TWI756952B

TWI756952B - 電子裝置

Info

Publication number: TWI756952B
Application number: TW109142194A
Authority: TW
Inventors: 王睦凱; 黃國有; 陳茂松
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2020-08-21
Filing date: 2020-12-01
Publication date: 2022-03-01
Also published as: TWI768903B; TW202209071A; TW202209294A; TWI753790B; TWI759127B; TWI750895B; TWI740736B; TWI755980B; TW202209278A; TWI755957B; TW202208955A; TW202208951A; TWI756054B; TW202209728A; TW202209289A; TW202208956A; TWI766564B; TW202208962A; TW202209072A; TW202209290A

Abstract

一種電子裝置，包括基板、多條閘極線、多條資料線、多個畫素結構、閘極轉接線及轉接結構。排列在同一行的多個畫素結構依序與不同側的資料線電性連接。閘極轉接線所在的膜層與資料線所在的膜層相同。閘極轉接線穿越畫素結構及資料線之間而於基板上構成一跨線區域。轉接結構所在的膜層不同於閘極轉接線及資料線所在的膜層。在跨線區域中，閘極轉接線及資料線的其中一者通過轉接結構或畫素結構的主動元件而跨越閘極轉接線及資料線的另一者。

Description

電子裝置

本發明是有關於一種電子裝置，且特別是有關於一種具有轉接結構的電子裝置。

隨著科技的進步，大尺寸面板多朝向窄邊框設計的型態發展。目前多採用TGP（Tracking Gate-line in Pixel）窄邊框技術，來進一步減少面板邊框的寬度。

然而，TGP需繞過畫素的主動元件，而通常為具有多個轉折處的走線設計。如此使面板的電阻電容負載（resistance-capacitance loading，RC loading）增大1.5倍～2倍，且易發生與相鄰資料線耦合或產生閘極/汲極電容（gate-drain capacitance，Cgd）等問題，進而影響電子裝置中訊號傳遞的品質。舉例來說，顯示面板的顯示效果或觸控面板的靈敏度會受到影響。因此如何規劃線路佈局、降低線路之間的耦合效應、避免電阻電容負載增加等問題，已成為目前研發人員所關注的議題。

本發明提供一種電子裝置，其設計可有助於降低電阻電容負載，且可避免線路之間的耦合進而改善電子裝置的品質。

本發明的至少一實施例提供一種電子裝置，包括基板、多條閘極線、多條資料線、多個畫素結構、閘極轉接線及轉接結構。多條閘極線配置於基板上，且沿第一方向延伸。多條資料線配置於基板上，且沿第二方向延伸，其中第一方向與第二方向相交。多個畫素結構陣列排列於基板上。每一畫素結構被多條閘極線的相鄰兩條及多條資料線的相鄰兩條圍繞且包括主動元件，其中沿第二方向排列在同一行的多個畫素結構依序與不同側的資料線電性連接。閘極轉接線配置於基板上，且沿第二方向延伸。閘極轉接線電性連接多條閘極線的其中一者，閘極轉接線所在的膜層與多條資料線的膜層相同，且在電子裝置的俯視圖中，閘極轉接線穿越多個畫素結構的其中一者及與畫素結構電性連接的資料線之間而於基板上構成一跨線區域。轉接結構配置於基板上，且轉接結構所在的膜層不同於閘極轉接線及資料線所在的膜層。在跨線區域中，閘極轉接線及資料線的其中一者通過轉接結構或畫素結構的主動元件而跨越閘極轉接線及資料線的另一者。

在本發明的一實施例中，在上述跨線區域中，資料線通過轉接結構而跨越閘極轉接線，轉接結構沿第一方向延伸，轉接結構的兩端分別連接資料線及畫素結構的主動元件，且在電子裝置的俯視圖中，轉接結構與閘極轉接線相交。

在本發明的一實施例中，上述畫素結構的主動元件更包括縱向導線，其中縱向導線配置於基板上，縱向導線的兩端連接轉接結構及主動元件，且在電子裝置的俯視圖中，閘極轉接線位於資料線與縱向導線之間。

在本發明的一實施例中，上述電子裝置更包括第一絕緣層，其中第一絕緣層覆蓋閘極線，且具有第一通孔及第二通孔，在電子裝置的俯視圖中，第一通孔與資料線重疊，第二通孔與縱向導線重疊，其中第一通孔及第二通孔分別暴露出轉接結構的一部分，資料線通過第一通孔連接至轉接結構，轉接結構通過第二通孔連接至縱向導線。

在本發明的一實施例中，上述畫素結構更具有畫素電極，畫素電極與資料線分別電性連接至主動元件的相對兩側上的汲極與源極，且在電子裝置的俯視圖中，畫素電極與閘極轉接線相隔一距離。

在本發明的一實施例中，上述電子裝置更包括第二絕緣層，第二絕緣層覆蓋資料線及閘極轉接線，且具有第三通孔，其中第三通孔暴露出主動元件的一部分，畫素電極覆蓋第三通孔的部分表面，以連接至主動元件。

在本發明的一實施例中，上述第二絕緣層包括下部絕緣層以及上部絕緣層，下部絕緣層共形地設置於第一絕緣層上，上部絕緣層配置於下部絕緣層上。

在本發明的一實施例中，上述第二絕緣層為單層結構。

在本發明的一實施例中，上述在跨線區域中，閘極轉接線通過轉接結構而跨越資料線，轉接結構沿第二方向延伸，轉接結構的兩端分別連接閘極轉接線，且在電子裝置的俯視圖中，轉接結構與資料線相交。

在本發明的一實施例中，上述資料線具有主線段及支線段，主線段沿第二方向延伸，支線段的兩端分別連接主線段及畫素結構的主動元件，且在電子裝置的俯視圖中，轉接結構與支線段相交。

在本發明的一實施例中，上述電子裝置更包括第一絕緣層，第一絕緣層覆蓋閘極線，且具有多個第四通孔，在電子裝置的俯視圖中，多個第四通孔與閘極轉接線重疊，其中多個第四通孔暴露出轉接結構的一部分，且位於轉接結構一端的閘極轉接線通過多個第四通孔的其中一者連接至轉接結構，轉接結構通過多個第四通孔的另外一者連接至位於轉接結構另一端的閘極轉接線。

在本發明的一實施例中，上述電子裝置更包括共用電極，共用電極配置於基板上，且在電子裝置的俯視圖中至少與資料線、閘極轉接線及轉接結構重疊。

在本發明的一實施例中，上述畫素結構的主動元件為頂閘極薄膜電晶體且包括半導體通道層，且在跨線區域中，資料線通過轉接結構及半導體通道層而跨越閘極轉接線。

在本發明的一實施例中，上述半導體通道層包括第一線段、彎曲線段及第二線段，第一線段及第二線段沿第二方向延伸，彎曲線段的兩端鄰接於第一線段及第二線段，在電子裝置的俯視圖中，第一線段與資料線重疊，且彎曲線段與閘極轉接線相交。

在本發明的一實施例中，上述閘極線更包括延伸結構，延伸結構自閘極線沿第二方向延伸，閘極轉接線藉由延伸結構電性連接至閘極線。延伸結構的長度為畫素結構的長度的1/10～1/2。

在本發明的一實施例中，上述電子裝置更包括層間介電層，夾設於閘極轉接線與閘極線之間，且具有貫通孔，其中閘極轉接線覆蓋貫通孔的表面以連接至延伸結構。

在本發明的一實施例中，上述電子裝置更包括第三絕緣層，第三絕緣層覆蓋資料線及閘極轉接線，且具有溝槽。溝槽沿第二方向延伸，且在電子裝置的俯視圖中，溝槽位於資料線與閘極轉接線之間。

為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的附圖標記表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在「另一元件上」、或「連接到另一元件」、「重疊於另一元件」時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦合」係可為二元件間存在其它元件。

應當理解，儘管術語「第一」、「第二」、「第三」等在本文中可以用於描述各種元件、部件、區域、層及/或部分，但是這些元件、部件、區域、及/或部分不應受這些術語的限制。這些術語僅用於將一個元件、部件、區域、層或部分與另一個元件、部件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的「第一元件」、「部件」、「區域」、「層」、或「部分」可以被稱為第二元件、部件、區域、層或部分而不脫離本文的教導。

這裡使用的術語僅僅是為了描述特定實施例的目的，而不是限制性的。如本文所使用的，除非內容清楚地指示，否則單數形式「一」和「一個」旨在包括複數形式，包括「至少一個」。「或」表示「及/或」。如本文所使用的，術語「及/或」包括一個或多個相關所列項目的任何和所有組合。還應當理解，當在本說明書中使用時，術語「包括」及/或「包括」指定所述特徵、區域、整體、步驟、操作、元件的存在及/或部件，但不排除一個或多個其它特徵、區域整體、步驟、操作、元件、部件及/或其組合的存在或添加。

此外，諸如「下」或「底部」和「上」或「頂部」的相對術語可在本文中用於描述一個元件與另一元件的關係，如圖所示。應當理解，相對術語旨在包括除了圖中所示的方位之外的裝置的不同方位。例如，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其他元件的「下」側的元件將被定向在其他元件的「上」側。因此，示例性術語「下」可以包括「下」和「上」的取向，取決於附圖的特定取向。類似地，如果一個附圖中的裝置翻轉，則被描述為在其它元件「下方」或「下方」的元件將被定向為在其它元件「上方」。因此，示例性術語「下面」或「上面」可以包括上方和下方的取向。

本文使用的「約」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的「約」可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

本文參考作為理想化實施例的示意圖的截面圖來描述示例性實施例。因此，可以預期到作為例如製造技術及/或公差的結果的圖示的形狀變化。因此，本文所述的實施例不應被解釋為限於如本文所示的區域的特定形狀，而是包括例如由製造導致的形狀偏差。例如，示出或描述為平坦的區域通常可以具有粗糙及/或非線性特徵。此外，所示的銳角可以是圓的。因此，圖中所示的區域本質上是示意性的，並且它們的形狀不是旨在示出區域的精確形狀，並且不是旨在限制權利要求的範圍。

圖1是依照本發明的第一實施例的一種電子裝置的俯視示意圖。為方便說明，圖1中省略繪示絕緣層的位置。

請參照圖1，電子裝置10包括基板100、多條閘極線GL、多條資料線DL、多個畫素結構SP以及閘極轉接線110。基板100可具有主動區AA以及位於主動區AA外的周邊區（未繪示）。在本實施例中，基板100的材料可包括玻璃或其他適宜的材料等，但本發明不以此為限。閘極線GL配置於基板100上，且沿第一方向D1延伸。資料線DL配置於基板100上，且沿相交於第一方向D1的第二方向D2延伸。

多個畫素結構SP陣列排列於基板100上。換句話說，畫素結構SP可沿第一方向D1以及第二方向D2陣列排列，其中第一方向D1可理解為橫向方向，而第二方向D2可理解為縱向方向。因此，以下實施例描述的橫向與縱向可分別視為圖1中的第一方向D1與第二方向D2。在本實施例中，每一畫素結構SP被相鄰兩條閘極線GL及相鄰兩條資料線DL圍繞。舉例來說，沿第一方向D1排成一列的畫素結構SP夾於兩條閘極線GL之間；沿第二方向D2排成一行的畫素結構SP夾於兩條資料線DL之間。因此，以下實施例描述的同一列畫素結構SP與同一行畫素結構SP可分別視為圖1中沿第一方向D1排列的畫素結構SP與沿第二方向D2排列的畫素結構SP。

每一畫素結構SP可包括主動元件T1以及連接於主動元件T1的畫素電極PE，其中主動元件T1電性連接對應的閘極線GL與資料線DL。在本實施例中，沿第二方向D2排列在同一行的畫素結構SP可依序與不同側的資料線DL電性連接。舉例來說，同一行畫素結構SP的主動元件T1可交錯地電性連接至位於第一側（如圖1的右側）的資料線DL1以及位於相對的第二側（如圖1的左側）的資料線DL2。在一些實施例中，沿第一方向D1排列成多列的畫素結構SP中，單數列的畫素結構SP的主動元件T1可電性連接至位於其第一側的資料線DL1，雙數列的畫素結構SP的主動元件T1可電性連接至位於其第二側的資料線DL2，但本發明不限於此。

在一些實施例中，多個畫素結構SP可包括分別沿第二方向D2排列的多個紅色子畫素R、多個綠色子畫素G以及多個藍色子畫素B。舉例來說，以圖1中所標的資料線DL1為例，在資料線DL1位於同一行藍色子畫素B與同一行紅色子畫素R之間的情況下，資料線DL1可交替地電性連接至藍色子畫素B及紅色子畫素R；以圖1中所標的資料線DL2為例，在資料線DL2位於同一行綠色子畫素G與同一行藍色子畫素B之間的情況下，資料線DL2可交替地電性連接至綠色子畫素G及藍色子畫素B，所屬領域中具有通常知識者可依據設計需求調整資料線DL與畫素結構SP的排列及連接關係，本發明並不以此為限。

在本實施例中，畫素電極PE與資料線DL可分別電性連接至主動元件T1主動層的相對兩側上的汲極與源極。舉例來說，主動元件T1可以是具有閘極、源極與汲極的電晶體，閘極可連接到其中一條閘極線GL，源極可連接到其中一條資料線DL，而汲極可連接到畫素電極PE。另外，為了避免閘極線GL與資料線DL之間的短路，閘極線GL與資料線DL可由不同膜層構成，且閘極線GL與資料線DL之間可夾有一或多層絕緣層。

閘極轉接線110配置於基板100上，且沿第二方向D2延伸。在本實施例中，閘極轉接線110可平行於資料線DL。舉例來說，閘極轉接線110與資料線DL可以是相互平行的線型圖案，也可以具有相互平行的曲折圖案，但本發明不以此為限。在圖1中，閘極轉接線110例如位於資料線DL1與緊鄰於標示為虛框處的畫素結構SP之間，且閘極轉接線110沒有直接連接畫素結構SP。在基板100的俯視方向上，閘極轉接線110直接跨越該畫素結構SP的主動元件T1與資料線DL1的連接路徑。在一些實施例中，在基板100的俯視方向上，畫素電極PE可不與閘極轉接線110重疊。舉例來說，畫素電極PE與閘極轉接線110相隔一距離，但本發明不以此為限。在其他實施例中，畫素電極PE也可與閘極轉接線110重疊。

閘極轉接線110與資料線DL可位於相同膜層中。在本實施例中，閘極轉接線110可電性連接到其中一條閘極線GL，且閘極線GL所在的膜層可位於與閘極轉接線110及資料線DL不同的膜層中。主動元件T1可通過其中一條閘極線GL與閘極轉接線110連接。據此，主動元件T1的閘極的訊號可以由閘極轉接線110傳遞給閘極線GL，再由閘極線GL輸入給閘極。在一些實施例中，為了將訊號由閘極轉接線110傳遞給閘極線GL，可以在對應的閘極轉接線110與閘極線GL之間設置導通結構（例如標示為虛框處的導通結構CS）。如此，主動元件T1的閘極的訊號可由閘極轉接線110藉由導通結構CS傳遞給閘極線GL，再由閘極線GL傳遞給閘極。

在一些實施例中，主動元件T1的閘極的訊號例如是自位於周邊區的驅動電路（未繪示）輸出的訊號。在部分的實施例中，所述驅動電路可位於閘極轉接線110及資料線DL的一端。閘極轉接線110及資料線DL可以直接接收由所述驅動電路所提供的訊號，而閘極線GL則可透過對應的導通結構CS接收到閘極轉接線110對應的訊號。如此一來，電子裝置10在第一方向D1的兩端無須設置傳遞訊號用的線路或是相關電路而可達到窄邊框設計的需求，並且電子裝置10的輪廓也無須受限。舉例來說，在基板100的俯視方向上觀察，電子裝置10可具有非矩形的輪廓。在一些實施例中，電子裝置10中還可包括其他縱向訊號線（未繪示），且所述縱向訊號線可不用於傳遞閘極線GL所需要的訊號，而是被輸入直流電位。舉例來說，所述縱向訊號線可以不連接任何閘極線GL，而應用於觸控或其他功能的實現。

在圖1中，閘極轉接線110可穿越其中一畫素結構SP及與所述畫素結構SP電性連接的資料線DL1之間而於基板100上構成一跨線區域CR。更具體而言，在跨線區域CR中，電子裝置10還包括配置於基板100上的轉接結構（將於後文詳述），其中轉接結構所在的膜層不同於閘極轉接線110及資料線DL1所在的膜層，使得在跨線區域CR中，閘極轉接線110及資料線DL1的其中一者可通過轉接結構或畫素結構SP的主動元件T1而跨越閘極轉接線110及資料線DL1的另一者，藉此，通過該跨線區域CR中的轉接結構，能夠降低訊號走線轉折處的數量，而可避免電阻電容負載增加、產生線路之間的耦合所造成的不良影響等問題，進而改善電子裝置所執行的功能（例如畫面顯示、觸控感測等），但本發明不限於此。在其他實施例中，轉接結構的型態亦可以視不同的設計或製程需求而進行調整，詳於後文說明。

以下，將例示說明可應用於上述實施例中轉接結構的實施形態，但本發明並不限定於以下的實施形態。

圖2A是圖1的電子裝置中的一實施方式的跨線區域CR的放大示意圖；圖2B是圖2A的電子裝置中沿剖線A’-A-B-C的剖面的一種實施方式的示意圖；圖2C是圖2A的電子裝置中沿剖線A’-A-B-C的剖面的另一種實施方式的示意圖。圖2A對應圖1的跨線區域CR。在此必須說明的是，圖2A至圖2C沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，在此不贅述。

請同時參照圖2A及圖2B，電子裝置10A中資料線DL1可通過轉接結構120跨越閘極轉接線110而與主動元件T1相連接。在本實施例中，轉接結構120例如沿第一方向D1延伸，且轉接結構120的兩端分別連接資料線DL1及畫素結構SP的主動元件T1。如此，轉接結構120與閘極轉接線110在基板100的俯視方向上具有相交處，而構成前述圖1中所述的跨線區域CR。本實施例之轉接結構120所在的膜層例如與閘極線GL所在的膜層相同，轉接結構120的材料可採用與閘極線GL相同的材料，但本發明不限於此。

在本實施例中，畫素結構SP的主動元件T1還可具有縱向導線130。縱向導線130配置於基板100上，且縱向導線130的兩端可分別連接轉接結構120及畫素結構SP的主動元件T1。在基板100的俯視方向上，閘極轉接線110例如位於資料線DL1與縱向導線130之間。

為清楚說明電子裝置中各構件的膜層關係，一併參照圖2A與圖2B來加以說明。請同時參照圖2A與圖2B，主動元件T1例如包括：閘極GE、半導體圖案CH（作為通道層）、源極SE與汲極DE。在本實施例中，主動元件T1例示為底閘極結構，但本發明不以此為限。主動元件T1的閘極GE可電性連接至對應的一條閘極線GL，閘極線GL可藉由導通結構CS電性連接至對應的一條閘極轉接線110。閘極GE與閘極線GL例如屬於相同膜層。半導體圖案CH例如設置於閘極GE的上方。源極SE與汲極DE例如設置於半導體圖案CH的上方。在本實施例中，可將縱向導線130視為源極SE的延伸部，但本發明不以此為限。在本實施例中，閘極線GL及轉接結構120例如位於第一導體層M1，資料線DL1及閘極轉接線110例如位於第二導體層M2，但本發明不以此為限。另外，第一導體層M1及第二導體層M2之間還可包括第一絕緣層140。第一絕緣層140可覆蓋閘極線GL及轉接結構120，且具有第一通孔VIA1及第二通孔VIA2。如圖2A所示，第一通孔VIA1與資料線DL1重疊，第二通孔VIA2與作為源極SE延伸部的縱向導線130重疊，其中第一通孔VIA1及第二通孔VIA2分別暴露出轉接結構120的一部分。如此，位於第二導體層M2的資料線DL1可通過貫穿第一通孔VIA1的導體結構而與下方之第一導體層M1的轉接結構120連接，位於第一導體層M1的轉接結構120可通過貫穿第二通孔VIA2的導體結構再與上方之第二導體層M2的縱向導線130連接。藉此，第二導體層M2的資料線DL1的訊號可經由第一導體層M1的轉接結構120傳遞至第二導體層M2的縱向導線130與畫素結構SP的主動元件T1的源極SE。據此，即使資料線DL1與閘極轉接線110位於相同膜層中，資料線DL1也可藉由在跨線區域CR中的轉接結構120而跨越閘極轉接線110，如此可減少閘極轉接線110的走線設計中轉折處的數量，而可避免電阻電容負載增加、產生線路之間的耦合所造成的不良影響等問題，進而改善電子裝置所執行的功能。

如圖2B所示，本實施例之電子裝置10A1還可包括第二絕緣層150。第二絕緣層150例如覆蓋資料線DL1、閘極轉接線110、縱向導線130及畫素結構SP的主動元件T1。在本實施例中，第二絕緣層150可具有第三通孔VIA3，第三通孔VIA3可暴露出主動元件T1的一部分，畫素電極PE可覆蓋第三通孔VIA3的部分表面，以連接至主動元件T1。

第二絕緣層150可為單層或多層結構。舉例來說，如圖2B所示，第二絕緣層150例如包括下部絕緣層152及上部絕緣層154，其中下部絕緣層152可共形地設置於第一絕緣層140上，上部絕緣層154可設置於下部絕緣層152上。在一些實施例中，下部絕緣層152可作為鈍化層（passivation layer），上部絕緣層154可作為平坦層，但本發明不以此為限。

另一方面，相比於圖2B之電子裝置10A1的第二絕緣層150為雙層結構，圖2C之電子裝置10A2的第二絕緣層150’例示為單層結構。第二絕緣層150’可為氧化層，且第二絕緣層150’的材料可使用與圖2B中下部絕緣層152相同的材料，但本發明不限於此。

請參照圖2A與圖2B，電子裝置10還可包括共用電極COM。共用電極COM例如配置於基板100的主動區AA上，且在基板100的俯視方向上，共用電極COM至少與資料線DL1、閘極轉接線110、轉接結構120及畫素結構SP的主動元件T1重疊。在一些實施例中，共用電極COM可為用於連接面板或實現觸控功能的共用電極。在一些實施例中，在電子裝置還具有觸控訊號線（TP trace；未繪示）的情況下，共用電極COM也可具有多個，且多個共用電極COM之間存在間隙以暴露出觸控訊號線，如此可應用於觸控或其他功能的實現。舉例來說，多個共用電極COM之間可以所述觸控訊號線為中心而間隔約2.0 μm ～8.0 μm。

電子裝置10還可包括第三絕緣層160。第三絕緣層160覆蓋共用電極COM及第二絕緣層150。在一些實施例中，第三絕緣層160夾設於共用電極COM與畫素電極PE之間，以將共用電極COM與畫素電極PE分離。在一些實施例中，第三絕緣層160可為鈍化層（passivation layer），但本發明不以此為限。

圖3A是圖1的電子裝置中的另一實施方式的跨線區域CR的放大示意圖；圖3B是圖3A的電子裝置中沿剖線A-A’的剖面示意圖。圖3A對應圖1的跨線區域CR。在此必須說明的是，圖3A及圖3B沿用圖2A的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，在此不贅述。

不同於前述圖2A電子裝置10A的跨線區域CR是藉由沿第一方向D1延伸的轉接結構120作為資料線DL1訊號傳遞的中繼站，本實施例之電子裝置10B的跨線區域CR則是藉由沿第二方向D2延伸的轉接結構200作為閘極轉接線110訊號傳遞的中繼站。請參照圖3A，本實施例之電子裝置10B中，閘極轉接線110可通過轉接結構200而跨越資料線DL1。在本實施例中，轉接結構200沿第二方向D2延伸，且轉接結構200的兩端分別連接閘極轉接線110。如此一來，在基板100的俯視方向上，轉接結構200與資料線DL1具有相交處，而構成前述的跨線區域CR。

在本實施例中，資料線DL1可包括主線段DLa及支線段DLb。主線段DLa沿第二方向D2延伸，且位於相鄰兩行畫素結構SP之間；支線段DLb自主線段DLa沿第一方向D1及第二方向D2延伸，且支線段DLb的兩端分別連接至主線段DLa及畫素結構SP的主動元件T1。舉例來說，在基板100的俯視方向上，支線段DLb橫跨轉接結構200。也就是說，支線段DLb與轉接結構200具有相交處，閘極轉接線110通過轉接結構200而跨越資料線DL1的支線段DLb。

請同時參照圖3A及圖3B，在本實施例中，轉接結構200例如位於第一導體層M1，主線段DLa、支線段DLb及閘極轉接線110例如位於第二導體層M2。如此，資料線DL1的訊號可以在第二導體層M2傳遞，閘極轉接線110在與資料線DL1的相交處可通過轉接結構200將訊號傳遞至第一導體層M1，再傳遞至第二導體層M2，以跨越資料線DL1。

轉接結構200的剖面圖可進一步參照圖3B，第一絕緣層140覆蓋閘極線GL，且具有多個第四通孔VIA4。如圖3A所示，多個第四通孔VIA4與閘極轉接線110重疊，且暴露出轉接結構200的一部分。如此，位於轉接結構200一端的閘極轉接線110可通過其中一個貫穿第四通孔VIA4的導體結構連接至轉接結構200，藉此，使閘極轉接線110的訊號從第二導體層M2跳線至第一導體層M1。另外，轉接結構200可通過另外一個貫穿第四通孔VIA4的導體結構連接至位於轉接結構200另一端的閘極轉接線110，藉此，使閘極轉接線110的訊號從第一導體層M1跳線至第二導體層M2。也就是說，轉接結構200的兩端可通過貫穿第四通孔VIA4的導體結構而連接閘極轉接線110。藉此，資料線DL1可與閘極轉接線110位於相同膜層中，且閘極轉接線110的訊號可經由轉接結構200的一端傳遞至位於另一端的閘極轉接線110。並且，閘極轉接線110的走線設計可減少轉折處的數量，而可避免電阻電容負載增加、產生線路之間的耦合所造成的不良影響等問題，進而改善電子裝置所執行的功能。

圖4A是依照本發明的第二實施例的一種電子裝置的俯視示意圖；圖4B是圖4A的電子裝置中的跨線區域CR的放大示意圖。圖4B對應圖4A的跨線區域CR。在此必須說明的是，圖4A及圖4B沿用圖2A的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，在此不贅述。為方便說明，圖4A及圖4B省略繪示畫素電極的位置。

請同時參照圖4A及圖4B，第二實施例的電子裝置20與第一實施例的電子裝置10的不同處為電子裝置10的主動元件T1例示為底閘極結構，電子裝置20的主動元件T2例示為頂閘極結構，且資料線DL1經由轉接結構300連接到主動元件T2的半導體通道層310。舉例來說，畫素結構SP的主動元件T2可包括半導體通道層310，且在跨線區域CR中，資料線DL1可通過轉接結構300及半導體通道層310而跨越閘極轉接線110。

在本實施例中，畫素結構SP的主動元件T2例如包括：半導體通道層310、資料電極（作為源極或汲極）與閘極。半導體通道層310設置於基板100上。閘極絕緣層覆蓋半導體通道層310，閘極設置於閘極絕緣層上（例如圖5B所示的閘極絕緣層GI），且在基板100的俯視方向上，閘極與半導體通道層310重疊。層間介電層覆蓋閘極，且使閘極與資料電極彼此絕緣（例如圖5B所示的層間介電層ILD）。資料電極（源/汲極）電性連接至半導體通道層310。主動元件T2的閘極例如電性連接至對應的一條閘極線GL，且所述閘極線GL可藉由導通結構CS連接至閘極轉接線110。

在本實施例中，為了將訊號由資料線DL1傳遞給半導體通道層310，可將轉接結構300設置在對應的資料線DL1與半導體通道層310之間。舉例來說，轉接結構300可貫穿層間介電層及閘極絕緣層。也就是說，轉接結構300所在的膜層介於資料線DL1所在的膜層及半導體通道層310所在的膜層之間。

更具體而言，半導體通道層310可包括第一線段312、彎曲線段314及第二線段316，第一線段312及第二線段316例如沿第二方向D2延伸，彎曲線段314的兩端鄰接於第一線段312及第二線段316。在本實施例中，彎曲線段314的形狀例如為U形，但本發明不以此為限。在其他實施例中，也可依據設計需求調整彎曲線段314的形狀。在基板100的俯視方向上，第一線段312例如與資料線DL1重疊，且彎曲線段314與閘極轉接線110具有相交處。另外，第一線段312相對於鄰接彎曲線段314的一端連接至轉接結構300，第二線段316相對於鄰接彎曲線段314的一端連接至主動元件T2。如此一來，資料線DL1的訊號可藉由轉接結構300傳遞至第一線段312，並依序經由彎曲線段314及第二線段316傳遞至主動元件T2。藉此，資料線DL1可與閘極轉接線110位於相同膜層中，且資料線DL1的訊號可經由轉接結構300跨越閘極轉接線110，傳遞至畫素結構SP的主動元件T2。另外，閘極轉接線110的走線設計可減少轉折處的數量，而可避免電阻電容負載增加、產生線路之間的耦合所造成的不良影響等問題，進而改善電子裝置所執行的功能（例如畫面顯示、觸控感測等）。

圖5A是依照本發明的第三實施例的一種電子裝置的俯視示意圖；圖5B是圖5A的電子裝置中沿剖線A-A’的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖5A及圖5B沿用圖4A及圖4B的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，在此不贅述。為方便說明，圖5A及圖5B省略繪示畫素電極的位置。

請參照圖5A及圖5B，相較於圖4A之電子裝置20，本實施例之電子裝置30的閘極線GL還具有沿第二方向D2延伸的延伸結構320，將前述的導通結構CS設置於延伸結構320的遠離閘極線GL的一端，亦即，閘極轉接線110可於遠離跨線區域CR的一端藉由導通結構CS連接至延伸結構320的一端，而延伸結構320的另一端連接至閘極線GL。在本實施例中，延伸結構320所在的膜層與閘極線GL所在的膜層相同。舉例來說，如圖5B所示，基板100上可依序設置緩衝層102、閘極絕緣層GI、層間介電層ILD及閘極轉接線110，其中延伸結構320與閘極線GL例如均位於層間介電層ILD中靠近閘極絕緣層GI的一側，但本發明不限於此。如圖5A所示，延伸結構320自閘極線GL沿第二方向D2延伸至畫素結構SP的中間區域。舉例來說，延伸結構320的長度可約為畫素結構SP的長度的1/10～1/2。在一些實施例中，延伸結構320的長度可相當於畫素結構SP的長度的1/2，但本發明不限於此。

在本實施例中，閘極轉接線110可藉由延伸結構320電性連接至閘極線GL。舉例來說，如圖5B所示，閘極轉接線110與閘極線GL之間可夾設有層間介電層ILD，層間介電層ILD可具有貫通孔TH，且閘極轉接線110的一部分可覆蓋貫通孔TH的表面以作為導通結構CS，但本發明不限於此。藉此，閘極轉接線110可連接至延伸結構320。換句話說，主動元件T2的閘極的訊號可以由閘極轉接線110依序傳遞給延伸結構320及閘極線GL，再由閘極線GL輸入給閘極。如此一來，可彈性的設置導通結構CS的位置，而不一定要在閘極轉接線110與閘極線GL的相交處設置導通結構CS。並且，可依製程的考量調整延伸結構320的圖案及閘極轉接線110連接至延伸結構320的位置，進而可避免不同線路的導通結構或導體結構之間距離過近所造成的負載效應（loading effect）或線路的線寬不均一等問題。

圖6是依照本發明的第四實施例的一種電子裝置的俯視示意圖。在此必須說明的是，圖6沿用圖1的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，在此不贅述。

請參照圖6，第四實施例的電子裝置40與第一實施例的電子裝置10的不同處為電子裝置40還具有絕緣層覆蓋資料線DL與閘極轉接線110，且所述絕緣層具有溝槽TR。

在本實施例中，溝槽TR沿閘極轉接線110與資料線DL延伸。並且，溝槽TR在基板100的投影位於閘極轉接線110在基板100的投影與資料線DL在基板100的投影之間。舉例來說，溝槽TR的側壁分別與閘極轉接線110的側面及資料線DL的側面例如相隔一距離，且所述距離的下限較佳為2.0 μm，更佳為3.0 μm。另外，所述距離的上限較佳為6.0 μm，更佳為5.0 μm。在一些實施例中，溝槽TR可分別與閘極轉接線110及資料線DL相距約2 μm～6 μm。值得說明的是，溝槽的實施型態可以依據設計需求而進行調整，本發明並不以此為限。

舉例來說，以圖2B的實施例為例，溝槽TR可位於第二絕緣層150內。在一些實施例中，溝槽TR的深度可相當於上部絕緣層154的膜厚。在一些實施例中，溝槽TR可自上部絕緣層154延伸至下部絕緣層152中。舉例來說，溝槽TR的深度可大於上部絕緣層154的膜厚，且小於下部絕緣層152的膜厚。在其他實施例中，溝槽TR的深度可小於上部絕緣層154的膜厚。另外，以圖2C的實施例為例，溝槽TR可位於第二絕緣層150’內。在一些實施例中，溝槽TR的深度可相當於第二絕緣層150’的膜厚。在一些實施例中，溝槽TR可自第二絕緣層150’延伸至第一絕緣層140中。舉例來說，溝槽TR的深度可大於第二絕緣層150’的膜厚，且小於第一絕緣層140的膜厚。在其他實施例中，溝槽TR的深度可小於第二絕緣層150’的膜厚。

在一些實施例中，共用電極COM覆蓋溝槽TR的表面。藉此，可用於屏蔽（shielding）閘極轉接線110與資料線DL彼此之間的干擾，以降低線路之間的耦合所造成的不良影響。舉例來說，藉由共用電極COM覆蓋溝槽TR的表面且溝槽TR位於閘極轉接線110與資料線DL之間，使得閘極轉接線110所產生的電場受到屏蔽，而不會耦合至資料線DL，如此可確保資料線DL維持一定準位的輸出電壓，進而改善電子裝置所執行的功能（例如畫面顯示、觸控感測等）。

綜上所述，本發明的電子裝置藉由設置轉接結構而可在跨線區域中，使閘極轉接線及資料線的其中一者通過轉接結構或畫素結構的主動元件來跨越閘極轉接線及資料線的另一者。如此一來，可避免電阻電容負載增加、產生線路之間的耦合所造成的不良影響等問題，進而改善電子裝置所執行的功能（例如畫面顯示、觸控感測等）。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。

10、10A、10A1、10A2、10B、20、30、40:電子裝置 100:基板 102:緩衝層 110:閘極轉接線 120、200、300:轉接結構 130:縱向導線 140:第一絕緣層 150、150’:第二絕緣層 152:下部絕緣層 154:上部絕緣層 160:第三絕緣層 310:半導體通道層 312:第一線段 314:彎曲線段 316:第二線段 320:延伸結構 AA:主動區 B:藍色子畫素 CH:半導體圖案 COM:共用電極 CR:跨線區域 CS:導通結構 D1:第一方向 D2:第二方向 DE:汲極 DL、DL1、DL2:資料線 DLa:主線段 DLb:支線段 G:綠色子畫素 GE:閘極 GI:閘極絕緣層 GL:閘極線 ILD:層間介電層 M1:第一導體層 M2:第二導體層 PE:畫素電極 R:紅色子畫素 SE:源極 SP:畫素結構 T1、T2:主動元件 TH:貫通孔 TR:溝槽 VIA1:第一通孔 VIA2:第二通孔 VIA3:第三通孔 VIA4:第四通孔

圖1是依照本發明的第一實施例的一種電子裝置的俯視示意圖。圖2A是圖1的電子裝置中的一實施方式的跨線區域CR的放大示意圖。圖2B是圖2A的電子裝置中沿剖線A’-A-B-C的剖面的一種實施方式的示意圖。圖2C是圖2A的電子裝置中沿剖線A’-A-B-C的剖面的另一種實施方式的示意圖。圖3A是圖1的電子裝置中的另一實施方式的跨線區域CR的放大示意圖。圖3B是圖3A的電子裝置中沿剖線A-A’的剖面示意圖。圖4A是依照本發明的第二實施例的一種電子裝置的俯視示意圖。圖4B是圖4A的電子裝置中的跨線區域CR的放大示意圖。圖5A是依照本發明的第三實施例的一種電子裝置的俯視示意圖。圖5B是圖5A的電子裝置中沿剖線A-A’的剖面示意圖。圖6是依照本發明的第四實施例的一種電子裝置的俯視示意圖。

10A:電子裝置 100:基板 110:閘極轉接線 120:轉接結構 130:縱向導線 AA:主動區 COM:共用電極 CS:導通結構 D1:第一方向 D2:第二方向 DL1:資料線 GL:閘極線 PE:畫素電極 SP:畫素結構 T1:主動元件 VIA1:第一通孔 VIA2:第二通孔

Claims

一種電子裝置，包括：基板；多條閘極線，配置於所述基板上，且沿第一方向延伸；多條資料線，配置於所述基板上，且沿第二方向延伸，其中所述第一方向與所述第二方向相交；多個畫素結構，陣列排列於所述基板上，每一所述畫素結構被所述多條閘極線的相鄰兩條及所述多條資料線的相鄰兩條圍繞且包括主動元件，其中沿所述第二方向排列在同一行的所述多個畫素結構依序與不同側的所述資料線電性連接；閘極轉接線，配置於所述基板上，且沿所述第二方向延伸，所述閘極轉接線電性連接所述多條閘極線的其中一者，所述閘極轉接線所在的膜層與所述多條資料線所在的膜層相同，且在所述電子裝置的俯視圖中，所述閘極轉接線穿越所述多個畫素結構的其中一者及與所述畫素結構電性連接的所述資料線之間而於所述基板上構成一跨線區域；以及轉接結構，配置於所述基板上，且所述轉接結構所在的膜層不同於所述閘極轉接線及所述資料線所在的膜層，在所述跨線區域中，所述閘極轉接線及所述資料線的其中一者通過所述轉接結構或所述畫素結構的所述主動元件而跨越所述閘極轉接線及所述資料線的另一者，其中在所述跨線區域中，所述資料線通過所述轉接結構而跨越所述閘極轉接線，所述轉接結構沿所述第一方向延伸，所述轉接結構的兩端分別連接所述資料線及所述畫素結構的所述主動元件，且在所述電子裝置的俯視圖中，所述轉接結構與所述閘極轉接線相交。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述畫素結構的所述主動元件更包括：縱向導線，配置於所述基板上，所述縱向導線的兩端連接所述轉接結構及所述主動元件，且在所述電子裝置的俯視圖中，所述閘極轉接線位於所述資料線與所述縱向導線之間。
如請求項2所述的電子裝置，更包括：第一絕緣層，覆蓋所述閘極線，且具有第一通孔及第二通孔，在所述電子裝置的俯視圖中，所述第一通孔與所述資料線重疊，所述第二通孔與所述縱向導線重疊，其中所述第一通孔及所述第二通孔分別暴露出所述轉接結構的一部分，所述資料線通過所述第一通孔連接至所述轉接結構，所述轉接結構通過所述第二通孔連接至所述縱向導線。
如請求項1所述的電子裝置，其中所述畫素結構更具有畫素電極，所述畫素電極與所述資料線分別電性連接至所述主動元件的相對兩側上的汲極與源極，且在所述電子裝置的俯視圖中，所述畫素電極與所述閘極轉接線相隔一距離。
如請求項4所述的電子裝置，更包括：第二絕緣層，覆蓋所述資料線及所述閘極轉接線，且具有第三通孔，其中所述第三通孔暴露出所述主動元件的一部分，所述畫素電極覆蓋所述第三通孔的部分表面，以連接至所述主動元件。
如請求項5所述的電子裝置，其中所述第二絕緣層包括下部絕緣層以及上部絕緣層，所述下部絕緣層共形地設置於所述第一絕緣層上，所述上部絕緣層配置於所述下部絕緣層上。
如請求項5所述的電子裝置，其中所述第二絕緣層為單層結構。
如請求項1所述的電子裝置，更包括：第三絕緣層，覆蓋所述資料線及所述閘極轉接線，所述第三絕緣層具有溝槽，所述溝槽沿所述第二方向延伸，且在所述電子裝置的俯視圖中，所述溝槽位於所述資料線與所述閘極轉接線之間。
一種電子裝置，包括：基板；多條閘極線，配置於所述基板上，且沿第一方向延伸；多條資料線，配置於所述基板上，且沿第二方向延伸，其中所述第一方向與所述第二方向相交；多個畫素結構，陣列排列於所述基板上，每一所述畫素結構被所述多條閘極線的相鄰兩條及所述多條資料線的相鄰兩條圍繞且包括主動元件，其中沿所述第二方向排列在同一行的所述多個畫素結構依序與不同側的所述資料線電性連接；閘極轉接線，配置於所述基板上，且沿所述第二方向延伸，所述閘極轉接線電性連接所述多條閘極線的其中一者，所述閘極轉接線所在的膜層與所述多條資料線所在的膜層相同，且在所述電子裝置的俯視圖中，所述閘極轉接線穿越所述多個畫素結構的其中一者及與所述畫素結構電性連接的所述資料線之間而於所述基板上構成一跨線區域；以及轉接結構，配置於所述基板上，且所述轉接結構所在的膜層不同於所述閘極轉接線及所述資料線所在的膜層，在所述跨線區域中，所述閘極轉接線及所述資料線的其中一者通過所述轉接結構或所述畫素結構的所述主動元件而跨越所述閘極轉接線及所述資料線的另一者，其中在所述跨線區域中，所述閘極轉接線通過所述轉接結構而跨越所述資料線，所述轉接結構沿所述第二方向延伸，所述轉接結構的兩端分別連接所述閘極轉接線，且在所述電子裝置的俯視圖中，所述轉接結構與所述資料線相交。
如請求項9所述的電子裝置，其中所述資料線具有主線段及支線段，所述主線段沿第二方向延伸，所述支線段的兩端分別連接所述主線段及所述畫素結構的所述主動元件，且在所述電子裝置的俯視圖中，所述轉接結構與所述支線段相交。
如請求項10所述的電子裝置，更包括：第一絕緣層，覆蓋所述閘極線，且具有多個第四通孔，在所述電子裝置的俯視圖中，所述多個第四通孔與所述閘極轉接線重疊，其中所述多個第四通孔暴露出所述轉接結構的一部分，且位於所述轉接結構一端的所述閘極轉接線通過所述多個第四通孔的其中一者連接至所述轉接結構，所述轉接結構通過所述多個第四通孔的另外一者連接至位於所述轉接結構另一端的所述閘極轉接線。
如請求項1或請求項9所述的電子裝置，更包括：共用電極，配置於所述基板上，且在所述電子裝置的俯視圖中至少與所述資料線、所述閘極轉接線及所述轉接結構重疊。
一種電子裝置，包括：基板；多條閘極線，配置於所述基板上，且沿第一方向延伸；多條資料線，配置於所述基板上，且沿第二方向延伸，其中所述第一方向與所述第二方向相交；多個畫素結構，陣列排列於所述基板上，每一所述畫素結構被所述多條閘極線的相鄰兩條及所述多條資料線的相鄰兩條圍繞且包括主動元件，其中沿所述第二方向排列在同一行的所述多個畫素結構依序與不同側的所述資料線電性連接；閘極轉接線，配置於所述基板上，且沿所述第二方向延伸，所述閘極轉接線電性連接所述多條閘極線的其中一者，所述閘極轉接線所在的膜層與所述多條資料線所在的膜層相同，且在所述電子裝置的俯視圖中，所述閘極轉接線穿越所述多個畫素結構的其中一者及與所述畫素結構電性連接的所述資料線之間而於所述基板上構成一跨線區域；以及轉接結構，配置於所述基板上，且所述轉接結構所在的膜層不同於所述閘極轉接線及所述資料線所在的膜層，在所述跨線區域中，所述閘極轉接線及所述資料線的其中一者通過所述轉接結構或所述畫素結構的所述主動元件而跨越所述閘極轉接線及所述資料線的另一者，其中所述畫素結構的所述主動元件為頂閘極薄膜電晶體且包括半導體通道層，且在所述跨線區域中，所述資料線通過所述轉接結構及所述半導體通道層而跨越所述閘極轉接線。
如請求項13所述的電子裝置，其中所述半導體通道層包括第一線段、彎曲線段及第二線段，所述第一線段及所述第二線段沿所述第二方向延伸，所述彎曲線段的兩端鄰接於所述第一線段及所述第二線段，在所述電子裝置的俯視圖中，所述第一線段與所述資料線重疊，且所述彎曲線段與所述閘極轉接線相交。
如請求項13所述的電子裝置，所述閘極線更包括延伸結構，所述延伸結構自所述閘極線沿所述第二方向延伸，所述閘極轉接線藉由所述延伸結構電性連接至所述閘極線，所述延伸結構的長度為所述畫素結構的長度的1/10~1/2。
如請求項15所述的電子裝置，更包括：層間介電層，夾設於所述閘極轉接線與所述閘極線之間，且具有貫通孔，其中所述閘極轉接線覆蓋所述貫通孔的表面以連接至所述延伸結構。