JPH03102328A - アクティブマトリクス基板の検査方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は画像表示装置に関するものであり、とりわけア
クティブマトリクス編成の画像表示装置において有効な
点欠陥の検出を高速で実施することが可能な検査方法を
提供するものである。

従来の技術 本発明者は、点欠陥の検出および補修の可能なアクティ
ブマトリクス基板の製造方法を提案しいるが、これは、
スイッチング素子である絶縁ゲート型トランジスタの電
気的特性の検査●評価がアクティブマトリクス基板上で
可能となるように、まず除去可能な配線材を用いて駆動
用の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または絵
素電極と必要な信号線との間、複数個の絶縁ゲート型ト
ランジスタのドレイン電極または絵素電極相互間、さら
には補助の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極と
の間等に仮の電気的接続を与えておいて絶縁ゲート型ト
ランジスタの電気検査を行い、点欠陥の主原因である特
性不良の絶縁ゲート型トランジスタの位置を検出するこ
とができる。

そして特性不良の位置と種類の情報により判断してパネ
ル組み立て工程に当該のアクティブマトリクス基板を進
めるかどうか決定する。パネル組み立て工程への進行に
先立ち、除去可能な配線材で形成された仮の接続を正規
の配線に悪影響を及ぼさないように工夫された食刻で除
去し、さらに複数個の絶縁ゲート型トランジスタで単位
絵素が構成されているものに関しては、レーザ照射等の
切断手段を用いて内部短絡を有する様な特性不良の絶縁
ゲート型トランジスタと絵素電極との接続を解除してお
くことにより、点欠陥の補修がなされた液晶パネルを得
ることができるものである。

さらに改善された製造方法においては、絵素電極の形成
を複数個の絶縁ゲート型トランジスタの電気検査終了後
に行ない、特性不良の絶縁ゲート型トランジスタを選択
的に除外して正常な絶縁ゲート型トランジスタのみで絵
素電極を共有することにより点欠陥の発生を極めて高い
精度で抑制することが可能となっている。

発明が解決しようとする課題 しかしながら、同発明においては駆動用の絶縁ゲート型
トランジスタの電気検査方法の基礎概念を示したに過ぎ
ず、絶縁ゲート型トランジスタが様々にパターン配置さ
れた種々のアクティブマトリクス基板の電気検査に適用
するのは困難であった。特に画素数が多い場合には検査
時間が長くなって非常に効率が悪くなる。

本発明はカラーフィルタ形成前の検査を可能にして、上
記問題点を解消することを目的とする。

課題を解決するための手段 本発明は、２個の絶縁ゲート型トランジスタが直列に閉
ループを構成するように電圧信号を複数個の信号線に同
時に印加すると同時に残りの信号線は接地または開放し
、各信号線を流れる電流値を一斉に計測することによっ
て検査時間の大輻な短縮化を達成するものである。

作用 ２個の絶縁ゲート型トランジスタを直列に含む閉ループ
毎に流れる電流は同時に計測されるので、全体の計測時
間は２個の絶縁ゲート型トランジスタをＯＮ／ＯＦＦさ
せて検査する時間の繰り返しで決定される。すなわち、
信号線の数が幾ら多くなっても検査時間は長くならない
。

実施例 本発明においては信号線間への電圧の与え方に対応して
５通りの実施例を発明とし、各実施例に対応する実施態
様項として画素構成を記述する。

第１図はアクティブマトリクス基板の、本発明の第１の
実施例による検査時の電圧源４１と電流計４２の接続を
示す等価回路である。第１図の検査システムで対応可能
な走査線１１と信号線１２の交点毎に一組の絶縁ゲート
型トランジスタ１０と絵素電極とを有するアクティブマ
トリクス構成の液晶パネルの等価回路の一例を第２図に
示す。

なお、第２図において、１３は液晶セル、１５は共通電
極である。

先ず、第１図（ａ）の回路構成に従ってｎ＋２番（ｎ＋
２＋４ｋ番、なお、　ｋ　＝　Ｏ，　　±１、　±２、
±３、●●●、以下省略）の信号線には正の電圧を電圧
源４１より印加し、ｎ番（ｎ＋４ｋ番、以下省略）の信
号線は接地して上記信号線１２、１２間に第１の閉ルー
プ４３−１を構成し、ｎ番の信号線に電流計４２を接続
する。そこでｍ番の走査線１１に、絶縁ゲート型トラン
ジスタ１ｏが十分にＯＮする電圧とＯＦＦする電圧を選
択して印加する。ｎ番とｎ＋２番の信号線１２の間を流
れる電流値を測定することにより、（ｍ＋１、ｒｂ　　
ｎ）番地と（ｍ，ｎ＋１）番地の二つの絶縁ゲート型ト
ランジスタ１０を直列に接続した状態でＯＮ／ＯＦＦ検
査することができる。。同様にｎ＋２番とｎ十４番の信
号線１２の間を流れる電流値を測定することにより、　
（ｍ＋　　ｎ＋２）番地と（ｍ＋１、ｒｂ　　ｎ　＋３
）番地の二つの絶縁ゲート型トランジスタを直列に接続
した状態でＯＮ／ＯＦＦ検査することができる。

次に第１図（ｂ）の回路構成に従って、ｎ　＋　ｔ番の
信号線ｌ２に正の電圧を電圧源４１より印加し、ｎ番の
信号線１２は接地してこれら信号線１２、１２間に第２
の閉ルーブ４３−２を構成して各信号線１２に電流計４
２を接続する。ｍ番の走査線１１に絶縁ゲート型トラン
ジスタ１０が十分にＯＮする電圧とＯＦＦする電圧を選
択して印加する。ｎ−１番とｎ＋１番の信号線１２の間
を流れる電流値を測定することにより、（ｍｙ　　ｎ＋
１）番地と（ｍ＋１、ｒｂ　　ｎ＋２）番地の二つの絶
縁ゲート型トランジスタ１０を直列に接続した状態でＯ
Ｎ／ＯＦＦ検査する。同様にｎ＋３番とｎ＋５番の信号
線１２，１２間を流れる電流値を測定することにより、
　（　ｍｓ　　ｎ　＋　３　）番地と（　ｍｌ　　ｎ　
＋４　）番地の二つの絶縁ゲート型トランジスタを直列
に接続した状態でＯＮ／ＯＦＦ検査することができる。

このように電流計４２または電流を計測可能な素子●計
器を上記信号線に接続しておくことにより、１本おきに
隣合った信号線１２、１２間で構成される全ての閉ルー
プ４３のいずれかに絶縁ゲート型トランジスタの特性不
良または内部短絡による電流異常が発生しても信号線１
２に流れる電流値の比較からその発生位置が同定可能と
なっている。例えば、絶縁ゲート型トランジスタ１０が
ＯＮ状態にある時に、ｎ千２番とｎ＋４番の信号線１２
間が開放状態であるとこれらの１２に接続された電流計
４２は、ｎ番とｎ＋Ｅｌ番の信号線に接続された電流計
４２の半分の値しか示さないので、（　Ｉｓ　　ｎ　＋
　２　）番地と（ｍ＋１、ｒｂ　　ｎ＋３）番地の二つ
の絶縁ゲート型トランジスタ１ｏのいずれかが開放状態
にあることが分かる。一方、ｎ＋１番とｎ＋３番の信号
線に接続された電流計４２が、ｎ−１番とｎ＋５番の信
号線１２に接続された電流計４２の半分の値しか示さな
い場合には、（ｍ，ｎ＋１）番地と（　ｍｌ　　ｎ　＋
　２　）番地の二つの絶縁ゲート型トランジスタ１０の
いずれかが開放状態にあることが分かるので、２回の検
査を総合判定した結果は（　ｍ＋　　ｎ　＋　２　）番
地の絶縁ゲート型トランジスタが開放状態にあると決定
できるのである。

第１図（ａ）と第１図（ｂ）で示した２回の測定によっ
て全ての番地の絶縁ゲート型トランジスタは２回続けて
検査されることになり、絶縁ゲート型トランジスタ１０
のソース●ドレイン間に点欠陥の原因となる短絡と開放
が連続して発生しない限り、横方向（ｍ番地）の全ての
絶縁ゲート型トランジスタ１０のＯＮ／ＯＦＦ特性を一
斉に知ることが出来る。従って上記した検査を全ての走
査線１１に対して実施することにより、対象とする表示
エリア内の全ての絶縁ゲート型トランジスタのＯＮ／Ｏ
ＦＦ特性が高速で検査出来るのである。

絶縁ゲート型トランジスタ１０の電気検査終了後に、絶
縁ゲート型トランジスタ１０のドレイン電極と隣接する
信号線１２とを接続する接続線２０を含んで形成された
開口部２１内の接続線２０の部分を除去する等の手段に
よって、絶縁ゲート型トランジスタ１０のドレイン電極
または絵素電極と隣接する信号線１２との接続を解除す
ることにより、最終的には従来の液晶パネルと同一の回
路構成となり、点欠陥を高速で検出可能とするための接
続線２０の存在による副次的な欠陥の発生する恐れも大
幅に低下している。

第３図はアクティブマトリクス基板の本発明の第２の実
施例による検査時の電圧源と電流計の接続を示す等価回
路であ。第３図の検査システムで対応可能な、同一の走
査線１１と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型トラ
ンジスタと絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査
線１１と信号線１２の交点毎に複数個有するアクティブ
マ｝　ＩＪクス基板の等価回路を第４図（ａ）（ｂ）に
示す。

第３図の回路構成に従って、走査線ｌ１と信号線１２と
で駆動される絶縁ゲート型トランジスタｔｏ−１、２と
絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線ｌ１と信
号線１２の交点毎に複数組有するアクティブマトリクス
基板において，ｎ＋２番の信号線１２とｎ＋３番の信号
線ｌ２には正の電圧を電圧源４１より印加し、ｎ番の信
号線１２とｎ＋１番の信号線１２は接地して１本おきに
２種類の閉ルーブ４３−Ｌ２を構成し、全ての信号線に
は電流計４２を接続して各信号線に流れる電流を計測す
る。走査線１１と信号線１２とが短絡していない限り、
２種類の閉ループ４３−１、２は独立しているので、走
査線１１に印加する直流電圧に絶縁ゲート型トランジス
タ１０−１、２が十分にＯＮする電圧とＯＦＦする電圧
を選択して印加し、各信号線１２に流れる電流を計測す
ることにより、第１の実施例で説明したように全ての閉
ルーブ４３のいずれかに絶縁ゲート型トランジスタの特
牲不良または内部短絡による電流異常が発生してもその
位置は同定可能である。

走査線１１と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型ト
ランジスタと絵素電極とより成る一組の構成単位を走査
線１１と信号線１２の交点毎に二組有するアクティブマ
トリクス基板は、第４図（ａ）（ｂ）に示すように２種
類考えられる。

まず第４図Ｃａ）の第１の場合においては、走査線１１
と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ
１０と絵素電極とより成る一組の構成単位を走査線１１
と信号線１２の交点毎にかつ信号線１２の両側に二組有
するアクティブマトリクス基板において、（ｍｅ　　ｎ
）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電
極または絵素電極と（　＆　　ｎ　＋　２　）番地の第
２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または絵
素電極とが除去可能な配線材２０で接続されて形成され
ており、１本おきに信号線ｎ番とｎ＋２番、ｎ千１番と
ｎ＋３番・・・の２本の信号線１２の間で閉ループ４３
−Ｌ２が構成される。しかしながら、第１と第２の絶縁
ゲート型トランジスタ１０−１、２は共通するｍ番の走
査線１１でＯＮ／ＯＦＦ制御されるので、等価回路の対
称性から第１と第２のどちらの絶縁ゲート型トランジス
タ１０−１、２にＯＮ電流小あるいはＯＦＦ電流大の点
欠陥の原因が存在するかを識別することはできないが、
どちらかの絶縁ゲート型トランジスタ１０−１、２にＯ
Ｎ電流小あるいはＯＦＦ電流大の点欠陥の原因が存在す
ることを知ることができる。すなわち、点欠陥の検出は
可能である。また絶縁ゲート型トランジスタ１０が十分
にＯＮする電圧とＯＦＦする電圧を選択して印加するの
は、走査線１１（ｍ）１木だけでよく、Ｌ記した検査を
全ての走査線に対して実施することにより、対象とする
表示エリア内の全ての絶縁ゲート型トランジスタ１０の
ＯＮ／ＯＦＦ特性が高速で検査できるのである。

次に第４図（ｂ）の第２の場合においては、走査線１１
と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ
１０−１、２と絵素電極とより成る一組の構成単位を、
走査線１１と信号線１２の交点毎にかつ対角の位置に二
組有するアクティブマトリクス基板において、（ｍｔ　
　ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１
のドレイン電極または絵素電極と（　ｍ　十Ｌ　　ｎ　
＋　２　）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０
−２のドレイン電極または絵素電極とが除去可能な配線
材で接続されて形成され、第１と第２の絶縁ゲート型ト
ランジスタ１０−１、２を直列にして電気特性が検査さ
れており、１本おきにｎ番とｎ＋２番、ｎ＋１番とｎ＋
３番・・・の２本の信号線１２間で閉ループ４３−Ｌ２
が構成される。そして、第１と第２の絶縁ゲート型トラ
ンジスタ１０−１、２は別々の走査線１１でＯＮ／ＯＦ
Ｆ制御される等価回路の非対称性から第１と第２の絶縁
ゲート型トランジスタ１０−１、２にＯＦＦ電流大（Ｓ
Ｄ間短絡）の不良が発生しても識別可龍である。しかし
ながら、ＯＮ電流小（ＳＤ間開放）の不良に対しては識
別は不可能である。ただし、絶縁ゲート型トランジスタ
１０が十分にＯＮする電圧とＯＦＦする電圧を選択して
印加するのは、ｍ番の走査線１１とｍ＋１番の走査線１
１との２本が必要となり、検査システムがやや複雑とな
る。

２個の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１、２が直列に
閉ループ４３−１、２を構成し、しかも各閉ルーブ４３
−１、２が独立していることから絶縁ゲート型トランジ
スタ１０のソース●ドレイン間に点欠陥の原因となる短
絡と開放が連続して発生しない限り、横方向の全ての絶
縁ゲート型トランジスタ１０のＯＮ／ＯＦＦ特性を一斉
に知ることができる。従って上記した検査を全ての走査
線ｌ１に対して実施することにより、対象とする表示エ
リア内の全ての絶縁ゲート型トランジスタ１０のＯＮ／
ＯＦＦ特性が高速で検査できるのである。

第５図は本発明の第３の実施例におけるアクティブマ｝
Ｕクス基板の検査時の電圧源と電流計の接続を示す等価
回路である。第５図の検査システムで対応可能な、走査
線ｌ１と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型トラン
ジスタと絵素電極とより成る一組の構成単位を走査線１
１と信号線１２の交点毎に複数組有するアクティブマト
リクス構成の液晶パネルまたはアクティブマトリクス基
板の等価回路を第６図（ａ）（ｍ）に示す。

第５図の回路構成に従って、走査線１１と信号線１２と
で駆動される絶縁ゲート型トランジスタ１０と絵素電極
とより成る一組の構成単位を、走査線１１と信号線１２
の交点毎に複数組有するアクティブマトリクス基板にお
いて、１本おきに信号線１２に正の電圧を電圧源４１よ
り印加し、その他の信号線１２は接地して隣合った信号
線１２との間に閉ルーブ４３を構成し、全ての信号線【
２に電流計４２を接続して各信号線１２に流れる電流を
計測する。閉ループ４３内には２個の絶縁ゲート型トラ
ンジスタ１０−１、２が直列に接続して含まれるように
接続線２０が形成されている。

全ての閉ループ４３は独立しているので、走査線１１に
印加する直流電圧に絶縁ゲート型トランジスタ１０が十
分にＯＮする電圧とＯＦＦする電圧を選択して印加し、
各信号線に流れる電流を一斉に計測することにより、全
ての閉ルーブ４３のいずれかに絶縁ゲート型トランジス
タ１０の特性不良または内部短絡による電流異常が発生
してもその位置は同定可能である。

２個の絶縁ゲート型トランジスタが直列に閉ルーブ４３
を構成し、しかも各閉ループ３が独立していることから
絶縁ゲート型トランジスタ１０のソース●ドレイン間に
点欠陥の原因となる短絡と開放が連続して発生しない限
り、横方向の全ての絶縁ゲート型トランジスタ１０のＯ
Ｎ／ＯＦＦ特性を一斉に知ることができる。従って上記
した検査を全ての走査線１１に対して実施することによ
り、対象とする表示エリア内の全ての絶縁ゲート型トラ
ンジスタ１０のＯＮ／ＯＦＦ特性が高速で検査できるの
である。

走査線１１と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型ト
ランジスタ１０−１、２と絵素電極とより成る一組の構
成ｔｌｌＬ位を走査線１１と信号線１２の交点毎にかつ
複数組有するアクティブマトリクス構成の液晶パネルま
たはアクティブマトリクス基板は、第６図（ａ）〜（ｍ
）に示すように１３種類考えられ、以下順に説明してい
く。

第６図（ａ）に示した第１の場合においては、走査線１
１と信号線１２とで駆動される絶縁ゲ−ト型トランジス
タ１０−１、２と絵素電極とより成る一組の構成単位を
走査線１１と信号線１２の交点毎に信号線の両側に二組
有するアクティブマトリクス基板において、（ｍ＋１、
ｒｂ　　ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ１
０−１のドレイン電極または絵素電極と（ｍ，ｎ＋１）
番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−２のドレ
イン電極または絵素電極とが除去可能な配線材２０で接
続されて形成され、第１と第２の絶縁ゲート型トランジ
スタ１０−Ｌ２を直列にして隣合った信号線ｎ番とｎ＋
１番、ｎ＋１番とｎ＋２番・・・の２本の信号線ｌ２の
間に閉ループ４３が構威される。

しかしながら、第１と第２の絶縁ゲート型トランジスタ
は共通する走査線１１でＯＮ／ＯＦＦ制御されるので、
等価回路の対称性から第１と第２のどちらの絶縁ゲート
型トランジスタ１０−１、２にＯＮ電流小あるいはＯＦ
Ｆ？Ｉ！流入の点欠陥の原因が存在するかを識別するこ
とはできないが、どちらかの絶縁ゲート型トランジスタ
にＯＮ電流小あるいはＯＦＦ電流人の点欠陥の原囚が仔
在することを知ることができる。すなわち、点欠陥の検
出は可能である。また絶縁ゲート型トランジスタ１０が
十分にＯＮする電圧とＯＦＦする電圧を選択して印可す
るのは、ｍ番の走査線１１だけでよい。

第６図（ｂ）に示した第２の場合においては、走査線１
１と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型トランジス
タと絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線１１
と信号線１２の交点毎にかつ走査線１１の両側に二組有
するアクティブマトリクス基板において、（ｍ＋　　ｎ
）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１のド
レイン電極または絵素電極と（ｍ＋１，ｎ＋１）番地の
第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−２のドレイン電
極または絵素電極とが除去可能な配線材２０で接続され
て形成され、第１と第２の絶縁ゲート型トランジスタを
直列にして隣会った信号線間に閉ループが構成される。

そして第１と第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１
、２を直列にして電気特性が検査されるので、等価回路
の非対称性から２個の絶縁ゲート型トランジスタ１０−
１、２のどちらかにＯＦＦ電流大の不良が発生しても識
別可能である。しかしながら、ＯＮ電流小の不良に対し
てはその回路構成の対称性から識別は不可能である。ま
た絶縁ゲート型トランジスタ１０が十分にＯＮする電圧
とＯＦＦする電圧を選択して印加するのは、ｍ番の走査
線１１とｍ＋１番の走査線１１との２本が必要である。

第６図（Ｃ）に示した第３の場合においては、走査線１
１と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型トランジス
タ１０と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線
１１と信号線１２の交点毎に走査線の両側に二組有する
アクティブマトリクス基板において、（ｍ＋　　ｎ）番
地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１のドレイ
ン電極または絵素電極と（ｍ十１．ｎ＋１）番地の第２
の絶縁ゲート型トランジスタ１０−２のドレイン電極ま
たは絵素電極とが除去可能な配線材２０で接続されて形
成され、第１と第２の絶縁ゲート型トランジスタを直列
にして隣合った信号線１２、１２間に閉ループ４３が構
成される。そして第１と第２の絶縁ゲート型トランジス
タを直列にして電気特性が検査されるので、郷価回路の
非対称性から２個の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１
、２のどちらかにＯＦＦ電流大の不良が発生しても識別
可能である。ＯＮ電流小の不良に対してはその回路構成
の対称性から識別は不可能である。また絶縁ゲート型ト
ランジスタ１０が十分にＯＮする電圧とＯＦＦする電圧
を選択して印加するのは、ｍ番の走査線１１とｍ＋１番
の走査線１１との２本が必要である。

第６図（ｄ）に示した第４の場合においては、走査線１
１と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型トランジス
タ１０と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線
１１と信号線１２の交点毎にかつ対角の位置に二組有す
るアクティブマトリクス基板において、（ｍ，　　ｎ）
番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１のドレ
イン電極または絵素電極と（ｍ＋１，ｎ＋１）番地の第
２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−２のドレイン電極
または絵素電極とが除去可能な配線材２０で接続されて
形成され、第１と第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０
−１、２を直列にして隣合った信号線１２、１２間に閉
ループ４３が構成される。

そして第１と第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１
、２を直列にして電気特性が検査されるので、等価回路
の非対称性から２個の絶縁ゲート型トランジスタのどち
らかにＯＦＦ電流大の不良が発生しても識別可能である
。しかしながら、ＯＮ電流小の不良に対してはその回路
構成の対称性から識別は不可能である。また絶縁ゲート
型トランジスタ１０が十分にＯＮする電圧とＯＦＦする
電圧を選択して印加するのは、ｍ番の走査線１１とｍ＋
１番の走査線１１との２本が必要である。

第６図（ｅ）に示した第５の場合においては、走査線１
１と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型トランジス
タと絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線ｌ１
と信号線１２の交点毎に対角の位置に二組有するアクテ
ィブマトリクス基板において、（ｍ＊　　ｎ）番地の第
１の絶縁ゲー｝Ｗトランジスタ１０−１のドレイン電極
または絵素電極と（ｍ＋２，ｎ＋１）番地の第２の絶縁
ゲート型トランジスタ１０−２のドレイン電極または絵
素電極とが除去可能な配線材２０で接続されて形成され
、第１と第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１、２
を直列にして隣合った信号線間に閉ループ４３が構成さ
れる。そして第１と第２の絶縁ゲート型トランジスタ１
０−１，２を直列にして電気特性が検査されるので、等
価回路の非対称性から２個の絶縁ゲート型トランジスタ
１０−１、２のどちらかにＯＦＦ電流大の不良が発生し
ても識別可能である。しかしながら、ＯＮ電流小の不良
に対してはその回路構成の対称性から識別は不可能であ
る。また絶縁ゲート型トランジスタ１０が十分にＯＮす
る電圧とＯＦＦする電圧を選択して印加するのは、ｍ番
の走査線１１とｍ＋２番の走査線１１の２本が必要であ
る。

第６図（ｆ）に示した第６の場合おいては、走査線１１
と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ
１０と絵素電極とより成る一組の構成単位を走査線１１
と信号線１２の交点毎に信号線の片側に二組有するアク
ティブマトリクス基板において、（ｍ＋　　ｎ）番地の
第１の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１のドレイン電
極または絵素電極と（　ｍｅ　　ｎ　＋　１　）番地の
第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−２のドレイン電
極または絵素電極とが除去可能な配線材２０で接続され
て形成され、第１と第２の絶縁ゲート型トランジスタ１
０−１、２を直列にして隣合った信号線間に閉ループが
構成される。そして第１と第２の絶縁ゲート型トランジ
スタを直列にして電気特性が検査されるので、等価回路
の対象性から第１と第２のどちらの絶縁ゲート型トラン
ジスタにＯＮ電流小あるいはＯＦＦ電流大の点欠陥の原
因が存在するかを識別することはできないが、どちらか
の絶縁ゲート型トランジスタｔｏ−１、２にＯＮ電流小
あるいはＯＦＦ電流大の点欠陥の原因が存在することを
知ることができる。すなわち、点欠陥の検出は可能であ
る。また絶縁ゲート型トランジスタ１０が十分にＯＮす
る電圧とＯＦＦする電圧を選択して印加するのは、ｍ番
の走査線１１だけでよ第６図（ｇ）に示した第７の場合
においては、走査線１１と信号線１２とで駆動される絶
縁ゲート型トランジスタ１０と絵素電極とより成る一組
の構成単位を、走査線１ｌと信号線１２の交点毎に信号
線の片側に二組有するアクティブマトリクス基板におい
て、（ｍ＋１、ｒｂ　　ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型
１・ランジスタ１０−１のドレイン電極または絵素電極
と（ｍ＋１．ｎ＋１）番地の第２の絶縁ゲート型トラン
ジスタｔｏ−２のドレイン電極または絵素電極とが除去
可能な配線材２０で接続されて形或され、第１と第２の
絶縁ゲート型トランジスタを直列にして隣合った信号線
間に閉ループ４３が構成される。そして第１と第２の絶
縁ゲート型トランジスタ１０−１、２を直列にして電気
特性が検査されるので、等価回路の非対称性から２個の
絶縁ゲート型トランジスタ１０−１、２のどちらかにＯ
ＦＦ電流大の不良が発生しても識別可能である。しかし
ながら、ＯＮ電流小の不良に対してはその回路構成の対
称性から識別は不可能である。また絶縁ゲート型トラン
ジスタ１０が十分にＯＮする電圧とＯＦＦする電圧を選
択して印可するのは、ｍ番の走査線１１とｍ＋１番の走
査線１１との２本が必要である。

第６図（ｈ）に示した第８の場合においては、走査線１
１と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型トランジス
タ１０と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線
１１と信号線１２との交点毎に全ての対角の位置に４組
有するアクティブマトリクス基板において、（ｍ＋　　
ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１の
ドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋１．ｎ＋１）番地
の第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−２のドレイン
電極または絵素電極とが、および（ｍ＋　　ｎ　＋　１
）番地の第３の絶縁ゲート型トランジスタ１０−３のド
レイン電極または絵素電極と（　ｍ　＋　２＋　　ｎ　
）番地の第４の絶縁ゲート型トランジスタ１０−４のド
レイン電極または絵素電極とが除去可能な配線材２０−
１、２で接続されて形成され、第１と第２の絶縁ゲート
型トランジスタおよび第３と第４の絶縁ゲート型トラン
ジスタを直列にして隣合った信号線間に二つの閉ループ
が構成される。そして第１と第２および第３と第４の絶
縁ゲート型トランジスタ１０−１〜４を２個ずつ直列に
して電気特性が検査されるので、等価回路の非対称性か
ら各２個の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１、２と１
０−３、４のどちらかにＯＦＦ電流大の不良が発生して
も識別可能である。しかしながら、ＯＮ電流小の不良に
対してはその回路構成の対称性から識別は不可能である
。また絶縁ゲート型トランジスタ１０が十分にＯＮする
電圧とＯＦＦする電圧を選択して印加するのは、ｍ番の
走査線１１、ｍ　＋　１番の走査線１１およびｍ＋２番
の走査線１１との３本が必要であり、ｍ番の走査線１１
とｍ＋１番の走査線１１、ｍ番の走査線１１とｍ＋２番
の走査線１１との組合せで別々の閉ループ４３を選択す
る。

第６図（ｉ）に示した第９の場合においては、走査線１
１と信号線ｌ２とで駆動される絶縁ゲート型１・ランジ
スタｌＯと絵素電極とより成る一組の構成単位を、信号
線１２の両側に二組ずつ有するアクティブマトリクス基
板において、（ｍ．　　ｎ）番地の第１の絶縁ゲーｌ・
型トランジスタ１０−３のドレイン電極または絵素電極
と（ｍ　＋　２１　　ｎ　＋１）番地の第２の絶縁ゲー
ト型トランジスタ１０一４のドレイン電極または絵素電
極とが、および（　Ｉｎ？　　１１　）番地の第３の絶
縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または絵素電極
と（ｍ＋−１、ｎ＋１）番地の第４の絶縁ゲート型トラ
ンジスタのドレイン電極または絵素電極とが除去可能な
配線材２０−１、２で接続されて形成され、第１と第２
の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１、２および第３と
第４の絶縁ゲート型トランジスタ１〇一１、２を直列に
して隣合った信号線間に二つの閉ループ４３が構成され
る。そして第１と第２および第３と第４の絶縁ゲート型
トランジスタ１〇一１〜４を２個ずつ直列にして電気特
性が検査されるので、等価回路の非対称性から各２個の
絶縁ゲート型トランジスタ１０−１、２と１０−３、４
のどちらかにＯＦＦ電流大の不良が発生しても識別可能
である。しかしながら、ＯＮ電流小の不良に対してはそ
の回路構成の対称性から識別は不可能である。また絶縁
ゲート型トランジスタ１０が十分にＯＮする電圧とＯＦ
Ｆする電圧を選択して印加するのは、ｍ番の走査線１　
１、ｍ　＋　１番の走査線１１およびｍ＋２番の走査線
１１との３本が必要であり、ｍ番の走査線１１とｍ＋１
番の走査線１１、ｍ番の走査線１１とｍ＋２番の走査線
１ｌとの組合せで別々の閉ループ４３を選択ずる。

第６図（Ｊ）に示した第１０の場合においては、走査線
１１と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型トランジ
スタ１０と絵素電極とより成る一組の描成単位を、走査
線の両側に二組ずつ有するアクティブマトリクス基板に
おいて％　　（ｍ＋　　ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型
トランジスタ１０−１のドレイン電極または絵素電極と
（ｍ＋１．　　ｎ＋１）番地の第２の絶縁ゲート型トラ
ンジスタ１０−２のドレイン電極または絵素電極とが、
および（ｍ＋ｎ＋１）番地の第３の絶縁ゲート型トラン
ジスタ１０−３のドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋
２，ｎ）番地の第４の絶縁ゲート型トランジスタ１０−
４のドレイン電極または絵素電極とが除去可能な配線材
２０−１、２で接続されて形成され、第１と第２の絶縁
ゲート型トランジスタ１０−１、２および第３と第４の
絶縁ゲート型トランジスタ１０−３、４を直列にして隣
合った信号線間に二つの閉ループ４３が構成される。そ
して第１と第２および第３と第４の絶縁ゲート型トラン
ジスタ１０−１〜４を２個ずつ直列にして電気特性が検
査されるので、等価回路の非対称性から各２個の絶縁ゲ
ート型トランジスタ１０−１、２と１０−３、４のどち
らかにＯＦＦ電流大の不良が発生しても識別可能である
。しかしながら、ＯＮ′Ｉｌｉ流小の不良に対してはそ
の回路構成の対称性から識別は不可能である。また絶縁
ゲーｌ・型１・ランジスタ１０が十分にＯＮする電圧と
ＯＦＦする電圧を選択して印加するのは、ｍ番の走査線
１　ｌ、ｍ　＋　１番の走査線１１およびｍ＋２番の走
査線１１との３木が必要であり、ｍ番の走査線１１とｍ
＋１番の走査線１１、ｍ番の走査線１１とｍ＋２番の走
査線１１との組合せで別々の閉ルーブ４３を選択する。

第６図（ｋ）に示した第１１の場合においては、走査線
１１と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型トランジ
スタと絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線１
１と信号線ｌ２との交点毎に対角の位置に二組ずつ有す
るアクティブマトリクス基板において、（ｍ＋１、ｒｂ
　　ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ１０−
１のドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋１．ｎ＋１）
番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−２のドレ
イン電極または絵素電極とが、および（ｍ，ｎ）番地の
第３の絶縁ゲート型トランジスタ１０−３のドレイン電
極または絵素電極と（ｍ＋２．ｎ＋１）番地の第４の絶
縁ゲート型トランジスタ１０−４のドレイン電極または
絵素電極とが除去可能な配線材２０−１、２で接続され
て形成され、第１と第２の絶縁ゲート型トランジスタ１
０−１、２および第３と第４の絶縁ゲート型トランジス
タ１０−３、４を直列にして隣合った信号線間に二つの
閉ループ４３が構成される。そして第１と第２および第
３と第４の絶縁ゲート型トランジスタを２個ずつ直列に
して電気特性が検査されるので、等価回路の非対称性か
ら各２個の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１、２と１
０−３、４のどちらかにＯＦＦ電流大の不良が発生して
も識別可能である。しかしながら、ＯＮ電流小の不良に
対してはその回路構成の対称性から識別は不ＩＩＩ能で
ある。また絶縁ゲー１・型トランジスタ１０が十分にＯ
Ｎする電圧とＯＦＦする電圧を選択して印加するのは、
ｍ番の走査線ＩＬｍ＋１番の走査線１１およびｍ＋２番
の走査線１１との３本が必要であり、ｍ番の走査線１１
とｍ＋１番の走査線１１、ｍ番の走査線１１とｍ＋２番
の走査線１１との組合せで別々の閉ルーブ４３を選択す
る。

第６図（１）に示した第１２の場合においては、走査線
１１と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型トランジ
スタ１０と絵素電極とより成る一組の横或単位を、走査
線１１と信号線１２の交点毎に走査線の両側に二組有す
るともに補助の絶縁ゲート型トランジスタ４０を有する
アクティブマトリクス基板においてＮ　　（ｍ，　　ｎ
）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１と（
ｍ＋−１、ｎ）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ
１０−２のドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋２＋　
　ｎ＋１）番地の補助の絶縁ゲート型トランジスタ４０
のドレイン電極とが除去可能な配線材２０−１、２で接
続されて形成され、第１の絶縁ゲート型トランジスタ１
０−１と補助の絶縁ゲート型トランジスタ４０とを直列
にして一つの閉ループ４３が、また第２の絶縁ゲート型
トランジスタ１０−２と補助の絶縁ゲート型トランジス
タ４０とを直列にしてもう一つの閉ループ４３が隣合っ
た信号線間に構成される。そして第１と補助の絶縁ゲー
ト型トランジスタおよび第２と補助の絶縁ゲート型トラ
ンジスタを２個ずつ直列にして電気特性が検査されるの
で、等価回路の非対称性から各２個の絶縁ゲート型トラ
ンジスタのどちらかにＯＦＦ電流大の不良が発生しても
識別可能である。しかしながら、ＯＮ電流小の不良に対
してはその回路構成の対称性から識別は不ｕＩ能である
。また絶縁ゲート型トランジスタ１０が十分にＯＮする
電圧とＯＦＦする電圧を選択して印加するのは、ｍ番の
走査線Ｉ　Ｌ、ｍ　＋　１番の走査線１１およびｍ＋２
番の走査線１１との３本が必要であり、ｍ番の走査線１
１とｍ＋１番の走査線１１、ｍ番の走査線１１とｍ＋２
番の走査線１１との組合せで別々の閉ループ４３を選択
する。

絶縁ゲート型トランジスタ１０−１、２の良否判定に当
り、補助の絶縁ゲート型トランジスタ４０は２回の検査
をうけるため、共通因子として駆動用の絶縁ゲート型ト
ランジスタの電気特性の評価に寄与できる。絶縁ゲート
型トランジスタのＯＮ電流少（ソース●ドレイン間開放
も含む）とＯＦＦ電流大（ソース●ドレイン間短絡も含
む）等の主要不良が隣接もしくは極めて近接して発生す
る確率はほぼＯであるという仮定に従えば、例えば第１
の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１と補助の絶縁ゲー
ト型トランジスタ４０との組合せにおいて何れかの紬縁
ゲー１・憎＋−ランジスタにＯＮ電流少が発生した場合
には、第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−２と補助
の絶縁ゲート型トランジスタ４０との組合せの結果が正
常であれば、第１の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１
にＯＮ電流少が発生したと判定でき、後者の組合せにお
いても何れかの絶縁ゲート型トランジスタにＯＮ電流小
が発坐しているのであれば、第１と第２の絶縁ゲート型
トランジスタに同時にＯＮ電流小が発生する確率はほぼ
Ｏであるという仮定から補助の絶縁ゲート型トランジス
タにＯＮ電流少が発生したと判定出来るのである。

第６図（ｍ）に示した第１３の場合においては、同一の
走査線１１と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型ト
ランジスタ１０と絵素電極とより成る一組の構成単位を
走査線１１と信号線１２との交点毎にかつ信号線ｌ２の
片側に二組有するともに補助の絶縁ゲート型トランジス
タ４０を有するアクティブマトリクス基板において、（
ｍｓ　　ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ１
０−１と（　ｍ　＋　ｌｙ　　ｎ　）番地の第２の絶縁
ゲート型トランジスタ４０のドレイン電極または絵素電
極と（ｍ　＋　２＋　　ｎ　＋　１　）番地の補助の絶
縁ゲート型トランジスタのドレイン電極とが除去可能な
配線材２０−１、２で接続されて形成され、第１の絶縁
ゲート型トランジスタ１０−１と補助の絶縁ゲート型ト
ランジスタ４０とを直列にして一つの閉ループ４３が、
また第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−２と補助の
絶縁ゲート型トランジスタ４０とを直列にしてもう一つ
の閉ループ４３が隣合った信号線間に構成される。そし
て第１と補助の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１、４
０および第２と補助の絶縁ゲート型トランジスタ１０−
２、４０を２個ずつ直列にして屯気特性が検査されるの
で、等価回路の非対称性から各２個の絶縁ゲート型トラ
ンジスタのどちらかにＯＦＦ？’ｌｉ流大の不良が発生
しても識別可能である。しかしながら、ＯＮ電流小の不
良に対してはその回路構成の対称性から識別は不可能で
ある。また絶縁ゲート型トランジスタ１０が十分にＯＮ
する電圧とＯＦＦナる電圧を選択して印加するのは、走
査線１１、ｍ＋１番の走査線１１およびｍ＋２番の走査
線１１との３本が必要であり、ｍ番の走査線１１とｍ十
１番の走査線１１、ｍ番の走査線ｌ１とｍ＋２番の走査
線１１との組合せで別々の閉ルーブを選択する。

第６図（ｍ）の回路構成では、第１と第２の絶縁ゲート
型トランジスタは直列に閉ルーブ４３を構成できないた
め、絶縁ゲート型トランジスタの良否判定に関する精度
は第１２の場合と同等である。

第７図（ａ）（ｂ）は本発明の第４の実施例におけるア
クティブマトリクス基板の検査時の電圧源と電流計の接
続を示す等価回路である。第７図の検査システムで対応
可能な、同一の走査線と信号線とで駆動される絶縁ゲー
ト型トランジスタと絵素電極とより成る一組の構成単位
を、走査Ａｌ１１と信号線１２の交点毎に複数組有する
アクティブマトリクス基板の等価回路を第８図（ａ）〜
（ｆ）に示す。

先ず、第７図（ａ）の回路構成に従って走査線１１と信
号線１２とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ１０
と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線１１と
信号線１２の交点毎に複数組有するアクティブマトリク
ス基板において、先ずｎ番の信号線ｌ２には電圧源４１
により正の電圧を印加し、ｎ＋１ｉとｎ＋２＋３　（ｋ
　−　１　）　ｍの信号線は接地して、ｎ＋３番の信号
線と隣合った信号線１２との間には第１の閉ルーブ４３
−１を、またｎ番の信号線１２と１本おきに隣合った信
号線１２との間には第２の閉ループ４３−２を構成し、
全ての信号線ｌ２に電流計４２を接続して各信号線１２
に流れる電流を計測する。

次に第７図（ｂ）に示したように、ｎ＋１番の信号線１
２には電圧源４１−２より正の電圧を印加し、ｎ＋２番
の信号線１２は接地して、ｎ千１番の信号線と隣合った
信号線１２間には第３の閉ループ４３−３を、またｎ＋
１番の信号線１２と１本おきに隣合った信号線１２間に
は第４の閉ルーブ４３−４を構成し、上記した信号線１
２には電流計４２を接続して各信号線１２に流れる電流
を計測する。全ての閉ルーブ４３内には２個の絶縁ゲー
ト型トランジスタ１０が直列に接続して含まれるように
接続線２０が形成されている。走査線１１に印加する直
流電圧に絶縁ゲート型トランジスタ１０が十分にＯＮす
る電圧とＯＦＦする電圧を選択して印可し、各信号線１
２に流れる電流を計測することにより、全ての閉ルーブ
４３のいずれかに絶縁ゲート型トランジスタ１０の特性
不良または内部短絡による電流異常が発生してもその位
置は同定可能である。

走査線１１と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型ト
ランジスタ１０と絵素電極とより成る一組の構或単位を
、走査線１工と信号線工２の交点毎に複数個有するアク
ティブマトリクス構成は、第８図に示すように６種類考
えられ、以下順に説明していく。

第８図（ａ）に示した第１の場合においては、走査線１
工と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型トランジス
タ１０と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線
１１と信号線１２との交点毎にかつ全ての対角の位置に
４組有するアクティブマトリクス基板において、（ｍ．
　　ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ１０−
１のドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋１，ｎ＋１）
番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−２のドレ
イン電極または絵素電極とが、および（ｍ＋１．ｎ）番
地の第３の絶縁ゲート型トランジスタ１０−′３のドレ
イン電極または絵素電極と（ｍ＋１、ｒｂｎ＋２）番地
の第４の絶縁ゲート型トランジスタ１０−４のドレイン
電極または絵素電極とが除去可能な配線材２０−Ｌ２で
接続されて形成されている。そして先ず、第７図（ａ）
の検査システムにより第１と第２の絶縁ゲート型トラン
ジスタ１０−１、２とを直列にして第１の閉ルーブ４３
−１が、第３と第４との絶縁ゲート型トランジスタ１０
−３、４とを直列にして第２の閉ルーブ４３−２が構成
される。次に第７図（ｂ）の検査システムにより＜　ｍ
ｔ　　ｔ１＋　１　）番地の第１の絶縁ゲート型トラン
ジスタ１０−１と（ｍ＋Ｌ　　ｎ＋２）番地の第２の絶
縁ゲート型トランジスタ１０−２とを直列にして第３の
閉ループ４３−３が、また（ｍ＋１，　　ｎ−１）番地
の第３の絶縁ゲート型トランジスタ１０−３と（　ｍ＋
　　ｎ　＋　１　）番地の第４の絶縁ゲート型トランジ
スタ１　０−４七を直列にして第４の閉ループ１１　３
　−　４が構成される。

そして４つの閉ループの検査により８個の絶縁ゲート型
トランジスタｌＯは全て２個ずつ直列にして電気特ＦＩ
＝．が検杏されるので、等価回路の非対称性から各２個
の絶縁ゲート型トランジスタＩＱのどちらかにＯＦＦ電
流大の不良が発生しても識別可能である。しかしながら
、ＯＮ電流小の不良に対してはその回路構成の対称性か
ら識別は不可能である。

また絶縁ゲート型トランジスタ１０が十分にＯＮする電
圧とＯＦＦする電圧を選択して印加するのは、走査線１
　１　（ｍ）と走査線１１（ｍ＋１）との２本が必要で
ある。

第８図（ｂ）に示した第２の場合においては、走査線１
１と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型トランジス
タ１０．！：絵素電極とより成る一組の構成単位を信号
線の両側に二組ずつ有するアクティブマトリクス基板に
おいて、（ｍ＋　　ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トラ
ンジスタ１０−１のドレイン電極または絵素電極と（ｍ
＋１，ｎ＋２）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ
１０−２のドレイン電極または絵素電極とが、および（
　ｍｙｎ）番地の第３の絶縁ゲート型トランジスタ１〇
一３のドレイン電極または絵素電極と（　ｍ　＋　１　
＋ｎ＋１）番地の第４の絶縁ゲート型トランジスタ１０
−４のドレイン電極または絵素電極とが除去可能な配線
材で接続されて形成されている。そして先ず、第７図（
ａ）の＋ｉ１査システムにより第１と第２の絶縁ゲート
型トランジスタ１０−１、２とを直列にして第２の閉ル
ーブ４３−２が、第３と第４との絶縁ゲート型トランジ
スタ１０−３、４とを直列にして第１の閉ルーブ４３−
１が構成される。次に第７図（ｂ）の検査システムによ
り（　ｒｒｂ　　ｎ　＋　１　）番地の第３の絶縁ゲー
ト型トランジスタ１０−３と（ｍ＋１，ｎ＋２）番地の
第４の絶縁ゲート型トランジスタ１０−４とを直列にし
て第３の閉ループ４３−３が、また（ｍ．ｎ−Ｌ）番地
の第１の絶縁ゲート型トランジスタ１０一ｉと（ｍ＋１
．ｎ＋１）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０
−２とを直列にして第４の閉ループ４３−４が構成され
る。そして４つの閉ループの検査により８個の絶縁ゲー
ト型トランジスタは全て２個ずつ直列にして電気特性が
検査されるので、等価回路の非対称性から各２個の絶縁
ゲート型トランジスタ１０のどちらかにＯＦＦ電流大の
不良が発生しても識別可能である。しかしながら、ＯＮ
電流小の不良に対してはその回路構成の対称性から識別
は不可能である。また絶縁ゲート型トランジスタ１０が
十分にＯＮする電圧とＯＦＦする電圧を選択して印加す
るのは、ｍ番の走査線１１とｍ＋１番の走査線１１との
２本が必要である。

第８図（Ｃ）に示した第３の場合においては、ｍ番の走
査線１１とｎ番の｛５号線１２とで駆動される絶縁ゲー
ト型トランジスタ１０と絵素電極とより成る一組の構成
単位を、走査線１１と信号線１２との交点毎に対角の位
置に二組ずつ有するアクティブマトリクス基板において
、（ｍ，　　ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジス
タ１０−１のドレイン電横または絵素７ｌ！桶と（ｍ＋
ｌ＋　　ｏ→−１）番地の第２の絶縁ゲート＋Ｓｑ　＋
−ランジスタ１０−２のドレイン電極または絵素電極と
が、および（ｍ，ｎ）番地の第３の絶縁ゲート型トラン
ジスタ１〇一３のドレ−（　７電極または絵素電極と（
　ｍ　＋　１　＊ｎ＋２）番地の第４の絶縁ゲート型ト
ランジスタ１０−４のドレイン電極または絵素電極とが
除去可能な配線材で接続されて形成されている。そして
先ず、第７図（ａ）の検査システムにより第ｉと第２の
絶縁ゲート型トランジスタ１０−１、２とを直列にして
第１の閉ループ４３−１が、第３と第４との絶縁ゲート
型トランジスタ１０−３、４とを直列にして第２の閉ル
ープ４３−２が構成される。

次に第７図（ｂ）の検査システムにより（ｍ＋１、ｒｂ
ｎ＋１）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ１０−
１と（ｍ＋１，ｎ＋２）番地の第２の絶縁ゲート型トラ
ンジスタ１０−２とを直列にして第３の閉ループ４３−
３が、また（ｍｅｎ−１）番地の第３の絶縁ゲート型ト
ランジスタ１０−３と（ｍ＋１，ｎ＋１）番地の第４の
絶縁ゲート型トランジスタ１０−４とを直列にして第４
の閉ループ４３−４が構成される。そして４つの閉ルー
プの検査により８個の絶縁ゲート型トランジスタ１０は
全て２個ずつ直列にして電気特性が検査されるので、等
価回路の非対称性から各２個の絶縁ゲートｗｎランジス
タ１０ｌ７）どちらかにＯＦＦ−流大の不良が発生して
も識別ｒＪＪ能である。しかしながら、ＯＮ電流小の不
良に対してはその回路構成の対称性から識別は不可能で
ある。また絶縁ゲート型トランジスタ１０が十分にＯＮ
する電圧とＯＦＦする電圧を選択して印加するのは、ｍ
番の走査線１１とｍ＋１番の走査線１ｌとの２本が必要
である。

第８図（ｄ）に示した第４の場合においては、走査線１
１と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型トランジス
タ１０と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線
ｌ１の両側に二組ずつ有するアクティブマトリクス基板
において、（ｍ，　　ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型ト
ランジスタ１０−１のドレイン電極または絵素電極と（
ｍ＋１，ｎ＋１）番地の第２の絶縁ゲート型トランジス
タ１０−２のドレイン電極または絵素電極とが、および
（　ｆｆｂ　　ｎ　＋２　）番地の第３の絶縁ゲート型
トランジスタ１０−３のドレイン電極または絵素電極と
（ｍ＋Ｌ　　ｎ）＃地の第４の絶縁ゲート型トランジス
タ１０−４のドレイン電極または絵素電極とが除去可能
な配線材で接続されて形成されている。

そして先ず、第７図（ａ）の検査システムにより第１と
第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１、２とを直列
にして第ｔの閉ループ４３−１が、第３と第４との絶縁
ゲート型トランジスタ１０−３、４とを商列にして第２
の閉ルーブ４３−・２が構成される。次に第７図（ｂ）
の検査システムにより（　ｆｆｂ　　ｎ　＋　１　）番
地の第１の絶縁ゲート型トランジスタｉｏ−ｔと（ｍ＋
１．ｎ＋２）番地の第２の絶縁ゲート型１・ランジスタ
１０−２とを直列にして第３の閉ループ４３−３が、ま
た（ｍ＋１、ｒｂ　　ｎ　＋１）番地の第３の絶縁ゲー
ト型トランジスタ１０−３と（ｍ　十Ｌ　　ｎ　−　１
　）番１１１１の第４の私縁ゲート型１・ランジスタ１
０−４とを直列にして第４の閉ルーブ４３−４が構成さ
れる。そして４つの閉ループの検査により８個の絶縁ゲ
ート型トランジスタ１０は全て２個ずつ直列にして電気
特性が検査されるので、等価回路の非対称性から各２個
の絶縁ゲート型トランジスタ１０のどちらかにＯＦＦ電
流大の不良が発生しても識別可能である。しかしながら
、ＯＮ電流小の不良に対してはその回路構成の対称性か
ら識別は不可能である。

また絶縁ゲート型トランジスタ１０が十分にＯＮする電
圧とＯＦＦする電圧を選択して印可するのは、ｍ番の走
査線１１とｍ＋１番の走査線１１との２本が必要である
。

第８図（ｅ）に示した第５の場合においては、走査線１
１と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型トランジス
タ１０と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査線
ｌ１と信号線１２の交点毎に対角の位置に二組有するア
クティブマトリクス基板において％　　（ｍ，　　ｎ）
番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１のドレ
イン電極または絵素電極と（　ｍ　＋　２＋　　ｎ　＋
　１　）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−
２のドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋１，ｎ＋２）
番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−２のドレ
イン電極または絵素電極とが除去可能な配線材２０−１
、２で陵続されて形成されている。そして先ず、第７図
Ｉ（ａ）の検査システムにより第１と（　ｍ　＋　２ｔ
ｎ＋１）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−
１、２とを直列にして第１の閉ルーブ４３−Ｌが、また
第１と（ｍ＋ｆ，ｎ＋２）番地の第２の絶縁ゲート型ト
ランジスタ１０−Ｌ　　２とを直列にして第２の閉ルー
プ４３−２が構成される。

この時第１の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１は２回
続けて検査される。次に第７図（ｂ）の検査システムに
より（ｍ，ｎ＋１）番地の第１の絶縁ゲート型トランジ
スタと（ｍ＋２，ｎ＋２）番地の第２の絶縁ゲート型ト
ランジスタ１０−２とを直列にして第３の閉ルーブ４３
−３が、また（ｍ．ｎ−１）番地の第１の絶縁ゲート型
トランジスタ１０−１と（ｍ＋２．ｎ＋１）番地の第２
の絶縁ゲート型トランジスタ１０−２とを直列にして第
４の閉ループ４３−４が構成される。　（ｍ＋２．ｎ＋
１）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−２は
第７図（ａ）の検査システムで既に１回検査されており
、２回続けて検査されたことになる。このように４つの
閉ループ４３−１、２、３、４の検査により絶縁ゲート
型トランジスタ１０は全て２個ずつ直列にして電気特性
が２回検査されるので、全ての絶縁ゲート型トランジス
タ１０を良否判定する事が出来る。また絶縁ゲート型ト
ランジスタ１０が十分にＯＮする電圧と０１”　Ｆする
？［！Ｉ’Ｅを選択して印加するのＧＥＬ　　Ｉｌ１番
の走杏１ｉｌ１　１、ｍ＋１番の走杏線１１およびｍ＋
２番の走査線１１との３本が必要であり、第１と第３の
閉ルーブ４３−Ｌ３、あるいは第２と第４の閉ルーゾ４
３−２、４を選択するためにはｍ番の走査線ｌ１とｍ＋
２番の走査線１１、あるいはｍ番の走査線１１とｍ＋１
番の走査線１１とが組み合わされている。

第８図（ｆ）に示した第６の場合においては、走査線１
１と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型トランジス
タ１０と絵素電極とより成る一組のむｑ成単位を、走奎
線１１と信号線１２の交点毎に信号線の両側に二絹有す
るアクティブマトリクス基板において、（ｍ．ｎ）番地
の第１の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１のドレイン
電極または絵素電極と（ｍ＋１，ｎ＋１）番地の第２の
絶縁ゲート型トランジスタ１０−２のドレイン電極また
は絵素電極と（ｍ−１．　　ｎ＋２）番地の第２の絶縁
ゲート型トランジスタ１０−２のドレイン電極または絵
素電極とが除去可能な配線材２０−１、２で接続されて
形成されている。そして先ず、第７図（ａ）の検査シス
テムにより第１と（ｍ＋１，ｎ＋１）番地の第２の絶縁
ゲート型トランジスタ１０−１、２とを直列にして第１
の閉ルーブ４３−１が、第１と（ｍ−１．　　ｎ＋２）
番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−２とを直
列にして第２の閉ループ／１３−２が構成される。この
時第１の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１は２回続け
て検査される。次に第７図（ｂ）の検査システムにより
（ｍ−２．　　ｎ＋１）番地の第１の絶縁ゲート型トラ
ンジスタ１０−１と（　ｍ　−　１　＊ｎ＋２）番地の
第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−２とを直列にし
て第３の閉ルーブ４３−３が、また（＋１１十２，　　
＋１＝　ｆ　）番地の第１の絶縁ゲーＩ−型トランジス
タ１０−１と（　ｍ　＋　ｌｙ　　ｒｔ　＋　１　）番
．地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−２とを直
列にして第４の閉ルーブ４３−４が構成される。　（ｍ
−１＋　　ｎ＋２）番地の第２の絶縁ゲート型トランジ
スタ１０−２と（ｍ＋１，ｎ＋１）番地の第２の絶縁ゲ
ート型トランジスタ１０−２とは第７図（ａ）の検査シ
ステムで既に１回検査されており、２回続けて検査され
たことになる。

このように４つの閉ルーブ４３−１、２、３、４の検査
により絶縁ゲート型トランジスタは全て２個ずつ直列に
して電気特性が２回検査されるので、全ての絶縁ゲート
型トランジスタを良否判定することができる。また絶縁
ゲート型トランジスタ１Ｏが十分にＯＮする電圧とＯＦ
Ｆする電圧を選択して印加するのは走査線３本が対象と
なり、第１と第３の閉ループ４３−Ｌ３、あるいは第２
と第４の閉ループ４３−２、４を選択するためには適宜
２本の走査線が組み合わされる。

第９図（ａ）（ｂ）はアクティブマトリクス基板の本発
明の第５の実施例における検査時の電圧源と電流計の接
続を示す等価回路である。第９図（ａ）（ｂ）の検査シ
ステムで対応可能な、同一の走査線１１と信号線１２と
で駆動される絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とよ
り成る一組の構成単位を、走査線１１と信号線１２の交
点毎に複数組訂するアクテｔブマ］・リクス７．ｌｉ　
＆の’１：　６１　同路を第１０図（Ｑ）〜（（；）に
示す。

第９図（ａ）の回路構成に従って、走査線ｌ１と信号線
１２とで駆動される絶縁ゲート型トランジスタ１０と絵
素電極とより成る一組の構成単位を、走査線１１と信号
線ｌ２の交点毎に複数組有するアクティブマトリクス基
板において、先ずｎ＋１番の信号線１２には電圧源４１
より正の電圧を印加し、ｎ番とｎ＋ｆ番の信号線１２は
ｔ妾地して、ｎ＋１番の信号線１２との間には第１と第
２の閉ループ４３−１、２を構成し、全ての信号線１２
に電流計４２を接続して各信号線１２に流れる電流を計
測する。

次にｎ＋２番の信号線１２には正の電圧を印加し、ｎ番
の信号線１２は接地して、ｎ＋２番の信号線と１本おい
て隣合った信号線１２間には第３の閉ループ４３−３を
構成し、上記した信号線１２には電流計４２を接続して
各信号線に流れる電流を計測する。全ての閉ルーブ４３
内には２個の絶縁ゲート型トランジスタ１０が直列に接
続して含まれるように接続線２０が形成されている。走
査線１１に印加する直流電圧に絶縁ゲート型トランジス
タ１０が十分にＯＮする電圧とＯＦＦする電圧を選択し
て印可し、各信号線１２に流れる電流を計測することに
より、全ての閉ループ４３のいずれかに絶縁ゲート型ト
ランジスタの特性不良または内部短絡に↓る゛ｉｕ　Ｍ
Ｅ　＋／１！ｉ：’：が允生してもその位置は同定可能
である。

走査線１１と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型ト
ランジスタ１０と絵素電極とより成る一組の構成単位を
、走査線１１と信号線１２の交点毎に複数個有するアク
ティブマトリクス構成は第１０図に示すように３種類考
えられ、以下順に説明していく。

第１０図（ａ）に示した第１の堝合においては、走査線
１１と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型トランジ
スタ１０と絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査
線１１と信号線１２の交点毎に対角の位置に二組有する
ともに補助の絶縁ゲート型トランジスタ４０を有するア
クティブマトリクス基板において、（ｍ，　　ｎ）番地
の第１の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１と（ｍ＋２
，ｎ＋２）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０
−２のドレイン電極または絵素電極と（　ｍ　＋　ｌｙ
ｎ＋１）番地の補助の絶縁ゲート型トランジスタ４０の
ドレイン電極とが除去可能な配線材２０−１、２で接続
されて形成されている。そして先ず、第９図（ａ）の検
査システムにより補助の絶縁ゲ−ト型トランジスタ４０
と（ｍ，ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジス１０
−１とを直列にして第１の閉ルーブ４３−１が、補助の
絶縁ゲート型トランジスタと（ｍ＋２．ｎ＋２）番地の
第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−２とを直列にし
て第２の閉ループ４３−２が構成される。第１絶縁ゲー
ト型トランジスタ１０−１と補助の絶縁ゲート型トラン
ジスタ４０および第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０
−２と補助の絶縁ゲート型トランジスタ４０を２個ずつ
直列にして電気特性が検査されるので、等価回路の非対
称性から各２個の絶縁ゲー１・型トランジスタ１０のど
ちらかにＯＦＦ電訛大の不良が発生しても識別可能であ
る。

しかしながら、ＯＮ電流小の不良に対してはその回路構
成の対称性から識別は不可能である。

絶縁ゲート型トランジスタ１０の良否判定に当り、補助
の絶縁ゲート型トランジスタ４０は２回の検査を受ける
ため、共通因子として駆動用の絶縁ゲート型トランジス
タ１０の電気特性の評価に大きく寄与できるが、正確を
期するのであれば弓続き第９図（ｂ）の検査システムに
より（ｍ＋　　ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジ
スタ１０−１と（ｍ＋２，ｎ＋２）番地の第２の絶縁ゲ
ート型トランジスタ１０−２とを直列にして第３の閉ル
ーブ４３−３を構成し、第１と第２の絶縁ゲート型トラ
ンジスタ１０−１、２を２個ずつ直列にして電気特性を
検査するとよい。これによって３個の絶縁ゲート型トラ
ンジスタ１０は全て２回の検査を受けることになり、補
助の絶縁ゲート型トランジスタ４０にＯＮ電流少が発生
した場合でも、第１と第２の、すなわち駆動用の絶縁ゲ
ート型トランジスタの完全な良否判定が行える。絶縁ゲ
ート型トランジスタ１０が十分にＯＮする電圧とＯＦＦ
する電圧を選択して印加するのは、ｍ番の走査線１１、
ｍ＋１番の走査線１ｌおよびｍ＋２番の走査線１１との
３本が必要であり、第１、第２あるいは第３の閉ループ
４３を選択するためにはｍ番の走ｈ線｛１とｍ　＋　１
　８’ｉの走査線ｔｌ，＋ｎ十１番の走査線１１とｍ．
＋２番い走査線１ｌあるいはｍ番の走査線１１とｍ＋２
番の走査線１ｔとが組み合わされている。

第１０図（ｂ）に示した第２の場合においては、走査線
１１と信号線１２とで駆動される絶縁ゲート型トランジ
スタ１０と絵素電極とより成る一組の構成４１位を、走
査線１１と信勺・線１２の交点毎に信号線１２の両側に
二組有するともに補助の絶縁ゲート型トランジスタ４０
を有するアクティブマトリクス基板において、（ｍ，ｎ
）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１と（
　ｍ　−　１　＋ｎ＋２）番地の第２の絶縁ゲート型ト
ランジスタ１　０−２のドレイン電極または絵素電極と
（ｍ＋１，ｎ＋１）番地の補助の絶縁ゲート型トランジ
スタ４０のドレイン電極とが除去可能な配線材で接続さ
れて形成されている。そして先ず、第９図（ａ）の検査
システムにより補助の絶縁ゲート型トランジスタ４０と
（ｍ．ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ１０
−１とを直列にして第１の閉ルーブ４３−１が、補助の
絶縁ゲート型トランジスタ４０と（ｍ−１ｙ　　ｎ＋２
）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−２とを
直列にして第２の閉ループ４３−２が構成される。第１
と補助の絶縁ゲート型トランジスタ１０−１および第２
と補助の絶縁ゲート型トランジスタ１０一２を２個ずつ
直列にして電気特性が検査されるので、等価回路の非対
称性から各２個の絶縁ゲート型トランジスタのどちらか
にＯＦＦ電流大の不良が発生しても識別可能である。し
かしながら、ＯＮ電流小の不良に対してはその回路構成
の対称性から識別は不可能である。

絶縁ゲート型トランジスタ１０の良否判定に当り、補助
の絶縁ゲー１”　’ｒｉ　トランジスタ４０は２回の検
査をうけるため、共通因子として駆動用の細縁ゲート型
トランジスタ１０の電気特性の評価に大きく寄与できる
が、正確を期するのであれば引続き第９図（ｂ）の検査
システムにより（ｍ＋　　ｎ）番地の第１の絶縁ゲート
型トランジスタ１０−１と（　ｍ　−　Ｌ　　ｎ　＋　
２　）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−２
とを直列にして第３の閉ループ４３−３を構成し、第１
と第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−Ｌ２を２個ず
つ直列にして電気特性を検査するとよい。これによって
８個の絶縁ゲート型トランジスタは全て２回の検査を受
けることになり、補助の絶縁ゲート型トランジスタ４０
にＯＮ７１！流少が発生した場合でも、第１と第２の、
すなわち駆動用の絶縁ゲート型トランジスタ１０の完全
な良否判定が行える。絶縁ゲート型トランジスタ１０が
十分にＯＮする電圧とＯＦＦする電圧を選択して印可す
るのは、ｍ−１番の走査線１１、ｍ番の走査線１１およ
びｍ＋１番の走査線１１との３本が必要であり、第１、
第２あるいは第３の閉ループを選択するためにはｍ番の
走査線１１とｍ＋１番の走査線１１、ｍ−１番の走査線
１１とｍ＋ｔ番の走査線１１あるいはｍ番の走査線１１
とｍ−１番の走査線１１が組み合わされている。

第１０図（Ｃ）に示した第３の場合においては、走企線
１１と信’４’　Ｉ’Ａ　１　２と゛ぐ駆動される絶縁
ゲート型トランジスタ１０と絵素電極とより成る一組の
構成単位を、走査線１ｌと信号線１２の交点毎に信号線
ｌ２の片側に二組有するともに補助の絶縁ゲート型トラ
ンジスタ４０を有するアクティブマトリクス基板におい
て、（ｍ，　　ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジ
スタ１０−１と（ｍ＋ｎ十１）番１ｔｈの第２の絶ＩＪ
ゲー１・型トランジスタ１０−２のドレイン電極または
絵素電極と（ｍ＋−１、ｎ＋２）番地の補助の絶縁ゲー
ト型トランジスタ４０のＰレイン電極とが除去可能な配
線材２０−１、２で接続されて形成されている。そして
先ず、第９図（ａ）の検査システムにより第１と第２の
絶縁ゲート型トランジスタ１０−１、２とを直列にして
第１の閉ルーブ４３−１が、補助の絶縁ゲート型トラン
ジスタ４０と第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−２
とを直列にして第２の閉ループ４３−２が構成される。

次に第９図（ｂ）の検査システムにより第１の絶縁ゲー
ト型トランジスタ１０−１と補助の絶縁ゲート型トラン
ジスタ４０とを直列にして第３の閉ルーブ４３−３を構
成される。これによって３個の絶縁ゲート型トランジス
タは全て２回の検査を受けることになり、補助の絶縁ゲ
ート型トランジスタ１０にＯＮ電流少が発生した場合で
も、第１と第２の、すなわち駆動用の絶縁ゲート型トラ
ンジスタ１０のほぼ完全な良否判定が行える。

第１０図（Ｃ）の回路構成では、第１と第２の絶縁ゲー
ト型トランジスタ１０−１、２は接続ｌ２０−１，２０
−２を経由して直列に閉ループ４３を構成しているが、
１本の共通の走査線１１で同時にＯＮ／ＯＦＦ制御され
るためＯＮ電流少の不良は、第１と第２の絶縁ゲート型
トランジスタ１０−１，２を組み合わせ′Ｃの検査では
識別できないが、補助の絶縁ゲート型トランジスタ４０
と第１、および第２の絶縁ゲート型トランジスタ１０−
１，２とを組合せた検査結果を加味すると、絶縁ゲート
型トランジスタ１０の良否判定に関する精度は実用上何
等支障無いものとなっている。

絶縁ゲート型トランジスタ１０が十分にＯＮする電圧と
ＯＦＦする電圧を選択して印加するのは、ｍ番の走査線
１１とｍ＋１番の走査線１１との２本が必要であり、第
１、あるいは第２、第３の閉ループを選択するためには
ｍ番の走査線１ｌ１　あるいはｍ番の走査線１１とｍ＋
１番の走査線１ｌが組み合わされている。

以上、駆動用の絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極と
よりなる構成単位を表示エリア内に１組、２組および４
組有するアクティブマトリクス基板において、絶縁ゲー
ト型トランジスタが閉ループを構成するように絶縁ゲー
ト型トランジスタまたは当該絶縁ゲート型トランジスタ
に接続された絵素電極相互間、補助の絶縁ゲート型トラ
ンジスタとの間、および信号線等の間に接続線を配置し
、外部から絶縁ゲート型トランジスタの電気特性や内部
短絡等の諸特性を高速で検査する方法について説明した
。

発明の効果 岐品バネルを構成するアクティブマトリクス基板の製逍
に￥１たり、点欠陥の１三原因となる駆動用の絶縁ゲー
ト型トランジスタを電気的に全数検査可能とするための
接続線、補助の絶縁ゲート型トランジスタ、絶縁ゲート
型トランジスタ間およびそれらの間の相互接続を導入し
、さらに進歩したものとして駆動用の絶縁ゲート型トラ
ンジスタを？！数化し、電気検査によって不良の絶縁ゲ
ート州トランジスタを排除した後に絵素電横を八何させ
て形成している先願特許の高速化について説明した。　
　これらの結果、まずアクティブマトリクス７ＸｔＪ２
を液品バネル化する前に、点欠陥の発生状況を推ｉｉ１
１１することが可能となり、高価なカラーフィルタを無
駄に使用する損失を回避できてその工業的な価値は計り
知れないものである。

さらに絶縁ゲート型トランジスタを複数化する技術との
併用により点欠陥の緩和の自由度も大幅に強化され、最
も進歩した形においては原理的に点欠陥が発生しないア
クティブマトリクス基板を得ることができて歩留まりの
向上の観点からは極めて重要な技術であると評価され、
加えて検査時間の大幅な短縮化は実用性の観点からも極
めて有用である。

本発明の主旨に従えば、アクティブマトリクス基板は液
晶パネルに限定される理由は存在せず、光学素子として
ＥＬやＳｉＣ等の発光素子を有するデバイスであっても
適用可能である。また液晶パネルも本文で説明した透過
型に限定されるものではなく、絵素電極の形戒に係る製
造工程の多少の増減と変更を許せば反射型の液晶パネル
においても極めて有用な発明であることを付記しておく
。

また絶縁ゲート型トランジスタの極性がＰチャネル動作
の絶縁ゲート型トランジスタである場合には、電圧源か
ら負の電圧を印可すればよいことは言うまでもない。

【図面の簡単な説明】

第１図（ａ）（ｂ）は本発明の第１の実施例におけるア
クティブマトリクス基板の検査方法の回路図、第２図は
同基板の回路図、第３図は本発明の第２の実施例におけ
るアクティブマトリクス基板の検査方法の回路図、、第
４図（ａ）（ｂ）は同基板の回路図、第５図は本発明の
第３の実施例におけるアクティブマ｝　Ｕクス基板の検
査方法の回路図、第６図（ａ）〜（ｍ）は同基板の回路
図、第７図（ａ）（ｂ）は本発明の第４の実施例におけ
るアクティブマトリクス基板の検査方法の回路図、第８
図（ａ）〜（ｆ）は同基板の回路図、第９図（ａ）（ｂ
）は本発明の第５の実施例におけるアクティブマトリク
ス基板の検査方法の回路図、第１０図（ａ）〜（ｃ）は
同基板の回路図である。 １０・・絶縁ゲ・・ト型トランジスタ、１１・・走査線
、１２・・信号線、２０・・接続線、２１・・開口部、
４０・・補助の絶縁ゲ・・ト型トランジスタ、４１・・
電圧源、４２・・電流計、４３・・閉ループ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）走査線と信号線の交点毎に一組の絶縁ゲート型ト
   ランジスタと絵素電極とを有するアクティブマトリクス
   基板において、ｎ番の絶縁ゲート型トランジスタのドレ
   イン電極または絵素電極をｎ＋１番の信号線に、ｎ＋１
   番の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または絵
   素電極をｎ＋２番の信号線に、ｎ＋２番の絶縁ゲート型
   トランジスタのドレイン電極または絵素電極をｎ＋３番
   の信号線に除去可能な配線材でそれぞれ接続して形成し
   、ｎ番とｎ＋２番の信号線の間に電圧を印加してこれら
   の信号線に流れる電流を計測することにより、ｎ番とｎ
   ＋１番の絶縁ゲート型トランジスタの直列状態での電気
   特性を検査し、ｎ＋１番とｎ＋３番の信号線の間に電圧
   を印加してこれらの信号線に流れる電流を計測すること
   により、ｎ＋１番とｎ＋２番の絶縁ゲート型トランジス
   タの直列状態での電気特性を検査し、ｎ＋１番の絶縁ゲ
   ート型トランジスタの電気特性を得ることを特徴とする
   アクティブマトリクス基板の検査方法。 ティブマトリクス基板の検査方法。 （２）走査線と信号線とで駆動される絶縁ゲート型トラ
   ンジスタと絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査
   線と信号線の交点毎に複数個有するアクティブマトリク
   ス基板において、ｎ番の第１の絶縁ゲート型トランジス
   タのドレイン電極または絵素電極とｎ＋２番の第２の絶
   縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または絵素電極
   とを除去可能な配線材で接続して形成し、ｎ番とｎ＋２
   番の信号線の間に電圧を印加してこれらの信号線に流れ
   る電流を計測することにより、第１と第２の絶縁ゲート
   型トランジスタの直列状態での電気特性が検査すること
   を特徴とするアクティブマトリクス基板の検査方法。 （３）絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成る
   一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎にかつ信号
   線の両側に二組有するアクティブマトリクス基板におい
   て、（ｍ、ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ
   のドレイン電極または絵素電極と（ｍ、ｎ＋２）番地の
   第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または
   絵素電極とが除去可能な配線材で接続して形成し、第１
   と第２の絶縁ゲート型トランジスタを直列状態での電気
   特性を検査することを特徴とする請求項２記載のアクテ
   ィブマトリクス基板の検査方法。（４）絶縁ゲート型ト
   ランジスタと絵素電極とより成る一組の構成単位を、走
   査線と信号線の交点毎にかつ対角の位置に二組有するア
   クティブマトリクス基板において、（ｍ、ｎ）番地の第
   １の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または絵
   素電極と（ｍ＋１、ｎ＋２）番地の第２の絶縁ゲート型
   トランジスタのドレイン電極または絵素電極とを配線材
   で接続して形成し、第１と第２の絶縁ゲート型トランジ
   スタの直列状態での電気特性を検査することを特徴とす
   る請求項２記載のアクティブマトリクス基板の検査方法
   。 （５）走査線と信号線とで駆動される絶縁ゲート型トラ
   ンジスタと絵素電極とより成る一組の構成単位を、走査
   線と信号線の交点毎に複数組有するアクティブマトリク
   ス基板において、ｎ番の絶縁ゲート型トランジスタのド
   レイン電極または絵素電極とｎ＋１番の絶縁ゲート型ト
   ランジスタのドレイン電極または絵素電極とを除去可能
   な配線材で接続して形成し、ｎ番とｎ＋１番の信号線の
   間に電圧を印加し、これらの信号線に流れる電流を計測
   することにより、２個の絶縁ゲート型トランジスタの直
   列状態での電気特を検査することを特徴とするアクティ
   ブマトリクス基板の検査方法。 （６）絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成る
   一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎にかつ信号
   線の両側に二組有するアクティブマトリクス基板におい
   て、（ｍ、ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ
   のドレイン電極または絵素電極と（ｍ、ｎ＋１）番地の
   第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または
   絵素電極とを配線材で接続して形成し、第１と第２の絶
   縁ゲート型トランジスタの直列状態での電気特性を検査
   することを特徴とする請求項５記載のアクティブマトリ
   クス基板の検査方法。 （７）絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成る
   一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎にかつ信号
   線の両側に二組有するアクティブマトリクス基板におい
   て、（ｍ、ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ
   のドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋１、ｎ＋１）番
   地の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極ま
   たは絵素電極とを配線材で接続して形成し、第１と第２
   の絶縁ゲート型トランジスタの直列状態での電気特性を
   検査することを特徴とする請求項５記載のアクティブマ
   トリクス基板の検査方法。 （８）絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成る
   一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎にかつ走査
   線の両側に二組有するアクティブマトリクス基板におい
   て、（ｍ、ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ
   のドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋１、ｎ＋１）番
   地の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極ま
   たは絵素電極とを配線材で接続して形成し、第１と第２
   の絶縁ゲート型トランジスタを直列にして電気特性が検
   査することを特徴とする請求項５記載のアクティブマト
   リクス基板の検査方法。 （９）絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成る
   一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎にかつ対角
   の位置に二組有するアクティブマトリクス基板において
   、（ｍ、ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタの
   ドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋１、ｎ＋１）番地
   の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極また
   は絵素電極とを配線材で接続しれて形成し、第１と第２
   の絶縁ゲート型トランジスタの直列状態での電気特性を
   検査することを特徴とする請求項５記載のアクティブマ
   トリクス基板の検査方法。 （１０）絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成
   る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎にかつ対
   角の位置に二組有するアクティブマトリクス基板におい
   て、（ｍ、ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタ
   のドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋２、ｎ＋１）番
   地の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極ま
   たは絵素電極とを配線材で接続して形成し、第１と第２
   の絶縁ゲート型トランジスタの直列状態での電気特性を
   検査することを特徴とする請求項５記載のアクティブマ
   トリクス基板の検査方法。 （１１）駆動される絶縁ゲート型トランジスタと絵素電
   極とより成る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点
   毎にかつ信号線の片側に二組有するアクティブマトリク
   ス基板において、（ｍ、ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型
   トランジスタのドレイン電極または絵素電極と（ｍ、ｎ
   ＋１）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイ
   ン電極または絵素電極とを配線材で接続して形成し、第
   １と第２の絶縁ゲート型トランジスタを直列状態での電
   気特性を検査することを特徴とする請求項５記載のアク
   ティブマトリクス基板の検査方法。 （１２）絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成
   る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎にかつ信
   号線の片側に二組有するアクティブマトリクス基板にお
   いて、（ｍ、ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジス
   タのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋１、ｎ＋１）
   番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極
   または絵素電極とを配線材で接続して形成し、第１と第
   ２の絶縁ゲート型トランジスタを直列状態での電気特性
   を検査することを特徴とする請求項５記載のアクティブ
   マトリクス基板の検査方法。 （１３）絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成
   る一組の構成単位を、走査線と信号線との交点毎にかつ
   全ての対角の位置に４組有するアクティブマトリクス基
   板において、（ｍ、ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トラ
   ンジスタのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋１、ｎ
   ＋１）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイ
   ン電極または絵素電極とが、および（ｍ、ｎ＋１）番地
   の第３の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極また
   は絵素電極と（ｍ＋２、ｎ）番地の第４の絶縁ゲート型
   トランジスタのドレイン電極または絵素電極とを配線材
   で接続して形成し、第１と第２および第３と第４の絶縁
   ゲート型トランジスタの各直列状態での電気特性を検査
   することを特徴とする請求項５記載のアクティブマトリ
   クス基板の検査方法。 （１４）絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成
   る一組の構成単位を、信号線の両側に二組ずつ有するア
   クティブマトリクス基板において、（ｍ、ｎ）番地の第
   １の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または絵
   素電極と（ｍ＋２、ｎ＋１）番地の第２の絶縁ゲート型
   トランジスタのドレイン電極または絵素電極とが、およ
   び（ｍ、ｎ）番地の第３の絶縁ゲート型トランジスタの
   ドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋１、ｎ＋１）番地
   の第４の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極また
   は絵素電極とを配線材で接続して形成し、第１と第２お
   よび第３と第４の絶縁ゲート型トランジスタの各直列状
   態での電気特性を検査することを特徴とする請求項５記
   載のアクティブマトリクス基板の検査方法。（１５）絶
   縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成る一組の構
   成単位を、走査線の両側に二組ずつ有するアクティブマ
   トリクス基板において、（ｍ、ｎ）番地の第１の絶縁ゲ
   ート型トランジスタのドレイン電極または絵素電極と（
   ｍ＋１、ｎ＋１）番地の第２の絶縁ゲート型トランジス
   タのドレイン電極または絵素電極とを、および（ｍ、ｎ
   ＋１）番地の第３の絶縁ゲート型トランジスタのドレイ
   ン電極または絵素電極と（ｍ＋２、ｎ）番地の第４の絶
   縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または絵素電極
   とを配線材で接続して形成し、第１と第２および第３と
   第４の絶縁ゲート型トランジスタの各直列状態での電気
   特性を検査することを特徴とする請求項５記載のアクテ
   ィブマトリクス基板の検査方法。 （１６）絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成
   る一組の構成単位を、走査線と信号線との交点毎にかつ
   対角の位置に二組ずつ有するアクティブマトリクス基板
   において、（ｍ、ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トラン
   ジスタのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋１、ｎ＋
   １）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン
   電極または絵素電極とが、および（ｍ、ｎ）番地の第３
   の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または絵素
   電極と（ｍ＋２、ｎ＋１）番地の第４の絶縁ゲート型ト
   ランジスタのドレイン電極または絵素電極とを配線材で
   接続して形成し、第１と第２および第３と第４の絶縁ゲ
   ート型トランジスタの各直列状態での電気特性を検査す
   ることを特徴とする請求項５記載のアクティブマトリク
   ス基板の検査方法。 （１７）絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成
   る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎にかつ走
   査線の両側に二組有するともに補助の絶縁ゲート型トラ
   ンジスタを有するアクティブマトリクス基板において、
   （ｍ、ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタと（
   ｍ＋１、ｎ）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタの
   ドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋２、ｎ＋１）番地
   の補助の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極とを
   配線材で接続して形成し、第１および第２の駆動用と補
   助の絶縁ゲート型トランジスタの各直列状態での電気特
   性を検査することを特徴とする請求項５に記載のアクテ
   ィブマトリクス基板の検査方法。 （１８）絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成
   る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎にかつ信
   号線の片側に二組有するともに補助の絶縁ゲート型トラ
   ンジスタを有するアクティブマトリクス基板において、
   （ｍ、ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタと（
   ｍ＋１、ｎ）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタの
   ドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋２、ｎ＋１）番地
   の補助の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極とを
   配線材で接続して形成し、第１および第２の駆動用と補
   助の絶縁ゲート型トランジスタの直列状態での電気特性
   を検査することを特徴とする請求項５記載のアクティブ
   マトリクス基板の検査方法。 （１９）走査線と信号線とで駆動される絶縁ゲート型ト
   ランジスタと絵素電極とより成る一組の構成単位を、走
   査線と信号線の交点毎に複数個有するアクティブマトリ
   クス基板において、ｎ番の絶縁ゲート型トランジスタの
   ドレイン電極または絵素電極をｎ＋１番の信号線に、お
   よびｎ＋１番の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電
   極または絵素電極をｎ＋２番の信号線に除去可能な配線
   材で接続して形成し、ｎ番とｎ＋１番およびｎ番とｎ＋
   ２番の絶縁ゲート型トランジスタの直列状態での電気特
   性を検査することを特徴とするアクティブマトリクス基
   板の検査方法。 （２０）絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成
   る一組の構成単位を、走査線と信号線との交点毎にかつ
   全ての対角の位置に４組有するアクティブマトリクス基
   板において、（ｍ、ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トラ
   ンジスタのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋１、ｎ
   ＋１）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイ
   ン電極または絵素電極とが、および（ｍ＋１、ｎ）番地
   の第３の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極また
   は絵素電極と（ｍ、ｎ＋２）番地の第４の絶縁ゲート型
   トランジスタのドレイン電極または絵素電極とを配線材
   で接続して形成し、第１と第２および第３と第４の絶縁
   ゲート型トランジスタを各直列状態での電気特性を検査
   することを特徴とする請求項１９記載のアクティブマト
   リクス基板の検査方法。 （２１）絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成
   る一組の構成単位を、信号線の両側に二組ずつ有するア
   クティブマトリクス基板において、（ｍ、ｎ）番地の第
   １の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または絵
   素電極と（ｍ＋１、ｎ＋２）番地の第２の絶縁ゲート型
   トランジスタのドレイン電極または絵素電極とを、およ
   び（ｍ、ｎ）番地の第３の絶縁ゲート型トランジスタの
   ドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋１、ｎ＋１）番地
   の第４の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極また
   は絵素電極とが除去可能な配線材で接続して形成し、第
   １と第２および第３と第４の絶縁ゲート型トランジスタ
   の各直列状態での電気特性を検査することを特徴とする
   請求項１９記載のアクティブマトリクス基板の検査方法
   。 （２２）絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成
   る一組の構成単位を、走査線と信号線との交点毎にかつ
   対角の位置に二組ずつ有するアクティブマトリクス基板
   において、（ｍ、ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トラン
   ジスタのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋１、ｎ＋
   １）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン
   電極または絵素電極とが、および（ｍ、ｎ）番地の第３
   の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または絵素
   電極と（ｍ＋１、ｎ＋２）番地の第４の絶縁ゲート型ト
   ランジスタのドレイン電極または絵素電極とを配線材で
   接続して形成し、第１と第２および第３と第４の絶縁ゲ
   ート型トランジスタの各直列状態での電気特性を検査す
   ることを特徴とする請求項１９記載のアクティブマトリ
   クス基板の検査方法。 （２３）絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成
   る一組の構成単位を、走査線の両側に二組ずつ有するア
   クティブマトリクス基板において、（ｍ、ｎ）番地の第
   １の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または絵
   素電極と（ｍ＋１、ｎ＋１）番地の第２の絶縁ゲート型
   トランジスタのドレイン電極または絵素電極とが、およ
   び（ｍ、ｎ＋２）番地の第３の絶縁ゲート型トランジス
   タのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋１、ｎ）番地
   の第４の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極また
   は絵素電極とを配線材で接続して形成し、第１と第２お
   よび第３と第４の絶縁ゲート型トランジスタを２個ずつ
   直列にして電気特性が検査されることを特徴とする請求
   項１９記載のアクティブマトリクス基板の検査方法。 （２４）絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成
   る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎に対角の
   位置に二組有するアクティブマトリクス基板において、
   （ｍ、ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタのド
   レイン電極または絵素電極と（ｍ＋２、ｎ＋１）番地の
   第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極または
   絵素電極と（ｍ＋１、ｎ＋２）番地の第２の絶縁ゲート
   型トランジスタのドレイン電極または絵素電極とを配線
   材で接続しれて形成し、第１と各第２の絶縁ゲート型ト
   ランジスタの各直列状態での電気特性を検査することを
   特徴とする請求項１９記載のアクティブマトリクス基板
   の検査方法。 （２５）絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成
   る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎にかつ信
   号線の両側に二組有するアクティブマトリクス基板にお
   いて、（ｍ、ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジス
   タのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋１、ｎ＋１）
   番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極
   または絵素電極と（ｍ−１、ｎ＋２）番地の第２の絶縁
   ゲート型トランジスタのドレイン電極または絵素電極と
   を配線材で接続して形成し、第１と各第２の絶縁ゲート
   型トランジスタを直列にして２回の電気特性が検査され
   ることを特徴とする請求項１９記載のアクティブマトリ
   クス基板の検査方法。 （２６）走査線と信号線（ｎ番）とで駆動される絶縁ゲ
   ート型トランジスタと絵素電極とより成る一組の構成単
   位を、走査線と信号線の交点毎に複数個有するアクティ
   ブマトリクス基板において、ｎ番とｎ＋１番とｎ＋２番
   の第１および第２の絶縁ゲート型トランジスタのドレイ
   ン電極または絵素電極とを除去可能な配線材で接続して
   形成し、ｎ番とｎ＋１番およびｎ番とｎ＋２番の信号線
   の間に電圧を印加し、これらの信号線に流れる電流を計
   測することにより、駆動用と補助の絶縁ゲート型トラン
   ジスタの各直列状態での電気特性を検査することを特徴
   とするアクティブマトリクス基板の検査方法。 （２７）駆動される絶縁ゲート型トランジスタと絵素電
   極とより成る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点
   毎にかつ対角の位置に二組有するともに補助の絶縁ゲー
   ト型トランジスタを有するアクティブマトリクス基板に
   おいて、（ｍ、ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジ
   スタと（ｍ＋２、ｎ＋２）番地の第２の絶縁ゲート型ト
   ランジスタのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋１、
   ｎ＋１）番地の補助の絶縁ゲート型トランジスタのドレ
   イン電極とを配線材で接続して形成し、駆動用と補助の
   ２個の絶縁ゲート型トランジスタを各直列での電気特性
   を検査することを特徴とする請求項２６記載のアクティ
   ブマトリクス基板の検査方法。 （２８）絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成
   る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎にかつ信
   号線の両側に二組有するともに補助の絶縁ゲート型トラ
   ンジスタを有するアクティブマトリクス基板において、
   （ｍ、ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタと（
   ｍ−１、ｎ＋２）番地の第２の絶縁ゲート型トランジス
   タのドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋１、ｎ＋１）
   番地の補助の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極
   とを配線材で接続して形成し、駆動用と補助の絶縁ゲー
   ト型トランジスタの各直列状態での電気特性を検査する
   ことを特徴とする請求項２６記載のアクティブマトリク
   ス基板の検査方法。 （２９）絶縁ゲート型トランジスタと絵素電極とより成
   る一組の構成単位を、走査線と信号線の交点毎にかつ信
   号線の片側に二組有するともに補助の絶縁ゲート型トラ
   ンジスタを有するアクティブマトリクス基板において、
   （ｍ、ｎ）番地の第１の絶縁ゲート型トランジスタと（
   ｍ、ｎ＋１）番地の第２の絶縁ゲート型トランジスタの
   ドレイン電極または絵素電極と（ｍ＋１、ｎ＋２）番地
   の補助の絶縁ゲート型トランジスタのドレイン電極とを
   配線材で接続して形成し、駆動用と補助の絶縁ゲート型
   トランジスタの各直列状態での電気特性を検査すること
   を特徴とする請求項２６記載のアクティブマトリクス基
   板の検査方法。