孔與像素電極連接，且汲極電極夾著閘極絕緣膜與電容線重疊而與閘極絕緣膜和電容線一起構成補助電容。
就液晶顯示面板而言，若在對各副像素設置的TFT中，例如在源極電極和汲極電極之間存在具有導電性的異物、膜殘留物等，則有可能發生源極電極和汲極電極短路之虞。若如此，來自源極線的顯示信號便總是輸入位於該副像素的像素電極，該副像素易於被作為亮點檢測出來。因此，已檢測出亮點之副像素中，係例如藉由切斷汲極電極且將已被切斷的汲極電極與像素電極相連接之一側和閘極線或電容線相連接，則能夠進行將亮點黑點化之缺陷修正。
例如，專利文献1公開了以下方法：具有位於不被施加來自資料匯流排線(源極線)之資料信號(顯示信號)的缺陷像素之像素電極的TFT方式液晶顯示裝置中，向與閘極匯流排線(閘極線)連接的TFT的閘極電極部分照射光能，經汲極電極將該閘極電極和位於缺陷像素之像素電極加以電連接，閘極匯流排線的掃描信號輸入位於缺陷像素之像素電極，以修正缺陷像素。
在此，如專利文献1般，電連接汲極電極和閘極線的修正方法中，存在某些液晶層的灰階特性下，亮點不會被黑點化，而是被作為半色調的亮點檢測出之情形。因此，在製造液晶顯示面板的過程中，電連接汲極電極和電容線而黑點化之修正方法係主流。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文献1]日本公開特許公報特開平9-179143號公報
另一方面，就上述結構之TFT陣列基板而言，其開口率由於配置在各副像素的遮光性電容線而較低，因此以下高開口率TFT陣列基板已被提出。即，藉由在層間絕緣膜和各像素電極之間依次配置透明的電容電極和絕緣膜取代電容線，而由電容電極、各像素電極以及電容電極和各像素電極之間的絕緣膜構成補助電容，從而使開口率提高。
然而，針對該高開口率之TFT陣列基板而言，若層間絕緣膜由積層膜構成，該積層膜又係由較薄的無機絕緣膜和較厚的有機絕緣膜依次積層而成，則在執行黑點化之缺陷修正之際，即使從透明基板一側向連接處照射雷射光，也難以電連接汲極電極和相當於電容線的電容電極。一般認為難以電連接汲極電極和相當於電容線的電容電極之理由如下：由於雷射光之照射，即使構成汲極電極之金屬飛入層間絕緣膜中，構成汲極電極之金屬亦會由於構成層間絕緣膜的有機絕緣膜較厚而不會到達相當於電容線之電容電極。相對於此，就上述低開口率的TFT陣列基板而言，若從透明基板一側向連接處照射雷射光，則構成電容線之金屬會飛入較薄的閘極絕緣膜中且到達汲極電極，因而汲極電極和電容線被電連接，而能夠執行黑點化，以實現缺陷修正。
本發明正是鑑於上述各點而完成者。其目的在於：黑點化以實現缺陷修正之際，將汲極電極和電容電極可靠地加以連接。
為達成上述目的，本發明中，汲極電極和電容電極之間的層間絕緣膜係由無機絕緣膜和有機絕緣膜依次積層形成，且本發明具備：汲極電極和電容電極夾著自有機絕緣膜露出的無機絕緣膜相互重疊的連接區域。
具體而言，本發明所關係液晶顯示面板具備：複數副像素、相互相向而設的陣列基板和反基板、以及設在上述陣列基板和反基板之間的液晶層。上述陣列基板具備複數開關元件、層間絕緣膜、電容電極、電容絕緣膜、以及複數像素電極。複數開關元件中之各開關元件針對上述各副像素設置在透明基板上，且分別具有保持著間隔設置的源極電極和汲極電極；該層間絕緣膜覆蓋著各上述開關元件而設，係由無機絕緣膜和有機絕緣膜依次積層而成；該電容電極設置在上述層間絕緣膜上；該電容絕緣膜覆蓋著上述電容電極而設；該複數像素電極中的各像素電極分別設置在上述電容絕緣膜上，與上述電容電極相向，對上述各副像素構成補助電容，在與該電容電極絕緣之狀態下分別與上述各開關元件的汲極電極連接。於上述陣列基板設有連接區域，在該連接區域，上述汲極電極和電容電極夾著自上述有機絕緣膜露出的上述無機絕緣膜相互重疊。
依據上述構成，陣列基板中，由於汲極電極和電容電極之間的層間絕緣膜係由無機絕緣膜和有機絕緣膜依次積層形成，具備汲極電極和電容電極夾著自有機絕緣膜露出的無機絕緣膜相互重疊的連接區域，因此在汲極電極和電容電極相互重疊的連接區域，作為將汲極電極和電容電極之間電氣絕緣的絕緣膜，不是設置較厚的有機絕緣膜，而是僅設置較薄的無機絕緣膜。是以，源極電極和汲極電極之間已發生短路的副像素被作為亮點檢測之情形，例如，就已發生該短路的副像素而言，藉由自透明電極一側向汲極電極照射雷射光，構成汲極電極之金屬便會飛入層間絕緣膜(無機絕緣膜和有機絕緣膜)中，汲極電極被切斷；藉由自透明基板一側向汲極電極和電容電極夾著無機絕緣膜相互重疊的連接區域照射雷射光，構成汲極電極之金屬會飛入較薄的無機絕緣膜中且易於到達電容電極，已被切斷之汲極電極的與像素電極相連接之一側和電容電極便可靠地連接。是以，已發生短路的副像素中，像素電極被固定為電容電極的電位(例如接地電位)，亮點被黑點化。在執行對液晶顯示面板之黑點化缺陷修正之際，將汲極電極和電容電極可靠地加以連接。
可以於上述各像素電極設置與上述連接區域重疊的開口部。
依據上述構成，因為於各像素電極上，例如作為用以限制液晶層之配向的構造體設置有與連接區域重疊的開口部，所以能夠抑制用雷射光照射連接區域而導致像素電極之損傷。
可以於上述陣列基板之上述連接區域，在上述透明基板上依次積層閘極絕緣膜、上述汲極電極、無機絕緣膜、電容電極、電容絕緣膜以及各像素電極。
依據上述構成，陣列基板之連接區域中，因為具有像素電極(最上層)/電容絕緣膜/電容電極/無機絕緣膜/汲極電極/閘極絕緣膜/透明基板(最下層)之積層構造，所以能夠具體構成汲極電極和電容電極能夠可靠連接的基板構造。
本發明所關係液晶顯示面板之製造方法係製造以下液晶顯示面板之方法。該液晶顯示面板具備：複數副像素、相互相向而設的陣列基板和反基板以及設在上述陣列基板和反基板之間的液晶層。上述陣列基板具備複數開關元件、層間絕緣膜、電容電極、電容絕緣膜、以及複數像素電極。複數開關元件中之各開關元件針對上述各副像素設置在透明基板上，且分別具有保持著間隔設置的源極電極和汲極電極；該層間絕緣膜覆蓋著各上述開關元件而設，係由無機絕緣膜和有機絕緣膜依次積層而成；該電容電極設置在上述層間絕緣膜上；該電容絕緣膜覆蓋著上述電容電極而設；該複數像素電極中的各像素電極分別設置在上述電容絕緣膜上，與上述電容電極相向，對上述各副像素構成補助電容，在與該電容電極絕緣之狀態下分別與上述各開關元件的汲極電極連接。於上述陣列基板設有連接區域，在該連接區域，上述汲極電極和電容電極夾著自上述有機絕緣膜露出的上述無機絕緣膜相互重疊。該液晶顯示面板之製造方法包括檢測製程和修正製程。在該檢測製程，在上述複數副像素中檢測出上述源極電極和汲極電極之間已發生短路的副像素；在修正製程中，於上述檢測製程已檢測出短路之副像素中，自上述透明基板一側向上述汲極電極照射雷射光，來將該汲極電極切斷，並且自上述透明基板一側向上述連接區域照射雷射光，將該已被切斷之汲極電極的與上述各像素電極相連接之一側和上述電容電極加以連接。
依據依據上述方法，陣列基板中，汲極電極和電容電極之間的層間絕緣膜係依次積層無機絕緣膜和有機絕緣膜而形成，該陣列基板具備汲極電極和電容電極夾著自有機絕緣膜露出的無機絕緣膜相互重疊的連接區域，所以在汲極電極和電容電極相互重疊的連接區域，作為將汲極電極和電容電極之間電氣絕緣的絕緣膜，不是設置較厚的有機絕緣膜，而是僅設置較薄的無機絕緣膜。是以，於檢測製程，例如藉由亮燈檢查(dynamic operating inspection)將源極電極和汲極電極間已發生短路的副像素作為亮點檢測出之情形下，在修正製程，係在已發生該短路的副像素中，藉由自透明基板一側向汲極電極照射雷射光，構成汲極電極之金屬飛入層間絕緣膜(無機絕緣膜和有機絕緣膜)中，汲極電極被切斷；並且藉由自透明基板一側向汲極電極和電容電極夾著無機絕緣膜相互重疊的連接區域照射雷射光，構成汲極電極之金屬飛入較薄的無機絕緣膜中且易於到達電容電極，已被切斷之汲極電極與像素電極相連接之一側和電容電極便可靠地連接。是以，就已發生短路之副像素而言，像素電極被固定為電容電極的電位(例如接地電位)，亮點被黑點化。因此，對液晶顯示面板執行黑點化而實現缺陷修正之際，將汲極電極和電容電極可靠地加以連接。
可以於上述修正製程，向上述連接區域之端部和與該端部相鄰之該連接區域之外部照射上述雷射光。
依據上述方法，在修正製程，藉由向連接區域之端部和與該端部相鄰之該連接區域之外部照射雷射光，雷射光之照射則不會僅集中於連接區域，所以構成汲極電極之金屬的過度飛出得以抑制，汲極電極和電容電極會更加可靠地加以連接。
本發明所關係陣列基板具備複數副像素、複數開關元件、層間絕緣膜、電容電極、電容絕緣膜、以及複數像素電極。該複數開關元件相互間保持有距離而設，複數開關元件中之各開關元件針對上述各副像素設置在透明基板上，且分別具有源極電極和汲極電極；該層間絕緣膜覆蓋著各上述開關元件而設，係由無機絕緣膜和有機絕緣膜依次積層而成；該電容電極設置在上述層間絕緣膜上；該電容絕緣膜覆蓋著上述電容電極而設；該複數像素電極中的各像素電極分別設置在上述電容絕緣膜上，與上述電容電極相向，對上述各副像素構成補助電容，在與該電容電極絕緣之狀態下分別與上述各開關元件的汲極電極連接。該陣列基板具備：上述汲極電極和電容電極夾著自上述有機絕緣膜露出的上述無機絕緣膜相互重疊的連接區域。
依據上述構成，汲極電極和電容電極之間的層間絕緣膜係依次積層無機絕緣膜和有機絕緣膜而形成，該陣列基板具備汲極電極和電容電極夾著自有機絕緣膜露出的無機絕緣膜相互重疊的連接區域，所以在汲極電極和電容電極相互重疊的連接區域，作為將汲極電極和電容電極之間電氣絕緣的絕緣膜，不是設置較厚的有機絕緣膜，而是僅設置較薄的無機絕緣膜。是以，源極電極和汲極電極之間已發生短路的副像素被檢測出之情形，例如，在已發生該短路的副像素中，藉由自透明電極一側向汲極電極照射雷射光，構成汲極電極之金屬便會飛入層間絕緣膜(無機絕緣膜和有機絕緣膜)中，汲極電極被切斷；並且藉由自透明基板一側向汲極電極和電容電極夾著無機絕緣膜相互重疊的連接區域照射雷射光，構成汲極電極之金屬會飛入較薄的無機絕緣膜中而易於到達電容電極，所以已被切斷之汲極電極的與像素電極相連接之一側和電容電極便可靠地連接。是以，已發生短路的副像素中，像素電極被固定為電容電極的電位(例如接地電位)，亮點被黑點化。因此，在藉由液晶顯示面板之黑點化執行缺陷修正之際，將汲極電極和電容電極可靠地加以連接。
本發明所關係陣列基板之製造方法，係製造以下陣列基板之製造方法。該陣列基板具備複數副像素、複數開關元件、層間絕緣膜、電容電極、電容絕緣膜、複數像素電極以及連接區域。複數開關元件中之各開關元件都針對上述各副像素設置在透明基板上，且分別具有保持著間隔而設的源極電極和汲極電極；該層間絕緣膜覆蓋著各上述開關元件而設，係由無機絕緣膜和有機絕緣膜依次積層而成；該電容電極設置在上述層間絕緣膜上；該電容絕緣膜覆蓋著上述電容電極而設；該複數像素電極中的各像素電極分別設置在上述電容絕緣膜上，與上述電容電極相向，對上述各副像素構成補助電容，在與該電容電極絕緣之狀態下分別與上述各開關元件的汲極電極連接。在該連接區域，上述汲極電極和電容電極夾著自上述有機絕緣膜露出的上述無機絕緣膜相互重疊。該陣列基板之製造方法包括檢測製程和修正製程。在檢測製程中，在上述複數副像素中檢測出於上述源極電極和汲極電極之間發生了短路的副像素；在修正製程中，於上述檢測製程已檢測出短路之副像素中，自上述透明基板一側向上述汲極電極照射雷射光，來將該汲極電極切斷，並且自上述透明基板一側向上述連接區域照射雷射光，將該已被切斷之汲極電極的與上述各像素電極相連接之一側和上述電容電極加以連接。
依據上述方法，因為汲極電極和電容電極之間的層間絕緣膜係依次積層無機絕緣膜和有機絕緣膜而形成，該陣列基板具備汲極電極和電容電極夾著自有機絕緣膜露出的無機絕緣膜相互重疊的連接區域，所以在汲極電極和電容電極相互重疊的連接區域，作為將汲極電極和電容電極之間電氣絕緣的絕緣膜，不是設置較厚的有機絕緣膜，而是僅設置較薄的無機絕緣膜。是以，在檢測製程，採用光學檢查或電荷檢測法而檢測出源極電極和汲極電極之間已發生短路的副像素之情形，在修正製程，則在已發生該短路的副像素中，藉由自透明基板一側向汲極電極照射雷射光，構成汲極電極之金屬便會飛入層間絕緣膜(無機絕緣膜和有機絕緣膜)中，汲極電極被切斷；並且藉由自透明基板一側向汲極電極和電容電極夾著無機絕緣膜相互重疊的連接區域照射雷射光，構成汲極電極之金屬會飛入較薄的無機絕緣膜中而易於到達電容電極，已被切斷之汲極電極與像素電極相連接之一側和電容電極便可靠地連接。是以，就已發生短路之副像素而言，像素電極被固定為電容電極的電位(例如接地電位)，亮點被黑點化。因此，對液晶顯示面板執行黑點化而實現缺陷修正之際，將汲極電極和電容電極可靠地加以連接。
依據本發明，汲極電極和電容電極之間的層間絕緣膜係依次積層無機絕緣膜和有機絕緣膜而形成，且具備汲極電極和電容電極夾著自有機絕緣膜露出的無機絕緣膜相互重疊的連接區域，所以在執行黑點化而實現缺陷修正之際，能夠將汲極電極和電容電極可靠地加以連接。
以下，參照圖式，詳細說明本發明之實施方式。此外，本發明並不限於以下各實施方式。
《發明第一實施方式》
圖1~圖7顯示本發明所關係液晶顯示面板及其其製造方法的第一實施方式。具體而言，圖1係本實施方式之液晶顯示面板50的剖視圖；圖2係構成液晶顯示面板50的TFT陣列基板30a上的各副像素P的俯視圖；圖3係沿圖2中III-III線的TFT陣列基板30a的剖視圖；圖4係設置於TFT陣列基板30a上的各副像素P的連接區域R及其附近的放大俯視圖；圖5係沿圖4中V-V線的TFT陣列基板30a的剖視圖。
如圖1所示，液晶顯示面板50具備：相互相向而設的TFT陣列基板30a和反基板40、設置在TFT陣列基板30a和反基板40之間的液晶層45、將TFT陣列基板30a和反基板40相互黏接且為將液晶層45封入TFT陣列基板30a和反基板40之間而設置為框狀的密封材46。在此，如圖1所示，液晶顯示面板50中，端子區域T被限定為自反基板40突出的TFT陣列基板30a的表面，顯示區域D被限定在密封材46的內側。而且，顯示區域D中，複數副像素P(參照圖2)矩陣狀排列著。
如圖2和圖3所示，TFT陣列基板30a具備：透明基板10、於透明基板10上相互平行延伸而設的複數閘極線11、覆蓋著各閘極線11而設的閘極絕緣膜12、於閘極絕緣膜12上沿著與各閘極線11正交之方向相互平行延伸而設的複數源極線14、分別設置於各閘極線11和各源極線14之每個交叉部分亦即各副像素P的複數TFT5、覆蓋著各TFT5和各源極線14而設的層間絕緣膜17、設置在層間絕緣膜17上的電容電極18a、覆蓋著電容電極18a而設的電容絕緣膜19、於電容絕緣膜19上設置為矩陣狀且分別與各TFT5相連接的複數像素電極20a以及覆蓋著各像素電極20a而設的配向膜(未圖示)。
如圖2、圖3所示，TFT5具備：設置於透明基板10上的閘極電極11a、覆蓋著閘極電極11a而設的閘極絕緣膜12、於閘極絕緣膜12上與閘極電極11a重疊著設置為島狀的半導體層13、於半導體層13上保持有距離而設的源極電極14a和汲極電極14b。
如圖2所示，閘極電極11a係各閘極線11針對各副像素P向一側突出之部分。此外，本實施方式中，係示例由向各閘極線11兩側突出之部分構成的閘極電極11a。該閘極電極亦可以是線狀延伸之閘極線11的一部分。
半導體層13例如具備：具有通道區域的本質非晶矽層(未圖示)和為使通道區域露出設置於本質非晶矽層上且與源極電極14a和汲極電極14b皆連接的n+ 非晶矽層(未圖示)。此外，本實施方式中，作為半導體層13之材料係示例非晶矽，不僅如此，半導體層13之材料亦可為例如多晶矽、In-Ga-Zn-O類等的氧化物半導體。
如圖2所示，源極電極14a係各源極線14針對各副像素P向一側突出之部分。此外，本實施方式中，係示例由向各源極線14一側突出之部分構成的源極電極14a。該源極電極亦可以是線狀延伸之源極線14的一部分。
圖2和圖3所示，汲極電極14b，係以與電容電極18a絕緣之絕緣狀態，亦即經形成於覆蓋電容電極18a之電容絕緣膜19上的接觸孔19c與像素電極20a相連接。
如圖3~圖5所示，電容電極18a針對所有的副像素P形成為一體，各副像素P在汲極電極14b和像素電極20a之連接部分具有開口部18c。而且，如圖3和圖5所示，電容電極18a夾著電容絕緣膜19與像素電極20a相向，而針對各副像素P由電容電極18a、電容絕緣膜19以及像素電極20a三者構成補助電容6。如圖4所示，電容電極18a突出至後述有機絕緣膜16的開口部16c圖中左中部。
如圖3和圖5所示，層間絕緣膜17具備：設置於透明基板10一側的無機絕緣膜15和積層於無機絕緣膜15上的有機絕緣膜16。在此，如圖3~圖5所示，有機絕緣膜16，在汲極電極14b和像素電極20a之連接部分具有開口部16c，無機絕緣膜15在開口部16c自有機絕緣膜16露出。如圖4和圖5所示，在有機絕緣膜16上的開口部16c，汲極電極14b、電容電極18a的突出部分夾著無機絕緣膜15相互重疊，構成連接區域R(參照圖4中的陰影線部分)。如圖5所示，於連接區域R，具有像素電極20a(最上層)/電容絕緣膜19/電容電極18a/無機絕緣膜15/汲極電極14b/閘極絕緣膜12/透明基板10(最下層)之積層構造。此外，圖4中，省略了配置於圖中整個面之像素電極(20a)。
反基板40，例如具有透明基板(未圖示)、於透明基板上設置為網格狀的黑矩陣(未圖示)、分別設置於黑矩陣之各網格之間的紅色層、綠色層以及藍色層等複數著色層(未圖示)、覆蓋黑矩陣、各著色層而設的共用電極(未圖示)、於共用電極上設置為柱狀的複數光間隔物(未圖示)、以及覆蓋著共用電極和各光間隔物而設的配向膜(未圖示)。
液晶層45，由具有電光特性的向列型液晶材料等形成。
結構如上所述之液晶顯示面板50構成為：藉由向配置於TFT陣列基板30a上的像素電極20a和反基板40上的共用電極之間的液晶層45，對各副像素P施加規定的電壓，以改變液晶層45的配向狀態，因而針對各副像素P調節透過面板內之光的透過率，以顯示像素。
接著，參照圖6和圖7對本實施方式液晶顯示面板50a之製造方法加以說明。在此，本實施方式液晶顯示面板50a之製造方法包括：TFT陣列基板製造製程、反基板製造製程、液晶注入製程、檢測製程以及修正製程。此外，圖6係處於修正製程之液晶顯示面板50的剖視圖；圖7係針對圖6所示液晶顯示面板50進行完修正製程後的液晶顯示面板50a的剖視圖。
<TFT陣列基板製造製程>
首先，例如利用濺射法於玻璃基板、塑料基板等透明基板10整體上，形成鉬膜(厚度150 nm左右)等以後，再針對該鉬膜執行光刻、蝕刻以及光阻之剥離清洗，因而形成閘極線11和閘極電極11a。此外，本實施方式中，示例用鉬膜形成閘極線11和閘極電極11a之方法。但並不限於此，還可以利用例如鋁膜、鎢膜、鉭膜、鉻膜、鈦膜、銅膜等金屬膜、這些金屬之合金膜、這些金屬之金屬氮化膜、或者該金屬膜、合金膜以及金屬氮化膜中任意膜之積層膜，形成閘極線11和閘極電極11a。
接著，利用例如電漿化學氣相沈積(CVD：Chemical Vapor Deposition)法於已形成有閘極線11和閘極電極11a的基板整體上，形成氮化矽膜(厚度100 nm~600 nm左右)而形成閘極絕緣膜12。此外，本實施方式中，係示例用氮化矽膜形成閘極絕緣膜12之方法。但並不限於此，還可以利用例如氧化矽膜(SiOx)、矽氧氮化膜(SiOxNy、x>y)、矽氮氧化膜(SiNxOy、x>y)等的單層膜、或者這些單層膜之積層膜，形成閘極絕緣膜12。
利用例如電漿CVD法，於已形成有閘極絕緣膜12的基板整體上，依次形成本質非晶矽膜(厚度100 nm左右)和已摻雜有磷之n+ 非晶矽膜(厚度50 nm左右)以後，再針對本質非晶矽膜和n+ 非晶矽膜之積層膜執行光刻光刻、蝕刻以及光阻之剥離清洗，因而形成半導體層形成部(13)。
進一步利用例如濺射法於已形成有半導體層形成部(13)的基板整體上，依次形成鈦膜(厚度20 nm~150 nm左右)和鋁膜(厚度50 nm~400 nm左右)等以後，再針對該金屬積層膜執行光刻、蝕刻以及光阻之剥離清洗，因而形成源極線14、源極電極14a以及汲極電極14b。此外，本實施方式中，示例利用鈦膜和鋁膜之金屬積層膜形成源極線14、源極電極14a以及汲極電極14b之方法。但並不限於此，還可以利用例如鋁膜、鎢膜、鉭膜、鉻膜、鈦膜、銅膜等金屬膜、這些金屬之合金膜、這些金屬之金屬氮化膜、或者該金屬膜、合金膜以及金屬氮化膜中任意膜之積層膜，形成源極線14、源極電極14a和汲極電極14b。
接著，藉由以源極電極14a和汲極電極14b為光罩，對上述半導體層形成部之n+ 非晶矽膜加以蝕刻，以形成通道區域，即形成了半導體層13和具備該半導體層13的TFT5。
利用例如電漿CVD法於已形成有TFT5的基板整體上形成厚度300 nm左右的氮化矽膜、氧化矽膜或矽氮氧化膜等無機絕緣膜(15)。
利用例如旋塗法或狹縫塗敷法，於已形成有無機絕緣膜(15)的基板整體上塗敷厚度2.0 μm~4.0 μm左右且由感光性丙烯酸樹脂等形成的感光性樹脂膜以後，再針對該感光性樹脂膜執行曝光、顯影以及烘烤，因而形成具有開口部16c的有機絕緣膜16。
接著，利用例如濺射法於已形成有有機絕緣膜16的基板整體上，形成厚度50 nm~200 nm左右的ITO(Indium Tin Oxide)膜等透明導電膜以後，再對該透明導電膜執行光刻、蝕刻以及光阻之剥離清洗，而形成具有開口部18c的電容電極18a。
利用例如電漿CVD法，於已形成有電容電極18a的基板整體上，形成厚度300 nm左右的氮化矽膜、氧化矽膜或矽氮氧化膜等無機絕緣膜以後，再針對該無機絕緣膜(19)和在其之前形成的無機絕緣膜(15)執行光刻、蝕刻以及光阻之剥離清洗，而形成由無機絕緣膜15和有機絕緣膜16構成的層間絕緣膜17、和具有接觸孔19c的電容絕緣膜19。
利用例如濺射法，於已形成有層間絕緣膜17和電容絕緣膜19的基板整體上，形成厚度50 nm~200 nm左右的ITO膜等透明導電膜以後，再針對該透明導電膜執行光刻、蝕刻以及光阻之剝離清洗，而形成像素電極20a。
最後，利用例如印刷法，於已形成有像素電極20a的基板整體上塗敷聚亞醯胺樹脂膜以後，再對該塗膜(coated layer)執行烘烤和摩擦處理，而形成配向膜。
按以上所述做，即能夠製造出TFT陣列基板30a。
<反基板製造製程>
首先，利用例如自旋塗層(Spin Coating)法或狹縫塗佈(Slit Coating)法，於玻璃基板、塑料基板等透明基板整體上，塗敷被著色為黑色的感光性樹脂後，再針對該塗膜執行曝光、顯影以及烘烤，形成厚度1.0 μm左右的黑矩陣。
接著，利用例如自旋塗層法或狹縫塗佈法，於已形成有上述黑矩陣的基板整體上，塗敷例如已被著色為紅色、綠色或藍色的感光性樹脂後，再對該塗膜執行曝光、顯影以及烘烤，而形成厚度2.0 μm左右的所選擇顏色之著色層(例如紅色層)。針對其它兩種顏色重複執行同樣的製程，而形成厚度在2.0 μm左右的其它兩種顏色之著色層(例如綠色層和藍色層)。
利用例如濺射法，於已形成有上述各著色層的基板整體上形成厚度50 nm~200 nm左右的ITO膜等透明導電膜，以形成共用電極。
進一步利用例如自旋塗層法或狹縫塗佈法，於已形成有上述共用電極的基板整體上塗敷由感光性丙烯酸樹脂等形成的感光性樹脂膜後，再對該感光性樹脂膜執行曝光、顯影以及烘烤，以形成厚度在4.0 μm左右的光間隔物。
最後，利用例如印刷法於已形成有上述光間隔物的基板整體上，塗敷聚亞醯胺樹脂膜後，再針對該塗膜執行烘烤和摩擦處理，以形成配向膜。
按以上所述做，即能夠製造出反基板40。
<液晶注入製程>
首先，例如於已在上述反基板製造製程製造之反基板40的表面，將會發生紫外光(UV:ultraviolet)硬化和熱硬化之併用型樹脂等形成的密封材46印刷為框狀以後，向密封材46內側滴下液晶材料。
接著，減壓下將上述液晶材料已滴下之反基板40和在上述TFT陣列基板製造製程製造之TFT陣列基板30a加以貼合以後，在將該已貼合而成之貼合體放至大氣壓下，而對該貼合體之表面和背面加壓。
向被上述貼合體所夾的密封材46照射UV光以後，再對該貼合體加熱而使密封材46硬化。
最後，例如透過切割將已使上述密封材46的貼合體切開，除去無用部分。
按以上所述做，即能夠製造出液晶顯示面板50(檢查前)。
<檢測製程>
上述已製造之液晶顯示面板50中，對各閘極線11輸入偏電壓-10 V、周期16.7毫秒、脈寬50微秒的+15 V脈衝電壓的閘極檢查信號，使所有副像素P的TFT5皆成為導通狀態，且對各源極線14輸入每16.7毫秒極性相反的電位為±2 V之源極檢查信號，而經各TFT5向像素電極20a輸入源極檢查信號。同時，以直流向反基板40上的共用電極輸入電位為-1 V的共用電極檢查信號，因而向配置於TFT陣列基板30a上的各像素電極20a和反基板40上的共用電極間的液晶層45施加電壓，由各像素電極20a構成的各副像素P便成為亮燈狀態。此時，例如正常黑模式(不施加電壓時為黑顯示)的液晶顯示面板50中，顯示畫面從黑顯示變成白顯示。在此，就由於膜殘留物等而已在源極電極14a和汲極電極14b間發生短路S(參照圖2中的雙點劃線)副像素P而言，與TFT5之導通/截止控制無關，一直向像素電極20a輸入源極檢查信號，所以該副像素P黑顯示的顯示畫面被作為亮點檢測出來。
<修正製程>
在上述檢測製程短路S已被檢測出之情形，如圖2和圖6所示，在該短路S已被檢測出之副像素P中，對汲極電極14b的X部照射雷射光L，在X部將汲極電極14b切斷，並且對連接區域R的Y部照射雷射光L，而將已被切斷之汲極電極14b與像素電極20a相連接之一側和電容電極18a加以連接。在此，圖7中修正製程後的液晶顯示面板50a中，使相互連接的汲極電極14b和電容電極18a的符號分別為14ba和18aa，配置於其間的無機絕緣膜15的符號為15a，具備其之TFT陣列基板30a的符號為30aa。而且，雷射光L，例如係自釔鋁柘榴石(YAG:Yttrium Aluminium Garnet)雷射器等以2.5 μm×2.5 μm左右的光點大小輸出。此外，連接區域R是大小5 μm×5 μm左右以上的陣列，向連接區域R照射雷射光，即可修正。
按以上所述做，即能夠製造出執行黑點化以進行缺陷修正的液晶顯示面板50a。
如上所述，依據本實施方式之液晶顯示面板50(50a)及其製造方法，在TFT陣列基板30a，汲極電極14b和電容電極18a間的層間絕緣膜17，係依次積層無機絕緣膜15和有機絕緣膜16而形成，且具備汲極電極14b和電容電極18a夾著自有機絕緣膜16露出之無機絕緣膜15相互重疊的連接區域R。所以在汲極電極14b和電容電極18a相互重疊的連接區域R，作為將汲極電極14b和電容電極18a之間電氣絕緣的絕緣膜，不是設置較厚的有機絕緣膜16，而是僅設置較薄的無機絕緣膜15。是以，於檢測製程，例如藉由亮燈檢查(dynamic operating inspection)將源極電極14a和汲極電極14b間已發生短路S的副像素P作為亮點檢測出之情形下，在修正製程，係在已發生該短路S的副像素P中，藉由自透明基板10一側向汲極電極14b照射雷射光L，構成汲極電極14b之金屬飛入層間絕緣膜17(無機絕緣膜15和有機絕緣膜16)中，汲極電極14b被切斷；並且藉由自透明基板10一側向汲極電極14b和電容電極18a夾著無機絕緣膜15相互重疊的連接區域R照射雷射光L，構成汲極電極14b之金屬飛入較薄的無機絕緣膜15中且易於到達電容電極18a，而能夠將已被切斷之汲極電極14b與像素電極20a相連接之一側和電容電極18a可靠地加以連接。是以，就已發生短路S之副像素P而言，像素電極20a被固定為電容電極18a的電位(例如接地電位)，亮點被黑點化。因此，對液晶顯示面板50(50a)執行黑點化而實現缺陷修正之際，能夠將汲極電極14b(14ba)和電容電極18a(18aa)可靠地加以連接。
《發明第二實施方式》
圖8係設置在本實施方式中構成液晶顯示面板之TFT陣列基板30b上的各副像素P的連接區域R及其附近的放大俯視圖。在此，圖8中，與圖4相同，省略配置於整個圖中的像素電極(20a)。此外，以下各實施方式中，以相同之符號表示與圖1~圖7相同之部分，詳細說明省略。
上述第一實施方式中，示例照射雷射光L之Y部的大部份包含在連接區域R內之液晶顯示面板50(50a)之製造方法。但並不限於此，本實施方式中，示例照射雷射光L之Y部的一部分含在連接區域R內的液晶顯示面板之製造方法。
本實施方式之液晶顯示面板具備：相互相向而設的TFT陣列基板30b(參照圖8)和反基板40(參照圖1)、設置在TFT陣列基板30b和反基板40間的液晶層45(參照圖1)、將TFT陣列基板30b和反基板40相互黏接且為將液晶層45封入TFT陣列基板30b和反基板40間而設置為框狀的密封材46(參照圖1)。
TFT陣列基板30b具備：透明基板10(參照圖3)、於透明基板10上相互平行延伸而設的複數閘極線11(參照圖2)、覆蓋著各閘極線11而設的閘極絕緣膜12(參照圖3)、於閘極絕緣膜12上沿著與各閘極線11正交之方向相互平行延伸而設的複數源極線14(參照圖2)、分別設置於各閘極線11和各源極線14之每個交叉部分的複數TFT5(參照圖2和圖3)、覆蓋著各TFT5和各源極線14而設的層間絕緣膜17(參照圖3)、設置在層間絕緣膜17上的電容電極18b(參照圖8)、覆蓋著電容電極18b而設的電容絕緣膜19(參照圖3)、於電容絕緣膜19上設置為矩陣狀且分別與各TFT5連接的複數像素電極20a(參照圖2和圖3)、覆蓋著各像素電極20a而設的配向膜(未圖示)。
如圖8所示，TFT陣列基板30b中，電容電極18b突出至後述有機絕緣膜16的開口部16c圖中左下部。如圖8所示，有機絕緣膜16的開口部16c中，汲極電極14b和電容電極18b的突出部分夾著無機絕緣膜15相互重疊而構成連接區域R(參照圖中陰影線部分)。
在上述第一實施方式之TFT陣列基板的製造製程中改變電容電極18a的圖型(pattern)形狀，即能夠製造出本實施方式之TFT陣列基板30b和具備該TFT陣列基板30b的液晶顯示面板。與上述第一實施方式一樣，於針對具備該已製造出的TFT陣列基板30b之液晶顯示面板執行檢測製程而檢測出短路S之情形，則執行修正製程。具體而言，在該修正製程，與上述第一實施方式一樣，如圖2所示，在短路S已被檢測出之副像素P中，藉由對汲極電極14b的X部照射雷射光L，來在X部將汲極電極14b切斷，並且如圖8所示，藉由對包括連接區域R的圖中右上部和與其相鄰的連接區域R外部的Y部照射雷射光L，來將已被切斷之汲極電極14b與像素電極20a相連接之一側和電容電極18b加以連接。
如上所述，依據具備本實施方式之TFT陣列基板30b的液晶顯示面板及其製造方法，與上述第一實施方式一樣，因為於TFT陣列基板30b，汲極電極14b和電容電極18b間的層間絕緣膜17係依積層無機絕緣膜15和有機絕緣膜16而形成，且具備汲極電極14b和電容電極18b夾著自有機絕緣膜16露出的無機絕緣膜15相互重疊的連接區域R，所以於對液晶顯示面板執行黑點化而實現缺陷修正之際，能夠將汲極電極14b和電容電極18b可靠地加以連接。
依據具備本實施方式之TFT陣列基板30b的液晶顯示面板及其製造方法，於修正製程，藉由對連接區域R的端部和與其相鄰的連接區域R外部照射雷射光L，雷射光L之照射就不是僅僅集中在連接區域R，所以能夠抑制構成汲極電極14b之金屬過度飛出，從而能夠使汲極電極14b和電容電極18b更加可靠地連接。
《發明第三實施方式》
圖9係顯示設置在構成本實施方式之液晶顯示面板的TFT陣列基板30c上的各副像素P的連接區域R及其附近的放大俯視圖；圖10係沿圖9中X-X線剖開的TFT陣列基板30c的剖視圖。
上述各實施方式中，係示例像素電極20a與連接區域R重疊之TFT陣列基板30a和30b。本實施方式中係示例像素電極20b未與連接區域R重疊之TFT陣列基板30c。
本實施方式之液晶顯示面板具備：相互相向而設的TFT陣列基板30c(參照圖9和圖10)和反基板40(參照圖1)、設置在TFT陣列基板30c和反基板40之間的液晶層45(參照圖1)、將TFT陣列基板30c和反基板40相互黏接且為將液晶層45封入TFT陣列基板30c和反基板40間而設置為框狀的密封材46(參照圖1)。
如圖9和圖10所示，TFT陣列基板30c具備：透明基板10、於透明基板10上相互平行延伸而設的複數閘極線11(參照圖2)、覆蓋著各閘極線11而設的閘極絕緣膜12、於閘極絕緣膜12上沿著與各閘極線11正交之方向相互平行延伸而設的複數源極線14(參照圖2)、分別設置於各閘極線11和各源極線14之每個交叉部分的複數TFT5(參照圖2和圖3)、覆蓋著各TFT5和各源極線14而設的層間絕緣膜17、設置在層間絕緣膜17上的電容電極18b、覆蓋著電容電極18b而設的電容絕緣膜19、於電容絕緣膜19上設置為矩陣狀且分別與各TFT5連接的複數像素電極20b、覆蓋著各像素電極20b而設的配向膜(未圖示)。
如圖9所示，TFT陣列基板30c中，電容電極18b突出至後述有機絕緣膜16的開口部16c圖中左下部。如圖9和圖10所示，有機絕緣膜16的開口部16c中，汲極電極14b和電容電極18b的突出部分夾著無機絕緣膜15相互重疊而構成連接區域R(參照圖中陰影線部分)。
如圖9和圖10所示，TFT陣列基板30c中，設置有與連接區域R重疊的像素電極20b之開口部20c。在此，像素電極20b之開口部20c構成為：作為限制液晶層45之配向的構造體發揮功能。
在上述第一實施方式之TFT陣列基板30c的製造製程中改變電容電極18a和像素電極20a的圖型(pattern)形狀，即能夠製造出本實施方式之TFT陣列基板30c以及具備該TFT陣列基板30c的液晶顯示面板。與上述第一實施方式一樣，於針對具備該已製造出的TFT陣列基板30c之液晶顯示面板執行檢測製程而檢測出短路S之情形，則執行修正製程。具體而言，在該修正製程，與上述第一實施方式一樣，如圖2所示，在短路S已被檢測出之副像素P中，藉由對汲極電極14b的X部照射雷射光L，來在X部將汲極電極14b切斷，並且如圖9所示，藉由對包括連接區域R的圖中右上部和與其相鄰的連接區域R外部的Y部照射雷射光L，來將已被切斷之汲極電極14b與像素電極20b相連接之一側和電容電極18b加以連接。
如上所述，依據具備本實施方式之TFT陣列基板30c的液晶顯示面板及其製造方法，與上述第一和第二實施方式一樣，因為於TFT陣列基板30c，汲極電極14b和電容電極18b間的層間絕緣膜17係依積層無機絕緣膜15和有機絕緣膜16而形成，且具備汲極電極14b和電容電極18b夾著自有機絕緣膜16露出的無機絕緣膜15相互重疊的連接區域R，所以於對液晶顯示面板執行黑點化而實現缺陷修正之際，能夠使汲極電極14b和電容電極18b可靠地連接。
依據具備本實施方式之TFT陣列基板30c的液晶顯示面板及其製造方法，於修正製程，藉由對連接區域R的端部和與其相鄰的連接區域R外部照射雷射光L，雷射光L之照射就不是僅僅集中在連接區域R，所以能夠抑制構成汲極電極14b之金屬過度飛出，從而能夠使汲極電極14b和電容電極18b更加可靠地連接。
依據具備本實施方式之TFT陣列基板30c的液晶顯示面板及其製造方法，因為在各像素電極20b，作為限制液晶層45之配向的構造體設置有與連接區域R重疊的開口部20c，所以能夠抑制用雷射光L照射連接區域R而導致像素電極20b之損傷。
《發明第四實施方式》
圖11係顯示本發明所關係TFT陣列基板及其製造方法之實施方式。具體而言，圖11係本實施方式之處於修正製程中的TFT陣列基板30a的剖視圖。
上述各實施方式中，示例以面板狀態執行檢測製程和修正製程的液晶顯示面板及其製造方法。本實施方式中，示例以基板狀態執行檢測製程和修正製程的TFT陣列基板30a及其製造方法。
本實施方式之TFT陣列基板30a，與上述第一實施方式中TFT陣列基板30a係同一基板，其亦可為上述第二實施方式之TFT陣列基板30b或上述第三實施方式之TFT陣列基板30c。
例如採用以CCD(Charge Coupled Device)照相機執行的光學檢查、電荷檢測法對本實施方式之TFT陣列基板30a進行檢查，執行檢測製程而將源極電極14a和汲極電極14b間已發生短路S的副像素P檢測出來。於短路S已被檢測出之情形，則執行修正製程。具體而言，在該修正製程中，於短路S已被檢測出之副像素P，對汲極電極14b的X部(參照圖2)照射雷射光L，而在X部將汲極電極14b切斷，並且如圖11所示，對連接區域R的Y部照射雷射光L，而將已被切斷之汲極電極14b與像素電極20a相連接之一側和電容電極18a加以連接(按照圖7中的TFT陣列基板30aa)。
如上所述，依據本實施方式之TFT陣列基板30a及其製造方法，因為汲極電極14b和電容電極18a間的層間絕緣膜17，係依次積層無機絕緣膜15和有機絕緣膜16而形成，且具備汲極電極14b和電容電極18a夾著自有機絕緣膜16露出之無機絕緣膜15相互重疊的連接區域R，所以在汲極電極14b和電容電極18a相互重疊的連接區域R，作為將汲極電極14b和電容電極18a之間電氣絕緣的絕緣膜，不是設置較厚的有機絕緣膜16，而是僅設置較薄的無機絕緣膜15。是以，於檢測製程，例如採用光學檢查或電荷檢查法將源極電極14a和汲極電極14b間已發生短路S的副像素P檢測出之情形下，在修正製程，則是在已發生該短路S的副像素P中，藉由自透明基板10一側向汲極電極14b照射雷射光L，構成汲極電極14b之金屬飛入層間絕緣膜17(無機絕緣膜15和有機絕緣膜16)中，汲極電極14b被切斷；並且藉由自透明基板10一側向汲極電極14b和電容電極18a夾著無機絕緣膜15相互重疊的連接區域R照射雷射光L，構成汲極電極14b之金屬飛入較薄的無機絕緣膜15中且易於到達電容電極1ga，因此而能夠將已被切斷之汲極電極14b與像素電極20a相連接之一側和電容電極18a可靠地加以連接。是以，就已發生短路S之副像素P而言，像素電極20a被固定為電容電極18a的電位(例如接地電位)，亮點被黑點化。因此，對TFT陣列基板30a執行黑點化而實現缺陷修正之際，能夠將汲極電極14b和電容電極18a可靠地加以連接。
此外，上述各實施方式中，係示例將汲極電極14b切斷之修正方法。但除此以外，只要是能夠切斷源極電極14a之構造，亦可採用將源極電極14a從其基部切斷之做法來代替切斷汲極電極14b。
上述各實施方式中，係示例開關元件為TFT。不僅如此，本發明對金屬氧化物半導體場效應電晶體(MOSFET：Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)等其它的三端子開關元件也適用。
上述各實施方式中，係示例各像素具有三個副像素(紅、綠以及藍)之液晶顯示面板。不僅如此，本發明對各像素具有四個以上副像素(例如紅、綠、藍以及白或紅、綠、藍以及黃等)的液晶顯示面板也適用。
上述各實施方式中，示例複數副像素排列為矩陣狀的陣列基板以及具備該陣列基板之液晶顯示面板。不僅如此，本發明對複數副像素排列為三角形狀(Δ)的陣列基板以及具備該陣列基板之液晶顯示面板也適用。
上述各實施方式中，示例以與像素電極連接的TFT的電極為汲極電極之TFT陣列基板。不僅如此，本發明對將與像素電極連接的TFT的電極稱為源極電極之TFT陣列基板也適用。
[產業可利用性]
綜上所述，本發明在黑點化而實現缺陷修正之際，將汲極電極和電容電極可靠地加以連接，因此對具有補助電容的顯示面板有用。
5．．．TFT(開關元件)
6．．．補助電容
10．．．透明基板
11．．．閘極線
11a．．．閘極電極
12．．．閘極絕緣膜
13．．．半導體層
14．．．源極線
14a．．．源極電極
14b．．．汲極電極
14ba．．．使相互連接的汲極電極14b
15．．．無機絕緣膜
15a．．．無機絕緣膜
16．．．有機絕緣膜
16c．．．開口部
17．．．層間絕緣膜
18a．．．電容電極
18aa．．．使相互連接的電容電極18a
18b．．．電容電極
18c．．．開口部
19．．．電容絕緣膜
19c．．．接觸孔
20a．．．像素電極
20b．．．像素電極
20c．．．開口部
30a．．．TFT陣列基板
30aa．．．TFT陣列基板
30b．．．TFT陣列基板
30c．．．TFT陣列基板
40．．．反基板
45．．．液晶層
46．．．密封材
50．．．液晶顯示面板
50a．．．液晶顯示面板
L．．．雷射光
P．．．副像素
R．．．連接區域
S．．．短路
圖1係第一實施方式所關係液晶顯示面板之剖視圖。
圖2係構成第一實施方式所關係液晶顯示面板的TFT陣列基板的各副像素的俯視圖。
圖3係沿圖2中III-III線之TFT陣列基板的剖視圖。
圖4係設置在TFT陣列基板上的各副像素的連接區域及其附近的放大俯視圖。
圖5係沿圖4中V-V線之TFT陣列基板的剖視圖。
圖6係修正製程中液晶顯示面板的剖視圖。
圖7係圖6中液晶顯示面板的修正製程後的剖視圖。
圖8係設置於構成第二實施方式所關係液晶顯示面板的TFT陣列基板上的各副像素的連接區域及其附近的放大俯視圖。
圖9係設置於構成第三實施方式所關係液晶顯示面板的TFT陣列基板上的各副像素的連接區域及其附近的放大俯視圖。
圖10係沿圖9中X-X線剖開的TFT陣列基板的剖視圖。
圖11係第四實施方式所關係修正製程中TFT陣列基板的剖視圖。
6．．．補助電容
10．．．透明基板
12．．．閘極絕緣膜
14b．．．汲極電極
15．．．無機絕緣膜
16．．．有機絕緣膜
16c．．．開口部
17．．．層間絕緣膜
18a．．．電容電極
18c．．．開口部
19．．．電容絕緣膜
19c．．．接觸孔
20a．．．像素電極
30a．．．TFT陣列基板
R．．．連接區域

Claims (15)

  1. 一種液晶顯示面板，其具備：複數副像素、相互相向而設的陣列基板和反基板以及設在上述陣列基板和反基板之間的液晶層，其特徵在於：上述陣列基板具備複數開關元件、層間絕緣膜、電容電極、電容絕緣膜以及複數像素電極，該複數開關元件中之各開關元件針對上述各副像素設置在透明基板上，且各開關元件分別具有保持著間隔而設的源極電極和汲極電極，該層間絕緣膜覆蓋著上述各開關元件而設且係由無機絕緣膜和有機絕緣膜依次積層而成，該電容電極設置在上述層間絕緣膜上，該電容絕緣膜覆蓋著上述電容電極而設，該複數像素電極中的各像素電極設置在上述電容絕緣膜上，且與上述電容電極相向對上述各副像素構成補助電容，各像素電極在與該電容電極絕緣之狀態下分別與上述各開關元件的汲極電極連接，於上述陣列基板設有連接區域，在該連接區域，上述汲極電極和電容電極夾著自上述有機絕緣膜露出的上述無機絕緣膜相互重疊。
  2. 如請求項1之液晶顯示面板，其中：在上述各像素電極設置有與上述連接區域重疊的開口部。
  3. 如請求項1之液晶顯示面板，其中： 於上述陣列基板之上述連接區域，在上述透明基板上依次積層有閘極絕緣膜、上述汲極電極、無機絕緣膜、電容電極、電容絕緣膜以及各像素電極。
  4. 如請求項1至3之任一項之液晶顯示面板，其中上述各開關元件係包含由氧化物半導體形成之半導體層的薄膜電晶體。
  5. 如請求項4之液晶顯示面板，其中上述氧化物半導體係In-Ga-Zn-O系氧化物半導體。
  6. 一種液晶顯示面板之製造方法，該液晶顯示面板具備：複數副像素、相互相向而設的陣列基板和反基板以及設在上述陣列基板和反基板之間的液晶層，上述陣列基板具備複數開關元件、層間絕緣膜、電容電極、電容絕緣膜以及複數像素電極，該複數開關元件中之各開關元件針對上述各副像素設置在透明基板上，且各開關元件分別具有保持著間隔而設的源極電極和汲極電極，該層間絕緣膜覆蓋著上述各開關元件而設且係由無機絕緣膜和有機絕緣膜依次積層而成，該電容電極設置在上述層間絕緣膜上，該電容絕緣膜覆蓋著上述電容電極而設，該複數像素電極中的各像素電極設置在上述電容絕緣膜上，且與上述電容電極相向對上述各副像素構成補助電容，各像素電極在與該電容電極絕緣之狀態下分別與上述各開關元件的汲極電極連接， 於上述陣列基板設有連接區域，在該連接區域，上述汲極電極和電容電極夾著自上述有機絕緣膜露出的上述無機絕緣膜相互重疊，其特徵在於：該液晶顯示面板之製造方法包括以下檢測製程和修正製程：在該檢測製程，在上述複數副像素中檢測出上述源極電極和汲極電極之間已發生短路的副像素；在該修正製程中，在於上述檢測製程已檢測出短路之副像素中，自上述透明基板一側向上述汲極電極照射雷射光，來將該汲極電極切斷，並且自上述透明基板一側向上述連接區域照射雷射光，將該已被切斷之汲極電極的與上述各像素電極相連接之一側和上述電容電極加以連接。
  7. 如請求項6之液晶顯示面板之製造方法，其中：在上述修正製程，對上述連接區域的端部和與該端部相鄰的該連接區域的外部照射上述雷射光。
  8. 如請求項6或7之液晶顯示面板之製造方法，其中上述各開關元件係包含由氧化物半導體形成之半導體層的薄膜電晶體。
  9. 如請求項8之液晶顯示面板之製造方法，其中：上述氧化物半導體係In-Ga-Zn-O系氧化物半導體。
  10. 一種陣列基板，其特徵在於：該陣列基板具備：複數副像素、複數開關元件、層間絕緣膜、電容電極、電容絕緣膜以及複數像素電極， 該複數開關元件中之各開關元件針對上述各副像素設置在透明基板上，且各開關元件分別具有保持著間隔而設的源極電極和汲極電極，該層間絕緣膜覆蓋著上述各開關元件而設且係由無機絕緣膜和有機絕緣膜依次積層而成，該電容電極設置在上述層間絕緣膜上，該電容絕緣膜覆蓋著上述電容電極而設，該複數像素電極中的各像素電極設置在上述電容絕緣膜上，且與上述電容電極相向對上述各副像素構成補助電容，各像素電極在與該電容電極絕緣之狀態下分別與上述各開關元件的汲極電極連接，該陣列基板具備連接區域，在該連接區域，上述汲極電極和電容電極夾著自上述有機絕緣膜露出的上述無機絕緣膜相互重疊。
  11. 如請求項10之陣列基板，其中上述各開關元件係包含由氧化物半導體形成之半導體層的薄膜電晶體。
  12. 如請求項11之陣列基板，其中：上述氧化物半導體係In-Ga-Zn-O系氧化物半導體。
  13. 一種陣列基板之製造方法，該陣列基板具備：複數副像素、複數開關元件、層間絕緣膜、電容電極、電容絕緣膜以及複數像素電極，該複數開關元件中之各開關元件針對上述各副像素設置在透明基板上，且各開關元件分別具有保持著間隔而 設的源極電極和汲極電極，該層間絕緣膜覆蓋著上述各開關元件而設且係由無機絕緣膜和有機絕緣膜依次積層而成，該電容電極設置在上述層間絕緣膜上，該電容絕緣膜覆蓋著上述電容電極而設，該複數像素電極中的各像素電極設置在上述電容絕緣膜上，且與上述電容電極相向對上述各副像素構成補助電容，各像素電極在與該電容電極絕緣之狀態下分別與上述各開關元件的汲極電極連接，該陣列基板具備連接區域，在該連接區域，上述汲極電極和電容電極夾著自上述有機絕緣膜露出的上述無機絕緣膜相互重疊，其特徵在於：該陣列基板之製造方法包括以下檢測製程和修正製程：在該檢測製程，在上述複數副像素中檢測出上述源極電極和汲極電極之間已發生短路的副像素；在該修正製程中，在於上述檢測製程已檢測出短路之副像素中，自上述透明基板一側向上述汲極電極照射雷射光，來將該汲極電極切斷，並且自上述透明基板一側向上述連接區域照射雷射光，將該已被切斷之汲極電極的與上述各像素電極相連接之一側和上述電容電極加以連接。
  14. 如請求項13之陣列基板之製造方法，其中：上述各開關元件係包含由氧化物半導體形成之半導體 層的薄膜電晶體。
  15. 如請求項14之陣列基板之製造方法，其中：上述氧化物半導體係In-Ga-Zn-O系氧化物半導體。
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