CN1577019B - 薄膜晶体管显示板及包含该显示板的液晶显示器 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种液晶显示器，包括具有栅极的栅极线；与像素电极重叠并形成存储电容的存储电极；在栅极线上形成的栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成的半导体层；在栅极绝缘层上形成并具有两个以上弯曲部分和与栅极线交叉部分的数据线；以栅极为中心分别与源极面对并相接半导体层的漏极；覆盖半导体层的钝化层；在钝化层上形成并与漏极电连接，与数据线邻接的边沿着数据线弯曲的像素电极的薄膜晶体管显示板和与像素电极面对形成液晶电容的共同电极的共同电极显示板。

Description

薄膜晶体管显示板及包含该显示板的液晶显示器
技术领域
本发明涉及一种薄膜晶体管显示板及包含该显示板的液晶显示器。
背景技术
液晶显示器(LCD)通常是在共同电极与滤色器所形成的上部基板和薄膜晶体管及像素电极所形成的下部基板之间注入液晶材料，并向像素电极和共同电极施加不同电位电压形成电场，以改变液晶分子的排列，从而调整光透射比，并显示图像的装置。
但液晶显示器具有视角小的缺点，为了克服这种缺点开发了多种方案来扩大其视角，其中最具说服力的是将液晶分子对上下基板垂直排列，再对像素电极和与其对应电极的共同电极上形成折叠图案或形成突起的方法。
然而，形成折叠图案和突起的方法因突起和折叠图案部分降低了纵横比，为了弥补这一点，开发了尽量使像素电极形成宽的超高纵横比结构，但这种超高纵横比结构因邻近的像素电极间距太小，因此像素电极间形成很强的侧向电场。因此，像素电极边缘部的液晶分子受该侧向电场的影响其排向被打乱，由此造成条纹或光泄漏，特别是数据线和共同电极间的偶合环驱动两者间的液晶分子并引发数据线附近的光泄漏，导致画质下降。为了遮挡这种光泄漏要形成宽的黑阵，其又成为纵横比下降的原因。
另外，随着液晶显示器的大型化，像素的大小也随之变大，但像素大小如果不超过100μm时，即使像素的结构包含斜线，图像启动时不会看到像素的形态。但像素的大小超过100μm时，因布线变长，可以看出由布线限定的像素的形态，降低了显示特性。另外，像素为斜线形态时，传送到特定区域的驱动电压会变弱，降低了液晶的应答速度。
发明内容
本发明的目的是提供形成稳定的多个区域的薄膜晶体管显示板。
本发明的另一目的是提供大型化又能保证其画质的薄膜晶体管显示板。
为了解决上述问题，在本发明中限定像素的数据线包含弯曲的部分，形成存储电容的漏极或存储电极和分割排列液晶分子的像素分割件随着像素的弯曲形态形成。这时弯曲部分最少为两个，且像素分割件、漏极或存储电极也随着像素的形态至少有弯曲两次。
更具体地说，根据本发明实施例的薄膜晶体管显示板，在绝缘基板上形成第一信号线，还形成具有与第一信号线绝缘交叉的部分和两个以上弯曲部分的第二信号线。第一信号线和第二信号线限定的像素上各自形成像素电极，各像素上形成与第一信号线、第二信号线及像素电极连接的薄膜晶体管。这时，第二信号线的弯曲部分和直线部分以像素长度为单位反复出现。
优选地，第二信号线弯曲部分与第一信号线实际形成45度或-45度。还包括与第一信号线并排的第三信号线。优选地，与像素电极连接的导电体或薄膜晶体管端子与第三信号线相叠形成存储电容。
优选地，在薄膜晶体管上与第二信号线连接的端子与第二信号线延伸部分连接，像素电极可由通过折叠部以数据线为中心分开的副像素电极组成。
本发明的其它实施例中薄膜晶体管显示板的绝缘基板上形成具有栅极的栅极线，在栅极线上形成的栅极绝缘层上部形成半导电体层。在栅极绝缘层上分别形成具有两个以上弯曲部分和与上述栅极线交叉部分还有与半导电体层相接源极的数据线及以栅极为中心与源极相对并与半导电体层相接的漏极，还形成覆盖半导电体层的钝化层。还有，绝缘基板上形成连接漏极，与数据线邻接的边随着数据线弯曲的像素电极。
优选地，数据线弯曲部分包含与栅极线成45度的第一部分和与栅极线成-45度的第二部分。薄膜晶体管显示板还可以包括包含与栅极线并行的存储电极线及与存储电极连接并与漏极或像素电极连接的导电体重叠且比存储电极线更宽存储电极的存储电极布线。
优选地，像素电极在钝化层上形成，钝化层可以由无机或有机绝缘体构成，还包括形成在钝化层下部的滤色器。滤色器随着数据线区分的像素列，红色、绿色及蓝色滤色器分别形成，且反复出现红色、绿色及蓝色。
优选地，半导电体层包括形成在数据线下部且与数据线具有同一平面图案的数据线部和形成在源极及漏极下部及其周围的通道部。
根据本发明的实施例的液晶显示器包括：第一绝缘基板；形成在第一绝缘基板上的第一信号线；形成在第一绝缘基板上且与第一绝缘基板绝缘交叉的具有两个以上弯曲部的第二信号线；第一信号线与第二信号线限定的各像素上形成的像素电极；与第一信号线、第二信号线及像素电极连接的薄膜晶体管；与第一绝缘基板面对的第二绝缘基板；形成在第二绝缘基板上的共同电极；在第一绝缘基板和第二绝缘基板中至少在一侧形成的区域分割件；在第一绝缘基板与第二绝缘基板之间介入的液晶。这时，像素由分割区域件分割成多个区域。区域的两个长边基本上与邻接的第二信号线弯曲部并行。
包含在液晶层中的液晶具有负介电各向异性。优选地，液晶长轴对第一及第二基板垂直取向，且区域分割件可以是像素电极或共同电极的所具有的折叠部。
附图说明
本发明的上述和其它优点将通过参考附图详细地描述其优选实施例，从而变得更加明显，其中：
图1是根据本发明第一实施例的液晶显示器薄膜晶体管显示板布局图；
图2是根据本发明第一实施例的液晶显示器共同电极显示板布局图；
图3是根据本发明第一实施例的液晶显示器布局图；
图4是沿着图3的线IV-IV′的截面图；
图5是沿着图3的线V-V′及线V′-V″的截面图；
图6是根据本发明第二实施例的液晶显示器薄膜晶体管显示板布局图；
图7是图6所示的沿着图6的线VII-VII′的截面图；
图8是根据本发明第三实施例的液晶显示器薄膜晶体管显示板结构布局图；以及
图9是图8的薄膜晶体管显示板随着线IX-IX′的截面图。
具体实施方式
为了使本领域技术人员能够实施本发明，现参照附图详细说明本发明的优选实施例。但是，本发明可表现为不同形式，它不局限于在此说明的实施例。
在附图中，为了清楚起见夸大了各层的厚度及区域。在全篇说明书中对相同元件附上相同的符号，应当理解的是当提到层、区域、基片、和面板等元件在别的部分“之上”时，指其直接位于别的元件之上，或者也可能有别的元件介于其间。相反，当某个元件被提到“直接”位于别的部分之上时，指并无别的元件介于其间。
那么，参照图说明根据本发明实施例的薄膜晶体管显示板及包含该显示板的液晶显示器。
图1是根据本发明第一实施例的液晶显示器薄膜晶体管显示板的布局图，图2是根据本发明第一实施例的液晶显示器共同电极显示板的布局图，图3是根据本发明第一实施例的液晶显示器的布局图，图4是沿着图3的线IV-IV′截面图，而图5是沿着图3的线V-V′及线V′-V″截面图。
根据本发明的第一实施例的液晶显示器，如图4所示，由薄膜晶体管显示板100和与它面对的共同电极显示板200及两个显示板100、200之间形成、其中的液晶分子310的长轴对显示板100、200几乎垂直排列的液晶层300组成。两个显示板100、200面对的面上分别形成使液晶分子垂直排列到显示板100、200上的取向层11、21。这时，优选地，取向层11、21可以具有使液晶分子垂直排向的性质，但也可不具有该性质。
首先，参照图1、图4、及图5进一步详细说明薄膜晶体管显示板。
绝缘基板110上纵向形成栅极121，栅极线121包含突起状态的栅极123。栅极线121的一末端125为连接外部电路其宽度变宽。
还有，绝缘基板110上形成存储电极线131和存储电极133。存储电极线131穿过像素中心横向延伸，与存储电极线131连接的存储电极133具有随着弯曲像素形态形成的边界线，并为充分确保存储电容比存储电极线131宽度要宽，且对存储电极线131弯曲成45度及-45度的分支形态。
栅极线121、123、125及存储电极布线131、133由物理化学性质优越的Cr或Mo或用其合金组成的第一导电层201、电阻率较小的Al或Ag或用其合金组成的第二导电层202的双重层形成。这些栅极线121、123、125及存储电极布线131、133可以根据需要形成单层或三重层。
栅极线121、123、125及存储电极布线131、133上形成由氧化硅或氮化硅等材料组成的栅极绝缘层140。
栅极绝缘层140上形成非晶硅等半导电体组成的线性半导电体151。线形半导电体层151中一部分是形成薄膜晶体管通道的通道部154。
线形半导电体层151、154上形成重掺杂硅化物或n型杂质的n+氢化非晶硅等材料形成的线形欧姆接触部件161及岛状欧姆接触部件163。线形欧姆接触部件161位于栅极线的下部，并包含源极173下部的源极接触部件163，岛状欧姆接触部件165位于漏极175下部。
欧姆接触部件161、163、165及栅极绝缘层140上形成数据线171及漏极175。数据线171延伸较长并与栅极线121交叉限定像素。数据线171为分支形态并具有延伸到欧姆接触部件163上部的源极173。漏极175与源极173分离且对于栅极123位于源极173对面的欧姆接触部件165的上部。数据线171的一末端为了与外部电路连接宽度变宽。与数据线171同层上形成与存储电极133重叠形成存储电容的存储电容器导电体177。
在这里，数据线171以像素长度为周期反复出现弯曲部分和纵向延伸部分。这时，数据线171的弯曲两次的弯曲部分形成四个直线部分，这四个直线部分中有两个与栅极线121形成45度，另两个与栅极线121形成-45度，数据线171纵向延伸部分与源极173连接，这部分与栅极线121交叉。
本发明的其它实施例中存储电极线131布置在栅极线121的邻接处，可以与栅极线121一起纵向延伸的部分交叉。
这时，数据线171弯曲部分与纵向延伸部分长度比是1∶1至9∶1(即，数据线171中弯曲部分所占的比例为50％至90％)。
因此，栅极线121与数据线171交叉形成的像素呈两次折断带状。
这时，不单独设置存储电容器导电体177，在漏极175下部只隔着栅极绝缘层140设置存储电极133，使其重叠，从而形成具有存储电容的存储电容器。
在数据线171及漏极175上形成有机绝缘层形成的钝化层180。在这里，钝化层180对感光性材料曝光及显像形成。根据所需钝化层180可以涂布无感光性的有机材料后用光学蚀刻工序形成，但比起用感光性有机材料形成钝化层工序相比，其形成工序较复杂。另外，钝化层180覆盖露出的半导电体层154，还可包含氮化硅等无机绝缘材料形成的绝缘层。
钝化层180上形成露出漏极的接触孔181和露出扩张数据线宽度的末端179的接触孔183。并且露出扩张栅极线宽度的末端179的接触孔182，与钝化层180共同贯通栅极绝缘层140而形成。
这时，这些接触孔181、182、183侧壁对于基板面具有30度至85度之间的缓慢倾斜或阶梯形剖面。
并且，这些接触孔181、182、183可形成为角形或圆形的各种形态。面积将不超过2mm×60μm，优选地，达到0.5mm×15μm以上。
钝化层180上形成通过接触孔181与漏极175连接，并随着像素形态呈折断带状的像素电极190。这时，像素电极190边缘部分较宽，使其与数据线重叠，以确保最大纵横比。这时，像素电极190通过折叠部191分为两个副像素电极190a、190b。
还有，钝化层180上分别形成通过接触孔182、183与栅极线末端125和数据线末端179连接的接触辅助部件95、97。在这里，像素电极190及接触辅助部件95、97由ITO或IZO组成。
下面，参照图2、图4、及图5详细说明共同电极显示板。
由玻璃等透明绝缘材料组成的上部基板210下面，形成防止泄漏光的黑阵220和像素上顺次排列的红、绿、蓝滤色器230。滤色器230之上形成有机物质组成的涂布层250。
涂布层250上形成由ITO或IZO等透明导电材料组成，并具有折叠部271、272的共同电极270。这时，折叠部271、272随着像素弯曲形态而弯曲，并在像素电极190的折叠部191两侧整列。
这时，优选地，折叠部271、272以区域分割件发挥作用，其宽度达到9μm至12μm之间。作为区域分割件替代折叠部271、272，形成有机材料突起时，优选地，其宽度应在5μm至10μm之间。
在这里，黑阵220包括对应数据线171弯曲部分的线形部分和数据线171纵向延伸部分及对应薄膜晶体管部分的三角形部分。
滤色器230随着黑阵220划分的像素列纵向形成得较长，并随着像素形态周期性地弯曲。
共同电极270的折叠部271、272也同样弯曲，形成将两个弯曲的副像素划分在左右两侧的形态。并且，折叠部271、272的两端还弯曲一次，一末端与栅极线121并列，另一端则与数据线171纵向延伸的部分并列。
结合如上结构的薄膜晶体管显示板100和共同电极显示板200，并在其间注入液晶层300时，就形成了根据本发明第一实施例的液晶显示器的基本面板。
液晶层300包含的液晶分子310在像素电极190和共同电极270之间未施加电场的状态下其长轴对下部基板110和上部基板210垂直排列，并具有负介电各向异性。整列下部基板110和上部基板210，以使像素电极190与滤色器230对应并准确重叠。这样，像素由折叠部191、271、272分割为多个区域。这时，像素由折叠部191、271、272划分为左右两侧，但以像素的折断部为中心，在其上下液晶的取向各异，因此将分为8种区域。
这时，优选地，区域的两个长边间距离，即区域宽度要在10μm至30μm之间。
并且，优选地，包含于一个像素的上述区域数，当像素大小为100μm×300μm时为4个，而100μm×300μm以上时为4个或8个。
液晶显示器是在这种基本面板两侧布置偏光板12、22、背光源、补偿板等因素而成。这时，偏光板12、22在基本面板两侧分别布置一个，其透射轴对于栅极线121，两个中一个是并列的，而另一个则垂直。
由上述结构形成液晶显示器，向液晶施加电场，各个区域内的液晶向与区域内长边垂直的方向倾斜。但该方向是对数据线171成垂直的方向，因此与将数据线171置于中间，由邻接的两个像素电极190之间形成的侧面电场引起的液晶倾斜方向相一致，侧向电场将辅助各个区域的液晶取向。
液晶显示器通常使用向位于数据线171两侧的像素电极施加极性相反电压的点反转驱动、列反转驱动、两点反转驱动等反转驱动方法，因此侧向电场几乎经常发生，其方向成为帮助区域的液晶取向的方向。
并且，对栅极线121垂直或并列布置偏光板透射轴，可以廉价制造偏光板，并使所有区域的液晶取向方向与偏光板透射轴成45度，可以取得最高灰度。
另外，根据本发明实施例的液晶显示器中，弯曲两次与栅极线共同限定像素的数据线，将像素设计成弯曲两次的形态，即使像素间距超过100μm，布线长度和像素间距也几乎相等。即使像素大小设计得较大，像素形态也以锯齿形分散，看不出由布线结构限定的像素形态，可以提高显示特性。并且，比像素大小不会急剧增加布线长度，可充分确保传送到像素内的驱动电压，从而不会发生降低液晶应答速度的现象。
只是，由于数据线171弯曲，将增加布线长度。数据线171中，弯曲部分占据50％时，布线长度将增加约20％。数据线171的长度增加时，将增加布线阻抗与负荷，进而增加信号的扭曲。但是，超高纵横比结构中，可充分较宽形成数据线171宽度，并使用厚的有机材料钝化层180，因此布线的负荷也变得很小，可忽视增加数据线171长度而带来的信号扭曲问题。
另外，薄膜晶体管显示板100和共同电极显示板200分别包含对液晶分子310取向的取向层11、21。这时，取向层11、12可以具有对液晶分子310垂直取向的特性，也可以不具有这种特性。
具有这种结构的液晶显示器中，对薄膜晶体管显示板的制造方法进行概括说明如下。
首先，在下部绝缘基板110上用溅射等方法连续沉积由Cr或Mo合金等组成的第一金属层201以及由低阻抗Al或Ag合金等组成的第二金属层202，并利用掩膜的光学蚀刻工序进行干蚀刻或湿蚀刻，从而形成栅极线121和存储电极线131。
接着，利用化学汽相沉积法将栅极绝缘层140、重掺杂氢化非晶硅层及磷(P)等n型杂质的非晶硅层分别按照至 至至的厚度进行连续沉积，用掩膜的光学蚀刻工序顺次对掺杂的非晶硅层和非晶硅层制造布线图案，形成连接通道部的欧姆接触层和非晶硅层151、154。
接着，用溅射等方法以至的厚度沉积由Cr或Mo等组成的第一金属层701和由低阻抗Al或Ag合金等组成的第二金属层702等导电体层后，用掩膜的光学蚀刻工序制造布线图案，形成数据线171、173、179及漏极及存储电容器导电体177。
接着，蚀刻未被源极173及漏极175遮挡的欧姆接触层，露出源极173和漏极175之间的半导体层154，并完成分离成在两侧的欧姆接触部件163、165。
接着，涂布感光性有机绝缘材料而形成钝化层180，并通过具有狭缝部分的光掩膜进行曝光与显像，形成接触孔181、182、183。
这时，光掩膜的狭缝部分是使接触孔181、182、183的接触孔侧壁倾斜较缓或者使其具有阶梯形剖面，设置它们时，使其对应将要成为接触孔侧壁的部分。
通过具有这种狭缝部分的光掩膜曝光钝化层180时，所有将要成为钝化层180接触孔181、182、183的部分被感光，而将要成为接触孔侧壁的部分则部分被感光。所谓被感光，表示光分解了聚合物。
接着，显像钝化层180，可形成具有阶梯形侧壁的接触孔181、182、183。
接着，如图4及图5所示，蚀刻通过接触孔181、182、183露出的布线第二金属层202、702，并除去。并以至
Figure S04159475420040706D000132
的厚度沉积ITO或IZO，对其进行光学蚀刻，形成像素电极190和接触辅助部件95、97。
这种方法是利用不同掩膜的光学蚀刻工序对各层制造布线图案的制造方法，但即使对不同的层，利用一个掩膜也可以制造出根据本发明的液晶显示器薄膜晶体管显示板。对此参照图6及图7进行详细说明。
图6是根据本发明第二实施例的薄膜晶体管显示板的布局图，图7是包括图6薄膜晶体管显示板的液晶显示器沿着线VII-VII′的截面图。
根据第二实施例的液晶显示器薄膜晶体管显示板是利用一个掩膜以光学蚀刻工序对数据线和半导体层制造了布线图案，比起第一实施例的薄膜晶体管显示板具有如下特征。在这里，由于共同电极显示板200的结构大部分相同，只在图7中示出。而图6只示出了共同电极270的折叠部271、272。
在数据线171、173、179及漏极175下面与其基本上相同的图案形成接触部件161、163、165。除了源极173和漏极175之间相连的通道部，非晶硅层151、154、159基本上也具有与数据线171及漏极175相同的图案。
并且，组成像素电极190的副像素电极190a、190b是以数据线171为中心设置于两侧。而存储电极布线131、133则与栅极线121邻接设置，设置在像素的边缘。这时，与第一实施例不同，不具有存储电容器导电体，而漏极175随着像素形态扩张，并与存储电极133重叠而形成存储电容器。
下面，对具有这种结构特征的薄膜晶体管显示板的制造方法概括地进行说明。
这种根据本发明的第二实施例的薄膜晶体管显示板制造方法，对数据线171及漏极175和半导体层151、154、159利用一个感光层图案的光学蚀刻工序制作布线图案。这时，感光层图案包括厚度不同的第一部分和第二部分，第二部分位于薄膜晶体管的通道区域，第一部分位于数据线及漏极区域，第二部分比第一部分要薄。在这里，第一、第二部分是用来对半导体层151、154、159制作布线图案的蚀刻掩膜的，第二部分是用来对数据线及漏极制作布线图案的。像这样，根据位置的不同而改变感光层图案厚度的方法有多种，比如光掩膜上设置透明区域及遮光区域之外还设置半透明区域的方法。半透明区域可以具有狭缝图案、晶格图案或透射比为中等或厚度为中等的薄膜。优选地，使用狭缝图案时狭缝的宽度或狭缝间距应比光学工序中使用的分解能要小。其它例子是使用可回流的感光层。即，利用只具有透明区域和遮光区域的通常掩膜的形成可回流的感光层图案，让其回流，流向没有感光层残留的区域，并产生很薄的部分。
上述第一及第二实施例中像素电极及共同电极只具有折叠部的像素分割件，随着液晶显示器大型化，像素分割件可以有两个以上，可形成各种形态。
另外，第一及第二实施例中，红、绿、蓝滤色器设置在共同电极显示板上，但也可设置在薄膜晶体管显示板上。对此参照图具体说明。
图8根据本发明第三实施例的包含薄膜晶体管显示板的液晶显示器构造布局图，图9是包含图8的薄膜晶体管显示板的液晶显示器沿着线IX-IX′的截面图。
图8及图9所示，根据本发明第三实施例的薄膜晶体管显示板及包括该显示板的液晶显示器结构大部分与图3及图5相同。
与第一及第二实施例不同，钝化层180的下方具有露出漏极175的接触孔181的红、绿、蓝滤色器R、G、B纵向形成，且随着像素形态呈弯曲状。在这里示出了红、绿、蓝滤色器R、G、B的边界与数据线171上部一致，但可以在数据线上部重叠具有遮挡像素区域间泄漏光的功能，但分别设置栅极线及数据线末端125、179的衬垫部上并未形成。
这种根据本发明第三实施例的薄膜晶体管显示板及包含该显示板的液晶显示器也具有与第一及第二实施例相同的效果。
如上所述，本发明实施例中将像素设计成两次弯曲状，即使像素间距增大，但像素的形态可分散成锯齿状，显示图像时看不出像素的形态，提高了显示特性。还有，通过这些可以确保传送到像素内部的驱动电压，可防止液晶应答速度下降的现象。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (15)

1.一种薄膜晶体管显示板，包括：
绝缘基板；
第一信号线，在所述绝缘基板上形成；
第二信号线，在所述绝缘基板上形成并具有与所述第一信号线绝缘交叉的延伸部分和两个以上弯曲部分；
像素电极，具有平行于所述第二信号线的折叠部并且位于由所述第一信号线和所述第二信号线所限定的区域中，并与所述第二信号线邻接的边缘沿着所述第二信号线弯曲；
薄膜晶体管，与所述第一信号线、所述第二信号线、及所述像素电极连接，
其中所述第二信号线弯曲部分和所述延伸部分以像素长度为单位反复出现，
其中，所述第二信号线的每一个所述弯曲部分包括多个与所述第一信号线分别成45度或-45度的直线部分；
其中，与所述第一信号线成45度的所述直线部分和与所述第一信号线成-45度的所述直线部分交替连接，
其中，所述折叠部是像素分割件，平行于所述第二信号线的弯曲部分，以及
其中，所述薄膜晶体管显示板应用于液晶分子的长轴相对于该显示板垂直取向的液晶显示器。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管显示板，其特征在于，还包括与所述第一信号线并列的第三信号线，与所述像素电极连接的导电体或所述薄膜晶体管端子与所述第三信号线的一部分重叠并形成存储电容。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管显示板，其特征在于，所述薄膜晶体管中与所述第二信号线连接的端子与所述第二信号线分支部分连接。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管显示板，其特征在于，所述折叠部将所述像素电极分成两部分。
5.一种薄膜晶体管显示板，包括：
绝缘基板；
栅极线，在所述绝缘基板上形成并具有栅极；
栅极绝缘层，在栅极上形成；
半导体层，在所述栅极绝缘层上形成；
数据线，在所述绝缘基板上形成，具有两个以上弯曲部分和多个与所述栅极线交叉的延伸部分并具有与所述半导体层相接的源极，所述弯曲部分与所述延伸部分以像素长度为单位反复出现；以及
漏极，以所述栅极为中心分别与所述源极面对并与所述半导体层相接；
钝化层，覆盖所述半导体层；以及
像素电极，与所述漏极连接，具有折叠部并且位于由所述栅极线和所述数据线所限定的区域中，并与所述数据线邻接的边缘沿着所述数据线弯曲，
其中，所述折叠部是像素分割件，平行于所述数据线的弯曲部分，以及
其中，所述薄膜晶体管显示板应用于液晶分子的长轴相对于该显示板垂直取向的液晶显示器。
6.根据权利要求5所述的薄膜晶体管显示板，其特征在于，所述数据线弯曲部分包括多个与所述栅极线分别成45度或-45度的直线部分，以及
其中，与所述栅极线成45度的所述直线部分和与所述栅极线成-45度的所述直线部分交替连接。
7.根据权利要求5所述的薄膜晶体管显示板，其特征在于，还包括与所述栅极线并列形成的存储电极线及与所述存储电极线连接并与所述漏极或所述像素电极连接的导电体重叠、比所述存储电极线宽度宽的存储电极。
8.根据权利要求5所述的薄膜晶体管显示板，其特征在于，所述像素电极在所述钝化层上形成。
9.根据权利要求5所述的薄膜晶体管显示板，其特征在于，所述钝化层由无机或有机绝缘材料组成。
10.根据权利要求5所述的薄膜晶体管显示板，其特征在于，还包括在所述钝化层下部的滤色器。
11.根据权利要求10所述的薄膜晶体管显示板，其特征在于，所述滤色器随着由所述数据线划分的像素列分别形成红、绿、蓝滤色器，并反复出现红、绿及蓝色。
12.根据权利要求5所述的薄膜晶体管显示板，其特征在于，所述半导体层包括在所述数据线下面形成并与所述数据线基本上具有相同平面图案的数据线部和在所述源极及所述漏极下面及其周边形成的通道部。
13.一种液晶显示器，包括：
第一绝缘基板；
第一信号线，在所述第一绝缘基板上形成；
第二信号线，在所述第一绝缘基板上形成并具有与所述第一信号线绝缘交叉的延伸部分和两个以上弯曲部分，所述弯曲部分与所述延伸部分以像素长度为单位反复出现；
像素电极，具有平行于所述第二信号线的折叠部并且位于由所述第一信号线和所述第二信号线所限定的区域中，并与所述第二信号线邻接的边缘沿着所述第二信号线弯曲；
薄膜晶体管，与所述第一信号线、所述第二信号线、及所述像素电极连接；
第二绝缘基板，与所述第一绝缘基板面对；
共同电极，在所述第二绝缘基板上形成；
区域分割件，在所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板中至少一侧形成；
液晶层，注入在所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板之间，所述液晶分子的长轴相对于所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板垂直取向；
其中所述像素通过所述区域分割件分割成多个区域，所述区域的两个长边与邻接的所述第二信号线的弯曲部基本上并列，
其中，所述第二信号线的每一个所述弯曲部分包括多个分别与所述第一信号线成45度或-45度的直线部分，
其中，与所述第一信号线成45度的所述直线部分和与所述第一信号线成-45度的所述直线部分交替连接，以及，
其中，所述折叠部是像素分割件，平行于所述第二信号线的弯曲部分。
14.根据权利要求13所述的液晶显示器，其特征在于，包含在所述液晶层的液晶具有负介电各向异性，所述液晶的长轴对所述第一基板及所述第二基板垂直取向。
15.根据权利要求13所述的液晶显示器，其特征在于，所述区域分割件是所述像素电极或共同电极具有的折叠部。
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