KR20080001941A

KR20080001941A - 표시패널

Info

Publication number: KR20080001941A
Application number: KR1020060060421A
Authority: KR
Inventors: 김동규
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2006-06-30
Filing date: 2006-06-30
Publication date: 2008-01-04
Also published as: US20080043165A1; CN101097378A; JP2008015522A

Abstract

영상의 표시품질을 향상시킨 표시패널이 개시된다. 표시패널은 제1 기판, 제2 기판 및 액정층을 포함한다. 제1 기판은 단위화소를 정의하는 신호선, 신호선과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터, 및 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되며 단위화소 내에 형성된 화소전극을 포함한다. 제2 기판은 광을 차단시키는 차광막, 및 차광막의 상부에 형성되고, 화소전극과 대응되도록 형성된 개구부를 갖는 공통전극을 포함한다. 액정층은 제1 및 제2 기판 사이에 개재된다. 차광막은 신호선 및 박막 트랜지스터를 커버하도록 단위화소의 가장자리에 형성된 메인 차광부, 및 메인 차광부로부터 개구부가 형성되지 않은 영역으로 소정의 길이로 돌출된 서브 차광부를 포함한다. 이로써, 제1 및 제2 기판이 외부충격에 의해 서로 미스 얼라인되더라도 빛샘이 발생되는 것을 방지하여 영상의 표시품질을 보다 향상시킬 수 있다.

서브 차광부, 차광 스토리지부

Description

표시패널{DISPLAY PANEL}

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시패널의 단위화소를 도시한 평면도이다.

도 2는 도 1의 단위화소에서 스토리지 배선, 게이트 배선 및 게이트 전극을 도시한 평면도이다.

도 3은 도 1의 단위화소에서 데이터 배선, 소스 전극, 드레인 전극, 연결전극 및 액티브층을 도시한 평면도이다.

도 4는 도 1의 단위화소에서 화소전극만을 도시한 평면도이다.

도 5는 도 1의 단위화소에서 공통전극만을 도시한 평면도이다.

도 6은 도 1의 단위화소에서 차광막만을 도시한 평면도이다.

도 7은 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이다.

도 8은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 단면도이다.

도 9는 도 1의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 절단한 단면도이다.

도 10은 도 9에서 서브 차광막이 생략되고, 제1 및 제2 기판이 미스 얼라인된 상태를 나타낸 단면도이다.

도 11은 도 9에서 제1 및 제2 기판이 미스 얼라인된 상태를 나타낸 단면도이다.

도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시패널의 단위화소 중 차광막만을 도시한 평면도이다.

도 13은 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시패널의 단위화소 중 차광막만을 도시한 평면도이다.

도 14는 본 발명의 제4 실시예에 따른 표시패널의 단위화소를 도시한 평면도이다.

도 15는 도 14의 단위화소에서 차광막만을 도시한 평면도이다.

도 16은 도 14의 단위화소에서 스토리지 배선만을 도시한 평면도이다.

도 17은 도 14의 Ⅳ-Ⅳ'선을 따라 절단한 단면도이다.

도 18은 도 14의 Ⅴ-Ⅴ'선을 따라 절단한 단면도이다.

도 19는 본 발명의 제5 실시예에 따른 표시패널의 단위화소 중 일부를 절단한 단면도이다.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>

100 : 제1 기판 120 : 게이트 배선

130 : 스토리지 배선 132 : 메인 스토리지부

134 : 제1 서브 스토리지부 136 : 제2 서브 스토리지부

138 : 차광 스토리지부 150 : 데이터 배선

160 : 박막 트랜지스터 180 : 화소전극

182 : 제1 화소부 184 : 제2 화소부

200 : 제2 기판 220 : 차광막

222 : 메인 차광부 224 : 서브 차광부

230 : 컬러필터 250 : 공통전극

252 : 개구부 260 : 셀갭유지부재

300 : 액정층

본 발명은 표시패널에 관한 것으로, 보다 상세하게는 영상의 표시품질을 향상시킨 표시패널에 관한 것이다.

일반적으로, 액정 표시장치(liquid crystal display)는 액정의 광투과율을 이용하여 영상을 표시하는 액정 표시패널(liquid crystal display panel) 및 상기 액정 표시패널의 하부에 배치되어 상기 액정 표시패널로 광을 제공하는 백라이트 어셈블리(back-light assembly)를 포함한다.

상기 액정 표시패널은 제1 기판, 상기 제1 기판과 대향하는 제2 기판, 및 상기 제1 및 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함한다. 상기 제1 기판은 신호선, 상기 신호선과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극을 포함한다. 상기 제2 기판은 광을 차단시키는 차광막, 상기 차광막을 덮도록 형성된 컬러필터 및 상기 컬러필터의 상부에 형성된 공통전극을 포함한다.

한편, 상기 액정 표시패널을 제조한 후에 상기 액정 표시패널을 이송하거나 사용할 때, 상기 액정 표시패널은 외부로부터 충격을 받을 수 있고, 그로 인해 상기 제1 및 제2 기판은 상기 충격에 의해 미스 얼라인된다. 즉, 상기 제2 기판은 상기 충격에 의해 상기 제1 기판을 기준으로 좌측 또는 우측으로 이동된다.

이와 같이, 상기 제2 기판이 상기 제1 기판에 대하여 이동되면, 상기 제2 기판의 차광막도 상기 제1 기판에 대하여 이동된다. 그러나, 상기 제2 기판의 차광막이 상기 충격에 의해 상기 제1 기판에 대하여 이동되면, 광이 차단되어야 할 영역으로 광이 투과되는 빛샘 현상이 발생될 수 있다. 결국, 상기 액정 표시패널은 상기 빛샘 현상으로 인해 완전한 블랙(black) 영상을 표시하게 되고, 그 결과 영상의 표시품질이 저하된다.

따라서, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 제1 및 제2 기판의 미스얼라인에 의한 빛샘 현상을 방지하여 영상의 표시품질을 향상시킨 표시패널을 제공하는 것이다.

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 일 실시예에 따른 표시패널은 제1 기판, 제2 기판 및 액정층을 포함한다.

상기 제1 기판은 제1 방향으로 형성된 게이트 배선, 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 형성되어 단위화소를 정의하는 데이터 배선, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터, 및 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되며 상기 단위화소 내에 형성된 화소전극을 포함한다.

상기 제2 기판은 광을 차단시키는 차광막, 및 상기 차광막의 상부에 상기 화소전극과 대응되도록 형성되며 상기 단위화소를 복수의 도메인들로 분할시키는 개구부를 갖는 공통전극을 포함한다.

상기 액정층은 상기 제1 및 제2 기판 사이에 개재된다.

한편, 상기 차광막은 상기 게이트 배선, 데이터 배선 및 박막 트랜지스터를 커버하도록 상기 단위화소의 가장자리에 형성된 메인 차광부, 및 상기 메인 차광부로부터 상기 개구부가 형성되지 않은 영역으로 소정의 길이로 돌출된 서브 차광부를 포함한다.

바람직하게, 상기 개구부는 상기 제1 방향에 대하여 경사지게 형성된 메인 개구부 및 상기 메인 개구부의 단부와 연결되고 상기 제2 방향으로 형성된 서브 개구부를 포함하고, 상기 서브 차광부는 상기 서브 개구부가 형성되지 않은 영역으로 돌출된다.

상기한 본 발명의 목적을 달성하기 위한 다른 실시예에 따른 표시패널은 제1 기판, 제2 기판 및 액정층을 포함한다.

상기 제1 기판은 제1 방향으로 형성된 게이트 배선, 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 형성된 데이터 배선, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극, 및 상기 화소전극의 일부와 중첩되는 스토리지 배선을 포함한다.

상기 제2 기판은 광을 차단시키는 차광막, 및 상기 차광막의 상부에 상기 화소전극과 대응되도록 형성되며 상기 단위화소를 복수의 도메인들로 분할시키는 개 구부를 갖는 공통전극을 포함한다.

상기 액정층은 상기 제1 및 제2 기판 사이에 개재된다.

한편, 상기 스토리지 배선은 상기 개구부가 형성되지 않은 영역과 대응되는 상기 데이터 배선의 일부와 중첩된다.

바람직하게, 상기 스토리지 배선은 상기 제1 방향으로 형성된 메인 스토리지부, 상기 메인 스토리지부로부터 상기 제2 방향으로 연장되며, 상기 화소전극의 일단부와 중첩되는 제1 서브 스토리지부, 상기 메인 스토리지부로부터 상기 제2 방향으로 연장되며, 상기 화소전극의 일단부와 대향하는 타단부와 중첩되는 제2 서브 스토리지부, 및 상기 제1 및 제2 서브 스토리지부 중 어느 하나로부터 상기 데이터 배선 측으로 연장되어, 상기 데이터 배선의 일부와 중첩되는 차광 스토리지부를 포함한다.

이러한 본 발명에 따르면, 서브 차광부가 메인 차광부로부터 공통전극의 개구부가 형성되지 않은 영역으로 돌출되거나, 스토리지 배선이 공통전극의 개구부가 형성되지 않은 영역과 대응되는 데이터 배선의 일부와 중첩됨에 따라, 제1 및 제2 기판의 미스얼라인에 의한 빛샘 현상을 방지함으로써, 영상의 표시품질을 보다 향상시킬 수 있다.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하기로 한다.

<표시패널의 제1 실시예>

도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 표시패널의 단위화소를 도시한 평면도 이고, 도 2는 도 1의 단위화소에서 스토리지 배선, 게이트 배선 및 게이트 전극을 도시한 평면도이며, 도 3은 도 1의 단위화소에서 데이터 배선, 소스 전극, 드레인 전극, 연결전극 및 액티브층을 도시한 평면도이고, 도 4는 도 1의 단위화소에서 화소전극만을 도시한 평면도이며, 도 5는 도 1의 단위화소에서 공통전극만을 도시한 평면도이고, 도 6은 도 1의 단위화소에서 차광막만을 도시한 평면도이며, 도 7은 도 1의 I-I'선을 따라 절단한 단면도이고, 도 8은 도 1의 Ⅱ-Ⅱ'선을 따라 절단한 단면도이며, 도 9는 도 1의 Ⅲ-Ⅲ'선을 따라 절단한 단면도이다.

도 1 내지 도 9를 참조하면, 본 실시예에 의한 표시패널은 제1 기판(100), 제2 기판(200) 및 액정층(300)을 포함한다.

우선 표시패널을 간단히 설명하면, 제1 기판(100)은 매트릭스(matrix) 형태로 배치된 복수의 화소전극(pixel electrode)들, 상기 각 화소전극에 구동전압을 인가하는 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor)들, 상기 박막 트랜지스터들을 각각 작동시키기 위한 신호선(signal line)들을 포함한다.

제2 기판(200)은 제1 기판(100)과 마주보도록 배치된다. 제2 기판(200)은 기판의 전면에 배치되며 투명하면서 도전성인 공통전극(common electrode) 및 상기 화소전극들과 마주보는 곳에 배치된 컬러필터(color filter)들을 포함한다. 상기 컬러필터들에는 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터 및 청색 컬러필터 등이 있다.

액정층(300)은 제1 기판(100) 및 제2 기판(200)의 사이에 개재되며, 상기 화소전극 및 상기 공통전극의 사이에 형성된 전기장에 의하여 재배열된다. 재배열된 액정층(300)은 외부에서 인가된 광의 광투과율을 조절하고, 광투과율이 조절된 광 은 상기 컬러필터들을 통과함으로써 영상이 표시된다.

도 1 내지 도 4, 도 7 내지 도 9를 참조하면, 본 실시예에 의한 제1 기판(100)은 제1 투명기판(110), 게이트 배선(120), 스토리지 배선(130), 게이트 절연막(140), 데이터 배선(150), 박막 트랜지스터(160), 제1 연결전극(CE1), 제2 연결전극(CE2), 보호막(170) 및 화소전극(180)을 포함한다.

제1 투명기판(110)은 플레이트 형상을 갖고, 투명한 물질로 이루어진다. 제1 투명기판(100)은 예를 들면, 유리(Glass), 석영(Quartz), 사파이어(Sapphire) 또는 투명한 합성 수지로 이루어진다.

도 1 및 도 2를 다시 참조하면, 게이트 배선(120)은 제1 투명기판(110) 상에 제1 방향으로 복수개가 형성되고, 스토리지 배선(130)은 제1 투명기판(110) 상에 제1 방향으로 복수개가 형성된다. 한편, 스토리지 배선(130)에 대한 보다 자세한 설명은 후술하기로 한다.

게이트 절연막(140)은 게이트 배선(120) 및 스토리지 배선(130)을 덮도록 제1 투명기판(110) 상에 형성된다. 게이트 절연막(140)은 일례로, 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiOx)을 포함한다.

도 1 및 도 3을 다시 참조하면, 데이터 배선(150)은 게이트 절연막(140) 상에 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 복수개가 형성된다. 이와 같이 게이트 배선(120)과 데이터 배선(150)이 수직하게 교차됨에 따라, 직사각형 형상을 갖는 복수의 단위화소들이 정의된다. 이때, 상기 각 단위화소는 제2 방향으로 긴 직사각형 형상을 갖는 것이 바람직하다.

도 1 내지 도 3을 다시 참조하면, 박막 트랜지스터(160)는 게이트 전극(G), 액티브층(A), 소스 전극(S) 및 드레인 전극(D)을 포함한다. 본 실시예에 의한 박막 트랜지스터(160)는 데이터 배선(150)을 기준으로 일측에 형성된다.

게이트 전극(G)은 데이터 배선(150)을 기준으로 상기 일측에 형성된 게이트 배선(120)의 일부분이다. 액티브층(A)은 게이트 전극(G)과 대응되도록 게이트 절연막(140) 상에 형성된다. 소스 전극(S)은 데이터 배선(150)으로부터 상기 일측 방향으로 연장되어 액티브층(A)의 일부와 중첩되고, 일례로, L-자 형상을 갖는다. 드레인 전극(D)은 소스 전극(120)과 소정거리 이격되어 제2 방향으로 연장되고, 액티브층(A)의 일부와 중첩된다.

도 3을 다시 참조하면, 제1 연결전극(CE1) 및 제2 연결전극(CE2)은 게이트 절연막(140) 상에 형성되고, 상기 각 단위화소 내에 형성된다. 제1 연결전극(CE1) 및 제2 연결전극(CE2)은 박막 트랜지스터(160)의 드레인 전극(D)과 각각 전기적으로 연결된다.

보호막(170)은 데이터 배선(150), 박막 트랜지스터(160), 제1 연결전극(CE1) 및 제2 연결전극(CE2)을 덮도록 게이트 절연막(140) 상에 형성된다. 보호막(170)은 일례로, 질화실리콘(SiNx) 또는 산화실리콘(SiOx)을 포함한다. 한편, 보호막(170)에는 제1 연결전극(CE1)과 대응되는 위치에 콘택홀(172)이 형성된다.

도 1 및 도 4를 다시 참조하면, 화소전극(180)은 보호막(170) 상에 형성되며, 상기 각 단위화소 내에 형성된다. 화소전극(180)은 투명한 도전성 물질로 이루어지며, 일례로 산화주석인듐(Indium Tin Oxide, ITO), 산화아연인듐(Indium Zinc Oxide, IZO), 아몰퍼스 산화주석인듐(amorphous Indium Tin Oxide, a-ITO) 등으로 이루어진다. 화소전극(180)은 서로 전기적으로 분리된 제1 화소부(182) 및 제2 화소부(184)를 포함한다.

제1 화소부(182)는 제2 화소부(184)의 외곽을 감싸는 형상을 갖는다. 즉, 제2 화소부(184)는 상기 각 단위화소 내의 중앙부에 형성되고, 제1 화소부(182)는 상기 각 단위화소 내의 상측부 및 하측부에 형성되어, 제2 화소부(184)의 외곽을 감싼다. 바람직하게, 제1 화소부(182) 및 제2 화소부(184)는 상기 각 단위화소의 중심을 제1 방향으로 가로지르는 가상의 중앙선(미도시)을 기준으로 대칭되는 형상을 갖는다.

제1 화소부(182)는 상기 중앙선을 기준으로 상측에 형성된 제1 상측화소(UP1), 및 상기 중앙선을 기준으로 하측에 형성되며 제1 상측화소(UP1)와 전기적으로 연결된 제1 하측화소(LP1)를 포함한다.

제2 화소부(184)는 상기 중앙선을 기준으로 상측에 형성된 제2 상측화소(UP2), 및 상기 중앙선을 기준으로 하측에 형성되며 제2 상측화소(UP2)와 전기적으로 연결된 제2 하측화소(LP2)를 포함한다.

제1 상측화소(UP1) 및 제2 상측화소(UP2)는 서로 소정거리 이격되어, 제1 방향에 대하여 45도로 경사진 제3 방향으로 형성되고, 제1 하측화소(LP1) 및 제2 하측화소(LP2)는 서로 소정거리 이격되어, 제3 방향과 수직한 제4 방향으로 형성된다.

한편, 제1 화소부(182)는 보호막(170)에 형성된 콘택홀(172)을 통해 제1 연 결전극(CE1)과 전기적으로 연결된다. 구체적으로, 제1 화소부(182) 중 제1 하측화소(LP1)가 제1 연결전극(CE1)과 전기적으로 직접 연결된다.

제2 화소부(184)는 보호막(170)에 의해 제2 연결전극(CE2)과 소정거리 이격되어 전압감소 커패시터를 형성시킨다. 구체적으로, 제2 연결전극(CE2)은 제2 화소부(184)와 중첩되도록 제2 화소부(184)의 중심과 대응되는 위치에 형성된다.

이와 같이, 제1 화소부(182)는 제1 연결전극(CE1)과 전기적으로 연결되어 박막 트랜지스터(160)의 드레인 전극(D)으로부터 제1 구동전압을 직접 인가받는다. 반면, 제2 화소부(184)는 드레인 전극(D)으로부터 상기 제1 구동전압을 직접 인가받은 제2 연결전극(CE2)으로부터 간접적으로 제2 구동전압을 인가받는다. 이때, 상기 제2 구동전압은 상기 전압감소 커패시터에 의해 상기 제1 구동전압보다 낮은 레벨의 전압이다.

마지막으로 도 1 및 도 2를 다시 참조하면, 스토리지 배선(130)은 메인 스토리지부(132), 제1 서브 스토리지부(134) 및 제2 서브 스토리지부(136)를 포함한다.

메인 스토리지부(132)는 게이트 배선(120)과 평행하게 제1 방향으로 형성된다. 그 결과, 메인 스토리지부(132)는 데이터 배선(150)과 교차된다. 바람직하게, 메인 스토리지부(132)는 상기 각 단위화소의 상단부, 즉 게이트 배선(120)의 하측에 형성된다.

제1 서브 스토리지부(134)는 메인 스토리지부(132)로부터 제2 방향으로 연장되며, 화소전극(180)의 일단부와 중첩된다. 즉, 제1 서브 스토리지부(134)는 이웃하는 데이터 배선(150)의 우측으로 소정거리 이격되어, 데이터 배선(150)과 평행하 게 형성된다.

제2 서브 스토리지부(136)는 메인 스토리지부(132)로부터 제2 방향으로 연장되며, 화소전극(180)의 일단부에 대향하는 타단부와 중첩된다. 즉, 제2 서브 스토리지부(136)는 이웃하는 데이터 배선(150)의 좌측으로 소정거리 이격되어, 데이터 배선(150)과 평행하게 형성된다.

이와 같이, 하나의 데이터 배선(150)을 기준으로 우측에 제1 서브 스토리지부(134)가 형성되고, 좌측에 제2 서브 스토리지부(126)가 형성된다.

이어서 도 1, 도 5, 도 6 내지 도 9를 참조하면, 본 실시예에 의한 제2 기판(200)은 제2 투명기판(210), 차광막(220), 컬러필터(230), 평탄화막(240), 공통전극(250) 및 셀갭유지부재(260)를 포함한다.

제2 투명기판(210)은 플레이트 형상을 갖고, 투명한 물질로 이루어지며, 제1 투명기판(110)과 대향하도록 배치된다.

차광막(220)은 제2 투명기판(210) 상에 형성되어, 광을 차단한다. 차광막(220)에 대한 보다 자세한 설명은 후술하기로 한다.

컬러필터(230)는 차광막(220)을 덮도록 제2 투명기판(210) 상에 형성된다. 컬러필터(130)는 상기 각 단위화소 내에 형성된 화소전극(180)과 대응되는 위치에 형성된다. 컬러필터(230)는 일례로, 적색 컬러필터, 녹색 컬러필터 및 적색 컬러필터를 포함한다.

평탄화막(240)은 컬러필터(230) 및 차광막(220)을 덮도록 형성되어, 제2 기판(200)의 표면을 평탄화시킨다. 평탄화막(240)은 일례로, 유기 절연막이다.

공통전극(250)은 평탄화막(240) 상에 형성된다. 공통전극(250)은 투명한 도전성 물질로 이루어지며, 일례로 산화주석인듐(Indium Tin Oxide, ITO), 산화아연인듐(Indium Zinc Oxide, IZO), 아몰퍼스 산화주석인듐(amorphous Indium Tin Oxide, a-ITO) 등으로 이루어진다. 공통전극(250)에는 화소전극(180)과 대응되는 형성되어, 상기 각 단위화소를 복수의 도메인들로 분할시키는 개구부(252)가 형성된다.

구체적으로 도 5를 다시 참조하면, 개구부(252)는 제1 화소부(182)와 대응되는 위치에 형성된 제1 오픈부(OP1) 및 제2 화소부(184)와 대응되는 위치에 형성된 제2 오픈부(OP2)를 포함한다. 제1 오픈부(OP1) 및 제2 오픈부(OP2)는 상기 각 단위화소의 중앙선을 기준으로 대칭되는 형상을 갖는 것이 바람직하다.

제1 오픈부(OP1)는 제3 방향으로 형성되어 제1 상측화소(UP1)를 2등분하는 제1 상측개구(UMP1), 및 제4 방향으로 형성되어 제1 하측화소(LP1)를 2등분하는 제1 하측개구(LMP1)를 포함한다.

또한, 제1 오픈부(OP1)는 제1 상측개구(UMP1)의 일단부와 연결되고, 제1 상측화소(UP1) 중 데이터 배선(150)과 마주보는 일단부의 일부를 커버하도록 형성된 제1 상측 서브 개구(USP1), 및 제1 하측개구(LMP1)의 일단부와 연결되고, 제1 하측화소(LP1) 중 데이터 배선(150)과 마주보는 일단부의 일부를 커버하도록 형성된 제1 하측 서브 개구(LSP1)를 더 포함한다.

구체적으로, 제1 상측 서브 개구(USP1)는 제1 상측개구(UMP1)의 일단부로부터 데이터 배선(150)과 평행하게 아래로 소정거리 연장되어, 제1 상측화소(UP1)의 일단부를 커버한다. 제1 하측 서브 개구(LSP1)는 제1 하측개구(LMP1)의 일단부로부터 데이터 배선(150)과 평행하게 위로 소정거리 연장되어, 제1 하측화소(LP1)의 일단부를 커버한다.

제2 오픈부(OP2)는 제3 방향으로 형성되어 제2 상측화소(UP2)를 2등분하는 제2 상측개구(UMP2), 및 제4 방향으로 형성되어 제2 하측화소(LP2)를 2등분하는 제2 하측개구(LMP2)를 포함한다. 일례로, 제2 상측개구(UMP2) 및 제2 하측개구(LMP2)는 서로 연결된다.

또한, 제2 오픈부(OP2)는 제2 상측개구(UMP2)의 일단부와 연결되고, 제2 상측화소(UP2) 중 데이터 배선(150)과 마주보는 일단부의 일부를 커버하도록 형성된 제2 상측 서브 개구(USP2), 및 제2 하측개구(LMP2)의 일단부와 연결되고, 제2 하측화소(LP2) 중 데이터 배선(150)과 마주보는 일단부의 일부를 커버하도록 형성된 제2 하측 서브 개구(LSP2)를 더 포함한다.

구체적으로, 제2 상측 서브 개구(USP2)는 제2 상측개구(UMP2)의 일단부로부터 데이터 배선(150)과 평행하게 위로 소정거리 연장되어, 제1 상측화소(UP1)의 일단부를 커버한다. 제2 하측 서브 개구(LSP2)는 제2 하측개구(LMP2)의 일단부로부터 데이터 배선(150)과 평행하게 아래로 소정거리 연장되어, 제2 하측화소(LP2)의 일단부를 커버한다.

도 1 및 도 7을 다시 참조하면, 셀갭유지부재(260)는 공통전극(250) 상에 형성되어 제1 기판(100)과 접촉하고, 제1 및 제2 기판(100, 200) 사이의 셀갭을 유지시킨다. 셀갭유지부재(260)는 유기물로 이루어지는 것이 바람직하고, 일례로 사진 식각공정에 의해 패터닝되어 형성된다.

셀갭유지부재(260)는 데이터 배선(150)을 기준으로 일측에 형성된다. 반면, 박막 트랜지스터(160)는 데이터 배선(150)을 기준으로 상기 일측과 반대방향인 타측에 형성된다. 일례로, 본 실시예에서는 셀갭유지부재(260)가 데이터 배선(150)을 기준으로 우측에 형성되고, 박막 트랜지스터(160)는 데이터 배선(150)을 기준으로 좌측에 형성된다.

도 1, 도 6, 도 8 및 도 9를 참조하면, 본 실시예에 의한 차광막(220)은 메인 차광부(222) 및 서브 차광부(224)를 포함한다. 차광막(220)은 광을 차단시키는 유기물 또는 무기물로 이루어지는 것이 바람직하다.

메인 차광부(222)는 상기 각 단위화소의 가장자리를 따라 형성되어, 게이트 배선(120), 데이터 배선(150) 및 박막 트랜지스터(160)를 커버한다. 여기서, 메인 차광부(222) 중 데이터 배선(150)을 커버하는 부분의 폭, 즉 제1 방향으로의 폭(L1)은 21um ~ 25um의 길이를 갖는 것이 바람직하다.

서브 차광부(224)는 메인 차광부(222)로부터 개구부(224)가 형성되지 않은 영역으로 소정의 길이로 돌출된다. 여기서, 셀갭유지부재(260)는 데이터 배선(150)을 기준으로 일측에 형성된다고 할 때, 서브 차광부(224)는 메인 차광부(222)로부터 상기 일측과 반대방향인 타측으로 돌출되는 것이 바람직하다. 일례로, 본 실시예에서는 셀갭유지부재(260)가 데이터 배선(150)을 기준으로 우측에 형성되므로, 서브 차광부(224)는 메인 차광부(222)로부터 좌측으로 돌출된다. 이때, 서브 차광부(224)의 돌출되는 길이(L2)는 1um ~ 2um의 범위를 갖는 것이 바람직하다.

보다 구체적으로 설명하면, 서브 차광부(224)는 상측 서브 차광막(UBM) 및 하측 서브 차광막(LBM)을 포함한다. 상측 서브 차광막(UBM)은 제2 상측화소(UP2)의 일단부 중 제2 상측 서브 개구(USP2)가 형성되지 않은 부분으로 돌출된다. 또한, 하측 서브 차광막(LBM)은 제2 하측 서브 개구(LSP2)가 형성되지 않은 부분으로 돌출된다.

도 10은 도 9에서 서브 차광막이 생략되고, 제1 및 제2 기판이 미스 얼라인된 상태를 나타낸 단면도이다. 도 11은 도 9에서 제1 및 제2 기판이 미스 얼라인된 상태를 나타낸 단면도이다.

도 10 및 도 11을 참조하여 본 실시예에 의한 효과를 설명하기로 한다. 우선, 도 10에 도시된 차광막(220)은 메인 차광부(222)만을 포함하고, 반면 도 11에 도시된 차광막(220)은 메인 차광부(222) 및 서브 차광부(224)를 모두 포함한다.

한편, 제1 및 제2 기판(100, 200)은 외부의 충격에 의해 서로 얼라인 미스가 발생될 수 있다. 특히 본 실시예에서, 셀갭유지부재(260)가 데이터 배선(150)을 기준으로 우측에 형성되기 때문에, 제2 기판(200)은 제1 기판(100)에 대하여 우측으로 미스 얼라인된다. 구체적으로 설명하면, 제1 기판(100)의 표면이 데이터 배선(150)에 의해 소정의 높이로 돌출되어 있기 때문에, 셀갭유지부재(260)가 형성된 제2 기판(200)은 상기 돌출된 표면에 의해 좌측으로 이동하지 못하고 우측으로 이동하게 된다. 그 결과, 도 10 및 도 11에서와 같이, 제2 기판(200)은 외부의 충격에 의해 제1 기판(100)에 대하여 우측으로 미스 얼라인된다.

따라서, 도 10에서와 같이 차광막(220)이 메인 차광부(222)만을 포함할 경 우, 제2 기판(200)은 제1 기판(100)에 대하여 우측으로 미스 얼라인되었을 때, 제1 기판(100)의 하부에서 발생되어 데이터 배선(150) 및 제2 서브 스토리지부(136) 사이로 진행하는 광이 메인 차광부(222)에 의해 차단되지 못하고 외부로 출사되어 빛샘 현상이 발생된다. 특히, 데이터 배선(150) 및 제2 서브 스토리지부(136) 사이로 진행하는 광이 화소전극(180)의 일단부 중 공통전극(250)의 개구부(252)에 의해 커버되지 않는 영역을 통해 투과될 경우, 상기 빛샘 현상이 더욱 증가될 수 있다.

반면, 도 11에서와 같이 차광막(220)이 메인 차광부(222)뿐만 아니라 서브 차광부(224)를 모두 포함할 경우, 제2 기판(200)은 제1 기판(100)에 대하여 우측으로 미스 얼라인이 되더라도, 데이터 배선(150) 및 제2 서브 스토리지부(136) 사이로 진행하는 광을 차단시킬 수 있다. 이때, 전체적인 휘도의 감소가 증가하는 것을 방지하기 위해, 서브 차광부(224)가 메인 차광부(222)로부터 공통전극(250)의 개구부(252)가 형성되지 않은 영역으로 돌출되어, 데이터 배선(150) 및 제2 서브 스토리지부(136) 사이로 진행하는 광을 차단하는 것이 바람직하다.

이와 같이, 서브 차광부(224)가 공통전극(250)의 개구부(252)가 형성되지 않은 영역으로 돌출되어, 제1 및 제2 기판(100, 200)의 미스얼라인에 의한 빛샘 현상을 방지함으로써, 영상의 표시품질을 보다 향상시킬 수 있다.

<표시패널의 제2 실시예>

도 12는 본 발명의 제2 실시예에 따른 표시패널의 단위화소 중 차광막만을 도시한 평면도이다. 본 실시예에 의한 표시패널은 차광막을 제외하면, 앞서 설명한 제1 실시예의 표시패널과 동일한 구성을 가짐으로 그 중복된 설명은 생략하기로 하 며, 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조부호 및 명칭을 사용하기로 한다.

도 12를 참조하면, 본 실시예에 의한 차광막(220)은 메인 차광부(222) 및 서브 차광부(224)를 포함한다.

메인 차광부(222)는 상기 각 단위화소의 가장자리를 따라 형성되어, 게이트 배선(120), 데이터 배선(150) 및 박막 트랜지스터(160)를 커버한다. 여기서, 메인 차광부(222) 중 데이터 배선(150)을 커버하는 부분의 폭은 21um ~ 25um의 길이를 갖는 것이 바람직하다.

서브 차광부(224)는 메인 차광부(222)로부터 개구부(224)가 형성되지 않은 영역으로 소정의 길이로 돌출된다. 여기서, 셀갭유지부재(260)는 데이터 배선(150)을 기준으로 일측에 형성된다고 할 때, 서브 차광부(224)는 메인 차광부(222)로부터 상기 일측과 반대방향인 타측으로 돌출되는 것이 바람직하다.

예를 들어, 본 실시예에서는 셀갭유지부재(260)가 데이터 배선(150)을 기준으로 우측에 형성되므로, 서브 차광부(224)는 메인 차광부(222)로부터 좌측으로 돌출된다. 이때, 서브 차광부(224)는 메인 차광부(222)로부터 좌측으로 1um ~ 2um의 길이로 돌출되는 것이 바람직하다.

본 실시예에 의한 서브 차광부(224)는 메인 차광부(222)로부터 제2 오픈부(OP2)가 형성되지 않은 영역으로 돌출된다. 구체적으로, 서브 차광부(224)는 제2 상측화소(UP2)의 일단부 중 제2 상측 서브 개구(USP2)가 형성되지 않은 부분, 제2 하측화소(LP2)의 일단부 중 제2 하측 서브 개구(LSP2)가 형성되지 않은 부분, 및 제2 상측화소(UP2)와 제2 하측화소(LP2) 사이에 형성된 영역의 일단부을 커버하도 록 형성된다. 즉, 서브 차광부(224)는 제2 상측 서브 개구(USP2)와 제2 하측 서브 개구(LSP2) 사이에서 데이터 배선(150)과 평행하게 제2 방향을 따라 일직선으로 형성된다.

<표시패널의 제3 실시예>

도 13은 본 발명의 제3 실시예에 따른 표시패널의 단위화소 중 차광막만을 도시한 평면도이다. 본 실시예에 의한 표시패널은 차광막을 제외하면, 앞서 설명한 제1 실시예의 표시패널과 동일한 구성을 가짐으로 그 중복된 설명은 생략하기로 하며, 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조부호 및 명칭을 사용하기로 한다.

도 13을 참조하면, 본 실시예에 의한 차광막(220)은 메인 차광부(222) 및 서브 차광부(224)를 포함한다.

메인 차광부(222)는 상기 각 단위화소의 가장자리를 따라 형성되어, 게이트 배선(120), 데이터 배선(150) 및 박막 트랜지스터(160)를 커버한다. 여기서, 메인 차광부(222) 중 데이터 배선(150)을 커버하는 부분의 폭, 즉 제1 방향으로의 폭은 21um ~ 25um의 길이를 갖는 것이 바람직하다.

서브 차광부(224)는 메인 차광부(222)로부터 개구부(224)가 형성되지 않은 영역으로 소정의 길이로 돌출된다. 이때, 서브 차광부(224)는 메인 차광부(222)로부터 좌측으로 1um ~ 2um의 길이로 돌출되는 것이 바람직하다.

구체적으로, 서브 차광부(224)는 제1 상측 서브 차광막(UBM1), 제1 하측 서브 차광막(LBM1), 제2 상측 서브 차광막(UBM2) 및 제2 하측 서브 차광막(LBM2)을 포함한다.

제1 상측 서브 차광막(UBM1)은 제1 상측화소(UP1)의 일단부 중 제1 상측 서브 개구(USP1)가 형성되지 않은 부분으로 돌출된다. 즉, 제1 상측 서브 차광막(UBM1)은 데이터 배선(150)을 기준으로 우측으로 돌출되어, 제1 상측화소(UP1)의 일단부 중 일부를 커버한다.

제1 하측 서브 차광막(LBM1)은 제1 하측화소(LP1)의 일단부 중 제1 하측 서브 개구(LSP1)가 형성되지 않은 부분으로 돌출된다. 즉, 제1 하측 서브 차광막(LBM1)은 데이터 배선을 기준으로 우측으로 돌출되어, 제1 하측화소(LP1)의 일단부 중 일부를 커버한다.

제2 상측 서브 차광막(UBM2)은 제2 상측화소(UP2)의 일단부 중 제2 상측 서브 개구(USP2)가 형성되지 않은 부분으로 돌출된다. 즉, 제2 상측 서브 차광막(UBM2)은 데이터 배선(150)을 기준으로 좌측으로 돌출되어, 제2 상측화소(UP2)의 일단부 중 일부를 커버한다.

제2 하측 서브 차광막(LBM2)은 제2 하측화소(LP2)의 일단부 중 제2 하측 서브 개구(LSP2)가 형성되지 않은 부분으로 돌출된다. 즉, 제2 하측 서브 차광막(LBM2)은 데이터 배선(150)을 기준으로 좌측으로 돌출되어, 제2 하측화소(LP2)의 일단부 중 일부를 커버한다.

여기서, 도면에는 도시되지 않았지만, 제2 상측 서브 차광막(UBM2) 및 제2 하측 서브 차광막(LBM2)은 서로 연결되어 일체화될 수 있다.

한편, 일반적으로 표시패널이 외부의 충격을 받을 때, 제2 기판(200)이 제1 기판(100)에 대하여 좌측으로 이동될 수 있고, 우측으로 이동될 수 있다. 특히, 셀 갭유지부재(260)가 데이터 배선(150)을 기준으로 좌측 또는 우측에 형성되는 것이 아니라, 서로 이웃하는 데이터 배선(150)들 사이의 중앙에 형성될 경우, 제2 기판(200)은 제1 기판(100)에 대하여 좌측 또는 우측으로 미스 얼라인 될 수 있다.

따라서 본 실시예에 따르면, 제1 상측 서브 차광막(UBM1) 및 제1 하측 서브 차광막(LBM1)이 메인 차광막(222)에서 우측으로 돌출되어 형성됨에 따라, 제2 기판(200)이 제1 기판(100)에 대하여 좌측으로 이동되었을 때 발생되는 빛샘 현상을 방지할 수 있고, 또한 제2 상측 서브 차광막(UBM2) 및 제2 하측 서브 차광막(LBM2)이 메인 차광막(222)에서 좌측으로 돌출되어 형성됨에 따라, 제2 기판(200)이 제1 기판(100)에 대하여 우측으로 이동되었을 때 발생되는 빛샘 현상을 방지할 수 있다.

<표시패널의 제4실시예>

도 14는 본 발명의 제4 실시예에 따른 표시패널의 단위화소를 도시한 평면도이다. 본 실시예에 의한 표시패널은 차광막 및 스토리지 배선을 제외하면, 앞서 설명한 제1 실시예의 표시패널과 동일한 구성을 가짐으로 그 중복된 설명은 생략하기로 하며, 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조부호 및 명칭을 사용하기로 한다.

우선, 도 14 및 도 15를 참조하면, 본 실시예에 차광막(220)은 상기 각 단위화소의 가장자리를 따라 형성되어, 게이트 배선(120), 데이터 배선(150) 및 박막 트랜지스터(160)를 커버한다. 한편, 도면에서는 도시되지 않았지만, 차광막(220)은 개구부(224)가 형성되지 않은 영역으로 더 연장될 수 있다.

도 16은 도 14의 단위화소에서 스토리지 배선만을 도시한 평면도이고, 도 17은 도 14의 Ⅳ-Ⅳ'선을 따라 절단한 단면도이며, 도 18은 도 14의 Ⅴ-Ⅴ'선을 따라 절단한 단면도이다.

도 14, 도 16 내지 도 18을 참조하면, 스토리지 배선(130)은 메인 스토리지부(132), 제1 서브 스토리지부(134), 제2 서브 스토리지부(136) 및 차광 스토리지부(138)를 포함한다.

메인 스토리지부(132)는 게이트 배선(120)과 평행하게 제1 방향으로 형성된다. 바람직하게, 메인 스토리지부(132)는 상기 각 단위화소의 상단부, 즉 게이트 배선(120)의 하측에 형성된다.

제1 서브 스토리지부(134)는 메인 스토리지부(132)로부터 제2 방향으로 연장되며, 화소전극(180)의 일단부와 중첩된다. 즉, 제1 서브 스토리지부(134)는 이웃하는 데이터 배선(150)의 우측으로 소정거리 이격되어, 데이터 배선(150)과 평행하게 형성된다.

차광 스토리지부(138)는 데이터 배선(150)을 기준으로 양측에 배치된 제1 서브 스토리지부(134) 및 제2 서브 스토리지부(138)를 서로 연결시키고, 그 결과 데이터 배선(150)의 일부와 중첩된다. 바람직하게, 차광 스토리지부(138)는 데이터 배선(150)과 마주보는 영역 중 개구부(252)가 형성되지 않은 부분과 대응되는 위치에 형성된다.

구체적으로, 차광 스토리지부(138)는 제1 차광 전극(ST1) 및 제2 차광 전극(ST2)을 포함한다. 제1 차광 전극(ST1)은 제2 상측화소(UP2)의 일단부 중 제2 상측개구(UOP2)가 형성되지 않은 부분과 대응되는 위치에 형성되고, 제2 차광 전극(ST2)은 제2 하측화소(LP2)의 일단부 중 제2 하측개구(LOP2)가 형성되지 않은 부분과 대응되는 위치에 형성된다.

본 실시예에 따르면, 차광 스토리지부(138)가 데이터 배선(150)의 일부와 중첩되도록 형성되어 광을 차단함으로써, 제1 및 제2 기판(100, 200)의 미스 얼라인에 의해 발생되는 빛샘 현상을 방지할 수 있다.

보다 구체적으로 설명하면, 종래에는 제1 기판(100)의 하부에서 발생된 광이 데이터 배선(150)과 제1 서브 스토리지부(134) 사이 또는 데이터 배선(150)과 제2 서브 스토리지부(136) 사이로 진행함으로써, 충격에 의해 제1 및 제2 기판(100, 200)이 서로 미스 얼라인 되었을 때 빛샘 현상이 발생되었다.

그러나, 본 실시예에서와 같이 데이터 배선(150)과 제1 서브 스토리지부(134) 사이 또는 데이터 배선(150)과 제2 서브 스토리지부(136) 사이로 진행하는 광이 차광 스토리지부(138)에 의해 완전히 차단됨에 따라, 제1 및 제2 기판(100, 200)의 미스 얼라인에 의해 발생되는 빛샘 현상을 방지할 수 있다.

<표시패널의 제5 실시예>

도 19는 본 발명의 제5 실시예에 따른 표시패널의 단위화소 중 일부를 절단한 단면도이다. 본 실시예에 의한 표시패널은 스토리지 배선 중 차광 스토리지부를 제외하면, 앞서 설명한 제4 실시예의 표시패널과 동일한 구성을 가짐으로 그 중복된 설명은 생략하기로 하며, 동일한 구성 요소에 대해서는 동일한 참조부호 및 명칭을 사용하기로 한다.

도 19를 참조하면, 본 실시예에 의한 차광 스토리지부(138)는 제1 및 제2 서브 스토리지부(134, 136) 중 어느 하나로부터 데이터 배선(150) 측으로 연장되어 데이터 배선(150)의 일부와 중첩된다.

한편, 셀갭유지부재(260)가 데이터 배선(150)을 기준으로 일측에 형성된다고 할 때, 차광 스토리지부(138)는 상기 일측으로 연장되어 데이터 배선(150)의 일부와 중첩되는 것이 바람직하다.

구체적으로 설명하면, 셀갭유지부재(260)가 데이터 배선(150)을 기준으로 우측에 형성된다고 할 때, 차광 스토리지부(138)는 제2 서브 스토리지부(136)로부터 우측으로 연장되어 데이터 배선(150)의 일부와 중첩된다.

반면, 셀갭유지부재(260)가 데이터 배선(150)을 기준으로 좌측에 형성된다고 할 때, 차광 스토리지부(138)는 제1 서브 스토리지부(134)로부터 좌측으로 연장되어 데이터 배선(150)의 일부와 중첩된다.

차광 스토리지부(138)는 데이터 배선(150)과 마주보는 영역 중 개구부(252) 가 형성되지 않은 부분과 대응되는 위치에 형성된다. 구체적으로, 차광 스토리지부(138)는 제1 차광 전극 및 제2 차광 전극을 포함할 수 있다. 상기 제1 차광 전극은 제2 상측화소(UP2)의 일단부 중 제2 상측개구(UOP2)가 형성되지 않은 부분과 대응되는 위치에 형성되고, 상기 제2 차광 전극은 제2 하측화소(LP2)의 일단부 중 제2 하측개구(LOP2)가 형성되지 않은 부분과 대응되는 위치에 형성된다.

본 실시예에 따르면, 차광 스토리지부(138)가 데이터 배선(150)의 일부와 중첩되도록 형성되어 제1 서브 스토리지부(134) 사이 또는 데이터 배선(150)과 제2 서브 스토리지부(136) 사이로 진행하는 광을 차단함으로써, 제1 및 제2 기판(100, 200)의 미스 얼라인에 의해 발생되는 빛샘 현상을 방지할 수 있다.

또한, 차광 스토리지부(138)가 데이터 배선(150)과 중첩되는 영역을 최소화함으로써, 차광 스토리지부(138)가 데이터 배선(150)의 데이터 신호에 악영향을 주는 것을 최소화할 수 있다.

이와 같은 본 발명에 의하면, 서브 차광부가 메인 차광부로부터 공통전극의 개구부가 형성되지 않은 영역으로 돌출되거나, 차광 스토리지부가 제1 또는 제2 서브 스토리지부에서 공통전극의 개구부가 형성되지 않은 영역과 대응되도록 연장되어 데이터 배선의 일부와 중첩됨에 따라, 제1 및 제2 기판의 미스얼라인에 의한 빛샘 현상을 방지할 수 있고, 그 결과 영상의 표시품질을 보다 향상시킬 수 있다.

앞서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통 상의 지식을 갖는 자라면 후술될 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims

제1 방향으로 형성된 게이트 배선, 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 형성되어 단위화소를 정의하는 데이터 배선, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터, 및 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되며 상기 단위화소 내에 형성된 화소전극을 구비하는 제1 기판;

광을 차단시키는 차광막, 및 상기 차광막의 상부에 상기 화소전극과 대응되도록 형성되며 상기 단위화소를 복수의 도메인들로 분할시키는 개구부를 갖는 공통전극을 구비하는 제2 기판; 및

상기 제1 및 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함하고,

상기 차광막은 상기 게이트 배선 및 데이터 배선을 커버하도록 상기 단위화소의 가장자리에 형성된 메인 차광부, 및 상기 메인 차광부로부터 상기 개구부가 형성되지 않은 영역으로 소정의 길이로 돌출된 서브 차광부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널.
제1항에 있어서, 상기 제2 기판은 상기 제1 기판과의 셀갭을 유지시키고, 상기 데이터 배선을 기준으로 일측에 형성된 셀갭유지부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널.
제2항에 있어서, 상기 박막 트랜지스터는 상기 데이터 배선을 기준으로 상기 일측과 반대방향인 타측에 형성된 것을 특징으로 하는 표시패널.
제2항에 있어서, 상기 서브 차광부는 상기 메인 차광부로부터 상기 일측과 반대방향인 타측으로 돌출된 것을 특징으로 하는 표시패널.
제4항에 있어서, 상기 서브 차광부는 상기 메인 차광부로부터 상기 타측으로 1um ~ 2um의 길이로 돌출된 것을 특징으로 하는 표시패널.
제5항에 있어서, 상기 메인 차광부 중 상기 데이터 배선을 커버하는 부분의 폭은 21um ~ 25um의 길이를 갖는 것을 특징으로 하는 표시패널.
제1항에 있어서, 상기 개구부는 상기 제1 방향에 대하여 경사지게 형성된 메인 개구부 및 상기 메인 개구부의 단부와 연결되고 상기 제2 방향으로 형성된 서브 개구부를 포함하고,

상기 서브 차광부는 상기 서브 개구부가 형성되지 않은 영역으로 돌출된 것을 특징으로 하는 표시패널.
제1항에 있어서, 상기 화소전극은 서로 전기적으로 분리된 제1 및 제2 화소부를 포함하고,

상기 개구부는 상기 제1 화소부와 대응되는 위치에 형성된 제1 오픈부 및 상 기 제2 화소부와 대응되는 위치에 형성된 제2 오픈부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널.
제8항에 있어서, 상기 제1 화소부는 상기 제2 화소부의 외곽을 감싸는 형상을 갖고,

상기 제1 및 제2 화소부는 상기 단위화소의 중심을 상기 제1 방향으로 가로지르는 가상의 중앙선을 기준으로 대칭되는 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 표시패널.
제9항에 있어서, 상기 제1 화소부는 상기 중앙선을 기준으로 상측에 형성된 제1 상측화소, 및 상기 중앙선을 기준으로 하측에 형성되며 상기 제1 상측화소와 전기적으로 연결된 제1 하측화소를 포함하고,

상기 제2 화소부는 상기 중앙선을 기준으로 상측에 형성된 제2 상측화소, 및 상기 중앙선을 기준으로 하측에 형성되며 상기 제2 상측화소와 전기적으로 연결된 제2 하측화소를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널.
제10항에 있어서, 상기 제1 및 제2 상측화소는 상기 제1 방향에 대하여 45도로 경사진 제3 방향으로 형성되고,

상기 제1 및 제2 하측화소는 상기 제3 방향과 수직한 제4 방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 표시패널.
제11항에 있어서, 상기 제1 오픈부는 상기 제3 방향으로 형성되어 상기 제1 상측화소를 2등분하는 제1 상측개구, 및 상기 제4 방향으로 형성되어 상기 제1 하측화소를 2등분하는 제1 하측개구를 포함하고,

상기 제2 오픈부는 상기 제3 방향으로 형성되어 상기 제2 상측화소를 2등분하는 제2 상측개구, 및 상기 제4 방향으로 형성되어 상기 제2 하측화소를 2등분하는 제2 하측개구를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널.
제12항에 있어서, 상기 제1 오픈부는

상기 제1 상측개구의 일단부와 연결되고, 상기 제1 상측화소 중 상기 데이터 배선과 마주보는 일단부의 일부를 커버하도록 형성된 제1 상측 서브 개구; 및

상기 제1 하측개구의 일단부와 연결되고, 상기 제1 하측화소 중 상기 데이터 배선과 마주보는 일단부의 일부를 커버하도록 형성된 제1 하측 서브 개구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널.
제13항에 있어서, 상기 서브 차광부는

상기 제1 상측화소의 일단부 중 상기 제1 상측 서브 개구가 형성되지 않은 부분으로 돌출된 제1 상측 서브 차광막; 및

상기 제1 하측화소의 일단부 중 상기 제1 하측 서브 개구가 형성되지 않은 부분으로 돌출된 제1 하측 서브 차광막을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널.
제12항에 있어서, 제2 오픈부는

상기 제2 상측개구의 일단부와 연결되고, 상기 제2 상측화소 중 상기 데이터 배선과 마주보는 일단부의 일부를 커버하도록 형성된 제2 상측 서브 개구; 및

상기 제2 하측개구의 일단부와 연결되고, 상기 제2 하측화소 중 상기 데이터 배선과 마주보는 일단부의 일부를 커버하도록 형성된 제2 하측 서브 개구를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널.
제15항에 있어서, 상기 서브 차광부는

상기 제2 상측화소의 일단부 중 상기 제2 상측 서브 개구가 형성되지 않은 부분으로 돌출된 제2 상측 서브 차광막; 및

상기 제2 하측화소의 일단부 중 상기 제2 하측 서브 개구가 형성되지 않은 부분으로 돌출된 제2 하측 서브 차광막을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널.
제1항에 있어서, 상기 제1 기판은 상기 화소전극의 일부와 중첩되는 스토리지 배선을 더 포함하고,

상기 스토리지 배선은

상기 제1 방향으로 형성된 메인 스토리지부;

상기 메인 스토리지부로부터 상기 제2 방향으로 연장되며, 상기 화소전극의 일단부와 중첩되는 제1 서브 스토리지부; 및

상기 메인 스토리지부로부터 상기 제2 방향으로 연장되며, 상기 화소전극의 일단부와 대향하는 타단부와 중첩되는 제2 서브 스토리지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널.
제17항에 있어서, 상기 스토리지 배선은 상기 데이터 배선을 기준으로 양측에 배치된 상기 제1 및 제2 서브 스토리지부를 서로 연결시키는 차광 스토리지부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널.
제18항에 있어서, 상기 차광 스토리지부는 상기 개구부가 형성되지 않은 영역과 대응되는 위치에 형성된 것을 특징으로 하는 표시패널.
제1 방향으로 형성된 게이트 배선, 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 형성된 데이터 배선, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터, 상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결된 화소전극, 및 상기 화소전극의 일부와 중첩되는 스토리지 배선을 구비하는 제1 기판;

광을 차단시키는 차광막, 및 상기 차광막의 상부에 상기 화소전극과 대응되도록 형성되며 상기 단위화소를 복수의 도메인들로 분할시키는 개구부를 갖는 공통전극을 구비하는 제2 기판; 및

상기 제1 및 제2 기판 사이에 개재된 액정층을 포함하고,

상기 스토리지 배선은 상기 개구부가 형성되지 않은 영역과 대응되는 상기 데이터 배선의 일부와 중첩되는 것을 특징으로 하는 표시패널.
제20항에 있어서, 상기 스토리지 배선은

상기 제1 방향으로 형성된 메인 스토리지부;

상기 메인 스토리지부로부터 상기 제2 방향으로 연장되며, 상기 화소전극의 일단부와 중첩되는 제1 서브 스토리지부;

상기 메인 스토리지부로부터 상기 제2 방향으로 연장되며, 상기 화소전극의 일단부와 대향하는 타단부와 중첩되는 제2 서브 스토리지부; 및

상기 제1 및 제2 서브 스토리지부 중 어느 하나로부터 상기 데이터 배선 측으로 연장되어, 상기 데이터 배선의 일부와 중첩되는 차광 스토리지부를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시패널.
제21항에 있어서, 상기 차광 스토리지부는 상기 데이터 배선을 기준으로 양측에 배치된 상기 제1 및 제2 서브 스토리지부를 서로 연결시키는 것을 특징으로 하는 표시패널.
제21항에 있어서, 상기 제2 기판은 상기 제1 기판과의 셀갭을 유지시키고, 상기 데이터 배선을 기준으로 일측에 형성된 셀갭유지부재를 더 포함하고,

상기 차광 스토리지부는 상기 일측 방향으로 연장된 것을 특징으로 하는 표시패널.
제21항에 있어서, 상기 개구부는 상기 제1 방향에 대하여 경사지게 형성된 메인 개구부 및 상기 메인 개구부의 단부와 연결되고 상기 제2 방향으로 형성된 서브 개구부를 포함하고,

상기 서브 차광부는 상기 서브 개구부가 형성되지 않은 영역으로 돌출된 것을 특징으로 하는 표시패널.