JP2507085B2 - アクティブマトリクス基板の検査方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は画像表示装置に関するものであり、とりわけ
アクティブマトリクス編成の画像表示装置において有効
な点欠陥の検出を高速で実施することが可能な検査方法
を提供するものである。

従来の技術 本発明者は、点欠陥の検出および補修の可能なアクテ
ィブマトリクス基板の製造方法を提案しいるが、これ
は、スイッチング素子である絶縁ゲート型トランジスタ
の電気的特性の検査・評価がアクティブマトリクス基板
上で可能となるように、まず除去可能な配線材を用いて
駆動用の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極また
は絵素電極と必要な信号線との間、複数個の絶縁ゲート
型トランジスタのドレイン電極または絵素電極相互間、
さらには補助の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電
極との間等に仮の電気的接続を与えておいて絶縁ゲート
型トランジスタの電気検査を行い、点欠陥の主原因であ
る特性不良の絶縁ゲート型トランジスタの位置を検出す
ることができる。

そして特性不良の位置と種類の情報により判断してパ
ネル組み立て工程に当該のアクティブマトリクス基板を
進めるかどうか決定する。パネル組み立て工程への進行
に先立ち、除去可能な配線材で形成された仮の接続を正
規の配線に悪影響を及ぼさないように工夫された食刻で
除去し、さらに複数個の絶縁ゲート型トランジスタで単
位絵素が構成されているものに関しては、レーザ照射等
の切断手段を用いて内部短絡を有する様な特性不良の絶
縁ゲート型トランジスタと絵素電極との接続を解除して
おくことにより、点欠陥の補修がなされた液晶パネルを
得ることができるものである。

さらに改善された製造方法においては、絵素電極の形
成を複数個の絶縁ゲート型トランジスタの電気検査終了
後に行ない、特性不良の絶縁ゲート型トランジスタを選
択的に除外して正常な絶縁ゲート型トランジスタのみで
絵素電極を共有することにより点欠陥の発生を極めて高
い精度で抑制することが可能となっている。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、同発明においては駆動用の絶縁ゲート
型トランジスタの電気検査方法の基礎概念を示したに過
ぎず、絶縁ゲート型トランジスタが様々にパターン配置
された種々のアクティブマトリクス基板の電気検査に適
用するのは困難であった。特に画素数が多い場合には検
査時間が長くなって非常に効率が悪くなる。

本発明はカラーフィルタ形成前の検査を可能にして、
上記問題点を解消することを目的とする。

課題を解決するための手段 本発明は、２個の絶縁ゲート型トランジスタが直列に
閉ループを構成するように電圧信号を複数個の信号線に
同時に印加すると同時に残りの信号線は接地または開放
し、各信号線を流れる電流値を一斉に計測することによ
って検査時間の大幅な短縮化を達成するものである。

作用 ２個の絶縁ゲート型トランジスタを直列に含む閉ルー
プ毎に流れる電流は同時に計測されるので、全体の計測
時間は２個の絶縁ゲート型トランジスタをON/OFFさせて
検査する時間の繰り返しで決定される。すなわち、信号
線の数が幾ら多くなっても検査時間は長くならない。

実施例 本発明においては信号線間への電圧の与え方に対応し
て５通りの実施例を発明とし、各実施例に対応する実施
態様項として画像構成を記述する。

第１図はアクティブマトリクス基板の、本発明の第１
の実施例による検査時の電圧源41と電流計42の接続を示
す等価回路である。第１図の検査システムで対応可能な
走査線11と信号線12の交点毎に一組の絶縁ゲート型トラ
ンジスタ10と絵素電極とを有するアクティブマトリクス
構成の液晶パネルの等価回路の一例を第２図に示す。な
お、第２図において、13は液晶セル、15は共通電極であ
る。

先ず、第１図（ａ）の回路構成に従ってｎ＋２番（ｎ
＋２＋4k番、なお、ｋ＝０、±１、±２、±３、・・
・、以下省略）の信号線には正の電圧を電圧源41より印
加し、ｎ番（ｎ＋4k番、以下省略）の信号線は接地して
上記信号線12、12間に第１の閉ループ43−１を構成し、
ｎ番の信号線に電流計42を接続する。そこでｍ番の走査
線11に、絶縁ゲート型トランジスタ10が十分にONする電
圧とOFFする電圧を選択して印加する。ｎ番とｎ＋２番
の信号線12の間を流れる電流値を測定することにより、
（m,n）番地と（m,n＋１）番地の二つの絶縁ゲート型ト
ランジスタ10を直列に接続した状態でON/OFF検査するこ
とができる。同様にｎ＋２番とｎ＋４番の信号線12の間
を流れる電流値を測定することにより、（m,n＋２）番
地と（m,n＋３）番地の二つの絶縁ゲート型トランジス
タを直列に接続した状態でON/OFF検査することができ
る。

次に第１図（ｂ）の回路構成に従って、ｎ＋１番の信
号線12に正の電圧を電圧源41より印加し、ｎ番の信号線
12は接地してこれら信号線12、12間に第２の閉ループ43
−２を構成して各信号線12に電流計42を接続する。ｍ番
の走査線11に絶縁ゲート型トランジスタ10が十分にONす
る電圧とOFFする電圧を選択して印加する。ｎ−１番と
ｎ＋１番の信号線12の間を流れる電流値を測定すること
により、（m,n＋１）番地と（m,n＋２）番地の二つの絶
縁ゲート型トランジスタ10を直列に接続した状態でON/O
FF検査する。同様にｎ＋３番とｎ＋５番の信号線12、12
間を流れる電流値を測定することにより、（m,n＋３）
番地と（m,n＋４）番地の二つの絶縁ゲート型トランジ
スタを直列に接続した状態でON/OFF検査することができ
る。

このように電流計42または電流を計測可能な素子・計
器を上記信号線に接続しておくことにより、１本おきに
隣合った信号線12、12間で構成される全ての閉ループ43
のいずれかに絶縁ゲート型トランジスタの特性不良また
は内部短絡による電流異常が発生しても信号線12に流れ
る電流値の比較からその発生位置が同定可能となってい
る。例えば、絶縁ゲート型トランジスタ10がON状態にあ
る時に、ｎ＋２番とｎ＋４番の信号線12間が開放状態で
あるとこれらの12に接続された電流計42は、ｎ番とｎ＋
６番の信号線に接続された電流計42の半分の値しか示さ
ないので、（m,n＋２）番地と（m,n＋３）番地の二つの
絶縁ゲート型トランジスタ10のいずれかが開放状態にあ
ることが分かる。一方、ｎ＋１番とｎ＋３番の信号線に
接続された電流計42が、ｎ−１番とｎ＋５番の信号線12
に接続された電流計42の半分の値しか示さない場合に
は、（m,n＋１）番地と（m,n＋２）番地の二つの絶縁ゲ
ート型トランジスタ10のいずれかが開放状態にあること
が分かるので、２回の検査を総合判定した結果は（m,n
＋２）番地の絶縁ゲート型トランジスタが開放状態にあ
ると決定できるのである。

第１図（ａ）と第１図（ｂ）で示した２回の測定によ
って全ての番地の絶縁ゲート型トランジスタは２回続け
て検査されることになり、絶縁ゲート型トランジスタ10
のソース・ドレイン間に点欠陥の原因となる短絡と開放
が連続して発生しない限り、横方向（ｍ番地）の全ての
絶縁ゲート型トランジスタ10のON/OFF特性を一斉に知る
ことが出来る。従って上記した検査を全ての走査線11に
対して実施することにより、対象とする表示エリア内の
全ての絶縁ゲート型トランジスタ10のON/OFF特性が高速
で検査出来るのである。

絶縁ゲート型トランジスタ10の電気検査終了後に、絶
縁ゲート型トランジスタ10のドレイン電極と隣接する信
号線12とを接続する接続線20を含んで形成された開口部
21内の接続線20の部分を除去する等の手段によって、絶
縁ゲート型トランジスタ10のドレイン電極または絵素電
極と隣接する信号線12との接続を解除することにより、
最終的には従来の液晶パネルと同一の回路構成となり、
点欠陥を高速で検出可能とするための接続線20の存在に
よる副次的な欠陥の発生する恐れも大幅に低下してい
る。

第３図はアクティブマトリクス基板の本発明の第２の
実施例による検査時の電圧源と電流計の接続を示す等価
回路であ。第３図の検査システムで対応可能な、同一の
走査線11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トラン
ジスタと絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線
11と信号線12の交点毎に複数個有するアクティブマトリ
クス基板の等価回路を第４図（ａ）（ｂ）に示す。

第３図の回路構成に従って、走査線11と信号線12とで
駆動される絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２と絵素
電極とより成る一組の構成単位を、走査線11と信号線12
の交点毎に複数組有するアクティブマトリクス基板にお
いて、ｎ＋２番の信号線12とｎ＋３番の信号線12には正
の電圧を電圧源41より印加し、ｎ番の信号線12とｎ＋１
番の信号線12は接地して１本おきに２種類の閉ループ43
−１、２を構成し、全ての信号線には電流計42を接続し
て各信号線に流れる電流を計測する。走査線11と信号線
12とが短絡してしない限り、２種類の閉ループ43−１、
２は独立しているので、走査線11に印加する直流電圧に
絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２が十分にONする電
圧とOFFする電圧を選択して印加し、各信号線12に流れ
る電流を計測することにより、第１の実施例で説明した
ように全ての閉ループ43のいずれかに絶縁ゲート型トラ
ンジスタの特性不良または内部短絡による電流異常が発
生してもその位置は同定可能である。

走査線11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トラ
ンジスタと絵素電極とより成る一組の構成単位を走査線
11と信号線12の交点毎に二組有するアクティブマトリク
ス基板は、第４図（ａ）（ｂ）に示すように２種類考え
られる。

まず第４図（ａ）の第１の場合においては、走査線11
と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ10
と絵素電極とより成る一組の構成単位を走査線11と信号
線12の交点毎にかつ信号線12の両側に二組有するアクテ
ィブマトリクス基板において、（m,n）番地の第１の絶
縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または絵素電極
と（m,n＋２）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ
のドレイン電極または絵素電極とが除去可能な配線材20
で接続されて形成されており、１本おきに信号線ｎ番と
ｎ＋２番、ｎ＋１番とｎ＋３番…の２本の信号線12の間
で閉ループ43−１、２が構成される。しかしながら、第
１と第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２は共通
するｍ番の走査線11でON/OFF制御されるので、等価回路
の対称性から第１と第２のどちらかの絶縁ゲート型トラ
ンジスタ10−１、２にON電流小あるいはOFF電流大の点
欠陥の原因が存在するかを識別することはできないが、
どちらかの絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２にON電
流小あるいはOFF電流大の点欠陥の原因が存在すること
を知ることができる。すなわち、点欠陥の検出は可能で
ある。また絶縁ゲート型トランジスタ10が十分にONする
電圧とOFFする電圧を選択して印加するのは、走査線11
（ｍ）１本だけでよく、上記した検査を全ての走査線に
対して実施することにより、対象とする表示エリア内の
全ての絶縁ゲート型トランジスタ10のON/OFF特性が高速
で検査できるのである。

次に第４図（ｂ）の第２の場合においては、走査線11
と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ10
−１、２と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査
線11と信号線12の交点毎にかつ対角の位置に二組有する
アクティブマトリクス基板において、（m,n）番地の第
１の絶縁ゲート型トランジスタ10−１のドレイン電極ま
たは絵素電極と（ｍ＋1,n＋２）番地の第２の絶縁ゲー
ト型トランジスタ10−２のドレイン電極または絵素電極
とが除去可能な配線材で接続されて形成され、第１と第
２の絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２を直列にして
電気特性が検査されており、１本おきにｎ番とｎ＋２
番、ｎ＋１番とｎ＋３番…の２本の信号線12間で閉ルー
プ43−１、２が構成される。そして、第１と第２の絶縁
ゲート型トランジスタ10−１、２は別々の走査線11でON
/OFF制御される等価回路の非対称性から第１と第２の絶
縁ゲート型トランジスタ10−１、２にOFF電流大（SD間
短絡）の不良が発生しても識別可能である。しかしなが
ら、ON電流小（SD間開放）の不良に対しては識別は不可
能である。ただし、絶縁ゲート型トランジスタ10が十分
にONする電圧とOFFする電圧を選択して印加するのは、
ｍ番の走査線11とｍ＋１番の走査線11との２本が必要と
なり、検査システムがやや複雑となる。

２個の絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２が直列に
閉ループ43−１、２を構成し、しかも各閉ループ43−
１、２が独立していることから絶縁ゲート型トランジス
タ10のソース・ドレイン間に点欠陥の原因となる短絡と
開放が連続して発生しない限り、横方向の全ての絶縁ゲ
ート型トランジスタ10のON/OFF特性を一斉に知ることが
できる。従って上記した検査を全ての走査線11に対して
実施することにより、対象とする表示エリア内の全ての
絶縁ゲート型トランジスタ10のON/OFF特性が高速で検査
できるのである。

第５図は本発明の第３の実施例におけるアクティブマ
トリクス基板の検査時の電圧源と電流計の接続を示す等
価回路である。第５図の検査システムで対応可能な、走
査線11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジ
スタと絵素電極とより成る一組の構成単位を走査線11と
信号線12の交点毎に複数組有するアクティブマトリクス
構成の液晶パネルまたはアクティブマトリクス基板の等
価回路を第６図（ａ）（ｍ）に示す。

第５図の回路構成に従って、走査線11と信号線12とで
駆動される絶縁ゲート型トランジスタ10と絵素電極とよ
り成る一組の構成単位を、走査線11と信号線12の交点毎
に複数組有するアクティブマトリクス基板において、１
本おきに信号線12に正の電圧を電圧源41より印加し、そ
の他の信号線12は接地して隣合った信号線12との間に閉
ループ43を構成し、全ての信号線12に電流計42を接続し
て各信号線12に流れる電流を計測する。閉ループ43内に
は２個の絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２が直列に
接続して含まれるように接続線20が形成されている。全
ての閉ループ43は独立しているので、走査線11に印加す
る直流電圧に絶縁ゲート型トランジスタ10が十分にONす
る電圧とOFFする電圧を選択して印加し、各信号線に流
れる電流を一斉に計測することにより、全ての閉ループ
43のいずれかに絶縁ゲート型トランジスタ10の特性不良
または内部短絡による電流異常が発生してもその位置は
同定可能である。

２個の絶縁ゲート型トランジスタが直列に閉ループ43
を構成し、しかも各閉ループ３が独立していることから
絶縁ゲート型トランジスタ10のソース・ドレイン間に点
欠陥の原因となる短絡と開放が連続して発生しない限
り、横方向の全ての絶縁ゲート型トランジスタ10のON/O
FF特性を一斉に知ることができる。従って上記した検査
を全ての走査線11に対して実施することにより、対象と
する表示エリア内の全ての絶縁ゲート型トランジスタ10
のON/OFF特性が高速で検査できるのである。

走査線11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トラ
ンジスタ10−１、２と絵素電極とより成る一組の構成単
位を走査線11と信号線12の交点毎にかつ複数組有するア
クティブマトリクス構成の液晶パネルまたはアクティブ
マトリクス基板は、第６図（ａ）〜（ｍ）に示すように
13種類考えられ、以下順に説明していく。

第６図（ａ）に示した第１の場合においては、走査線
11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ
10−１、２と絵素電極とより成る一組の構成単位を走査
線11と信号線12の交点毎に信号線の両側に二組有するア
クティブマトリクス基板において、（m,n）番地の第１
の絶縁ゲート型トランジスタ10−１のドレイン電極また
は絵素電極と（m,n＋１）番地の第２の絶縁ゲート型ト
ランジスタ10−２のドレイン電極または絵素電極とが除
去可能な配線材20で接続されて形成され、第１と第２の
絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２を直列にして隣合
った信号線ｎ番とｎ＋１番、ｎ＋１番とｎ＋２番…の２
本の信号線12の間に閉ループ43が構成される。しかしな
がら、第１と第２の絶縁ゲート型トランジスタは共通す
る走査線11でON/OFF制御されるので、等価回路の対称性
から第１と第２のどちらの絶縁ゲート型トランジスタ10
−１、２にON電流小あるいはOFF電流大の点欠陥の原因
が存在するかを識別することはできないが、どちらかの
絶縁ゲート型トランジスタにON電流小あるいはOFF電流
大の点欠陥の原因が存在することを知ることができる。
すなわち、点欠陥の検出は可能である。また絶縁ゲート
型トランジスタ10が十分にONする電圧とOFFする電圧を
選択して印可するのは、ｍ番の走査線11だけでよい。

第６図（ｂ）に示した第２の場合においては、走査線
11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ
と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線11と信
号線12の交点毎にかつ走査線11の両側に二組有するアク
ティブマトリクス基板において、（m,n）番地の第１の
絶縁ゲート型トランジスタ10−１のドレイン電極または
絵素電極と（ｍ＋1,n＋１）番地の第２の絶縁ゲート型
トランジスタ10−２のドレイン電極または絵素電極とが
除去可能な配線材20で接続されて形成され、第１と第２
の絶縁ゲート型トランジスタを直列にして隣会った信号
線間に閉ループが構成される。そして第１と第２の絶縁
ゲート型トランジスタ10−１、２を直列にして電気特性
が検査されるので、等価回路の非対称性から２個の絶縁
ゲート型トランジスタ10−１、２のどちらかにOFF電流
大の不良が発生しても識別可能である。しかしながら、
ON電流小の不良に対してはその回路構成の対称性から識
別は不可能である。また絶縁ゲート型トランジスタ10が
十分にONする電圧とOFFする電圧を選択して印加するの
は、ｍ番の走査線11とｍ＋１番の走査線11との２本が必
要である。第６図（ｃ）に示した第３の場合において
は、走査線11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型ト
ランジスタ10と絵素電極とより成る一組の構成単位を、
走査線11と信号線12の交点毎に走査線の両側に二組有す
るアクティブマトリクス基板において、（m,n）番地の
第１の絶縁ゲート型トランジスタ10−１のドレイン電極
または絵素電極と（ｍ＋1,n＋１）番地の第２の絶縁ゲ
ート型トランジスタ10−２のドレイン電極または絵素電
極とが除去可能な配線材20で接続されて形成され、第１
と第２の絶縁ゲート型トランジスタを直列にして隣合っ
た信号線12、12間に閉ループ43が構成される。そして第
１と第２の絶縁ゲート型トランジスタを直列にして電気
特性が検査されるので、等価回路の非対称性から２個の
絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２のどちらかにOFF
電流大の不良が発生しても識別可能である。ON電流小の
不良に対してはその回路構成の対称性から識別は不可能
である。また絶縁ゲート型トランジスタ10が十分にONす
る電圧とOFFする電圧を選択して印加するのは、ｍ番の
走査線11とｍ＋１番の走査線11との２本が必要である。

第６図（ｄ）に示した第４の場合においては、走査線
11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ
10と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線11と
信号線12の交点毎にかつ対角の位置に二組有するアクテ
ィブマトリクス基板において、（m,n）番地の第１の絶
縁ゲート型トランジスタ10−１のドレイン電極または絵
素電極と（ｍ＋1,n＋１）番地の第２の絶縁ゲート型ト
ランジスタ10−２のドレイン電極または絵素電極とが除
去可能な配線材20で接続されて形成され、第１と第２の
絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２を直列にして隣合
った信号線12、12間に閉ループ43が構成される。そして
第１と第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２を直
列にして電気特性が検査されるので、等価回路の非対称
性から２個の絶縁ゲート型トランジスタのどちらかにOF
F電流大の不良が発生しても識別可能である。しかしな
がら、ON電流小の不良に対してはその回路構成の対称性
から識別は不可能である。また絶縁ゲート型トランジス
タ10が十分にONする電圧とOFFする電圧を選択して印加
するのは、ｍ番の走査線11とｍ＋１番の走査線11との２
本が必要である。

第６図（ｅ）に示した第５の場合においては、走査線
11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ
と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線11と信
号線12の交点毎に対角の位置に二組有するアクティブマ
トリクス基板において、（m,n）番地の第１の絶縁ゲー
ト型トランジスタ10−１のドレイン電極または絵素電極
と（ｍ＋2,n＋１）番地の第２の絶縁ゲート型トランジ
スタ10−２のドレイン電極または絵素電極とが除去可能
な配線材20で接続されて形成され、第１と第２の絶縁ゲ
ート型トランジスタ10−１、２を直列にして隣合った信
号線間に閉ループ43が構成される。そして第１と第２の
絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２を直列にして電気
特性が検査されるので、等価回路の非対称性から２個の
絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２のどちらかにOFF
電流大の不良が発生しても識別可能である。しかしなが
ら、ON電流小の不良に対してはその回路構成の対称性か
ら識別は不可能である。また絶縁ゲート型トランジスタ
10が十分にONする電圧とOFFする電圧を選択して印加す
るのは、ｍ番の走査線11とｍ＋２番の走査線11の２本が
必要である。

第６図（ｆ）に示した第６の場合おいては、走査線11
と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ10
と絵素電極とより成る一組の構成単位を走査線11と信号
線12の交点毎に信号線の片側に二組有するアクティブマ
トリクス基板において、（m,n）番地の第１の絶縁ゲー
ト型トランジスタ10−１のドレイン電極または絵素電極
と（m,n＋１）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ1
0−２のドレイン電極または絵素電極とが除去可能な配
線材20で接続されて形成され、第１と第２の絶縁ゲート
型トランジスタ10−１、２を直列にして隣合った信号線
間に閉ループが構成される。そして第１と第２の絶縁ゲ
ート型トランジスタを直列にして電気特性が検査される
ので、等価回路の対象性から第１と第２のどちらの絶縁
ゲート型トランジスタにON電流小あるいはOFF電流大の
点欠陥の原因が存在するかを識別することはできない
が、どちらかの絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２に
ON電流小あるいはOFF電流大の点欠陥の原因が存在する
ことを知ることができる。すなわち、点欠陥の検出は可
能である。また絶縁ゲート型トランジスタ10が十分にON
する電圧とOFFする電圧を選択して印加するのは、ｍ番
の走査線11だけでよい。

第６図（ｇ）に示した第７の場合においては、走査線
11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ
10と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線11と
信号線12の交点毎に信号線の片側に二組有するアクティ
ブマトリクス基板において、（m,n）番地の第１の絶縁
ゲート型トランジスタ10−１のドレイン電極または絵素
電極と（ｍ＋1,n＋１）番地の第２の絶縁ゲート型トラ
ンジスタ10−２のドレイン電極または絵素電極とが除去
可能な配線材20で接続されて形成され、第１と第２の絶
縁ゲート型トランジスタを直列にして隣合った信号線間
に閉ループ43が構成される。そして第１と第２の絶縁ゲ
ート型トランジスタ10−１、２を直列にして電気特性が
検査されるので、等価回路の非対称性から２個の絶縁ゲ
ート型トランジスタ10−１、２のどちらかにOFF電流大
の不良が発生しても識別可能である。しかしながら、ON
電流小の不良に対してはその回路構成の対称性から識別
は不可能である。また絶縁ゲート型トランジスタ10が十
分にONする電圧とOFFする電圧を選択して印加するの
は、ｍ番の走査線11とｍ＋１番の走査線11との２本が必
要である。

第６図（ｈ）に示した第８の場合においては、走査線
11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ
10と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線11と
信号線12との交点毎に全ての対角の位置に４組有するア
クティブマトリクス基板において、（m,n）番地の第１
の絶縁ゲート型トランジスタ10−１のドレイン電極また
は絵素電極と（ｍ＋1,n＋１）番地の第２の絶縁ゲート
型トランジスタ10−２のドレイン電極または絵素電極と
が、および（m,n＋１）番地の第３の絶縁ゲート型トラ
ンジスタ10−３のドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋
2,n）番地の第４の絶縁ゲート型トランジスタ10−４の
ドレイン電極または絵素電極とが除去可能な配線材20−
１、２で接続されて形成され、第１と第２の絶縁ゲート
型トランジスタおよび第３と第４の絶縁ゲート型トラン
ジスタを直列にして隣合った信号線間に二つの閉ループ
が構成される。そして第１と第２および第３と第４の絶
縁ゲート型トランジスタ10−１〜４を２個ずつ直列にし
て電気特性が検査されるので、等価回路の非対称性から
各２個の絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２と10−
３、４のどちらかにOFF電流大の不良が発生しても識別
可能である。しかしながら、ON電流小の不良に対しては
その回路構成の対称性から識別は不可能である。また絶
縁ゲート型トランジスタ10が十分にONする電圧とOFFす
る電圧を選択して印加するのは、ｍ番の走査線11、ｍ＋
１番の走査線11およびｍ＋２番の走査線11との３本が必
要であり、ｍ番の走査線11とｍ＋１番の走査線11、ｍ番
の走査線11とｍ＋２番の走査線11との組合せで別々の閉
ループ43を選択する。

第６図（ｉ）に示した第９の場合においては、走査線
11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ
10と絵素電極とより成る一組の構成単位を、信号線12の
両側に二組ずつ有するアクティブマトリクス基板におい
て、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ10
−３のドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋2,n＋１）
番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−４のドレイ
ン電極または絵素電極とが、および（m,n）番地の第３
の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または絵素
電極と（ｍ＋1,n＋１）番地の第４の絶縁ゲート型トラ
ンジスタのドレイン電極または絵素電極とが除去可能な
配線材20−１、２で接続されて形成され、第１と第２の
絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２および第３と第４
の絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２を直列にして隣
合った信号線間に二つの閉ループ43が構成される。そし
て第１と第２および第３と第４の絶縁ゲート型トランジ
スタ10−１〜４を２個ずつ直列にして電気特性が検査さ
れるので、等価回路の非対称性から各２個の絶縁ゲート
型トランジスタ10−１、２と10−３、４のどちらかにOF
F電流大の不良が発生しても識別可能である。しかしな
がら、ON電流小の不良に対してはその回路構成の対称性
から識別は不可能である。また絶縁ゲート型トランジス
タ10が十分にONする電圧とOFFする電圧を選択して印加
するのは、ｍ番の走査線11、ｍ＋１番の走査線11および
ｍ＋２番の走査線11との３本が必要であり、ｍ番の走査
線11とｍ＋１番の走査線11、ｍ番の走査線11とｍ＋２番
の走査線11との組合せで別々の閉ループ43を選択する。

第６図（ｊ）に示した第10の場合においては、走査線
11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ
10と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線の両
側に二組ずつ有するアクティブマトリクス基板におい
て、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ10
−１のドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋1,n＋１）
番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−２のドレイ
ン電極または絵素電極とが、および（m,n＋１）番地の
第３の絶縁ゲート型トランジスタ10−３のドレイン電極
または絵素電極と（ｍ＋2,n）番地の第４の絶縁ゲート
型トランジスタ10−４のドレイン電極または絵素電極と
が除去可能な配線材20−１、２で接続されて形成され、
第１と第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２およ
び第３と第４の絶縁ゲート型トランジスタ10−３、４を
直列にして隣合った信号線間に二つの閉ループ43が構成
される。そして第１と第２および第３と第４の絶縁ゲー
ト型トランジスタ10−１〜４を２個ずつ直列にして電気
特性が検査されるので、等価回路の非対称性から各２個
の絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２と10−３、４の
どちらかにOFF電流大の不良が発生しても識別可能であ
る。しかしながら、ON電流小の不良に対してはその回路
構成の対称性から識別は不可能である。また絶縁ゲート
型トランジスタ10が十分にONする電圧とOFFする電圧を
選択して印加するのは、ｍ番の走査線11、ｍ＋１番の走
査線11およびｍ＋２番の走査線11との３本が必要であ
り、ｍ番の走査線11とｍ＋１番の走査線11、ｍ番の走査
線11とｍ＋２番の走査線11との組合せで別々の閉ループ
43を選択する。

第６図（ｋ）に示した第11の場合においては、走査線
11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ
と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線11と信
号線12との交点毎に対角の位置に二組ずつ有するアクテ
ィブマトリクス基板において、（m,n）番地の第１の絶
縁ゲート型トランジスタ10−１のドレイン電極または絵
素電極と（ｍ＋1,n＋１）番地の第２の絶縁ゲート型ト
ランジスタ10−２のドレイン電極または絵素電極とが、
および（m,n）番地の第３の絶縁ゲート型トランジスタ1
0−３のドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋2,n＋１）
番地の第４の絶縁ゲート型トランジスタ10−４のドレイ
ン電極または絵素電極とが除去可能な配線材20−１、２
で接続されて形成され、第１と第２の絶縁ゲート型トラ
ンジスタ10−１、２および第３と第４の絶縁ゲート型ト
ランジスタ10−３、４を直列にして隣合った信号線間に
二つの閉ループ43が構成される。そして第１と第２およ
び第３と第４の絶縁ゲート型トランジスタを２個ずつ直
列にして電気特性が検査されるので、等価回路の非対称
性から各２個の絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２と
10−３、４のどちらかにOFF電流大の不良が発生しても
識別可能である。しかしながら、ON電流小の不良に対し
てはその回路構成の対称性から識別は不可能である。ま
た絶縁ゲート型トランジスタ10が十分にONする電圧とOF
Fする電圧を選択して印加するのは、ｍ番の走査線11、
ｍ＋１番の走査線11およびｍ＋２番の走査線11との３本
が必要であり、ｍ番の走査線11とｍ＋１番の走査線11、
ｍ番の走査線11とｍ＋２番の走査線11との組合せで別々
の閉ループ43を選択する。

第６図（ｌ）に示した第12の場合においては、走査線
11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ
10と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線11と
信号線12との交点毎に走査線の両側に二組有するともに
補助の絶縁ゲート型トランジスタ40を有するアクティブ
マトリクス基板において、（m,n）番地の第１の絶縁ゲ
ート型トランジスタ10−１と（ｍ＋1,n）番地の第２の
絶縁ゲート型トランジスタ10−２のドレイン電極または
絵素電極と（ｍ＋2,n＋１）番地の補助の絶縁ゲート型
トランジスタ40のドレイン電極とが除去可能な配線材20
−１、２で接続されて形成され、第１の絶縁ゲート型ト
ランジスタ10−１と補助の絶縁ゲート型トランジスタ40
とを直列にして一つの閉ループ43が、また第２の絶縁ゲ
ート型トランジスタ10−２と補助の絶縁ゲート型トラン
ジスタ40とを直列にしてもう一つの閉ループ43が隣合っ
た信号線間に構成される。そして第１と補助の絶縁ゲー
ト型トランジスタおよび第２と補助の絶縁ゲート型トラ
ンジスタを２個ずつ直列にして電気特性が検査されるの
で、等価回路の非対称性から各２個の絶縁ゲート型トラ
ンジスタのどちらかにOFF電流大の不良が発生しても識
別可能である。しかしながら、ON電流小の不良に対して
はその回路構成の対称性から識別は不可能である。また
絶縁ゲート型トランジスタ10が十分にONする電圧とOFF
する電圧を選択して印加するのは、ｍ番の走査線11、ｍ
＋１番の走査線11およびｍ＋２番の走査線11との３本が
必要であり、ｍ番の走査線11とｍ＋１番の走査線11、ｍ
番の走査線11とｍ＋２番の走査線11との組合せで別々の
閉ループ43を選択する。

絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２の良否判定に当
り、補助の絶縁ゲート型トランジスタ40は２回の検査を
うけるため、共通因子として駆動用の絶縁ゲート型トラ
ンジスタの電気特性の評価に寄与できる。絶縁ゲート型
トランジスタのON電流少（ソース・ドレイン間開放も含
む）とOFF電流大（ソース・ドレイン間短絡も含む）等
の主要不良が隣接もしくは極めて近接して発生する確率
はほぼ０であるという仮定に従えば、例えば第１の絶縁
ゲート型トランジスタ10−１と補助の絶縁ゲート型トラ
ンジスタ40との組合せにおいて何れかの絶縁ゲート型ト
ランジスタにON電流少が発生した場合には、第２の絶縁
ゲート型トランジスタ10−２と補助の絶縁ゲート型トラ
ンジスタ40との組合せの結果が正常であれば、第１の絶
縁ゲート型トランジスタ10−１にON電流少が発生したと
判定でき、後者の組合せにおいても何れかの絶縁ゲート
型トランジスタにON電流小が発生しているのであれば、
第１と第２の絶縁ゲート型トランジスタに同時にON電流
小が発生する確率はほぼ０であるという仮定から補助の
絶縁ゲート型トランジスタにON電流少が発生したと判定
出来るのである。

第６図（ｍ）に示した第13の場合においては、同一の
走査線11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トラン
ジスタ10と絵素電極とより成る一組の構成単位を走査線
11と信号線12との交点毎にかつ信号線12の片側に二組有
するともに補助の絶縁ゲート型トランジスタ40を有する
アクティブマトリクス基板において、（m,n）番地の第
１の絶縁ゲート型トランジスタ10−１と（ｍ＋1,n）番
地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ40のドレイン電極
または絵素電極と（ｍ＋2,n＋１）番地の補助の絶縁ゲ
ート型トランジスタのドレイン電極とが除去可能な配線
材20−１、２で接続されて形成され、第１の絶縁ゲート
型トランジスタ10−１と補助の絶縁ゲート型トランジス
タ40とを直列にして一つの閉ループ43が、また第２の絶
縁ゲート型トランジスタ10−２と補助の絶縁ゲート型ト
ランジスタ40とを直列にしてもう一つの閉ループ43が隣
合った信号線間に構成される。そして第１と補助の絶縁
ゲート型トランジスタ10−１、40および第２と補助の絶
縁ゲート型トランジスタ10−２、40を２個ずつ直列にし
て電気特性が検査されるので、等価回路の非対称性から
各２個の絶縁ゲート型トランジスタのどちらかにOFF電
流大の不良が発生しても識別可能である。しかしなが
ら、ON電流小の不良に対してはその回路構成の対称性か
ら識別は不可能である。また絶縁ゲート型トランジスタ
10が十分にONする電圧とOFFする電圧を選択して印加す
るのは、走査線11、ｍ＋１番の走査線11およびｍ＋２番
の走査線11との３本が必要であり、ｍ番の走査線11とｍ
＋１番の走査線11、ｍ番の走査線11とｍ＋２番の走査線
11との組合せで別々の閉ループ43を選択する。

第６図（ｍ）の回路構成では、第１と第２の絶縁ゲー
ト型トランジスタは直列に閉ループ43を構成できないた
め、絶縁ゲート型トランジスタの良否判定に関する精度
は第12の場合と同等である。

第７図（ａ）（ｂ）は本発明の第４の実施例における
アクティブマトリクス基板の検査時の電圧源と電流計の
接続を示す等価回路である。第７図の検査システムで対
応可能な、同一の走査線と信号線とで駆動される絶縁ゲ
ート型トランジスタと絵素電極とより成る一組の構成単
位を、走査線11と信号線12の交点毎に複数組有するアク
ティブマトリクス基板の等価回路を第８図（ａ）〜
（ｆ）に示す。

先ず、第７図（ａ）の回路構成に従って走査線11と信
号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ10と絵
素電極とより成る一組の構成単位を、走査線11と信号線
12の交点毎に複数組有するアクティブマトリクス基板に
おいて、先ずｎ番の信号線12には電圧源41により正の電
圧を印加し、ｎ＋１番とｎ＋２＋３（ｋ−１）番の信号
線は接地して、ｎ＋３番の信号線と隣合った信号線12と
の間には第１の閉ループ43−１を、またｎ番の信号線12
と１本おきに隣合った信号線12との間には第２の閉ルー
プ43−２を構成し、全ての信号線12に電流計42を接続し
て各信号線12に流れる電流を計測する。

次に第７図（ｂ）に示したように、ｎ＋１番の信号線
12には電圧源41−２より正の電圧を印加し、ｎ＋２番の
信号線12は接地して、ｎ＋１番の信号線と隣合った信号
線12間には第３の閉ループ43−３を、またｎ＋１番の信
号線12と１本おきに隣合った信号線12間には第４の閉ル
ープ43−４を構成し、上記した信号線12には電流計42を
接続して各信号線12に流れる電流を計測する。全ての閉
ループ43内には２個の絶縁ゲート型トランジスタ10が直
列に接続して含まれるように接続線20が形成されてい
る。走査線11に印加する直流電圧に絶縁ゲート型トラン
ジスタ10が十分にONする電圧とOFFする電圧を選択して
印可し、各信号線12に流れる電流を計測することによ
り、全ての閉ループ43のいずれかに絶縁ゲート型トラン
ジスタ10の特性不良または内部短絡による電流異常が発
生してもその位置は同定可能である。

走査線11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トラ
ンジスタ10と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走
査線11と信号線12の交点毎に複数個有するアクティブマ
トリクス構成は、第８図に示すように６種類考えられ、
以下順に説明していく。

第８図（ａ）に示した第１の場合においては、走査線
11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ
10と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線11と
信号線12との交点毎にかつ全ての対角の位置に４組有す
るアクティブマトリクス基板において、（m,n）番地の
第１の絶縁ゲート型トランジスタ10−１のドレイン電極
または絵素電極と（ｍ＋1,n＋１）番地の第２の絶縁ゲ
ート型トランジスタ10−２のドレイン電極または絵素電
極とが、および（ｍ＋1,n）番地の第３の絶縁ゲート型
トランジスタ10−３のドレイン電極または絵素電極と
（m,n＋２）番地の第４の絶縁ゲート型トランジスタ10
−４のドレイン電極または絵素電極とが除去可能な配線
材20−１、２で接続されて形成されている。そして先
ず、第７図（ａ）の検査システムにより第１と第２の絶
縁ゲート型トランジスタ10−１、２とを直列にして第１
の閉ループ43−１が、第３と第４との絶縁ゲート型トラ
ンジスタ10−３、４とを直列にして第２の閉ループ43−
２が構成される。次に第７図（ｂ）の検査システムによ
り（m,n＋１）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ1
0−１と（ｍ＋1,n＋２）番地の第２の絶縁ゲート型トラ
ンジスタ10−２とを直列にして第３の閉ループ43−３
が、また（ｍ＋1,n−１）番地の第３の絶縁ゲート型ト
ランジスタ10−３と（m,n＋１）番地の第４の絶縁ゲー
ト型トランジスタ10−４とを直列にして第４の閉ループ
43−４が構成される。そして４つの閉ループの検査によ
り８個の絶縁ゲート型トランジスタ10は全て２個ずつ直
列にして電気特性が検査されるので、等価回路の非対称
性から各２個の絶縁ゲート型トランジスタ10のどちらか
にOFF電流大の不良が発生しても識別可能である。しか
しながら、ON電流小の不良に対してはその回路構成の対
称性から識別は不可能である。また絶縁ゲート型トラン
ジスタ10が十分にONする電圧とOFFする電圧を選択して
印加するのは、走査線11（ｍ）と走査線11（ｍ＋１）と
の２本が必要である。

第８図（ｂ）に示した第２の場合においては、走査線
11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ
10と絵素電極とより成る一組の構成単位を信号線の両側
に二組ずつ有するアクティブマトリクス基板において、
（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ10−１
のドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋1,n＋２）番地
の第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−２のドレイン電
極または絵素電極とが、および（m,n）番地の第３の絶
縁ゲート型トランジスタ10−３のドレイン電極または絵
素電極と（ｍ＋1,n＋１）番地の第４の絶縁ゲート型ト
ランジスタ10−４のドレイン電極または絵素電極とが除
去可能な配線材で接続されて形成されている。そして先
ず、第７図（ａ）の検査システムにより第１と第２の絶
縁ゲート型トランジスタ10−１、２とを直列にして第２
の閉ループ43−２が、第３と第４との絶縁ゲート型トラ
ンジスタ10−３、４とを直列にして第１の閉ループ43−
１が構成される。次に第７図（ｂ）の検査システムによ
り（m,n＋１）番地の第３の絶縁ゲート型トランジスタ1
0−３と（ｍ＋1,n＋２）番地の第４の絶縁ゲート型トラ
ンジスタ10−４とを直列にして第３の閉ループ43−３
が、また（m,n−１）番地の第１の絶縁ゲート型トラン
ジスタ10−１と（ｍ＋1,n＋１）番地の第２の絶縁ゲー
ト型トランジスタ10−２とを直列にして第４の閉ループ
43−４が構成される。そして４つの閉ループの検査によ
り８個の絶縁ゲート型トランジスタは全て２個ずつ直列
にして電気特性が検査されるので、等価回路の非対称性
から各２個の絶縁ゲート型トランジスタ10のどちらかに
OFF電流大の不良が発生しても識別可能である。しかし
ながら、ON電流小の不良に対してはその回路構成の対称
性から識別は不可能である。また絶縁ゲート型トランジ
スタ10が十分にONする電圧とOFFする電圧を選択して印
加するのは、ｍ番の走査線11とｍ＋１番の走査線11との
２本が必要である。

第８図（ｃ）に示した第３の場合においては、ｍ番の
走査線11とｎ番の信号線12とで駆動される絶縁ゲート型
トランジスタ10と絵素電極とより成る一組の構成単位
を、走査線11と信号線12との交点毎に対角の位置に二組
ずつ有するアクティブマトリクス基板において、（m,
n）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ10−１のド
レイン電極または絵素電極と（ｍ＋1,n＋１）番地の第
２の絶縁ゲート型トランジスタ10−２のドレイン電極ま
たは絵素電極とが、および（m,n）番地の第３の絶縁ゲ
ート型トランジスタ10−３のドレイン電極または絵素電
極と（ｍ＋1,n＋２）番地の第４の絶縁ゲート型トラン
ジスタ10−４のドレイン電極または絵素電極とが除去可
能な配線材で接続されて形成されている。そして先ず、
第７図（ａ）の検査システムにより第１と第２の絶縁ゲ
ート型トランジスタ10−１、２とを直列にして第１の閉
ループ43−１が、第３と第４との絶縁ゲート型トランジ
スタ10−３、４とを直列にして第２の閉ループ43−２が
構成される。

次に第７図（ｂ）の検査システムにより（m,n＋１）
番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ10−１と（ｍ＋
1,n＋２）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−
２とを直列にして第３の閉ループ43−３が、また（m,n
−１）番地の第３の絶縁ゲート型トランジスタ10−３と
（ｍ＋1,n＋１）番地の第４の絶縁ゲート型トランジス
タ10−４とを直列にして第４の閉ループ43−４が構成さ
れる。そして４つの閉ループの検査により８個の絶縁ゲ
ート型トランジスタ10は全て２個ずつ直列にして電気特
性が検査されるので、等価回路の非対称性から各２個の
絶縁ゲート型トランジスタ10のどちらかにOFF電流大の
不良が発生しても識別可能である。しかしながら、ON電
流小の不良に対してはその回路構成の対称性から識別は
不可能である。また絶縁ゲート型トランジスタ10が十分
にONする電圧とOFFする電圧を選択して印加するのは、
ｍ番の走査線11とｍ＋１番の走査線11との２本が必要で
ある。

第８図（ｄ）に示した第４の場合においては、走査線
11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ
10と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線11の
両側に二組ずつ有するアクティブマトリクス基板におい
て、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ10
−１のドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋1,n＋１）
番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−２のドレイ
ン電極または絵素電極とが、および（m,n＋２）番地の
第３の絶縁ゲート型トランジスタ10−３のドレイン電極
または絵素電極と（ｍ＋1,n）番地の第４の絶縁ゲート
型トランジスタ10−４のドレイン電極または絵素電極と
が除去可能な配線材で接続されて形成されている。そし
て先ず、第７図（ａ）の検査システムにより第１と第２
の絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２とを直列にして
第１の閉ループ43−１が、第３と第４との絶縁ゲート型
トランジスタ10−３、４とを直列にして第２の閉ループ
43−２が構成される。次に第７図（ｂ）の検査システム
により（m,n＋１）番地の第１の絶縁ゲート型トランジ
スタ10−１と（ｍ＋1,n＋２）番地の第２の絶縁ゲート
型トランジスタ10−２とを直列にして第３の閉ループ43
−３が、また（m,n＋１）番地の第３の絶縁ゲート型ト
ランジスタ10−３と（ｍ＋1,n−１）番地の第４の絶縁
ゲート型トランジスタ10−４とを直列にして第４の閉ル
ープ43−４が構成される。そして４つの閉ループの検査
により８個の絶縁ゲート型トランジスタ10は全て２個ず
つ直列にして電気特性が検査されるので、等価回路の非
対称性から各２個の絶縁ゲート型トランジスタ10のどち
らかにOFF電流大の不良が発生しても識別可能である。
しかしながら、ON電流小の不良に対してはその回路構成
の対称性から識別は不可能である。また絶縁ゲート型ト
ランジスタ10が十分にONする電圧とOFFする電圧を選択
して印可するのは、ｍ番の走査線11とｍ＋１番の走査線
11との２本が必要である。

第８図（ｅ）に示した第５の場合においては、走査線
11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ
10と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線11と
信号線12の交点毎に対角の位置に二組有するアクティブ
マトリクス基板において、（m,n）番地の第１の絶縁ゲ
ート型トランジスタ10−１のドレイン電極または絵素電
極と（ｍ＋2,n＋１）番地の第２の絶縁ゲート型トラン
ジスタ10−２のドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋1,
n＋２）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−２
のドレイン電極または絵素電極とが除去可能な配線材20
−１、２で接続されて形成されている。そして先ず、第
７図（ａ）の検査システムにより第１と（ｍ＋2,n＋
１）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２
とを直列にして第１の閉ループ43−１が、また第１と
（ｍ＋2,n＋２）番地の第２の絶縁ゲート型トランジス
タ10−１、２とを直列にして第２の閉ループ43−２が構
成される。この時第１の絶縁ゲート型トランジスタ10−
１は２回続けて検査される。次に第７図（ｂ）の検査シ
ステムにより（m,n＋１）番地の第１の絶縁ゲート型ト
ランジスタと（ｍ＋2,n＋２）番地の第２の絶縁ゲート
型トランジスタ10−２とを直列にして第３の閉ループ43
−３が、また（m,n−１）番地の第１の絶縁ゲート型ト
ランジスタ10−１と（ｍ＋2,n＋１）番地の第２の絶縁
ゲート型トランジスタ10−２とを直列にして第４の閉ル
ープ43−４が構成される。（ｍ＋2,n＋１）番地の第２
の絶縁ゲート型トランジスタ10−２は第７図（ａ）の検
査システムで既に１回検査されており、２回続けて検査
されたことになる。このように４つの閉ループ43−１、
２、３、４の検査により絶縁ゲート型トランジスタ10は
全て２個ずつ直列にして電気特性が２回検査されるの
で、全ての絶縁ゲート型トランジスタ10を良否判定する
事が出来る。また絶縁ゲート型トランジスタ10が十分に
ONする電圧とOFFする電圧を選択して印加するのは、ｍ
番の走査線11、ｍ＋１番の走査線11およびｍ＋２番の走
査線11との３本が必要であり、第１と第３の閉ループ43
−１、３、あるいは第２と第４の閉ループ43−２、４を
選択するためにはｍ番の走査線11とｍ＋２番の走査線1
1、あるいはｍ番の走査線11とｍ＋１番の走査線11とが
組み合わされている。

第８図（ｆ）に示した第６の場合においては、走査線
11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ
10と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線11と
信号線12の交点毎に信号線の両側に二組有するアクティ
ブマトリクス基板において、（m,n）番地の第１の絶縁
ゲート型トランジスタ10−１のドレイン電極または絵素
電極と（ｍ＋1,n＋１）番地の第２の絶縁ゲート型トラ
ンジスタ10−２のドレイン電極または絵素電極と（ｍ−
1,n＋２）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−
２のドレイン電極または絵素電極とが除去可能な配線材
20−１、２で接続されて形成されている。そして先ず、
第７図（ａ）の検査システムにより第１と（ｍ＋1,n＋
１）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２
とを直列にして第１の閉ループ43−１が、第１と（ｍ−
1,n＋２）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−
２とを直列にして第２の閉ループ43−２が構成される。
この時第１の絶縁ゲート型トランジスタ10−１は２回続
けて検査される。次に第７図（ｂ）の検査システムによ
り（ｍ−2,n＋１）番地の第１の絶縁ゲート型トランジ
スタ10−１と（ｍ−1,n＋２）番地の第２の絶縁ゲート
型トランジスタ10−２とを直列にして第３の閉ループ43
−３が、また（ｍ＋2,n−１）番地の第１の絶縁ゲート
型トランジスタ10−１と（ｍ＋1,n＋１）番地の第２の
絶縁ゲート型トランジスタ10−２とを直列にして第４の
閉ループ43−４が構成される。（ｍ−1,n＋２）番地の
第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−２と（ｍ＋1,n＋
１）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−２とは
第７図（ａ）の検査システムで既に１回検査されてお
り、２回続けて検査されたことになる。このように４つ
の閉ループ43−１、２、３、４の検査により絶縁ゲート
型トランジスタは全て２個ずつ直列にして電気特性が２
回検査されるので、全ての絶縁ゲート型トランジスタを
良否判定することができる。また絶縁ゲート型トランジ
スタ10が十分にONする電圧とOFFする電圧を選択して印
加するのは走査線３本が対象となり、第１と第３の閉ル
ープ43−１、３、あるいは第２と第４の閉ループ43−
２、４を選択するためには適宜２本の走査線が組み合わ
される。

第９図（ａ）（ｂ）はアクティブマトリクス基板の本
発明の第５の実施例における検査時の電圧源と電流計の
接続を示す等価回路である。第９図（ａ）（ｂ）の検査
システムで対応可能な、同一の走査線11と信号線12とで
駆動される絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより
成る一組の構成単位を、走査線11と信号線12の交点毎に
複数組有するアクティブマトリクス基板の等価回路を第
10図（ａ）〜（ｃ）に示す。

第９図（ａ）の回路構成に従って、走査線11と信号線
12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ10と絵素電
極とより成る一組の構成単位を、走査線11と信号線12の
交点毎に複数組有するアクティブマトリクス基板におい
て、先ずｎ＋１番の信号線12には電圧源41より正の電圧
を印加し、ｎ番とｎ＋１番の信号線12は接地して、ｎ＋
１番の信号線12との間には第１と第２の閉ループ43−
１、２を構成し、全ての信号線12に電流計42を接続して
各信号線12に流れる電流を計測する。

次にｎ＋２番の信号線12には正の電圧を印加し、ｎ番
の信号線12は接地して、ｎ＋２番の信号線と１本おいて
隣合った信号線12間には第３の閉ループ43−３を構成
し、上記した信号線12には電流計42を接続して各信号線
に流れる電流を計測する。全ての閉ループ43内には２個
の絶縁ゲート型トランジスタ10が直列に接続して含まれ
るように接続線20が形成されている。走査線11に印加す
る直流電圧に絶縁ゲート型トランジスタ10が十分にONす
る電圧とOFFする電圧を選択して印可し、各信号線12に
流れる電流を計測することにより、全ての閉ループ43の
いずれかに絶縁ゲート型トランジスタの特性不良または
内部短絡による電流異常が発生してもその位置は同定可
能である。

走査線11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トラ
ンジスタ10と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走
査線11と信号線12の交点毎に複数個有するアクティブマ
トリクス構成は第10図に示すように３種類考えられ、以
下順に説明していく。

第10図（ａ）に示した第１の場合においては、走査線
11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ
10と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線11と
信号線12の交点毎に対角の位置に二組有するともに補助
の絶縁ゲート型トランジスタ40を有するアクティブマト
リクス基板において、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート
型トランジスタ10−１と（ｍ＋2,n＋２）番地の第２の
絶縁ゲート型トランジスタ10−２のドレイン電極または
絵素電極と（ｍ＋1,n＋１）番地の補助の絶縁ゲート型
トランジスタ40のドレイン電極とが除去可能な配線材20
−１、２で接続されて形成されている。そして先ず、第
９図（ａ）の検査システムにより補助の絶縁ゲート型ト
ランジスタ40と（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型トラ
ンジスタ10−１とを直列にして第１の閉ループ43−１
が、補助の絶縁ゲート型トランジスタと（ｍ＋2,n＋
２）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−２とを
直列にして第２の閉ループ43−２が構成される。第１絶
縁ゲート型トランジスタ10−１と補助の絶縁ゲート型ト
ランジスタ40および第２の絶縁ゲート型トランジスタ10
−２と補助の絶縁ゲート型トランジスタ40を２個ずつ直
列にして電気特性が検査されるので、等価回路の非対称
性から各２個の絶縁ゲート型トランジスタ10のどちらか
にOFF電流大の不良が発生しても識別可能である。しか
しながら、ON電流小の不良に対してはその回路構成の対
称性から識別は不可能である。

絶縁ゲート型トランジスタ10の良否判定に当り、補助
の絶縁ゲート型トランジスタ40は２回の検査を受けるた
め、共通因子として駆動用の絶縁ゲート型トランジスタ
10の電気特性の評価に大きく寄与できるが、正確を期す
るのであれば引続き第９図（ｂ）の検査システムにより
（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ10−１
と（ｍ＋2,n＋２）番地の第２の絶縁ゲート型トランジ
スタ10−２とを直列にして第３の閉ループ43−３を構成
し、第１と第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２
を２個ずつ直列にして電気特性を検査するとよい。これ
によって３個の絶縁ゲート型トランジスタ10は全て２回
の検査を受けることになり、補助の絶縁ゲート型トラン
ジスタ40にON電流少が発生した場合でも、第１と第２
の、すなわち駆動用の絶縁ゲート型トランジスタの完全
な良否判定が行える。絶縁ゲート型トランジスタ10が十
分にONする電圧とOFFする電圧を選択して印加するの
は、ｍ番の走査線11、ｍ＋１番の走査線11およびｍ＋２
番の走査線11との３本が必要であり、第１、第２あるい
は第３の閉ループ43を選択するためにはｍ番の走査線11
とｍ＋１番の走査線11、ｍ＋１番の走査線11とｍ＋２番
の走査線11あるいはｍ番の走査線11とｍ＋２番の走査線
11とが組み合わされている。

第10図（ｂ）に示した第２の場合においては、走査線
11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ
10と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線11と
信号線12の交点毎に信号線12の両側に二組有するともに
補助の絶縁ゲート型トランジスタ40を有するアクティブ
マトリクス基板において、（m,n）番地の第１の絶縁ゲ
ート型トランジスタ10−１と（ｍ−1,n＋２）番地の第
２の絶縁ゲート型トランジスタ10−２のドレイン電極ま
たは絵素電極と（ｍ＋1,n＋１）番地の補助の絶縁ゲー
ト型トランジスタ40のドレイン電極とが除去可能な配線
材で接続されて形成されている。そして先ず、第９図
（ａ）の検査システムにより補助の絶縁ゲート型トラン
ジスタ40と（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型トランジ
スタ10−１とを直列にして第１の閉ループ43−１が、補
助の絶縁ゲート型トランジスタ40と（ｍ−1,n＋２）番
地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−２とを直列に
して第２の閉ループ43−２が構成される。第１と補助の
絶縁ゲート型トランジスタ10−１および第２と補助の絶
縁ゲート型トランジスタ10−２を２個ずつ直列にして電
気特性が検査されるので、等価回路の非対称性から各２
個の絶縁ゲート型トランジスタのどちらかにOFF電流大
の不良が発生しても識別可能である。しかしながら、ON
電流小の不良に対してはその回路構成の対称性から識別
は不可能である。

絶縁ゲート型トランジスタ10の良否判定に当り、補助
の絶縁ゲート型トランジスタ40は２回の検査をうけるた
め、共通因子として駆動用の絶縁ゲート型トランジスタ
10の電気特性の評価に大きく寄与できるが、正確を期す
るのであれば引続き第９図（ｂ）の検査システムにより
（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ10−１
と（ｍ−1,n＋２）番地の第２の絶縁ゲート型トランジ
スタ10−２とを直列にして第３の閉ループ43−３を構成
し、第１と第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−１、２
を２個ずつ直列にして電気特性を検査するとよい。これ
によって３個の絶縁ゲート型トランジスタは全て２回の
検査を受けることになり、補助の絶縁ゲート型トランジ
スタ40にON電流少が発生した場合でも、第１と第２の、
すなわち駆動用の絶縁ゲート型トランジスタ10の完全な
良否判定が行える。絶縁ゲート型トランジスタ10が十分
にONする電圧とOFFする電圧を選択して印加するのは、
ｍ−１番の走査線11、ｍ番の走査線11およびｍ＋１番の
走査線11との３本が必要であり、第１、第２あるいは第
３の閉ループを選択するためにはｍ番の走査線11とｍ＋
１番の走査線11、ｍ−１番の走査線11とｍ＋１番の走査
線11あるいはｍ番の走査線11とｍ−１番の走査線11が組
み合わされている。

第10図（ｃ）に示した第３の場合においては、走査線
11と信号線12とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ
10と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線11と
信号線12の交点毎に信号線12の片側に二組有するともに
補助の絶縁ゲート型トランジスタ40を有するアクティブ
マトリクス基板において、（m,n）番地の第１の絶縁ゲ
ート型トランジスタ10−１と（m,n＋１）番地の第２の
絶縁ゲート型トランジスタ10−２のドレイン電極または
絵素電極と（ｍ＋1,n＋２）番地の補助の絶縁ゲート型
トランジスタ40のドレイン電極とが除去可能な配線材20
−１、２で接続されて形成されている。そして先ず、第
９図（ａ）の検査システムにより第１と第２の絶縁ゲー
ト型トランジスタ10−１、２とを直列にして第１の閉ル
ープ43−１が、補助の絶縁ゲート型トランジスタ40と第
２の絶縁ゲート型トランジスタ10−２とを直列にして第
２の閉ループ43−２が構成される。次に第９図（ｂ）の
検査システムにより第１の絶縁ゲート型トランジスタ10
−１と補助の絶縁ゲート型トランジスタ40とを直列にし
て第３の閉ループ43−３を構成させる。これによって３
個の絶縁ゲート型トランジスタは全て２回の検査を受け
ることになり、補助の絶縁ゲート型トランジスタ10にON
電流少が発生した場合でも、第１と第２の、すなわち駆
動用の絶縁ゲート型トランジスタ10のほぼ完全な良否判
定が行える。

第10図（ｃ）の回路構成では、第１と第２の絶縁ゲー
ト型トランジスタ10−１、２は接続線20−１、20−２を
経由して直列に閉ループ43を構成しているが、１本の共
通の走査線11で同時にON/OFF制御されるためON電流少の
不良は、第１と第２の絶縁ゲート型トランジスタ10−
１、２を組み合わせての検査では識別できないが、補助
の絶縁ゲート型トランジスタ40と第１、および第２の絶
縁ゲート型トランジスタ10−１、２とを組合せた検査結
果を加味すると、絶縁ゲート型トランジスタ10の良否判
定に関する精度は実用上何等支障無いものとなってい
る。絶縁ゲート型トランジスタ10が十分にONする電圧と
OFFする電圧を選択して印加するのは、ｍ番の走査線11
とｍ＋１番の走査線11との２本が必要であり、第１、あ
るいは第２、第３の閉ループを選択するためにはｍ番の
走査線11、あるいはｍ番の走査線11とｍ＋１番の走査線
11が組み合わされている。

以上、駆動用の絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極
とよりなる構成単位を表示エリア内に１組、２組および
４組有するアクティブマトリクス基板において、絶縁ゲ
ート型トランジスタが閉ループを構成するように絶縁ゲ
ート型トランジスタまたは当該絶縁ゲート型トランジス
タに接続された絵素電極相互間、補助の絶縁ゲート型ト
ランジスタとの間、および信号線等の間に接続線を配置
し、外部から絶縁ゲート型トランジスタの電気特性や内
部短絡等の諸特性を高速で検査する方法について説明し
た。

発明の効果 液晶パネルを構成するアクティブマトリクス基板の製
造に当たり、点欠陥の主原因となる駆動用の絶縁ゲート
型トランジスタを電気的に全数検査可能とするための接
続線、補助の絶縁ゲート型トランジスタ、絶縁ゲート型
トランジスタ間およびそれらの間の相互接続を導入し、
さらに進歩したものとして駆動用の絶縁ゲート型トラン
ジスタを複数化し、電気検査によって不良の絶縁ゲート
型トランジスタを排除した後に絵素電極を共有させて形
成している先願特許の高速化について説明した。これら
の結果、まずアクティブマトリクス基板を液晶パネル化
する前に、点欠陥の発生状況を推測することが可能とな
り、高価なカラーフィルタを無駄に使用する損失を回避
できてその工業的な価値は計り知れないものである。

さらに絶縁ゲート型トランジスタを複数化する技術と
の併用により点欠陥の緩和の自由度も大幅に強化され、
最も進歩した形においては原理的に点欠陥が発生しない
アクティブマトリクス基板を得ることができて歩留まり
の向上の観点からは極めて重要な技術であると評価さ
れ、加えて検査時間の大幅な短縮化は実用性の観点から
も極めて有用である。

本発明の主旨に従えば、アクティブマトリクス基板は
液晶パネルに限定される理由は存在せず、光学素子とし
てELやSiC等の発光素子を有するデバイスであっても適
用可能である。また液晶パネルも本文で説明した透過型
に限定されるものではなく、絵素電極の形成に係る製造
工程の多少の増減と変更を許せば反射型の液晶パネルに
おいても極めて有用な発明であることを付記しておく。

また絶縁ゲート型トランジスタの極性がＰチャネル動
作の絶縁ゲート型トランジスタである場合には、電圧源
から負の電圧を印可すればよいことは言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）（ｂ）は本発明の第１の実施例におけるア
クティブマトリクス基板の検査方法の回路図、第２図は
同基板の回路図、第３図は本発明の第２の実施例におけ
るアクティブマトリクス基板の検査方法の回路図、第４
図（ａ）（ｂ）は同基板の回路図、第５図は本発明の第
３の実施例におけるアクティブマトリクス基板の検査方
法の回路図、第６図（ａ）〜（ｍ）は同基板の回路図、
第７図（ａ）（ｂ）は本発明の第４の実施例におけるア
クティブマトリクス基板の検査方法の回路図、第８図
（ａ）〜（ｆ）は同基板の回路図、第９図（ａ）（ｂ）
は本発明の第５の実施例におけるアクティブマトリクス
基板の検査方法の回路図、第10図（ａ）〜（ｃ）は同基
板の回路図である。 10…絶縁ゲ‥ト型トランジスタ、11…走査線、12…信号
線、20…接続線、21…開口部、40…補助の絶縁ゲ‥ト型
トランジスタ、41…電圧源、42…電流計、43…閉ルー
プ。

Claims (29)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】走査線と信号線（ｎ番）との交点毎に一組
   の絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とを有するアク
   ティブマトリクス基板において、ｎ番の絶縁ゲート型ト
   ランジスタのドレイン電極または絵素電極をｎ＋１番の
   信号線に除去可能な配線材で接続して形成し、ｎ番とｎ
   ＋２番の信号線の間に電圧を印加してこれらの信号線に
   流れる電流を計測することにより、ｎ番とｎ＋１番の絶
   縁ゲート型トランジスタの直列状態での電気特性を検査
   し、前記２回の検査結果によりｎ＋１番の絶縁ゲート型
   トランジスタの電気特性を得ることを特徴とするアクテ
   ィブマトリクス基板の検査方法。
2. 【請求項２】走査線と信号線（ｎ番）とで駆動される絶
   縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成る一組の構
   成単位を、走査線と信号線の交点毎に２個有するアクテ
   ィブマトリクス基板において、ｎ番の第１の絶縁ゲート
   型トランジスタのドレイン電極または絵素電極とｎ＋２
   番の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極ま
   たは絵素電極とを除去可能な配線材で接続して形成し、
   ｎ番とｎ＋２番の信号線の間に電圧を印加してこれらの
   信号線に流れる電流を計測することにより、第１と第２
   の絶縁ゲート型トランジスタの直列状態での電気特性を
   検査することを特徴とするアクティブマトリクス基板の
   検査方法。
3. 【請求項３】絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とよ
   り成る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎にか
   つ信号線の両側に二組有するアクティブマトリクス基板
   において、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型トランジ
   スタのドレイン電極または絵素電極と（m,n＋２）番地
   の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極また
   は絵素電極とを除去可能な配線材で接続して形成し、第
   １と第２の絶縁ゲート型トランジスタの直列状態での電
   気特性を検査することを特徴とする請求項２記載のアク
   ティブマトリクス基板の検査方法。
4. 【請求項４】絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とよ
   り成る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎にか
   つ対角の位置に二組有するアクティブマトリクス基板に
   おいて、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型トランジス
   タのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋1,n＋２）番
   地の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極ま
   たは絵素電極とを配線材で接続して形成し、第１と第２
   の絶縁ゲート型トランジスタの直列状態での電気特性を
   検査することを特徴とする請求項２記載のアクティブマ
   トリクス基板の検査方法。
5. 【請求項５】走査線と信号線（ｎ番）とで駆動される絶
   縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成る一組の構
   成単位を、走査線と信号線の交点毎に複数個有するアク
   ティブマトリクス基板において、ｎ番の第１の絶縁ゲー
   ト型トランジスタのドレイン電極または絵素電極とｎ＋
   １番の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極
   または絵素電極とを除去可能な配線材で接続して形成
   し、ｎ番とｎ＋１番の信号線の間に電圧を印加し、これ
   らの信号線に流れる電流を計測することにより、第１と
   第２の絶縁ゲート型トランジスタの直列状態での電気特
   性を検査することを特徴とするアクティブマトリクス基
   板の検査方法。
6. 【請求項６】絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とよ
   り成る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎にか
   つ信号線の両側に二組有するアクティブマトリクス基板
   において、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型トランジ
   スタのドレイン電極または絵素電極と（m,n＋１）番地
   の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極また
   は絵素電極とを配線材で接続して形成し、第１と第２の
   絶縁ゲート型トランジスタの直列状態での電気特性を検
   査することを特徴とする請求項５記載のアクティブマト
   リクス基板の検査方法。
7. 【請求項７】絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とよ
   り成る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎にか
   つ信号線の両側に二組有するアクティブマトリクス基板
   において、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型トランジ
   スタのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋1,n＋１）
   番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極
   または絵素電極とを配線材で接続して形成し、第１と第
   ２の絶縁ゲート型トランジスタの直列状態での電気特性
   を検査することを特徴とする請求項５記載のアクティブ
   マトリクス基板の検査方法。
8. 【請求項８】絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とよ
   り成る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎にか
   つ走査線の両側に二組有するアクティブマトリクス基板
   において、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型トランジ
   スタのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋1,n＋１）
   番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極
   または絵素電極とを配線材で接続して形成し、第１と第
   ２の絶縁ゲート型トランジスタを直列にして電気特性を
   検査することを特徴とする請求項５記載のアクティブマ
   トリクス基板の検査方法。
9. 【請求項９】絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とよ
   り成る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎にか
   つ対角の位置に二組有するアクティブマトリクス基板に
   おいて、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型トランジス
   タのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋1,n＋１）番
   地の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極ま
   たは絵素電極とを配線材で接続して形成し、第１と第２
   の絶縁ゲート型トランジスタの直列状態での電気特性を
   検査することを特徴とする請求項５記載のアクティブマ
   トリクス基板の検査方法。
10. 【請求項１０】絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極と
    より成る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎に
    かつ対角の位置に二組有するアクティブマトリクス基板
    において、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型トランジ
    スタのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋2,n＋１）
    番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極
    または絵素電極とを配線材で接続して形成し、第１と第
    ２の絶縁ゲート型トランジスタの直列状態での電気特性
    を検査することを特徴とする請求項５記載のアクティブ
    マトリクス基板の検査方法。
11. 【請求項１１】駆動される絶縁ゲート型トランジスタと
    絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線と信号線
    の交点毎にかつ信号線の片側に二組有するアクティブマ
    トリクス基板において、（m,n）番地の第１の絶縁ゲー
    ト型トランジスタのドレイン電極または絵素電極と（m,
    n＋１）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレ
    イン電極または絵素電極とを配線材で接続して形成し、
    第１と第２の絶縁ゲート型トランジスタの直列状態での
    電気特性を検査することを特徴とする請求項５記載のア
    クティブマトリクス基板の検査方法。
12. 【請求項１２】絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極と
    より成る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎に
    かつ信号線の片側に二組有するアクティブマトリクス基
    板において、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型トラン
    ジスタのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋1,n＋
    １）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン
    電極または絵素電極とを配線材で接続して形成し、第１
    と第２の絶縁ゲート型トランジスタの直列状態での電気
    特性を検査することを特徴とする請求項５記載のアクテ
    ィブマトリクス基板の検査方法。
13. 【請求項１３】絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極と
    より成る一組の構成単位を、走査線と信号線との交点毎
    にかつ全ての対角の位置に４組有するアクティブマトリ
    クス基板において、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型
    トランジスタのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋1,
    n＋１）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレ
    イン電極または絵素電極とを、および（m,n＋１）番地
    の第３の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極また
    は絵素電極と（ｍ＋2,n）番地の第４の絶縁ゲート型ト
    ランジスタのドレイン電極または絵素電極とを配線材で
    接続して形成し、第１と第２および第３と第４の絶縁ゲ
    ート型トランジスタの各直列状態での電気特性を検査す
    ることを特徴とする請求項５記載のアクティブマトリク
    ス基板の検査方法。
14. 【請求項１４】絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極と
    より成る一組の構成単位を、信号線の両側に二組ずつ有
    するアクティブマトリクス基板において、（m,n）番地
    の第１の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極また
    は絵素電極と（ｍ＋2,n＋１）番地の第２の絶縁ゲート
    型トランジスタのドレイン電極または絵素電極とを、お
    よび（m,n）番地の第３の絶縁ゲート型トランジスタの
    ドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋1,n＋１）番地の
    第４の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または
    絵素電極とを配線材で接続して形成し、第１と第２およ
    び第３と第４の絶縁ゲート型トランジスタの各直列状態
    での電気特性を検査することを特徴とする請求項５記載
    のアクティブマトリクス基板の検査方法。
15. 【請求項１５】絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極と
    より成る一組の構成単位を、走査線の両側に二組ずつ有
    するアクティブマトリクス基板において、（m,n）番地
    の第１の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極また
    は絵素電極と（ｍ＋1,n＋１）番地の第２の絶縁ゲート
    型トランジスタのドレイン電極または絵素電極とを、お
    よび（m,n＋１）番地の第３の絶縁ゲート型トランジス
    タのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋2,n）番地の
    第４の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または
    絵素電極とを配線材で接続して形成し、第１と第２およ
    び第３と第４の絶縁ゲート型トランジスタの各直列状態
    での電気特性を検査することを特徴とする請求項５記載
    のアクティブマトリクス基板の検査方法。
16. 【請求項１６】絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極と
    より成る一組の構成単位を、走査線と信号線との交点毎
    にかつ対角の位置に二組ずつ有するアクティブマトリク
    ス基板において、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型ト
    ランジスタのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋1,n
    ＋１）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイ
    ン電極または絵素電極とを、および（m,n）番地の第３
    の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または絵素
    電極と（ｍ＋2,n＋１）番地の第４の絶縁ゲート型トラ
    ンジスタのドレイン電極または絵素電極とを配線材で接
    続して形成し、第１と第２および第３と第４の絶縁ゲー
    ト型トランジスタの各直列状態での電気特性を検査する
    ことを特徴とする請求項５記載のアクティブマトリクス
    基板の検査方法。
17. 【請求項１７】絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極と
    より成る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎に
    かつ走査線の両側に二組有するとともに補助の絶縁ゲー
    ト型トランジスタを有するアクティブマトリクス基板に
    おいて、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型トランジス
    タと（ｍ＋1,n）番地の第２の絶縁ゲート型トランジス
    タのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋2,n＋１）番
    地の補助の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極と
    を配線材で接続して形成し、第１および第２の駆動用と
    補助の絶縁ゲート型トランジスタの各直列状態での電気
    特性を検査することを特徴とする請求項５に記載のアク
    ティブマトリクス基板の検査方法。
18. 【請求項１８】絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極と
    より成る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎に
    かつ走査線の片側に二組有するとともに補助の絶縁ゲー
    ト型トランジスタを有するアクティブマトリクス基板に
    おいて、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型トランジス
    タと（ｍ＋1,n）番地の第２の絶縁ゲート型トランジス
    タのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋2,n＋１）番
    地の補助の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極と
    を配線材で接続して形成し、第１および第２の駆動用と
    補助の絶縁ゲート型トランジスタの直列状態での電気特
    性を検査することを特徴とする請求項５記載のアクティ
    ブマトリクス基板の検査方法。
19. 【請求項１９】走査線と信号線（ｎ番）とで駆動される
    絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成る一組の
    構成単位を、走査線と信号線の交点毎に複数個有するア
    クティブマトリクス基板において、ｎ番の第１の絶縁ゲ
    ート型トランジスタのドレイン電極または絵素電極をｎ
    ＋１番の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電
    極または絵素電極に、およびｎ番の第３の絶縁ゲート型
    トランジスタのドレイン電極または絵素電極をｎ＋２番
    の第４の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極また
    は絵素電極に除去可能な配線材で接続して形成し、ｎ番
    とｎ＋１番およびｎ番とｎ＋２番の信号線との間に電圧
    を印加し、これらの信号線に流れる電流を計測すること
    により、第１と第２および第３と第４の絶縁ゲート型ト
    ランジスタの直列状態での電気特性を検査することを特
    徴とするアクティブマトリクス基板の検査方法。
20. 【請求項２０】絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極と
    より成る一組の構成単位を、走査線と信号線との交点毎
    にかつ全ての対角の位置に４組有するアクティブマトリ
    クス基板において、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型
    トランジスタのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋1,
    n＋１）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレ
    イン電極または絵素電極とを、および（ｍ＋1,n）番地
    の第３の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極また
    は絵素電極と（m,n＋２）番地の第４の絶縁ゲート型ト
    ランジスタのドレイン電極または絵素電極とを配線材で
    接続して形成し、第１と第２および第３と第４の絶縁ゲ
    ート型トランジスタの各直列状態での電気特性を検査す
    ることを特徴とする請求項19記載のアクティブマトリク
    ス基板の検査方法。
21. 【請求項２１】絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極と
    より成る一組の構成単位を、信号線の両側に二組ずつ有
    するアクティブマトリクス基板において、（m,n）番地
    の第１の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極また
    は絵素電極と（ｍ＋1,n＋２）番地の第２の絶縁ゲート
    型トランジスタのドレイン電極または絵素電極とを、お
    よび（m,n）番地の第３の絶縁ゲート型トランジスタの
    ドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋1,n＋１）番地の
    第４の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または
    絵素電極とを除去可能な配線材で接続して形成し、第１
    と第２および第３と第４の絶縁ゲート型トランジスタの
    各直列状態での電気特性を検査することを特徴とする請
    求項19記載のアクティブマトリクス基板の検査方法。
22. 【請求項２２】絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極と
    より成る一組の構成単位を、走査線と信号線との交点毎
    にかつ対角の位置に二組ずつ有するアクティブマトリク
    ス基板において、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型ト
    ランジスタのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋1,n
    ＋１）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイ
    ン電極または絵素電極とを、および（m,n）番地の第３
    の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または絵素
    電極と（ｍ＋1,n＋２）番地の第４の絶縁ゲート型トラ
    ンジスタのドレイン電極または絵素電極とを配線材で接
    続して形成し、第１と第２および第３と第４の絶縁ゲー
    ト型トランジスタの各直列状態での電気特性を検査する
    ことを特徴とする請求項19記載のアクティブマトリクス
    基板の検査方法。
23. 【請求項２３】絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極と
    より成る一組の構成単位を、走査線の両側に二組ずつ有
    するアクティブマトリクス基板において、（m,n）番地
    の第１の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極また
    は絵素電極と（ｍ＋1,n＋１）番地の第２の絶縁ゲート
    型トランジスタのドレイン電極または絵素電極とを、お
    よび（m,n＋２）番地の第３の絶縁ゲート型トランジス
    タのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋1,n）番地の
    第４の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または
    絵素電極とを配線材で接続して形成し、第１と第２およ
    び第３と第４の絶縁ゲート型トランジスタを２個ずつ直
    列にして電気特性が検査されることを特徴とする請求項
    19記載のアクティブマトリクス基板の検査方法。
24. 【請求項２４】絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極と
    より成る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎に
    対角の位置に二組有するアクティブマトリクス基板にお
    いて、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ
    のドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋2,n＋１）番地
    の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極また
    は絵素電極と（ｍ＋1,n＋２）番地の第２の絶縁ゲート
    型トランジスタのドレイン電極または絵素電極とを配線
    材で接続して形成し、第１と各第２の絶縁ゲート型トラ
    ンジスタの各直列状態での電気特性を検査することを特
    徴とする請求項19記載のアクティブマトリクス基板の検
    査方法。
25. 【請求項２５】絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極と
    より成る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎に
    かつ信号線の両側に二組有するアクティブマトリクス基
    板において、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型トラン
    ジスタのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋1,n＋
    １）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン
    電極または絵素電極と（ｍ−1,n＋２）番地の第２の絶
    縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または絵素電極
    とを配線材で接続して形成し、第１と各第２の絶縁ゲー
    ト型トランジスタを直列にして２回の電気特性が検査さ
    れることを特徴とする請求項19記載のアクティブマトリ
    クス基板の検査方法。
26. 【請求項２６】走査線と信号線（ｎ番）とで駆動される
    絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成る一組の
    構成単位を、走査線と信号線の交点毎に２個有するアク
    ティブマトリクス基板において、ｎ番の第１の絶縁ゲー
    ト型トランジスタのドレイン電極または絵素電極とｎ＋
    １番の補助の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極
    と、前記補助の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電
    極とｎ＋２番の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレ
    イン電極または絵素電極とを、それぞれ除去可能な配線
    材で接続して形成し、ｎ番とｎ＋１番の信号線の間およ
    びｎ番とｎ＋２番の信号線の間に電圧を印加し、これら
    の信号線に流れる電流を計測することにより、駆動用の
    第１または第２の絶縁ゲート型トランジスタと補助の絶
    縁ゲート型トランジスタの各直列状態での電気特性を検
    査することを特徴とするアクティブマトリクス基板の検
    査方法。
27. 【請求項２７】駆動される絶縁ゲート型トランジスタと
    絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線と信号線
    の交点毎にかつ対角の位置に二組有するとともに補助の
    絶縁ゲート型トランジスタを有するアクティブマトリク
    ス基板において、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型ト
    ランジスタと（ｍ＋2,n＋２）番地の第２の絶縁ゲート
    型トランジスタのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋
    1,n＋１）番地の補助の絶縁ゲート型トランジスタのド
    レイン電極とを配線材で接続して形成し、駆動用と補助
    の２個の絶縁ゲート型トランジスタの各直列での電気特
    性を検査することを特徴とする請求項26記載のアクティ
    ブマトリクス基板の検査方法。
28. 【請求項２８】絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極と
    より成る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎に
    かつ信号線の両側に二組有するとともに補助の絶縁ゲー
    ト型トランジスタを有するアクティブマトリクス基板に
    おいて、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型トランジス
    タと（ｍ−1,n＋２）番地の第２の絶縁ゲート型トラン
    ジスタのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋1,n＋
    １）番地の補助の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン
    電極とを配線材で接続して形成し、駆動用と補助の絶縁
    ゲート型トランジスタの各直列状態での電気特性を検査
    することを特徴とする請求項26記載のアクティブマトリ
    クス基板の検査方法。
29. 【請求項２９】絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極と
    より成る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎に
    かつ信号線の片側に二組有するとともに補助の絶縁ゲー
    ト型トランジスタを有するアクティブマトリクス基板に
    おいて、（m,n）番地の第１の絶縁ゲート型トランジス
    タと（m,n＋１）番地の第２の絶縁ゲート型トランジス
    タのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋1,n＋２）番
    地の補助の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極と
    を配線材で接続して形成し、駆動用と補助の絶縁ゲート
    型トランジスタの各直列状態での電気特性を検査するこ
    とを特徴とする請求項26記載のアクティブマトリクス基
    板の検査方法。