CN101211044B - 显示基板和具有该显示基板的显示设备 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示基板，包括：栅极线、栅极绝缘层、数据线、薄膜晶体管(TFT)、存储线、钝化层、滤色片层、像素电极、第一阻光层以及第二阻光层。存储线包含与栅极线相同的材料。钝化层覆盖数据线。滤色片层形成于钝化层上。像素电极形成于每个像素中的滤色片层上。第一阻光层形成于相邻像素电极之间，并包含与栅极线相同的材料。第二阻光层形成于第一阻光层之间，并包含与数据线相同的材料。因此，可减小孔径比。

Description

显示基板和具有该显示基板的显示设备
技术领域
本公开涉及显示基板以及具有该显示基板的显示设备。更具体地，本公开涉及用于显示设备的显示基板，以及具有该显示基板的显示设备，其能够提高图像显示质量。
背景技术
液晶显示器(LCD)设备包括薄膜晶体管(TFT)基板、面向TFT基板的相对基板以及介于TFT基板与该相对基板之间的液晶层。
TFT基板包括绝缘基板、信号线、TFT、像素电极等，以驱动多个像素。信号线、TFT和像素电极形成于绝缘基板上。相对基板包括滤色片(color filter)层、黑色矩阵和共用电极。滤色片层包括红(R)、绿(G)和蓝(B)滤色片。黑矩阵形成于相邻滤色片之间的边界部分处。共用电极面向像素电极。
LCD设备的图像显示质量通过TFT基板与相对基板之间的对准度(alignment degree)来改变。当TFT基板未与相对基板对准时，LCD设备的图像显示质量劣化。
为了防止LCD设备的TFT基板与相对基板之间的未对准，已经设计了滤色片位于阵列上(COA)基板型的LCD设备。滤色片层形成于COA型LCD设备的TFT基板上。
然而，由于TFT基板与相对基板的未对准，形成于相对基板上的黑色矩阵的宽度增加，从而降低孔径比。
发明内容
本公开涉及一种能够提高孔径比和图像显示质量的显示基板。
本公开还涉及一种具有上述显示基板的显示设备。
根据本公开一方面的显示基板包括：栅极线、栅极绝缘层、数据线、薄膜晶体管、存储线、钝化层、滤色片层、像素电极、第一阻光层以及第二阻光层。栅极绝缘层覆盖栅极线。数据线形成于栅极绝缘层上。TFT电连接于栅极线和数据线。存储线和栅极线包含相同材料。钝化层覆盖TFT层。滤色片层形成于钝化层上。像素电极形成于每个像素中的滤色片层上。第一阻光层形成于相邻像素电极之间，并包含与栅极线相同的材料。第二阻光层形成于第一阻光层之间，并且第二阻光层包含与数据线相同的材料。
滤色片层可包括具有不同颜色的多个滤色片，且第一和第二阻光层可设置于相邻滤色片之间的边界部分处。
第一阻光层可连接于存储线。可替换地，第一阻光层可与栅极线及存储线间隔开，以保持浮动(floating)状态。第二阻光层可与数据线间隔开，以保持浮动状态。可替换地，第二阻光层可连接于数据线。
根据本公开另一方面的显示基板包括：栅极线、栅极绝缘层、数据线、薄膜晶体管(TFT)、存储线、钝化层、滤色片层、像素电极以及阻光部。栅极绝缘层覆盖栅极线。数据线形成于栅极绝缘层上。TFT电连接于栅极线和数据线。存储线和栅极线包含相同材料。钝化层覆盖数据线。滤色片层形成于钝化层上。像素电极形成于每个像素中的滤色片层上。阻光部形成于相邻像素电极之间的区域中。滤色片层包括具有不同颜色的多个滤色片，且阻光部和数据线设置于相邻滤色片之间的边界部分处。阻光部可包括第一阻光层和第二阻光层，第一阻光层包含与栅极线相同的材料，而第二阻光层包含与数据线相同的材料。
根据本公开又一方面的显示基板包括：栅极线、栅极绝缘层、数据线、薄膜晶体管(TFT)、存储线、滤色片层、第一阻光层以及第二阻光层。栅极绝缘层覆盖栅极线。数据线形成于栅极绝缘层上。TFT电连接于栅极线和数据线。存储线和栅极线包含相同材料。滤色片层形成于栅极绝缘层上。像素电极形成于每个像素中的滤色片层上。第一阻光层形成于相邻像素电极之间，且包含与栅极线相同的材料。第二阻光层包含与栅极线相同的材料。第二阻光层与第一阻光层电隔离。滤色片层包括具有不同颜色的多个滤色片，且第一阻光层设置于相邻滤色片之间的边界部分处。
根据本公开再一方面的显示设备包括：显示基板、相对基板和液晶层。显示基板包括栅极线、栅极绝缘层、薄膜晶体管(TFT)、存储线、钝化层、滤色片层、像素电极、第一阻光层以及第二阻光层。栅极绝缘层覆盖栅极线。数据线形成于栅极绝缘层上。TFT电连接于栅极线和数据线。存储线和栅极线包含相同材料。钝化层覆盖数据线。滤色片层形成于钝化层上。像素电极形成于每个像素中的滤色片层上。第一阻光层形成于相邻像素电极之间，且包含与栅极线相同的材料。第二阻光层形成于第一阻光层之间，且包含与数据线相同的材料。相对基板与显示基板结合在一起。相对基板在面向显示基板的表面上包括共用电极。液晶层介于显示基板与相对基板之间。
根据本公开又一方面的显示设备包括：显示基板、相对基板和液晶层。显示基板包括栅极线、栅极绝缘层、数据线、薄膜晶体管(TFT)、存储线、钝化层、滤色片层、像素电极和阻光部。栅极绝缘层覆盖栅极线。数据线形成于栅极绝缘层上。TFT电连接于栅极线和数据线。存储线和栅极线包含相同材料。钝化层覆盖数据线。滤色片层形成于钝化层上。像素电极形成于每个像素中的滤色片层上。阻光部形成于相邻像素电极之间的区域中。相对基板在面向显示基板的表面上包括共用电极。液晶层介于显示基板与相对基板之间。
根据本公开再一方面的显示设备包括：显示基板、相对基板和液晶层。显示基板包括栅极线、栅极绝缘层、数据线、薄膜晶体管(TFT)、存储线、滤色片层、第一阻光层和第二阻光层。栅极绝缘层覆盖栅极线。数据线形成于栅极绝缘层上。TFT电连接于栅极线和数据线。存储线和栅极线包含相同材料。滤色片层形成于数据线上。像素电极形成于每个像素中的滤色片层上。第一阻光层形成于相邻像素电极之间，且包括与栅极线相同的材料。第二阻光层形成为与数据线交叠，且包含与栅极线相同的材料。第二阻光层与第一阻光层电隔离。
根据本公开又另一方面的显示设备包括：显示基板、相对基板和液晶层。显示基板包括薄膜晶体管(TFT)、滤色片层、像素电极和第一阻光层。滤色片层形成于TFT上。像素电极形成于每个像素中的滤色片层上。第一阻光层部分地形成于相邻像素电极之间的边界部分处。相对基板包括黑色矩阵以及面向像素电极的共用电极。黑色矩阵部分地形成于相邻像素电极之间的边界部分处。液晶层介于显示基板与相对基板之间。
根据本公开，形成于显示基板中的阻光层可防止相邻滤色片之间的边界部分中的光泄漏。另外，形成于相邻像素电极之间的第一阻光层与和数据线交叠的第二阻光层电隔离，从而使得可减少数据线的负载。此外，去除了黑色矩阵的与形成于显示基板中的阻光层交叠的部分，从而使得可减小显示设备的孔径比。
附图说明
通过参照附图对示例性实施例进行描述，上述和其他特征以及优点将变得更加显而易见，附图中：
图1是示出根据第一示例性实施例的显示设备的平面图；
图2是沿图1中的线I-I′截取的横截面图；
图3是示出图1中的部分“A”的放大视图；
图4是示出根据第二示例性实施例的显示设备的平面图；
图5是示出根据第三示例性实施例的显示设备的平面图；
图6是沿图5中的线II-II′截取的横截面图；
图7是示出图5中的部分“B”的放大平面图；
图8是示出根据第四示例性实施例的阻光部的放大平面图；
图9是示出根据第五示例性实施例的阻光部的放大平面图；
图10是示出根据第六示例性实施例的显示设备的平面图；
图11是沿图10中的线III-III′截取的横截面图；
图12是示出图10中的第一阻光层和第二阻光层的平面图；
图13是示出根据第七示例性实施例的显示基板的平面图；
图14是示出根据第八示例性实施例的显示基板的平面图；
图15是沿图14中的线IV-IV′截取的横截面图；
图16是示出图14中的阻光层和黑色矩阵的平面图；以及
图17是示出根据显示基板与相对基板之间的未对准度而变化的孔径比的变化图表。
具体实施方式
下面参照示出本发明实例的附图对本发明进行更加全面的描述。但是，本发明可以以不同形式来实现，而不应该被理解为仅限于这里所列出的实施例。当然，提供这些实施例，是为了使本公开更全面和完整，并向本领域技术人员充分传达本发明的范围。在附图中，为了清楚起见，放大了层和区域的尺寸及相对尺寸。
应当理解，当指出一个元件或层“位于”、“连接至”或“耦合至”另一元件或层上时，其可以直接位于、连接至、或耦合至另一元件或层上，或者可以存在插入元件或层。相反，当指出一个元件“直接位于”、“直接连接至”或“直接结合至”另一元件或层上时，则不存在插入元件或层。相同的附图标号始终表示相同的元件。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列项目的任意一个以及所有组合。
应当理解，尽管这里可以使用术语第一、第二、第三、等等来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分不应受限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开来。因此，在不背离这里所公开的宗旨的前提下，下面所讨论的第一元件、部件、区域、层或部分也可以称作第二元件、部件、区域、层或部分。
为了便于描述，这里可以使用相对关系术语，诸如“下方的”、“下面的”“下部的”、“上面的”“上部的”等，来描述附图所示的一个元件相对于其它元件的关系。应当理解，相对关系术语除了包括附图中示出的方位外，还旨在包括处于使用中的装置的不同方位。例如，如果将附图中的装置翻转，那么被描述为在其它元件或特征“下面”或“下方”的元件将被定位在其它元件或特征“上面”。因此，术语“下部的”可以包括“下面的”可能包括上面的和下面的两个方位。例如，如果将其中一个附图中的装置翻转，那么描述为在其它元件“下方”或“下面”的元件将被定位在其它元件的“上方”。因此，示例性术语“下方”或“下面”可以包括“上方”和“下方”两个方位。该装置也可以其他方式定位(旋转90度或定位在其他方位)并对这里所使用的相对关系描述用词进行相应解释。
这里所使用的术语仅用于描述具体实施例的目的，而并非旨在限制本发明。除非文中以其它方式清楚地指明，否则这里所使用的单数形式的“一个”(“a”“an”和“the”)也旨在于包括复数形式。还应当理解，当术语“含有(comprises和/或comprising)”用于本说明书中时，表明存在所述的特征、整体、步骤、操作、元件、和/或部件，但并不排除存在或附加有一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、部件、和/或其构成的组。
这里，参照作为本发明理想实施例(以及中间结构)的示意图的横截面图来描述本发明的实施例。同样地，可以预期由于例如制造技术和/或公差所导致的图中形状上的变化。由此，本发明的实施例不应该被理解为限制于这里所示的区域的具体形状，而应包括例如由于制造所导致的形状上的偏差。例如，被示为或描述为矩形的注入区域通常在其边缘处会具有圆形的或弯曲的特征和/或注入浓度梯度，而并非从注入区到非注入区的二元变化。同样，通过注入所形成的掩埋区可能在介于掩埋区与进行注入所通过的表面之间的区域中产生一些注入。因此，图示的区域本质上是示意性的，并且其形状并非旨在示出装置区域的实际形状，也并非旨在限制本发明的范围。
除非另有限定，否则这里所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域技术人员的通常理解相同的含义。还可以理解，诸如常用词典中定义的那些术语应该解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义一致的含义，而不应该解释为理想化的或过于正式的含义，除非这里特别限定。
下面，参照附图对实施例进行详细描述。
图1是示出根据第一示例性实施例的显示设备的平面图。图2是沿图1中的线I-I′截取的横截面图。图3是示出图1中的部分“A”的放大图。
参照图1至图3，显示设备100包括显示基板200、相对基板300，以及液晶层400。
显示基板200包括薄膜晶体管(TFT)层210、钝化层220、滤色片层230、像素电极240、第一阻光层250，以及第二阻光层260。
TFT层210形成在透明绝缘基板270上。透明绝缘基板270包括例如玻璃、塑料等。
TFT层210包括栅极线GL、栅极绝缘层211、数据线DL、TFT以及存储线SL。栅极绝缘层211覆盖栅极线GL。数据线DL形成于栅极绝缘层211上，以穿过栅极线GL。TFT电连接于栅极线GL和数据线DL。存储线SL由用于形成栅极线GL的第一金属层形成。存储线SL可以包含与栅极线GL相同的材料。
栅极线GL形成在绝缘基板270上。栅极线GL可以例如沿水平方向(当在平面上观察时)延伸。
每个像素均可以被分成两个独立驱动的区域。被分成两个区域的栅极线GL可以包括第一栅极线部GL1和第二栅极线部GL2，以驱动每个像素。第二栅极线部GL2可以形成于第一栅极线部GL1与存储线SL之间。可替换地，栅极线GL可以仅包括第一栅极线部GL1。
存储线SL可以与栅极线GL同时由用于形成栅极线GL的第一金属层形成。存储线SL例如在相邻栅极线GL之间沿与栅极线GL平行的方向延伸。存储线SL面向像素电极240以及栅极绝缘层211。钝化层220和滤色片层230被设置在存储线SL与像素电极240之间。存储线SL、栅极绝缘层211、钝化层220、滤色片层230以及像素电极240形成存储电容器Cst。存储电容器Cst在一个帧期间内保持通过TFT施加于像素电极240的数据电压。可替换地，当滤色片层230在与存储线SL相对应的区域中具有孔时，存储线SL与像素电极240之间的距离减小，因而使存储电容器Cst的电容增加。
栅极绝缘层211形成在具有形成于其上的栅极线GL和存储线SL的绝缘基板270上。栅极绝缘层211保护栅极线GL并且使栅极线GL与其它导体电绝缘。栅极绝缘层211可以包含例如氮化硅(SiNx)。
数据线DL形成在栅极绝缘层211上。数据线DL通过栅极绝缘层211与栅极线GL和存储线SL绝缘。数据线DL延伸穿过栅极线GL。数据线DL可以例如沿垂直方向(当在平面上观察时)延伸。
TFT形成于每个像素中，以连接至栅极线GL和数据线DL。响应通过栅极线GL传输的栅极电压，TFT将通过数据线DL传输的数据电压施加至像素电极240。
被分成两个区域的TFT可以包括第一TFT部TFT1和第二TFT部TFT2，以驱动每个像素。第一TFT部TFT1电连接至第一栅极线部GL1，而第二TFT部TFT2电连接至第二栅极线部GL2和数据线DL。可替换地，TFT可以仅包括第一TFT部TFT1。
第一TFT部TFT1可以包括第一栅电极212、第一有源层213、第一源电极214以及第一漏电极215。第一栅电极212电连接至第一栅极线部GL1并作为第一TFT部TFT1的栅极端子。第一有源层213形成在对应于第一栅电极212的栅极绝缘层211上。第一有源层213可以包括半导体层213a和欧姆接触层213b。例如，半导体层213a包含非晶硅(a-Si)，而欧姆接触层213b包含具有以高浓度注入其中的n-型杂质的n+非晶硅(n+a-Si)。第一源电极214形成在第一有源层213上，并且电连接至数据线DL。第一源电极214作为第一TFT部TFT1的源电极端子。第一漏电极215与位于第一有源层213上的第一源电极214间隔开，并且作为第一TFT部TFT1的漏电极端子。第一漏电极215通过第一接触孔CNT1电连接至第一像素电极241，该第一接触孔穿过钝化层220和滤色片层230而形成。
第二TFT部TFT2可以包括第二栅电极216、第二有源层217、第二源电极218以及第二漏电极219。除了第二栅电极216连接至第二栅极线部GL2，并且第二漏电极219经由穿过钝化层220和滤色片层230形成的第二接触孔CNT2而连接至第二像素电极242之外，第二TFT部TFT2具有与第一TFT部TFT1基本相同的结构，因此，省去关于以上元件的任何进一步说明。
钝化层220形成在包括栅极线GL、数据线DL、TFT以及存储线SL的TFT层210上。钝化层220保护TFT层210并且使该TFT层与其它导体电绝缘。钝化层220可以包含例如氮化硅(SiNx)。
滤色片层230形成在钝化层220上。滤色片层230可以包含颜料或着色剂。例如，滤色片层230可以包括：红滤色片，该红滤色片包括红色着色剂；绿滤色片，该绿滤色片包括绿色着色剂；以及蓝滤色片，该蓝滤色片包括蓝色着色剂。可以将红、绿、蓝滤色片规则地排列在TFT层220上。例如，红、绿、蓝滤色片分别对应于像素部。
可以增加滤色片层230的厚度以使显示基板100的表面平面化。例如，滤色片层230的厚度可以是大约2.5μm至大约3.5μm。
当滤色片层230形成在显示基板200中时，可以省去用于使显示基板200平面化的覆盖(overcoating)层，从而使具有形成于显示基板200中的滤色片层230的显示设备的透光率可以比具有形成于相对基板300中的滤色片层的显示设备的透光率高出约7％。
位于具有不同颜色的滤色片之间的边界部分232具有凹入的形状。当位于具有不同颜色的滤色片之间的边界部分232具有突出的形状时，位于突出的边界部分上的液晶层400的液晶可被垂直排列，从而使邻近第一阻光层250的液晶层400的液晶可以通过垂直排列的液晶而倾斜，因而使邻近第一阻光层250的光泄漏。然而，当位于具有不同颜色的滤色片之间的边界部分232具有凹入的形状时，位于凹入的边界部分232上的液晶层400的液晶朝向第一阻光层250的中心排列，从而使邻近第一阻光层250的光不被泄漏。
像素电极240形成在每个像素中的滤色片层230上。像素电极240包含通过其可以透射光的透明传导材料。像素电极240可以包含例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。
像素电极240具有沿数据线DL的延伸方向排列的锯齿形状，从而提高孔径比。因此，像素电极240与数据线DL部分地交叠。钝化层220和栅极绝缘层211介于像素电极240与存储线SL之间，以形成存储电容器Cst。
像素电极240可以包括第一像素电极部241和第二像素电极部242，以驱动每个被分成两个区域的每个像素。第一像素电极部241和第二像素电极部242彼此电隔离。第一像素电极部241通过第一接触孔CNT1电连接至第一TFT部TFT1的第一漏电极215，而第二像素电极部242通过第二接触孔CNT2电连接至第二TFT部TFT2的第二漏电极219。
像素电极240形成在每个像素中，并且相邻像素电极240之间露出滤色片层230的一部分。可替换地，无机层(未示出)可以形成在滤色片层230的位于相邻像素电极240之间的露出部分上，从而包含在滤色片层230中的杂质不会从滤色片层230朝向液晶层400流出。
第一阻光层250形成在位于相邻像素电极240之间的TFT层210中。第一阻光层250由用于形成第一栅极线GL的第一金属层形成。第一阻光层250可以包含与栅极线GL相同的材料。因此，第一阻光层250设置在位于相邻像素之间的与相邻滤色片之间的边界部分232相对应的区域中，以阻挡光入射到位于相邻像素之间的区域中，从而提高对比(contrast)度。例如，当相邻像素电极240之间的距离为约8μm时，第一阻光层250的宽度可以不大于约10μm。当在相对基板300上形成黑色矩阵时，与显示基板200间隔开的黑色矩阵可能需要大约12μm的宽度，以补偿显示基板200与相对基板300之间的未对准(misalignment)。因此，具有形成于显示基板200中的第一阻光层250的显示设备的孔径比可以比具有形成于相对基板300上的黑色矩阵的显示设备的孔径比高出约2％。此外，可以防止由于显示基板200与相对基板300之间的未对准而引起的邻域(domain)之间的光差(optical difference)，以提高处于各个观察角度的图像的一致性。而且，省去形成于相对基板300上的黑色矩阵，从而还可省去用于使具有黑色矩阵的相对基板300平面化的覆盖层。因此，可以降低制造成本，并且可以提高亮度。
第一阻光层250与栅极线GL间隔开。第一阻光层250可以电连接至其中施加有共用电压的存储线SL。可替换地，第一阻光层250与栅极线GL和存储线SL间隔开，以保持浮动(float)状态。
当栅极线GL包括第一栅极线部GL1和第二栅极线部GL2时，第一阻光层250包括第一阻光部251、第二阻光部252以及第三阻光部253。第一阻光部251形成在栅极线部GL1与存储线SL之间。第二阻光部252形成在第二栅极线部GL2与存储线SL之间。第三阻光部253形成在第一栅极线部GL1与第二栅极线部GL2之间。第一阻光部251的第一端部与第一栅极线部GL1以预定距离间隔开，而第一阻光部251的第二端部连接至存储线SL。第二阻光部252的第一端部连接至存储线SL，而第二阻光部252的第二端部与第二栅极线部GL2以预定距离间隔开。第三阻光部253的第一端部与第二栅极线部GL2以预定距离间隔开，而第三阻光部253的第二端部连接至第二栅极线部GL2。如上所述，第一阻光层250覆盖位于相邻滤色片之间的边界部分的一大部分。然而，第一阻光层250并没有覆盖邻近栅极线GL的区域的一部分。
第二阻光层260覆盖位于相邻滤色片之间的边界部分上的未被第一阻光层250覆盖的区域。
第二阻光层260形成在位于相邻像素电极240之间的TFT层210中。第二阻光层260由用于形成数据线DL的第二金属层形成。第二阻光层260可以包含与数据线DL相同的材料。第二阻光层260与第一阻光层250及栅极线GL通过栅极绝缘层211电绝缘。第二阻光层260可以电连接至数据线DL。可替换地，第二阻光层260可以与数据线DL间隔开以保持浮动状态。
第二阻光层260形成在第一阻光层250与位于相邻颜色滤色片之间的边界部分上的栅极线GL之间。第二阻光层260包括第四阻光部261、第五阻光部262、第六阻光部263以及第七阻光部264。第四阻光部261形成在第一栅极线部GL1与第一阻光部251之间。第五阻光部262形成在第二栅极线部GL2与第二阻光部252之间。第六阻光部263形成在第二栅极线部GL2与第三阻光部253之间。第七阻光部264形成在第一栅极线部GL1与第三阻光部253之间。第四阻光部261和第七阻光部264与数据线DL间隔开，以保持浮动状态。第五阻光部262和第六阻光部263电连接至数据线DL。
如上所述，第一和第二阻光层250和260完全覆盖位于相邻滤色片之间的边界部分，以减少相邻滤色片之间的边界部分中的光泄漏。
相对基板300与显示基板200相结合，以使液晶层400介于相对基板300与显示基板200之间。相对基板300包括绝缘基板310以及形成在绝缘基板310的面向显示基板200的表面上的共用电极320。共用电极320包括透射光的透明传导材料。例如，共用电极320包含氧化铟锌(IZO)、氧化铟锡(ITO)等。共用电极320可以包含与像素电极240基本相同的材料。共用电极320可以具有开口(openning)图案，以增大观察角。
当第一阻光层250和第二阻光层260形成在显示基板200上时，省去形成在相对基板300上的黑色矩阵，从而还可以省去用于使具有黑色矩阵的相对基板300平面化的覆盖层。因此，可以降低制造成本，并且可以提高亮度。
液晶层400包含具有诸如折射率各向异性、介电常数各向异性等的各种电学特性和光学特性的液晶。响应形成在像素电极240与共电极320之间的电场，液晶层400的液晶的排列改变。从而，液晶层400的透光率改变，以显示图像。
图4是示出根据第二示例性实施例的显示设备的平面图。除了第一和第二阻光层之外，图4中的显示设备与图1中的显示设备基本相同。因此，将使用相同的参考标号来表示与图1中所描述的部件相同或相似的部件，并且省去关于以上元件的任何进一步说明。
参照图4，第一阻光层250与存储线SL以预定距离间隔开，以保持浮动状态。第二阻光层260可以进一步形成在第一阻光层250与存储线SL之间，以覆盖位于第一阻光层250与存储线SL之间的区域。
例如，第一阻光部251和第二阻光部252以预定距离与存储线SL间隔开。第二阻光层260包括第八阻光部265和第九阻光部266，以覆盖第一和第二阻光部251和252与存储线SL之间的区域。第八阻光部265形成在存储线SL与第一阻光部251之间，而第九阻光部266形成在存储线SL与第二阻光部252之间。例如，第八和第九阻光部265和266与数据线DL间隔开，以保持浮动状态。
图5是示出根据第三示例性实施例的显示设备的平面图，图6是沿图5中的线II-II′截取的横截面图，而图7是示出图5中的部分“B”的放大平面视图。除了显示基板之外，图5和图6中的显示设备与图1和图2中的显示设备基本相同。因此，将使用相同的参考标号来表示与图1和图2中所描述的部件相同或相似的部件，并且省去关于以上元件的任何进一步说明。
参照图5至图7，数据线DL形成在相邻像素电极240之间。换句话说，数据线DL为锯齿形状并且沿与栅极线GL垂直的方向延伸。相似地，像素电极240具有锯齿形状并且沿与栅极线GL垂直的方向排列。例如，数据线DL形成于位于相邻滤色片之间的边界部分处，其中，滤色片位于分别设置在存储线SL两侧的第一栅极线部GL1与第二栅极线部GL2之间。因此，数据线DL形成于位于相邻滤色片之间的对应于相邻像素之间的区域的边界部分处，以防止光从位于相邻像素之间的区域中泄漏。
然而，数据线DL并没有覆盖位于相邻滤色片之间的边界部分的一部分，以形成TFT。例如，数据线DL没有覆盖位于相邻滤色片之间的处于邻近第一栅极线部GL 1的区域中的边界部分。
阻光部280覆盖位于相邻滤色片之间的边界部分的邻近第一栅极线部GL1的区域。
阻光部280形成在TFT层210中。阻光部280设置在相邻像素电极240之间，以覆盖未被数据线DL覆盖的区域。例如，阻光部280形成在第一栅极线部GL1与数据线DL之间。因此，数据线DL和阻光部280设置在位于相邻滤色片之间的与位于相邻像素之间的区域相对应的边界部分中。
如上所述，数据线DL和阻光部280完全覆盖位于相邻滤色片之间的边界部分，从而减少位于相邻滤色片之间的边界部分中的光泄漏。
阻光部280可以由用于形成栅极线GL的第一金属层形成。当阻光部280由第一金属层形成时，阻光部280电连接于栅极线GL，并且通过栅极绝缘层211与数据线DL绝缘。
图8是示出了根据第四示例性实施例的阻光部的放大平面图。
参照图8，阻光部285可以由用于形成数据线DL的第二金属层形成。阻光部285可以包含与数据线DL相同的材料。当阻光部285由第二金属层形成时，阻光部285电连接于数据线DL，并且通过栅极绝缘层211与栅极线GL绝缘。
图9是示出了根据第五示例性实施例的阻光部的放大平面图。
参照图9，阻光部290包括第一阻光层292和第二阻光层294。第一阻光层292由用于形成栅极线GL的第一金属层形成，而第二阻光层294由用于形成数据线DL的第二金属层形成。第一阻光层292可以包含与栅极线GL相同的材料，而第二阻光层294可以包含与数据线DL相同的材料。第一阻光层292电连接于栅极线GL，第二阻光层294电连接于数据线DL，并且第一阻光层292和第二阻光层294通过栅极绝缘层211彼此绝缘。
如上所述，从栅极线或数据线延伸出的阻光部覆盖在相邻滤色片之间的边界部分处的未被数据线DL覆盖的区域，以减少相邻滤色片之间的边界部分中的光泄漏。
图10是示出了根据第六示例性实施例的显示设备的平面图。图11是沿图10的线III-III′截取的横截面图。图12是示出了图10中的第一阻光层和第二阻光层的平面图。
参照图10至图12，显示设备包括显示基板500、面对显示基板500的相对基板600，以及介于显示基板500与相对基板600之间的液晶层400。
显示基板500包括TFT层510、滤色片层520、像素电极530、第一阻光层540和第二阻光层550。
TFT层510形成于透明绝缘基板560上。透明绝缘基板560包括例如玻璃、塑料等。
TFT层510包括栅极线GL、栅极绝缘层511、数据线DL、TFT、和存储线SL。栅极绝缘层511覆盖栅极线GL。数据线DL形成于栅极绝缘层511上，以穿过栅极线GL。TFT电连接于栅极线GL和数据线DL。存储线SL由用于形成栅极线GL的金属层形成。存储线SL可以包含与栅极线GL相同的材料。
栅极线GL形成于绝缘基板560上。栅极线GL可以例如沿水平方向(当在平面上观察时)延伸。
每个像素可以被分成独立驱动的两个区域。被分成两个区域的栅极线GL可以包括第一栅极线部GL1和第二栅极线部GL2，以驱动每个像素。第二栅极线部GL2与第一栅极线部GL1电隔离，并且沿平行于第一栅极线部GL1的方向延伸。可替换地，栅极线GL可以仅包括第一栅极线部GL1。
存储线SL可以同时与栅极线GL由金属层形成。存储线SL例如沿平行于栅极线GL的方向在相邻栅极线GL之间延伸。存储线SL面向像素电极530，而栅极绝缘层511、钝化层570和滤色片层520设置于存储线SL与像素电极530之间。存储线SL、栅极绝缘层511、钝化层570、滤色片层520和像素电极530形成存储电容器Cst。存储电容器Cst在一个帧期间内保持通过TFT传输至像素电极530的数据电压。可替换地，当滤色片层520在对应于存储线SL的区域内具有孔时，存储线SL与像素电极530之间的距离减小，以增加存储电容器Cst的电容。
栅极绝缘层511形成在其上形成有栅极线GL和存储线SL的绝缘基板560上。栅极绝缘层511保护栅极线GL并且使栅极线GL与其它导体电绝缘。栅极绝缘层511可以包含例如氮化硅(SiNx)。
数据线DL形成于栅极绝缘层511上。数据线DL通过栅极绝缘层511与栅极线GL和存储线SL绝缘。数据线DL沿与栅极线GL的延伸方向交叉的方向延伸。数据线DL可以例如沿垂直方向(当在平面上观察时)延伸。
TFT形成于每个像素内，以连接于栅极线GL和数据线DL。响应于通过栅极线GL传输的栅极电压，TFT施加通过数据线DL传输至像素电极530的数据电压。
被分成两个区域的TFT可以包括第一TFT部TFT1和第二TFT部TFT2，以驱动每个像素。第一TFT部TFT1电连接于第一栅极线部GL1和数据线DL，而第二TFT部TFT2电连接于第二栅极线部GL2和数据线DL。可替换地，TFT可以仅包括第一TFT部TFT1。
第一TFT部TFT1可以包括第一栅电极512、第一有源层513、第一源电极514和第一漏电极515。第一栅电极512电连接于第一栅极线部GL1，并且用作第一TFT部TFT1的栅极端子。第一有源层513形成在对应于第一栅电极512的栅极绝缘层511上。第一有源层513可以包括半导体层513a和欧姆接触层513b。例如，半导体层513a包含非晶硅(a-Si)，而欧姆接触层513b包含其中以高浓度注入有n型杂质的n+非晶硅(n+a-Si)。第一源电极514形成于第一有源层513上，并且电连接于数据线DL。第一源电极514用作第一TFT部TFT1的源电极端子。第一漏电极515与第一有源层513上的第一源电极514间隔开，并且用作第一TFT部TFT1的漏电极端子。第一漏电极515通过第一接触孔CNT1电连接于第一像素电极531，该第一接触孔穿过钝化层570和滤色片层520而形成。
第二TFT部TFT2可以包括第二栅电极516、第二有源层(未示出)、第二源电极517和第二漏电极518。除了第二栅极516连接于第二栅极线部GL2，以及第二漏电极518经由穿过钝化层570和滤色片层520形成的第二接触孔CNT2而连接于第二像素电极532之外，第二TFT部TFT2具有与第一TFT部TFT1基本上相同的结构。因此，将省略关于上述元件的任何进一步说明。
显示基板500可以进一步包括形成于TFT层510上的钝化层570。钝化层570保护TFT层510并且使TFT层510与其它导体电绝缘。钝化层570可以包含例如氮化硅(SiNx)。
滤色片层520形成于钝化层570上。滤色片层520可以包含颜料或着色剂。例如，滤色片层520可以包括含有红色着色剂的红滤色片、含有绿色着色剂的绿滤色片、以及含有蓝色着色剂的蓝滤色片。红、绿、和蓝滤色片可以规则地排列于钝化层570上。例如，红、绿、和蓝滤色片分别对应于像素部。
可以增加滤色片层520的厚度，以使显示基板500的表面平面化。例如，滤色片层520的厚度可以为约2.5μm至约3.5μm。
当滤色片层520形成于显示基板500中时，可以省略用于使显示基板500平面化的覆盖层，从而在显示基板500中具有滤色片层520的显示设备的透光率比在相对基板600中具有滤色片层的显示设备的透光率高出约7％。
可替换地，显示基板500可以包括代替滤色片层520的有机绝缘层。
像素电极530在每个像素中形成于滤色片层520上。像素电极530包含可以透射光线的透明传导材料。像素电极530可以包含例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。
像素电极530具有沿数据线DL的延伸方向排列的锯齿形状，从而提高孔径比。因此，像素电极530与数据线DL部分地交叠。钝化层570和栅极绝缘层511介于像素电极530与存储线SL之间，以形成存储电容器Cst。
被分成两个区域的像素电极530可以包括第一像素电极部531和第二像素电极部532，以驱动每个像素。第一像素电极部531和第二像素电极部532彼此电隔离。第一像素电极部531通过第一接触孔CNT1电连接于第一TFT部TFT1的第一漏电极515，而第二像素电极部532通过第二接触孔CNT2电连接于第二TFT部TFT2的第二漏电极518。
像素电极530形成于每个像素中，并且相邻像素电极530之间露出滤色片层520的一部分。可替换地，无机层(未示出)可以形成于滤色片层520的位于相邻像素电极530之间的露出部分上，从而包含于滤色片层520中的杂质不会从滤色片层520朝向液晶层400流出。
第一阻光层540形成于相邻像素电极530之间的TFT层510中。第一阻光层540由用于形成栅极线GL的金属层形成。因此，第一阻光层540设置于相邻像素之间的对应于相邻滤色片之间的边界部分的区域中，以阻挡光入射到相邻像素之间的区域中，从而提高对比度。例如，当相邻像素电极530之间的距离为大约8μm时，第一阻光层540的宽度可以不大于约10μm。当黑色矩阵形成于相对基板600上时，与显示基板500间隔开的黑色矩阵可能需要大约12μm的宽度，以补偿显示基板500与相对基板600之间的未对准。因此，具有形成于显示基板500中的第一阻光层540的显示设备的孔径比可以比具有形成于相对基板600上的黑色矩阵的显示设备的孔径比高出约2％。另外，可以防止由于显示基板500与相对基板600之间的未对准而造成的邻域之间的光差，以提高各个视角的图像的一致性。此外，省略了形成于相对基板600上的黑色矩阵，从而也可以省略用于使具有黑色矩阵的相对基板600平面化的覆盖层。因此，可以降低制造成本，并且可以提高亮度。
第一阻光层540与栅极线GL和存储线SL电隔离，以保持浮动状态。
第二阻光层550由金属层形成，以形成栅极线GL和第一阻光层540。第二阻光层550可以包含与栅极线GL相同的材料。第二阻光层550与数据线DL交叠。当通过一个掩模对数据线DL和有源层513进行图案化时，在数据线DL下方形成虚拟有源层(dummyactive layer)519。当光入射到虚拟有源层519中时，可能造成瀑布缺陷(waterfall defect)。因此，形成于数据线DL下方的第二阻光层550阻挡光线入射到虚拟有源层519中，以消除瀑布缺陷。
第二阻光层550与栅极线GL和存储线SL电隔离，以保持悬浮状态。
第二阻光层550与第一阻光层540电隔离，以减少数据线的负载。例如，当第二阻光层550保持浮动状态时，第二阻光层550的电势由数据线DL的电势被数据线DL的电势限定。因此，数据线DL的负载不因第二阻光层550改变。但是，当第二阻光层550电连接于第一阻光层540时，第二阻光层550的电势由第一阻光层540与像素电极530之间的耦合电容限定，以增加第二阻光层550与数据线DL之间的电容。
下面的表1示出了基于第一和第二阻光层的数据线与像素电极之间的电容。在表1中，根据实例1的显示基板仅包括第二阻光层。根据实例2的显示基板仅包括第一阻光层。根据实例3的显示基板包括彼此电连接的第一阻光层和第二阻光层。根据实例4的显示基板包括彼此电隔离的第一阻光层和第二阻光层，如图12所示。在表1中，Cdp_h是第一像素电极与数据线之间的电容，而Cdp_l是第二像素电极与数据线之间的电容。
表1
            第一阻光层  第二阻光层  Cdp_h[F]    Cdp_l[F]
实例1       ×          ○          1.87E-14    8.84E-14
实例2       ○          ×          2.04E-14    9.77E-14
实例3       ○          ○          2.49E-14    1.08E-13
实例4       ○          ○          2.07E-14    9.94E-14
参照表1，如实例3，当显示基板包括彼此电连接的第一阻光层和第二阻光层时，与实例1相比，Cdp_h增加约33％，并且Cdp_l增加约22％。但是，如实例4，当显示基板包括彼此电隔离的第一阻光层和第二阻光层时，与实例1相比，Cdp_h增加约10％，并且Cdp_l增加约12％。因此，如实例4，当第一阻光层与第二阻光层电隔离时，与实例3相比，数据线的负载减少了。
因此，当第一阻光层与第二阻光层电隔离时，可以减少数据线的负载，从而可以减少通过数据线传输的信号的延迟。
相对基板600与显示基板500相结合，以使液晶层400介于相对基板600与显示基板500之间。相对基板600包括绝缘基板610以及形成于绝缘基板610的面向显示基板500的表面上的共用电极620。共用电极620包括透射光的透明传导材料。例如，共用电极620包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。共用电极620可以包含与像素电极530基本相同的材料。共用电极620可以具有开口图案，以增加视角。
当第一阻光层540形成于显示基板500中时，省略形成于相对基板600上的黑色矩阵，从而也可以省略用于使具有黑色矩阵的相对基板600平面化的覆盖层。因此，可以降低制造成本，并且可以提高亮度。
图13是示出了根据第七示例性实施例的显示基板的平面图。除了第一阻光层之外，图13中的显示基板与图12中的显示基板基本相同。因此，将使用相同的参考标号来表示与图12所述的部件相同或相似的部件，并且将省略关于上述元件的任何进一步说明。
参照图13，第一阻光层540的一部分电连接于被施加有共用电压的存储线SL。换句话说，与存储线SL相邻的第一阻光层540直接连接于存储线SL。
如上所述，当第一阻光层540连接于存储线SL时，存储电容器Cst的面积增加，从而存储电容器Cst的电容增加。
图14是示出了根据第八示例性实施例的显示设备的平面图，图15是沿图14中的线IV-IV′截取的横截面图，而图16是示出了图14中的阻光层和黑色矩阵的平面图。
参照图14至图16，显示设备包括显示基板700、面对显示基板700的相对基板800，以及介于显示基板700与相对基板800之间的液晶层400。
显示基板700包括TFT层710、滤色片层720以及像素电极730。
TFT层710形成在透明绝缘基板760上。透明绝缘基板760例如包括玻璃、塑料等。
TFT层710包括栅极线GL、栅极绝缘层711、数据线DL、TFT以及存储线SL。栅极绝缘层711覆盖栅极线GL。数据线DL形成在栅极绝缘层711上，以与栅极线GL交叉。TFT电连接至栅极线GL和数据线DL。存储线SL由形成栅极线GL的金属层形成。存储线SL可包括与栅极线GL相同的材料。
栅极线GL形成在绝缘基板760上。当在平面上观察时，栅极线GL可沿例如水平方向延伸。
被分成为两个区域的每个像素可被分成独立驱动的两个区域。栅极线GL可包括第一栅极线部GL1和第二栅极线部GL2，以驱动每个像素。第二栅极线部GL2与第一栅极线部GL1电隔离，并且沿与第一栅极线部GL1平行的方向延伸。可替换地，栅极线GL可仅包括第一栅极线部GL1。
存储线SL可同时与栅极线GL由用于形成栅极线GL的金属层形成。存储线SL例如沿与栅极线GL平行的方向在相邻栅极线GL之间延伸。存储线SL面对像素电极730，并且栅极绝缘层711和钝化层770设置在存储线SL与像素电极730之间。存储线SL、栅极绝缘层711、钝化层770以及像素电极730形成存储电容器Cst。存储电容器Cst在一个帧期间保持通过TFT传输至像素电极730的数据电压。当滤色片层720在与存储线SL相对应的区域中具有孔时，存储线SL与像素电极730之间的距离减小，从而存储电容器Cst的电容增加。
栅极绝缘层711形成在其上形成有栅极线GL和存储线SL的绝缘基板760上。栅极绝缘层711保护栅极线GL并使栅极线GL与其它导体电绝缘。栅极绝缘层711可包含例如氮化硅(SiNx)。
数据线DL形成在栅极绝缘层711上。数据线DL通过栅极绝缘层711与栅极线GL及存储线SL绝缘。数据线DL沿与栅极线GL交叉的方向延伸。当在平面上观察时，数据线DL例如可沿垂直方向延伸。
TFT形成在每个像素中，以连接至栅极线GL和数据线DL。响应于通过栅极线GL传输的栅极电压，TFT向像素电极730施加通过数据线DL传输的数据电压。
被分成为两个区域的TFT可包括第一TFT部TFT1和第二TFT部TFT2，以驱动每个像素。第一TFT部TFT1电连接至第一栅极线部GL1和数据线DL，而第二TFT部TFT2电连接至第二栅极线部GL2和数据线DL。可替换地，TFT可仅包括第一TFT部TFT1。
第一TFT部TFT1可包括第一栅电极712、第一有源层713、第一源电极714以及第一漏电极715。第一栅电极712电连接至第一栅极线部GL1，并用作第一TFT部TFT1的栅极端子。第一有源层713形成在与第一栅电极712相对应的栅极绝缘层711上。第一有源层713可包括半导体层713a和欧姆接触层513b。例如，半导体层713a包括非晶硅(a-Si)，并且欧姆接触层513b包括其中以高浓度掺杂有n型杂质的n+非晶硅(n+a-Si)。第一源电极714形成在第一有源层713上，并电连接至数据线DL。第一源电极714用作第一TFT部TFT1的源电极端子。第一漏电极715与第一有源层713上的第一源电极714间隔开，并用作第一TFT部TFT1的漏电极端子。第一漏电极715通过第一接触孔CNT1电连接至第一像素电极731，该第一接触孔穿过钝化层770和滤色片层720而形成。
第二TFT部TFT2可包括第二栅电极716、第二有源层(未示出)、第二源电极717、以及第二漏电极718。除第二栅电极716连接至第二栅极线部GL2，以及第二漏电极718经由穿过钝化层770和滤色片层720形成的第二接触孔CNT2而连接至第二像素电极732之外，第二TFT部TFT2具有与第一TFT部TFT1基本相同的结构，。因此，将省略有关于上述元件的进一步说明。
TFT层710进一步包括第一阻光层740。第一阻光层740例如可由用于形成栅极线GL的金属层形成。第一阻光层740设置在相邻像素之间的与相邻滤色片之间的边界部分相对应的区域中，以阻止在相邻滤色片之间的边界部分中的光泄漏。例如，当相邻像素电极730之间的距离约为8μm时，第一阻光层740的宽度可不大于约10μm。
第一阻光层740部分地形成在相邻像素电极730之间的区域中。例如，第一阻光层740与栅极线GL及存储线SL电隔离，以保持浮动状态。可替换地，第一阻光层740的一部分可电连接至施加有共用电压的存储线SL。
TFT层710可进一步包括第二阻光层750。第二阻光层750可例如由用于形成栅极线GL的金属层形成。
第二阻光层750与数据线DL交叠。当数据线DL和有源层713通过一个掩模图案化时，虚拟有源层719形成在数据线DL下面。当光线入射到虚拟有源层719中时，在显示设备上可能显示瀑布缺陷。因此，形成在数据线DL下面的第二阻光层750阻挡光线入射到虚拟有源层719中，从而消除瀑布缺陷。
第二阻光层750与栅极线GL及存储线SL电隔离，以保持浮动状态。第二阻光层750电连接至第一阻光层740。可替换地，第二阻光层可与第一阻光层740电隔离。
显示基板700可进一步包括形成在TFT层710上的钝化层770。钝化层770保护TFT层710并使TFT层与其它导体电绝缘。钝化层770可包含例如氮化硅(SiNx)。
滤色片层720形成在钝化层770上。滤色片层720可包含颜料或着色剂。例如，滤色片层720可包括含有红色着色剂的红滤色片、含有绿色着色剂的绿滤色片、以及含有蓝色着色剂的蓝滤色片。红、绿、蓝色滤色片可规则地排列在钝化层770上。例如，红、绿、蓝色滤色片分别与像素部对应。
可增加滤色片层720的厚度，以使显示基板700的表面平面化。例如，滤色片层720的厚度可为约2.5μm至约3.5μm。
当滤色片层720形成在显示基板700中时，可省却用于使显示基板700平面化的覆盖层，从而使得在显示基板700中具有滤色片层720的显示设备的透光率比在相对基板800中具有滤色片层的显示设备的透光率高出约7％。
可替换地，显示基板700可包括取代滤色片层720的有机绝缘层。
在每个像素中，像素电极730形成在滤色片层720上。像素电极730包括透明传导材料，光线可通过该透明传导材料透射。像素电极730例如可包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。
像素电极730具有沿数据线DL的延伸方向排列的锯齿形状，从而提高孔径比。因此，像素电极730部分地与数据线DL交叠。钝化层770和栅极绝缘层711介于像素电极730与存储线SL之间，以形成存储电容器Cst。
像素电极730可包括第一像素电极部731和第二像素电极部732，以驱动被分成为两个区域的每个像素。第一像素电极部731和第二像素电极部732彼此电隔离。第一像素电极部731通过第一接触孔CNT1电连接至第一TFT部TFT1的第一漏电极715，而第二像素电极部732通过第二接触孔CNT2电连接至第二TFT部TFT2的第二漏电极718。
像素电极730形成在每个像素中，并且相邻像素电极730之间露出滤色片层720的一部分。可替换地，无机层(未示出)可形成在滤色片层720的位于相邻像素电极730之间的露出部分上，从而使得包含在滤色片层720中的杂质不会从滤色片层720中流向液晶层400。
相对基板800与显示基板700相结合，以使液晶层400介于相对基板800与显示基板700之间。相对基板800包括绝缘基板810、形成在绝缘基板810的面向显示基板700的表面上的黑色矩阵820以及共用电极830。
黑色矩阵820部分地形成在相邻像素电极730之间的与相邻像素之间的区域相对应的边界部分处。黑色矩阵在与第一阻光层740相对应的区域中开口(open)。黑色矩阵设置在相邻像素之间的区域中，以阻挡光线入射到相邻像素之间的区域中，从而提高对比度。如上所述的，第一阻光层740和黑色矩阵820分别形成在显示基板700和相对基板800中，以有效地阻止相邻滤色片之间的边界部分中的光泄漏。
然而，当第一阻光层740和黑色矩阵820一起形成时，显示设备的孔径比可能由于显示基板700与相对基板800之间的未对准而减小。
因此，黑色矩阵被部分地移除，以增大显示设备的孔径比。例如，黑色矩阵在相邻像素电极730之间的除结构生成部分(texturegeneration portion)以外的区域中开口，该结构生成部分对应于栅极线GL、存储线SL、TFT和像素电极830的拐角以及第一阻光层740的开口部分。
图17是示出了根据显示基板与相对基板之间的未对准度而改变的孔径比的变化图表。在图17中，C1表示当黑色矩阵形成在相邻像素电极之间的整个区域上时孔径比的变化，C2表示当黑色矩阵在相邻像素电极之间的区域中部分地开口时(如图14中所示的)孔径比的变化。
参照图17，当黑色矩阵形成在相邻像素电极之间的整个区域上时，孔径比随着未对准度的增加而明显减小。然而，当黑色矩阵在相邻像素电极之间的区域中部分开口时，随着未对准度的增加，孔径比的变化小于C1的变化，而孔径比总体上大于C1的孔径比。
共用电极830包含透射光的透明传导材料。例如，共用电极830包含氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等。共用电极830可包含与像素电极730基本相同的材料。共用电极830可具有开口图案，以增加视角。
相对基板800可进一步包括形成于其上形成有黑色矩阵的绝缘基板810上的覆盖层840，以使相对基板800平面化。
根据一个实施例，阻光层形成在由栅极金属层或数据金属层形成的显示基板中，以防止相邻滤色片之间的边界部分中的光泄漏。
而且，可在相对基板中省却黑色矩阵和覆盖层，因此可大大降低制造成本并且可提高亮度。
另外，形成在相邻像素电极之间的第一阻光层与第二阻光层电隔离(该第二阻光层与数据线交叠)，从而降低数据线的负载，进而减少通过数据线传输的信号的延迟。
此外，黑色矩阵的与形成在显示基板中的阻光层交叠的部分被去除，以增加显示设备的孔径比。
虽然已描述了示例性实施例及其优点，但是应该注意的是，这里，在不背离所附权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，可进行各种改变、替换以及更改。

Claims (7)

1.一种显示基板，包括：
栅极线；
存储线，具有与所述栅极线相同的材料；
栅极绝缘层，覆盖所述栅极线；
数据线，形成于所述栅极绝缘层上；
薄膜晶体管(TFT)，电连接于所述栅极线和所述数据线；
钝化层，覆盖所述数据线；
滤色片层，形成于所述钝化层上；
像素电极，形成于每个像素中的所述滤色片层上；以及
第一阻光层，设置在位于相邻像素之间的与相邻滤色片之间的边界部分相对应的区域中；以及
第二阻光层，形成在所述第一阻光层与所述栅极线之间，所述第二阻光层覆盖位于相邻滤色片之间的边界部分上的未被所述第一阻光层覆盖的区域，并且，
其中，所述第一阻光层由用于形成所述栅极线的第一金属层形成，并且所述第一阻光层包含与所述栅极线相同的材料，且所述第二阻光层由用于形成所述数据线的第二金属层形成，并且所述第二阻光层包含与所述数据线相同的材料。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其中，所述滤色片层包括具有不同颜色的多个滤色片，且所述数据线和所述第一阻光层设置于相邻滤色片之间的边界部分处。
3.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述第一阻光层电连接于所述栅极线，而所述第二阻光层电连接于所述数据线。
4.根据权利要求2所述的显示基板，其中，所述像素电极具有沿所述数据线的延伸方向排列的锯齿形状，以与所述数据线交叠。
5.根据权利要求4所述的显示基板，其中，所述像素电极包括彼此电隔离的第一像素电极部和第二像素电极部，
所述薄膜晶体管(TFT)包括电连接于所述第一像素电极部的第一TFT部和电连接于所述第二像素电极部的第二TFT部，并且
所述栅极线包括电连接于所述第一TFT部的第一栅极线部和电连接于所述第二TFT部的第二栅极线部，所述第二栅极线部设置于所述第一栅极线部与所述存储线之间。
6.根据权利要求5所述的显示基板，其中，所述数据线设置于分别设置在所述存储线的两侧处的所述第一TFT部与所述第二TFT部之间的相邻滤色片之间的边界部分处。
7.根据权利要求6所述的显示基板，其中，所述第一阻光层和所述第二阻光层设置于所述第一栅极线部与所述第一TFT部之间。
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