JP2514720B2 - アクティブマトリクス表示装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、液晶、EL発光体、プラズマ発光体等と、ア
クティブマトリクス基板とを組み合わせた、アクティブ
マトリクス表示装置に関する。

（従来の技術） 従来より、高い画像品位を要求されるマトリクス表示
装置には、アクティブマトリクス駆動方式が用いられて
いる。この駆動方式では、個々の絵素電極がスイッチン
グ素子によって選択され、選択された複数の絵素電極に
よって、表示パターンが形成される。

第７図に従来のアクティブマトリクス基板の平面図を
示す。マトリクス状に配された絵素電極８の間に、走査
線として機能するゲートバスライン９が平行し、ゲート
バスライン９からはゲート電極２が分岐している。ゲー
ト電極２上にはスイッチング素子として薄膜トランジス
タ（以下では「TFT」と称する）11が形成されている。
ゲートバスライン９に直交して、信号線として機能する
ソースバスライン10が平行している。TFT11のソース電
極7aは、ソースバスライン10に接続されている。TFT11
のドレイン電極7bは絵素電極８に接続されている。ゲー
トバスライン９とソースバスライン10との間には、基板
全面に形成されたゲート絶縁膜が形成されている。上述
のアクティブマトリクス基板と対向基板との間に、液晶
等の表示媒体が封入され、アクティブマトリクス表示装
置が構成される。このようなアクティブマトリクス基板
上の絵素電極８と、対向基板上の対向電極との間の表示
媒体に電圧が印加され、表示が行われる。

精細な画像表示を行う表示装置のアクティブマトリク
ス基板上には、通常、数万〜数百万の絵素電極が形成さ
れている。このように多くの絵素電極が形成されたアク
ティブマトリクス表示装置では、絵素欠陥の発生が大き
な問題となる。絵素欠陥の発生原因としては、TFT形成
工程に於けるパターニング時のレジスト不良、エッチン
グ不良、薄膜形成工程に於ける膜中の欠陥の発生、或い
は液晶中への導電性異物の混入等が挙げられる。このよ
うな絵素欠陥は画像品位を著しく低下させ、表示装置の
製造歩留りを低下させる大きな原因となっている。

絵素欠陥が発生した場合の画像品位の低下を軽減する
ために、第８図に示すアクティブマトリクス基板を用い
ることが提唱されている。このアクティブマトリクス基
板では、絵素電極８は２つの分割電極20、21に分割さ
れ、分割電極20及び21は間隙23を隔てて設けられてい
る。分割電極20及び21には、TFT11a及び11bが、それぞ
れドレイン電極22a及び22bによって接続されている。TF
T11a及び11bのソース電極21a及び21bは、同一のソース
バスライン10に接続され、TFT11a及び11bに共通のゲー
ト電極２は、ゲートバスライン９に接続されている。従
って、分割電極20及び21は同じゲートバスライン９及び
ソースバスライン10によって、同時に駆動されることに
なる。

この基板を用いて表示装置を組み立て、第８図に於け
るIX−IX線に沿って切断した断面図を第９図に示す。ガ
ラス基板１上にタンタル（Ta）から成るゲート電極２が
2500Åの厚さに形成され、ゲート電極２上には酸化タン
タル（Ta₂O₅）から成る陽極酸化膜３が3000Åの厚さに
形成されている。陽極酸化膜３を覆って全面に、窒化シ
リコン（SiN_x）から成るゲート絶縁膜４が3000Åの厚さ
に堆積されている。

ゲート電極２の上方のゲート絶縁膜４上には、真性半
導体非晶質シリコン（以下では「ａ−Si（ｉ）」と称す
る）の半導体層５が1000Åの厚さに形成され、更に半導
体層５上にはｎ型半導体非晶質シリコン（以下では「ａ
−Si（n⁺）」と称する）のコンタクト層６、６が500Å
の厚さに形成されている。コンタクト層６、６上には、
チタン（Ti）から成るソース電極21a及びドレイン電極2
2aが3000Åの厚さに形成され、TFT11aが構成されてい
る。

ゲート絶縁膜４とドレイン電極22aとの上には、ITOか
ら成る絵素電極８が1000Åの厚さにパターン形成されて
いる。更に、基板の全面に厚さ3000ÅのSiN_Xから成る保
護膜16、及び配向膜17が形成されている。

以上のようにして形成されたアクティブマトリクス基
板に対向する対向基板では、ガラス基板12上にカラーフ
ィルタ14、及びブラックストライプ15が備えられてい
る。更に、対向基板の全面に、ITOから成る対向電極13
及び配向膜18が形成されている。２つの配向膜17及び18
の間に液晶19が封入され、アクティブマトリクス表示装
置が構成されている。

（発明が解決しようとする課題） このような構成とすることにより、一方の分割電極に
欠陥が発生しても、他方の分割電極が正常に作動するの
で、絵素欠陥を目立たないようにすることができる。し
かし、絵素欠陥を生じていない絵素電極では、２つの分
割電極20及び21の間に間隙23が存在し、この間隙23と対
向電極13との間の液晶19には電圧が印加されないので、
間隙23の部分は表示には寄与し得ない。そのため、以下
のような新たな問題が生じる。即ち、ノーマリホワイト
モードの液晶表示装置では、電圧印加時に於いても光が
間隙23を透過するため、コントラストが低下する。ノー
マリブラックモードの液晶表示装置では、電圧印加時に
於いても光は間隙23を透過しないため、表示画面全体が
暗くなる。プラズマ、EL発光体等を表示媒体として用い
た表示装置では、単位面積当りの発光量の低下により、
表示画面全体が暗くなる。

このような問題点を解消するため、第10図及び第12図
に示すようなアクティブマトリクス基板が考えられる。
第11図には第10図のXI−XI線に沿った断面図を示す。第
13図には第12図のXIII−XIII線に沿った断面図を示す。
第10図及び第12図に示す表示装置は、第８図に示すもの
と同様であるが、分割電極20と21とが隣接する領域に、
重畳領域57が設けられている点が異なる。これらの表示
装置では重畳領域57が設けられているため、分割電極20
及び21の間も表示に寄与することができる。即ち、第10
図及び第11図に示す表示装置の重畳領域57では、分割電
極20と分割電極21とがゲート絶縁膜28を介して重畳され
ているため、この領域57と対向電極39との間の液晶41に
も電圧が印加され得る。第12図及び第13図に示す表示装
置では、分割電極20及び21が２層構造からなり、重畳領
域57では上層分割電極20b及び下層分割電極21aが重畳さ
れている。従って、この表示装置に於いても、重畳領域
57と対向電極39との間の液晶41にも電圧が印加され得
る。このように第10図及び第12図の表示装置では、分割
電極20と21との間に表示に寄与しない領域が存在しない
ため、前述のコントラストの低下や表示画面の明るさの
低下が起こらない。

しかし、このような構成としても分割電極に絵素欠陥
が発生すれば、前述のように画像品位の低下は免れな
い。このような絵素欠陥の発生を避けるために、レーザ
光線を用いた修正技術が開発されている。例えば、特開
昭59−101693では、TFTの不良が発生した場合に、TFTを
レーザ光を用いてゲートバスライン及びソースバスライ
ンから切り離し、欠陥を生じた絵素電極を隣接する絵素
電極に接続することによって修復される。この接続は予
め設けられた修復構造に、レーザ光を照射することによ
って行われる。この修復構造は、隣接する２つの絵素電
極の間を橋絡して設けられた導電膜によって構成されて
いる。この導電膜は一方の絵素電極に接し、他方の絵素
電極に非導通状態で重畳している。非導通状態で重畳し
た絵素電極と導電膜とをレーザ光によって導通させるこ
とによって修復が行われる。このように修復することに
よって絵素欠陥となることは免れるが、修復された絵素
電極は接続された隣の絵素電極と同じ動作を行い、本来
の動作を行うことはできない。

TFTの欠陥等によって発生した絵素欠陥箇所の特定
は、表示装置を組み立てて実際に表示した状態で行うの
が簡単で正確な方法である。これに比べ、アクティブマ
トリクス基板の状態でTFTの欠陥発生箇所を特定する方
法では、多数の絵素電極に接続された全てのTFTの動作
特性を個々に検査する必要があるので簡単ではない。こ
のような検査を行うには、極めて高精度の測定機器を使
用して、複雑な検査工程を経なければならない。

一方、前述のレーザ光をもちいた絵素欠陥の修復作業
は、従来よりアクティブマトリクス基板の状態で行われ
ているが、絵素数の多い大型表示装置では、個々の絵素
欠陥を電気的に検出するこなに非常に困難である。その
ため、量産性が著しく阻害されるという結果となる。

本発明はこのような問題点を解決するものであり、本
発明の目的は、絵素欠陥が発生しても表示装置の外部か
ら、この欠陥絵素を光学的に検出した後、画像品位を低
下させることなく該欠陥を修正でき、しかも、表示画面
のコントラストや明るさが低下しないアクティブマトリ
クス表示装置を提供することである。

（課題を解決するための手段） 本発明は、少なくとも一方が透光性を有する一対の基
板と、該透光性を有する基板の内面にマトリクス状に配
され、複数の分割電極を１単位とする絵素電極と、前記
一対の基板間に封入された液晶層と、を備えてなるアク
ティブマトリクス表示装置において、前記絵素電極を構
成する複数の分割電極には、少なくとも一方の分割電極
と絶縁膜を介して非導通状態で隣り合う分割電極と端部
が対置する導電膜が架設されかつそれぞれの分割電極
は、分割境界で相互の縁辺部が絶縁膜を介して重畳され
るとともにスイッチング素子を介して信号線と連結さ
れ、前記分割電極と非導通状態に設定された前記導電膜
の端部は外部からのレーザ光照射により前記分割電極と
相互溶融して導通状態となる金属材料で構成されている
ことを特徴とする。

（作用） 本発明のアクティブマトリクス表示装置では、絵素電
極が２以上の分割電極に分割されている。互いに隣合う
２つの分割電極の隣接領域に於いて、これら２つの分割
電極が互いに絶縁膜を介して重畳されている。このよう
な構成により、分割電極の隣接する領域と対向電極との
間の表示媒体にも電圧が印加され得る。そのため、この
隣接領域も表示に寄与することができる。従って、表示
画面のコントラストの低下や明るさの低下が起こらな
い。

また、本発明のアクティブマトリクス表示装置では、
互いに隣り合う２つの該分割電極の隣接領域に於いて、
該２つの分割電極に重畳して導電膜が設けられている。
この導電膜は少なくとも一方の分割電極と非導通状態で
ある。もし、一方の分割電極に絵素欠陥を生じていれ
ば、この非導通状態の導電膜と分割電極との重畳部に、
表示装置の外部からレーザ光等のエネルギーを照射する
ことにより、導電膜と分割電極とが電気的に接続され
る。これにより隣接する２つの分割電極が、導電膜を介
して電気的に接続される。従って、絵素欠陥を生じてい
た分割電極は隣接する分割電極のスイッチング素子によ
って駆動され得る。絵素欠陥の発生原因がスイッチング
素子の絶縁不良等である場合には、絵素欠陥を生じてい
る分割電極に接続されているスイッチング素子が、レー
ザ光照射によって分割電極から切り離される。以上のよ
うにして絵素欠陥が修正される。

（実施例） 本発明を実施例について以下に説明する。第１図に本
発明の表示装置に用いられるアクティブマトリクス基板
の１実施例を示す。本実施例は透過型の表示装置であ
る。この表示装置では、絵素電極８は２つの分割電極20
及び21に分割され、分割電極20及び21には、スイッチン
グ素子としてTFT44及び45が、それぞれドレイン電極55
及び56によって接続されている。TFT44及び45のソース
電極53及び54は、同一のソースバスライン31に接続さ
れ、TFT44及び45に共通のゲート電極26は、ゲートバス
ライン25に接続されている。従って、分割電極20及び21
は、同一のゲートバスライン25及び同一のソースバスラ
イン31によって駆動される。分割電極20及び21が隣接す
る領域には、重畳領域57が設けられている。

この基板を用いて表示装置を組み立て、第１図に於け
るXI−XI線に沿って切断した断面図は第11図と同様であ
る。第11図を参照しながら、TFT44の断面構成について
説明する。TFT45の断面構成もTFT44と同様である。ガラ
ス基板24上にTaから成るゲート電極26が2500Åの厚さに
形成され、ゲート電極26上にはTa₂O₅から成る陽極酸化
膜27が3000Åの厚さに形成されている。陽極酸化膜27を
覆って、SiN_Xから成るゲート絶縁膜28が堆積されてい
る。ゲート絶縁膜28として適切な厚さは2000Å〜10000
Åであるが、本実施例では3000Åとした。

ゲート電極26の上方のゲート絶縁膜28上には、ａ−Si
（ｉ）から成る半導体層29が1000Åの厚さに形成され、
更に半導体層29上にはａ−Si（n⁺）から成るコンタクト
層30、30が500Åの厚さに形成されている。コンタクト
層30、30上にはTiから成るソース電極53及びドレイン電
極55が、3000Åの厚さに形成されている。

次に、重畳領域57の断面構成について説明する。ガラ
ス基板24上に分割電極20がSnO₂により、1000Åの厚さに
形成されている。分割電極20の側方には、分割電極21が
ITOにより、1000Åの厚さに形成されている。分割電極2
0及び21が形成されている領域では、第１図の破線で示
すように、該電極20及び21の外周より内側の部分のゲー
ト絶縁膜28が除去されている。分割電極20及び21が隣接
する重畳領域57では、ゲート絶縁膜28は該電極20の直上
及び該電極21の直下に跨っている。分割電極20及び21
は、重畳部49に於いて互いにゲート絶縁膜28を介して重
畳されている。

本実施例では分割電極20上にゲート絶縁膜28を介して
分割電極21が重畳されることによって、重畳領域57が形
成される例を示したが、分割電極21上にゲート絶縁膜28
を介して分割電極20が重畳されることによって、重畳領
域57が形成される構成とすることもできる。

分割電極20及び21が隣接する領域のTFT44及び45から
最も遠い部分には、接続部58が形成されている。第１図
のII−II線に沿った接続部58の断面構成を第２図に示
す。第２図を参照しながら、接続部58の断面構成につい
て説明する。ガラス基板24上に導電膜59がTaにより、25
00Åの厚さに形成されている。本実施例では導電膜59は
ゲートバスライン25及びゲート電極26と同時に形成され
ている。導電膜59の一方の端部の上には分割電極20が重
畳されている。更に、導電膜59を覆って、前述のゲート
絶縁膜28が除去されずに残されている。導電膜59の分割
電極20が重畳されていない端部の上方には、ゲート絶縁
膜28を介して分割電極21が重畳されている。

このようにTFT44、分割電極20及び21、重畳部57、接
続部58等を形成した基板の全面に、SiN_Xから成る保護膜
34が形成されている。保護膜34の接続部58上での好まし
い厚さは1500〜15000Åであるが、本実施例では3000Å
とした。更に、保護膜34上には配向膜35が形成され、ア
クティブマトリクス基板が構成される。

このようにして形成されたアクティブマトリクス基板
に対向する対向基板では、第11図にしめすようにガラス
基板36上にカラーフィルタ37及びブラックストライプ38
が設けられ、更に対向基板の全面にITOから成る対向電
極39が積層されている。対向電極39上には配向膜40が形
成されている。２つの配向膜34及び40の間に液晶41が封
入され、本実施例のアクティブマトリクス表示装置が構
成されている。

本実施例に於いて、一方の分割電極に絵素欠陥が生じ
ているか否かを検出するために、例えば全絵素に交流パ
ルスを一斉に印加し、絵素のコントラストの変化を視覚
的に確認する。欠陥を生じている絵素ではこのコントラ
ストの変化が異常となるので、欠陥絵素を光学的に容易
に確認することができる。生じた絵素欠陥は、接続部58
を用いて修正される。この修正は第２図の矢印70に示す
位置にレーザ光等のエネルギーを照射することにより行
われる。レーザ光照射によってゲート絶縁膜28が破壊さ
れ、導電膜59と分割電極21とが電気的に接続される。こ
れにより、分割電極20及び21は導電膜59を介して接続さ
れる。更に、絵素欠陥がTFTの絶縁不良などによって生
じている場合には、レーザ光照射によって該不良TFTが
分割電極から切り離される。このようにして絵素欠陥を
生じた分割電極は隣接する分割電極のTFTによって駆動
され、絵素欠陥が修正される。

本実施例では、２つの分割電極20及び21が隣接する領
域には重畳領域57が形成されているので、この領域57と
対向電極39との間の液晶41にも電圧が印加される。その
ため、絵素全体の表示面積は減少せず、表示画面のコン
トラストの低下や明るさの低下を生じない。

第３図に本発明の表示装置に用いられるアクティブマ
トリクス基板の他の実施例を示す。本実施例でも、絵素
電極８は２つの分割電極20及び21に分割され、分割電極
20及び21には、TFT44及び45が、それぞれドレイン電極5
5及び56によって接続されている。TFT44及び45のソース
電極53及び54は、同一のソースバスライン31に接続さ
れ、TFT44及び45に共通のゲート電極26は、ゲートバス
ライン25に接続されている。従って、分割電極20及び21
は、同一のゲートバスライン25及び同一のソースバスラ
イン31によって駆動される。分割電極20及び21が隣接す
る領域には、重畳領域57が設けられている。

この基板を用いて表示装置を組み立て、第３図に於け
るXIII−XIII線に沿って切断した断面図は第13図と同様
である。本実施例のTFT44及び45の断面構成は、前述の
第11図で説明したTFT44と同様である。絵素電極８及び
重畳領域57の断面構成について、第13図を参照しながら
説明する。本実施例では、分割電極20は下層分割電極20
a及び上層分割電極20bの２層構造から成る。同様に、分
割電極21は下層分割電極21a及び上層分割電極21bの２層
構造から成る。ガラス基板24上に下層分割電極20a及び2
1aがITOにより、500〜700Åの厚さに形成されている。
下層分割電極20a及び21aは間隙47を隔てて設けられてい
る。下層分割電極20a及び21aが形成されている領域で
は、第３図の破線で示すように、該電極20a及び21aの外
周より内側の部分のゲート絶縁膜28が除去されている。
下層分割電極20aと21aとが隣接する重畳領域57では、こ
れらの電極20a及び21a上に跨って、ゲート絶縁膜28が残
されている。

下層分割電極20a及び21aの上には、それぞれ上層分割
電極20b及び21bがITOにより、500〜700Åの厚さに形成
されている。上層分割電極20bはドレイン電極55とのコ
ンタクトを確実にするため、該電極55上にも形成されて
いる。また、上層分割電極20b及び21bは、重畳領域57で
はゲート絶縁膜28上に形成され、間隙48を隔てて設けら
れている。間隙48は下層分割電極20a及び21aの間の間隙
47とは重畳しないように設けられる。即ち、間隙47上方
には上層分割電極20bが位置し、間隙48の下方には下層
分割電極21aが位置する。そして、上層分割電極20bと下
層分割電極21aとはゲート絶縁膜28を介して重畳され、
重畳部49を形成している。

本実施例では上層分割電極20bと下層分割電極21aとが
重畳されることによって、重畳部49が形成されている例
を示したが、上層分割電極21bと下層分割電極20aとが重
畳されることによって、重畳部49が形成される構成とす
ることもできる。この場合には間隙47の上方には上層分
割電極21bが位置し、間隙48の下方には下層分割電極20a
が位置することになる。

分割電極20及び21が隣接する領域のTFT44及び45から
最も遠い部分には、接続部58が形成されている。第３図
のIV−IV線に沿った接続部58の断面構成を第４図に示
す。第４図を参照しながら、接続部58の断面構成につい
て説明する。ガラス基板24上に導電膜59がTaにより、25
00Åの厚さに形成されている。本実施例では導電膜59は
ゲートバスライン25及びゲート電極26と同時に形成さ
れ、下層分割電極20a及び21aの間に形成されている。導
電膜59の両端部の上方には、それぞれ金属片67及び68が
ゲート絶縁膜28を介して設けられている。金属片67及び
68上には、それぞれ上層分割電極20b及び21bが重畳され
ている。

このようにTFT44、分割電極20及び21、重畳部57、接
続部58等を形成した基板の全面に、SiN_Xから成る保護膜
34が3000Åの厚さに形成されている。更に、保護膜34上
には配向膜35が形成され、アクティブマトリクス基板が
構成されている。

このようにして形成されたアクティブマトリクス基板
に対向する対向基板は、第11図で説明したものと同様で
ある。２つの配向膜34及び40の間に液晶41が封入され、
本実施例のアクティブマトリクス表示装置が構成されて
いる。

本実施例に於いても、一方の分割電極に絵素欠陥が生
じている場合には、接続部58によって修正される。この
修正は第４図の矢印70及び71に示す位置にレーザ光等の
エネルギーを照射することにより行われる。レーザ光照
射によってゲート絶縁膜28が破壊され、導電膜59と分割
電極20及び21とが電気的に接続される。これにより、分
割電極20及び21は導電膜59を介して接続される。更に、
絵素欠陥がTFTの絶縁不良などによって生じている場合
には、レーザ光照射によって該不良TFTが分割電極から
切り離される。このようにして絵素欠陥を生じた分割電
極は隣接する分割電極のTFTによって駆動され、絵素欠
陥が修正される。

本実施例では、２つの分割電極42及び43が隣接する領
域に、重畳領域57が形成されている。重畳領域57には上
層分割電極42b及び下層分割電極43aのうちの何れかが存
在するので、この領域57と対向電極39との間の液晶41に
も電圧が印加される。そのため、絵素全体の表示面積は
減少せず、表示画面のコントラストの低下や明るさの低
下を生じない。

第５図及び第６図に他の接続部58の実施例を示す。第
５図に示す接続部58では、金属片67及び68が設けられて
おらず、レーザ光照射によって導電膜59と上層分割電極
20b及び21bとが、直接電気的に接続される。第６図に示
す接続部58では、導電膜59と下層分割電極21aとが予め
電気的に接続され、レーザ光照射によって導電膜59と一
方の上層分割電極20bとが電気的に接続される。

上記実施例ではスイッチング素子としてTFTを用いた
が、本発明は例えばMIM（金属−絶縁層−金属）素子、
ダイオード、バリスタ等をスイッチング素子として用い
た広範囲の表示装置にも適用することができる。

また、上記実施例では絵素電極が２つの分割電極に分
割される場合について説明したが、本発明は絵素電極を
３以上の分割電極に分割した構成とすることもできる。

（発明の効果） 本発明のアクティブマトリクス表示装置では、絵素欠
陥が発生しても、表示装置の外部から欠陥絵素を検出し
た後、画像品位を低下させることなく該欠陥を修正でき
る。しかも、表示画面のコントラストの低下や明るさの
低下が起こらないので、画像品位の高い表示装置を高い
歩留りで得ることができ、表示装置のコストダウンに寄
与することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の表示装置を構成するアクティブマトリ
クス基板の１実施例の平面図、第２図は第１図の基板を
用いた表示装置の、第１図に於けるII−II線に沿った断
面図、第３図は本発明の表示装置を構成するアクティブ
マトリクス基板の他の実施例の平面図、第４図は第３図
の基板を用いた表示装置の、第３図に於けるIV−IV線に
沿った断面図、第５図及び第６図は接続部の他の実施例
の断面図、第７図は従来のアクティブマトリクス基板の
平面図、第８図は絵素電極を２つの分割電極に分割した
アクティブマトリクス基板の例を示す図、第９図は第８
図の基板を用いた表示装置の、第８図に於けるIX−IX線
に沿った断面図、第10図はアクティブマトリクス基板の
改良例の平面図、第11図は第１図及び第10図のXI−XI線
に沿った断面図、第12図はアクティブマトリクス基板の
他の改良例の平面図、第13図は第３図及び第12図のXIII
−XIII線に沿った断面図である。 ８……絵素電極、20,21……分割電極、20a,21a……下層
分割電極、20b,21b……上層分割電極、24,36……ガラス
基板、25……ゲートバスライン、26……ゲート電極、27
……陽極酸化膜、28……ゲート絶縁膜、29……半導体
層、30……コンタクト層、31……ソースバスライン、34
……保護膜、35,40……配向膜、39……対向電極、41…
…液晶、44,45……TFT、53,54……ソース電極、55,56…
…ドレイン電極、57……重畳領域、58……接続部、59…
…導電膜、67,68……金属片。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 今矢 明彦 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 広部 俊彦 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (72)発明者 金森 謙 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シャープ株式会社内 (56)参考文献 特公 平７−48146（ＪＰ，Ｂ２)

Claims (1)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】少なくとも一方が透光性を有する一対の基
   板と、該透光性を有する基板の内面にマトリクス状に配
   され、複数の分割電極を１単位とする絵素電極と、前記
   一対の基板間に封入された液晶層と、を備えてなるアク
   ティブマトリクス表示装置において、 前記絵素電極を構成する複数の分割電極には、少なくと
   も一方の分割電極と絶縁膜を介して非導通状態で隣り合
   う分割電極と端部が対置する導電膜が架設されかつそれ
   ぞれの分割電極は、分割境界で相互の縁辺部が絶縁膜を
   介して重畳されるとともにスイッチング素子を介して信
   号線と連結され、 前記分割電極と非導通状態に設定された前記導電膜の端
   部は外部からのレーザ光照射により前記分割電極と相互
   熔融して導通状態となる金属材料で構成されていること
   を特徴とするアクティブマトリクス表示装置。