TWI595298B

TWI595298B - 顯示面板

Info

Publication number: TWI595298B
Application number: TW104141881A
Authority: TW
Inventors: 余翊菱; 林峻良; 蔡嘉豪
Original assignee: 群創光電股份有限公司
Priority date: 2015-12-14
Filing date: 2015-12-14
Publication date: 2017-08-11
Also published as: US10739652B2; US20170168362A1; TW201721263A

Description

顯示面板

本揭露係關於一種顯示面板，尤指一種顯示區中第一共同訊號接墊的設置位置具有特殊設計之顯示面板。

隨著顯示器技術不斷進步，所有的顯示面板均朝體積小、厚度薄、重量輕等趨勢發展，故目前市面上主流之顯示器裝置已由以往之陰極射線管發展成薄型顯示器，如液晶顯示面板、有機發光二極體顯示面板或無機發光二極體顯示面板等。其中，薄型顯示器可應用的領域相當多，舉凡日常生活中使用之手機、筆記型電腦、攝影機、照相機、音樂播放器、行動導航裝置、電視等顯示面板，大多數均使用該些顯示面板。

雖然液晶顯示面板或有機發光二極體顯示面板已為市面上常見之顯示面板，特別是液晶顯示面板的技術更是相當成熟，但隨著顯示面板不斷發展且消費者對顯示面板之顯示品質要求日趨提高，各家廠商無不極力發展出具有更高顯示品質的顯示面板。其中，顯示面板之顯示區中的元件配置及設計，亦為影響顯示面板整體效率之因素之一。

有鑑於此，目前仍需針對顯示面板的顯示區中的元件配置及設計做改良，以更進一步提升顯示面板之顯示品質。

本揭露之主要目的係在提供一種顯示面板，其中藉由設計顯示區內的第一共同訊號接墊的設置位置，以避免資料線與其上方的第一透明導電層間有寄生電容過大的問題產生。

本揭露之顯示面板包含：一基板，包含一顯示區和一非顯示區；複數條掃描線，設置在該顯示區；複數條資料線，設置在該顯示區並與該些掃描線交錯設置以定義出複數個像素單元；一第一共同訊號線，設置在該顯示區並與該些資料線交錯設置；以及一第一共同訊號接墊，設置在該顯示區之該些像素單元之其中一者內，電性連接該第一共同訊號線，且該第一共同訊號接墊位於該些資料線之其中兩相鄰資料線間；其中該第一共同訊號接墊與該兩相鄰資料線分別具有不同之最小距離。

於本揭露之顯示面板中，該第一共同訊號線包含一第一金屬層，該第一共同訊號接墊包含一第二金屬層，其中一第一絕緣層設置在該第一金屬層和該第二金屬層之間且包含一第一孔洞，該第二金屬層經由該第一孔洞與該第一金屬層直接接觸。此外，一第二絕緣層設置在該第二金屬層上且包含一第二孔洞，該第二金屬層經由該第二孔洞與一第一透明導電層直接接觸，其中該第二孔洞與該第一孔洞部分重疊。再者，一第三絕緣層設置在該第二絕緣層上且包含一第三孔洞，該第一透明導電層及一第二透明導電層之其中一者設於該第三絕緣層與該第二絕緣層間而另一者設於該第三絕緣層上，且該第一透明導電層經由該第三孔洞與第二透明導電層直接接觸。其中，該第三孔洞未與該第一孔洞及該第二孔洞重疊。

於本揭露之顯示面板中，係將第一共同訊號接墊與其相鄰的兩條資料線的最小距離設計成不相同，以避免資料線與其上方的第一透明導電層間有寄生電容過大的問題產生。更詳細而言，於顯示面板的一像素單元中，可設置有第一共同訊號接墊；當一共同訊號欲由第一金屬層傳遞至第二透明導電層時，藉由能使第一金屬層與第二金屬層直接接觸之第一孔洞，可使該訊號傳遞至第二金屬層，而後，藉由能使第二金屬層與第一透明導電層直接接觸之第二孔洞，可使該訊號再傳遞至第一透明導電層，接著，藉由能使第一透明導電層與第二透明導電層直接接觸之第三孔洞，可使該訊號再傳遞至第二透明導電層。因此，在一像素單元中，除了對應第一共同訊號接墊之第一孔洞，更需設置能將第一透明導電層及第二透明導電層電性連接之第三孔洞。若將第一共同訊號接墊與其相鄰的兩條資料線的最小距離設計成相同時，會造成第三孔洞的位置更加靠近資料線；雖然資料線與透明導電層間有絕緣層隔離，但因絕緣層的孔洞側壁為傾斜側壁，在第三孔洞位置更加靠近資料線的情形下，會造成資料線上方即為傾斜側壁，由於傾斜側壁此處用以隔離金屬層與透明導電層間的絕緣層厚度較薄，使得第一及第二透明導電層與資料線間的絕緣層遮蔽性較差，而有寄生電容過大的問題。因此，於本揭露之顯示面板中，係將第一共同訊號接墊與其相鄰的兩條資料線的最小距離設計成不同，如此可使第三孔洞的位置較為遠離資料線，避免第一及第二透明導電層與資料線間的絕緣層遮蔽性較差的問題，進而降低第一及第二透明導電層與資料線間的寄生電容。

於本揭露之顯示面板中，在橫切圖或俯視圖中，該第二孔洞的邊界超越該第一金屬層的邊緣；換言之，該第二孔洞的邊界位於該第一金屬層外；更換言之，該第一金屬層的邊緣位於該第二孔洞內。

此外，本揭露之顯示面板可更包括一第二共同訊號接墊、一第三共同訊號接墊、一第二共同訊號線及一第三共同訊號線，其中該第二共同訊號線及該第三共同訊號線設置在該顯示區並與該些資料線交錯設置，而該第二共同訊號接墊及該第三共同訊號接墊設置在該顯示區並分別電性連接該第二共同訊號線及該第三共同訊號線；其中該第二共同訊號接墊位於該第一共同訊號接墊及該第三共同訊號接墊間，且該第一共同訊號接墊與該第二共同訊號接墊間的間距係不等於該第二共同訊號接墊與該第三共同訊號接墊間的間距。

於本揭露之顯示面板中，該第一共同訊號線包括一突出部，位與該些資料線交錯處且朝該資料線之長度方向突出。

此外，於本揭露之顯示面板中，於該第一孔洞處，該第一金屬層與該第二金屬層之夾角係大於0度且小於45度。

再者，於本揭露之顯示面板中，該第一共同訊號接墊具有一第一邊緣及一第二邊緣，且該第一邊緣與該第二邊緣相對，而該些資料線包括一第一資料線及一第二資料線，其中該第一共同訊號接墊位於該第一資料線及該第二資料線間，該第一資料線相對鄰近該第一邊緣，而該第二資料線相對鄰近該第二邊緣；其中，該第一資料線與該第一邊緣及該第二資料線與該第二邊緣於該些掃描線延伸方向上的最小距離分別為一第一距離及一第二距離。其中，於一實施態樣中，當該些像素單元於該些掃描線之延伸方向上的寬度為300~320μm時，該第一距離及該第二距離的差值為1.5~299μm；於另一實施態樣中，當該些像素單元於該些掃描線之延伸方向上的寬度為200~220μm時，該第一距離及該第二距離的差值為1.5~196.17μm；於再一實施態樣中，當該些像素單元於該些掃描線之延伸方向上的寬度為145~165μm時，該第一距離及該第二距離的差值為1.5~144.75μm；而於更一實施態樣中，當該些像素單元於該些掃描線之延伸方向上的寬度為100~120μm時，該第一距離及該第二距離的差值為1.5~93.33μm。在此，該第一共同訊號接墊更具有一第三邊緣，且該第三邊緣之兩端分別與該第一邊緣及該第二邊緣相交；其中，該第三邊緣與該些掃描線之延伸方向實質上平行。

1,21‧‧‧基板

11,11a‧‧‧掃描線

12‧‧‧資料線

121‧‧‧第一資料線

122‧‧‧第二資料線

13a‧‧‧第一共同訊號線

13b‧‧‧第二共同訊號線

13c‧‧‧第三共同訊號線

131‧‧‧突出部

14a‧‧‧第一共同訊號接墊

14b‧‧‧第二共同訊號接墊

14c‧‧‧第三共同訊號接墊

141‧‧‧第一邊緣

142‧‧‧第二邊緣

143‧‧‧第三邊緣

2‧‧‧對側基板

22‧‧‧第一金屬層

22a‧‧‧邊緣

23‧‧‧第一絕緣層

231‧‧‧第一孔洞

24‧‧‧第二金屬層

25‧‧‧第二絕緣層

25a‧‧‧邊界

251‧‧‧第二孔洞

26‧‧‧絕緣層

26a‧‧‧孔洞側壁

261,262‧‧‧孔洞

27‧‧‧透明導電層

28‧‧‧第三絕緣層

281‧‧‧第三孔洞

29‧‧‧透明導電層

3‧‧‧顯示層

AA‧‧‧顯示區

B‧‧‧非顯示區

C‧‧‧位置

D1‧‧‧第一距離

D2‧‧‧第二距離

P‧‧‧像素單元

R1‧‧‧區域

S1,S2‧‧‧間距

X‧‧‧延伸方向

Y‧‧‧方向

W,W1,W2,W3,W4,W5,W6‧‧‧寬度

θ‧‧‧夾角

圖1為本揭露一實施例之顯示面板之剖面示意圖。

圖2為本揭露一實施例之顯示面板之薄膜電晶體基板顯示區之俯視圖。

圖3A及3B為本揭露一實施例之顯示面板之薄膜電晶體基板之部分區域之放大圖。

圖4及圖5分別為本揭露一實施例之顯示面板之薄膜電晶體基板之部分區域之剖面示意圖。

圖6為本揭露一比較例之顯示面板之薄膜電晶體基板之部分區域之放大圖。

圖7為本揭露一比較例之顯示面板之薄膜電晶體基板之部分區域之剖面示意圖。

以下係藉由特定的具體實施例說明本揭露之實施方式，熟習此技藝之人士可由本說明書所揭示之內容輕易地了解本揭露之其他優點與功效。本揭露亦可藉由其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節亦可針對不同觀點與應用，在不悖離本創作之精神下進行各種修飾與變更。

再者，說明書與請求項中所使用的序數例如”第一”、”第二”、”第三”等之用詞，以修飾請求項之元件，其本身並不意含及代表該請求元件有任何之前的序數，也不代表某一請求元件與另一請求元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的一請求元件得以和另一具有相同命名的請求元件能作出清楚區分。

圖1為本揭露一實施例之顯示面板之剖面示意圖。其中，本實施例之顯示面板包括：基板1，包含顯示區AA和非顯示區B，且非顯示區B係圍繞顯示區AA設置；對側基板2，與基板1相對設置；顯示層3，設於對側基板2與基板1之間。於本實施例中，基板1可為上方設置有薄膜電晶結構(圖未示)之薄膜電晶體基板，而對側基板2可為上方設置有彩色濾光層(圖未示)之彩色濾光片基板；然而，於本揭露之其他實施例中，彩色濾光層(圖未示)亦可設置在基板1上，此時，基板1則為整合彩色濾光片陣列的薄膜電晶體基板(color filter on array,COA)。此外，本實施例之顯示面板中的顯示層3可為液晶層、有機發光二極體元件層或無機發光二極體元件層。當本實施例之顯示面板中之顯示層3為液晶層時，本實施例之顯示面板更包括背光模組，設於基板1下方。接下來，將詳細描述基板1顯示區AA上方之所設元件的結構特徵。

圖2為本揭露一實施例之顯示面板之薄膜電晶體基板顯示區之俯視圖。如圖1及圖2所示，本實施例之顯示面板更包括：複數條掃描線11，設置在顯示區AA；複數條資料線12，設置在並與掃描線11交錯設置以定義出複數個像素單元P；至少一條第一共同訊號線13a，設置在顯示區AA並與資料線12交錯設置；以及第一共同訊號接墊14a，設置在顯示區AA之像素單元P之其中一者內，電性連接第一共同訊號線13a，且第一共同訊號接墊14a位於資料線12之其中兩相鄰資料線12間。據此，第一共同訊號接墊14a可將第一共同訊號線13a上的訊號傳遞到，例如，與其連接的透明導電層上。關於第一共同訊號接墊14a的設置和操作將於之後內容詳細敘述。

圖3A及圖3B為圖2所示之區域R1之放大圖，其中為了清楚表示，圖3B與圖3A為相同視圖，其差別主要在於圖3B未顯示圖3A中的填充線；圖4為圖3A所示之L1-L2剖面線之剖面示意圖；而圖5為圖3A所示之L3-L4剖面線之剖面示意圖。如圖3A至圖5所示，本發明之顯示面板中，基板21上係形成第一金屬層22，其中第一金屬層22係透過曝光顯影和蝕刻等製程形成掃描線11及第一共同訊號線13a。第一金屬層22上形成第一絕緣層23，且第一絕緣層23具有第一孔洞231，以顯露部分第一金屬層22(例如，第一共同訊號線13a)。接著，於第一絕緣層23上形成第二金屬層24，其中第二金屬層24係透過曝光顯影和蝕刻等製程形成包括第一資料線121及第二資料線122之資料線12(如圖2所示)及第一共同訊號接墊14a。第二金屬層24上形成第二絕緣層25，且第二絕緣層25具有第二孔洞251。第二絕緣層25上形成絕緣層26，且絕緣層26具有孔洞261,262及孔洞側壁26a。接著，於絕緣層26上形成透明導電層27。透明導電層27上形成第三絕緣層28，且第三絕緣層28具有一第三孔洞281。接著，再於第三絕緣層28上形成透明導電層29。

於本實施例中，基板21其可使用例如玻璃、塑膠、可撓性材質等基材材料所製成。第一絕緣層23、第二絕緣層25、第三絕緣層28及絕緣層26可使用氧化物(例如，氧化矽、氧化鋁)、氮化物(例如，氮化矽)或氮氧化物(例如，氮氧化矽)等絕緣層材料製作。第一金屬層22及第二金屬層24可使用導電材料，如金屬、合金、金屬氧化物、金屬氮氧化物、或其它電極材料所製成。透明導電層29及透明導電層27則可使用如ITO、IZO或ITZO等透明導電電極材料所製成。然而，於本發明之其它實施例中，前述元件之材料並不僅限於此。

如圖4所示，於本實施例之顯示面板中，第三絕緣層28設置在第二絕緣層25上且包含第三孔洞281，透明導電層27係設於第三絕緣層28與第二絕緣層25間而透明導電層29則設於第三絕緣層28上，且透明導電層29經由第三孔洞281與透明導電層27直接接觸。

此外，如圖3A及圖5所示，於本實施例之顯示面板中，第一共同訊號線13a由第一金屬層22形成，第一共同訊號接墊14a由第二金屬層24形成，其中第一絕緣層23設置在第一金屬層22和第二金屬層24之間且包含第一孔洞231，而第二金屬層24經由第一孔洞231與第一金屬層22直接接觸。換言之，第一共同訊號接墊14a經由第一孔洞231與第一共同訊號線13電性連接。此外，第二絕緣層25設置在第二金屬層24上且包含第二孔洞251，而第二金屬層24經由第二孔洞251與透明導電層29直接接觸。換言之，第一共同訊號線13a經由第一共同訊號接墊14a電性連接透明導電層29。在此，於形成第一共同訊號接墊14a處並未形成如圖4所示之透明導電層27。

此外，於本實施例之顯示面板中，如圖3A及圖3B所示，第一共同訊號接墊14a具有第一邊緣141及第二邊緣142，且第一邊緣141與第二邊緣142相對，第一共同訊號接墊14a位於第一資料線121及第二資料線122間，第一資料線121相對鄰近第一邊緣141，而第二資料線122相對鄰近第二邊緣142。再者，第一共同訊號接墊14a更具有第三邊緣143，且第三邊緣143之兩端分別與第一邊緣141及第二邊緣142相交；其中，第三邊緣143與掃描線11延伸方向X實質上平行。其中，第一資料線121與第一邊緣141及第二資料線122與第二邊緣142於掃描線11延伸方向X上的最小距離分別為第一距離D1及第二距離D2。

如圖3A至圖5所示，當一共同訊號欲由第一共同訊號線13a(圖5之第一金屬層22)傳遞至透明導電層27時，第一共同訊號接墊14a(圖5之第二金屬層24)經由第一孔洞231與第一金屬層22直接接觸而彼此電性連接，而可使共同訊號由第一金屬層22傳遞至第一共同訊號接墊14a(圖5之第二金屬層24)；而後，第一共同訊號接墊14a(圖5之第二金屬層24)經由第二孔洞251與透明導電層29直接接觸而彼此電性連接，可使傳遞至第二金屬層24之共同訊號更再傳遞至透明導電層29；接著，透明導電層29經由第三孔洞281與透明導電層27直接接觸而彼此電性連接，因此，可使傳遞至透明導電層29之共同訊號更再傳遞至透明導電層27。

於本實施例中，透明導電層27係作為共電極層，而透明導電層29係作為畫素電極層。此外，於本實施例中，係揭示透明導電層27係設於第三絕緣層28與第二絕緣層25間而透明導電層29則設於第三絕緣層28上；然而，於本揭露之其他實施例中，只要透明導電層29、透明導電層27、第一金屬層22及第二金屬層24彼此的電性連接關係如前所述即可，而透明導電層29及透明導電層 27的設置上下關係並不侷限於如圖4所示，可為其中一者設於第三絕緣層28與第二絕緣層25間而另一者設於第三絕緣層28上。

如圖3A至圖5所示，在一像素單元中，除了對應第一共同訊號接墊14a(及其所包含的第二金屬層24)之第一孔洞231外，更需設置能將透明導電層29及透明導電層27電性連接之第三孔洞281，且第一孔洞231與第三孔洞281均設於第一共同訊號線13a上且彼此錯位設置。

圖6為本揭露一比較例之顯示面板之薄膜電晶體基板之部分區域之放大圖，其為與本揭露一實施例之圖3A為相同視圖；而圖7為圖6沿L1-L2剖面線之剖面示意圖，其為與本揭露一實施例之圖4為相同視圖。如圖6所示，若將第一共同訊號接墊14a置於與其相鄰的第一資料線121及第二資料線122中間，即第一共同訊號接墊14a與其相鄰的第一資料線121及第二資料線122的最小距離(即，第一距離D1及第二距離D2)設計成相同時，第三孔洞281的位置會更加靠近第一資料線121；如圖6及圖7所示，雖然第一資料線121(第二金屬層24)與透明導電層27間有絕緣層26隔離，但因絕緣層26的孔洞側壁26a為傾斜側壁，在第三孔洞281位置更加靠近第一資料線121(第二金屬層24)的情形下，會造成第一資料線121(第二金屬層24)上方即為絕緣層26的孔洞側壁26a，由於孔洞側壁26a之傾斜側壁此處用以隔離第一資料線121(第二金屬層24)與透明導電層27間的絕緣層26厚度較薄；特別是，若像素單元於掃描線11延伸方向X上的寬度縮小時，在第一共同訊號接墊14a大小相似的情形下，絕緣層26的孔洞261可能會直接位於第一資料線121(第二金屬層24)的上方，使得部分第一資料線121(即，第二金屬層24)甚至僅透過第二絕緣層25與透明導電層27隔離。因此，於本比較例所示的情形下，透明導電層27與第一資料線121(即，第二金屬層24)間的絕緣層26遮蔽性較差，而有寄生電容過大的問題。

反觀本揭露之實施例，如圖3B及圖4所示，第一共同訊號接墊14a與其相鄰的第一資料線121及第二資料線122分別具有不同的最小距離(即，第一距離D1及第二距離D2)，特別是第一距離D1大於第二距離D2，如此可使第三孔洞281的位置較為遠離第一資料線121(第二金屬層24)，避免前述比較例中透明導電層27與第一資料線121(第二金屬層24)間的因絕緣層26孔洞側壁26a較薄而遮蔽性較差的問題，進而降低透明導電層27與第一資料線121(第二金屬層24)間的寄生電容。

如圖3B所示，第一距離D1及第二距離D2與第一資料線121、第二資料線122及第一共同訊號接墊14a於掃描線11延伸方向X上的寬度相關，也與第三孔洞281的設置位置及其於掃描線11延伸方向X上的孔徑相關。在一實施例中，於掃描線11延伸方向X上，第三孔洞281與第一資料線121間的距離寬度W1至少為1μm(微米)或以上；第三孔洞281的孔徑寬度W2至少為1.5μm或以上；第三孔洞281與第一共同訊號接墊14a的距離寬度W3至少為2μm或以上；第一共同訊號接墊14a的寬度W4至少為3.5μm或以上；第一共同訊號接墊14a與第二資料線122間的距離寬度W5至少為2μm或以上；第一資料線121及第二資料線122的寬度W6至少為2μm或以上；而像素單元的寬度W則為寬度W1,W2,W3,W4,W5,W6之總和。因此，於本實施例中，第一距離D1的上下限可分別由下式(1)及(2)所示，而第二距離D2則等同於寬度W5。

第一距離D1下限=W1+W2+W3 (1)

第一距離D1上限=W-W6-W5-W4 (2)

舉例來說，當像素單元於掃描線11延伸方向X上的寬度W為309μm時，第一距離D1及第二距離D2的差值可為1.5~299μm；當像素單元的寬度W為206μm時，第一距離D1及第二距離D2的差值可為1.5~-196.17μm；當像素單元的寬度W為155μm時，第一距離D1及第二距離D2的差值可為1.5~144.75 μm；而當像素單元的寬度W為103μm時，第一距離D1及第二距離D2的差值可為1.5~93.33μm。若考慮製程的變異性，則當像素單元於掃描線11延伸方向X上的寬度W為300~320μm時，第一距離D1及第二距離D2的差值可為1.5~299μm；當像素單元的寬度W為200~220μm時，第一距離D1及第二距離D2的差值可為1.5~196.17μm；當像素單元的寬度W為145-165μm時，第一距離D1及第二距離D2的差值可為1.5~144.75μm；而當像素單元的寬度W為100~120μm時，第一距離D1及第二距離D2的差值為1.5~93.33μm。

前述之寬度W,W1,W2,W3,W4,W5,W6及第一距離D1之上下限值，係根據目前圖案化製程及所需各元件間的電性關係所得到的數值；然而，若圖案化製程改良且所需各元件間的電性關係有所變更時，前述之寬度W,W1,W2,W3,W4,W5,W6、第一距離D1之上下限值及第一距離D1與第二距離D2的差值可不侷限於本揭露所揭示的數值。

此外，於本揭露之一實施例中，如圖2所示，本實施例之顯示面板更包含第二共同訊號接墊14b、第三共同訊號接墊14c、第二共同訊號線13b及第三共同訊號線13c。在此，第二共同訊號接墊14b及第三共同訊號接墊14c之結構與第一共同訊號接墊14a相同，故在此不再贅述。此外，第二共同訊號線13b及第三共同訊號線13c設置在顯示區AA(如圖1所示)並與資料線12交錯設置，而第二共同訊號接墊14b及第三共同訊號接墊14c設置在顯示區AA(如圖1所示)並分別電性連接第二共同訊號線13b及第三共同訊號線13c；其中第二共同訊號接墊14b位於第一共同訊號接墊14a及第三共同訊號接墊14c間，且第一共同訊號接墊14a與第二共同訊號接墊14b間的間距係不等於第二共同訊號接墊14b與第三共同訊號接墊14c間的間距。在此，「第一共同訊號接墊14a與第二共同訊號接墊14b間的間距係不等於第二共同訊號接墊14b與第三共同訊號接墊14c間的間距」係如下述所定義：若以掃描線11a作為基準，第一共同訊號接墊14a、第二共同訊號接墊14b及第三共同訊號接墊14c於與掃描線11延伸方向X垂直之方向Y上可垂直分別對應至一掃描線11a上的位置C，而相鄰的位置C間的間距S1,S2係不相等。

如前所述，於圖3A至圖5中，當施予一共同訊號時，可透過第一共同訊號接墊14a、第二共同訊號接墊14b及第三共同訊號接墊14c(圖5之第二金屬層24)傳遞至透明導電層27，使得透明導電層27電壓整面均勻化；因此，於本實施例中，如圖2所示，係將兩相鄰的第一共同訊號接墊14a、第二共同訊號接墊14b及第三共同訊號接墊14c彼此之間的間距係不相等，以避免產生人眼可見的波紋(mura)。

此外，於本實施例中，如圖3A所示，第一共同訊號線13a還包括突出部131，位與第一資料線121及第二資料線122交錯處且朝第一資料線121或第二資料線122之長度方向(方向Y)突出；藉此，以增加第一共同訊號線13a與第一資料線121及第二資料線122之接觸面積。由於第一共同訊號線13a的設置，使得形成第一資料線121及第二資料線122時於第一共同訊號線13a與第一資料線121及第二資料線122交錯處會產生一高低差；故當第一共同訊號線13a於此交錯處包括突出部131時，藉由突出部131可增加第一共同訊號線13a與第一資料線121及第二資料線122之接觸面積，以降低形成第一資料線121及第二資料線122時有斷線的風險。同時，也可防止蝕刻液在此交錯處聚集，以進一步降低第一資料線121及第二資料線122有斷線的風險。

如圖3A及圖5所示，於本實施例之顯示面板中，第二孔洞251與第一孔洞231部分重疊，即兩者為錯位設計。特別是，於圖5的剖面圖中，第二孔洞251的邊界25a超越第一金屬層22的邊緣22a，即第二孔洞251的邊界25a位於第一金屬層22外，亦即第一金屬層22的邊緣22a位於第二孔洞251內。於此情形下，如圖5虛線標示處，第一金屬層22的邊緣22a可使其上方所形成的第二金屬層24有一高低起伏，而增加第二金屬層24的表面面積；如此，當於第二金屬層 24上形成透明導電層29時，由於第二金屬層24的表面面積增加，故透明導電層29與第二金屬層24也表面接觸增加。

此外，如圖5所示，於本實施例之顯示面板中，於第一孔洞231處，第一金屬層22與第二金屬層24之夾角θ係大於0度且小於45度(0°<θ<45°)。一般而言，第一絕緣層23係使用一雙層絕緣材料製作，其下層為氮化矽層而上層為氧化矽層；當圖案化第一絕緣層23以形成第一孔洞231時，由於氮化矽層蝕刻速度較快，而容易有底切(undercut)的情形產生，而可能影響到後續所形成的第二金屬層24與第一金屬層22接觸效果。因此，於本實施例中，藉由調整蝕刻的參數，如蝕刻時間、蝕刻液成分及蝕刻方式等，控制第一絕緣層23之第一孔洞231的坡度使得第一金屬層22與第二金屬層24之夾角θ係大於0度且小於45度；此時，可降低底切發生的風險，可使第一金屬層22與第二金屬層24接觸較佳，且也可避免因第一孔洞231的坡度太陡造成後續透明導電層29有斷線的風險。

於本揭露中，前述實施例所製得之顯示面板，可應用於液晶顯示面板、有機發光二極體顯示面板、或無機發光二極體面板上。此外，前述實施例所製得之顯示面板，亦可與觸控面板合併使用，而做為一觸控顯示裝置。同時，本揭露前述實施例所製得之顯示面板或觸控顯示裝置，可應用於本技術領域已知之任何需要顯示螢幕之電子裝置上，如顯示器、手機、筆記型電腦、攝影機、照相機、音樂播放器、行動導航裝置、電視等需要顯示影像之電子裝置上。

上述實施例僅係為了方便說明而舉例而已，本揭露所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。

11‧‧‧掃描線