JPH05100237A - アクテイブマトリクス表示装置の線欠陥修正方法 - Google Patents
アクテイブマトリクス表示装置の線欠陥修正方法Info
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- JPH05100237A JPH05100237A JP25758291A JP25758291A JPH05100237A JP H05100237 A JPH05100237 A JP H05100237A JP 25758291 A JP25758291 A JP 25758291A JP 25758291 A JP25758291 A JP 25758291A JP H05100237 A JPH05100237 A JP H05100237A
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- G02—OPTICS
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- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 走査線に発生する断線に起因する線欠陥の検
出および修正を迅速、確実に行え、結果的に歩留りの向
上および大幅なコストダウンが可能になるアクティブマ
トリクス表示装置の線欠陥修正方法を実現する。 【構成】 アクティブマトリクス表示装置が作製される
と、ゲートバスライン２９、ソースバスライン２５およ
び対向電極に駆動用の電気信号を印加し、表示動作を行
わせ、目視によりゲートバスライン２９の断線不良を検
出する。断線部９０が検出されると、不良ゲートバスラ
イン２９ｂの断線部９０の両側であって、絵素電極５と
不良ゲートバスライン２９ｂの重畳部に相当する照射領
域５１、５２にレーザ光ＬＢを照射する。これにより、
２箇所の照射領域５１、５２において絵素電極５とゲー
トバスライン２９ｂが短絡され、この部分に信号伝達用
のバイパスラインが形成されるので、以後、ゲートバス
ライン２９ｂの断線部９０よりも先の部分に信号が伝達
され、線欠陥が解消される。
出および修正を迅速、確実に行え、結果的に歩留りの向
上および大幅なコストダウンが可能になるアクティブマ
トリクス表示装置の線欠陥修正方法を実現する。 【構成】 アクティブマトリクス表示装置が作製される
と、ゲートバスライン２９、ソースバスライン２５およ
び対向電極に駆動用の電気信号を印加し、表示動作を行
わせ、目視によりゲートバスライン２９の断線不良を検
出する。断線部９０が検出されると、不良ゲートバスラ
イン２９ｂの断線部９０の両側であって、絵素電極５と
不良ゲートバスライン２９ｂの重畳部に相当する照射領
域５１、５２にレーザ光ＬＢを照射する。これにより、
２箇所の照射領域５１、５２において絵素電極５とゲー
トバスライン２９ｂが短絡され、この部分に信号伝達用
のバイパスラインが形成されるので、以後、ゲートバス
ライン２９ｂの断線部９０よりも先の部分に信号が伝達
され、線欠陥が解消される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、走査線に発生する断線
に起因する表示絵素の線欠陥を確実に修正できるアクテ
ィブマトリクス表示装置の線欠陥修正方法に関する。
に起因する表示絵素の線欠陥を確実に修正できるアクテ
ィブマトリクス表示装置の線欠陥修正方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、液晶表示装置、ＥＬ表示装
置、プラズマ表示装置においては、マトリクス状に配設
された表示絵素を選択することにより画面上に表示パタ
ーンを形成している。表示絵素の選択方式として、アク
ティブマトリクス駆動方式がある。この方式は、絵素電
極を基板上にマトリクス状に配設すると共に、各絵素電
極それぞれにスイッチング素子を接続し、該スイッチン
グ素子を介して絵素電極を選択的に駆動する駆動方式を
とる。このアクティブマトリクス駆動方式は、高コント
ラストの表示が可能であるので、液晶テレビジョン、ワ
ードプロセッサおよびコンピュータの端末表示等に実用
化されている。
置、プラズマ表示装置においては、マトリクス状に配設
された表示絵素を選択することにより画面上に表示パタ
ーンを形成している。表示絵素の選択方式として、アク
ティブマトリクス駆動方式がある。この方式は、絵素電
極を基板上にマトリクス状に配設すると共に、各絵素電
極それぞれにスイッチング素子を接続し、該スイッチン
グ素子を介して絵素電極を選択的に駆動する駆動方式を
とる。このアクティブマトリクス駆動方式は、高コント
ラストの表示が可能であるので、液晶テレビジョン、ワ
ードプロセッサおよびコンピュータの端末表示等に実用
化されている。
【０００３】絵素電極を選択駆動するスイッチング素子
としては、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子、ＭＩＭ
（金属−絶縁膜−金属）素子、ＭＯＳトランジスタ素
子、ダイオード、バリスタ等が一般に用いられ、絵素電
極とこれに対向する対向電極間に印加される電圧をスイ
ッチングすることにより、その間に介在する液晶、ＥＬ
発光層或はプラズマ発光体等の表示媒体を光学変調して
表示動作が行われる。この時の光学的変調が表示パター
ンとして観測者に視認される。
としては、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）素子、ＭＩＭ
（金属−絶縁膜−金属）素子、ＭＯＳトランジスタ素
子、ダイオード、バリスタ等が一般に用いられ、絵素電
極とこれに対向する対向電極間に印加される電圧をスイ
ッチングすることにより、その間に介在する液晶、ＥＬ
発光層或はプラズマ発光体等の表示媒体を光学変調して
表示動作が行われる。この時の光学的変調が表示パター
ンとして観測者に視認される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した表
示装置において、各絵素電極に駆動信号を伝達するゲー
トバスライン（走査線）の中途に断線が発生すると、該
ゲートバスラインに一方向からのみ駆動信号を伝達する
駆動方法による場合は、断線部の先端側に位置するスイ
ッチング素子には本来与えられるべき信号が入力されな
いため、結果的に表示装置の上で線欠陥として認識され
ることになる。このような線欠陥は表示装置の表示品位
を著しく損なうため、製品としては不良品になり、製品
歩留りを向上する上で大きな問題になっていた。
示装置において、各絵素電極に駆動信号を伝達するゲー
トバスライン（走査線）の中途に断線が発生すると、該
ゲートバスラインに一方向からのみ駆動信号を伝達する
駆動方法による場合は、断線部の先端側に位置するスイ
ッチング素子には本来与えられるべき信号が入力されな
いため、結果的に表示装置の上で線欠陥として認識され
ることになる。このような線欠陥は表示装置の表示品位
を著しく損なうため、製品としては不良品になり、製品
歩留りを向上する上で大きな問題になっていた。
【０００５】このような線欠陥はスイッチング素子が形
成される側の基板の作製途中で発見されれば、レーザト
リミング等の修正作業で容易に修正できる。しかるに、
基板の作製途中で線欠陥を検出し、断線発生部を特定す
るのは、時間的およびコスト的に困難であり、現実的で
ない。
成される側の基板の作製途中で発見されれば、レーザト
リミング等の修正作業で容易に修正できる。しかるに、
基板の作製途中で線欠陥を検出し、断線発生部を特定す
るのは、時間的およびコスト的に困難であり、現実的で
ない。
【０００６】その一方、スイッチング素子側基板と対向
側基板とを貼り合わせ、両基板間に表示媒体としての液
晶を封入した後では、ゲートバスラインおよびこれに直
交するソースバスラインに電気信号を加えて表示動作を
行わせれば、目視で線欠陥を容易に検出できる。しかる
に、この場合は線欠陥の修正作業が容易に行えないとい
う難点がある。
側基板とを貼り合わせ、両基板間に表示媒体としての液
晶を封入した後では、ゲートバスラインおよびこれに直
交するソースバスラインに電気信号を加えて表示動作を
行わせれば、目視で線欠陥を容易に検出できる。しかる
に、この場合は線欠陥の修正作業が容易に行えないとい
う難点がある。
【０００７】このような事情により、線欠陥の発生して
いる表示装置は破棄せざるを得ないのが現状であり、製
品の歩留りを向上する上で限界があった。
いる表示装置は破棄せざるを得ないのが現状であり、製
品の歩留りを向上する上で限界があった。
【０００８】本発明はこのような従来技術の欠点を解決
するものであり、走査線に発生する断線に起因する線欠
陥の検出および修正を迅速、確実に行え、結果的に歩留
りの向上および大幅なコストダウンが可能になるアクテ
ィブマトリクス表示装置の線欠陥修正方法を提供するこ
とを目的とする。
するものであり、走査線に発生する断線に起因する線欠
陥の検出および修正を迅速、確実に行え、結果的に歩留
りの向上および大幅なコストダウンが可能になるアクテ
ィブマトリクス表示装置の線欠陥修正方法を提供するこ
とを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明のアクティブマト
リクス表示装置の線欠陥修正方法は、走査線および信号
線が格子状に配線され、該走査線および該信号線で囲ま
れた領域に絵素電極がマトリクス状に配設されると共
に、該走査線、該信号線および該絵素電極にスイッチン
グ素子が接続され、かつ該絵素電極の一部に絶縁膜を介
して隣接する走査線に重畳される重畳部が形成されたア
クティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基
板に貼り合わされる対向側基板と、両基板間に封入さ
れ、両基板間に印加される電圧に応答して光学的特性が
変調される表示媒体とを備えたアクティブマトリクス表
示装置の線欠陥修正方法において、該走査線および該信
号線に信号電圧を印加し、該スイッチング素子をＯＮし
て、該アクティブマトリクス表示装置に表示動作を行わ
せ、これにより中途に断線が発生している動作不良の該
走査線を光学的に検出する検出工程と、動作不良の該走
査線の断線発生部の両側に位置する該重畳部に光エネル
ギを照射する照射工程とを含んでおり、そのことにより
上記目的が達成される。
リクス表示装置の線欠陥修正方法は、走査線および信号
線が格子状に配線され、該走査線および該信号線で囲ま
れた領域に絵素電極がマトリクス状に配設されると共
に、該走査線、該信号線および該絵素電極にスイッチン
グ素子が接続され、かつ該絵素電極の一部に絶縁膜を介
して隣接する走査線に重畳される重畳部が形成されたア
クティブマトリクス基板と、該アクティブマトリクス基
板に貼り合わされる対向側基板と、両基板間に封入さ
れ、両基板間に印加される電圧に応答して光学的特性が
変調される表示媒体とを備えたアクティブマトリクス表
示装置の線欠陥修正方法において、該走査線および該信
号線に信号電圧を印加し、該スイッチング素子をＯＮし
て、該アクティブマトリクス表示装置に表示動作を行わ
せ、これにより中途に断線が発生している動作不良の該
走査線を光学的に検出する検出工程と、動作不良の該走
査線の断線発生部の両側に位置する該重畳部に光エネル
ギを照射する照射工程とを含んでおり、そのことにより
上記目的が達成される。
【００１０】
【作用】以下に本発明アクティブマトリクス表示装置の
線欠陥修正方法の修正原理を図１に従い説明する。今、
絵素電極５を駆動するゲートバスライン２９ａに隣接
し、該絵素電極４１の隅部に絶縁膜を介して一部が重畳
されたゲートバスライン２９ｂの中途に断線部９０が発
生している状態を想定する。このとき、ゲートバスライ
ン２９ｂには矢印Ｘで示す一方向からのみ信号が入力さ
れるようになっており、断線部９０の存在により、該ゲ
ートバスライン２９ｂの断線部９０より先端側に位置す
る部分に線欠陥が発生している。
線欠陥修正方法の修正原理を図１に従い説明する。今、
絵素電極５を駆動するゲートバスライン２９ａに隣接
し、該絵素電極４１の隅部に絶縁膜を介して一部が重畳
されたゲートバスライン２９ｂの中途に断線部９０が発
生している状態を想定する。このとき、ゲートバスライ
ン２９ｂには矢印Ｘで示す一方向からのみ信号が入力さ
れるようになっており、断線部９０の存在により、該ゲ
ートバスライン２９ｂの断線部９０より先端側に位置す
る部分に線欠陥が発生している。
【００１１】該線欠陥および断線部９０の位置は表示装
置を駆動し、その表示状態を目視で視認すれば容易に検
出される。このようにして断線部９０の位置を検出する
と、次に、該断線部９０の両側に位置する照射領域５
１、５２に光エネルギの一例としてレーザ光を照射す
る。
置を駆動し、その表示状態を目視で視認すれば容易に検
出される。このようにして断線部９０の位置を検出する
と、次に、該断線部９０の両側に位置する照射領域５
１、５２に光エネルギの一例としてレーザ光を照射す
る。
【００１２】ここで、照射領域５１、５２はゲートバス
ライン２９ｂと絵素電極５の隅部との重畳部、より具体
的にはゲートバスライン２９ｂと付加容量電極との重畳
部であり、該重畳部に付加容量が形成される。この付加
容量は、アクティブマトリクス表示装置の電荷保持能力
を高め、これにより表示品位を向上するために設けられ
るものであり、図示例ではゲートバスライン金属と絵素
電極５を形成するＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘ
ｉｄｅ）とを絶縁膜を介して重畳することにより形成さ
れている。
ライン２９ｂと絵素電極５の隅部との重畳部、より具体
的にはゲートバスライン２９ｂと付加容量電極との重畳
部であり、該重畳部に付加容量が形成される。この付加
容量は、アクティブマトリクス表示装置の電荷保持能力
を高め、これにより表示品位を向上するために設けられ
るものであり、図示例ではゲートバスライン金属と絵素
電極５を形成するＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘ
ｉｄｅ）とを絶縁膜を介して重畳することにより形成さ
れている。
【００１３】従って、照射領域５１、５２にレーザ光を
照射すると、絶縁膜の照射スポットに穴が明けられ、か
つ打ち抜かれた穴の周辺を介して融解された金属同士、
すなわちゲートバスライン２９ｂと絵素電極５とが２箇
所の位置で電気的に接続される。このような接続態様に
よりゲートバスライン２９ｂと絵素電極５との間に、ゲ
ートバスライン２９ｂ上を矢印Ｘ方向に伝達される信号
を、照射領域５１→絵素電極５→照射領域５２を通して
ゲートバスライン２９ｂの断線部９０の先端側に伝達す
るバイパスラインが形成される。この結果、ゲートバス
ライン２０ｂの断線部９０の先端側に信号が伝達される
ので、線欠陥が解消される。
照射すると、絶縁膜の照射スポットに穴が明けられ、か
つ打ち抜かれた穴の周辺を介して融解された金属同士、
すなわちゲートバスライン２９ｂと絵素電極５とが２箇
所の位置で電気的に接続される。このような接続態様に
よりゲートバスライン２９ｂと絵素電極５との間に、ゲ
ートバスライン２９ｂ上を矢印Ｘ方向に伝達される信号
を、照射領域５１→絵素電極５→照射領域５２を通して
ゲートバスライン２９ｂの断線部９０の先端側に伝達す
るバイパスラインが形成される。この結果、ゲートバス
ライン２０ｂの断線部９０の先端側に信号が伝達される
ので、線欠陥が解消される。
【００１４】本発明者等が行った実験結果によれば、重
畳部の接続抵抗は数百オーム以下であることが確認され
ており、この程度の抵抗であれば、バイパスラインとし
て利用する場合に問題を生じることがない。従って、上
記修正方法によれば、何等不都合を生じることなく断線
に起因する線欠陥を確実に修正できる。
畳部の接続抵抗は数百オーム以下であることが確認され
ており、この程度の抵抗であれば、バイパスラインとし
て利用する場合に問題を生じることがない。従って、上
記修正方法によれば、何等不都合を生じることなく断線
に起因する線欠陥を確実に修正できる。
【００１５】
【実施例】本発明の実施例について以下に説明する。
【００１６】図１は本発明方法が適用されるアクティブ
マトリクス表示装置の一例を示しており、図２に示すガ
ラス基板（アクティブマトリクス基板）１上には、ゲー
トバスライン２９が行方向に配線され、これと直交する
列方向にはソースバスライン２５が配線される。ゲート
バスライン２９とソースバスライン２５で囲まれた矩形
状の領域には絵素電極５がマトリクス状に配設される。
マトリクス表示装置の一例を示しており、図２に示すガ
ラス基板（アクティブマトリクス基板）１上には、ゲー
トバスライン２９が行方向に配線され、これと直交する
列方向にはソースバスライン２５が配線される。ゲート
バスライン２９とソースバスライン２５で囲まれた矩形
状の領域には絵素電極５がマトリクス状に配設される。
【００１７】ゲートバスライン２９には絵素電極５に向
けて突出するゲート電極９が分岐され、該ゲート電極９
の先端寄りの部分にスイッチング素子としてのＴＦＴ３
１が形成される。ＴＦＴ３１のソース電極１５はソース
バスライン２５から分岐され、ドレイン電極１６は絵素
電極５に接続されている。
けて突出するゲート電極９が分岐され、該ゲート電極９
の先端寄りの部分にスイッチング素子としてのＴＦＴ３
１が形成される。ＴＦＴ３１のソース電極１５はソース
バスライン２５から分岐され、ドレイン電極１６は絵素
電極５に接続されている。
【００１８】加えて、絵素電極５のＴＦＴ３１との接続
部の反対側に位置する隅部には、ＴＦＴ３１を介して該
絵素電極５に接続されるゲートバスライン２９に隣接す
るゲートバスライン２９の一部がゲート絶縁膜１１（図
３参照）を介して重畳される。以下説明の便宜上前者の
ゲートバスラインを図番２９ａで示し、後者のゲートバ
スラインを図番２９ｂで示す。尚、両者を総称する場合
は図番２９で示す。
部の反対側に位置する隅部には、ＴＦＴ３１を介して該
絵素電極５に接続されるゲートバスライン２９に隣接す
るゲートバスライン２９の一部がゲート絶縁膜１１（図
３参照）を介して重畳される。以下説明の便宜上前者の
ゲートバスラインを図番２９ａで示し、後者のゲートバ
スラインを図番２９ｂで示す。尚、両者を総称する場合
は図番２９で示す。
【００１９】次に、図２に従い上記アクティブマトリク
ス表示装置の製作工程について説明する。まず、ガラス
基板１上にＴａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ等の単層または多層
の金属からなる導電体をスパッタリング法を用いて所定
の膜厚で積層し、続いてこの膜をパターニングしてゲー
トバスライン２９を得る。この時、同時にゲート電極９
が作製される。なお、本実施例では単層のＴａでゲート
バスライン２９およびゲート電極９を形成した。
ス表示装置の製作工程について説明する。まず、ガラス
基板１上にＴａ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｃｒ等の単層または多層
の金属からなる導電体をスパッタリング法を用いて所定
の膜厚で積層し、続いてこの膜をパターニングしてゲー
トバスライン２９を得る。この時、同時にゲート電極９
が作製される。なお、本実施例では単層のＴａでゲート
バスライン２９およびゲート電極９を形成した。
【００２０】続いて、ゲートバスライン２９上にゲート
絶縁膜１１を積層する。本実施例では、プラズマＣＶＤ
法を用いてＳｉＮｘ膜を３００ｎｍ積層してゲート絶縁
膜１１とした。なお、ゲート絶縁膜１１を積層する前
に、ゲートバスライン２９およびゲート電極９を陽極酸
化してその表面に陽極酸化膜１０を形成することにして
もよいし、ゲートバスライン２９およびゲート電極９の
下にＴａ2Ｏ5等の絶縁膜からなるベースコート膜２を形
成することにしてもよい。
絶縁膜１１を積層する。本実施例では、プラズマＣＶＤ
法を用いてＳｉＮｘ膜を３００ｎｍ積層してゲート絶縁
膜１１とした。なお、ゲート絶縁膜１１を積層する前
に、ゲートバスライン２９およびゲート電極９を陽極酸
化してその表面に陽極酸化膜１０を形成することにして
もよいし、ゲートバスライン２９およびゲート電極９の
下にＴａ2Ｏ5等の絶縁膜からなるベースコート膜２を形
成することにしてもよい。
【００２１】続いて、プラズマＣＶＤ法によりゲート絶
縁膜１１上に半導体層１２およびエッチングストッパー
層１３を作製する。半導体層１２はアモルファスシリコ
ンａ−Ｓｉ（ｉ）を膜厚３０ｎｍで積層して作製され
る。また、エッチングストッパー層１３はゲート絶縁膜
１１と同じＳｉＮｘ膜を２００ｎｍ積層し、次いでこれ
をパターニングして作製される。
縁膜１１上に半導体層１２およびエッチングストッパー
層１３を作製する。半導体層１２はアモルファスシリコ
ンａ−Ｓｉ（ｉ）を膜厚３０ｎｍで積層して作製され
る。また、エッチングストッパー層１３はゲート絶縁膜
１１と同じＳｉＮｘ膜を２００ｎｍ積層し、次いでこれ
をパターニングして作製される。
【００２２】エッチングストッパー層１３をパターン形
成すると、プラズマＣＶＤ法により半導体層１２の上に
リンを添加したｎ+アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ
（ｎ+））層を８０ｎｍの膜厚で積層し、続いてこれを
パターニングしてコンタクト層１４、１４を作製する。
該コンタクト層１４、１４は半導体層１２とその後に積
層されるソース電極１５又はドレイン電極１６との間の
オーミックコンタクトを良好するために設けられる。
成すると、プラズマＣＶＤ法により半導体層１２の上に
リンを添加したｎ+アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ
（ｎ+））層を８０ｎｍの膜厚で積層し、続いてこれを
パターニングしてコンタクト層１４、１４を作製する。
該コンタクト層１４、１４は半導体層１２とその後に積
層されるソース電極１５又はドレイン電極１６との間の
オーミックコンタクトを良好するために設けられる。
【００２３】コンタクト層１４、１４がパターン形成さ
れると、次にコンタクト層１４、１４を覆うようにして
スパッタリング法によりゲート絶縁膜１１上にソース導
電体を積層し、続いてこれをパターニングしてソースバ
スライン２５を形成する。この時、同時にＴＦＴ３１の
ソース電極１５およびドレイン電極１６が形成され、こ
れでＴＦＴ３１が作製される。該ソース導電体として
は、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｏおよびＣｒ等が一般に使用される
が、本実施例ではＴｉを用いた。
れると、次にコンタクト層１４、１４を覆うようにして
スパッタリング法によりゲート絶縁膜１１上にソース導
電体を積層し、続いてこれをパターニングしてソースバ
スライン２５を形成する。この時、同時にＴＦＴ３１の
ソース電極１５およびドレイン電極１６が形成され、こ
れでＴＦＴ３１が作製される。該ソース導電体として
は、Ｔｉ、Ａｌ、ＭｏおよびＣｒ等が一般に使用される
が、本実施例ではＴｉを用いた。
【００２４】次に、ゲート絶縁膜１１上に透明導電性物
質を積層し、続いてこれをパターンニングして絵素電極
５を形成する。本実施例では、ＩＴＯをスパッタリング
法により積層して絵素電極５を形成した。図２に示すよ
うに、絵素電極５の端部はＴＦＴ３１のドレイン電極１
６の端部上に積層され、該ドレイン電極１６と導通状態
にある。また、図１に示されるように絵素電極５の隅部
は隣接するゲートバスライン２９ｂの一部に重畳され、
重畳部に付加容量が形成される。
質を積層し、続いてこれをパターンニングして絵素電極
５を形成する。本実施例では、ＩＴＯをスパッタリング
法により積層して絵素電極５を形成した。図２に示すよ
うに、絵素電極５の端部はＴＦＴ３１のドレイン電極１
６の端部上に積層され、該ドレイン電極１６と導通状態
にある。また、図１に示されるように絵素電極５の隅部
は隣接するゲートバスライン２９ｂの一部に重畳され、
重畳部に付加容量が形成される。
【００２５】次に、絵素電極５の上に保護膜層１７を積
層する。本実施例では該保護膜層１７としてＳｉＮｘを
用いた。なお、保護膜層１７は絵素電極５の中央部を除
去した窓あき構造とすることもできる。続いて、保護膜
層１７の上に配向膜１９を形成し、これによってアクテ
ィブマトリクス基板を得る。
層する。本実施例では該保護膜層１７としてＳｉＮｘを
用いた。なお、保護膜層１７は絵素電極５の中央部を除
去した窓あき構造とすることもできる。続いて、保護膜
層１７の上に配向膜１９を形成し、これによってアクテ
ィブマトリクス基板を得る。
【００２６】続いて、このようにして作製されたアクテ
ィブマトリクス基板に対向側基板２０を貼り合わせ、次
に両基板５、２０間に、絵素電極５に印加される駆動電
圧に応答して光学的特性が変化する表示媒体を封入し、
これによりアクティブマトリクス表示装置を得る。本実
施例では表示媒体として、液晶１８を用いた。なお、対
向側基板２０には、基板面側よりカラーフィルタ６１、
対向電極６２および配向膜６３がこの順に積層されてい
る。対向電極６２はＩＴＯをパターン形成して作製され
る。
ィブマトリクス基板に対向側基板２０を貼り合わせ、次
に両基板５、２０間に、絵素電極５に印加される駆動電
圧に応答して光学的特性が変化する表示媒体を封入し、
これによりアクティブマトリクス表示装置を得る。本実
施例では表示媒体として、液晶１８を用いた。なお、対
向側基板２０には、基板面側よりカラーフィルタ６１、
対向電極６２および配向膜６３がこの順に積層されてい
る。対向電極６２はＩＴＯをパターン形成して作製され
る。
【００２７】上記のようにしてアクティブマトリクス表
示装置が作製されると、次に該アクティブマトリクス表
示装置の各入力端子、すなわちゲートバスライン２９、
ソースバスライン２５および対向電極６２に駆動用の電
気信号を印加し、表示動作を行わせる。そして、表示状
態を目視で視認する点灯検査を行い、この検査により表
示上の不良を検出し、製品としての良否を選別する。こ
の時、同時にゲートバスライン２９の断線不良検出が行
われる。
示装置が作製されると、次に該アクティブマトリクス表
示装置の各入力端子、すなわちゲートバスライン２９、
ソースバスライン２５および対向電極６２に駆動用の電
気信号を印加し、表示動作を行わせる。そして、表示状
態を目視で視認する点灯検査を行い、この検査により表
示上の不良を検出し、製品としての良否を選別する。こ
の時、同時にゲートバスライン２９の断線不良検出が行
われる。
【００２８】この点灯検査により断線不良が検出される
と、以下のようにしてその修正方法を行う。今、図１に
示すように、ゲートバスライン２９ｂの途中に断線部９
０が発生している状態を想定する。このとき、ゲートバ
スライン２９ｂには矢印Ｘで示す一方向からのみ信号が
入力されるようになっており、断線部９０の存在によ
り、該ゲートバスライン２９ｂの断線部９０より先端側
に位置する部分に線欠陥が発生している。
と、以下のようにしてその修正方法を行う。今、図１に
示すように、ゲートバスライン２９ｂの途中に断線部９
０が発生している状態を想定する。このとき、ゲートバ
スライン２９ｂには矢印Ｘで示す一方向からのみ信号が
入力されるようになっており、断線部９０の存在によ
り、該ゲートバスライン２９ｂの断線部９０より先端側
に位置する部分に線欠陥が発生している。
【００２９】断線部９０の位置が検出されると、該断線
部９０の両側に位置する照射領域５１、５２に図３に示
すように、光エネルギの一例としてレーザ光（ＹＡＧレ
ーザ光）ＬＢをガラス基板５の外面側、すなわち裏面側
より照射する。
部９０の両側に位置する照射領域５１、５２に図３に示
すように、光エネルギの一例としてレーザ光（ＹＡＧレ
ーザ光）ＬＢをガラス基板５の外面側、すなわち裏面側
より照射する。
【００３０】ここで、照射領域５１、５２はゲートバス
ライン２９ｂと絵素電極５の隅部との重畳部、より具体
的にはゲートバスライン２９ｂと付加容量電極との重畳
部であり、レーザ光ＬＢの照射によって、図３に示すよ
うに、照射部分では上下の導電体層、すなわち絵素電極
５とゲートバスライン２９ｂとの間のゲート絶縁膜１１
が突き破られ、かつ絵素電極５およびゲートバイライン
２９ｂが融解する。これにより、照射部分の端部におい
て絵素電極５およびゲートバスラスイン２９ｂが融解接
続し、結局両者が電気的に短絡される。
ライン２９ｂと絵素電極５の隅部との重畳部、より具体
的にはゲートバスライン２９ｂと付加容量電極との重畳
部であり、レーザ光ＬＢの照射によって、図３に示すよ
うに、照射部分では上下の導電体層、すなわち絵素電極
５とゲートバスライン２９ｂとの間のゲート絶縁膜１１
が突き破られ、かつ絵素電極５およびゲートバイライン
２９ｂが融解する。これにより、照射部分の端部におい
て絵素電極５およびゲートバスラスイン２９ｂが融解接
続し、結局両者が電気的に短絡される。
【００３１】従って、このような修正を行うと、断線部
９０の両側の２箇所の位置で絵素電極５とゲートバスラ
イン２９ｂが電気的に接続されるので、ゲートバスライ
ン２９ｂ上を矢印Ｘ方向に伝達される信号は、照射領域
５１→絵素電極５→照射領域５２を通してゲートバスラ
イン２９ｂの断線部９０の先端側に伝達されることにな
る。すなわち、このような修正を行うと、修正部にバイ
パスラインが形成され、該バイパスラインを通して断線
部９０の先に信号が伝達されるのである。故に、修正の
後は線欠陥が解消される。
９０の両側の２箇所の位置で絵素電極５とゲートバスラ
イン２９ｂが電気的に接続されるので、ゲートバスライ
ン２９ｂ上を矢印Ｘ方向に伝達される信号は、照射領域
５１→絵素電極５→照射領域５２を通してゲートバスラ
イン２９ｂの断線部９０の先端側に伝達されることにな
る。すなわち、このような修正を行うと、修正部にバイ
パスラインが形成され、該バイパスラインを通して断線
部９０の先に信号が伝達されるのである。故に、修正の
後は線欠陥が解消される。
【００３２】なお、レーザ光ＬＢの照射は対向側基板２
０の外面側より行うこともできるが、本実施例では対向
側基板２０が遮光用の導電体で覆われているので、ガラ
ス基板５の裏面側から照射した。
０の外面側より行うこともできるが、本実施例では対向
側基板２０が遮光用の導電体で覆われているので、ガラ
ス基板５の裏面側から照射した。
【００３３】
【発明の効果】以上の本発明アクティブマトリクス表示
装置の線欠陥修正方法によれば、該表示装置を全面駆
動、すなわち全絵素電極に同時に駆動電圧を印加すれば
線欠陥および走査線に発生している断線部を目視でもっ
て容易に検出できる。そして、断線部の両側にレーザ光
等の光エネルギを照射すると、該走査線と絵素電極との
間にバイパスラインが形成されるので、該バイパスライ
ンを通して走査線の断線部より先の部分に信号を伝達す
ることができる。すなわち、断線に起因する線欠陥を解
消できる。
装置の線欠陥修正方法によれば、該表示装置を全面駆
動、すなわち全絵素電極に同時に駆動電圧を印加すれば
線欠陥および走査線に発生している断線部を目視でもっ
て容易に検出できる。そして、断線部の両側にレーザ光
等の光エネルギを照射すると、該走査線と絵素電極との
間にバイパスラインが形成されるので、該バイパスライ
ンを通して走査線の断線部より先の部分に信号を伝達す
ることができる。すなわち、断線に起因する線欠陥を解
消できる。
【００３４】このように、本発明方法によれば、線欠陥
を迅速、確実に修正できるので、アクティブマトリクス
表示装置の製作歩留りの向上および大幅なコストダウン
が図れる利点がある。
を迅速、確実に修正できるので、アクティブマトリクス
表示装置の製作歩留りの向上および大幅なコストダウン
が図れる利点がある。
【図１】本発明方法が適用されるアクティブマトリクス
表示装置の一例を示す部分平面図。
表示装置の一例を示す部分平面図。
【図２】図１のＡ−Ａ線による断面図。
【図３】図１のＢ−Ｂ線による断面図。
１ ガラス基板（アクティブマトリクス基板） ２ ベースコート膜 ５ 絵素電極 ９ ゲート電極 １０ 陽極酸化膜 １１ ゲート絶縁膜 １２ 半導体層 １３ エッチングストッパ層 １４ コンタクト層 １５ ソース電極 １６ ドレイン電極 １７ 保護膜層 １８ 液晶 ２０ 対向側基板 ２５ ソースバスライン ２９、２９ａ、２９ｂ ゲートバスライン ３１ ＴＦＴ ５１、５２ レーザ光の照射領域 ６０ ガラス基板（対向側ガラス基板） ６１ 対向電極 ９０ 断線部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 27/12 Ａ 8728−4Ｍ 29/784 (72)発明者 片岡 義晴 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤープ 株式会社内 (72)発明者 岡村 智子 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤープ 株式会社内 (72)発明者 高濱 学 大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤープ 株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】走査線および信号線が格子状に配線され、
該走査線および該信号線で囲まれた領域に絵素電極がマ
トリクス状に配設されると共に、該走査線、該信号線お
よび該絵素電極にスイッチング素子が接続され、かつ該
絵素電極の一部に絶縁膜を介して隣接する走査線に重畳
される重畳部が形成されたアクティブマトリクス基板
と、該アクティブマトリクス基板に貼り合わされる対向
側基板と、両基板間に封入され、両基板間に印加される
電圧に応答して光学的特性が変調される表示媒体とを備
えたアクティブマトリクス表示装置の線欠陥修正方法に
おいて、 該走査線および該信号線に信号電圧を印加し、該スイッ
チング素子をＯＮして、該アクティブマトリクス表示装
置に表示動作を行わせ、これにより中途に断線が発生し
ている動作不良の該走査線を光学的に検出する検出工程
と、 動作不良の該走査線の断線発生部の両側に位置する該重
畳部に光エネルギを照射する照射工程とを含むアクティ
ブマトリクス表示装置の線欠陥修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25758291A JP2716108B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | アクティブマトリクス表示装置の線欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25758291A JP2716108B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | アクティブマトリクス表示装置の線欠陥修正方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05100237A true JPH05100237A (ja) | 1993-04-23 |
| JP2716108B2 JP2716108B2 (ja) | 1998-02-18 |
Family
ID=17308272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25758291A Expired - Fee Related JP2716108B2 (ja) | 1991-10-04 | 1991-10-04 | アクティブマトリクス表示装置の線欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2716108B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6614494B2 (en) | 1997-01-31 | 2003-09-02 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Repairable thin film transistor matrix substrate and method of repairing the substrate |
| KR100489872B1 (ko) * | 1997-11-21 | 2005-08-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터매트릭스기판및그제조방법 |
| US7554260B2 (en) | 2004-07-09 | 2009-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device provided with a conductive film connection between a wiring component and a metal electrode film |
| US7646019B2 (en) | 2005-01-31 | 2010-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| CN110441938A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-11-12 | 合肥京东方显示技术有限公司 | 液晶面板的维修方法及液晶面板 |
-
1991
- 1991-10-04 JP JP25758291A patent/JP2716108B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6614494B2 (en) | 1997-01-31 | 2003-09-02 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Repairable thin film transistor matrix substrate and method of repairing the substrate |
| KR100489872B1 (ko) * | 1997-11-21 | 2005-08-29 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 박막트랜지스터매트릭스기판및그제조방법 |
| US7554260B2 (en) | 2004-07-09 | 2009-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device provided with a conductive film connection between a wiring component and a metal electrode film |
| US9257453B2 (en) | 2005-01-31 | 2016-02-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device including first to sixth transistors and light-emitting element |
| US8629440B2 (en) | 2005-01-31 | 2014-01-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with defective pixels correction structure |
| JP2015200901A (ja) * | 2005-01-31 | 2015-11-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US7646019B2 (en) | 2005-01-31 | 2010-01-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| JP2016177305A (ja) * | 2005-01-31 | 2016-10-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
| US9613988B2 (en) | 2005-01-31 | 2017-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having narrower wiring regions |
| US10573705B2 (en) | 2005-01-31 | 2020-02-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with defective pixel correction |
| US10700156B2 (en) | 2005-01-31 | 2020-06-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US11362165B2 (en) | 2005-01-31 | 2022-06-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| US11910676B2 (en) | 2005-01-31 | 2024-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
| CN110441938A (zh) * | 2019-08-21 | 2019-11-12 | 合肥京东方显示技术有限公司 | 液晶面板的维修方法及液晶面板 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2716108B2 (ja) | 1998-02-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19971023 |
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