JP5261268B2 - 液晶装置および電子機器 - Google Patents

Description

本発明は、液晶装置および電子機器に関する。

横電界方式の液晶表示装置として、ＩＰＳ（In-Plane Switching）方式、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）方式等の液晶表示装置が知られている。ＩＰＳ方式は横電界を発生させる画素電極と共通電極とが同一層上に形成されており、液晶層には基板面に略平行な方向に電界（いわゆる横電界）が生じる。これにより、ＩＰＳ方式の液晶表示装置は、縦電界方式の一つであるＴＮ（Twisted Nematic）方式等と比較して視角特性の向上が図れる、という利点を有している。その反面、画素電極の直上に位置する液晶分子が十分に駆動されにくいため、光透過率の低下を招くという欠点を有している。

一方、ＦＦＳ方式の液晶表示装置は、画素電極と共通電極とが絶縁層を挟んで異なる層に形成されており、液晶層に生じる電界の方向がＩＰＳ方式と異なるため、画素電極の直上に位置する液晶分子にも電界が印加され、この箇所の液晶分子を十分に駆動することができる。その結果、ＦＦＳ方式の液晶表示装置は、上述のＩＰＳ方式に比べて光透過率の向上が図れる、という利点を有している。特にＦＦＳ方式において横電界を発生させる２つの電極の下層側に平坦化用の絶縁膜を形成した液晶装置が、下記の特許文献１に開示されている。また、ＦＦＳ方式において上層側の電極は複数の細長い開口部（スリット）を有する形状とするが、表示品位の向上のために開口部間の電極部分の幅と開口部の幅との関係を最適化した液晶装置が、下記の特許文献２に開示されている。

特開２００７−２２６１７５号公報 特開２００８−１１６４８４号公報

しかしながら、例えば特許文献２では、駆動電圧と最大透過率との関係から最も好ましい電極部分の幅と開口部の幅の寸法を求めているものの、本発明者は、これらの寸法を単に最適化しただけでは画素内で明るさムラが生じていることを見出した。画素内で明るさが不均一であるということは、結局のところ、光透過率の低下につながる。したがって、従来の構造では、ＦＦＳ方式の特徴の一つである光透過率の向上が図れ、明るい表示が得られる、という特性を生かし切れていなかった。

本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、画素内での明るさの均一化が図れ、光透過率が向上することで明るい表示が得られる液晶装置、およびこれを備えた電子機器を提供することを目的とする。

上記の目的を達成するために、本発明の液晶装置は、素子基板と対向基板とからなる一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された液晶層と、を備え、前記素子基板にデータ線と走査線とが互いに交差して設けられるとともに、前記データ線および前記走査線に電気的に接続されたスイッチング素子を有する複数の画素がマトリクス状に配置された液晶装置であって、前記素子基板上に、第１電極と、前記第１電極を覆うように形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、前記第１電極との間に生じる電界を前記液晶層に印加する第２電極と、が設けられ、前記第１電極に、前記データ線からの画像信号電位が前記スイッチング素子を介して供給されるとともに、前記第２電極には、共通電位が供給される構成とされ、前記第２電極は、互いに平行な方向に延在する複数の開口部を有し、前記複数の開口部のうち、前記複数の開口部の配列方向における最も外側の前記開口部の前記配列方向の幅が、残りの前記開口部の前記配列方向の幅よりも小さい。

本発明の液晶装置は、素子基板上に、第１電極と、第１電極を覆うように形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成され、第１電極との間に生じる電界を液晶層に印加する第２電極と、が設けられた液晶装置、いわゆるＦＦＳ方式の液晶装置を発明の対象としている。本発明者は、ＦＦＳ方式の液晶装置において、第２電極（上層側電極）の複数の開口部の幅が一定である従来の場合、最も外側の開口部の縁の部分では他の部分よりも横電界成分が強く発生し、光透過率が上昇する結果、他の部分とのバランスが悪くなり、明るさムラが生じることを発見した。そして、最も外側の開口部の配列方向の幅を他の開口部の配列方向の幅よりも小さくすることにより他の部分との透過率の均一性が向上し、画素内の明るさムラが低減できることを見出した。詳細は後述する。

本発明の液晶装置において、前記最も外側の開口部の前記配列方向の幅をＳ１［μｍ］、前記残りの開口部の前記配列方向の幅をＳ２［μｍ］とした場合、Ｓ２−Ｓ１≧０．５であることが望ましい。
この構成によれば、実際の製造プロセス上安定して製造が可能であり、本発明の効果を確実に得ることができる。

本発明の電子機器は、上記本発明の液晶装置を表示部として備える。
本発明によれば、上記本発明の液晶装置を備えているので、明るい表示部を備えた電子機器を提供することができる。

本発明の第１実施形態の液晶装置の平面図である。 図１のＨ−Ｈ’線に沿う断面図である。 同液晶装置の等価回路図である。 同液晶装置の表示部を構成する画素の平面図である。 図５のＣ−Ｃ’線に沿う断面図である。 １画素分の共通電極のみを取り出して示す平面図である。 ＦＦＳ方式における電界印加時の等電位線および光透過率の分布を示す図である。 両端の開口部の幅を変えたときの光透過率の変化の様子を示す図である。 両端の開口部の幅と最大輝度との関係を示すグラフである。 図８と条件（開口部幅、電極部幅）を変えたときの光透過率の変化の様子を示す図である。 図１０に対応して両端の開口部の幅と最大輝度との関係を示すグラフである。 本発明の第２実施形態の液晶装置の表示部を構成する画素の平面図である。 図１２のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。 本発明の電子機器の一実施形態を示す斜視図である。

［第１実施形態］
以下、本発明の第１の実施の形態を図１〜図１１を参照しつつ説明する。
本実施形態の液晶装置は、ＦＦＳ方式の透過型液晶装置の例である。
図１〜図１１の各図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてある。

図１、図２に示すように、本実施形態の液晶装置１は、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor, 以下、ＴＦＴと略記する）アレイ基板２と対向基板３とがシール材４によって貼り合わされ、このシール材４によって区画された領域内に液晶層５が封入されている。液晶層５は、正の誘電率異方性を有する液晶材料から構成されている。シール材４の形成領域の内側の領域には、遮光性材料からなる遮光膜（周辺見切り）６が形成されている。シール材４の外側の周辺回路領域には、データ線駆動回路７および外部回路実装端子８がＴＦＴアレイ基板２の一辺に沿って形成されており、この一辺に隣接する２辺に沿って走査線駆動回路９が形成されている。ＴＦＴアレイ基板２の残る一辺には、表示領域Ｒの両側に設けられた走査線駆動回路９の間を接続するための複数の配線１０が設けられている。また、対向基板３の角部においては、ＴＦＴアレイ基板２と対向基板３との間で電気的導通をとるための基板間導通材１１が配設されている。
なお、表示領域Ｒの水平方向を矢印Ｈ、表示領域Ｒの垂直方向を矢印Ｖで表す。水平方向Ｈは矩形状の表示領域Ｒの一辺（図１における横方向の辺）に沿う方向であり、垂直方向Ｖは前記一辺に隣り合う一辺（図１における縦方向の辺）に沿う方向である。

本実施形態の液晶装置１の表示領域を構成すべくマトリクス状に配置された複数の画素には、図３に示すように、画素電極１３がそれぞれ形成されている。また、画素電極１３の側方には、当該画素電極１３への通電制御を行うための画素スイッチング素子であるＴＦＴ１４が形成されている。このＴＦＴ１４のソースには、データ線１５が電気的に接続されている。各データ線１５には画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがそれぞれ供給される。なお、画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、各データ線１５に対してこの順に線順次で供給してもよく、相隣接する複数のデータ線１５に対してグループ毎に供給してもよい。

また、ＴＦＴ１４のゲートには、走査線１６が電気的に接続されている。走査線１６には、所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが供給される。なお、走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍは、各走査線１６に対してこの順に線順次で印加される。また、ＴＦＴ１４のドレインには、画素電極１３が電気的に接続されている。そして、走査線１６から供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍにより、スイッチング素子であるＴＦＴ１４を一定期間だけオン状態にすると、データ線１５から供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、ＴＦＴ１４を介して各画素の液晶に所定のタイミングで書き込まれる。

液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極１３と共通電位が与えられる共通電極との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防止するため、画素電極１３と容量配線１７との間に蓄積容量１８が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶に入射した光が変調されて階調表示がなされる。

次に、本実施形態の液晶装置１の画素構成について図４、図５を用いて説明する。
本実施形態の液晶装置１は、画像を構成する１個の画素がＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）の３個のサブ画素から構成されている。ここで、図４はデータ線１５の延在方向（図における上下方向）の２個、走査線１６の延在方向（図における左右方向）の２個、の計４個のサブ画素を示している。なお、本明細書では各サブ画素に割り当てられる電極を「画素電極」と称しているため、構成要素によっては、本来は「サブ画素」に相当するものを「画素」と称することもある。

まず、各サブ画素の平面的な構成について説明する。
ＴＦＴアレイ基板２上に、図４に示すように、複数のデータ線１５が所定の間隔をおいて配置されるとともに、複数の走査線１６が所定の間隔をおいてデータ線１５と直交するように配置されている。隣接する２本のデータ線１５と隣接する２本の走査線１６とによって囲まれた領域がサブ画素領域となる。各サブ画素領域の角部（図４における各サブ画素領域の左下の角部）に、ＴＦＴ１４が配置されている。本実施形態のＴＦＴ１４は、例えば低温プロセスで形成した多結晶シリコンからなる半導体層２０を有する、低温poly−SiＴＦＴである。半導体層２０には、ソース電極として機能するデータ線１５から突出した部分と、ドレイン電極２５とが一部重なるように配置されている。

本実施形態の場合、共通電極には全てのサブ画素にわたって共通電位が供給されるため、全てのサブ画素にわたるベタ状の共通電極が設けられている。なお、共通電極はサブ画素毎に分割して設けられていても良い。後述するように、画素電極１３が下層側、共通電極２１が上層側に配置されている。各サブ画素領域の内部に、略矩形状の画素電極１３が設けられている。各サブ画素領域内の共通電極２１には、データ線の延在方向と略平行に延在する複数の開口部２３ａ，２３ｂが形成されている。なお、符号２５は半導体層のドレイン領域と画素電極とを接続するためのドレイン電極、符号２６はドレインコンタクトホール、である。

次に、断面構造について説明する。
ＴＦＴアレイ基板２は、図５に示すように、ガラス等からなる基板本体３３の上面に走査線１６が形成されており、走査線１６のうち、半導体層２０のチャネル領域の下方にあたる部分はそのままゲート電極として機能する。走査線１６を覆うように基板本体３３の全面に、例えばシリコン酸化膜等からなるゲート絶縁膜３４が形成されている。ゲート絶縁膜３４上の一部には半導体層２０が形成されており、半導体層２０のソース領域に接するようにデータ線１５が形成されている。データ線１５のうち、図４に示すデータ線１５から半導体層２０上に平面的に重なるように突出した部分はソース電極として機能する。半導体層２０のドレイン領域に接するようにドレイン電極２５が形成されている。これらのＴＦＴ１４の各構成要素を覆うように、ゲート絶縁膜３４上の全面には例えばシリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁膜３５が形成されている。

第１層間絶縁膜３５上に画素電極１３が形成されており、画素電極１３は第１層間絶縁膜３５を貫通するドレインコンタクトホール２６を介してドレイン２５と電気的に接続されている。この構成により、画素電極１３はドレイン電極２５を介してＴＦＴ１４の半導体層２０のドレイン領域と電気的に接続されている。画素電極１３を覆うように第１層間絶縁膜３５上の全面に例えばシリコン酸化膜、シリコン窒化膜等からなる第２層間絶縁膜３６が形成されている。第２層間絶縁膜３６上には共通電極２１が形成されている。共通電極２１上にはラビング処理が施された配向膜（図示略）が形成されている。

一方、対向基板３は、ガラス等からなる基板本体４０の下面にカラーフィルターを構成するＲ，Ｇ，Ｂの着色層４１が形成され、ＴＦＴ１４やデータ線１５、走査線１６等と重なる領域にブラックマトリクスＢＭ（遮光層）が形成されている。着色層４１やブラックマトリクスＢＭを覆うようにカラーフィルターの保護膜となるオーバーコート層４２が形成され、オーバーコート層４２上にラビング処理が施された配向膜（図示略）が形成されている。

以上説明したＴＦＴアレイ基板２と対向基板３との間に液晶層５が挟持されている。また、ＴＦＴアレイ基板２の外面側、対向基板３の外面側にはそれぞれ偏光板４４，４５が設けられている。ＴＦＴアレイ基板２側の偏光板４４の外側には、バックライト４６（照明装置）が設置されている。

図６は、１つのサブ画素に対応する共通電極２１の一部のみを抜き出して示す平面図である。また、図６ではＴＦＴ１４の図示は省略する。上述したように、各サブ画素領域内の共通電極２１には、複数の細長の開口部２３ａ，２３ｂが走査線１６の延在方向に所定の間隔をおいて形成されている。また、各開口部２３ａ，２３ｂはデータ線１５の延在方向と略平行に延在しており、複数の開口部２３ａ，２３ｂ同士は略平行に配置されている。複数の開口部２３ａ，２３ｂのうち、開口部の配列方向（走査線１６の延在方向）における最も外側の開口部２３ａの配列方向の幅（短手方向の寸法）が、それ以外の開口部２３ｂの配列方向の幅（短手方向の寸法）よりも小さく設定されている。以下、「開口部（または電極部）の配列方向における幅」のことを単に「開口部（または電極部）の幅」と称する。

本実施形態の場合、最も外側の開口部２３ａの幅をＳ１［μｍ］、それ以外の開口部２３ｂの幅をＳ２［μｍ］とすると、Ｓ２−Ｓ１≧０．５である。具体的には、例えば最外部の開口部２３ａの幅Ｓ１が４μｍ、それ以外の開口部２３ｂの幅Ｓ２が４．５μｍである。また、隣接する２本の開口部２３ａ，２３ｂ間の電極部２１ａの幅Ｌは３．５μｍである。

ＦＦＳ方式の液晶装置では、同じ横電界で液晶を駆動するモードであってもＩＰＳ方式の場合とは異なり、液晶層内での電位変化が大きい場所が対向基板側よりもＴＦＴアレイ基板側に集中している。この電位分布の上下非対称性が、第２（上層側電極）の開口部（スリット）のピッチ、第２電極−第１電極（下層側電極）間の誘電体膜厚、液晶層厚、第２電極上の配向膜厚などのパラメータの最適化の際に考慮されている。しかしながら、本発明者は、従来考慮されていなかったサブ画素の最外部の開口部近傍の電位分布にもＩＰＳ方式にない特徴がある点に着目した。

そこで、本発明者は、ＦＦＳ方式の電極構成において液晶層内の電位分布と透過率分布をシミュレーションにより求めた。そのシミュレーション結果を図７に示す。図７において、等電位線を１点鎖線、透過率分布を実線で示す。また、符号５１は第１電極、符号５２ａ，５２ｂは第２電極、符号５３は誘電体であり、本実施形態では第１電極５１が画素電極１３、第２電極５２ａ，５２ｂが共通電極２１ａ，２１ｂ、誘電体５３が第３層間絶縁膜３７に相当する。符号５４ａで示した箇所がサブ画素の最外部の開口部であり、これよりも右側の箇所では第２電極が長く延在した部分５２ｂである。また、このシミュレーションにおいては、全ての開口部５４ａ，５４ｂの幅を等しく設定した。

図７の結果から、サブ画素の中央側（図７の中央から左側）では等電位線が略同じような形状を示すのに対し、最外部の開口部５４ａの外側の縁の近傍で等電位線が急激に縦方向に立ち上がっており、横電界成分が強くなっていることが判る。横電界モードでは横電界成分が強くなる程、光透過率が高くなる傾向にあるため、光透過率はサブ画素の中央側で略一定の周期で変化しているが、最外部の開口部５４ａの外側の縁の近傍で高いピークを示している。したがって、このシミュレーションのように、開口部の幅を均等にするとサブ画素内で明るさが不均一になることが判った。また、明るさが不均一であることは液晶層への印加電圧を変化させても調整が不可能であることを示しており、明るい表示が得られないことにつながる。このことから、本発明者は、最外部の開口部の幅をその他の開口部の幅よりも小さくすることに想到した。

図８はサブ画素内の各位置の透過率分布を示すシミュレーション結果であり、図８の横軸がサブ画素内の位置［μｍ］、縦軸が透過率［％］である。実線で示したグラフは、最外部の開口部の幅Ｓ１が４μｍ、残りの開口部の幅Ｓ２が４．５μｍ、電極部の幅Ｌが３．５μｍの本実施形態の液晶装置における透過率分布であり、破線で示したグラフは、全ての開口部の幅Ｓが４．５μｍ、電極部の幅Ｌが３．５μｍの比較例の液晶装置における透過率分布である。なお、このシミュレーションにおいて、液晶層への印加電圧は中間調電圧で一定とした。

比較例の場合、最外部では最大透過率を示すピークが中央部よりも高くなっており、同じ電圧を印加しても早く明るくなる様子がわかる。これに対して、本実施形態の場合、最外部の開口部の幅Ｓ１を４μｍと小さくしたことで最外部のピークの高さが中央部のピークの高さと近くなり、全体にわたって均一な透過率分布が得られることがわかった。

また、図８のシミュレーションでは液晶層への印加電圧を一定としたが、印加電圧を変化させて開口部の各幅における最大輝度（最大透過率）を求めたのが図９である。図９の横軸が開口部の幅［μｍ］、縦軸が最大輝度［相対値］である。縦軸の最大輝度は、全ての開口部の幅Ｓを４．５μｍとした比較例での最大輝度を１としたときの相対値で示している。
このように、最外部の開口部の幅を４μｍ、３．５μｍと他の開口部の幅よりも小さくすることによって最大輝度を向上できることが判った。

通常、電極部や開口部の幅は２〜６μｍ程度に設定しているが、少なくともこの範囲で見る限り、上記の結果は電極部や開口部の幅に依存しない。
図１０は、開口部の幅Ｓを４μｍ、電極部の幅Ｌを３μｍとしたときの透過率分布を示すシミュレーション結果であり、実線で示したグラフは、最外部の開口部の幅Ｓ１を３．５μｍ、残りの開口部の幅Ｓ２を４μｍとしており、破線で示したグラフは、全ての開口部の幅Ｓを４μｍとしている。
この場合も、図８の結果と同様、全体にわたって均一な透過率分布が得られることがわかった。

また、図１０のシミュレーション条件において、印加電圧を変化させたときの最大輝度を求めたものが図１１である。
この場合も、図９の結果と同様、最外部の開口部の幅を他の開口部の幅よりも小さくすることによって最大輝度を向上できることが判った。

以上説明したように、本実施形態の液晶装置１によれば、各サブ画素の共通電極２１における最外部の開口部２３ａの幅を他の開口部２３ｂの幅よりも小さくしたため、サブ画素内での光透過率の均一性が向上し、サブ画素内の明るさムラが低減できる。これにより、視角特性に優れ、明るい表示が可能な液晶装置を実現できる。また、サブ画素内の最外部の開口部２３ａの幅Ｓ１［μｍ］と残りの開口部２３ｂの幅Ｓ２［μｍ］とが、Ｓ２−Ｓ１≧０．５を満たすように設定されているため、製造工程上、安定して製造が可能であり、本発明の効果を確実に得ることができる。

［第２実施形態］
以下、本発明の第２実施形態について図１２〜図１３を用いて説明する。
本実施形態の液晶装置の基本構成は第１実施形態と同様であり、電極構成が異なるのみである。
図１２は本実施形態の液晶装置の表示部を構成する画素の平面図である。図１３は図１２のＡ−Ａ’線に沿う断面図である。図１２、図１３において図４、図５と共通の構成要素には同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。

本実施形態の液晶装置６１は、図１３に示すように、上下の電極の位置関係が第１実施形態と逆であり、下層側に共通電極６２が形成されており、上層側に画素電極６３が形成されている。より具体的には、第２層間絶縁膜３６上に共通電極６２が形成されており、共通電極６２を覆うように第３層間絶縁膜３７が形成されている。第３層間絶縁膜３７上に複数の開口部６５を有する画素電極６３が形成されている。ＴＦＴ１４のドレイン領域に電気的に接続された中継電極２５を有する点は第１実施形態と同様であるが、本実施形態の場合は、ＴＦＴアレイ基板２の最上層に位置する画素電極６３が、第３層間絶縁膜３７および第２層間絶縁膜３６を貫通する画素電極コンタクトホール６４を介して中継電極２５と電気的に接続されている。

本実施形態の場合、共通電極６２が全てのサブ画素にわたって設けられており、第１実施形態のようにサブ画素毎に分割されていないため、図１２に示すように、第１実施形態における共通電極線２２は設けられていない。また、画素電極コンタクトホール６４の部分で画素電極６３と共通電極６２との短絡が生じないように、共通電極６２のうち、画素電極コンタクトホール６４とその周辺の部分には開口部が形成されている。サブ画素の平面パターンとしては、以上の点が異なるのみである。

本実施形態の特徴として、各サブ画素領域内の画素電極６３には、図１２に示すように、複数の細長の開口部６５が走査線１６の延在方向に所定の間隔をおいて形成されている。また、各開口部６５はデータ線１５の延在方向と略平行に延在しており、複数の開口部６５同士は互いに略平行に配置されている。複数の開口部６５が設けられたことにより画素電極６３自体も複数の細長の電極部６３ａ，６３ｂを有することになるが、複数の電極部６３ａ，６３ｂのうち、電極部６３ａ，６３ｂの配列方向（走査線の延在方向）における最も外側の電極部６３ａの配列方向の幅（短手方向の寸法）が、それ以外の電極部６３ｂの配列方向の幅（短手方向の寸法）よりも小さく設定されている。

本実施形態の場合、最も外側の電極部６３ａの幅をＬ１［μｍ］、残りの電極部６３ｂの幅をＬ２［μｍ］とすると、Ｌ２−Ｌ１≧０．５である。具体的には、例えば最外部の電極部６３ａの幅Ｌ１が３μｍ、残りの電極部６３ｂの幅Ｌ２が３．５μｍである。また、開口部６５の幅Ｓは４．５μｍで一定である。

第１実施形態では第１電極（下層側電極）を画素電極、第２電極（上層側電極）を共通電極としたときに、各サブ画素の共通電極の最外部の開口部の幅を他の開口部の幅よりも小さくする構成とした。これに対して、本実施形態のように第１電極（下層側電極）を共通電極６２、第２電極（上層側電極）を画素電極６３とした場合には、各サブ画素の画素電極６３の最外部の電極部６３ａの幅を他の電極部６３ｂの幅よりも小さくすることが第１実施形態の構成と等価であると考えられる。したがって、本実施形態においても、各サブ画素の画素電極６３における最外部の電極部６３ａの幅を他の電極部６３ｂの幅よりも小さくしたことにより、サブ画素内での光透過率の均一性が向上し、サブ画素内の明るさムラが低減できる、といった第１実施形態と同様の効果が得られる。

［電子機器］
以下、本発明の電子機器の一実施形態について説明する。
本実施形態の電子機器は、上記実施形態の液晶装置を携帯電話機の液晶表示部に用いた例である。
図１４は、携帯電話機の構成を示す斜視図である。この図に示すように、携帯電話機７２０は、複数の操作ボタン７２１の他、受話口７２２、送話口７２３とともに、上記実施形態の液晶装置を用いた液晶表示部７２４を備えている。

本実施形態によれば、上記実施形態の液晶装置を備えているので、明るい液晶表示が可能な電子機器を提供することができる。

なお、本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。例えば上記実施形態では、第２電極に設ける開口部として、周囲が電極に囲まれた閉じた形状の開口部の例を示したが、一端が開放された開口部であっても良い。すなわち、第２電極が櫛歯形状であっても良い。また、上記実施形態では開口部の延在方向がデータ線の延在方向と平行（図４、図１２における縦方向）である例を示したが、開口部の延在方向が走査線の延在方向と平行（図４、図１２における横方向）であっても良い。その他、液晶装置を構成する各種構成要素の具体的な構成については、上記実施形態の他、適宜変更が可能である。

１，６１…液晶装置、２…ＴＦＴアレイ基板（素子基板）、３…対向基板、５…液晶層、１３，６３…画素電極、１４…ＴＦＴ（スイッチング素子）、１５…データ線、１６…走査線、２１，６２…共通電極、２３ａ，２３ｂ，６５…開口部、２１ａ，６３ａ，６３ｂ…電極部。

Claims (3)

1. 素子基板と対向基板とからなる一対の基板と、前記一対の基板間に挟持された液晶層と、を備え、前記素子基板にデータ線と走査線とが互いに交差して設けられるとともに、前記データ線および前記走査線に電気的に接続されたスイッチング素子を有する複数の画素がマトリクス状に配置された液晶装置であって、
   前記素子基板上に、第１電極と、前記第１電極を覆うように形成された絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成され、前記第１電極との間に生じる電界を前記液晶層に印加する第２電極と、が設けられ、
   前記第１電極に、前記データ線からの画像信号電位が前記スイッチング素子を介して供給されるとともに、前記第２電極には、共通電位が供給される構成とされ、
   前記第２電極は、互いに平行な方向に延在する複数の開口部を有し、前記複数の開口部のうち、前記複数の開口部の配列方向における最も外側の前記開口部の前記配列方向の幅が、残りの前記開口部の前記配列方向の幅よりも小さい液晶装置。
2. 前記最も外側の開口部の前記配列方向の幅をＳ１［μｍ］、前記残りの開口部の前記配列方向の幅をＳ２［μｍ］とすると、Ｓ２−Ｓ１≧０．５である請求項１に記載の液晶装置。
3. 請求項１又は２に記載の液晶装置を表示部として備えた電子機器。
   

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