CN101097378A - 显示面板 - Google Patents

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CN101097378A CNA2007101232519A CN200710123251A CN101097378A CN 101097378 A CN101097378 A CN 101097378A CN A2007101232519 A CNA2007101232519 A CN A2007101232519A CN 200710123251 A CN200710123251 A CN 200710123251A CN 101097378 A CN101097378 A CN 101097378A
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Abstract

一种显示面板包括：第一基板、第二基板和液晶层。第一基板包括：信号线；薄膜晶体管，电连接于信号线；以及像素电极，电连接于薄膜晶体管，并设置于单位像素内。第二基板包括：阻光层，阻挡光线；共用电极，包括域限定件，形成于阻光层上并对应于像素电极。液晶层设置于第一基板与第二基板之间。阻光层包括：主阻光部，设置于单位像素的边缘处，并覆盖信号线；以及子阻光部，从主阻光部延伸到其中未设置域限定件的区域内。

Description

显示面板
技术领域
本发明涉及一种显示面板。更具体地说，本发明涉及一种能够提高图像显示质量的显示面板。
背景技术
一般而言，液晶显示(LCD)装置包括LCD面板和背光组件。LCD面板利用液晶的透光率来显示图像，而背光组件设置于LCD面板下方，以便向LCD面板提供光线。
LCD面板包括第一基板、面对第一基板的第二基板以及设置于第一基板与第二基板之间的液晶层。第一基板包括信号线、电连接于信号线的薄膜晶体管以及电连接于薄膜晶体管的像素电极。第二基板包括阻光层、覆盖阻光层的滤色器以及形成于滤色器上的共用电极。
当在制造LCD面板之后运输或使用LCD面板时，LCD面板可能会被外部施加的冲击损坏，从而第一和第二基板可能由于该冲击而不对齐。第二基板由于该冲击而相对于第一基板移动到左侧或右侧。
当第二基板相对第一基板移动时，第二基板的阻光层相对于第一基板不对齐。当第二基板的阻光层相对于第一基板不对齐时，光线在第二基板的设计成不传输光线的区域内传输。因此，LCD面板显示器由于光线泄漏而不能显示纯黑色图像，并且图像显示质量劣化。
发明内容
示例性实施例提供了一种显示面板，其防止由于第一和第二基板的不对齐造成的光线泄漏，并且提高图像显示质量。
在示例性实施例中，显示面板包括：第一基板、第二基板和液晶层。
第一基板包括：栅极线，沿第一方向形成；数据线，沿基本上垂直于第一方向的第二方向形成；薄膜晶体管，电连接于栅极线和数据线；以及像素电极，电连接于薄膜晶体管，并设置于单位像素内。
第二基板包括：阻光层，阻挡光线；共用电极，设置于阻光层上，对应于像素电极，并且具有将单位像素分隔成多个域的域限定件。
液晶层设置于第一基板与第二基板之间。
阻光层包括：主阻光部，设置于单位像素的边缘处，并覆盖栅极线和数据线；以及子阻光部，从主阻光部延伸。子阻光部朝向其中未设置平行于数据线的域限定件的区域而突出。
在示例性实施例中，域限定件包括：本体，相对第一方向倾斜；以及分支，连接本体的端部，并且沿第二方向延伸。阻光层的子阻光部突出到其中未设置共用电极的分支的区域内。
在示例性实施例中，显示面板包括：第一基板、第二基板和液晶层。
第一基板包括：栅极线，沿第一方向形成；数据线，沿基本上垂直于第一方向的第二方向形成；薄膜晶体管，电连接于栅极线和数据线；像素电极，电连接于薄膜晶体管，并设置于单位像素内；以及存储线，部分地与像素电极以及与数据线的一部分交迭。
第二基板包括：阻光层，阻挡光线；共用电极，设置于阻光层上，对应于像素电极，并包括将单位像素分隔成多个域的域限定件，且邻近于存储线。
液晶层设置于第一基板与第二基板之间。
存储线与数据线的一部分相交迭，所述部分对应于其中未设置共用电极的域限定件的区域。
在示例性实施例中，存储线包括：主存储部，沿第一方向延伸；第一子存储部，从主存储部沿第二方向延伸，并且与像素电极的第一端部相交迭；第二子存储部，从主存储部沿第二方向延伸，并且与像素电极的与第一端部相对的第二端部相交迭；以及阻光存储部，从第一和第二子存储部中的一个朝向数据线延伸，并且与数据线的一部分相交迭。
在示例性实施例中，子阻光部从主阻光部突出到除了其中设置共用电极的域限定件的区域之外的区域内，或者与数据线的一部分相交迭，所述部分对应于除了其中设置共用电极的域限定件的区域之外的区域，从而减少或有效防止由第一和第二基板的不对齐而造成的光线泄漏，并且提高图像显示质量。
附图说明
通过参照以下结合附图的详细描述，本发明的上述和其它优点将变得更加显而易见。
图1是示出了根据本发明的显示面板的单位像素的示例性实施例的平面图；
图2是示出了图1单位像素的存储线、栅极线和栅电极的示例性实施例的平面图；
图3是示出了图1单位像素的数据线、源电极、漏电极、连接电极和有源层的示例性实施例的平面图；
图4是示出了图1单位像素的像素电极的示例性实施例的平面图；
图5是示出了图1单位像素的共用电极的示例性实施例的平面图；
图6是示出了图1单位像素的阻光层的示例性实施例的平面图；
图7是沿图1的线I-I′截取的截面图；
图8是沿图1的线II-II′截取的截面图；
图9是沿图1的线III-III′截取的截面图；
图10是示出了图9中第一和第二基板的不对齐的示例性实施例的截面图，其中省略了子阻光层；
图11是示出了图9中第一和第二基板的不对齐的示例性实施例的截面图；
图12是示出了根据本发明的显示面板的单位像素的阻光层的另一示例性实施例的平面图；
图13是示出了根据本发明的显示面板的单位像素的阻光层的另一示例性实施例的平面图；
图14是示出了根据本发明的显示面板的单位像素的另一示例性实施例的平面图；
图15是示出了图14单位像素中的阻光层的示例性实施例的平面图；
图16是示出了图14单位像素的存储线的示例性实施例的平面图；
图17是沿图14的线IV-IV′截取的截面图；
图18是沿图14的线V-V′截取的截面图；以及
图19是示出了根据本发明的显示面板的单位像素的一部分的示例性实施例的截面图。
具体实施方式
以下参照示出本发明实施例的附图对本发明进行更全面的描述。但是，本发明可以以许多不同形式来实现，而不应该被理解为仅限于这里所列出的实施例。当然，提供这些实施例，是为了使得本公开更全面和完整，并向本领域技术人员充分传达本发明的范围。附图中，为了清楚起见，可能对层和区域的尺寸和相对尺寸进行了放大。
可以理解，当指出一个元件或层位于另一个元件或层“上”或者“连接到”另一个元件或层时，则该元件或层可以直接位于另一个元件或层上或者直接连接到另一个元件或层，或者也可存在插入元件或层。相反地，当指出一个元件“直接”位于另一个元件或层上或者“直接连接到”另一个元件或层时，则不存在插入元件或层。全文中相同的标号表示相同的元件。当用在文中时，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任一个以及所有组合。
可以理解，尽管这里可以使用术语第一、第二、第三、等等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应该限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开来。因此，在不背离本发明宗旨的前提下，下面所讨论的第一元件、部件、区域、层或部分也可以称作第二元件、部件、区域、层或部分。
这里可以使用诸如“下部”、“上部”等空间相对术语来描述附图所示的一个元件或特征相对于其它元件或特性的关系。可以理解，相对关系术语除了包括附图中示出的方位外，还旨在表示包括装置的不同方位。例如，如果将其中一个附图中的装置翻转，那么被描述为在其它元件或特征“下部”的元件将被定位在其它元件“上部”。因此，示例性术语“下部”可以包括上方和下方两个方位。装置可以以其它方式定位(旋转90度或在其它方位)，并且对此处使用的空间相对描述语进行相应解释。
这里所使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，而并非旨在限制本发明。除非文中以其它方式清楚地指明，否则这里所使用的单数形式“一个”(“a”“an”和“the”)也旨在于包括复数形式。还可以理解，当术语“包括(comprises和/或comprising)”用于本说明书中时，表明存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件、和/或部件，但并不排除存在或附加有一个或多个其它的特征、整体、步骤、操作、元件、部件、和/或它们构成的组。
此处，将参照作为本发明理想实施例(和中间结构)示意图的截面图描述本发明的实施例。因此，可以预料到由于例如制造技术和/或公差所导致的与图中形状的偏离。由此，本发明的实施例不应该被理解为限制于这里所示的区域的特定形状，而应包括例如由于制造所导致的形状上的偏差。
例如，被示为矩形的注入区在其边缘通常具有圆形或曲线形特征和/或注入浓度梯度，而不是从注入区到未注入区的二元变化。同样，通过注入形成的掩埋区可能在掩埋区与发生注入的表面之间的区域中产生一定量的注入。因此，附图中所示的区域实质上是示意性的，并且它们的形状并非为了示出装置区域的实际形状，也不是为了限定本发明的范围。
除非另有限定，否则这里所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域技术人员的通常理解相同的含义。还可以理解，术语(例如常用词典中定义的那些术语)应该被解释为具有与它们在相关技术领域范围内的含义一致的含义，而不应该解释为理想化的或过于正式的含义，除非这里特别地加以定义。
以下，将参照附图更详细地描述本发明。
图1是示出了根据本发明的显示面板的单位像素的示例性实施例的平面图。图2是示出了图1单位像素的存储线、栅极线和栅电极的示例性实施例的平面图。图3是示出了图1单位像素的数据线、源电极、漏电极、连接电极和有源层的示例性实施例的平面图。图4是示出了图1单位像素的像素电极的示例性实施例的平面图。图5是示出了图1单位像素的共用电极的示例性实施例的平面图。图6是示出了图1单位像素的阻光层的示例性实施例的平面图。图7是沿图1的线I-I′截取的截面图。图8是沿图1的线II-II′截取的截面图。图9是沿图1的线III-III′截取的截面图。
参照图1至9，显示面板包括第一基板100、第二基板200和液晶层300。
第一基板100包括基本以矩阵排列的方式设置的多个像素电极、多个薄膜晶体管和多个信号线。每个薄膜晶体管向每个像素电极施加驱动电压。每条信号线驱动每个薄膜晶体管。
第二基板200面对第一基板100。第二基板200设置于显示面板的前表面处。第二基板包括具有透明导电材料的共用电极以及面向像素电极的滤色器。在示例性实施例中，滤色器可以包括红色滤色器、绿色滤色器、蓝色滤色器等。
液晶层300设置于第一基板100与第二基板200之间。液晶层300的方位通过形成于像素电极与共用电极之间的电场被重新布置。重新布置后的液晶层300调节入射光线的透光率，并且由透光率调节后的光线穿过滤色器，从而显示图像。
参照图1至图4、图7至图9，第一基板100包括第一透明基板110、栅极线120、存储线130、栅极绝缘层140、数据线150、薄膜晶体管160、第一连接电极CE1、第二连接电极CE2、保护层170和像素电极180。
第一透明基板110形成为基本上板状，并包括透明材料。在一个示例性实施例中，第一透明基板110可以包括(但不限于)玻璃、石英、蓝宝石或透明合成树脂。
参照图1和图2，多条栅极线120沿第一方向形成于第一透明基板110上，并且多条存储线130沿第一方向形成于第一透明基板110上。稍后将对关于存储线130的更详细说明进行讨论。
栅极绝缘层140形成于第一透明基板110上，以覆盖栅极线120和存储线130。在一个示例性实施例中，栅极绝缘层140可以包括(但不限于)氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。
参照图1和图3，多条数据线150沿基本垂直于第一方向的第二方向形成于栅极绝缘层140上。栅极线120沿不同于数据线150的第二方向的第一方向延伸。在一个示例性实施例中，具有基本上矩形形状的多个单位像素可以通过栅极线120和数据线150的交叉来限定。在示例性实施例中，每个单位像素可以形成为矩形形状，并且矩形形状的纵向方向基本上平行于第二方向。
参照图1至图3，薄膜晶体管160包括栅电极G、有源层A、源电极S和漏电极D。第一实施例的薄膜晶体管相对于数据线150形成于第一侧处。
栅电极G是栅极线120的相对于数据线150形成于第一侧处的一部分。有源层A对应于栅电极G形成于栅极绝缘层140上。源电极S相对于数据线150沿第一侧(例如，图3中的左侧)的方向从数据线150延伸，并且与有源层A的一部分交迭。在一个示例性实施例中，源电极S可以形成为基本上L形。漏电极D沿第二方向延伸，其与源电极S隔开预定距离，并且其与有源层A的一部分交迭。
参照图3，第一连接电极CE1和第二连接电极CE2形成于栅极绝缘层140上，并且形成于每个单位像素中。第一连接电极CE1和第二连接电极CE2分别电连接于薄膜晶体管160的漏电极D。
保护层170形成于栅极绝缘层140上，以覆盖数据线150、薄膜晶体管160、第一连接电极CE1和第二连接电极CE2。在示例性实施例中，保护层170可以包括氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。接触孔172形成于保护层170的对应于第一连接电极CE1的区域处。
参照图1和图4，像素电极180形成于保护层170上，并且形成于每个单位像素内。像素电极180包括透明导电材料。在一个示例性实施例中，像素电极180可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、非晶氧化铟锡(a-ITO)等。像素电极180包括彼此电隔离的第一像素部182和第二像素部184。
第一像素部182围绕第二像素部184的轮廓线，并具有与第一像素部182的外形相对应的外形。第二像素部184形成于每个单位像素的中央部处(例如，沿如图4所示的第二方向)。第一像素部182形成于每个单位像素中的上部和下部处(例如，沿第二方向)，以便围绕第二像素部184的轮廓线。第一像素部182和第二像素部184可以形成为相对于沿第一方向穿过每个单位像素中心的假想中心线而基本上对称的结构。
第一像素部182包括：第一上部像素UP1，其相对于假想中心线形成于单位像素的上部处；以及第一下部像素LP1，其相对于假想中心线形成于单位像素的下部处，并电连接于第一上部像素UP1。
第二像素部184包括：第二上部像素UP2，其相对于假想中心线形成于单位像素的上部处；以及第二下部像素LP2，其相对于假想中心线形成于单位像素的下部处，并电连接于第二上部像素UP2。
第一上部像素UP1和第二上部像素UP2彼此隔开预定距离，并且沿第三方向(诸如相对于第一方向倾斜大约45度)纵向地形成。第一下部像素LP1和第二下部像素LP2彼此隔开预定距离，并且沿第四方向(诸如基本上垂直于第三方向的方向)纵向地形成。
第一像素部182通过形成于保护层170中的接触孔172而电连接于第一连接电极CE1。第一像素部182的第一下部像素LP1电连接于第一连接电极CE1。
第二像素部184通过保护层170而与第二连接电极CE2隔开预定距离(例如，沿垂直于图3和4的平面图的方向)，以形成电压减少电容器。第二连接电极CE2形成在与第二像素部184的中心相对应的区域内，以与第二像素部184交迭。
第一像素部182电连接于第一连接电极CE1，并且接收来自薄膜晶体管160的漏电极D的第一驱动电压。第二连接电极CE2直接接收来自漏电极D的第一驱动电压，并且第二像素部184间接接收来自第二连接电极CE2的第二驱动电压。由于电压减少电容器的存在，所以第二驱动电压处于比第一驱动电压低的电平处。
参照图1和图2，存储线130包括主存储部132、第一子存储部134和第二子存储部136。
主存储部132沿第一方向形成，并基本上平行于栅极线120。主存储部132与数据线150交叉。主存储部132可以形成于每个单位像素的上部处，其被认为是栅极线120的下部。
第一子存储部134沿第二方向从主存储部132延伸，并且与像素电极180的一部分相交迭。第一子存储部134与相邻数据线150的右侧隔开预定距离，并且基本上平行于数据线150形成。
第二子存储部136沿第二方向从主存储部132延伸，并且与像素电极180的端部(例如，在如图4所示的像素电极180的最右侧上)相交迭。第二子存储部136与相邻数据线150的左侧相隔开，并且基本上平行于数据线150形成。
相对于数据线150，第一子存储部134形成于右侧处，并且第二子存储部136形成于左侧处。
参照图1、图5和图6至图9，第二基板包括第二透明基板210、阻光层220、滤色器230、平面化层240、共用电极250和单元间隙保持件260。
第二透明基板210形成为基本上板状，并包括透明材料。第二透明基板210面对第一透明基板110。
阻光层220形成于第二透明基板210上，并且阻挡光线。稍后将对关于阻光层220的更详细说明进行讨论。
滤色器230形成于第二透明基板210上，以覆盖阻光层220。滤色器230形成于对应于每个单位像素中的像素电极180的区域内。在一个示例性实施例中，滤色器230可以包括(但不限于)红色滤色器、绿色滤色器和蓝色滤色器。当用在文中时，“对应于”表示在形状、尺寸和/或位置布置上基本对应。
平面化层240覆盖滤色器230和阻光层220，并且使第二基板200的表面平面化。在一个示例性实施例中，平面化层240可以包括有机绝缘层。
共用电极250形成于平面化层240上。共用电极250包括透明导电材料。在一个示例性实施例中，共用电极250可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、非晶氧化铟锡(a-ITO)等。域限定件252形成在对应于像素电极180的区域内，并且将每个单位像素分隔成多个域。
参照图5，域限定件252包括：第一开口部OP1，形成在对应于第一像素部182的区域内；以及第二开口部OP2，形成在对应于第二像素部184的区域内。第一开口部OP1和第二开口部OP2可以相对于沿第一方向取得的每个单位像素的中心线而形成为基本上对称的结构。
第一开口部OP1包括：第一上部域限定部UMP1，沿第三方向形成，并对应于第一上部像素UP1(图4)；以及第一下部域限定部LMP1，沿第四方向形成，并对应于第一下部像素LP1(图4)。
另外，第一开口部OP1可以进一步包括第一上部分支USP1和第一下部分支LSP1。第一上部分支USP1电连接于第一上部域限定部UMP1的端部，并且覆盖邻近数据线150的第一上部像素UP1端部的一部分。第一下部分支LSP1电连接于第一下部域限定部LMP1的端部，并且覆盖邻近数据线150的第一下部像素LP1端部的一部分。
第一上部分支USP1从第一上部域限定部UMP1的端部向下延伸(例如，沿第二方向)，其基本上平行于数据线150，并且覆盖第一上部像素UP1的端部。第一下部分支LSP1从第一下部域限定部LMP1的端部向上延伸(例如，沿第二方向)，其基本上平行于数据线150，并且覆盖第一下部像素LP1的端部。
第二开口部OP2包括：第二上部域限定部UMP2，沿第三方向形成，并对应于第二上部像素UP2；以及第二下部域限定部LMP2，沿第四方向形成，并对应于第二下部像素LP2。在一个示例性实施例中，第二上部域限定部UMP2和第二下部域限定部LMP2彼此电连接。
另外，第二开口部OP2可以进一步包括第二上部分支USP2和第二下部分支LSP2。第二上部分支USP2电连接于第二上部域限定部UMP2的端部，并且覆盖邻近数据线150的第二上部像素UP2端部的一部分。第二下部分支LSP2电连接于第二下部域限定部LMP2的端部，并且覆盖邻近数据线150的第二下部像素LP2端部的一部分。
第二上部分支USP2从第二上部域限定部UMP2的端部向上延伸(例如，沿第二方向)，其基本上平行于数据线150，并且覆盖第二上部像素UP2的端部。第二下部分支LSP2从第二下部域限定部LMP2的端部向下延伸，其基本上平行于数据线150，并且覆盖第二下部像素LP2的端部。
参照图1和图7，单元间隙保持件260形成于共用电极250上，并与第一基板100相接触，以保持第一100与第二基板200之间的单元间隙。单元间隙保持件260可以包括有机材料。在一个示例性实施例中，单元间隙保持件260可以通过图案化(诸如，通过光学工艺)形成。
单元间隙保持件260相对于数据线150形成在第一侧处。薄膜晶体管160相对于数据线150形成在与第一侧相对的第二侧处。如所示实施例中所示的，分别地，相对于数据线150，单元间隙保持件260可以形成在右侧处而薄膜晶体管160形成在左侧处。
参照图1、图6、图8和图9，阻光层220包括主阻光部222和子阻光部224。在一个示例性实施例中，阻光层220可以包括阻挡光线的有机材料或无机材料。
主阻光部222沿单位像素的边缘形成，并且覆盖栅极线120、数据线150和薄膜晶体管160。主阻光部222覆盖数据线150的部分沿第一方向的宽度L1可以在大约2微米(μm)至大约25微米(μm)之间。
子阻光部224从主阻光部222突出到其中未形成域限定件252的区域。例如，子阻光部224可以朝向单位像素的中心线突出，并且可以邻近于域限定件252。当单元间隙保持件260相对于数据线150形成在第一侧处时，子阻光部224可以相对于数据线150形成在与第一侧相对的第二侧处。如图1所示的实施例中所示的，第一实施例的单元间隙保持件260可以相对于数据线150形成在右侧处，并且子阻光部224从主阻光部222突出到左侧，例如，相对于数据线150位于左侧上。子阻光部224沿第一方向的突出长度L2可以在大约1μm至大约2μm之间。
参照图6，子阻光部224包括上部子阻光层UBM和下部子阻光层LBM。上部子阻光层UBM在第二上部像素UP2的未形成第二上部分支USP2的一个端部处突出。另外，下部子阻光层LBM在未形成第二下部分支LSP2的部分处突出。
如所示实施例中所示的，子阻光部224包括从主阻光部222延伸的两个延伸部，并且所述子阻光部从主阻光部222以基本相同的距离突出，但是本发明并不限于此。子阻光部224可以包括多于或少于两个的延伸部，并且/或者子阻光部的突出距离沿第二方向在沿主阻光部222的位置处可以相等或不同。沿主阻光部222的边缘在第二方向上，子阻光部224可以基本上以相同的布置和/或位置布置，但本发明不限于此。可替换地，单位像素(诸如相邻单位像素)的子阻光部224的位置可以沿第二方向交错或交替。
图10是示出了图9中第一和第二基板的不对齐的示例性实施例的截面图，其中省略了子阻光层224。图11是示出了图9中第一和第二基板的不对齐的截面图。
参照图10和图11，将对所示实施例的效果进行讨论。图10所示的阻光层包括主阻光部222，并且图11所示的阻光层220包括主阻光部222和子阻光部224。
第一和第二基板100和200可能由于外部冲击而不对齐。如所示实施例中所示，单元间隙保持件260相对于数据线150形成在右侧处。当外部冲击作用于第一和第二基板100和200时，第二基板200相对第一基板100与右侧不对齐。第一基板100的表面包括由数据线150形成的突出区域或表面，从而当外部冲击作用其上时，具有单元间隙保持件260的第二基板200可以不移到左侧。单元间隙保持件260被突出的表面阻挡或限制向左侧移动，结果向右侧移动。因此，如图10和11所示，第二基板200由于外部冲击而相对第一基板100与右侧不对齐。
当阻光层220包括如图10所示的主阻光部222并且第二基板200相对于第一基板100与右侧不对齐时，从第一基板100下方产生并进入数据线150与第二子存储部136之间的空间(例如，当在平面图中观看时)的光线可能不会被主阻光部222阻挡。该未被阻挡的光线(如图10中的箭头所示)最终可以发射到外部，并且发生光线泄漏现象。在示例性实施例中，当进入数据线150与第二子存储部136之间的空间内的光线穿过像素电极180的未被共用电极250的域限定件252覆盖的端部的区域时，光线泄漏现象更频繁地发生，并达到较大程度。
但是，如图11所示的，当阻光层220不仅包括主阻光部222而且还包括子阻光部224时，即使第二基板200相对于第一基板100与右侧不对齐，进入数据线150与第二子存储部136之间的空间内的光线也可以被子阻光部224阻挡，如箭头所示。在示例性实施例中，且为了减少或有效防止亮度的降低，子阻光部224可以从主阻光部222突出到其中未形成共用电极250的域限定件252的区域，并且子阻光部224可以阻挡进入数据线150与第二子存储部136之间的空间内的光线。在示例性实施例中，子阻光部224沿与数据线的侧部相对的方向从主阻光部222延伸，在所述数据线的侧部处，单元间隙保持件260可以形成为基本上补偿第一和第二基板100和200相对彼此的移动距离，并且阻挡在数据线150与第二子存储部136之间传输的光线。
如所示实施例中所示的，子阻光部224突出到其中未形成共用电极250的域限定件252的区域，以减少或有效防止光线泄漏现象，从而提高图像显示质量。
图12是示出了根据本发明的显示面板的单位像素的阻光层的另一示例性实施例的平面图。除了阻光层之外，图12中的显示面板基本上与图1-11中的显示面板相同。因此，将使用相同的参考标号来表示那些与图1-11中描述的部件相同或相似的部件，并且将省略关于上述元件的进一步的重复说明。
参照图12，阻光层220包括主阻光部222和子阻光部224。
主阻光部222沿每个单位像素的边缘形成，并且覆盖栅极线120、数据线150和薄膜晶体管160。主阻光部222覆盖数据线150的部分的宽度可以在大约21μm至大约25μm之间。
子阻光部224从主阻光部222突出到其中未形成域限定件252的区域。在一个示例性实施例中，子阻光部224可以朝向单位像素的中心线突出，并且可以邻近于域限定件252。当单元间隙保持件260相对于数据线150形成在第一侧处时，子阻光部224可以相对于数据线150从主阻光部222突出到与第一侧相对的第二侧。
在一个示例性实施例中，图12的单元间隙保持件260相对于数据线150形成在右侧处，并且子阻光部224从主阻光部222突出到左侧。子阻光部224可以以大约1μm至大约2μm的长度从主阻光部222突出到左侧。
图12的子阻光部224从主阻光部222突出到其中未形成共用电极250的第二开口部OP2的区域。子阻光部224覆盖以下区域：像素电极180的第二上部像素UP2的端部的区域，该区域内未形成共用电极250的第二上部分支USP2；像素电极180的第二下部像素LP2的端部的区域，该区域内未形成共用电极250的第二下部分支LSP2；以及第二上部像素UP2与第二下部像素LP2之间的区域的端部。子阻光部224沿基本平行于数据线150的第二方向形成于共用电极250的上部分支USP2与第二下部分支LSP2之间。
如所示实施例中所示的，子阻光部224是延伸自主阻光部222的单个延伸部。子阻光部224从主阻光部222突出的距离沿第二方向基本上是相同的，但本发明不限于此。
图13是示出了根据本发明的显示面板的单位像素的阻光层的另一示例性实施例的平面图。除了阻光层之外，图13中的显示面板基本上与图1-11中的显示面板相同。因此，将使用相同的参考标号来表示那些与图1-11中描述的部件相同或相似的部件，并且将省略关于上述元件的进一步的重复说明。
参照图13，阻光层220包括主阻光部222和子阻光部224。
主阻光部222沿每个单位像素的边缘形成，以便覆盖栅极线120、数据线150和薄膜晶体管160。主阻光部222覆盖数据线150的部分沿第一方向的宽度可以在大约21μm至大约25μm之间。
子阻光部224从主阻光部222突出到其中未形成域限定件252的区域。子阻光部224可以以大约1μm至大约2μm的长度从主阻光部222突出到左侧。
子阻光部224包括第一上部子阻光层UBM1、第一下部子阻光层LBM1、第二上部子阻光层UBM2和第二下部子阻光层LBM2。
第一上部子阻光层UBM1突出到像素电极180的第一上部像素UP1的端部，该端部中未形成共用电极250的第一上部分支USP1。第一上部子阻光层UBM1相对于数据线150在右侧处突出，以覆盖像素电极180的第一上部像素UP1的端部的一部分。
第一下部子阻光层LBM1突出到像素电极180的第一下部像素LP1的端部，该端部中未形成共用电极250的第一下部分支LSP1。第一下部子阻光层LBM1相对于数据线150在右侧处突出，以覆盖像素电极180的第一下部像素LP1的端部的一部分。
第二上部子阻光层UBM2突出到像素电极180的第二上部像素UP2的端部，该端部中未形成共用电极250的第二上部分支USP2。第二上部子阻光层UBM2相对于数据线150在左侧处突出，以覆盖像素电极180的第二上部像素UP2的端部的一部分。
第二下部子阻光层LBM2突出到像素电极180的第二下部像素LP2的端部，该端部中未形成共用电极250的第二下部分支LSP2。第二下部子阻光层LBM2相对于数据线150在右侧处突出，以覆盖像素电极180的第二下部像素LP2的端部的一部分。
在一个示例性实施例中，第二上部子阻光层UBM2和第二下部子阻光层LBM2可以彼此电连接并一体地形成。当用在文中时，“一体地”用来表示形成为单个单元或部件，而不是结合或包括多个分离元件。
当显示面板接收到外部冲击时，第二基板200相对于第一基板100可以向右移动，或者可以向左移动。当单元间隙保持件260不是相对于数据线150形成于左侧或右侧处而是形成于彼此相邻的数据线150之间的中心处时，第二基板200相对于第一基板100可能与左侧或右侧不对齐。
在所示的实施例中，第一上部子阻光层UBM1和第一下部子阻光层LBM1相对于主阻光部222形成于右侧处，从而减少了或有效地防止了由于第二基板200相对于第一基板100在左侧处的移动而造成的光线泄漏。另外，第二上部子阻光层UBM2和第二下部子阻光层LBM2相对于主阻光部222形成于左侧处，从而减少了或有效地防止了由于第二基板200相对于第一基板100在右侧处的移动而造成的光线泄漏。有利地，当子阻光层沿与第二基板200相对于第一基板100的移动相反的方向延伸时，减少或有效地防止了由于移动而可能造成的光线泄漏。
在所示的实施例中，第一和第二上部子阻光层UBM1和UBM2沿主阻光部222的第二方向相对彼此交错布置。第一和第二上部子阻光层UBM1和UBM2的部分沿第一方向彼此交迭。第一和第二下部子阻光层LBM1和LBM2沿主阻光部222的第二方向相对彼此交错布置。第一和第二下部子阻光层LBM1和LBM2的部分沿第一方向彼此交迭。可替换地，第一和/或第二子阻光层可以构造成单个(例如，一体的)元件。
图14是示出了根据本发明的显示面板的单位像素的另一示例性实施例的平面图。除了阻光层和存储线之外，图14中的显示面板基本上与图1-11中的显示面板相同。因此，将使用相同的参考标号来表示那些与图1-11中描述的部件相同或相似的部件，并且将省略关于上述元件的进一步的重复说明。图15是示出了图14单位像素中的阻光层的示例性实施例的平面图。
参照图14和图15，阻光层220沿每个单位像素的边缘形成，以便覆盖栅极线120、数据线150和薄膜晶体管160。在一个示例性实施例中，阻光层220可以进一步延伸到其中未形成域限定件252的区域。
图16是示出了图14单位像素的存储线的示例性实施例的平面图。图17是沿图14的线IV-IV′截取的截面图。图18是沿图14的线V-V′截取的截面图。
参照图14和图16至图18，存储线130包括主存储部132、第一子存储部134、第二子存储部136和阻光存储部138。
主存储部132形成于每个单位像素的上部处，即，例如当在平面图中观看时形成于栅极线120下方。
第一子存储部134沿第二方向从主存储部132延伸，并且与像素电极180的端部相交迭。第一子存储部134与相邻数据线150的右侧隔开预定距离，并且基本上平行于数据线150形成。
第二子存储部136沿第二方向从主存储部132延伸，并且与像素电极180的一部分相交迭(例如，在像素电极180的最右侧上)。第二子存储部136与相邻数据线150的左侧相隔开，并且基本上平行于数据线150形成。
分别地，相对于数据线150，第一子存储部134形成于右侧处，并且第二子存储部136形成于左侧处。
阻光存储部138将第一子存储部134电连接于第二子存储部136。阻光存储部138部分地与数据线150的一部分交迭(例如，当在平面图中观看时)。第一子存储部134和第二子存储部136分别相对于数据线150设置于相对侧处。阻光存储部138面对数据线150(例如，垂直于图14-16的平面图观看)并且对应于其中未形成共用电极250的域限定件252的区域。
参照图16，阻光存储部138包括第一阻光电极ST1和第二阻光电极ST2。第一阻光电极ST1形成于像素电极180的第二上部像素UP2的端部内，该端部对应于其中未形成共用电极250的第二上部域限定部UMP2的区域。第二阻光电极ST2形成于像素电极180的第二下部像素LP2的端部内，该端部对应于其中未形成共用电极250的第二下部域限定部LMP2的区域。
如所示实施例中所示，阻光存储部138与数据线150的一部分相交迭以阻挡光线(例如，由图18中箭头所示)，从而减少或有效防止由于第一和第二基板100和200的不对齐而造成的光线泄漏。阻光存储部138基本上分别覆盖或填充数据线150与第一或第二存储部134或136之间的空间(例如，当在平面图中观看时)。
当阻光存储部138未设置于第一和第二子存储部134和136之间时，在第一基板100下方产生的光线可能进入数据线150与第一子存储部134之间的或者数据线150与第二子存储部136之间的空间内。结果，光线可能由于第一基板100与第二基板200之间的不对齐(诸如，由外部冲击造成的不齐)而泄漏。
但是，如所示实施例中所示的，进入数据线150与第一子存储部134之间的或者数据线150与第二子存储部136之间的空间内的光线基本上完全被阻光存储部138阻挡，从而减少或有效防止由于第一基板100与第二基板200的不对齐而造成的光线泄漏。
图19是示出了根据本发明的显示面板的单位像素的一部分的示例性实施例的截面图。除了阻光层和存储线之外，图19中的显示面板基本上与图14-18中的显示面板相同。因此，将使用相同的参考标号来表示那些与图14-18中描述的部件相同或相似的部件，并且将省略关于上述元件的进一步的重复说明。
参照图19，阻光存储部138从第一和第二子存储部134和136中的一个延伸至数据线150，并且与数据线150的一部分相交迭，诸如，不面对整个数据线150。可替换地，阻光存储部138可以从第一或第二子存储部134、136中的一个延伸、面对整个数据线150和/或延伸到数据线150与第一或第二子存储部134、136中另一个之间的间隙内。
在示例性实施例中，当单元间隙保持件260相对于数据线150形成于第一侧处时，阻光存储部138可以相对于数据线150延伸到第一侧，并且可以与数据线150的一部分相交迭。
在一个示例性实施例中，当单元间隙保持件260相对于数据线150形成于右侧处时，阻光存储部138可以从第二子存储部136延伸到右侧，并且可以与数据线150的一部分相交迭。
可替换地，当单元间隙保持件260相对于数据线150形成于左侧处时，阻光存储部138可以从第二子存储部136延伸到左侧，并且可以与数据线150的一部分相交迭。
阻光存储部138面对数据线150，并且对应于其中未形成共用电极250的域限定件252的区域。在示例性实施例中，阻光存储部138可以包括第一阻光电极和/或第二阻光电极。第一阻光电极可以形成于像素电极180的第二上部像素UP2的端部内，该端部对应于其中未形成共用电极250的第二上部域限定部UMP2的区域。第二阻光电极可以形成于像素电极180的第二下部像素LP2的端部内，该端部对应于其中未形成共用电极的第二下部域限定部LMP2的区域。
如所示实施例中所示的，阻光存储部138与数据线150的一部分相交迭，并且阻挡进入数据线150与第一子存储部134之间的和/或数据线150与第二子存储部136之间的空间内的光线，从而减少或有效防止由于第一和第二基板100和200的不对齐而造成的光线泄漏。
在一个示例性实施例中，阻光存储部138的与数据线150相交迭的区域可以被最小化，从而通过阻光存储部138而提高数据线150的数据信号的传输特性。
如所示实施例中所示的，子阻光部从主阻光部突出到其中未形成共用电极的域限定件的区域内，并且阻光存储部从第一和第二子存储部延伸以便对应于其中未形成共用电极的域限定件的区域，并且该阻光存储部与数据线的一部分相交迭，从而减少或有效防止诸如由于第一和第二基板的不对齐而造成的光线泄漏，并且提高图像显示质量。
到现在为止，本领域技术人员可以在不脱离本发明的精神和范围的前提下对本发明显示面板的材料、装置、构造和方法进行多种修改、替换和变化。根据这点，本发明的范围不应限于此处示出并描述的特定实施例(因为它们仅为了示例的目的)的范围，而是应该充分地与之后所附的权利要求及其功能等同物的范围相匹配。

Claims (22)

1.一种显示面板，其包括：
第一基板，包括：
栅极线，沿第一方向形成；
数据线，沿基本上垂直于所述第一方向的第二方向形成；
薄膜晶体管，电连接于所述栅极线和所述数据线；以及
像素电极，电连接于所述薄膜晶体管，并形成于单位像素内；
第二基板，包括：
共用电极，设置于所述第二基板上，对应于所述像素电极；
域限定件，将所述单位像素分隔成多个域，所述域限定件具有平行于所述数据线的部分；以及
阻光层，其包括：主阻光部，设置于所述单位像素的边缘处，并覆盖所述栅极线和所述数据线；以及子阻光部，从所述主阻光部延伸，其中，所述子阻光部朝向其中未设置平行于所述数据线的所述域限定件的区域而突出；以及
液晶层，介于所述第一基板与所述第二基板之间。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第二基板进一步包括单元间隙保持件，所述单元间隙保持件保持所述第一和第二基板之间的单元间隙，并且相对于所述数据线设置于第一侧处。
3.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述薄膜晶体管相对于所述数据线设置在与所述第一侧相对的第二侧处。
4.根据权利要求2所述的显示面板，其中，所述子阻光部从所述主阻光部沿所述第一方向以1微米(μm)至2微米(μm)之间的长度而突出。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其中，覆盖所述数据线的所述主阻光部的沿所述第一方向的宽度在21μm至25μm之间。
6.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述域限定件包括：本体，相对所述第一方向倾斜；以及
分支，连接于所述本体的端部，并且沿所述第二方向延伸。
7.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述像素电极包括彼此电隔离第一像素部和第二像素部，并且
所域限定件包括：第一域限定部，设置在对应于所述第一像素部的区域内；以及第二域限定部，设置在对应于所述第二像素部的区域内。
8.根据权利要求7所述的显示面板，其中，所述第一像素部被构造成围绕所述第二像素部，并且
所述第一和第二像素部设置成相对于沿所述第一方向穿过所述单位像素的中心的假想中心线基本上对称。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其中，所述第一像素部包括：
第一上部像素，其相对于所述假想中心线设置于所述第一像素部的上侧处；以及第一下部像素，其相对于所述单位像素的所述假想中心线设置于所述第一像素部的下侧处，并电连接于所述第一上部像素，并且
所述第二像素部包括：第二上部像素，其相对于所述单位像素的所述假想中心线设置于所述第二像素部的上侧处；以及第二下部像素，其相对于所述单位像素的所述假想中心线设置于所述第二像素部的下侧处。
10.根据权利要求9所述的显示面板，其中，所述第一和第二上部像素沿第三方向延伸，所述第三方向相对于所述第一方向倾斜45度，并且
所述第一和第二下部像素沿基本上垂直于所述第三方向的第四方向延伸。
11.根据权利要求10所述的显示面板，其中，所述共用电极的所述第一域限定部包括：第一上部域限定部，沿所述第三方向延伸，并对应于所述第一上部像素；以及第一下部域限定部，沿所述第四方向延伸，并对应于所述第一下部像素，并且
所述共用电极的所述第二域限定部包括：第二上部域限定部，沿所述第三方向延伸，并对应于所述第二上部像素；以及第二下部域限定部，沿所述第四方向延伸，并对应于所述第二下部像素。
12.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述共用电极的所述第一域限定部进一步包括：
第一上部分支，连接于所述第一上部域限定部的端部，并且覆盖所述像素电极的所述第一上部像素端部的面对所述数据线的一部分；以及
第一下部分支，连接于所述第一下部域限定部的端部，并且覆盖所述像素电极的所述第一下部像素端部的面对所述数据线的一部分。
13.根据权利要求12所述的显示面板，其中，所述阻光层的所述子阻光部包括：
第一上部子阻光层，朝向所述像素电极的所述第一上部像素的端部突出，所述端部中未设置所述共用电极的所述第一上部分支；以及
第一下部子阻光层，朝向所述像素电极的所述第一下部像素的端部突出，所述端部中未设置所述共用电极的所述第一下部分支。
14.根据权利要求11所述的显示面板，其中，所述共用电极的所述第二域限定部进一步包括：
第二上部分支，连接于所述第二上部域限定部的端部，并且覆盖所述像素电极的所述第二上部像素端部的面对所述数据线的一部分；以及
第二下部分支，连接于所述第二下部域限定部的端部，并且覆盖所述像素电极的所述第二下部像素端部的面对所述数据线的一部分。
15.根据权利要求14所述的显示面板，其中，所述阻光层的所述子阻光部包括：
第二上部子阻光层，朝向所述像素电极的所述第二上部像素的端部突出，所述端部中未设置所述共用电极的所述第二上部分支；以及
第二下部子阻光层，朝向所述像素电极的所述第二下部像素的端部突出，所述端部中未设置所述共用电极的所述第二下部分支。
16.根据权利要求1所述的显示面板，其中，所述第一基板进一步包括与所述像素电极部分地交迭的存储线，并且
所述存储线包括：
主存储部，平行所述栅极线；
第一子存储部，与所述像素电极的第一端部相交迭；
以及
第二子存储部，与所述像素电极的与所述第一端部相对的第二端部相交迭。
17.根据权利要求16所述的显示面板，其中，所述存储线进一步包括连接存储部，所述连接存储部将所述第一子存储部连接于所述第二子存储部，所述第一子存储部和所述第二子存储部设置在所述数据线的相对侧。
18.根据权利要求17所述的显示面板，其中，所述连接存储部对应于其中未设置平行于所述数据线的所述域限定件的区域。
19.一种显示面板，其包括：
第一基板，包括：
栅极线，沿第一方向形成；
数据线，沿基本上垂直于所述第一方向的第二方向形成；
薄膜晶体管，电连接于所述栅极线和所述数据线；
像素电极，电连接于所述薄膜晶体管；以及
存储线，与所述像素电极以及与所述数据线的一部分交迭；
第二基板，包括：
阻光层；以及
共用电极，对应于所述像素电极，以及
域限定件，分隔出多个域，所述域限定件邻近于所述存储线；以及
液晶层，介于所述第一基板与所述第二基板之间。
20.根据权利要求19所述的显示面板，其中，所述存储线包括：
主存储部，沿所述第一方向延伸；
第一子存储部，从所述主存储部沿所述第二方向延伸，并且与所述像素电极的第一端部相交迭；
第二子存储部，从所述主存储部沿所述第二方向延伸，并且与所述像素电极的与所述第一端部相对的第二端部相交迭；以及
连接存储部，将所述第一子存储部连接于所述第二子存储部，所述第一子存储部和所述第二子存储部设置在所述数据线的相对侧处并与所述数据线的一部分相交迭。
21.根据权利要求20所述的显示面板，其中，所述第二基板进一步包括单元间隙保持件，所述单元间隙保持件保持所述第一和第二基板之间的单元间隙，并且相对于所述数据线设置于第一侧处，并且
所述阻光存储部相对于所述数据线朝向所述第一侧延伸。
22.根据权利要求20所述的显示面板，其中，所述域限定件包括：
本体，相对所述第一方向倾斜；以及分支，连接于所述本体，并且沿所述第二方向延伸，并且
所述阻光层的所述子阻光部朝向其中未设置所述分支的区域突出。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105051595A (zh) * 2013-04-19 2015-11-11 夏普株式会社 液晶显示装置
CN106547152A (zh) * 2015-09-18 2017-03-29 乐金显示有限公司 显示面板及包括所述显示面板的显示装置
CN108682378A (zh) * 2018-06-26 2018-10-19 Oppo广东移动通信有限公司 显示装置和终端设备

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101539953B1 (ko) * 2008-12-04 2015-07-29 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치
KR101875048B1 (ko) * 2010-12-16 2018-07-06 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치
CN103149747B (zh) * 2013-04-03 2016-05-18 深超光电（深圳）有限公司 液晶显示面板
CN113763883B (zh) 2020-05-29 2022-12-02 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3973787B2 (ja) * 1997-12-31 2007-09-12 三星電子株式会社 液晶表示装置及びその製造方法
TW573190B (en) * 2000-08-14 2004-01-21 Samsung Electronics Co Ltd Liquid crystal display and fabricating method thereof
JP3813433B2 (ja) * 2000-10-16 2006-08-23 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 液晶表示装置
KR100831278B1 (ko) * 2001-08-10 2008-05-22 엘지디스플레이 주식회사 멀티 도메인 액정표시소자
TWI297801B (zh) * 2002-01-08 2008-06-11 Chi Mei Optoelectronics Corp
US7206048B2 (en) * 2003-08-13 2007-04-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display and panel therefor

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105051595A (zh) * 2013-04-19 2015-11-11 夏普株式会社 液晶显示装置
CN106547152A (zh) * 2015-09-18 2017-03-29 乐金显示有限公司 显示面板及包括所述显示面板的显示装置
CN106547152B (zh) * 2015-09-18 2020-07-07 乐金显示有限公司 显示面板及包括所述显示面板的显示装置
CN108682378A (zh) * 2018-06-26 2018-10-19 Oppo广东移动通信有限公司 显示装置和终端设备
CN108682378B (zh) * 2018-06-26 2021-07-20 Oppo广东移动通信有限公司 显示装置和终端设备

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