TWI414864B - 邊緣電場切換模式之液晶顯示器 - Google Patents

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TWI414864B
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Description

邊緣電場切換模式之液晶顯示器
本發明係關於一種邊緣電場切換模式之液晶顯示器(Fringe Field Switching mode Liquid Crystal Display, FFS-LCD)，且特別是指，一種在最小成本且不需特別的製造過程下，具增大之穿透率及孔徑率的邊緣電場切換模式液晶顯示器。
通常，一邊緣電場切換模式液晶顯示器係被建議用於改善平面切換模式液晶顯示器(In-plane Switching mode Liquid Crystal Display, IPS-LCD)的低孔徑率與穿透率，其係已揭露於韓國專利第1998-0009243號申請案中。
在邊緣電場切換模式液晶顯示器中，共同電極及畫素電極係由一透明導體所製成，以增加相較於平面切換模式液晶顯示器較高之孔徑率與穿透率，且在共同電極與畫素電極間的空間相較於上下玻璃基板間的空間為窄，以形成一介於共同電極與畫素電極間的邊緣電場，並驅動所有存於該電極上部中的液晶分子，因而獲得改善的穿透率。
然而，在邊緣電場切換模式液晶顯示器中，一具有阻擋光線效果的遮蔽區域通常被形成於資料線上，其係用以減低孔徑率。
當該遮蔽區域被移除以改善孔徑率時，對比率(Contrast Ratio, CR)會因為光線之洩露而產生惡化。從 而，該遮蔽區域並無法被移除。
本發明係使電場形成於資料線中而有別於將電場形成於畫素區域中央，進而可以移除遮蔽區域或減少遮蔽區域形成的面積。
本發明亦關於改善孔徑率及防止光線產生洩漏。
本發明係更進一步關於調整資料線、透明共同電極及透明畫素電極的縫隙距離、排列方式等，因此進一步提供一種在最小成本且不需要特別的製造過程之下，具增大孔徑率的邊緣電場切換模式液晶顯示器(FFS-LCD)。
本發明係更進一步關於在閘極線與資料線穿過的非開口區域中之透明共同電極上形成一低阻值的金屬線，使電流流動於金屬線及透明共同電極之間並減少透明共同電極的阻值，因而提供一種高明亮的邊緣電場切換模式液晶顯示器，其係能有效地減低液晶顯示面板上共同電極線(Vcom)的負載，並有效解決畫質的問題，如：由增加共同電極線負載所引起的綠化(greenish)、閃爍(flicker)等。
本發明一方面提供了一種邊緣電場切換模式液晶顯示器，包含有下基材、上基材、與介於其中的液晶層之邊緣電場切換模式液晶顯示器，每一畫素區域係由該下基材上彼此交錯的閘極線及資料線所定義，且切換裝置係被安置於閘極線及資料線的交叉處，其中該邊緣電場切換模式液晶顯示器包含一透明畫素電極，及一透明共同電極，其係 藉由介於該透明畫素電極與該透明共同電極間之隔絕層與該透明畫素電極分開，並藉由在液晶層施加電場來調整畫素區域的穿透率，且於實際平行於該資料線的方向上，該透明共同電極係具有預先決定寬度的複數個橫桿(bar)，該透明共同電極具有一形成用以覆蓋資料線的第一橫桿及一形成鄰接於畫素中央區域第一橫桿的第二橫桿，該第一橫桿及第二橫桿之間的距離相較於形成於畫素區域中各橫桿間的距離大，且該透明畫素電極的一端係被安置於該第一橫桿及其鄰接的該第二橫桿之間。
該第一橫桿的寬度可以用該資料線寬度的一到五倍加以形成。
該透明畫素電極的一端可以比第二橫桿更加接近第一橫桿，且可以被置於第一橫桿與第二橫桿的中間。
較佳為，當基於該資料線而具有小於10%的最小穿透率之非穿透區域係被包含於該資料線寬中時，其係能有效地遮蔽該資料線的上部，即使該資料線上的遮蔽區域不存在或顯著地減少。更佳為，一非穿透區域基於該資料線係被包含於該資料線寬中，具有小於7%的最小穿透率。
該透明畫素電極可為平板狀、條狀或狹縫狀。
當該透明共同電極的個別畫素區域彼此連接，且相同的電壓被施加於該透明共同電極上時，該透明共同電極可以減低整體的阻值。
本發明另一方面提供了一種邊緣電場切換模式液晶顯示器，包含有下基材、上基材及介於其中的液晶層之邊緣 電場切換模式液晶顯示器，每一畫素區域係由下基材上彼此交錯的閘極線及資料線所定義，且切換裝置係被置於閘極線及資料線的交叉處，其中該邊緣電場切換模式液晶顯示器包含一透明畫素電極，及一透明共同電極，其係藉由介於該透明畫素電極與該透明共同電極間的一隔絕層與該透明畫素電極分開，並藉由施加一電場至該液晶層以調整畫素區域的穿透率，於實際平行於該資料線的方向上，該透明共同電極係具有預先決定寬度的複數個橫桿(bar)，且其中一橫桿係形成用以部分或全部地覆蓋及隔絕該資料線，及一形成於包含該資料線區域的電場相較於形成於畫素區中央區域的電場具有較小的垂直電場分量。
同時，當一電壓被施加於該透明畫素電極及該透明共同電極時，個別電極的排列方式、縫隙距離等係被加以調整，該資料線及一相鄰區域的穿透率可被顯著地減低。因此，移除該資料線及相鄰區域上的遮蔽區域或大量地減少遮蔽區域的形成是可行的，且亦可以防止向錯(disclination)的產生。
本發明的另一方面提供了一種邊緣電場切換模式液晶顯示器，包含一下基材、一上基材、一液晶層，其係介於該上下基材之間，每一畫素區域係由該下基材上彼此交錯的閘極線及資料線所定義，且切換裝置係被置於該閘極線及該資料線的交叉處，其中該邊緣電場切換模式液晶顯示器包含了一透明畫素電極，及一透明共同電極，其位於該閘極線與該資料線形成的非開口區域，係藉由介於該透明 畫素電極與該透明共同電極間的一隔絕層與該透明畫素電極分開，在畫素區域藉由施加電場至該液晶層以調整其穿透率，且形成一特定厚度的金屬線以電性連接至該透明共同電極，其係位於該閘極線及該資料線形成的非開口區域所在的該透明共同電極之上或之下。
如後所述，本發明中之例示實施方式將詳盡描述。然而本發明之內容並不僅限於下列揭露之實施方式，其係可以用不同的型態加以實施。後述的實施方式係依所屬技術領域中具有通常知識者能夠具體實現及實行本發明的方式加以描述。
一邊緣電場切換模式液晶顯示器包含有一下基材、一上基材及介於其基材間的一液晶層，每個畫素區域係由該下基材上彼此交錯的閘極線及資料線所定義，且切換裝置係被置於該閘極線及該資料線的交叉處。為了藉由施加一電場至該液晶層以調整其穿透率，該邊緣電場切換模式液晶顯示器在該畫素區域具有一透明畫素電極及一透明共同電極，其係藉由介於該該透明畫素電極與該透明共同電極間之一隔絕層與該透明畫素電極分開，用以部份重疊於該透明畫素電極上。
第一A圖為根據本發明中的一個例示實施方式，形成邊緣電場切換模式液晶顯示器中下基板上的畫素區域製造過程的一部份之平面視圖，第一B圖至第一E圖為顯示依 序形成與堆疊各層的平面視圖，第二圖為沿著第一A圖中I-I'切線的剖面圖，第三圖為沿著第一A圖中II-II'切線的剖面圖。
對照第一A圖至第一E圖、第二圖、第三圖，一閘極線G係由一不透光金屬所製成且與一資料線600以直角交錯排列於一下基材100上，藉此形成一單元畫素。在此一單元畫素區域中，一透明共同電極800與一透明畫素電極400係與一插入該二電極800與400中間之隔絕層700配置一起。該透明畫素電極400係以如：平板狀的形狀置於該資料線600的同一層上，且該透明共同電極800藉由圖案化置於該隔絕層700上的一透明導電層並部分重疊該透明畫素電極400以形成複數個橫桿。
在閘極線G中的閘極電極200上，一主動區域圖案500具有一連續沉積非結晶矽(a-Si)層、n+非結晶矽層及源極電極600a與汲極電極600b，其係與一置於閘極電極200與主動區域圖案500之間的一閘極電極隔絕層300配置一起，從而形成一薄膜電晶體(Thin Film Transisitor, TFT)，該汲極電極600b係電性連接於該透明畫素電極400以提供一資料信號給該單元畫素。
同時，一彩色濾光片(圖中未示)係對應於形成於該下基材100上的每一畫素區域且於該上基材中顯示出該顏色於螢幕上。在該資料線600上的一遮蔽區域，如：黑矩陣，可以被移除，不同於習知技藝，或相較於習知技藝可以縮減其範圍。更進一步而言，不同於習知技藝，該遮蔽區域 從該資料線600上移除。此外，該透明共同電極800在習知技藝中並未形成於該資料線600之上，但在本發明之一例示實施方式中係形成於該資料線600之上。
一製造邊緣電場切換模式液晶顯示器的方法將參考第一A圖至第一E圖、第二圖、第三圖詳盡地被描述。
根據第一A圖至第一E圖、第二圖、第三圖，該閘極線G包含形成於該下基材100上的閘極電極200。更具體而言，一不透光金屬層係被沉積且圖案化於該下基材100上，因此該閘極線G包含了於該下基材100上形成於該薄膜電晶體"T"的閘極電極200。
隨後，該閘極電極隔絕層300係被置於整個下基材100上以覆蓋包含閘極電極200的閘極線G，且該平板狀的透明畫素電極400係藉由在該閘極電極隔絕層300上沉積且圖案化一透明導電層而配置於每一個畫素區域。
在組合的基材上，依序沉積有一非晶矽層及另一N+非晶矽層，並在位於閘極電極200之上的閘極電極隔絕層300進行圖案化形成主動區域圖案500。
在沉積一供源極與汲極使用的金屬線後，藉由圖形化形成包含源極電極600a與汲極電極600b的資料線600，從而形成該薄膜電晶體"T"。在此，該源極電極600b係以電性連接於該透明畫素電極400。
隨後，該隔絕層700係由如氮化矽(SiNx)沉積於形成薄膜電晶體"T"的組合結構上，且隨後具有一橫桿及狹縫形狀的該透明共同電極800被形成，用以部份或全部覆蓋於 該透明畫素電極400之上。之後，雖然圖中未示，但一對準層係被沉積於該透明共同電極800所形成的組合基材之最上部，因而完成一矩陣基材的製造。
同時，一彩色濾光片係選擇性地形成於該上基材上，且該對準層係形成於該組合基材上。該上基材及下基材100係於其間附加一液晶層於基材間，因而完成一根據本發明實施方式之邊緣電場切換模式液晶顯示器，當然，偏光片亦可以在基材貼合後附加於個別基材外部表面上。
在第一A圖中，該透明畫素電極400係以平面形式被呈現。該透明畫素電極400可以具有一橫桿及狹縫等形狀，但平板狀較其他形狀更為有效率。
參考第四圖，該透明共同電極800包含了一複數的橫桿，其係具有一覆蓋整體部件的結構，除了在薄膜電晶體形成的區域(見第一A圖及第二圖)且電性連接於個別畫素區域而不需內部連接線。
本發明之一實施方式將參照第三圖及第四圖做更進一步的詳細敘述。
該透明共同電極800含有一具有預先決定寬度且其方向係實質上平行於該資料線600的複數橫桿。該透明共同電極800的一第一橫桿C1 係被形成用以覆蓋該整條資料線600，如此依習知技藝所使用在資料線600上的陰影區域可以被移除或顯著移除。
換言之，該第一橫桿C1 是被配置於該資料線600上，因而能夠減少向錯並增加穿透率。在此，將該第一橫桿C1 所形成的一寬度L1 大於該資料線600的一寬度L3 並覆蓋整條該資料線600是有效的。在此種構造中，該第一橫桿C1 可用以預防該資料線600的電場。較佳為，該第一橫桿C1 所形成的寬度L1 係為該資料線600寬度L3 的一到五倍大，且更佳的情況，形成為該資料線600寬度L3 的2到4.5倍大。
在該透明共同電極800裡該第一橫桿C1 與一第二橫桿C2 間所形成的一距離D1 係大於一畫素裡橫桿之間的距離D2 。於此構造裡，在包含該資料線600的一區域B中，由該透明畫素電極400、該透明共同電極810及該資料線600所形成的電場，相較於在一畫素區中央區域A中，由該透明畫素電極400與該透明共同電極800所形成的電場，具有一較小的垂直電場分量。而在該第一橫桿C1 及相鄰的該第二橫桿C2 間形成的距離D1 ，可比該畫素裡橫桿間的距離D2 大0.5至3μm。
較佳地，該第二橫桿C2 的形成寬度L2 小於該第一橫桿C1 至該第二橫桿C2 間的距離D1 ，且小於在該畫素區域的一方向上該第二橫桿C2 與鄰接於該第二橫桿C2 的一第三橫桿C3 間的距離D2 。更佳地，該第二橫桿C2 的形成寬度L2 比該第一橫桿C1 至該第二橫桿C2 所形成的距離D1 小2至4μm。此外，該第二橫桿C2 的形成寬度L2 比該第二橫桿C2 與該第三橫桿C3 間的距離D2 小1.5至2.5μm。
該透明畫素電極400的一端E係位於該第一橫桿C1 與覆蓋該資料線600的透明共同電極800鄰近的該第二橫桿 C2 之間。較佳為，該透明畫素電極400的一端E比起該第二橫桿C2 更為接近該第一橫桿C1 。更佳為，該透明畫素電極400的一端E係被置於該第一橫桿C1 與該第二橫桿C2 之間的中央部位。該「中央部位」代表一實質上中間區域，且中間部份可以具有一預先決定的誤差(由正中心向左及向右大約為±0.5μm)，其係相較於實際製造過程中的正中心。
同時，在此結構中，一可以被形成於該資料線600之上的非穿透區域具有近似於該資料線600的寬度，並能夠減少穿透率的向錯及防止光洩漏。因此，即使在移除了習知技藝中所使用的資料線遮蔽區後仍可以阻隔光線。
第五A圖至第五D圖顯示了根據本發明實施方式中，該透明畫素電極400的一端E置於該第一橫桿C1 與該第二橫桿C2 間的位置上，其穿透率變化比較的模擬結果。
根據第五A圖至第五D圖，當該透明畫素電極400的一端E係被置於比起該第一橫桿C1 更為接近該第二橫桿C2 的位置時，穿透率為63.94%(見第五A圖)。當該透明畫素電極400的一端E係被置於該第一橫桿C1 與該第二橫桿C2 之間的正中央位置時，穿透率為74.46%(見第五B圖)。當該透明畫素電極400的一端E係被置於較為接近該第一橫桿C1 的位置時，穿透率為75.72%(見第五C圖)。當該透明畫素電極400的一端E係被置於該第一橫桿C1 的位置時，穿透率為76.12%(見第五D圖)。理論上，當添加偏光板的情況下，第五A圖至第五D圖的穿透率將被除以二。
在第五A圖的情況，當一區域係對應於最小的穿透率，即小於10%時，被視為是一非穿透區域，該非穿透區域的寬度X相對於該資料線600的寬度L3 為大。所以，孔徑率因而減少，且穿透率亦能整體變低。
在第五D圖顯示了高穿透率，但對應於該資料線600上部的穿透率曲線最小值的地方則高出了10%。因此，幾乎未形成非穿透區域，且發生光洩漏。從而，不能移除或減少該資料線600上的遮蔽區域。
本發明的發明者發現將該透明畫素電極400的一端E置於該第一橫桿C1 及該第二橫桿C2 之間時，置於接近該第一橫桿C1 的位置會比置於接近該第二橫桿C2 的位置更有效率，亦或可以置於該第一橫桿C1 及該第二橫桿C2 間的中央部位，如同第五B圖及第五C圖的情況。
參照第五B圖及第五C圖，當一區域係對應於最小的穿透率，即小於10%時，被視為是一非穿透區域，該非穿透區域的寬度X相對於該資料線600的寬度L3 為相等或更小。更具體而言，本發明的發明者發現在該非穿透區域中，可以保持穿透率，防止光洩漏發生，並形成一類似於該資料線600的適當非穿透區域。
同時，在第五A圖中，該資料線600上部的穿透率產生一由最大值減低的曲線，其係遠低於畫素區域的最大值，因而穿透率產生全部減低。在第五D圖中，該資料線600上部的最小穿透率係高於第五A圖、第五B圖及第五C圖中的最小穿透率，因此並未形成非穿透區域。
參照第六圖係有更詳盡的細節描述。
第六圖係顯示基於該資料線600的最小穿透率曲線。根據第六圖，顯示了拋物線狀的穿透率曲線，其係在該資料線600的中央具有最小值(參見第五A圖至第五D圖)。
在此，假設一區域中穿透率曲線對應為10%或更低係被定義為一非穿透區域，本發明之發明者發現本發明之效應在一非穿透區域被界定為相同或小於該資料線600的寬度L3 為最佳。
換言之，當穿透率曲線(a)到(d)如同第六圖中所示，該資料線600的寬度L3 係與個別穿透率曲線中非穿透區域的寬度進行比較。而後，該穿透率曲線(a)遠大於該資料線600的寬度L3 ，該穿透率曲線(b)具有一近似於該資料線600寬度L3 的一非穿透區域，該穿透率曲線(c)則小於該資料線600的寬度L3 ，而該穿透率曲線(d)並不具有非穿透區域。
同時，當一穿透率曲線的一非穿透區域係等於或小於該資料線600的寬度L3 時，該穿透率可以被確保，且光洩漏可以被預防，並且一適當的非穿透區域係以近似於該資料線600被形成。因而，有可能不形成一遮蔽區域(通常被形成於基材之上)或形成一顯著地縮小的遮蔽區域。
在第六圖中，一非穿透區域具有小於10%的穿透率。較佳的情況下，具有穿透率小於10%的區域係被決定為一非穿透區域，但該穿透率可以小於5%或小於7%。
第七圖為根據本發明另一個實施方式的邊緣電場切換模式液晶顯示器平面圖，第八圖為沿著第七圖中I-I'切 線的剖面圖，且第九圖為沿著第七圖中II-II'切線的剖面圖。第十圖為沿著第七圖之修改實施方式中I-I'切線的剖面圖，第十一圖為沿著第七圖之修改實施方式中II-II'切線的剖面圖，根據第七圖至第十一圖，本發明另一個實施方式的邊緣電場切換模式液晶顯示器大略包含了一上部基材1100與一下部基材1200，其係彼此面對面地裝配在一起，且一液晶層1300填充入由兩基材及間隔物(圖未示)間預備的一液晶空間中。
在此，該上基材1100通常對應地為一彩色濾光片矩陣基材，且大致包含了一隔離基材1110，一遮蔽區域1120，一彩色濾光片1130及其他部份。
該遮蔽區域1120為防止光洩漏的一遮蔽單元且在基材1110上形成特定間隔。通常，該遮蔽區域1120定義紅(R)、綠(G)及藍(B)彩色濾光片的邊界，且由包含黑色染料的感光性有機物質所形成。
該彩色濾光片1130包含了紅(R)、綠(G)及藍(B)彩色濾光片圖案係被配置於各個遮蔽區域1120之間，且用以對由背光裝置(圖未示)所放射出的光線給予色彩化並穿透該液晶層1300。
更具體而言，由不透光材質所形成的閘極線GL與資料線DL，係以直角交叉的形式配置於該下基材1200上以形成一單位畫素。在該單位畫素區域，一透明共同電極1220及一透明畫素電極1230係與插入於兩電極1220及1230之間的一隔絕層1240配置一起。該透明畫素電極1230係以 此種方式配置，如：在同一層的一平板做為該資料線DL，且該透明共同電極1220係藉由圖案化位於該隔絕層1240上的一透明導電層而具有複數個橫桿且部分重疊於該透明畫素電極1230。
在位於該閘極線GL上的一閘極電極1250，一主動區域圖案1270包含了一連續沉積的非晶矽層及n+非晶矽層，且源極電極與汲極電極1280a及1280b係與介於該閘極電極1250與該主動區域圖案1270間的一閘極電極隔絕層1260配置在一起，因而形成一薄膜電晶體。該汲極電極1280b係電性連接於該透明畫素電極1230以提供一資料訊號至該單位畫素。
特別是，用以減低該透明共同電極1220阻值的一低阻值金屬線1290係形成在位於非開口區域的該透明共同電極1220上，且具有一特定的厚度，即，在一非穿透區域中形成該閘極線GL與該資料線DL，且電性連接於該透明共同電極1220。
在此，該低電阻金屬線1290的厚度大約為數百angstroms(Å)，所以使得形成在該金屬線1290上的該透明共同電極1220因落差而斷連或因研磨落差而引起光洩漏的情況會降到最低。然而隨著LCD的尺寸增加，厚度可以為1000 Å或更多以減少該透明共同電極1220的阻值。
該低電阻金屬線1290可以由低阻值金屬物質所形成，其最少包含一金屬或一合金金屬，如，銅(Cu)、鋁(Al)、鋁釹合金(AlNd)、鉬(Mo)、鈦(Ti)及鉬鎢合金(MoW)。
如上所述，位於非開口區域裡該透明共同電極之上或之下作為電性連接的該低阻值金屬線1290，其係由該閘極線GL與該資料線DL穿越以減低該透明共同電極1220的阻值。因而，其能夠有效地減低一共同電極線(Vcom)在一液晶面板的負載並有效地解決畫面品質問題，如由增加Vcom負載所引起的綠化(greenish)、閃爍(flicker)等。
根據本發明的邊緣電場切換模式液晶顯示器，可以移除或減少形成於該遮蔽區域間的該資料線上用以阻隔光線、防止光線洩漏及向錯發生的遮蔽區。
另外，本發明調整了一資料線、一透明共同電極與一透明畫素電極的寬度、排列等，因而以最少的成本且不需要特別的程序增加了孔徑率。
再者，本發明可以輕易地應用在邊緣電場切換模式液晶面板上，使其具有高亮度而不產生畫素品質問題，如中尺寸液晶面板的孔徑率減少，綠化等問題，以及應用於筆記型電腦的小尺寸液晶面板。
當本發明參照所揭露及描述的相關實施方式，可以被所屬技術領域中通常知識者在不脫離本發明之精神和發明所界定的申請範圍內，可具有不同的形式及細節的變動。
100、1210‧‧‧下基材
200‧‧‧閘極電極
300、1260‧‧‧閘極電極隔絕層
400、1230‧‧‧透明畫素電極
500‧‧‧主動圖案
600a‧‧‧源極電極
600b‧‧‧汲極電極
600‧‧‧資料線
700、1240‧‧‧隔絕層
800、1220‧‧‧透明共同電極
1100‧‧‧隔離基材
1110‧‧‧隔離基材
1120‧‧‧遮蔽區域
1130‧‧‧彩色濾光片
1200‧‧‧下基材
1250‧‧‧閘極電極
1270‧‧‧主動區域圖案
1280a‧‧‧源極電極
1280b‧‧‧汲極電極
1290‧‧‧低阻值金屬線
1300‧‧‧液晶層
E‧‧‧透明畫素電極的一端
C1‧‧‧第一橫桿
C2‧‧‧第二橫桿
C3‧‧‧第三橫桿
X‧‧‧非穿透區域的寬度
(a)‧‧‧穿透率曲線
(b)‧‧‧穿透率曲線
(c)‧‧‧穿透率曲線
(d)‧‧‧穿透率曲線
DL‧‧‧資料線
GL‧‧‧閘極線
第一A圖至第一E圖為根據本發明之一例示實施方式於下基板上的畫素區域形成邊緣電場切換模式液晶顯示器的層疊構造過程平面視圖。
第二圖為沿著第一A圖中I-I'切線的剖面圖。
第三圖為沿著第一A圖中II-II'切線的剖面圖。
第四圖為顯示第一A圖中各疊層的平面視圖。
第五A圖至第五D圖為根據本發明之一例示實施方式，將透明畫素電極的一端置於某一位置所產生穿透率變化的模擬比較結果圖。
第六圖為以資料線作為基準之最小穿透率的圖式。
第七圖為根據本發明中的另一例示實施方式的邊緣電場切換模式液晶顯示器平面圖。
第八圖為沿著第七圖中I-I'切線的剖面圖。
第九圖為沿著第七圖中II-II'切線的剖面圖。
第十圖為沿著第七圖之修改實施方式中I-I'切線的剖面圖。
第十一圖為沿著第七圖之修改實施方式中II-II'切線的剖面圖。
400‧‧‧透明畫素電極
500‧‧‧主動圖案
600‧‧‧資料線
800‧‧‧透明共同電極

Claims (16)

  1. 一種邊緣電場切換模式液晶顯示器，包含一下基材、一上基材及一液晶層，其係介於該上下基材之間，每一畫素區域係由該下基材上彼此交錯的閘極線與資料線所定義而成，且切換裝置係被置於該閘極線與該資料線的交叉處；其中該邊緣電場切換模式液晶顯示器包含一透明畫素電極，及一透明共同電極，其係藉由介於該透明畫素電極與該透明共同電極間之一隔絕層與該透明畫素電極分開，在畫素區域藉由施加一電場至該液晶層以調整其穿透率，該透明共同電極於實際平行於該資料線的方向上係具有預先決定寬度的複數個橫桿(bar)；該透明共同電極具有一第一橫桿形成用以完全覆蓋該資料線及一第二橫桿形成於畫素中央區域而鄰接該第一橫桿，該第一橫桿及該第二橫桿間的距離相較於形成於畫素區域中各橫桿間的距離大；且該透明畫素電極的一端係被安置於該第一橫桿及其鄰接的該第二橫桿之間的中央部位，或者，該透明畫素電極的一端比該第二橫桿更為接近該第一橫桿。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之邊緣電場切換模式液晶顯示器，其中覆蓋於該資料線上該透明共同電極的該第一橫桿之寬度大於相鄰該透明共同電極的該第二橫桿之寬度。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之邊緣電場切換模式液晶顯示器，其中該透明畫素電極係與該資料線置於同一層上。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之邊緣電場切換模式液晶顯示器，其中該透明畫素電極及該資料線係與插入其間的該隔絕層配置在一起。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之邊緣電場切換模式液晶顯示器，其中，基於該資料線而具有一小於10%的最小穿透率的一非穿透區域係被包含於該資料線寬中。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之邊緣電場切換模式液晶顯示器，其中，基於該資料線而具有一小於7%的最小穿透率的一非穿透區域係被包含於該資料線寬中。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之邊緣電場切換模式液晶顯示器，其中該透明畫素電極可為平板狀、條狀或狹縫狀。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之邊緣電場切換模式液晶顯示器，其中該透明共同電極的每一畫素區域係彼此連接且以相同電壓施加於該透明共同電極上。
  9. 一種邊緣電場切換模式液晶顯示器，包含一下基材、一上基材及一液晶層，其係介於該上下基材之間，每一畫素區域係由該下基材上彼此交錯的閘極線與資料線所定義而成，且切換裝置係被置於該閘極線與該資料線的交叉處；其中該邊緣電場切換模式液晶顯示器包含一透明畫素電極，及一透明共同電極，其係藉由介於該透明畫素電極與該透明共同電極間的一隔絕層與該透明畫素電極 分開，在畫素區域藉由施加一電場至該液晶層以調整其穿透率；該透明共同電極於實際平行於該資料線的方向上係具有預先決定寬度的一第一橫桿完全覆蓋於該資料線上及在該畫素區域中鄰接於該第一橫桿之一第二橫桿；該透明畫素電極的一端係被置於該透明共同電極的該第一橫桿與該第二橫桿之間；且一形成於包含該資料線區域的電場相較於形成於該畫素區中央區域的電場具有較小的垂直電場分量。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之邊緣電場切換模式液晶顯示器，其中該透明畫素電極的一端係置於該第一橫桿與該第二橫桿的中央部位或比該第二橫桿更為接近該第一橫桿。
  11. 如申請專利範圍第9項所述之邊緣電場切換模式液晶顯示器，其中，基於該資料線而具有一小於10%的最小穿透率的一非穿透區域係被包含於該資料線寬中。
  12. 如申請專利範圍第9項所述之邊緣電場切換模式液晶顯示器，其中該透明畫素電極為平板狀、條狀或狹縫狀。
  13. 一種邊緣電場切換模式液晶顯示器，包含一下基材、一上基材及一液晶層，其係介於該上下基材之間，每一畫素區域係由該下基材上彼此交錯的閘極線與資料線所定義而成，且切換裝置係被置於該閘極線與該資料線的交叉處；其中該邊緣電場切換模式液晶顯示器包含一透明畫素 電極，及一透明共同電極，該透明共同電極與該透明畫素電極在該閘極線與該資料線形成的一非開口區域中係藉由介於該透明畫素電極與該透明共同電極間的一隔絕層與該透明畫素電極分開，並在畫素區域藉由施加一電場至該液晶層以調整其穿透率；及形成一特定厚度的金屬線以電性連接至該透明共同電極，其係位於該閘極線及該資料線形成的非開口區域裡該透明共同電極之上或之下；該透明共同電極於實際平行於該資料線的方向上係具有預先決定寬度的一第一橫桿完全覆蓋於該資料線上及在該畫素區域中鄰接於該第一橫桿之一第二橫桿；以及該透明畫素電極的一端係被置於該透明共同電極的該第一橫桿與該第二橫桿之間。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之邊緣電場切換模式液晶顯示器，其中該金屬線係由一低阻值金屬物質所形成，其中最少包含如銅(Cu)、鋁(Al)、鋁釹合金(AlNd)、鉬(Mo)、鈦(Ti)及鉬鎢合金(MoW)之一金屬或一合金。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之邊緣電場切換模式液晶顯示器，其中該透明畫素電極可為平板狀、條狀或狹縫狀。
  16. 如申請專利範圍第13項所述之邊緣電場切換模式液晶顯示器，其中該透明畫素電極的一端係置於該第一橫桿與該第二橫桿的中央部位或比該第二橫桿更為接近該 第一橫桿。
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