CN104570523A - 一种阵列基板、阵列基板的形成方法及液晶显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种阵列基板，包括下玻璃基板、第一金属层、绝缘层、半导体层、第一透明导电薄膜层、第二金属层、钝化层、第二透明导电薄膜层、配向膜。其中，第一金属层分为栅极金属区及与栅极金属区相连的栅极线；第一透明导电薄膜层为公共电极；第二金属层分为源/漏极金属区及公共电极线，源/漏极金属区包括与公共电极线相连的源极金属层、与第一透明导电薄膜层直接接触的漏极金属层；第二透明导电薄膜层分为数据线及与数据线直接连接的像素电极。本发明还提供上述阵列基板的形成方法及液晶显示装置。本发明的阵列基板、其形成方法及使用其的液晶显示装置，在保证能正常显示的同时，避免了配向膜膜厚形成较大断差而导致的画质下降的风险。

Description

一种阵列基板、阵列基板的形成方法及液晶显示装置
技术领域
本发明涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种阵列基板、阵列基板的形成方法及使用其的液晶显示装置。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具备轻薄、节能、无辐射等诸多优点，已经逐渐取代传统的阴极射线管(CRT)显示器。目前液晶显示器被广泛地应用于高清晰数字电视、台式计算机、个人数字助理(PDA)、笔记本电脑、移动电话、数码相机等电子设备中。
以薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)液晶显示装置为例，装置包括液晶显示面板和驱动电路，其中，液晶显示面板包括阵列基板、与阵列基板相对设置的彩膜基板、及位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶。阵列基板上设置有配线区，用于接收驱动电路输出的驱动信号。彩膜基板上设置有公共电极区，且彩膜基板与阵列基板之间通过封框胶密封液晶。阵列基板上的配线区包括多条栅极线与多条数据线，且相邻的两条栅极线与相邻的两条数据线交叉形成一个像素单元，每个像素单元至少包括一个TFT。而驱动电路包括：栅极驱动电路(gate drive circuit)和源极驱动电路(source drive circuit)。液晶显示面板与驱动电路的基本工作原理为：栅极驱动电路通过与栅极线电性连接的TFT向栅极线送出栅极驱动信号，依序将每一行的TFT打开，然后由源极驱动电路同时将一整行的像素单元充电到各自所需的电压，以改变液晶的状态，从而显示不同的灰阶。
图1为现有的液晶显示装置的部分等效电路示意图。如图1所示，液晶显示装置包括液晶显示面板10’、栅极驱动电路12’及源极驱动电路14’，液晶显示面板10’上包括多条栅极线GL与多条数据线DL，且相邻的两条栅极线GL与相邻的两条数据线DL交叉形成一个像素单元，每个像素单元包括TFT、液晶电容CLc、存储电容Cs。其中，存储电容Cs与液晶电容CLc并联于像素电极与公共电极之间，每个TFT包括栅极、半导体层、源极及漏极。TFT的栅极与栅极线GL相连，以接收栅极驱动电路12’输出的栅极驱动信号。TFT的源极与数据线DL相连，用于接收源极驱动电路14’输出的数据信号。TFT的漏极与像素电极相连。液晶显示面板10’与驱动电路的基本工作原理为：栅极驱动电路12’向栅极线GL输出栅极驱动信号，从而依序将每一行的TFT打开。当像素单元中的TFT的栅极接收到高电位的栅极驱动信号时，TFT的漏极及源极导通，源极驱动电路14’输出的数据信号被充至液晶电容CLc(像素电极与公共电极之间形成的电容)，当像素单元中的TFT的栅极接收到低电位的栅极驱动信号时，TFT被关闭，已充入液晶电容CLc的数据信号由存储电容Cs保持，从而根据存储电容Cs保持的数据信号与公共电极common的电压的差值改变液晶的状态，从而控制液晶的透光率，以显示不同的灰阶。
图2为现有的液晶显示装置中的阵列基板100’中其中一个像素区域的平面结构示意图。图3为如图2所示的阵列基板100’位于Ⅲ-Ⅲ处的剖面结构示意图。图4为包括如图2所示的阵列基板100’的液晶显示面板10’位于Ⅲ-Ⅲ处的剖面结构示意图。请同时参考图2、图3及图4。液晶显示面板10’包括阵列基板100’、彩膜基板101’(图2、图3中未示出，请参考图4)及位于阵列基板100’与彩膜基板101’之间的液晶102’(图2、图3中未示出，请参考图4)。阵列基板100’包括设置于下玻璃基板110’(图2中未示出，请参考图3及图4)上的第一金属层120’(图4中未示出，请参考图2、图3)、设置于第一金属层120’及下玻璃基板110’上的绝缘层130’(图2中未示出，请参考图3、图4)、设置于绝缘层130’上的半导体层140’(图4中未示出，请参考图2、图3)、设置于绝缘层130’上的第一透明导电薄膜层150’、第二金属层160’、钝化层170’(图2中未示出，请参考图3、图4)、设置于钝化层170’上的第二透明导电薄膜层180’。其中，第一金属层120’分为栅极金属区1201’及与栅极金属区相连的栅极线1202’。第一透明导电薄膜层150’为像素电极。第二金属层160’分为源/漏极金属区1601’及位于第一透明导电薄膜层150’两侧且大致平行排列的数据线1602’，源/漏极金属区1601’包括与数据线1602’相连的源极金属层1610’、与第一透明导电薄膜层150’直接接触的漏极金属层1611’。第二透明导电薄膜层180’为公共电极。
其中，第一金属层120’、半导体层140’、第一透明导电薄膜层150’、第二金属层160’、及第二透明导电薄膜层180’分别可以由一道光罩制程形成。一道光罩制程包括镀膜、光阻涂布、曝光、显影、蚀刻及光阻去除六个工序。具体的，例如利用镀膜工序在下玻璃基板110’上形成厚度均匀的第一金属层120’，然后在第一金属层120’上涂布第一光阻层，并以第一道光罩图案对第一金属层120’上的第一光阻层进行曝光显影，形成第一光阻层图案，然后以形成的第一光阻层图案为遮罩对第一金属层120’进行蚀刻以形成图案化的第一金属层120’，最后去除涂布的第一光阻层。阵列基板100’上的其它层的形成方法与第一金属层120’的大致相同，在此不再赘述。其中，由于制作工艺的要求，金属层的厚度一般为透明导电薄膜层的厚度的5至6倍。
如图4所示，阵列基板100’还包括设置在第二透明导电薄膜层180’上的配向膜190’。配向膜190’用于给液晶102’提供一个预倾角，使得液晶102’的旋转方向一致性更好。
但现有技术的阵列基板100’在第一透明导电薄膜层150’两侧存在厚度相对较大的数据线1602’(金属层)，金属层的厚度一般为透明导电薄膜层的厚度的5至6倍，因此，现有技术的阵列基板100’容易使配向膜190’的膜厚形成较大的断差，使得配向膜190’在进行摩擦(Rubbing)制程后配向均一性差，从而容易造成液晶102’排布混乱，使得液晶显示装置的画质下降。
因此，有必要提供改进的技术方案以克服现有技术中存在的以上技术问题。
发明内容
鉴于以上问题，本发明提供一种阵列基板、其形成方法和一种液晶显示装置，以解决配向膜膜厚形成较大的断差而导致画质下降的问题。
具体地，本发明提供一种阵列基板，所述阵列基板包括下玻璃基板、第一金属层、绝缘层、半导体层、第一透明导电薄膜层、第二金属层、钝化层、第二透明导电薄膜层、配向膜。所述第一金属层设置于所述下玻璃基板上。所述绝缘层设置于所述第一金属层及所述下玻璃基板上。所述半导体层设置于所述绝缘层上。所述第一透明导电薄膜层设置于所述绝缘层上。所述第二透明导电薄膜层设置于所述钝化层上。所述配向膜设置于所述第二透明导电薄膜层上。其中，所述第一金属层分为栅极金属区及与所述栅极金属区相连的栅极线；所述第一透明导电薄膜层为公共电极；所述第二金属层分为源/漏极金属区及公共电极线，所述源/漏极金属区包括与所述公共电极线相连的源极金属层、与所述第一透明导电薄膜层直接接触的漏极金属层；所述第二透明导电薄膜层分为数据线及与所述数据线直接连接的像素电极。
优选地，金属层的厚度为透明导电薄膜层厚度的5至6倍。
优选地，所述半导体层由非晶硅材料组成。
优选地，所述第一金属层、所述半导体层、所述第一透明导电薄膜层、所述第二金属层、及所述第二透明导电薄膜层分别由一道光罩制程形成。
优选地，所述绝缘层、所述钝化层分别利用一道镀膜工序形成。
本发明还提供一种阵列基板的形成方法，所述阵列基板的形成方法包括：在下玻璃基板上形成第一金属层；在所述第一金属层及所述下玻璃基板上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成半导体层；在所述绝缘层上形成第一透明导电薄膜层；形成第二金属层；形成钝化层；在所述钝化层上形成第二透明导电薄膜层；及在所述第二透明导电薄膜层上形成配向膜；其中，所述第一金属层分为栅极金属区及与所述栅极金属区相连的栅极线；所述第一透明导电薄膜层为公共电极；所述第二金属层分为源/漏极金属区及公共电极线，所述源/漏极金属区包括与所述公共电极线相连的源极金属层、与所述第一透明导电薄膜层直接接触的漏极金属层；所述第二透明导电薄膜层分为数据线及与所述数据线直接连接的像素电极。
优选地，金属层的厚度为透明导电薄膜层厚度的5至6倍。
优选地，所述半导体层由非晶硅材料组成。
优选地，所述第一金属层、所述半导体层、所述第一透明导电薄膜层、所述第二金属层、及所述第二透明导电薄膜层分别由一道光罩制程形成。
优选地，所述绝缘层、所述钝化层分别利用一道镀膜工序形成。
本发明还提供一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括阵列基板，所述阵列基板包括下玻璃基板、第一金属层、绝缘层、半导体层、第一透明导电薄膜层、第二金属层、钝化层、第二透明导电薄膜层、配向膜。所述第一金属层设置于所述下玻璃基板上。所述绝缘层设置于所述第一金属层及所述下玻璃基板上。所述半导体层设置于所述绝缘层上。所述第一透明导电薄膜层设置于所述绝缘层上。所述第二透明导电薄膜层设置于所述钝化层上。所述配向膜设置于第二透明导电薄膜层上。其中，所述第一金属层分为栅极金属区及与所述栅极金属区相连的栅极线；所述第一透明导电薄膜层为公共电极；所述第二金属层分为源/漏极金属区及公共电极线，所述源/漏极金属区包括与所述公共电极线相连的源极金属层、与所述第一透明导电薄膜层直接接触的漏极金属层；所述第二透明导电薄膜层分为数据线及与所述数据线直接连接的像素电极。
优选地，金属层的厚度为透明导电薄膜层厚度的5至6倍。
优选地，所述半导体层由非晶硅材料组成。
优选地，所述第一金属层、所述半导体层、所述第一透明导电薄膜层、所述第二金属层、及所述第二透明导电薄膜层分别由一道光罩制程形成。
优选地，所述绝缘层、所述钝化层分别利用一道镀膜工序形成。
本发明的阵列基板、其形成方法及液晶显示装置的公共电极线与源极金属层相连，公共电极直接与漏极金属层接触。数据线直接与像素电极相连，且利用透明导电薄膜材料同时形成数据线及像素电极，在保证液晶显示装置能正常显示的同时，避免了数据线使用金属材料而造成配向膜的膜厚形成较大的断差，进而造成液晶排布混乱，使得液晶显示装置的画质下降的风险。
附图说明
图1为现有的液晶显示装置的部分等效电路示意图。
图2为现有的液晶显示装置中的阵列基板100’中其中一个像素区域的平面结构示意图。
图3为如图2所示的阵列基板100’位于Ⅲ-Ⅲ处的剖面结构示意图。
图4为包括如图2所示的阵列基板100’的液晶显示面板10’位于Ⅳ-Ⅳ处的剖面结构示意图。
图5为本发明一实施方式液晶显示面板10中的阵列基板100中其中一个像素区域的平面结构示意图。
图6为如图5所示的像素区域位于Ⅵ-Ⅵ处的剖面结构示意图。
图7为包括如图5所示的像素区域的液晶显示面板10位于Ⅶ-Ⅶ处的剖面结构示意图。
图8为本发明包括多个如图5所示的像素区域的液晶显示装置的等效电路示意图。
图9为本发明一实施方式的阵列基板的形成方法的流程示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的液晶显示面板其具体实施方式、方法、步骤、结构、特征及功效，详细说明如后。
有关本发明的前述及其他技术内容、特点与功效，在以下配合参考图式的较佳实施例的详细说明中将可清楚的呈现。通过具体实施方式的说明，当可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效得以更加深入且具体的了解，然而所附图式仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明加以限制。
图5为本发明一实施方式液晶显示面板10中的阵列基板100中其中一个像素区域的平面结构示意图。图6为如图5所示的像素区域位于Ⅵ-Ⅵ处的剖面结构示意图。图7为包括如图5所示的像素区域的液晶显示面板10位于Ⅶ-Ⅶ处的剖面结构示意图。请同时参考图5、图6及图7，液晶显示面板10(图5、图6中未示出，请参考图7)包括阵列基板100、彩膜基板101(图5、图6中未示出，请参考图7)及位于阵列基板100与彩膜基板101之间的液晶102(图5、图6中未示出，请参考图7)。
阵列基板100包括多个像素区域，每个像素区域包括设置于下玻璃基板110(图5中未示出，请参考图6、图7)上的第一金属层120、设置于第一金属层120及下玻璃基板110上的绝缘层130(图5中未示出，请参考图6、图7)、设置于绝缘层130上的半导体层140、设置于绝缘层130上的第一透明导电薄膜层150、第二金属层160、钝化层170(图5中未示出，请参考图6、图7)、设置于钝化层170上的第二透明导电薄膜层180及位于第二透明导电薄膜层180上的配向膜190(图5、图6中未示出，请参考图7)。
其中，第一金属层120分为栅极金属区1201及与栅极金属区1201相连的栅极线1202。第一透明导电薄膜层150为公共电极。第二金属层160分为源/漏极金属区1601及公共电极线1602，源/漏极金属区1601包括与公共电极线1602相连的源极金属层1610、与第一透明导电薄膜层150直接接触的漏极金属层1611。第二透明导电薄膜层180分为数据线1801及与数据线1801直接连接的像素电极1802。
其中，栅极金属区1201、半导体层140、源/漏极金属区1601组成一个TFT。钝化层170用于电性绝缘第二透明导电薄膜层180与第一透明导电薄膜层150及第二金属层160。
图9为本发明一实施方式的阵列基板的形成方法的流程示意图。请同时参考图5及图9，一种阵列基板的形成方法，其包括：步骤S81：在下玻璃基板110(图5中未示出，请参考图6、图7)上形成第一金属层120；步骤S82：在第一金属层120及下玻璃基板110上形成绝缘层130(图5中未示出，请参考图6、图7)；步骤S83：在绝缘层130上形成半导体层140；步骤S84：在绝缘层130上形成第一透明导电薄膜层150；步骤S85：形成第二金属层160；步骤S86：形成钝化层170(图5中未示出，请参考图6、图7)；步骤S87：在钝化层170上形成第二透明导电薄膜层180；及步骤S88：在第二透明导电薄膜层180上形成配向膜190(图5中未示出，请参考图7)。
其中，第一金属层120分为栅极金属区1201及与栅极金属区1201相连的栅极线1202。第一透明导电薄膜层150为公共电极。第二金属层160分为源/漏极金属区1601及公共电极线1602，源/漏极金属区1601包括与公共电极线1602相连的源极金属层1610、与第一透明导电薄膜层150直接接触的漏极金属层1611。第二透明导电薄膜层180分为数据线1801及与数据线1801直接连接的像素电极1802。
在本发明一实施方式中，第一金属层120、半导体层140、第一透明导电薄膜层150、第二金属层160、及第二透明导电薄膜层180分别由一道光罩制程形成。绝缘层130(图5中未示出，请参考图6、图7)及钝化层170(图5中未示出，请参考图6、图7)分别利用一道镀膜工序形成。
具体的，形成第一金属层120的步骤包括：首先利用镀膜工序在下玻璃基板110上形成厚度均匀的一金属层，然后在此金属层上涂布第一光阻层，并以第一道光罩图案对金属层上的第一光阻层进行曝光显影，形成第一光阻层图案，然后以形成的第一光阻层图案为遮罩对此金属层进行蚀刻以形成图案化的第一金属层120，最后去除涂布的第一光阻层。
具体的，形成绝缘层130及半导体层140的步骤包括：在第一金属层120及下玻璃基板110上利用镀膜工序形成绝缘层130，然后，利用镀膜工序在绝缘层130上形成一层半导体材料，然后在半导体材料上涂布第二光阻层，并以第二道光罩图案对半导体材料上的第二光阻层进行曝光显影，形成第二光阻层图案，然后以形成的第二光阻层图案为遮罩对半导体材料进行蚀刻以形成图案化的半导体层140，最后去除涂布的第二光阻层。
其中，半导体层140可为非晶硅(a-si)。在其它实施方式中，半导体层103也可以由其它半导体材料构成。
具体的，形成第一透明导电薄膜层150的步骤包括：利用镀膜工序在绝缘层130(图5中未示出，请参考图6、图7)上形成一透明导电薄膜，然后在透明导电薄膜上涂布第三光阻层，并以第三道光罩图案对透明导电薄膜上的第三光阻层进行曝光显影，形成第三光阻层图案，然后以形成的第三光阻层图案为遮罩对透明导电薄膜进行蚀刻以形成图案化的第一透明导电薄膜层150，最后去除涂布的第三光阻层。
具体的，形成第二金属层160的步骤包括：利用镀膜工序在绝缘层130、半导体层140及第一透明导电薄膜层150上形成另一金属层，然后在此金属层上涂布第四光阻层，并以第四道光罩图案对此金属层上的第四光阻层进行曝光显影，形成第四光阻层图案，然后以形成的第四光阻层图案为遮罩对此金属层进行蚀刻以形成图案化的第二金属层160，最后去除涂布的第四光阻层。
具体的，形成设置于钝化层170(图5中未示出，请参考图6、图7)及第二透明导电薄膜层180的步骤包括：首先，利用镀膜工序形成钝化层170，其次，利用镀膜工序在钝化层170上形成另一透明导电薄膜，然后在此透明导电薄膜上涂布第五光阻层，并以第五道光罩图案对透明导电薄膜上的第五光阻层进行曝光显影，形成第五光阻层图案，然后以形成的第五光阻层图案为遮罩对此透明导电薄膜进行蚀刻，最后去除涂布的第五光阻层，以形成图案化的第二透明导电薄膜层180。
具体的，形成配向膜190的步骤包括：利用镀膜工序在第二透明导电薄膜层180上形成配向膜190。
在本发明的第一实施方式中，第一透明导电薄膜层150及第二透明导电薄膜层180均为氧化铟锡(ITO)。当然本领域的技术人员可以理解的是第一透明导电薄膜层150及第二透明导电薄膜层180也可以为其它透明导电材料。
其中，由于制作工艺的要求，金属层的厚度一般为透明导电薄膜层的厚度的5至6倍。
图8为本发明包括多个如图5所示的像素区域的液晶显示装置的等效电路示意图。如图8所示，液晶显示装置包括液晶显示面板10、栅极驱动电路12及源极驱动电路14，液晶显示面板10包括多条栅极线GL与多条数据线DL，且相邻的两条栅极线GL与相邻的两条数据线DL交叉形成一个像素单元，每个像素单元P包括TFT、存储电容Cs、液晶电容CLc。
其中，存储电容Cs与液晶电容CLc并联。每个TFT包括第一通路端、控制端及第二通路端。TFT的控制端通过栅极线GL接收栅极驱动电路12输出的栅极驱动信号。TFT的第一通路端直接接公共电极线，TFT的第二通路端与存储电容Cs、液晶电容CLc的第一公共端相连。存储电容Cs与液晶电容CLc的第二公共端通过数据线DL接收源极驱动电路14输出的数据信号。
在本发明一实施方式中，液晶显示面板10与驱动电路的基本工作原理为：栅极驱动电路12向栅极线GL输出栅极驱动信号，从而依序将每一行的TFT打开。当像素单元P中的TFT接收到高电位的栅极驱动信号时，公共电极线common的公共电压被充至液晶电容CLc，当像素单元P中的TFT接收到低电位的栅极驱动信号时，TFT被关闭，已充入液晶电容CLc的公共电压由存储电容Cs保持，从而根据存储电容Cs保持的公共电极线common上的公共电压与源极驱动电路14输出的数据信号的差值改变液晶的状态，从而控制液晶的透光率，以显示不同的灰阶。
此外，本发明还提供一种液晶显示装置，其包括如图4至5所示的阵列基板、彩膜基板及位于阵列基板与彩膜基板之间的液晶。其中，阵列基板包括设置于下玻璃基板上的第一金属层、设置于第一金属层及下玻璃基板上的绝缘层、设置于绝缘层上的半导体层、设置于绝缘层上的第一透明导电薄膜层、第二金属层、钝化层、设置于钝化层上的第二透明导电薄膜层及位于第二透明导电薄膜层上的配向膜。
其中，第一金属层分为栅极金属区及与栅极金属区相连的栅极线。第一透明导电薄膜层为公共电极。第二金属层分为源/漏极金属区及公共电极线，源/漏极金属区包括与公共电极线相连的源极金属层、与第一透明导电薄膜层直接接触的漏极金属层。第二透明导电薄膜层分为数据线及与数据线直接连接的像素电极。
本发明的阵列基板100、其形成方法及使用其的液晶显示装置的公共电极线1602与源极金属层1610相连，公共电极150直接与漏极金属层1611接触。数据线1801直接与像素电极1802相连，且利用透明导电薄膜材料同时形成数据线1801及像素电极1802，在保证液晶显示装置能正常显示的同时，且避免了数据线1801使用金属材料而造成配向膜190的膜厚形成较大的断差，进而造成液晶102排布混乱，使得液晶显示装置的画质下降的风险。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。

Claims (10)

1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
下玻璃基板；
第一金属层，设置于所述下玻璃基板上；
绝缘层，设置于所述第一金属层及所述下玻璃基板上；
半导体层，设置于所述绝缘层上；
第一透明导电薄膜层，设置于所述绝缘层上；
第二金属层；
钝化层；
第二透明导电薄膜层，设置于所述钝化层上；及
配向膜，设置于所述第二透明导电薄膜层上；
其中，所述第一金属层分为栅极金属区及与所述栅极金属区相连的栅极线；所述第一透明导电薄膜层为公共电极；所述第二金属层分为源/漏极金属区及公共电极线，所述源/漏极金属区包括与所述公共电极线相连的源极金属层、与所述第一透明导电薄膜层直接接触的漏极金属层；所述第二透明导电薄膜层分为数据线及与所述数据线直接连接的像素电极。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，金属层的厚度为透明导电薄膜层厚度的5至6倍。
3.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述半导体层由非晶硅材料组成。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一金属层、所述半导体层、所述第一透明导电薄膜层、所述第二金属层、及所述第二透明导电薄膜层分别由一道光罩制程形成。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述绝缘层、所述钝化层分别利用一道镀膜工序形成。
6.一种阵列基板的形成方法，其特征在于，所述阵列基板的形成方法包括：
在下玻璃基板上形成第一金属层；
在所述第一金属层及所述下玻璃基板上形成绝缘层；
在所述绝缘层上形成半导体层；
在所述绝缘层上形成第一透明导电薄膜层；
形成第二金属层；
形成钝化层；
在所述钝化层上形成第二透明导电薄膜层；及
在所述第二透明导电薄膜层上形成配向膜；
其中，所述第一金属层分为栅极金属区及与所述栅极金属区相连的栅极线；所述第一透明导电薄膜层为公共电极；所述第二金属层分为源/漏极金属区及公共电极线，所述源/漏极金属区包括与所述公共电极线相连的源极金属层、与所述第一透明导电薄膜层直接接触的漏极金属层；所述第二透明导电薄膜层分为数据线及与所述数据线直接连接的像素电极。
7.如权利要求6所述的阵列基板的形成方法，其特征在于，金属层的厚度为透明导电薄膜层厚度的5至6倍。
8.如权利要求6所述的阵列基板的形成方法，其特征在于，所述第一金属层、所述半导体层、所述第一透明导电薄膜层、所述第二金属层、及所述第二透明导电薄膜层分别由一道光罩制程形成。
9.如权利要求6所述的阵列基板的形成方法，其特征在于，所述绝缘层、所述钝化层分别利用一道镀膜工序形成。
10.一种液晶显示装置，其特征在于，所述液晶显示装置包括如权利要求1至5任意一项所述的阵列基板。
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