JP2001033815A - 液晶パネル - Google Patents
液晶パネルInfo
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- JP2001033815A JP2001033815A JP11204155A JP20415599A JP2001033815A JP 2001033815 A JP2001033815 A JP 2001033815A JP 11204155 A JP11204155 A JP 11204155A JP 20415599 A JP20415599 A JP 20415599A JP 2001033815 A JP2001033815 A JP 2001033815A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、画素領域での開口率を高め、明る
い液晶パネルを提供するとともに、工程でのスピードア
ップ、及び不良低下による生産性向上を目的とする。 【解決手段】 液晶層を挟持して対向する2枚の透明基
板のうち、一方の基板の対向面側に、マトリックス状に
配置された映像信号配線及び走査信号配線、前記映像信
号配線と走査信号配線の各交差点に対応して設けらたス
イッチング素子、前記スイッチング素子に接続された櫛
形状の画素電極、前記画素電極と咬合するように形成さ
れた櫛形状の共通電極、前記共通電極を連結する共通配
線が少なくとも形成され、前記共通電極、及び画素電極
が屈曲した形状を有する液晶パネルにおいて、前記映像
信号配線と前記共通電極が絶縁層を介して基板面内で重
なるように構成されている。
い液晶パネルを提供するとともに、工程でのスピードア
ップ、及び不良低下による生産性向上を目的とする。 【解決手段】 液晶層を挟持して対向する2枚の透明基
板のうち、一方の基板の対向面側に、マトリックス状に
配置された映像信号配線及び走査信号配線、前記映像信
号配線と走査信号配線の各交差点に対応して設けらたス
イッチング素子、前記スイッチング素子に接続された櫛
形状の画素電極、前記画素電極と咬合するように形成さ
れた櫛形状の共通電極、前記共通電極を連結する共通配
線が少なくとも形成され、前記共通電極、及び画素電極
が屈曲した形状を有する液晶パネルにおいて、前記映像
信号配線と前記共通電極が絶縁層を介して基板面内で重
なるように構成されている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は横電界方式を用い液
晶を駆動する電極が屈曲した形状である液晶パネルに関
するものである。
晶を駆動する電極が屈曲した形状である液晶パネルに関
するものである。
【0002】
【従来の技術】液晶パネルは薄型化、軽量化、低電圧駆
動可能などの長所により腕時計、電子卓上計算機、パ−
ソナルコンピュ−タ−、パ−ソナルワ−ドプロセッサ−
などに利用されている。
動可能などの長所により腕時計、電子卓上計算機、パ−
ソナルコンピュ−タ−、パ−ソナルワ−ドプロセッサ−
などに利用されている。
【0003】特に近年、パ−ソナルコンピュ−タ−用途
では大画面化への対応から、より広視野角を有する液晶
パネルへの要求が高まっており、これに対応し、液晶パ
ネルの視野角を広げる方式として、同一基板上に画素電
極及び対向電極を形成し、横方向の電界を印加すること
により液晶分子を動作させる横電界方式が提案されてい
る。この方式はIPS(In-Plane-Swiching)方式ある
いは櫛形電極方式とも呼ばれており、この表示方式で
は、液晶分子の長軸は基板と常にほぼ平行であり、立ち
上がることがなく、従って視角方向を変えた時の明るさ
の変化が小さく広い視野角が得られる。
では大画面化への対応から、より広視野角を有する液晶
パネルへの要求が高まっており、これに対応し、液晶パ
ネルの視野角を広げる方式として、同一基板上に画素電
極及び対向電極を形成し、横方向の電界を印加すること
により液晶分子を動作させる横電界方式が提案されてい
る。この方式はIPS(In-Plane-Swiching)方式ある
いは櫛形電極方式とも呼ばれており、この表示方式で
は、液晶分子の長軸は基板と常にほぼ平行であり、立ち
上がることがなく、従って視角方向を変えた時の明るさ
の変化が小さく広い視野角が得られる。
【0004】更に、IPS方式における特定方向の視角
特性を改善する方法として液晶駆動用の電界を発生させ
る画素電極及び対向電極を傾斜あるいは屈曲させること
によって2方向の液晶の駆動方向を得る方法が例えば特
開平9−105908号、特開平9−258269号公
報により提案されている。以下、従来の液晶パネルにつ
いて図面を用いて説明する。
特性を改善する方法として液晶駆動用の電界を発生させ
る画素電極及び対向電極を傾斜あるいは屈曲させること
によって2方向の液晶の駆動方向を得る方法が例えば特
開平9−105908号、特開平9−258269号公
報により提案されている。以下、従来の液晶パネルにつ
いて図面を用いて説明する。
【0005】図7、図8に横電界方式を用い液晶を駆動
する電極が屈曲した形状である従来の液晶パネルを示
す。図7は従来の液晶パネルの1画素の電極構成を示す
平面図、図8は従来の液晶パネルの図7におけるA−
A'断面図である。
する電極が屈曲した形状である従来の液晶パネルを示
す。図7は従来の液晶パネルの1画素の電極構成を示す
平面図、図8は従来の液晶パネルの図7におけるA−
A'断面図である。
【0006】図7、図8において11は透明基板をベー
スにしたアレイ基板10上に形成された映像信号配線
(ソ−ス)、12は走査信号配線(ゲ−ト)で映像信号
配線(ソ−ス)12とマトリクス状に形成されており、
その交点に能動素子(スイッチング素子)として半導体
層15を含む薄膜トランジスタ(TFT:Thin FilmTr
ansistor)が形成されている。13は画素電極で、半導
体層15を介し映像信号配線(ソ−ス)12と接続され
ている。14aは共通電極で、画素電極13に対向する
ように一定間隔で形成されており、画素電極13との間
で横電界が発生し液晶の駆動を行う構造となっている。
共通電極14aは共通配線14cにより連結されてい
る。また画素電極13及び共通電極14の電極上では横
方向の電界が発生しないために液晶の制御が出来ず、そ
のため一般的に画素電極13と共通電極14a、共通配
線14cは遮光性を有する金属により形成され、表示に
影響を与えないようにしている。映像信号配線(ソ−
ス)12及び画素電極13と、走査信号配線(ゲ−ト)
11及び共通電極14a、共通配線14cはSiO2な
どの絶縁膜16を介して形成されており、また映像信号
配線(ソ−ス)12、共通電極14a、画素電極13は
いずれも同じ角度で屈曲した形状に形成されている。こ
の屈曲した電極構成により、2方向の液晶の駆動方向を
得ることが出来、横電界方式の液晶パネルで特定方向に
おこる視角特性の悪化を改善することが出来る。
スにしたアレイ基板10上に形成された映像信号配線
(ソ−ス)、12は走査信号配線(ゲ−ト)で映像信号
配線(ソ−ス)12とマトリクス状に形成されており、
その交点に能動素子(スイッチング素子)として半導体
層15を含む薄膜トランジスタ(TFT:Thin FilmTr
ansistor)が形成されている。13は画素電極で、半導
体層15を介し映像信号配線(ソ−ス)12と接続され
ている。14aは共通電極で、画素電極13に対向する
ように一定間隔で形成されており、画素電極13との間
で横電界が発生し液晶の駆動を行う構造となっている。
共通電極14aは共通配線14cにより連結されてい
る。また画素電極13及び共通電極14の電極上では横
方向の電界が発生しないために液晶の制御が出来ず、そ
のため一般的に画素電極13と共通電極14a、共通配
線14cは遮光性を有する金属により形成され、表示に
影響を与えないようにしている。映像信号配線(ソ−
ス)12及び画素電極13と、走査信号配線(ゲ−ト)
11及び共通電極14a、共通配線14cはSiO2な
どの絶縁膜16を介して形成されており、また映像信号
配線(ソ−ス)12、共通電極14a、画素電極13は
いずれも同じ角度で屈曲した形状に形成されている。こ
の屈曲した電極構成により、2方向の液晶の駆動方向を
得ることが出来、横電界方式の液晶パネルで特定方向に
おこる視角特性の悪化を改善することが出来る。
【0007】また液晶層17を挟み、アレイ基板10に
対向して透明基板をベースにして形成されたカラーフィ
ルタ基板20が配置されており、カラーフィルタ基板2
0にはアレイ基板10側に、ブラックマスク18BM、
カラーフィルタ18Rが形成されている。
対向して透明基板をベースにして形成されたカラーフィ
ルタ基板20が配置されており、カラーフィルタ基板2
0にはアレイ基板10側に、ブラックマスク18BM、
カラーフィルタ18Rが形成されている。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の液晶パネルは、画素電極13と共通電極14aが遮光
性を有する金属により形成されており、そのため画素部
の開口率が低下し、その結果、液晶パネル全体の輝度が
下がるという問題あった。
の液晶パネルは、画素電極13と共通電極14aが遮光
性を有する金属により形成されており、そのため画素部
の開口率が低下し、その結果、液晶パネル全体の輝度が
下がるという問題あった。
【0009】また上記従来の液晶パネルは、画素電極1
3と共通電極14aの間で発生する横電界により、液晶
の駆動を行うものであるが、映像信号配線(ソ−ス)1
2と共通電極14aとの間の領域19にも横電界が発生
してしまう。しかしながらこの間に発生する横電界につ
いては、半導体層15のスイッチングによる電界の制御
が行えないため、液晶を制御することが出来ず、従って
この部分はパネル表示されないよう図8、9に示すよう
に、ブラックマトリクス18BMにより覆われた構成と
なっており、画素の開口率が更に低下するという課題を
有していた。加えてアレイ基板とカラーフィルタ基板の
貼り合わせ時のアライメントのズレを考慮し、ブラック
マトリクス18BMは場合によっては表示領域まで拡大
させる必要があり、その場合にはより一層開口率が低下
し、液晶パネルが暗くなってしまっていた。
3と共通電極14aの間で発生する横電界により、液晶
の駆動を行うものであるが、映像信号配線(ソ−ス)1
2と共通電極14aとの間の領域19にも横電界が発生
してしまう。しかしながらこの間に発生する横電界につ
いては、半導体層15のスイッチングによる電界の制御
が行えないため、液晶を制御することが出来ず、従って
この部分はパネル表示されないよう図8、9に示すよう
に、ブラックマトリクス18BMにより覆われた構成と
なっており、画素の開口率が更に低下するという課題を
有していた。加えてアレイ基板とカラーフィルタ基板の
貼り合わせ時のアライメントのズレを考慮し、ブラック
マトリクス18BMは場合によっては表示領域まで拡大
させる必要があり、その場合にはより一層開口率が低下
し、液晶パネルが暗くなってしまっていた。
【0010】また、映像信号配線(ソ−ス)が屈曲して
いる場合には、図9に示すごとく矩形のカラーフィル
タ、及びブラックマトリクスから構成されたカラーフィ
ルタ基板と組み合わせた時に、有効表示部分まで、遮光
してしまい、開口率を大きく低下させる原因となってい
た。
いる場合には、図9に示すごとく矩形のカラーフィル
タ、及びブラックマトリクスから構成されたカラーフィ
ルタ基板と組み合わせた時に、有効表示部分まで、遮光
してしまい、開口率を大きく低下させる原因となってい
た。
【0011】本発明は上記従来の液晶パネルの不都合に
鑑みて創案されたものであり、屈曲した電極を有する液
晶パネルにおいて、開口率の低下を最小限に抑制し、し
かも映像信号配線(ソ−ス)と共通電極の間、及び画素
電極の間で発生する電界の表示部への影響のない液晶パ
ネルを提供することを目的とする。
鑑みて創案されたものであり、屈曲した電極を有する液
晶パネルにおいて、開口率の低下を最小限に抑制し、し
かも映像信号配線(ソ−ス)と共通電極の間、及び画素
電極の間で発生する電界の表示部への影響のない液晶パ
ネルを提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに本発明の液晶パネルは、液晶層を挟持して対向する
2枚の透明基板のうち、一方の基板の対向面側に、マト
リックス状に配置された映像信号配線及び走査信号配
線、前記映像信号配線と走査信号配線の各交差点に対応
して設けらたスイッチング素子、前記スイッチング素子
に接続された櫛形状の画素電極、前記画素電極と咬合す
るように形成された櫛形状の共通電極、前記共通電極を
連結する共通配線が少なくとも形成され、前記共通電
極、及び画素電極が屈曲した形状を有する液晶パネルに
おいて、前記映像信号配線と前記共通電極が絶縁層を介
して基板面内で重なるように構成されている。
めに本発明の液晶パネルは、液晶層を挟持して対向する
2枚の透明基板のうち、一方の基板の対向面側に、マト
リックス状に配置された映像信号配線及び走査信号配
線、前記映像信号配線と走査信号配線の各交差点に対応
して設けらたスイッチング素子、前記スイッチング素子
に接続された櫛形状の画素電極、前記画素電極と咬合す
るように形成された櫛形状の共通電極、前記共通電極を
連結する共通配線が少なくとも形成され、前記共通電
極、及び画素電極が屈曲した形状を有する液晶パネルに
おいて、前記映像信号配線と前記共通電極が絶縁層を介
して基板面内で重なるように構成されている。
【0013】映像信号配線と共通電極を基板面内で重な
るように構成することにより、画素領域の中でで占めて
いた共通電極及び、映像信号配線と共通電極の間との領
域を表示領域として利用出来るようになり、開口率を向
上させることが出来る。また、映像信号配線と共通電極
との間で発生する電界は基板面に対し縦方向となり、表
示部への影響を最小限に抑制出来る。
るように構成することにより、画素領域の中でで占めて
いた共通電極及び、映像信号配線と共通電極の間との領
域を表示領域として利用出来るようになり、開口率を向
上させることが出来る。また、映像信号配線と共通電極
との間で発生する電界は基板面に対し縦方向となり、表
示部への影響を最小限に抑制出来る。
【0014】更に、映像信号配線と共通電極の間の領域
を遮蔽する必要がなくなるため、映像信号配線上にブラ
ックマスクが形成されていないカラーフィルタ基板を組
み合わせて液晶パネルを構成することによって、映像信
号配線方向のブラックマスクがなくなるので、開口率を
大きく向上出来る。またアレイ基板との貼り合わせ時の
アライメントにおいて走査信号配線方向の精度を緩和も
行え、従って工程でのスピードアップ、不良低減に繋が
り生産性の向上も図れる。
を遮蔽する必要がなくなるため、映像信号配線上にブラ
ックマスクが形成されていないカラーフィルタ基板を組
み合わせて液晶パネルを構成することによって、映像信
号配線方向のブラックマスクがなくなるので、開口率を
大きく向上出来る。またアレイ基板との貼り合わせ時の
アライメントにおいて走査信号配線方向の精度を緩和も
行え、従って工程でのスピードアップ、不良低減に繋が
り生産性の向上も図れる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の液晶パネルについ
て図面を用いて説明する。
て図面を用いて説明する。
【0016】(実施の形態1)図1は本発明による液晶
パネルの1画素の電極構成を示す平面図、図2は図1に
おけるA−A' 断面図である。以下、図1、図2に示す
液晶パネルの実施例を説明する。
パネルの1画素の電極構成を示す平面図、図2は図1に
おけるA−A' 断面図である。以下、図1、図2に示す
液晶パネルの実施例を説明する。
【0017】図1、図2において、1はガラス基板9上
に形成された走査信号配線(ゲ−ト)、2は映像信号配
線(ソ−ス)で走査信号配線(ゲ−ト)1とマトリクス
状に形成されており、その交点に能動素子(スイッチン
グ素子)として半導体層5を含む薄膜トランジスタ(T
FT:Thin Film Transistor)が形成されている。3
は画素電極で、半導体層5を介し映像信号配線(ソ−
ス)1と接続されている。4は共通電極で4cにより連
結されており、4a、4bは画素電極3に対向するよう
に一定間隔で形成されている。
に形成された走査信号配線(ゲ−ト)、2は映像信号配
線(ソ−ス)で走査信号配線(ゲ−ト)1とマトリクス
状に形成されており、その交点に能動素子(スイッチン
グ素子)として半導体層5を含む薄膜トランジスタ(T
FT:Thin Film Transistor)が形成されている。3
は画素電極で、半導体層5を介し映像信号配線(ソ−
ス)1と接続されている。4は共通電極で4cにより連
結されており、4a、4bは画素電極3に対向するよう
に一定間隔で形成されている。
【0018】映像信号配線(ソ−ス)2、画素電極3、
走査信号配線(ゲ−ト)1及び共通電極4a、b、共通
配線4cはAl/Tiなどの遮光性を有する金属で形成
されており、映像信号配線(ソ−ス)2、画素電極3、
及び共通電極4a、bはいずれも同じ角度で屈曲した形
状に形成されている。また図2に示すごとく、映像信号
配線(ソ−ス)2及び画素電極3と、走査信号配線(ゲ
−ト)1及び共通電極4a、b、共通配線4cはSiO
2などの絶縁膜6を介して形成されており、この時、映
像信号配線(ソ−ス)2が共通電極4aと重なるように
配置されている。
走査信号配線(ゲ−ト)1及び共通電極4a、b、共通
配線4cはAl/Tiなどの遮光性を有する金属で形成
されており、映像信号配線(ソ−ス)2、画素電極3、
及び共通電極4a、bはいずれも同じ角度で屈曲した形
状に形成されている。また図2に示すごとく、映像信号
配線(ソ−ス)2及び画素電極3と、走査信号配線(ゲ
−ト)1及び共通電極4a、b、共通配線4cはSiO
2などの絶縁膜6を介して形成されており、この時、映
像信号配線(ソ−ス)2が共通電極4aと重なるように
配置されている。
【0019】上記構成によれば、映像信号配線(ソ−
ス)2と共通電極4aを重ねることによって、表示に利
用できない共通電極4aによって遮光される部分と、映
像信号配線(ソ−ス)2と共通電極4aとの間に出来る
電界非制御領域とを基板面内において映像信号配線(ソ
−ス)とほぼ同一領域に配置することが出来、従ってそ
の分だけ開口率を高めることが出来、明るい液晶パネル
を得ることが出来る。
ス)2と共通電極4aを重ねることによって、表示に利
用できない共通電極4aによって遮光される部分と、映
像信号配線(ソ−ス)2と共通電極4aとの間に出来る
電界非制御領域とを基板面内において映像信号配線(ソ
−ス)とほぼ同一領域に配置することが出来、従ってそ
の分だけ開口率を高めることが出来、明るい液晶パネル
を得ることが出来る。
【0020】また、図2にしめすように、共通電極4a
の線幅を映像信号配線2の線幅より広くすることによっ
て画素電極3と共通電極4aの間の電界に及ぼす映像信
号配線の電位の影響を更に小さくすることが出来る。
の線幅を映像信号配線2の線幅より広くすることによっ
て画素電極3と共通電極4aの間の電界に及ぼす映像信
号配線の電位の影響を更に小さくすることが出来る。
【0021】(実施の形態2)図3は本発明の第2の実
施例における液晶パネルのカラーフィルタ基板の構成を
示す平面図、図4は図3のカラーフィルタ基板を用いた
液晶パネルの断面図である。図3に示すごとく、走査信
号配線方向のみにブラックマスクが形成され、映像信号
配線方向にはブラックマスクが形成されておらず、その
分開口率を向上出来るとともに、アレイ基板とカラーフ
ィルタ基板の張り合わせ時のアライメント精度は映像信
号配線方向のみを注意すれば良いので作業効率が高ま
る。尚、ブラックマスクはクロム等の金属や合金、ある
いは黒色樹脂等によって形成出来る。
施例における液晶パネルのカラーフィルタ基板の構成を
示す平面図、図4は図3のカラーフィルタ基板を用いた
液晶パネルの断面図である。図3に示すごとく、走査信
号配線方向のみにブラックマスクが形成され、映像信号
配線方向にはブラックマスクが形成されておらず、その
分開口率を向上出来るとともに、アレイ基板とカラーフ
ィルタ基板の張り合わせ時のアライメント精度は映像信
号配線方向のみを注意すれば良いので作業効率が高ま
る。尚、ブラックマスクはクロム等の金属や合金、ある
いは黒色樹脂等によって形成出来る。
【0022】(実施の形態3)図5は本発明の第3の実
施例における液晶パネルの電極構成を示す断面図であ
る。図5に示すごとく共通電極4aが映像信号配線2の
上層に形成されており、また映像信号配線2を覆い被さ
るように配置されている。この構成により映像信号配線
2が共通電極4aにより電気的にほぼ完全に遮蔽出来、
画素電極3と共通電極4aの間の電界へ及ぼす映像信号
配線の電位の影響を更に小さくすることが出来る。
施例における液晶パネルの電極構成を示す断面図であ
る。図5に示すごとく共通電極4aが映像信号配線2の
上層に形成されており、また映像信号配線2を覆い被さ
るように配置されている。この構成により映像信号配線
2が共通電極4aにより電気的にほぼ完全に遮蔽出来、
画素電極3と共通電極4aの間の電界へ及ぼす映像信号
配線の電位の影響を更に小さくすることが出来る。
【0023】(実施の形態4)図6は本発明の第4の実
施例における液晶パネルの電極構成を示す断面図であ
る。図6に示すごとく共通電極4aが映像信号配線2の
下層に、更に共通電極4dが上層から映像信号配線2を
覆い被さるように形成され、共通電極4a、4dは同電
位になるように、画素内あるいは表示領域外で連結され
ている。この構成により映像信号配線2が共通電極4
a、4dにより上下左右とも電気的に完全に遮蔽出来、
画素電極3と共通電極4aの間の電界へ及ぼす映像信号
配線の電位の影響を完全になくすことが出来る。
施例における液晶パネルの電極構成を示す断面図であ
る。図6に示すごとく共通電極4aが映像信号配線2の
下層に、更に共通電極4dが上層から映像信号配線2を
覆い被さるように形成され、共通電極4a、4dは同電
位になるように、画素内あるいは表示領域外で連結され
ている。この構成により映像信号配線2が共通電極4
a、4dにより上下左右とも電気的に完全に遮蔽出来、
画素電極3と共通電極4aの間の電界へ及ぼす映像信号
配線の電位の影響を完全になくすことが出来る。
【0024】ここで共通電極4dは、共通電極4a同様
Al/Tiなどの金属で形成しても良いし、ITOや導
電性高分子等の導電性を有するで材料で形成しても良
い。
Al/Tiなどの金属で形成しても良いし、ITOや導
電性高分子等の導電性を有するで材料で形成しても良
い。
【0025】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、液晶層を
挟持して対向する2枚の透明基板のうち、一方の基板の
対向面側に、マトリックス状に配置された映像信号配線
及び走査信号配線、前記映像信号配線と走査信号配線の
各交差点に対応して設けらたスイッチング素子、前記ス
イッチング素子に接続された櫛形状の画素電極、前記画
素電極と咬合するように形成された櫛形状の共通電極、
前記共通電極を連結する共通配線が少なくとも形成さ
れ、前記共通電極、及び画素電極が屈曲した形状を有す
る液晶パネルにおいて、前記映像信号配線と前記共通電
極が絶縁層を介して基板面内で重なるように構成される
ことにより、画素領域での開口率を高めることが出来、
従って明るい液晶パネルを提供することが出来る。
挟持して対向する2枚の透明基板のうち、一方の基板の
対向面側に、マトリックス状に配置された映像信号配線
及び走査信号配線、前記映像信号配線と走査信号配線の
各交差点に対応して設けらたスイッチング素子、前記ス
イッチング素子に接続された櫛形状の画素電極、前記画
素電極と咬合するように形成された櫛形状の共通電極、
前記共通電極を連結する共通配線が少なくとも形成さ
れ、前記共通電極、及び画素電極が屈曲した形状を有す
る液晶パネルにおいて、前記映像信号配線と前記共通電
極が絶縁層を介して基板面内で重なるように構成される
ことにより、画素領域での開口率を高めることが出来、
従って明るい液晶パネルを提供することが出来る。
【0026】また、映像信号配線上にブラックマスクが
形成されていないカラーフィルタ基板を組み合わせて液
晶パネルを構成することによって、開口率を大きく向上
出来、またアレイ基板との貼り合わせ時のアライメント
作業を簡易にし、工程でのスピードアップ、不良低減に
よる生産性の向上も図れる。
形成されていないカラーフィルタ基板を組み合わせて液
晶パネルを構成することによって、開口率を大きく向上
出来、またアレイ基板との貼り合わせ時のアライメント
作業を簡易にし、工程でのスピードアップ、不良低減に
よる生産性の向上も図れる。
【図1】本実施の形態1における液晶パネルの構造を模
式的に示す平面図
式的に示す平面図
【図2】本実施の形態1における液晶パネルのA−A'
断面図
断面図
【図3】本実施の形態2における液晶パネルのカラーフ
ィルタ基板を模式的に示す平面図
ィルタ基板を模式的に示す平面図
【図4】本実施の形態2における液晶パネルの構造を模
式的に示す断面図
式的に示す断面図
【図5】本実施の形態3における液晶パネルの構造を模
式的に示す断面図
式的に示す断面図
【図6】本実施の形態4における液晶パネルの構造を模
式的に示す断面図
式的に示す断面図
【図7】従来の液晶パネルの構造を模式的に示す平面図
【図8】従来の液晶パネルの構造を模式的に示す断面図
【図9】従来の液晶パネルの構造を模式的に示す平面図
1 走査信号配線(ゲート) 2 映像信号配線(ソース) 3 画素電極 4a 共通電極 4b 共通電極 4c 共通配線 5 半導体層 6 絶縁層 7 液晶層 8R 赤色カラーフィルタ 8G 緑色カラーフィルタ 8B 青色カラーフィルタ 8BM ブラックマスク 9 ガラス基板 10 アレイ基板 11 走査信号配線(ゲート) 12 映像信号配線(ソース) 13 画素電極 14a 共通電極 14c 共通配線 15 半導体層 16 絶縁層 17 液晶層 18R 赤色カラーフィルタ 18BM ブラックマスク 19 映像信号配線と共通電極との間隙 20 カラーフィルタ基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山北 裕文 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 井上 一生 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 塩田 昭教 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 2H091 FA35Y FB08 FB12 FD04 FD06 FD12 FD23 GA13 GA17 HA06 HA18 KA04 LA03 LA12 LA17 LA30 2H092 GA14 JA26 JA29 JA38 JA42 JA44 JA46 JB11 JB13 JB23 JB32 JB33 JB38 JB51 JB57 JB63 JB69 KA05 KA07 KA16 KA18 KB14 MA05 MA08 MA14 MA15 MA16 MA18 MA19 MA20 MA22 MA35 MA37 MA41 NA04 NA07 NA25 NA27 NA29 PA02 PA08 PA09 QA06 QA18 5C094 AA10 AA42 AA43 BA03 BA43 CA19 CA24 DA13 EA03 EA04 EA07 EB02 FA04 5F110 BB01 DD02 EE03 EE04 EE14 EE37 HL03 HL04 HM04 HM18 NN46 NN80
Claims (6)
- 【請求項1】 液晶層を挟持して対向する2枚の透明基
板のうち、一方の基板の対向面側に、マトリックス状に
配置された映像信号配線及び走査信号配線、前記映像信
号配線と走査信号配線の各交差点に対応して設けらたス
イッチング素子、前記スイッチング素子に接続された櫛
形状の画素電極、前記画素電極と咬合するように形成さ
れた櫛形状の共通電極、前記共通電極を連結する共通配
線が少なくとも形成され、前記共通電極、及び画素電極
が屈曲した形状を有する液晶パネルにおいて、 前記映像信号配線と前記共通電極が絶縁層を介して基板
面内で重なるように構成されていることを特徴とする液
晶パネル。 - 【請求項2】 液晶層を挟持して対向する2枚の透明基
板のうち、一方の基板の対向面側に、マトリックス状に
配置された映像信号配線及び走査信号配線、前記映像信
号配線と走査信号配線の各交差点に対応して設けらたス
イッチング素子、前記スイッチング素子に接続された櫛
形状の画素電極、前記画素電極と咬合するように形成さ
れた櫛形状の共通電極が少なくとも形成され、前記共通
電極、及び画素電極が屈曲した形状を有する液晶パネル
において、 前記映像信号配線と前記共通電極が絶縁層を介して基板
面内で重なるように構成され、他方の基板の対向面側
に、前記走査信号配線に対向し、前記走査信号配線に平
行な線状でブラックマスクが形成され、且つ表示領域内
で前記映像信号配線に対向するブラックマスクが形成さ
れていないことを特徴とする液晶パネル。 - 【請求項3】 共通電極の線幅が映像信号配線の線幅よ
りも広く形成され、前記共通電極の線幅の内に前記映像
信号配線が配置されていることを特徴とする請求項1〜
2記載の液晶パネル。 - 【請求項4】 映像信号配線が共通電極と同じ角度で屈
曲した形状であることを特徴とする請求項1〜4記載の
液晶パネル。 - 【請求項5】 共通電極が映像信号配線よりも上層に形
成されていることを特徴とする請求項1〜4記載の液晶
パネル - 【請求項6】 映像信号配線が共通電極よりも上層に形
成され、更にその上層に絶縁層を介して共通電極と同電
位の電極が形成されていることを特徴とする請求項1〜
4記載の液晶パネル。
Priority Applications (1)
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JP11204155A JP2001033815A (ja) | 1999-07-19 | 1999-07-19 | 液晶パネル |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP11204155A JP2001033815A (ja) | 1999-07-19 | 1999-07-19 | 液晶パネル |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP2001033815A true JP2001033815A (ja) | 2001-02-09 |
Family
ID=16485756
Family Applications (1)
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JP11204155A Pending JP2001033815A (ja) | 1999-07-19 | 1999-07-19 | 液晶パネル |
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Country | Link |
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JP (1) | JP2001033815A (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002287164A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子 |
JP2002296610A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
US6859248B2 (en) | 2000-07-05 | 2005-02-22 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display device and method of fabricating the same with non-parallel chevron shaped electrodes |
KR100470759B1 (ko) * | 2001-02-23 | 2005-03-08 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 인-플레인 스위칭 모드 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치및 그 제조 방법 |
JP2005195927A (ja) * | 2004-01-08 | 2005-07-21 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置 |
US6952252B2 (en) | 2001-10-02 | 2005-10-04 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Substrate for liquid crystal display and liquid crystal display utilizing the same |
KR100849599B1 (ko) * | 2007-02-05 | 2008-07-31 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 에프에프에스 모드 액정표시장치 |
JP2008191669A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Boe Hydis Technology Co Ltd | フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置 |
KR100892087B1 (ko) * | 2002-10-28 | 2009-04-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
JP2010152394A (ja) * | 2001-02-23 | 2010-07-08 | Nec Lcd Technologies Ltd | 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及び電子機器 |
CN1577019B (zh) * | 2003-06-26 | 2011-03-30 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管显示板及包含该显示板的液晶显示器 |
JP2012208275A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Japan Display Central Co Ltd | 液晶表示装置 |
CN104570523A (zh) * | 2015-01-16 | 2015-04-29 | 昆山龙腾光电有限公司 | 一种阵列基板、阵列基板的形成方法及液晶显示装置 |
US11355584B2 (en) | 2008-04-14 | 2022-06-07 | Advanced Silicon Group Technologies, Llc | Process for fabricating silicon nanostructures |
-
1999
- 1999-07-19 JP JP11204155A patent/JP2001033815A/ja active Pending
Cited By (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6859248B2 (en) | 2000-07-05 | 2005-02-22 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display device and method of fabricating the same with non-parallel chevron shaped electrodes |
US7227608B2 (en) | 2000-07-05 | 2007-06-05 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display device and method of fabricating the same |
KR100470759B1 (ko) * | 2001-02-23 | 2005-03-08 | 엔이씨 엘씨디 테크놀로지스, 엘티디. | 인-플레인 스위칭 모드 액티브 매트릭스형 액정 표시 장치및 그 제조 방법 |
JP2010152394A (ja) * | 2001-02-23 | 2010-07-08 | Nec Lcd Technologies Ltd | 横電界方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置及び電子機器 |
JP2002287164A (ja) * | 2001-03-26 | 2002-10-03 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 液晶表示素子 |
JP2002296610A (ja) * | 2001-03-30 | 2002-10-09 | Fujitsu Ltd | 液晶表示装置とその製造方法 |
JP4523730B2 (ja) * | 2001-03-30 | 2010-08-11 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置とその製造方法 |
US6952252B2 (en) | 2001-10-02 | 2005-10-04 | Fujitsu Display Technologies Corporation | Substrate for liquid crystal display and liquid crystal display utilizing the same |
US7372533B2 (en) | 2001-10-02 | 2008-05-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Substrate for liquid crystal display and liquid crystal display utilizing the same |
KR100892087B1 (ko) * | 2002-10-28 | 2009-04-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 횡전계방식 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법 |
CN1577019B (zh) * | 2003-06-26 | 2011-03-30 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管显示板及包含该显示板的液晶显示器 |
US8253913B2 (en) | 2003-06-26 | 2012-08-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor |
US7423716B2 (en) | 2004-01-08 | 2008-09-09 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Liquid crystal display device with mound-like insulating film formed on video line covered by a common electrode with edges of the mound positioned on light shield electrode |
JP2005195927A (ja) * | 2004-01-08 | 2005-07-21 | Nec Lcd Technologies Ltd | 液晶表示装置 |
US7663724B2 (en) | 2007-02-05 | 2010-02-16 | Hydis Technologies Co., Ltd. | Fringe field switching mode liquid crystal display device |
JP2008191669A (ja) * | 2007-02-05 | 2008-08-21 | Boe Hydis Technology Co Ltd | フリンジフィールドスイッチングモード液晶表示装置 |
KR100849599B1 (ko) * | 2007-02-05 | 2008-07-31 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 에프에프에스 모드 액정표시장치 |
US8134674B2 (en) | 2007-02-05 | 2012-03-13 | Hydis Technologies Co., Ltd. | Fringe field switching mode liquid crystal display device |
US11355584B2 (en) | 2008-04-14 | 2022-06-07 | Advanced Silicon Group Technologies, Llc | Process for fabricating silicon nanostructures |
JP2012208275A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Japan Display Central Co Ltd | 液晶表示装置 |
CN104570523A (zh) * | 2015-01-16 | 2015-04-29 | 昆山龙腾光电有限公司 | 一种阵列基板、阵列基板的形成方法及液晶显示装置 |
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