CN101636690B - 液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种液晶显示装置，其包括：排列为具有行和列的矩阵状的像素；和与各像素关联的TFT(TFT-A、B、C)、源极总线、栅极总线和CS总线(CS-A、B)。各像素具有至少3个子像素(SP-A、B、C)，所述至少3个子像素分别具有能够保持相互不同的电压的液晶电容，通过从源极总线、栅极总线和CS总线，对各像素分别供给至少在某中间灰度使至少3个子像素内的2个子像素显示相互不同的亮度的信号(CS-A、CS-B)，能够使至少3个子像素显示相互不同的亮度。

Description

液晶显示装置

技术领域

本发明涉及液晶显示装置，特别是涉及具有广视野角特性的大型的液晶显示装置。

背景技术

液晶显示装置为具有高精细、薄型、轻量和低耗电等出色的特长的平面显示装置，近年来，随着显示性能的提高、生产能力的提高和相对于其它显示装置的价格竞争力的提高，市场规模迅速扩大。

特别是，平面开关模式(IPS模式，参照专利文献1)和多畴垂直取向模式(MVA模式，参照专利文献2)，作为不会引起在从斜方向观测显示面的情况下显示对比度显著降低、或者显示灰度等级反转等问题的广视野角模式的液晶显示装置，应用于液晶电视机。

在液晶显示装置的显示品质的改善进步的状况下，目前作为视野角特性的问题点，正面观测时的γ特性和斜方向观测时的γ特性不同这一点，即γ特性的视野角依存性的问题开始显著化。在此，γ特性是指显示亮度的灰度等级依存性，γ特性在正面方向和斜方向不同是由于灰度等级显示状态因观测方向而不同，因而在显示照片等的图像的情况下，或者显示TV播放等的情况下尤其存在问题。

该γ特性的视野角依存性，在MVA模式中比在IPS模式中显著。另一方面，IPS模式与MVA模式相比以良好的生产性制造正面观测时的对比度较高的面板较为困难。从这些方面，希望改善尤其是在MVA模式的液晶显示装置中的γ特性的视野角依存性。

在此，本申请人(受让人)，在专利文献3中公开了通过将一个像素分割为明亮度不同的多个子像素，从而能够改善γ特性的视野角依存性、尤其是泛白特性的液晶显示装置和驱动方法。在本说明书中这样的显示或者驱动被称作面积灰度等级显示、面积灰度等级驱动、多像素显示或者多像素驱动等。

在专利文献3中公开了以下所述的液晶显示装置，即，针对一个像素(P)内的多个子像素(SP)的每一个设置辅助电容(CS)，使构成辅助电容的辅助电容相对电极(与辅助电容配线连接)在每个子像素电独立，通过对辅助电容相对电极供给的电压(称作辅助电容相对电压或者CS信号电压)变化，利用电容分割，使对多个子像素的液晶层施加的有效电压不同。

参照图47，说明在专利文献3中记载的液晶显示装置900的像素分割结构。在此，以具有TFT作为开关元件的液晶显示装置作为例示。

像素10被分割为子像素10a、10b，子像素10a、10b分别与TFT16a、TFT16b和辅助电容(CS)22a、22b连接。TFT16a和TFT16b的栅极电极与扫描线(也记为栅极总线、G总线)12连接，源极电极与共用的(同一)信号线(也记为源极总线、S总线)14连接。辅助电容22a、22b分别与辅助电容配线(CS总线)24a和辅助电容配线24b连接。辅助电容22a和22b，分别由与子像素电极18a和18b电连接的辅助电容电极、与辅助电容配线24a和24b电连接的辅助电容相对电极、和在它们之间设置的绝缘层(未图示)形成。辅助电容22a和22b的辅助电容相对电极相互独立，具有能够分别从辅助电容配线24a和24b供给相互不同的辅助电容相对电压(CS信号电压)的结构。

接着，使用附图对于能够对液晶显示装置900的2个子像素10a和10b的液晶层施加相互不同的有效电压的原理进行说明。

图48示意性表示相当于液晶显示装置900的1像素的等效电路。在电等效电路中，将各个子像素SP-A(10a)和SP-B(10b)的液晶电容分别作为液晶电容CLC-A(13a)和CLC-B(13b)表示。液晶电容CLC-A和CLC-B分别由子像素电极18a和18b、液晶层、和相对电极(相对于子像素电极18a和18b共用)形成。

这里，液晶电容CLC-A和CLC-B的静电电容值为相同的值CLC(V)。CLC(V)的值，依存于对子像素SP-A、SP-B的液晶层施加的有效电压(V)。另外，使与各子像素SP-A和SP-B的液晶电容分别独立地连接的辅助电容CCS-A(22a)和CCS-B(22b)的静电电容值为相同值CCS。

子像素SP-A的液晶电容CLC-A和辅助电容CCS-A的一个电极与为了驱动子像素SP-A而设置的TFT-A(16a)的漏极电极连接，液晶电容CLC-A的另一个电极为相对电极，辅助电容CCS-A的另一个电极与辅助电容配线CS-A(24a)连接。子像素SP-B的液晶电容CLC-B和辅助电容CCS-B的一个电极与为了驱动子像素SP-B而设置的TFT-B(16b)的漏极电极连接，液晶电容CLC-B的另一个电极为相对电极，辅助电容CCS-B的另一个电极与辅助电容配线CS-B(24b)连接。TFT-A和TFT-B的栅极电极均与G总线(扫描线)12连接，源极电极均与S总线(信号线)14连接。

图49(a)～(f)中示意性地表示驱动液晶显示装置900时的各电压的定时。

图49(a)表示S总线14的电压波形Vs，图49(b)表示CS总线CS-A的电压波形Vcsa，图49(c)表示CS总线CS-B的电压波形Vcsb，图49(d)表示G总线12的电压波形Vg，图49(e)表示子像素电极18a的电压波形Vlca，图49(f)表示子像素电极18b的电压波形Vlcb。另外，图中的虚线表示相对电极的电压波形COMMON(Vcom)。

以下，使用图49(a)～(f)说明图48的等效电路的动作。

由于在时刻T1时Vg的电压从VgL变化到VgH，TFT-A和TFT-B同时成为导通状态(ON状态)，对子像素电极18a和18b传送S总线14的电压Vs，对子像素SP-A的液晶电容CLC-A和子像素SP-B的液晶电容CLC-B充电。同样地，也进行从S总线14对各个子像素的辅助电容CCS-A和CCS-B的充电。

接着，由于在时刻T2时G总线12的电压Vg从VgH变化到VgL，TFT-A和TFT-B同时成为非导通状态(OFF状态)，子像素SP-A、SP-B的液晶电容CLC-A、CLC-B和辅助电容CCS-A、CCS-B全部与S总线14电绝缘。此外，由于在此之后紧接着TFT-A、TFT-B具有的寄生电容等的影响导致的馈通现象，各个子像素电极的电压Vlca、Vlcb降低大致相同的电压Vd，成为

Vlca＝Vs-Vd

Vlcb＝Vs-Vd

另外这时，各个CS总线的电压Vcsa、Vcsb为

Vcsa＝Vcom-Vad

Vcsb＝Vcom+Vad

在时刻T3，与辅助电容CCS-A连接的CS总线CS-A的电压Vcsa从Vcom-Vad变化到Vcom+Vad，与辅助电容Csb连接的CS总线CS-B的电压Vcsb从Vcom+Vad变化到Vcom-Vad，变化了2倍的Vad。伴随CS总线CS-A和CS-B的该电压变化，各个子像素电极的电压Vlca、Vlcb向

Vlca＝Vs-Vd+2×Kc×Vad

Vlcb＝Vs-Vd-2×Kc×Vad

变化。但是，Kc＝CCS/(CLC(V)+CCS)。×表示乘法运算。

在时刻T4，Vcsa从Vcom+Vad向Vcom-Vad变化，Vcsb从Vcom-Vad向Vcom+Vad变化，变化2倍的Vad，Vlca、Vlcb也从

Vlca＝Vs-Vd+2×Kc×Vad

Vlcb＝Vs-Vd-2×Kc×Vad

向

Vlca＝Vs-Vd

Vlcb＝Vs-Vd

变化。

在时刻T5，Vcsa从Vcom-Vad向Vcom+Vad变化，Vcsb从Vcom+Vad向Vcom-Vad变化，变化2倍的Vad，Vlca、Vlcb也从

Vlca＝Vs-Vd

Vlcb＝Vs-Vd

向

Vlca＝Vs-Vd+2×Kc×Vad

Vlcb＝Vs-Vd-2×Kc×Vad

变化。

Vcsa、Vcsb、Vlca、Vlcb，按照每个水平扫描期间(水平写入时间)1H的整数倍的间隔交替地重复上述T4、T5的变化。因此，各个子像素电极的电压Vlca、Vlcb的有效的值成为

Vlca＝Vs-Vd+Kc ×Vad

Vlcb＝Vs-Vd-Kc×Vad

由此，施加在子像素SP-A、SP-B的液晶层13a和13b的有效电压V1、V2成为

V1＝Vlca-Vcom

V2＝Vlcb-Vcom

即：

V1＝Vs-Vd+Kc×Vad-Vcom

V2＝Vs-Vd-Kc×Vad-Vcom

因此，对子像素SP-A和SP-B各自的液晶层13a和13b施加的有效电压的差ΔV12(＝V1-V2)成为ΔV12＝2×Kc×Vad(但是，Kc＝CCS/(CLC(V)+CCS))，能够施加相互不同的电压。

图50中示意性表示V1和V2的关系。根据图50可知，在液晶显示装置900中，V1的值越小ΔV12的值越大。像这样，由于V1的值越小ΔV12的值越大，所以尤其能够改善泛白特性。

另外，在将专利文献3中记载的多像素结构应用在高精细或者大型的液晶电视机中的情况下，由于振动电压的振动周期伴随显示面板的高精细化或者大型化变短，所以用于振动电压发生的电路的制作变得困难(变得高价格)，增加消耗电力，或者由CS总线的电负载阻抗导致的波形钝化的影响变大，如在专利文献4中所记载那样，设置电相互独立的多个CS主线，通过在各CS主线连接多个CS总线，能够通过CS总线延长对辅助电容相对电极施加的振动电压的振动周期。作为参考将专利文献3和4的内容全部引用在本说明书中。

专利文献1：特公昭63-21907号公报

专利文献2：特开平11-242225号公报

专利文献3：特开2004-62146号公报(美国专利第6958791号说明书)

专利文献4：WO2006/070829A1

发明内容

本申请人(受让人)已将具备应用了在专利文献3和4中记载的多像素技术的液晶显示装置的大型液晶电视机在市场中销售。以往，采用将由亮度不同的2个子像素(即亮子像素和暗子像素)构成各像素的2分割的结构，但是已知为了进一步改善显示面的大型化和γ特性的视野角依存性，2分割是不够的。具体而言，存在伴随显示装置的大型化当1个像素尺寸变大时，在显示中间灰度时，亮子像素与暗子像素的交错格子状的排列被辨认为显示的不光滑的问题。

另外，在2分割结构中，通过使2个子像素的V-T曲线(电压-亮度(显示灰度等级)曲线)重叠，将γ特性的视野角依存性平均化，因此斜视野角中的γ特性曲线不会平滑地变化，产生中部变细的部分。为此，当从斜视野角观察显示图像时，存在不自然地被观察的问题。

为了解决该问题，将像素分割为3个以上的子像素，即，将一个像素的V-T曲线由3个以上相互不同的V-T曲线的重叠表现即可。在专利文献3中记载的多像素技术中，当增加像素分割数时，可以根据像素分割数的增加，使电相互独立的辅助电容相对电压(CS信号电压)的数增加。

但是，为了准备电独立的辅助电容相对电压，导致CS主线的数量增加，并且驱动电路变复杂，成本增加。为了使大型的液晶电视机进一步普及，虽然要改善显示特性，但是降低价格也很重要，上述方法难以被采用。

本发明鉴于上述各方面而完成，其目的是提供不会使具有2分割结构的现有技术的液晶显示装置的驱动电路复杂化，并能够实现3分割以上的分割结构的液晶显示装置。

本发明的液晶显示装置，包括：排列为具有多个行和多个列的矩阵状的多个像素；和与上述多个像素分别相关联的TFT、源极总线、栅极总线和CS总线，上述多个像素各自具有至少3个子像素，上述至少3个子像素分别具有能够保持相互不同的电压的液晶电容，通过从上述源极总线、栅极总线和CS总线，对上述多个像素分别供给至少在某中间灰度使上述至少3个子像素内的2个子像素显示相互不同的亮度的信号，能够使上述至少3个子像素显示相互不同的亮度。

在某实施方式中，对于上述多个像素各自关联有与上述至少3个子像素对应的至少3个TFT、1个源极总线、至少1个栅极总线、和至少2个CS总线，与上述至少3个子像素对应的TFT分别具有栅极电极、源极电极和漏极电极。

在某实施方式中，上述至少3个子像素具有的液晶电容具有至少3个子像素电极、液晶层、和隔着上述液晶层与上述至少3个子像素电极相对的相对电极，上述相对电极为上述至少3个子像素电极所共用的单一的电极。

在某实施方式中，当以上述至少3个子像素作为第一子像素、第二子像素和第三子像素，以上述至少2个CS总线作为第一CS总线和第二CS总线时，上述第一子像素具有与上述第一CS总线连接的辅助电容，上述第二子像素具有与上述第二CS总线连接的辅助电容，上述第三子像素具有与上述第一CS总线连接的辅助电容、和与上述第二CS总线连接的辅助电容。

在某实施方式中，上述栅极总线包括第一栅极配线和第二栅极配线，上述第一CS总线包括第一CS配线和第二CS配线，上述第二CS总线包括第三CS配线和第四CS配线。

在某实施方式中，上述第一栅极配线和第二栅极配线在上述液晶显示装置内分支，上述第一CS配线和第二CS配线在上述液晶显示装置内分支，上述第三CS配线和第四CS配线在上述液晶显示装置内分支。

在某实施方式中，上述第一子像素、第二子像素和第三子像素沿列方向排列，上述第三子像素配置在上述第一子像素和上述第二子像素之间。

在某实施方式中，上述第三子像素包括具有与上述第一栅极配线连接的栅极电极的TFT、和具有与上述第二栅极配线连接的栅极电极的TFT。

在某实施方式中，上述栅极总线还具有连接上述第一栅极配线和第二栅极配线的连接配线，上述CS总线还具有连接上述第一CS配线和第二CS配线的连接配线、和/或连接上述第三CS配线和第四CS配线的连接配线，上述栅极总线的上述连接配线由与上述栅极总线的上述第一栅极配线和第二栅极配线相同的材料形成，上述CS总线的上述连接配线由与上述源极总线相同的材料形成。

在某实施方式中，上述第三子像素具有的与上述第一CS总线连接的上述辅助电容的静电电容值，和与上述第二CS总线连接的上述辅助电容的静电电容值大致相等。

在某实施方式中，在上述第一子像素、第二子像素和第三子像素显示相互不同的亮度的情况下，上述第三子像素的亮度，比上述第一子像素、第二子像素的一方的亮度高，比另一方的亮度低。上述第三子像素在列方向成条状设置。

在某实施方式中，上述第一子像素和第二子像素沿列方向排列，上述源极总线设置在上述第一子像素和第二子像素与上述第三子像素之间。

在某实施方式中，上述第一子像素、第二子像素、第三子像素的面积比为1∶1∶1。

在某实施方式中，上述第三子像素跨越上述栅极总线。

在某实施方式中，上述第三子像素的子像素电极跨越上述栅极总线。

在某实施方式中，上述第三子像素的子像素电极的跨越上述栅极总线的部分的行方向的长度，比上述第三子像素的子像素电极的行方向的最大的长度短。

在某实施方式中，上述第三子像素的TFT的漏极电极跨越上述栅极总线。

在某实施方式中，上述第三子像素的子像素电极具有第一电极和第二电极，上述第三子像素的TFT的漏极电极与上述源极总线平行设置，上述漏极电极连接上述第三子像素的子像素电极的上述第一电极和上述第二电极。

在某实施方式中，上述第三子像素的TFT的漏极电极与上述栅极总线重叠的面积，比上述第一子像素和第二子像素的TFT的漏极电极与上述栅极总线重叠的各个面积小。

在某实施方式中，上述第一子像素和第二子像素沿列方向排列，上述第三子像素具有第一区域和第二区域，上述源极总线具有在上述第一子像素和第二子像素与上述第三子像素的第一区域之间设置的第一源极配线；和在上述第一子像素和第二子像素与上述第三子像素的第二区域之间设置的第二源极配线，上述第一子像素和第二子像素的列方向的各自的长度，为上述第三子像素的上述第一区域和上述第二区域的列方向的各自的长度的一半，上述第一子像素和第二子像素的行方向的长度，为上述第三子像素的上述第一区域或者上述第二区域的行方向的长度的大致4倍。

在某实施方式中，上述第三子像素具有与上述第一区域和第二区域对应的子像素电极，上述第一子像素、第二子像素和第三子像素的子像素电极分别连接有多个TFT。

在某实施方式中，在上述第一源极配线和第二源极配线分别设置有多个TFT，上述第三子像素具有与上述第一区域和第二区域对应设置的TFT，在上述第三子像素的上述第一区域和第二区域设置的TFT的漏极电极各自的面积，比第一子像素和第二子像素的TFT的漏极电极各自的面积小。

在某实施方式中，上述第一子像素和第二子像素分别具有多个TFT，在上述第一区域和第二区域中设置的TFT各自的数量，比上述第一子像素和第二子像素的TFT各自的数量少。

在某实施方式中，上述第一子像素在上述某中间灰度在上述至少3个子像素内呈现最亮的亮度，上述第二子像素和第三子像素的至少一方，具有以夹着上述第一子像素的方式配置的2个区域。

在某实施方式中，上述第二子像素和第三子像素的上述至少一方，具有在上述2个区域连续的子像素电极。

在某实施方式中，在上述2个区域连续的子像素电极为环状。

在某实施方式中，在上述2个区域连续的子像素电极为コ字状。

在某实施方式中，上述第二子像素和第三子像素的上述至少一方，具有与上述2个区域对应的2个子像素电极，上述2个子像素电极通过连接在该子像素相关联的TFT的漏极电极的漏极引出配线相互连接。

在某实施方式中，具有与上述3个TFT的漏极电极分别连接的3个漏极引出配线，上述第一CS总线和第二CS总线的至少一方具有延伸设置部，上述延伸设置部隔着绝缘层与上述至少3个子像素电极和上述3个漏极引出配线的至少1个重叠。

在某实施方式中，上述第一CS总线和第二CS总线的上述至少一方具有的上述延伸设置部包括环状部。

在某实施方式中，在上述至少3个子像素电极内的相互相邻的子像素电极间的间隙，配置有选自上述漏极引出配线、上述源极总线、上述第一CS总线和第二CS总线内的至少一个配线的一部分。

在某实施方式中，具有垂直取向型的液晶层，上述至少3个子像素电极内的上述相互相邻的子像素电极间的上述间隙，包括沿相对于列方向大约45°的方向延伸的间隙。

在某实施方式中，上述第一子像素、第二子像素和第三子像素配置在上述第一CS总线和第二CS总线之间，上述第一CS总线和第二CS总线分别与列方向上相邻的像素的辅助电容连接。

在某实施方式中，上述第一子像素、第二子像素和第三子像素的子像素电极的各自沿列方向的2个边的长度大致相等。

在某实施方式中，上述至少1个栅极总线具有第一栅极配线和第二栅极配线，上述第三子像素包括具有与上述第一栅极配线连接的栅极电极的TFT、和具有与上述第二栅极配线连接的栅极电极的TFT，上述第三子像素的2个TFT的漏极电极分别与2个漏极引出配线连接，上述2个漏极引出配线分别与上述至少1个栅极总线交叉。

在某实施方式中，上述至少1个栅极总线具有栅极配线，上述第三子像素包括分别具有与上述栅极配线连接的栅极电极的2个TFT，上述第三子像素的2个TFT的漏极电极，分别与2个漏极引出配线连接，上述第三子像素的子像素电极跨越上述栅极总线。

在某实施方式中，上述第三子像素的子像素电极具有第一电极、第二电极、和将上述第一电极和第二电极连接的连接部，上述连接部的行方向的长度比上述第一电极、第二电极的上述行方向的长度短。

在某实施方式中，上述第三子像素的子像素电极的连接部设置在上述像素的行方向的中央附近。

在某实施方式中，上述第一子像素的TFT和上述第三子像素的一个TFT的栅极电极，和/或上述第二子像素的TFT和上述第三子像素的另一个TFT的栅极电极，作为栅极电极部一体地设置，并与上述栅极总线连接，上述第一子像素和第二子像素的TFT各自的漏极电极，与上述栅极电极部和上述栅极总线重叠。

在某实施方式中，上述2个漏极引出配线与上述第一CS总线和第二CS总线分别重叠，上述第一子像素和第二子像素的子像素电极，不与上述2个漏极引出配线与上述第一CS总线和第二CS总线重叠的区域重叠。

在某实施方式中，上述第三子像素的子像素电极分别通过接触孔与上述2个漏极引出配线连接，上述2个漏极引出配线分别具有与上述第一CS总线和第二CS总线重叠的辅助电容电极。

在某实施方式中，上述至少1个栅极总线具有第一栅极配线和第二栅极配线，上述第三子像素包括具有与上述第一栅极配线或者上述第二栅极配线连接的栅极电极的TFT。

在某实施方式中，上述第三子像素的TFT的漏极电极与漏极引出配线连接，上述漏极引出配线与上述第一CS总线和第二CS总线重叠，上述第一子像素和第二子像素的子像素电极，不与上述漏极引出配线与上述第一CS总线和第二CS总线重叠的区域重叠。

在某实施方式中，在沿行方向的像素中，按每至少一个像素使上述第三子像素的TFT的栅极电极与不同的栅极配线连接。

在某实施方式中，沿行方向相邻的2个像素中，一个像素的第三子像素的TFT的栅极电极与上述第一栅极配线连接，另一个像素的第三子像素的TFT的栅极电极与上述第二栅极配线连接。

在某实施方式中，上述第三子像素的TFT的漏极电极的面积，比上述第一子像素和第二子像素的TFT的漏极电极的各个的面积小。

在某实施方式中，上述第一子像素、第二子像素和第三子像素的面积相互大致相等。

在某实施方式中，上述多个像素分别还具有第四子像素，上述第四子像素具有与上述第一CS总线连接的辅助电容、和与上述第二CS总线连接的辅助电容。

在某实施方式中，在上述第三子像素中，以与上述第一CS总线连接的辅助电容作为第一辅助电容，以与上述第二CS总线连接的辅助电容作为第二辅助电容，在上述第四子像素中，以与上述第一CS总线连接的辅助电容作为第三辅助电容，以与上述第二CS总线连接的辅助电容作为第四辅助电容，上述第一辅助电容的静电电容值与上述第二辅助电容的静电电容值不同，上述第三辅助电容的静电电容值与上述第四辅助电容的静电电容值不同。

在某实施方式中，上述源极总线具有第一源极配线和第二源极配线，上述第一子像素和第二子像素，在上述第一源极配线和上述第二源极配线之间沿列方向排列，上述第三子像素相对于上述第一子像素和第二子像素夹着上述第一源极配线配置，上述第四子像素相对于上述第一子像素和第二子像素夹着上述第二源极配线配置。

在某实施方式中，上述第三子像素和第四子像素跨越上述栅极总线。

在某实施方式中，上述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素分别具有多个TFT。

在某实施方式中，上述第三子像素和第四子像素的子像素电极跨越上述栅极总线。

在某实施方式中，上述第三子像素和第四子像素的子像素电极中跨越上述栅极总线的部分的行方向的长度，比上述第三子像素、第四子像素的子像素电极的行方向的最大长度短。

在某实施方式中，上述第三子像素和第四子像素的TFT的漏极电极跨越上述栅极总线。

在某实施方式中，上述第三子像素和第四子像素的子像素电极分别具有2个电极，上述第三子像素和第四子像素的TFT的漏极电极与上述源极总线平行设置，上述第三子像素和第四子像素的TFT的漏极电极分别将上述第三子像素和第四子像素的子像素电极的上述2个电极连接。

在某实施方式中，上述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素的TFT的漏极电极与上述栅极总线重叠，上述第三子像素和第四子像素的TFT的漏极电极与上述栅极总线重叠的各个面积，比上述第一子像素和第二子像素的TFT的漏极电极与上述栅极总线重叠的各个面积小。

在某实施方式中，上述第一子像素和第二子像素分别具有多个TFT，上述第三子像素和第四子像素各自的TFT的数量比上述第一子像素、第二子像素各自的TFT的数量少。

在某实施方式中，上述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素的面积相互大致相等。

在某实施方式中，以上述至少3个子像素作为第一子像素、第二子像素和第三子像素，以上述至少2个CS总线作为第一CS总线和第二CS总线，上述第一子像素具有与上述第一CS总线连接的辅助电容，上述第二子像素具有与上述第二CS总线连接的辅助电容，上述第三子像素具有与上述至少1个栅极总线连接的辅助电容。

在某实施方式中，上述第一子像素、第二子像素和第三子像素设置在相邻的2个栅极总线之间，上述第一子像素、第二子像素和第三子像素的TFT的栅极电极，与上述2个栅极总线中的一个栅极总线连接，上述第一CS总线和第二CS总线设置在上述2个栅极总线之间，上述第三子像素的辅助电容与上述2个栅极总线中的另一个栅极总线连接。

在某实施方式中，上述第一子像素、第二子像素和第三子像素配置在上述第一CS总线和第二CS总线之间，上述第三子像素的辅助电容，与用于选择在列方向上相邻的像素的栅极总线连接。

在某实施方式中，上述多个像素具有显示红色的红像素、显示蓝色的蓝像素和显示绿色的绿像素，上述蓝像素的单元间隙比上述红像素或者上述绿像素的单元间隙小。

附图说明

图1是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置100的1像素的等效电路的图。

图2是用于说明液晶显示装置100的驱动方法的图，是表示栅极信号(Gate信号)、CS信号(辅助电容相对电压)、和像素电压(施加在各子像素的液晶电容的电压)的波形的图。

图3是表示MVA型液晶显示装置的γ特性的图表。

图4是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置100A的像素的TFT基板上的结构的图。

图5是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置100B的像素的TFT基板上的结构的图。

图6是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置100C的像素的TFT基板上的结构的图。

图7是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置100D的像素的TFT基板上的结构的图。

图8是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置200A的像素的TFT基板上的结构的图。

图9是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置200B的像素的TFT基板上的结构的图。

图10是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置200C的像素的TFT基板上的结构的图。

图11是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置200C’的像素的TFT基板上的结构的图。

图12是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置200D的像素的TFT基板上的结构的图。

图13是示意性表示基于本发明的实施方式的MVA型液晶显示装置300B的像素的TFT基板上的结构的图。

图14是示意性表示基于本发明的实施方式的MVA型液晶显示装置300C的像素的TFT基板上的结构的图。

图15(a)和(b)是表示作为2分割结构(2VT结构)的情况下的子像素的排列和γ特性的视野角依存性的图。

图16(a)和(b)是表示作为3分割结构(3VT结构)的情况下的优选子像素的排列和γ特性的视野角依存性的图。

图17(a)和(b)是表示作为3分割结构(3VT结构)的情况下的其他优选子像素的排列和γ特性的视野角依存性的图。

图18是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置400A的等效电路的图。

图19是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置400B的等效电路的图。

图20(a)是表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置500A的TFT基板的示意性平面图，(b)是表示2分割结构的液晶显示装置550的TFT基板的示意性平面图。

图21(a)～(c)分别是用于说明横阴影的发生的示意图。

图22是表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置300D的示意性平面图。

图23是表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置300E的示意性平面图。

图24是表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置300F的示意性平面图。

图25是基于本发明的实施方式的液晶显示装置500B的TFT基板的示意性平面图。

图26是基于本发明的实施方式的液晶显示装置500C的TFT基板的示意性平面图。

图27是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置500D1的1像素的等效电路的图。

图28是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置500D1的像素的TFT基板上的结构的图。

图29是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置500D2的1像素的等效电路的图。

图30是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置500D2的像素的TFT基板上的结构的图。

图31是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置500E的1像素的等效电路的图。

图32是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置500E的像素的TFT基板上的结构的图。

图33是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置600A的1像素的等效电路的图。

图34是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置600A的TFT基板上的结构的图。

图35是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置600B的1像素的等效电路的图。

图36是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置600B的TFT基板上的结构的图。

图37是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置600C的1像素的等效电路的图。

图38是液晶显示装置600C的信号波形图。

图39是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置600C1的TFT基板上的结构的图。

图40是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置600C2的TFT基板上的结构的图。

图41是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置600C3的TFT基板上的结构的图。

图42是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置600C4的TFT基板上的结构的图。

图43是表示4VT结构的液晶显示装置的γ特性的视野角依存性的图表。

图44(a)～(d)分别是表示3VT结构的液晶显示装置的视野角特性的图表。

图45(a)和(b)是表示4VT结构的液晶显示装置的视野角特性的图表。

图46(a)和(b)是具备基于本发明的实施方式的液晶显示装置的电视接收机的示意图。

图47是用于说明在专利文献3中记载的液晶显示装置900的像素分割结构的图。

图48是示意性表示液晶显示装置900的1像素的等效电路的图。

图49(a)～(f)是示意性表示驱动液晶显示装置900时的各电压的定时的图。

图50是表示液晶显示装置900的对子像素间的液晶层的施加电压的关系的图。

符号说明：

10像素

10a、10b子像素

12扫描线(栅极总线)

14信号线(源极总线)

16a、16b TFT

18a、18b子像素电极

100、100A、100B、100C、100D、200A、200B、200C、200C’、200D、300B、300C、300D、300E、300F、400A、400B、500A、500B、500C、500D、600A、600B、600C、600C1、600C2、600C3、600C4液晶显示装置

111a、111b、111c子像素电极

112栅极总线(G总线)

113CS总线

114源极总线(S总线)

116a、116b、116c TFT

117a、117b、117c、117c1、117c2、117d1、117d2漏极引出配线

118a、118b、118c1、118c2、118d1、118d2辅助电容电极

119a、119b、119c接触部

SP-A、SP-B、SP-C、SP-D子像素

TFT-A、TFT-A1、TFT-A2、TFT-B、TFT-B1、TFT-B2、TFT-C、TFT-C1、TFT-C2、TFT-D、TFT-D1、TFT-D2薄膜晶体管

CCS-A、CCS-B、CCS-C、CCS-C1、CCS-2、CCS-D、CCS-D1、CCS-D2辅助电容

CLC-A、CLC-B、CLC-C、CLC-D液晶电容

具体实施方式

以下，参照附图说明基于本发明的实施方式的液晶显示装置和用于该液晶显示装置的TFT基板的结构。此外，本发明并不局限于以下的实施方式。

图1是示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置100的1像素的等效电路的图。液晶显示装置100的各像素具有3个子像素SP-A、SP-B和SP-C，分别与3个子像素SP-A、SP-B和SP-C对应的3个TFT-A、TFT-B和TFT-C、1个源极总线(S总线)、1个栅极总线(G总线)、2个CS总线CS-A和CS-B与各像素相关联。

与图48表示的现有技术的液晶显示装置900的等效电路相比较可以明白，液晶显示装置100的1个像素具有3个子像素SP-A、SP-B和SP-C，而与液晶显示装置100的像素对应的部分以外的结构，即，G总线、S总线和CS总线的数目与液晶显示装置900相同，供给与此相对应的信号(电压)的驱动电路(未图示)的结构也与液晶显示装置900相同。像这样，液晶显示装置100能够不使现有技术的具有2分割结构的液晶显示装置900的驱动电路复杂化，而实现3分割结构。因此，依据本发明的实施方式，能够抑制成本的上升，同时改善显示品质(尤其是γ特性的视野角依存性)。

液晶显示装置100中的2个子像素SP-A和SP-B与TFT-A和TFT-B、G总线、S总线以及2根相互电独立的CS总线之间的连接关系，与液晶显示装置900完全相同(为了简化而省略说明)。相对于液晶显示装置900附加的第三子像素SP-C按照如下方式连接。

子像素SP-C具有液晶电容CLC-C、2个辅助电容CCS-C1和CCS-C2。液晶电容CLC-C的一个电极(子像素电极)与TFT-C的漏极电极连接，辅助电容CCS-C1和CCS-C2各自的一个电极(辅助电容电极)也与TFT-C的漏极电极连接。TFT-C与其它的TFT-A和TFT-B同样地，栅极电极与共用的G总线连接，源极电极与S总线连接。液晶电容CLC-C的另一个电极(相对电极)由与其它的液晶电容CLC-A和CLC-B共用的相对电极构成。辅助电容CCS-C1的另一个电极(辅助电容相对电极)与CS总线CS-A连接，辅助电容CCS-C2的另一个电极(辅助电容相对电极)与CS总线CS-B连接。因此，施加在液晶电容CLC-C的电压，通过2个辅助电容CCS-C1和CCS-C2，受到基于CS总线CS-A的上拉(或下压)和基于CS总线CS-B的下压(或上拉)两方的作用，成为被施加在液晶电容CLC-A的有效电压和被施加在液晶电容CLC-B的有效电压的中间的值。

此外，在此，1个G总线针对3个TFT共用地连接，但是并不局限于此，也可以在各TFT设置1个G总线等，与各像素相关联的G总线为多个。

图2是用于说明液晶显示装置100的驱动方法的图，是表示栅极信号(Gate信号)、CS信号(辅助电容相对电压)、从S总线供给的信号电压(＝源极信号、S信号)和像素电压(对各子像素的液晶电容施加的电压＝各子像素的子像素电极的电压)的波形的图。另外，图中的虚线表示相对电极的电压波形COMMON(Vcom)。在某栅极总线(这里Gate：001)中，当栅极信号从低切换为高时信号电压被写入各个子像素。如上所述，被写入各个子像素的信号电压，分别受到上拉的作用、下压的作用和上拉与下压两方的作用，各子像素电极的电压成为VClc-A、VClc-B、VClc-C所示的波形。此外，在此为了方便，忽视由各TFT的寄生电容等的影响产生的馈通电压。表示像素的施加电压的波形的图中的点划线表示子像素电极的有效电压。由于VClc-C波形没有变动，所以有效电压与VClc-C的波形相同。

举例表示在一垂直扫描期间(这里与输入视频信号的帧相同)信号电压的极性反转，并且，在行方向和列方向相邻的像素间的极性相反的典型的点反转驱动的情况。表示在关注的像素中，在n帧(nF)写入正极性，在n+1帧(n+1F)写入负极性的情况。在此只要没有特别表示，所谓“一垂直扫描期间”并不是由输入视频信号规定的期间，而是针对液晶显示装置规定的期间，是对某像素从供给信号电压到再次供给信号电压为止的期间。例如，NTSC信号的1帧为33.3ms，一般地在液晶显示装置中在NTSC信号的1/2帧＝1场(16.7ms)的期间内对全部的像素进行信号电压的写入，16.7ms为液晶显示装置的一垂直扫描期间。并且为了改善响应特性的目的等进行倍速驱动的情况下，液晶显示装置的一垂直扫描期间进一步变为一半即8.3ms。另外，所谓供给各像素的“信号电压”，并不局限于与应该显示的灰度等级对应的电压(灰度等级电压)，也包括用于改善响应特性的过冲电压、用于模拟脉冲驱动(黑插入驱动)的黑显示电压等供给到像素的全部的电压。

由于在n帧为正极性写入，所以在被供给在紧接栅极信号下降之后的CS信号的振幅增大的VCS-A的液晶电容CLC-A上施加的有效电压，受到基于CS电压的上拉作用而增大，由液晶电容CLC-A构成的子像素SP-A成为亮子像素。另一方面，在被供给在紧接栅极信号下降之后的CS信号的振幅减少的VCS-B的液晶电容CLC-B上施加的有效电压，受到基于CS电压的下压作用而减小，由液晶电容CLC-B构成的子像素SP-B成为暗子像素。

被施加在液晶电容CLC的有效电压，由于受到VCS-A的上拉作用和VCS-B的下压作用两方，所以成为被施加在液晶电容CLC-A的有效电压和被施加在液晶电容CLC-B的有效电压的中间的值，由液晶电容CLC-C构成的子像素SP-C成为呈现中间的亮度的子像素(也有被成为中子像素的情况)。在此，举例表示子像素SP-C具有的2个辅助电容CCS-C1和CCS-C2的静电电容值相互相等的情况，在该情况下，VCS-A和VCS-B的作用相互抵消，对液晶电容CLC-C施加与信号电压相等的电压。此外，在像这样对液晶电容CLC-C施加与信号电压相等的电压的情况下，使子像素SP-C的辅助电容仅为1个，并且，使该辅助电容为基于栅极(on-gate)结构，即使用G总线代替CS总线的结构，则能够不使驱动电路复杂化也能够获得同样的效果。

本实施方式并不限定于此，通过适当设定辅助电容CCS-C1和CCS-C2的值，能够使子像素SP-C呈现的亮度接近子像素SP-A的亮度，也能够使子像素SP-C呈现的亮度接近子像素SP-B的亮度。此外，从γ特性的视野角依存性的观点出发，如后文所述，优选使子像素SP-C的亮度在子像素SP-A的亮度与子像素SP-B的亮度中间，并且，子像素SP-A、B和C的面积相互相等(参照图17)。在此，当子像素SP-C呈现的亮度接近亮子像素的亮度时，能够使对比度提高，当子像素SP-C呈现的亮度接近暗子像素的亮度时，尤其能够改善低灰度等级的γ特性的视野角依存性。

另外，根据上述说明可知，如果设置2个具有2个辅助电容的子像素SP-C，适当设定2个子像素SP-C具有的2个辅助电容的静电电容值，则能够形成呈现相互不同的4个亮度的4个子像素。例如，在图1中，追加与子像素SP-C电等效的子像素SP-D。SP-D与SP-C同样地，具有液晶电容CLC-D和2个辅助电容CCS-D1和CCS-D2。在此，在子像素SP-C中，调整辅助电容CCS-C1和CCS-C2的静电电容值以上拉作用(或者下压作用)作为优势，在子像素SP-D中，调整辅助电容CCS-D1和CCS-D2的静电电容值以下压作用(或者上拉作用)作为优势，由此能够得到呈现4个不同亮度的子像素。像这样，如果设置呈现4个不同亮度的子像素，则能够进一步改善γ特性的视野角依存性。以下，说明作为本发明的最基本的实施方式的具有3分割结构的液晶显示装置。

图3是表示MVA型液晶显示装置的γ特性的图表，分别表示无像素分割(曲线L0)、2分割结构(曲线L2)、3分割结构(L＝3)的在右60°视野角的γ曲线以及理想的γ曲线(L1)。可知MVA型液晶显示装置的倾斜视野角的γ曲线向高亮度侧偏移的问题利用像素分割驱动而改善。另外，3分割结构的γ曲线L3比2分割结构的γ曲线L2更加接近理想的γ曲线，视野角特性更加良好。而且，2分割结构的γ曲线L2在100/255灰度等级附近的变化不平滑，与此相对，3分割结构的γ曲线L3在全部灰度等级范围平滑地变化。

此外，关于全部灰度等级，不必一定使对液晶电容施加的有效电压不同，在最低灰度等级(黑显示状态)和最高灰度等级(白显示状态)，对各液晶电容施加相同电压，显示相同亮度(灰度等级)也可以。另外，特别是仅在γ特性的视野角依存性较大的区域(比某中间灰度(例如100/255灰度等级)低的区域)中，也可以进行多像素驱动。

接着，参照图4～图7说明基于本发明的实施方式的液晶显示装置的像素分割结构和子像素的配置。图4～图7是示意性表示1像素结构的等效电路和子像素的配置的图。此外，子像素的配置并不局限于例示的方式，能够有各种改变。图4～图7表示的等效电路加上了空间的配置，但是电连接关系与图1所示的等效电路相同。

在图4～图7中，示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置具有的行列状排列的像素中，m行n列的像素的TFT基板上的结构。在以下的附图中，存在对于共同的结构要素标注共同的参照符号省略详细说明的情况。在此，所谓“像素”是指液晶显示装置进行显示的最小单位，在彩色显示装置的情况下，与显示各个色(典型的是R、G或者B)的“图像元素(或者像点)”相对应。

图4中表示的液晶显示装置100A的像素中，子像素SP-A、SP-C和SP-B按照列方向依次排列。即，按照子像素的亮度顺序(这里为从上开始按照降序)排列。在下一帧中也维持该亮度关系(像素内的子像素的亮度次序)，并且对各子像素的液晶电容施加的电压的极性反转，所以能够防止长期间施加DC电压。此外，也可以调整VCS-A和VCS-B的信号波形，使得子像素SP-A和SP-B的亮度次序调换，这时也按照子像素的亮度顺序(这里为从上开始按照升序)排列不改变。

如图4所示，第一子像素SP-A与由第一子像素电极111a规定的区域相对应形成，第二子像素SP-B与由第二子像素电极111b规定的区域相对应形成，第三子像素SP-C与由第三子像素电极111c规定的区域相对应形成。

(m，n)像素通过与G总线112(m)和S总线114(n)连接的TFT116a、116b和116c驱动。TFT116a的漏极电极通过漏极引出配线117a与第一子像素电极111a连接。TFT116b的漏极电极通过漏极引出配线117b与第二子像素电极111b连接，TFT116c的漏极电极通过漏极引出配线117c与第三子像素电极111c连接。子像素电极111a、111b和111c通过液晶层(未图示)和隔着液晶层相对地配置的共用的相对电极(未图示)，构成液晶电容。即，第一子像素电极111a构成图1中的CLC-A，第二子像素电极111b构成CLC-B，第三子像素电极111c构成CLC-C。相对电极共用地设置在多个像素，典型的为相对于全部像素共用，但是也可以根据需要分割为多个。

在m行的像素内，通过有2根CS总线(＝辅助电容配线)CS-A和CS-B。第一子像素SP-A具有一个辅助电容CSA(图1中的CCS-A)。辅助电容CSA的一个电极(辅助电容相对电极)与CS总线CS-A连接，另一个电极(辅助电容电极)与漏极引出配线117a连接。由这一对电极和这一对电极之间的绝缘层(例如栅极绝缘层)构成辅助电容CSA。同样地，第二子像素SP-B具有1个辅助电容CSB(图1中的CCS-B)。辅助电容CSB的一个电极(辅助电容相对电极)与CS总线CS-B连接，另一个电极(辅助电容电极)与漏极引出配线117b连接。由这一对电极和这一对电极之间的绝缘层(例如栅极绝缘层)构成辅助电容CSB。相对于此，第三子像素SP-C具有2个辅助电容CSC-1和CSC-2(图1中的CCS-C1和CCS-C2)。辅助电容CSC-1的一个电极(辅助电容相对电极)与CS总线CS-A连接，辅助电容CSC-2的一个电极(辅助电容相对电极)与CS总线CS-B连接。辅助电容CSC-1和CSC-2的另一个电极(辅助电容电极)均与漏极引出配线117c连接。由这两对电极和这两对电极各自的之间的绝缘层(例如栅极绝缘层)构成辅助电容CSC-1和CSC-2。

接着，说明图5所示的液晶显示装置100B的像素分割结构。

液晶显示装置100B的像素，3个子像素SP-A、SP-B和SP-C内的SP-B和SP-C分别具有2个区域(SP-B1与SP-B2和SP-C1和SP-C2)，并且，各个子像素的2个区域以夹着第一子像素SP-A的方式配置。在列方向上，按照SP-B2(暗子像素)、SP-C2(中子像素)、SP-A(亮子像素)、SP-C1(中子像素)和SP-B1(暗子像素)的顺序排列，在下一帧中也维持该亮度的关系(像素内的子像素的亮度次序)，并且施加在各子像素的液晶电容的电压的极性反转，所以能够防止长期间施加DC电压。此外，也可以调整VCS-A和VCS-B的信号波形使得SP-A与SP-B1和SP-B2的亮度次序调换。

第二子像素的2个区域SP-B1和SP-B2分别与2个子像素电极111b1和111b2相对应形成，它们通过漏极引出配线117bb相互连接，漏极引出配线117bb通过漏极引出配线117b与TFT116b的漏极电极连接。同样地，第三子像素的2个区域SP-C1和SP-C2分别与2个子像素电极111c1和111c2相对应形成，它们通过漏极引出配线117cc相互连接，漏极引出配线117cc通过漏极引出配线117c与TFT116c的漏极电极连接。

其它的连接关系与上述的液晶显示装置100A相同所以省略说明。液晶显示装置100B的像素中的第二子像素的2个区域SP-B1和SP-B2相互等效，并且与液晶显示装置100A的第二子像素SP-B等效。另外，液晶显示装置100B的像素中的第三子像素的2个区域SP-C1和SP-C2相互等效，并且与液晶显示装置100A的第三子像素SP-C等效。

如液晶显示装置100B那样，通过进一步将子像素空间地分割，在像素内呈现不同亮度的区域进一步被细化，所以抑制图像的不光滑，提高均匀性。尤其是，在大型的液晶显示装置(例如50型以上)中由于像素尺寸大，当采用多像素结构时，存在像素内的亮度分布被感觉到不光滑的情况，本发明为了防止该情况是有效的。

接着，说明如图6所示的液晶显示装置100C的像素分割结构。

液晶显示装置100C的像素，在3个子像素SP-A、SP-B和SP-C内的SP-B和SP-C分别具有以夹着第一子像素SP-A的方式配置的2个区域的方面，与图5所示的液晶显示装置100B相同。在液晶显示装置100B中，分别构成第三子像素的2个区域SP-C1和SP-C2的子像素电极111c1和111c2通过漏极引出配线相互电连接，相对于此，在液晶显示装置100C中作为1个コ字状(U字状或者马蹄形状)的子像素电极111c形成的这一方面有所不同。其它方面与液晶显示装置100B相同所以省略说明。

接着，说明图7所示的液晶显示装置100D的像素分割结构。

液晶显示装置100D的像素，在3个子像素SP-A、SP-B和SP-C内的SP-B和SP-C分别具有以夹着第一子像素SP-A的方式配置的2个区域的方面，与图5所示的液晶显示装置100B和图6所示的液晶显示装置100C相同。并且，在构成第三子像素的2个区域的子像素电极作为1个コ字状的子像素电极111c形成的方面与图6所示的液晶显示装置100C相同。在液晶显示装置100C中，分别构成第二子像素的2个区域SP-B1和SP-B2的子像素电极111b1和111b2通过漏极引出配线相互电连接，与此相对，在液晶显示装置100D中作为1个コ字状的子像素电极111b形成的这一方面有所不同。其它方面与液晶显示装置100C相同所以省略说明。

如液晶显示装置100C和100D那样，将子像素分割为2个区域时，通过将子像素电极形成为コ字状，能够使漏极引出配线的围绕简单。另外，在此，举例表示了将第二子像素电极111b和第三子像素电极111c形成为コ字状的电极的例子，但是并不限定于此，如后文所述，也可以形成为环状(口字状或者有棱角的O字状)的电极。当形成环状的电极时，能够容易地调整寄生电容(例如Csd)。

接着，参照图8～图12，说明基于本发明的液晶显示装置的像素的具体结构。图8～图12示意性地表示m行n列和m行n+1列的2个像素的TFT基板上的结构。进行典型的点反转驱动的情况下，在m行n列(以下记作(m，n))的像素中信号电压以正极性(将相对电压作为基准时的极性)写入时，(m，n+1)像素以负极性被写入。这时，(m，n)像素的子像素SP-A成为亮子像素，子像素SP-B成为暗子像素、子像素SP-C成为中子像素的情况下，能够按照(m，n+1)像素的子像素SP-A成为暗子像素，子像素SP-B成为亮子像素、子像素SP-C成为中子像素的方式驱动。

如图8所示的液晶显示装置200A，与图4表示的液晶显示装置100A以相同等效电路表示，子像素的配置也相同。

关注(m，n)像素。(m，n)像素通过与栅极总线112(m)和源极总线114(n)连接的TFT116a、116b和116c驱动。TFT116a的漏极电极通过漏极引出配线117a在接触部119a与第一子像素电极111a连接。TFT116b的漏极电极通过漏极引出配线117b在接触部119b与第二子像素电极111b连接，TFT116c的漏极电极通过漏极引出配线117c在接触部119c1和119c2与第三子像素电极111c连接。子像素电极111a、111b和111c，通过液晶层(未图示)、和隔着液晶层相对地配置的相对电极(未图示)，分别构成液晶电容CLC-A、CLC-B和CLC-C(参照图1)。

在此，源极总线114(n)与n列的子像素电极111a、111b和111c部分地重叠。以能够将源极总线114(n)与子像素电极111a、111b和111c之间的寄生电容(Csd)充分地减小的方式，在它们之间设置由树脂形成的层间绝缘膜、例如2.5μm左右的丙烯酸类树脂。换言之，通过设置层间绝缘膜，能够实现将子像素电极111a、111b和111c以与源极总线114(n)重叠的方式设置，能够提高像素开口率。

TFT116a、116b和116c具有底栅结构，分别具有作为栅极总线112(m)的延伸设置部形成的栅极电极、在其上形成的半导体层、和在半导体层的源极和漏极区域形成的源极电极和漏极电极。源极电极作为源极总线114(n)的延伸设置部形成。TFT116a、116b和116c的漏极电极分别与漏极引出配线117a、117b和117c一体地形成。以覆盖它们全部的方式设置有层间绝缘膜(未图示)，在层间绝缘膜上形成有子像素电极111a、111b和111c。在形成于层间绝缘膜的接触孔内的接触部119a连接有漏极引出配线117a和子像素电极111a，在接触部119b连接有漏极引出配线117b和子像素电极111b，在接触孔119c1和119c2连接有漏极引出配线117c和子像素电极111c。

接着，说明(m，n)像素中的辅助电容的结构。在m行的像素内，通过有2根CS总线(＝辅助电容配线)113-1和113-2。CS总线113-1与图4(或者图1)中的CS总线CS-A对应，CS总线113-2与CS总线CS-B对应。

子像素SP-A的辅助电容(图4中的CSA)，在漏极引出配线117a与CS总线113-1重叠的部分(接触部119a附近)形成。子像素SP-B的辅助电容(图4中的CSB)，在漏极引出配线117b与CS总线113-2重叠的部分(接触部119b附近)形成。

子像素SP-C具有2个辅助电容(图4中的CSC-1和CSC-2)。辅助电容CSC-1在漏极引出配线117c与CS总线113-1重叠的部分(接触部119c2附近)形成，辅助电容CSC-2在漏极引出配线117c与CS总线113-2重叠的部分(接触部119c1附近)形成。CS总线113-1和113-2均与栅极总线112(m)形成在相同导电层，由栅极绝缘膜(未图示)覆盖。辅助电容CSC-1和CSC-2的电介质层均为栅极绝缘膜，辅助电容CSC-1和CSC-2的电容值分别与电极的面积成比例。在此，如图8所示，辅助电容CSC-1和CSC-2的电容值相互几乎相等。

如图9所示的液晶显示装置200B，由与图5所示的液晶显示装置100B相同的等效电路表示，子像素的配置也相同。液晶显示装置200B的像素，3个子像素SP-A、SP-B和SP-C内的SP-B和SP-C分别具有2个区域(SP-B1与SP-B2，和SP-C1与SP-C2)，并且各个子像素的2个区域以夹着第一子像素SP-A的方式配置。以下，说明与液晶显示装置200A不同的第二子像素SP-B和第三子像素SP-C的结构。

第二子像素的2个区域SP-B1和SP-B2分别与2个子像素电极111b1和111b2对应形成。子像素电极111b1在接触部119b1中与漏极引出配线117b连接，子像素电极111b2在接触部119b2与漏极引出配线117b连接。第三子像素的2个区域SP-C1和SP-C2分别与2个子像素电极111c1和111c2对应形成。子像素电极111c1在接触部119c1与漏极引出配线117c连接，子像素电极111c2与接触部119c2与漏极引出配线117c连接。

另外，2个CS总线113-1和113-2分别具有环状部和非环状部。CS总线113-1和113-2的环状部以不与源极总线114(n)和114(n+1)重叠的方式形成在它们的内侧。CS总线113-1和113-2的非环状部，与在行方向上相邻的像素间存在的源极总线交叉，将在行方向上相邻的环状部相互连接。在CS总线113-2的环状部的内侧存在的子像素电极111c1的部分对子像素SP-C1的显示发挥作用，在CS总线113-1的环状部的内侧存在的子像素电极111c2的部分对子像素SP-C2的显示发挥作用。另外，2个CS总线113-1和113-2的环状部，在相邻的子像素间也存在，也起到对该区域遮光的功能。

子像素SP-A的辅助电容，在总线113-1的环状部和漏极引出配线117a重叠的区域(接触部119a附近)形成。子像素SP-B的辅助电容，在总线113-2的环状部与漏极引出配线117b重叠的区域形成。但是，当观察(m，n+1)像素时，子像素SP-A的辅助电容，在总线113-2的环状部与漏极引出配线117a重叠的区域形成，子像素SP-B的辅助电容(相对于SP-B1和SP-B2为1个辅助电容)，在总线113-1的环状部与漏极引出配线117b重叠的区域形成。通过以这样的方式配置，在进行点反转驱动的情况下，也能够使(m，n)像素与(m，n+1)像素中的子像素的亮度的次序相同。这一情况，例如在(m，n)像素中使SP-A为亮子像素的情况下，在(m，n+1)像素中也能够使SP-A为亮子像素，所以能够抑制由于比较容易被识别的亮子像素的位置在每个像素中不同而存在图像的不光滑被感受到的情况。

此外，漏极引出配线117a和117b，按照与2个CS总线113-1和113-2的非环状部分别交叉相同次数的方式配置，将对形成辅助电容的部分以外的电容的作用抵消。另外，子像素SP-C的2个辅助电容内的一方，在CS总线113-1与漏极引出配线117c重叠的区域(接触部119c2附近)形成，另一方在CS总线113-2与漏极引出配线117c重叠的区域(接触部119c1附近)形成。在此，子像素SP-C的2个辅助电容的静电电容值也设定为几乎相同。

如图10所示的液晶显示装置200C，以与图6所示的液晶显示装置100C相同的等效电路表示，子像素的配置也相同。如果与图9所示的液晶显示装置200B相比较，则不同点是在液晶显示装置200B中，将分别构成第三子像素SP-C的2个区域SP-C1和SP-C2的子像素电极111c1和111c2通过漏极引出配线117c相互电连接，与此相对，在液晶显示装置200C中是作为1个コ字状(U字状或者马蹄形状)的子像素电极111c形成。另外，コ字状的子像素电极111c中的连接2个区域的部分和子像素电极111a的间隙，按照通过漏极引出配线117a遮光的方式构成。

图11所示的液晶显示装置200C’，在将图10中所示的液晶显示装置200C中的コ字状的子像素电极111c形成为环状(口字状或者有棱角的O字状)的子像素电极111c的这一方面有所不同。环状的子像素电极111c和在其开口部内配置的子像素电极111a的间隙，按照通过漏极引出配线117a和117b遮光的方式构成。当子像素电极111c构成为环状时，与将子像素电极111c构成为コ字状相比，能够得到容易调整源极/漏极间的寄生电容(Csd)的优点。

图12所示的液晶显示装置200D为图7所示的液晶显示装置100D的变形例，与将液晶显示装置100D的コ字状的子像素SP-C改变为环状的例子相对应。当与图11所示的液晶显示装置200C’相比较时，则不同点是在液晶显示装置200C’中，将分别构成第二子像素SP-B的2个区域SP-B1和SP-B2的子像素电极111b1和111b2通过漏极引出配线117b相互电连接，与此相对，在液晶显示装置200D中是作为1个环状的子像素电极111b形成。另外，子像素电极111b和子像素电极111c的间隙，以通过源极总线114(n)和114(n+1)遮光的方式构成。

接着，参照图13和图14，说明基于本发明的实施方式的MVA型的液晶显示装置的具体的结构。MVA型的液晶显示装置，如大家所熟知的那样，为使用介电各向异性为负的向列液晶材料的垂直取向模式，在各像素内，具有电压施加时的液晶分子的取向方向相互不同的4个方向(任意2个方向的差大约为90°的倍数)的畴(4分割畴)，以常黑模式进行显示的显示装置。此外，MVA型液晶显示装置中使用多像素结构的情况下，从视野角特性的观点出发，优选针对各子像素形成4个畴。

图13所示的液晶显示装置300B，由与图5所示的液晶显示装置100B和图9所示的液晶显示装置200B相同的等效电路表示，子像素的配置也相同。在以下的说明中，省略与液晶显示装置200B的结构相同的方面的说明。

在子像素电极111a形成的狭缝SLa、子像素电极111a与子像素电极111c1和111c2的间隙、子像素电极111c1与子像素电极111b1的间隙、子像素电极111c2与子像素电极111b2的间隙，生成倾斜电场，作为用于形成多畴结构的取向限制单元(在像素电极形成的狭缝)发挥功能。狭缝SLa和相邻的子像素电极间的间隙，在相对于矩阵状排列的列方向以大约45°的角度交叉的方向上延伸，并且相互在大致正交的方向上延伸。隔着液晶面板的正交尼科尔配置的偏光板的偏光轴(透过轴)在列方向和行方向上正交或者平行，如上所述地配置的狭缝和子像素电极间的间隙，按照使电压施加时的液晶分子的取向方向限制为相对于偏光轴大致45°方向的方式发挥作用。此外，在相对基板侧，在相互相邻且相互平行的狭缝与子像素电极的间隙之间，或者相互相邻且相互平行的子像素电极的间隙之间，在将其间隔大致2等分的位置，设置有与它们平行的取向限制单元。在相对基板设置的取向限制单元，可以为在相对电极设置的狭缝，也可以是在相对电极的液晶层侧设置的电介质突起(肋)。此外，优选电介质突起的介电常数比液晶层的介电常数低。

液晶显示装置300B的辅助电容，在CS总线的延伸设置部和漏极引出配线重叠的区域形成。例如CS总线113-1具有环状的延伸设置部113-1E，在将环状的延伸设置部113-1E的中央跨接(bridge)的部分与漏极引出配线117c重叠的部分，形成子像素SP-C具有的2个辅助电容内的一个辅助电容。同样地，CS总线113-2具有环状的延伸设置部113-2E，在将环状的延伸设置部113-2E的中央跨接的部分与漏极引出配线117c重叠的部分，形成子像素SP-C具有的2个辅助电容内的另一个辅助电容。另外，环状的延伸设置部113-1E和113-2E的环部分，以将相邻的子像素电极的间隙遮光的方式配置。子像素SP-A的辅助电容，在CS总线113-1和漏极引出配线117a重叠的部分(子像素电极111c2的下部)形成，子像素SP-B的辅助电容，在CS总线113-2和漏极引出配线117b重叠的部分(子像素电极111c1的下部)形成。

如图14所示的液晶显示装置300C，由与图6所示的液晶显示装置100C和图10所示的液晶显示装置200C相同的等效电路表示，子像素的配置也相同。如果与图13所示的液晶显示装置300B比较，则不同点是在液晶显示装置300B中，子像素电极111c1和111c2通过漏极引出配线117c相互电连接，与此相对，在液晶显示装置300C中是作为1个コ字状(U字状或者马蹄形状)的子像素电极111c形成。此外，コ字状的子像素电极111c中的连接2个区域的部分与子像素电极111a的间隙，以通过漏极引出配线117a遮光的方式构成。

另外，液晶显示装置300C在第三子像素的一方的区域SP-C2，具有在与漏极引出配线相同的导电层形成的漏极浮岛117c’。漏极浮岛117c’在接触部119c2与子像素电极111c连接。在漏极浮岛117c’与CS总线的环状延伸设置部113-1E的一部分重叠的区域，形成子像素SP-C具有的2个辅助电容的一个。子像素SP-C具有的2个辅助电容的另一个，形成在漏极引出配线117c与CS总线113-2的环状延伸设置部113-2E重叠的区域。

此外，在此，将形成辅助电容的部分与相邻的子像素电极的间隙的方向平行设置的理由是，通过使其与为了得到多畴结构而在相对基板侧形成的取向限制单元(电极狭缝或者电介质突起)重叠，能够防止漏光的缘故。

接着，从γ特性的观点出发说明像素内的子像素的优选的排列。

首先，参照图15(a)和(b)，针对2分割结构的γ特性的视野角依存性进行说明。在此，举例表示将亮子像素(SP-A)分割为2个区域SP-A1和SP-A2，将暗子像素(SP-B)分割为2个区域SP-B1和SP-B2的例子，但是只要是2分割结构，则即使将各子像素分割为多个区域，γ特性也不会改变。但是，如果如图15(a)所示那样将各子像素分割为2个区域，则例如在超过52型(像素排列间距：行方向200μm，列方向600μm)的超大型的液晶显示装置中，当显示中间灰度时，亮子像素和暗子像素的交错格子状的排列很难作为显示的不光滑被辨认。

在图15(b)中表示2分割结构(由于实现2个VT特性的重合所以也称为2VT结构)的γ特性的视野角依存性。图15(b)是横轴表示正面的灰度等级，纵轴表示左右(与偏光轴平行或者正交)的倾斜视野角(相对于显示面法线45°)的灰度等级的图表。在2分割结构中，如图15(b)所示，在100/255灰度等级附近形成有洼陷，不能获得平滑的变化。为了改善该γ特性的视野角依存性，需要使分割数为3以上。

接着，参照图16和图17，对于构成3分割结构(3VT结构)的情况下的优选的子像素的排列和γ特性的视野角依存性进行说明。

如图16(a)所示那样，将亮子像素SP-A、暗子像素SP-B和中子像素SP-C(SP-C1和SP-C2)的面积比形成为1∶1∶2的情况下的γ特性的视野角依存性表示在图16(b)中。将图16(b)与图15(b)相比较可知，100/255灰度等级附近的平滑性被改善。

另外，如图17(a)所示那样，将亮子像素SP-A、暗子像素SP-B和中子像素SP-C(SP-C1和SP-C2)的面积比形成为1∶1∶1时，如图17(b)所示，100/255灰度等级附近的平滑性进一步被改善。像这样，从γ特性的视野角依存性的观点出发，优选将亮子像素、暗子像素和中子像素的面积比形成为1∶1∶1。

另外，从降低显示的不光滑的观点出发，优选将亮子像素配置在像素的中心。另外，在点反转驱动等中，当考虑将子像素间的亮度次序调换时，优选将亮子像素和暗子像素调换。因此，优选至少亮子像素与暗子像素的面积相等。并且，从降低显示的不光滑的观点出发，优选使亮子像素和暗子像素接近配置在像素的中央。此外，在图5等表示的液晶显示装置中，在像素内调换中子像素和暗子像素能够容易地进行。

另外，当考虑γ特性的波长依存性时，优选将蓝像素的单元间隙(液晶层的厚度)形成为比其它色的像素(典型的是绿像素和红像素)小。

在图17(b)中，针对红(R)、绿(G)和蓝(B)各个表示γ特性的视野角依存性，可知蓝(B)的视野角依存性比红(R)和绿(G)大。这是由液晶层的延迟(双折射率)的波长分散引起。图17(b)表示将单元间隙(液晶层的厚度)对于R像素、G像素和B像素的全部都形成为3.4μm的情况下的灰度等级特性，但是通过仅将B像素的单元间隙形成为3.0μm，B像素的γ特性与其它色的像素的γ特性接近，作为整体，γ特性的视野角依存性被改善。

此外，如上所述，也可以在辅助电容的形成中使用G总线。

图18中示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置400A的等效电路。在液晶显示装置400A中，一个像素具有第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、SP-B和SP-C。第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、SP-B、SP-C和2个CS总线CS-A、CS-B被配置在相邻的2个G总线之间。在液晶显示装置400A中，G总线的数目与像素的行数对应，但是G总线不仅选择像素，而且与在列方向上相邻的像素的第三子像素SP-C的辅助电容连接。因此，各像素关联有2个G总线。

在图18中表示m行的像素，将m-1行的G总线和m行的G总线分别表示为G总线G(m-1)和G总线G(m)。第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、SP-B、SP-C的TFT-A、TFT-B、TFT-C的栅极电极与G总线G(m)连接。另外，虽然图18中未图示，但是同样地，m-1行的3个子像素的TFT的栅极电极与G总线G(m-1)连接。

液晶显示装置400A中的2个子像素SP-A和SP-B与TFT-A和TFT-B、G总线、S总线和2根相互电独立的CS总线之间的连接关系，与图4所示的液晶显示装置100A基本相同，因此为了内容简单而省略说明。第三个子像素SP-C按照以下所述方式连接。

第三子像素SP-C具有液晶电容CLC-C和辅助电容CCS-G(m-1)。液晶电容CLC-C的一个电极(子像素电极)与TFT-C的漏极电极连接，辅助电容CCS-G(m-1)的一个电极也与TFT-C的漏极电极连接。液晶电容CLC-C的另一个电极(相对电极)由与其它的液晶电容CLC-A、CLC-B共用的相对电极构成。辅助电容CCS-G(m-1)的另一个电极(辅助电容相对电极)与G总线G(m-1)连接。

第一子像素SP-A的液晶电容CLC-A通过辅助电容CCS-A受到基于CS总线CS-A的上拉(或者下压)的作用，另外，第二子像素SP-B的液晶电容CLC-B通过辅助电容CCS-B受到基于CS总线CS-B的下压(或者上拉)的作用。另一方面，G总线G(m)，当G总线G(m-1)成为断开状态后被选择，接着直到紧接着G总线G(m)被选择之前将G总线G(m-1)维持断开状态。此外，严格来说，当G总线G(m-1)被选择时第三子像素SP-C的液晶电容CLC-C受到上拉作用。但是，G总线G(m-1)被选择是在G总线G(m-1)被选择之后快要经过一垂直扫描期间之前，通过G总线G(m-1)的选择在受到上拉作用之后紧接着G(m)被选择，G总线G(m-1)被选择的期间与一垂直扫描相比非常短，所以可以说第三子像素SP-C的液晶电容CLC-C实质上没有受到基于G总线G(m-1)的作用。因此，施加在液晶电容CLC-C的有效电压成为施加在液晶电容CLC-A和液晶电容CLC-B的有效电压的中间的值。因此，当第一子像素SP-A成为暗子像素时，第二子像素SP-B成为亮子像素、第三子像素成为中子像素。如上所述，不需增加每1像素的CS总线的根数，就能够实现3VT结构。

另外，漏极引出配线，在接触部与第三子像素的子像素电极连接并且具有与栅极总线重叠的辅助电容电极。在液晶显示装置400A中，在用于选择列方向上相邻的像素的栅极总线旁边设置有第三子像素，因此能够缩短漏极引出配线的接触部与辅助电容电极之间的距离，使漏极引出配线的围绕简单。另外，能够在像素的中央配置亮子像素，由此，能够抑制粗糙感(shaggy)(不光滑感)的发生。

此外，上述的液晶显示装置的CS总线，与1个像素内的1个或者多个子像素的辅助电容连接，但是本发明并不限定于此。CS总线也可以与属于在列方向上相邻的2个像素的多个子像素的辅助电容连接。

图19中示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置400B的等效电路。在液晶显示装置400B中，CS总线(CS配线)的数目与像素的行数对应，1个CS总线对属于在列方向上相邻的2个像素的各个子像素的液晶电容赋予上拉或下压作用，各像素关联有2个CS总线。因此，液晶显示装置400B的CS总线的数目与图18所示的液晶显示装置400A相比较少。此外，在液晶显示装置400B中，在像素的中央配置有栅极总线，构成为所谓的中心栅极结构。

在此，关注m-1行的像素，m-1行的像素的第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、SP-B、SP-C配置在相邻的2个CS总线CS-A、CS-B之间。第三子像素SP-C具有液晶电容CLC-C和辅助电容CCS-G(m-2)。液晶电容CLC-C的一个电极(子像素电极)与TFT-C的漏极电极连接，辅助电容CCS-G(m-2)的一个电极也与TFT-C的漏极电极连接。液晶电容CLC-C的另一个电极(相对电极)，由与其它的液晶电容CLC-A、CLC-B共用的相对电极构成。辅助电容CCS-G(m-2)的另一个电极(辅助电容相对电极)与G总线G(m-2)连接。

第一子像素SP-A的液晶电容CLC-A通过辅助电容CCS-A受到基于CS总线CS-A的上拉(或者下压)的作用，另外，第二子像素SP-B的液晶电容CLC-B通过辅助电容CCS-B受到基于CS总线CS-B的下压(或者上拉)的作用。另一方面，G总线G(m-1)，在G总线G(m-2)成为断开状态之后被选择，接着直到紧接着G总线G(m-1)被选择之前将G总线G(m-2)维持断开状态，因此第三子像素SP-C的液晶电容CLC-C实质上不受到上拉(或者下压)的作用，被施加在液晶电容CLC-C的有效电压成为被施加在液晶电容CLC-A和液晶电容CLC-B的有效电压的中间的值。因此，当第一子像素SP-A成为亮子像素时，第二子像素SP-B成为暗子像素，第三子像素SP-C成为中子像素。

接着，关注m行的像素。m行的像素的第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、SP-B、SP-C被配置在相邻的2个CS总线CS-B、CS-C之间。第一子像素SP-A的液晶电容CLC-A通过辅助电容CCS-B受到基于CS总线CS-B的下压(或者上拉)的作用，另外，第二子像素SP-B的液晶电容CLC-B通过辅助电容CCS-C受到基于CS总线CS-C的上拉(或者下压)的作用。另一方面，G总线G(m)，在G总线G(m-1)成为断开状态之后被选择，接着直到紧接着G总线G(m)被选择之前将G总线G(m-1)维持断开状态，因此第三子像素SP-C的液晶电容CLC-C实质上不受到上拉(或者下压)的作用，被施加在液晶电容CLC-C的有效电压成为被施加在液晶电容CLC-A和液晶电容CLC-B的有效电压的中间的值。因此，当第一子像素SP-A成为亮子像素时，第二子像素SP-B成为暗子像素，第三子像素SP-C成为中子像素。

此外，m-1行的像素的第二子像素SP-B的液晶电容CLC-B和m行的像素的第一子像素SP-A的液晶电容CLC-A均受到基于CS总线CS-B的下压(或者上拉)的作用，液晶显示装置400B进行点反转驱动，当G总线G(m-1)被选择时供给到S总线的源极信号的极性，与G总线G(m)被选择时供给到S总线的源极信号的极性反转。因此，m-1行的像素的第二子像素SP-B成为暗子像素时，m行的像素的第一子像素SP-A成为亮子像素。

此外，图19中表示的中心栅极结构的液晶显示装置400B中，第三子像素的辅助电容与G总线连接，但是本发明并不限定于此。第三子像素的辅助电容也可以与2个CS总线连接。

图20(a)中表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置500A的TFT基板的示意性平面图。液晶显示装置500A为3分割结构的液晶显示装置。此外，为了参考，在图20(b)中表示2分割结构的液晶显示装置550的TFT基板的示意性平面图。

在液晶显示装置500A中，CS总线(CS配线)的数目与像素的行数对应，CS总线形成属于在列方向上相邻的2个像素的多个子像素的辅助电容，各像素关联有2个CS总线。另外，在该液晶显示装置500A中，源极总线在1个像素的列方向的中心延伸，栅极总线在行方向的中心延伸。如此一来液晶显示装置500A具有中心栅极结构。

液晶显示装置500A中的1个像素具有第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、SP-B、SP-C。第一子像素SP-A和第二子像素SP-B沿列方向排列。

第三子像素SP-C通过子像素电极111c规定。第三子像素SP-C的子像素电极111c跨越G总线，具有设置在比G总线更向+y方向的电极111c1、设置在比G总线更向-y方向的电极111c2和连接电极111c1、111c2的连接部111cc。电极111c1、111c2相对于第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B的子像素电极111a、111b沿行方向排列。此外，在此，电极111c1、111c2的行方向(x方向)的长度与子像素电极111a、111b大致相等。另外，连接部111cc的面积比电极111c1、111c2小，所以如果将其忽视，则第一子像素、第二子像素、第三子像素Sp-A、SP-B、SP-C的面积比大致为1∶1∶2。

第一子像素SP-A的液晶电容受到基于CS总线CS-A的上拉(或者下压)作用，第二子像素SP-B的液晶电容受到基于CS总线CS-B的下压(或者上拉)作用。相对于此，第三子像素SP-C的液晶电容，受到基于CS总线CS-A的上拉(或者下压)作用和基于CS总线CS-B的下压(或者上拉)作用两者。被施加在第三子像素SP-C的液晶电容的电压，比施加在第一子像素SP-A和第二子像素SP-B的液晶电容的电压的一方低，比另一方高。因此第三子像素成为中子像素，亮子像素、中子像素、暗子像素的面积的比大致成为1∶2∶1。

此外，CS总线CS-A，不仅对m行的像素的第一子像素SP-A的液晶电容，而且对m-1行的像素的第二子像素SP-B的液晶电容也赋予上拉(或者下压)作用，在液晶显示装置500A进行点反转驱动的情况下，m行的像素的第一子像素SP-A和m-1行的像素的第二子像素SP-B的一个成为亮子像素，另一个成为暗子像素。其结果是，观察第一子像素和第二子像素的列方向的排列时，暗子像素和亮子像素成为交替地排列。

在液晶显示装置500A中，由于S总线配置在像素的行方向的中心，能够缩短将在S总线附近设置的TFT的漏极电极和子像素电极连接的漏极引出配线，漏极引出配线与其它的配线不交叉。液晶显示装置500A的像素结构，与图20(b)所示的2分割结构的液晶显示装置550同样比较简单，能够在维持较高透过率的同时使成品率提高。另外，在2分割结构的液晶显示装置550中会发生粗糙感(不光滑感)，但是在液晶显示装置500A中第三子像素SP-C遍及像素的列方向的整体设置，能够抑制粗糙感(不光滑感)的发生。

另外，在进行图4所示的液晶显示装置100A的高速驱动的情况下，会发生横阴影。以下，参照图21说明常黑型的液晶显示装置中的横阴影的原因。液晶显示装置100A的CS总线与1个像素内的多个子像素的辅助电容连接。液晶显示装置100A以高速驱动显示低亮度(中间灰度)的背景显示部和具有与背景显示部同程度的低亮度的区域和夹在该区域中的高亮度的区域的窗口部时，如图21(a)所示，处于窗口部的左右的区域中会发生比本来的显示更高亮度的横阴影。

当对像素电极施加正极性的写入电压的情况下，栅极/漏极间电位随着像素电位的上升而降低，TFT的导通电阻渐渐上升。另一方面，当对像素电极施加负极性的写入电压的情况下，栅极/漏极间电位与像素电极的电位的降低无关而是一定的。像这样，根据写入电压的极性TFT的导通电阻发生变动，正极性写入时的导通电阻大，负极性写入时的导通电阻小，其结果是，像素充电时的正极性写入的像素充电速度比负极性写入慢。

另外，在像素充电时像素电极的电位发生变化，通过该变化，在CS信号电压重叠脉动电压。脉动电压根据TFT的导通电阻发生变动，脉动电压的极性根据写入电压的极性反转。在进行点反转驱动的情况下，对相邻的像素施加不同极性的写入电压。如上所述，根据写入电压的极性，TFT的导通电阻发生变动，像素电极的电位的变化速度不同，因而其结果是在CS信号电压重叠正极性的脉动电压。

在图21(b)中表示背景显示部的像素中相对于CS电压的脉动电压，以及相对电极电压、子像素电极电压和栅极电压的时间变化。此外，实际上CS电压随着时间发生变化，但是在此，表示将CS电压作为基准的脉动电压。被重叠在CS电压的脉动电压随着时间衰减，当栅极电压成为断开状态时，脉动电压几乎为零。因此，脉动电压实质上对像素电极电压没有影响。另一方面，如图21(c)所示，窗口部的像素写入电压的正负的振幅，由于是常黑型所以比背景显示部大。由此，由于窗口部的像素中的脉动电压变得比背景显示部高，所以在栅极电压成为断开时重叠于CS信号的脉动电压没有完全衰减，在栅极电压成为断开之后脉动电压也仍然发生衰减。因此，受到CS电压的影响的像素电极电压由于残存的脉动电压Vα导致电压Vβ程度的偏差。像这样，在窗口部中发生横阴影。

相对于此，在图20所示的液晶显示装置500A中，CS总线与属于在列方向上相邻的2个像素的子像素的辅助电容连接。因此，当对一个像素充电时另一个像素的电容作为平滑化电容发挥功能，脉动电压被抑制，作为结果，能够抑制横阴影的发生。

此外，在液晶显示装置500A中，亮子像素、中子像素、暗子像素的面积比为1∶1∶2，但是本发明并不限定于此。如上述参照图16和图17所述，从γ特性的视野角依存性的观点出发，优选亮子像素、中子像素、暗子像素的面积比为1∶1∶1。

图22中表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置300D的示意性平面图。在液晶显示装置300D的TFT基板的子像素电极中设置有狭缝，在相对基板的相对电极设置有肋。狭缝和肋按照使液晶分子在4个不同的方向取向的方式设置。

第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B由子像素电极111a、111b分别规定，第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B被排列在列方向(y方向)上。第三子像素SP-C的子像素电极111c具有电极111c1、电极111c2、和连接电极111c1、111c2的连接部111cc。电极111c1、111c2被排列在第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B的子像素电极111a、111b各自的行方向(x方向)上。电极111c1、111c2的行方向(x方向)的长度为子像素电极111a、111b的大致一半。另外，电极111c1、111c2通过连接部111cc电连接，但是连接部111cc的面积比较小，第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、SP-B、SP-C的面积比大致为1∶1∶1。

第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B具有TFT-A、TFT-B，第三子像素SP-C具有与电极111c1、111c2对应的TFT-C1、TFT-C2。TFT-C1、TFT-C2的栅极电极与TFT-A、TFT-B同样地与G总线连接，第三子像素SP-C为冗长结构。因此，例如即使用于设置第三子像素SP-C的子像素电极111c和漏极引出配线117c1、117c2的接触部119c1、119c2的接触孔的一个没有被充分地形成，也能够抑制成品率的降低。或者，即使TFT-C1、TFT-C2的一个动作不良，通过将动作不良的晶体管分离，仅使用另一个正常的TFT，也能够抑制成品率的降低。另外，关于TFT-A、TFT-B、TFT-C1、TFT-C2，源极配线从沿y方向延伸的源极总线开始沿x方向延伸，漏极电极设置在与源极电极相对的位置。

子像素的辅助电容主要通过子像素电极与CS总线的重叠形成。因此，不将漏极引出配线延伸也可以，抑制开口率的降低，而且不存在漏极引出配线发生断线的担忧。另外，这样的辅助电容的结构，当在CS总线和像素电极之间仅存在亚微米级的比较薄的层间绝缘膜的情况下适合。这是由于容易确保所希望的静电电容值。第一子像素SP-A的子像素电极111a的行方向(x方向)的长度与第二子像素SP-B的子像素电极111b相等，而且，子像素电极111a和CS总线CS-A的重叠宽度与子像素电极111b和CS总线CS-B的重叠宽度相等。因此，第一子像素SP-A的辅助电容CCS-A与第二子像素SP-B的辅助电容CCS-B大致相等。

另外，第三子像素SP-C的电极111c1、111c2各自的行方向(x方向)的长度为第一子像素SP-A的子像素电极111a的大致一半，第三子像素SP-C的辅助电容CCS-C1、CCS-C2分别为第一子像素SP-A的辅助电容CCS-A的大致一半。由于辅助电容CCS-C1、CCS-C2并联连接，所以第三子像素SP-C的辅助电容CCS-C1、CCS-C2的和与第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B的辅助电容CCS-A、CCS-B大致相等。

此外，在上述的说明中，第三子像素SP-C的电极111c1、111c2通过连接部111cc直接连接，但是本发明并不限定于此。电极111c1、111c2也可以通过TFT的漏极电极电连接。

图23中表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置300E的示意性平面图。在液晶显示装置300E中，第三子像素SP-C的子像素电极111c具有电极111c1、111c2，电极111c1和电极111c2没有直接连接。因此，1个像素具有相互分离的4个子像素电极111a、111b、111c1、111c2。

第三子像素SP-C的TFT-C的漏极电极与沿y方向延伸的S总线平行设置。电极111c1和111c2与共用的漏极电极电连接，电极111c1、111c2为等电位。另外，该漏极电极与G总线重叠，但是由于漏极电极的行方向(x方向)的长度比较短，所以寄生电容Cgd的增大被抑制。

在图24中表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置300F的示意性平面图。在液晶显示装置300F中，第三子像素SP-C的子像素电极111c具有电极111c1、电极111c2和连接电极111c1、111c2的连接部111cc。连接部111cc与G总线重叠，但是连接部111cc的面积与电极111c1、111c2的面积比较小很多，第三子像素电极SP-C的寄生电容Cgd的增大被抑制。

但是，严格来说，与G总线重叠的连接部111cc导致第三子像素SP-C的寄生电容Cgd增大。在液晶显示装置300F中，虽然设置有与电极111c1对应的TFT-C，但是没有设置与电极111c2对应的TFT，TFT-C的漏极电极的面积比TFT-A、TFT-B的漏极电极的面积小。由此，第三子像素SP-C的寄生电容Cgd的增大被抑制。Cgd比表示为寄生电容Cgd/(子像素电容)，该子像素电容主要由液晶电容Clc和辅助电容CCS构成。第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、SP-B、SP-C的Cgd比显著不同时，因Cgd比导致的馈通电压显著不同，发生闪烁。在液晶显示装置300F中，通过抑制第三子像素SP-C的寄生电容Cgd，第一子像素、第二子像素、第三子像素Sp-A、SP-B、SP-C的Cgd比大致相等，能够抑制闪烁的发生。

图25表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置500B的TFT基板的示意性平面图。

S总线具有第一源极配线S1，和从第一源极配线S1分支的第二源极配线S2，与各像素相关联的S总线分支为配线S1、S2。第一子像素SP-A具有TFT-A1和TAT-A2，TAT-A1、TAT-A2的源极电极分别与第一、第二源极配线S1、S2连接。同样地，第二子像素SP-B具有TFT-B1和TFT-B2，TAT-B 1和TAT-B2的源极电极分别与第一、第二源极配线S1、S2连接。像这样，第一子像素SP-A和第二子像素SP-B成为冗长结构。另外，如上所述那样，由于第一子像素SP-A和第二子像素SP-B的一个成为对显示造成较大影响的亮子像素，因此通过第一子像素SP-A和第二子像素SP-B具有冗长结构，能够抑制成品率降低。

第三子像素SP-C具有以夹着第一子像素SP-A和第二子像素SP-B的方式配置的第一区域和第二区域。第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B和第三子像素SP-C的第一区域之间设置有第一源极配线S1，第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B和第三子像素SP-C的第二区域之间设置有第二源极配线S2。

第三子像素SP-C具有与第一区域对应的子像素电极111ca、和与第二区域对应的子像素电极111cb。在第三子像素SP-A的子像素电极111ca和子像素电极111cb之间，配置有第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B的子像素电极111a、111b。子像素电极111ca具有电极111ca1、电极111ca2和连接电极111ca1、111ca2的连接部111cca。另外，子像素电极111cb具有电极111cb1、电极111cb2和连接电极111cb1、111cb2的连接部111ccb。

另外，第三子像素SP-C的电极111ca1、111ca2、111cb1、111cb2的行方向(x方向)的长度为第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B的子像素电极111a、111b的大致1/4，电极111ca1、111ca2、111cb1、111cb2的列方向(y方向)的长度为子像素电极111a、111b的大致2倍。因此，子像素电极111ca、111cb的面积为子像素电极111a、111b的一半，第一子像素、第二子像素、第三子像素的面积比大致为1∶1∶1。

与第三子像素SP-C的电极111ca1、111ca2、111cb1、111cb2分别相对应设置有TFT-Ca1、TFT-Ca2、TFT-Cb1、TFT-Cb2，子像素电极111ca、111cb中分别设置有2个TFT，为冗长结构。像这样在液晶显示装置500B中，相互分离的子像素电极111a、111b、111ca、111cb全部都具有冗长结构。

另外，在液晶显示装置500B中，在被供给不同的源极信号的列方向上相邻的2个S总线之间，设置有不同像素的第三子像素的子像素电极111ca和111cb，抑制S总线的短路。此外，在图25中，为了便于理解，在液晶显示装置500B内源极配线被分支，但是也可以对2个源极配线供给等效的源极信号。

图26表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置500C的TFT基板的示意性平面图。子像素电极111ca的连接电极111ca1、111ca2的连接部111cca与G总线重叠，子像素电极111ca、111cb的寄生电容Cgd增大。在液晶显示装置500C中，虽然设置有与子像素电极111ca、111cb的点击111ca1、111cb1对应的TFT-Ca、TFT-Cb，但是没有设置与电极111ca2、111cb2对应的TFT。像这样，在液晶显示装置500C中，减少与第三子像素SP-C的子像素电极111ca、111cb对应的TFT的数目，使与子像素电极111ca、111cb对应的TFT-Ca、TFT-Cb的漏极电极的面积比与子像素电极111a、111b对应的TFT的漏极电极的面积的和小，由此将由连接部111cca、111ccb与G总线的重叠导致的寄生电容Cgd的增大抵消。子像素电极111a、111b、111ca、111cb的Cgd比显著不同时，Cgd比导致的馈通电压显著不同，而发生闪烁，但是在液晶显示装置500C中，通过抑制子像素电极111ca、111cb的寄生电容Cgd，使子像素电极111a、111b、111ca、111cb的Cgd比大致相等，抑制闪烁的发生。

此外，图25和图26所示的液晶显示装置500B、500C中S总线被分支，与此相对，图22、图23和图24中表示的液晶显示装置300D、300E、300F中S总线没有被分支。因此，液晶显示装置300D、300E、300F中的开口率能够比液晶显示装置500B、500C高。

此外，在上述的说明中，多个子像素中的至少2个子像素(或者其一部分)沿行方向(x方向)排列，但是本发明并不限定于此，。属于1个像素的全部的子像素也可以排列在列方向(y方向)上。

图27中示意性表示液晶显示装置500D1的1像素的等效电路。液晶显示装置500D1中1个像素具有第一子像素SP-A、第二子像素SP-B、第三子像素SP-C。第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B分别具有TFT-A、TFT-B，第三子像素SP-C具有2个TFT-C 1、TFT-C2。

图27表示m行的像素的等效电路。m行的栅极总线Gm具有栅极配线Gm1和栅极配线Gm2，栅极配线Gm1、Gm2在液晶显示装置内相互连接。栅极配线Gm1与第一子像素SP-A的TFT-A和第三子像素SP-C的TFT-C1的栅极电极连接，栅极配线Gm2与第二子像素SP-B的TFT-B和第三子像素SP-C的TFT-C2的栅极电极连接。第三子像素SP-C的2个TFT-C1、TFT-C2与被供给等效的栅极信号的2个栅极配线Gm1、Gm2连接，第三子像素SP-C为冗长结构。

第一子像素SP-A具有液晶电容CLC-A和辅助电容CCS-A，第二子像素SP-B具有液晶电容CLC-B和辅助电容CCS-B。另外，第三子像素SP-C具有液晶电容CLC-C和辅助电容CCS-A1、CCS-B1。在此，辅助电容CCS-A1的静电电容值与辅助电容CCS-B1的静电电容值大致相等。

图28表示液晶显示装置500D1的TFT基板的示意性平面图。在液晶显示装置500D1中，第三子像素SP-C排列在第一子像素SP-A和第二子像素SP-B之间，第一子像素、第二子像素和第三子像素SP-A、SP-B、SP-C在相邻的2个CS总线CS-A、CS-B之间沿列方向排列。第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、SP-B、SP-C的面积比为1∶1∶1。

图28中表示2个栅极配线Gm1、Gm2，如图27所示，对栅极配线Gm1、Gm2供给等效的栅极信号。另外，CS总线(CS配线)的数目与像素的行数对应，1个CS总线对属于在列方向上相邻的2个像素的子像素各自的液晶电容赋予上拉或者下压作用，各像素关联有2个CS总线。

第三子像素SP-C的2个TFT-C1、TFT-C2的漏极电极与漏极引出配线117c1、117c2电连接。漏极引出配线117c1、117c2从TFT-C1、TFT-C2的漏极电极通过接触部119c1、119c2延伸到辅助电容电极。漏极引出配线117c1、117c2在接触部119c1、119c2与子像素电极111c连接，漏极引出配线117c1、117c2的辅助电容电极与CS总线CS-A、CS总线CS-B的辅助电容相对电极分别形成辅助电容。漏极引出配线117c1、117c2与G总线平行地沿行方向(x方向)延伸后，朝向CS总线CS-A、CS-B沿列方向(y方向)延伸，缩短漏极引出配线117c1、117c2，使第三子像素SP-C的开口率提高。

第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B的漏极引出配线117a、117b与G总线不交叉，与此相对，第三子像素SP-C的漏极引出配线117c1、117c2与G总线交叉，在这一方面，第三子像素SP-C的寄生电容Cgd与第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B相比增大。在液晶显示装置500D1中，以与第三子像素SP-C的寄生电容Cgd的增大相抵消的方式，使第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B的TFT-A、TFT-B的漏极电极的面积比第三子像素SP-C的TFT-C1、TFT-C2的漏极电极的面积大。由此，第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、SP-B、SP-C的Cgd比大致相等，使漏极电压的馈通电压对于每一个子像素大致相等，能够抑制显示品质的降低。

第三子像素SP-C的漏极引出配线117c1、117c2的一部分，按照与第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B的子像素电极111a、111b重叠，但是漏极引出配线117c1、117c2中面积较大的辅助电容电极与子像素电极111a、111b不重叠的方式设置。因此，由第三子像素SP-C的影响导致第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B的液晶电容的电压的偏差被抑制。

在相互相邻的子像素电极和S总线之间形成寄生电容Csd。在进行点反转驱动的情况下，对相邻的2个S总线供给极性不同的源极信号。在该情况下，子像素电极111a、111b、111c各自的沿列方向(y方向)延伸的2边的长度大致相等，由此2个S总线与子像素电极的寄生电容Csd大致相等，能够将2个寄生电容Csd对液晶电容的电压造成的影响抵消，能够抑制显示品质的降低。

第一子像素SP-A的辅助电容CCS-A由CS配线CS-A和辅助电容电极118a形成，第二子像素SP-B的辅助电容CCS-B由CS配线CS-B和辅助电容电极118b形成。第三子像素SP-C的辅助电容CCS-A1由Cs配线CS-A和辅助电容电极118c1形成，辅助电容CCS-B 1由CS配线CS-B和辅助电容电极118c2形成。辅助电容电极118a、118b、118c1、118c2以与CS配线CS-A、CS-B重叠的方式设置。另外，辅助电容的静电电容值由辅助电容电极的面积规定。在此，辅助电容电极118a、118b的面积相互相等，辅助电容电极118c1、118c2的面积相互相等。

另外，在液晶显示装置500D1中，通过在2个CS总线CS-A、CS-B之间贯通2个栅极配线，实现3分割结构。在液晶显示装置500D1中，CS总线与属于在列方向上相邻的2个像素的多个子像素的辅助电容连接，当像素充电时在列方向上相邻的像素的电容作为平滑化电容发挥功能，因此能够抑制脉动电压的增加，其结果是能够抑制横阴影的发生。

图29中示意性表示液晶显示装置500D2的1像素的等效电路。在液晶显示装置500D2中，1个像素具有第一子像素SP-A、第二子像素SP-B和第三子像素SP-C。第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、SP-B、SP-C分别具有TFT-A、TFT-B、TFT-C。

图29表示m行n列和m行n+1列的像素的等效电路。m行的栅极总线Gm具有栅极配线Gm1和栅极配线Gm2，栅极配线Gm1、Gm2在液晶显示装置内相互连接。对于m行n列的像素，栅极配线Gm1与第一子像素SP-A的TFT-A和第三子像素SP-C的TFT-C的栅极电极连接，栅极配线Gm2与第二子像素SP-B的TFT-B的栅极电极连接。另外，对于m行n+1列的像素，栅极配线Gm1与第一子像素SP-A的TFT-A连接，栅极配线Gm2与第二子像素SP-B的TFT-B和第三子像素SP-C的TFT-C的栅极电极连接。

对于m行n列和m行n+1列的各个像素，第一子像素SP-A具有液晶电容CLC-A和辅助电容CCS-A，第二子像素SP-B具有液晶电容CLC-B和辅助电容CCS-B。另外，第三子像素SP-C具有液晶电容CLC-C和辅助电容CCS-A1、CCS-B1。在此，辅助电容CCS-A1的静电电容值与辅助电容CCS-B1的静电电容值大致相等。

图30中表示液晶显示装置500D2的TFT基板的示意性平面图。在液晶显示装置500D2中，第三子像素SP-C排列在第一子像素SP-A和第二子像素SP-B之间，第一子像素、第二子像素和第三子像素SP-A、SP-B、SP-C，在相邻的2个CS总线CS-A、CS-B之间沿列方向排列。第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、SP-B、SP-C的面积比为1∶1∶1。

图30中表示2个栅极配线Gm1、Gm2，但是如图29所示，对栅极配线Gm1、Gm2供给等效的栅极信号。另外，CS总线(CS配线)的数目与像素的行数对应，1个CS总线对属于在列方向上相邻的2个像素的子像素各自的液晶电容赋予上拉或下压作用，各像素关联有2个CS总线。

第三子像素SP-C的TFT-C的漏极电极与漏极引出配线117c电连接。漏极引出配线117c从TFT-C的漏极电极通过接触部119c延伸至辅助电容电极。漏极引出配线117c在接触部119c中与子像素电极111c连接，漏极引出配线117c的辅助电容电极与CS总线CS-A、CS总线CS-B的辅助电容相对电极分别形成辅助电容。漏极引出配线117c与G总线平行地沿行方向(x方向)延伸后，朝向CS总线CS-A、CS-B沿列方向(y方向)延伸。

第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B的漏极引出配线117a、117b与栅极配线Gm1、Gm2不交叉，与此相对，第三子像素SP-C的漏极引出配线117c与栅极配线Gm1、Gm2交叉。第三子像素SP-C的漏极引出配线117c的一部分，按照与第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B的子像素电极111a、111b重叠，但是漏极引出配线117c中面积较大的辅助电容电极与子像素电极111a、111b不重叠的方式设置。因此，由第三子像素SP-C的影响导致第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B的液晶电容的电压的偏差被抑制。

在相互相邻的子像素电极和S总线之间形成寄生电容Csd。在进行点反转驱动的情况下，对相邻的2个S总线供给极性不同的源极信号。在该情况下，使子像素电极111a、111b、111c各自的沿列方向(y方向)延伸的2边的长度大致相等，由此2个S总线和子像素电极的寄生电容Csd大致相等，2个寄生电容Csd对液晶电容的电压造成的影响能够相互抵消，能够抑制显示品质的降低。

第一子像素SP-A的辅助电容CCS-A由CS配线CS-A和辅助电容电极118a形成，第二子像素SP-B的辅助电容CCS-B由CS配线CS-B和辅助电容电极118b形成。第三子像素SP-C的辅助电容CCS-A1由CS配线CS-A和辅助电容电极118c1形成，辅助电容CCS-B 1由CS配线CS-B和辅助电容电极118c2形成。辅助电容电极118a、118b、118c1、118c2以与CS配线CS-A、CS-B重叠的方式设置。另外，辅助电容的静电电容值由辅助电容电极的面积规定。在此，辅助电容电极118a、118b的面积相互相等，辅助电容电极118c1、118c2的面积相互相等。

各像素沿列方向依次排列有第一子像素SP-A、第三子像素SP-C、第二子像素SP-B。进行点反转驱动，m行n列的像素的第一子像素SP-A、第三子像素SP-C、第二子像素SP-B分别成为亮子像素、中子像素、暗子像素时，m行n+1列的像素的第一子像素SP-A、第三子像素SP-C、第二子像素SP-B分别成为暗子像素、中子像素、亮子像素。

在液晶显示装置500D2中，与图27和图28所示的液晶显示装置500D1不同，第三子像素SP-C的TFT-C为1个，由此，G总线的负载降低。此外，对于m行n列的像素，TFT-C的栅极电极与栅极配线Gm1连接，与此相对，对于m行n+1列的像素，TFT-C的栅极电极与栅极配线Gm2连接。像这样，在行方向上相邻的各个像素中第三子像素的TFT-C的栅极电极交替地与栅极配线连接，由此能够使栅极配线Gm1、Gm2的负载大致相等。另外，在行方向上相邻的各个像素中第三子像素的TFT-C的栅极电极不交替地与栅极配线连接也可以，在行方向上相邻的每多个像素与栅极配线Gm1、Gm2连接的第三子像素的TFT-C的数目相等也可以。此外，第三子像素的TFT-C的栅极电极与同一栅极配线连接的像素的数目非常大时(例如为几百时)，栅极信号的脉冲钝化，有可能像素充电率产生差异。

另外，在液晶显示装置500D1、500D2中，在2个CS总线CS-A、CS-B之间贯通2个栅极配线，由此实现3分割结构。液晶显示装置500D1、500D2中，CS总线与属于在列方向上相邻的2个像素的多个子像素的辅助电容连接，在像素充电时在列方向上相邻的像素的电容作为平滑化电容发挥功能，因此能够抑制脉动电压的增加，其结果是能够抑制横阴影的发生。

此外，在图27～图30所示的液晶显示装置500D1、500D2中，在各像素中贯通有2个栅极配线，但是本发明并不限定于此。贯通各像素的栅极配线也可以是一根。

以下，参照图31和图32，表示液晶显示装置500E中的TFT基板的示意性平面图。液晶显示装置500E中的1个像素具有第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、SP-B、SP-C。在此第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、SP-B、SP-C的面积比也大致为1∶1∶1。

第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、SP-B、SP-C在2个CS总线CS-A、CS-B之间沿列方向(y方向)排列。另外，CS总线CS-A、CS-B分别与属于列方向上相邻的2个像素的多个子像素的辅助电容连接，如上所述，横阴影的发生被抑制。

第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B分别具有TFT-A、TFT-B，第三子像素SP-C具有2个TFT-C1、TFT-C2。TFT-A、TFT-B、TFT-C1、TFT-C2的栅极电极与G总线连接。第三子像素SP-C具有冗长结构。

TFT-A和TFT-C1的栅极电极一体地设置，形成栅极电极部G1E，TFT-B和TFT-C2的栅极电极一体地设置，形成栅极电极部G2E。栅极电极部G1E、G2E为L字状，与沿行方向(x方向)延伸的G总线连接。TFT-A、TFT-B的栅极电极不仅与栅极电极部G1E、G2E重叠也与G总线重叠，因而TFT-A、TFT-B的漏极电极即使相对于栅极电极部G1E、G2E沿列方向(y方向)稍微偏移配置，也能够抑制寄生电容Cgd的偏差。

第三子像素SP-C跨越沿行方向(x方向)延伸的G总线。第三子像素SP-C的子像素电极111c具有相对于G总线在+y方向设置的电极111c1、相对于G总线在-y方向设置的电极111c2、和连接电极111c1、111c2的连接部111cc。连接部111cc的行方向(x方向)的长度比电极111c1、111c2短，由此抑制寄生电容Cgd的增大。

但是，第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B的子像素电极111a、111b和漏极引出配线117a、117b不与G总线重叠，与此相对，第三子像素SP-C的子像素电极111c的连接部111cc与G总线重叠，第三子像素SP-C的寄生电容Cgd增大。因此，按照使第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B的TFT-A、TFT-B的漏极电极的面积比第三子像素SP-C的TFT-C1、C2的漏极电极的面积大，并且第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B的TFT-A、TFT-B的漏极电极不仅与栅极电极部G1E、G2E重叠而且与G总线重叠的方式设置，由此，使第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B的寄生电容Cgd增大。因此，能够容易地调整第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、SP-B、SP-C的Cgd比，其结果是，漏极电压的馈通电压大致相等，能够抑制显示品质的降低。

漏极引出配线117c1、117c2在各接触部119c1、119c2中与第三子像素的TFT-C1、TFT-C2的漏极电极和子像素电极111c电连接。另外，漏极引出配线117c1、117c2的辅助电容电极与CS总线CS-A、CS总线CS-B分别形成辅助电容。第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B的子像素电极111a、111b按照与漏极引出配线117c1、117c2和CS总线CS-A、CS-B的重叠区域不重叠的方式构成。由此，能够抑制第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B的液晶电容的电压被第三子像素SP-C影响。

子像素电极111c的连接部111cc与G总线重叠，但是为了防止它们短路，设置有由有机膜构成的2～3μm左右的层间绝缘膜。像这样，通过设置比较厚的层间绝缘膜，寄生电容Cgd的增大被抑制。当然，也可以较厚地形成由例如SiN_x等无机膜构成的层间绝缘膜，但是如果是有机膜则能够利用涂布法(涂敷)形成，所以与利用气相生长法等形成的无机膜相比能够容易地形成较厚的膜。

另外，S总线沿列方向(y方向)延伸，子像素电极111a、111b的沿列方向(y方向)的2个边的长度大致相等。因此，如上所述，能够将子像素电极111a、111b和S总线之间的寄生电容Csd对第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B的液晶电容造成的影响相互抵消，能够抑制显示品质的降低。此外，在图32中子像素电极111c的连接部111cc设置在相邻的2个S总线中的一个的附近，但是也可以设置在2个S总线的中间的位置。在该情况下，由于连接部111cc和各S总线的距离变长，所以连接部111cc和S总线的辅助电容Csd的增大被抑制，能够使S总线与子像素SP-C的寄生电容Csd大致相等。

此外，上述的液晶显示装置中，G总线、CS总线由1个栅极配线、CS配线分别构成，但是本发明并不限定于此。

图33示意性地表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置600A的1像素的等效电路。液晶显示装置600A中的1个像素具有第一子像素SP-A、第二子像素SP-B和第三子像素SP-C。各子像素关联有1个G总线、1个S总线和2个CS总线。

在图33中表示m行的像素，m行的G总线Gm具有栅极配线Gm1、栅极配线Gm2、和与栅极配线Gm1、Gm2连接的连接配线Gm3。对栅极配线Gm1和栅极配线Gm2供给等效的栅极信号。

CS总线CS-A具有CS配线CS-A1、CS配线CS-A2、和与CS配线CS-A1、CS-A2连接的连接配线CS-A3，对CS配线CS-A1和CS配线CS-A2供给等效的CS信号。同样地，CS总线CS-B具有CS配线CS-B1、CS配线CS-B2、和与CS配线CS-B1、CS-B2连接的连接配线CS-B3，对CS配线CS-B1和CS配线CS-B2供给等效的CS信号。

第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B分别具有TFT-A、TFT-B，第三子像素SP-C具有TFT-C1、TFT-C2。TFT-C1、TFT-C2的栅极电极与被供给栅极信号的栅极配线Gm1、Gm2连接，第三子像素SP-C具有冗长结构。

第一子像素SP-A具有液晶电容CLC-A和辅助电容CCS-A1，第二子像素SP-B具有液晶电容CLC-B和辅助电容CCS-B2。另外，第三子像素SP-C具有液晶电容CLC-C和辅助电容CCS-A2a、CCS-B1a。在此，辅助电容CCS-A2a的静电电容值与辅助电容CCS-B1a的静电电容值大致相等。

第一子像素SP-A的液晶电容CLC-A受到基于CS配线CS-A1的上拉(或者下压)作用，第二子像素SP-B的液晶电容CLC-B受到基于CS配线CS-B2的下压(或者上拉)作用。另外，第三子像素SP-C的液晶电容CLC-C受到基于CS配线CS-A2的上拉(或者下压)作用和基于CS配线CS-B1的下压(或者上拉)作用的两方。因此，当第一子像素成为亮子像素时，第二子像素成为暗子像素，第三子像素成为中子像素。

图34中表示液晶显示装置600A的TFT基板的示意性平面图。图34中，表示出显示红色的R像素、显示绿色的G像素和显示蓝色的B像素，R、G、B像素沿行方向(x方向)排列。

CS配线CS-A1、CS-A2、CS-B1、CS-B2通过与G总线以相同工序形成。G总线和CS配线CS-A1、CS-A2、CS-B1、CS-B2总称为栅极金属(栅极层)。另外，连接配线CS-A3、CS-B3通过与S总线以相同工序形成。S总线和连接配线CS-A3、CS-B3总称为源极金属(源极层)。在栅极金属和源极金属之间设置有绝缘层，连接配线CS-A3通过接触孔连接CS配线CS-A1、CS-A2，连接配线CS-B3通过接触孔连接CS配线CS-B1、CS-B2。

关注栅极层，沿列方向(y方向)，依次排列有CS配线CS-A1、栅极配线Gm1、CS配线CS-B1、CS配线CS-A2、栅极配线Gm2、CS配线CS-B2，CS配线CS-A1、CS-A2以夹着栅极配线Gm1的方式配置，CS配线CS-B1、CS-B2以夹着栅极配线Gm2的方式配置。CS总线CS-A、CS-B分别具有通过与S总线以相同工序形成的连接配线CS-A3、CS-B3，能够使G总线Gm与CS总线CS-A、CS-B不发生短路地形成CS总线CS-A、CS-B。

另外，由于将第三子像素SP-C配置在像素的中央，第三子像素SP-C容易与被施加相互不同相位的CS信号的CS配线CS-A2、CS-B1形成辅助电容。另外，能够缩短漏极引出配线，抑制开口率的降低。

第三子像素SP-C具有与被供给等效的栅极信号的栅极配线Gm1、Gm2分别连接的TFT-C1、TFT-C2，第三子像素SP-C具有冗长结构。第三子像素SP-C的子像素电极111c设置在栅极配线Gm1、Gm2之间。此外，在图34中，以容易理解的方式表示第三子像素SP-C的子像素电极111c与CS配线CS-A2、CS-B1的重叠，但是参照图16和图17如上所述那样，从γ特性的视野角依存性的观点出发，优选亮子像素、中子像素、暗子像素的面积比为1∶1∶1。另外，液晶显示装置600A进行点反转驱动，当沿行方向看时，暗子像素与亮子像素相邻配置，中子像素与中子像素相邻配置。

此外，在上述的说明中，液晶显示装置中的各像素具有3个子像素，但是本发明并不限定于此。各像素也可以具有4个以上的子像素。

图35中示意性表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置600B的1像素的等效电路。液晶显示装置600B中的1个像素具有第一子像素SP-A、第二子像素SP-B、第三子像素SP-C和第四子像素SP-D。

图35中表示m行的像素，m行的G总线Gm具有栅极配线Gm1、栅极配线Gm2、和与栅极配线Gm1、Gm2连接的连接配线Gm3。对栅极配线Gm1和栅极配线Gm2供给等效的栅极信号。

CS总线CS-A具有CS配线CS-A1、CS配线CS-A2、和与CS配线CS-A1、CS-A2连接的连接配线CS-A3。对CS配线CS-A1和CS配线CS-A2供给等效的CS信号。同样地，CS总线CS-B具有CS配线CS-B1、CS配线CS-B2、和与CS配线CS-B1、CS-B2连接的连接配线CS-B3。对CS配线CS-B1和CS配线CS-B2供给等效的CS信号。

第一子像素SP-A具有液晶电容CLC-A和辅助电容CCS-A1，第二子像素SP-B具有液晶电容CLC-B和辅助电容CCS-B2。另外，第三子像素SP-C具有液晶电容CLC-C和辅助电容CCS-A2a、CCS-B1a，第四子像素SP-D具有液晶电容CLC-D和辅助电容CCS-A2b、CCS-B1b。

第一子像素SP-A的液晶电容受到基于CS总线CS-A的上拉(或者下压)作用，第二子像素SP-B受到基于CS总线CS-B的下压(或者上拉)作用。另外，第三子像素、第四子像素SP-C、SP-D的液晶电容均受到基于CS总线CS-A的上拉(或者下压)作用和基于CS总线CS-B的下压(或者上拉)作用。但是，相对于第三子像素SP-C的液晶电容，基于CS总线CS-A的上拉(或者下压)作用比基于CS总线CS-B的下压(或者上拉)作用大。另一方面，相对于第四子像素SP-D的液晶电容，基于CS总线CS-B的下压(或者上拉)作用比基于CS总线CS-A的上拉(或者下压)作用大。

像这样，液晶显示装置600B具有4分割(4VT)结构。此外，第三子像素SP-C的辅助电容CCS-B1a和辅助电容CCS-A2a的差，与第四子像素SP-D的辅助电容CCS-B1b和辅助电容CCS-A2b的差几乎相等时，第三子像素SP-C的液晶电容CLC-C与第四子像素SP-D的液晶电容CLC-D变为相等，液晶显示装置600B进行与3VT结构的液晶显示装置同样的显示。

图36表示液晶显示装置600B的TFT基板的示意性平面图。液晶显示装置600B的第三子像素SP-C和第四子像素SP-D配置在与图34所示的液晶显示装置600A的第三子像素SP-C对应的位置。第三子像素、第四子像素SP-C、SP-D的子像素电极111c、111d的边界线至少朝向2个不同的方向，该边界线作为用于液晶分子取向的狭缝发挥功能。

第一子像素SP-A的辅助电容CCS-A1由CS配线CS-A1和辅助电容电极118a形成，第二子像素SP-B的辅助电容CCS-B2由CS配线CS-B2和辅助电容电极118b形成。第三子像素SP-C的辅助电容CCS-A2a由CS配线CS-A2和辅助电容电极118c1形成，辅助电容CCS-B1a由CS配线CS-B1和辅助电容电极118c2形成。另外，第四子像素SP-D的辅助电容CCS-A2b由CS配线CS-A2和辅助电容电极118d1形成，辅助电容CCS-B1b由CS配线CS-B1和辅助电容电极118d2形成。

辅助电容电极118a、118b、118c1、118c2、118d1、118d2按照与CS配线CS-A1、CS-A2、CS-B1、CS-B2重叠的方式设置，在此，辅助电容的静电电容值由辅助电容电极的面积规定。辅助电容电极118a、118b、118c1、118c2、118d1、118d2通过与S总线以相同工序形成。

在此，关注第三子像素SP-C时，辅助电容电极118c1的面积比辅助电容电极118c2的面积大，辅助电容CCS-A2a的静电电容值比辅助电容CCS-B1a的静电电容值大。另外，当关注第四子像素SP-D时，辅助电容电极118d2的面积比辅助电容电极118d1的面积大，辅助电容CCS-B1b的静电电容值比辅助电容CCS-A2b的静电电容值大。因此，第一子像素成为亮子像素，第二子像素成为暗子像素的情况下，第三子像素成为中亮子像素，第四子像素成为中暗子像素。在此，将4个子像素中第二亮的子像素称为“中亮子像素”，将4个子像素中第二暗的子像素(即、第三亮的子像素)称为“中暗子像素”。另外，液晶显示装置600B进行点反转驱动，与亮子像素在行方向上相邻的子像素成为暗子像素，与中亮子像素在行方向上相邻的子像素成为中暗子像素。

此外，在上述说明中，1个CS总线具有2个CS配线，但是本发明并不限定于此。

图37示意性地表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置600C的1像素的等效电路。S总线具有第一源极配线S1、和从第一源极配线S1分支的第二源极配线S2。第一源极配线S1与第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、SP-B、SP-C的TFT-A、TFT-B、TFT-C的源极电极连接，第二源极配线S2与第四子像素SP-D的TFT-D的源极电极连接。

第一子像素SP-A的液晶电容CLC-A受到基于CS总线CS-A的上拉(或者下压)作用，第二子像素SP-B的液晶电容CLC-B受到基于CS总线CS-B的下压(或者上拉)作用。相对于此，第三子像素、第四子像素SP-C、SP-D的液晶电容CLC-C、CLC-D分别受到基于CS总线CS-A的上拉(或者下压)作用和基于CS总线CS-B的下压(或者上拉)作用的两方。但是，对于第三子像素SP-C，与CS总线CS-A形成的辅助电容CCS-C1的静电电容值，比与CS总线CS-B形成的辅助电容CCS-C2的静电电容值大。另一方面，对于第四子像素SP-C，与CS总线CS-B形成的辅助电容CCS-D2的静电电容值，比与CS总线CS-A形成的辅助电容CCS-D1的静电电容值大。因此，相对于第三子像素SP-C的液晶电容CLC-C，基于CS总线CS-A的上拉(或者下压)作用比基于CS总线CS-B的下压(或者上拉)作用大，而且，相对于第四子像素SP-D的液晶电容CLC-D，基于CS总线CS-B的下压(或者上拉)作用比基于CS总线CS-A的上拉(或者下压)作用大。

利用与CS总线CS-A、CS-B对应的2个辅助电容的静电电容值的差，在第三子像素SP-C中基于CS总线CS-A的上拉(或者下压)效果处于优势，在第四子像素SP-D中基于CS总线CS-B的下压(或者上拉)效果处于优势。此外，对于第一子像素SP-A与CS总线CS-A连接的辅助电容CCS-A，与对于第二子像素与CS总线CS-B连接的辅助电容CCS-B大致相等。

像这样，液晶显示装置600C具有4VT结构。此外，为了便于理解，在图37中表示S总线的被分支的2个配线，但是也可以设置被供给等效的源极信号的2个源极配线。

在此，参照图37和图38，说明被供给到液晶显示装置600C的信号。在图38所示的信号波形图中表示出对G总线供给的Gate信号、对CS总线CS-A供给的CS信号VCS-A、对CS总线CS-B供给的CS信号VCS-B、施加于第一子像素SP-A的液晶电容CLC-A的电压VClc-A、施加于第二子像素SP-B的液晶电容CLC-B的电压VClc-B，施加于第三子像素SP-C的液晶电容CLC-C的电压VClc-C，施加于第四子像素SP-D的液晶电容CLC-D的电压VClc-D。另外，在此，像素的施加电压的波形中的点划线表示子像素电极的有效电压。

第三子像素SP-C的液晶电容CLC-C中CS总线CS-A造成的影响处于优势，第四子像素SP-D的液晶电容CLC-D中CS总线CS-B造成的影响处于优势。另外，如根据该图38所理解的那样，有效电压按照第一子像素SP-A、第三子像素SP-C、第四子像素SP-D、第二子像素SP-B的顺序降低，第一、第二、第三子像素、第四子像素SP-A、SP-B、SP-C、SP-D分别成为亮子像素、暗子像素、中亮子像素、中暗子像素。另外，进行典型的点反转驱动，在每一垂直扫描期间信号电压的极性反转，并且，在行方向和列方向上相邻的像素间的极性相反，但是亮度次序不发生变化。此外，图38所示的信号，在图35中表示的液晶显示装置600B中也相同。

图39表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置600C1的TFT基板的示意性平面图。液晶显示装置600C1中的1个像素具有第一子像素SP-A、第二子像素SP-B、第三子像素SP-C和第四子像素SP-D。第一子像素SP-A和第二子像素SP-B沿列方向(y方向)排列，以沿行方向(x方向)夹着第一子像素SP-A和第二子像素SP-B的方式排列第三子像素SP-C和第四子像素SP-D。

第一、第二、第三子像素、第四子像素SP-A、SP-B、SP-C、SP-D分别由子像素电极111a、111b、111c、111d规定。子像素电极111a、111b、111c、111d的行方向(x方向)的长度大致相等，子像素电极111a、111b的列方向(y方向)的长度为子像素电极111c、111d的大约一半。因此，第一子像素、第二子像素、第三子像素、第四子像素SP-A、SP-B、SP-C、SP-D的面积比为1∶1∶2∶2。

另外，第一子像素SP-A和第二子像素SP-B分别具有TFT-A、TFT-B，与此相对，第三子像素SP-C具有TFT-C1、TFT-C2，第四子像素SP-D具有TFT-D1、TFT-D2。G总线与TFT-A、TFT-B、TFT-C1、TFT-C2、TFT-D1、TFT-D2的栅极电极连接。因此，第三子像素、第四子像素SP-C、SP-D具有冗长结构。另外，S总线的第一源极配线S1与第一子像素、第二子像素、第三子像素SP-A、SP-B、SP-C的TFT-A、TFT-B、TFT-C1、TFT-C2的源极电极连接，第二源极配线S2与第四子像素SP-D的TFT-D1、TFT-D2的源极电极连接。

另外，CS总线CS-A与第一、第三子像素和第四子像素SP-A、SP-C、SP-D的辅助电容CCS-A、CCS-C1、CCS-D1连接，CS总线CS-B与第二、第三子像素和第四子像素SP-B、SP-C、SP-D的辅助电容CCS-B、CCS-C2、CCS-D2连接。

在此，关注第三子像素SP-C时，第三子像素SP-C的子像素电极111c在与CS总线CS-B重叠的部分中一部分被切除，子像素电极111c与CS总线CS-B的重叠面积比子像素电极111c与CS总线CS-A的重叠面积小。因此，第三子像素SP-C的辅助电容CCS-C1的静电电容值比辅助电容CCS-C2大。另外，当关注第四子像素SP-D时，第四子像素SP-D的子像素电极111d在与CS总线CS-A重叠的部分中一部分被切除，子像素电极111d与CS总线CS-A的重叠面积比子像素电极111d与CS总线CS-B的重叠面积小。因此，第四子像素SP-D的辅助电容CCS-D1的静电电容值比辅助电容CCS-D2小。因此，第三子像素SP-C的液晶电容CLC-C中CS总线CS-A造成的影响处于优势，第四子像素SP-D的液晶电容CLC-D中CS总线CS-B造成的影响处于优势。因此，在第一子像素成为亮子像素，第二子像素成为暗子像素的情况下，第三子像素成为中亮子像素，第四子像素成为中暗子像素。在该情况下，亮子像素、中亮子像素、中暗子像素、暗子像素的面积比为1∶2∶2∶1。

另外，在液晶显示装置600C1进行点反转驱动的情况下，属于列方向上相邻的2个像素的第三子像素的一方成为中亮子像素，另一方成为中暗子像素。同样地，在列方向上与亮子像素相邻的子像素为暗子像素。

此外，在液晶显示装置600C1中，第三子像素、第四子像素SP-C、SP-D的子像素电极111c、111d与G总线重叠，因此，为了防止短路，在G总线和子像素电极111c、111d之间设置有较厚的绝缘膜。该绝缘膜例如是将栅极绝缘膜和层间绝缘膜层叠而成。通过像这样设置较厚的绝缘膜，抑制寄生电容Cgd的增大。

图40表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置600C2的TFT基板的示意性平面图。

在液晶显示装置600C2中，第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B具有TFT-A1、TFT-A2、TFT-B 1、TFT-B2。第三子像素、第四子像素SP-C、SP-D具有TFT-C1、TFT-C2、TFT-D1、TFT-D2。第一、第二、第三子像素、第四子像素SP-A、SP-B、SP-C、SP-D成为冗长结构。另外，TFT-A1、TFT-B1、TFT-C1、TFT-C2的源极电极从第一源极配线S1开始沿行方向(x方向)延伸，TFT-A2、TFT-B2、TFT-D1、TFT-D2的源极电极从第二源极配线S2开始沿行方向(x方向)延伸。

液晶显示装置600C2中，第三子像素SP-C的子像素电极111c具有电极111c1、电极111c2、和连接电极111c1、111c2的连接部111cc。另外，第四子像素SP-D的子像素电极111d具有电极111d1、电极111d2、和连接电极111d1、111d2的连接部111dc。另外，连接部111cc、111dc的行方向(x方向)的长度比较短，子像素电极111c、111d与G总线的重叠区域的面积减小，抑制寄生电容Cgd的增大。

图41表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置600C3的TFT基板的示意性平面图。

在液晶显示装置600C3中，第三子像素SP-C的子像素电极111c具有电极111c1和电极111c2，第四子像素SP-D的子像素电极111d具有电极111d1、电极111d2。另外，第三子像素、第四子像素SP-C、SP-D具有TFT-C、TFT-D，TFT-C的漏极电极与第一源极配线S1平行设置，TFT-D的漏极电极与第二源极配线S2平行设置。此外，TFT-C的漏极电极连接子像素电极111c的电极111c1、111c2，TFT-D的漏极电极连接子像素电极111d的电极111d1、111d2。此外，TFT-C、TFT-D的漏极电极与G总线重叠，但是TFT-C、TFT-D的漏极电极的行方向(x方向)的长度比较短，寄生电容Cgd的增大被抑制。

图42表示基于本发明的实施方式的液晶显示装置600C4的TFT基板的示意性平面图。

在液晶显示装置600C4中，第一子像素、第二子像素SP-A、SP-B分别具有TFT-A1、TFT-A2、TFT-B1、TFT-B2，第三子像素、第四子像素SP-C、SP-D分别具有TFT-C、TFT-D。

第三子像素、第四子像素SP-C、SP-D的子像素电极111c、111d具有与G总线重叠的连接部111cc、111dc，TFT-C、TFT-D的漏极电极的面积，比第一子像素SP-A的TFT-A1、TFT-A2的漏极电极的面积的和、以及，第二子像素SP-B的TFT-B1、TFT-B2的漏极电极的面积的和小，抑制第三子像素、第四子像素SP-C、SP-D中的TFT的漏极电极与G总线的寄生电容Cgd。因此，能够使第一、第二、第三子像素、第四子像素SP-A、SP-B、SP-C、SP-D的Cgd比大致相等，能够减小漏极电压的馈通电压的差，例如，馈通电压差成为50mV程度以下。由此能够抑制闪烁的发生。

以下，说明3分割结构和4分割结构的液晶显示装置的γ特性的视野角依存性。

图43中，在图3所示的曲线L0、L1、L2和L3的基础上，还表示出4分割结构的右60°视野角的γ曲线(L4)。如上所述，3分割结构的γ曲线L3比2分割结构的γ曲线L2更接近理想的γ曲线，但是4分割结构的γ曲线L4比3分割结构的γ曲线L3又更接近理想的γ曲线，视野角特性良好。

图44是表示3VT结构的液晶显示装置的视野角特性的图表。在该液晶显示装置中，如图16(a)所示，中子像素被分离为2个。施加在各子像素的液晶电容的有效电压的差因灰度等级而不同，施加在亮子像素的液晶电容的有效电压，比施加在中子像素的液晶电容的有效电压大最多0.6V，施加在暗子像素的液晶电容的有效电压，比施加在中子像素的液晶电容的有效电压小最多0.6V。

图44(a)和图44(b)是表示3VT结构的液晶显示装置的γ特性的视野角特性的图表。在这些液晶显示装置中，亮子像素∶中子像素∶暗子像素∶中子像素的子像素电极的面积比为1∶1∶1∶1，亮子像素∶中子像素∶暗子像素的面积比为1∶2∶1。

液晶显示装置的红像素(R)、绿像素(G)和蓝像素(B)的间隙大致相等的情况下，液晶显示装置的γ特性的视野角依存性如图44(a)所示。在此，红像素(R)、绿像素(G)和蓝像素(B)的间隙为3.4μm。另一方面，液晶显示装置的蓝像素(B)的间隙比红像素(R)和绿像素(G)小的情况下，液晶显示装置的γ特性的视野角依存性如图44(b)所示。在此，红像素(R)和绿像素(G)的间隙为3.4μm，蓝像素(B)的间隙为3.0μm。从图44(a)和图44(b)的比较可以理解，在蓝像素的间隙与红和绿像素相等的情况下，关于蓝的γ特性的视野角依存性即使在高灰度等级中也与理想的γ特性的视野角依存性存在偏差，当蓝像素的间隙比红和绿像素小时，能够抑制该偏差。

图44(c)和图44(d)是表示3VT结构的液晶显示装置的γ特性的视野角特性的图表。在这些液晶显示装置中，亮子像素∶中子像素∶暗子像素∶中子像素的子像素电极的面积比为1∶0.5∶1∶0.5，亮子像素∶中子像素∶暗子像素的面积比为1∶1∶1。

液晶显示装置的红像素(R)、绿像素(G)和蓝像素(B)的间隙大致相等的情况下，液晶显示装置的γ特性的视野角依存性如图44(c)所示。在此，红像素(R)、绿像素(G)和蓝像素(B)的间隙为3.4μm。另一方面，液晶显示装置的蓝像素(B)的间隙比红像素(R)和绿像素(G)小的情况下，液晶显示装置的γ特性的视野角依存性如图44(d)所示。在此，红像素(R)和绿像素(G)的间隙为3.4μm，蓝像素(B)的间隙为3.0μm。

在该情况下，从图44(c)和图44(d)的比较可以理解，在蓝像素的间隙与红和绿像素相等的情况下，关于蓝的γ特性的视野角依存性在高灰度等级中与理想值有较大偏差，通过使蓝像素的间隙比红和绿像素小，能够抑制该偏差。另外，从图44(a)～图44(d)的比较可以理解，通过使亮子像素∶中子像素∶暗子像素的面积比大致相等，γ特性的视野角特性更加接近理想的特性。

在此，参照图45说明4VT结构的液晶显示装置的视野角特性。在该液晶显示装置中，亮子像素∶中亮子像素∶中暗子像素∶暗子像素的面积比为1∶1∶1∶1。施加在各子像素的液晶电容的有效电压的差由于灰度等级而不同，施加在中亮子像素的液晶电容的有效电压比施加在中暗子像素的液晶电容的有效电压大最多0.6V，施加在亮子像素的液晶电容的有效电压比施加在中亮子像素的液晶电容的有效电压大最多0.4V。另外，施加在暗子像素的液晶电容的有效电压比施加在中暗子像素的液晶电容的有效电压小最多0.4V。

液晶显示装置的红像素(R)、绿像素(G)和蓝像素(B)的间隙大致相等的情况下，液晶显示装置的γ特性的视野角依存性如图45(a)所示。在此，红像素(R)、绿像素(G)和蓝像素(B)的间隙为3.4μm。另一方面，液晶显示装置的蓝像素(B)的间隙比红像素(R)和绿像素(G)小的情况下，液晶显示装置的γ特性的视野角依存性如图45(b)所示。在此，红像素(R)和绿像素(G)的间隙为3.4μm，蓝像素(B)的间隙为3.0μm。

从图45(a)和图45(b)的比较可以理解，在蓝像素的间隙与红和绿像素相等的情况下，关于蓝的γ特性的视野角依存性在高灰度等级中与理想值有较大偏差，但是通过使蓝像素的间隙比红和绿像素小，能够抑制该偏差。另外，从图44和图45的比较可以理解，4VT结构的液晶显示装置的γ特性的视野角特性比3VT结构的液晶显示装置更接近理想的特性。

此外，本发明的液晶显示装置，由于具有广视野角特性且显示品质非常高，所以适合作为大型的TV接收机的显示装置使用。基于本发明的TV接收机，具有接收电视广播的调谐器等公知的结构和上述的液晶显示装置。

接着，对于将本发明的液晶显示装置适用于电视接收机的例子进行说明。图46是表示该电视接收机的显示装置800的结构的框图。该显示装置800包括Y/C分离电路80、视频色度(Video Chroma)电路81、A/D转换器82、液晶控制器83、液晶面板84、背光源驱动电路85、背光源86、微机(微型计算机)87、和灰度等级电路88。此外，上述液晶面板84包括由有源矩阵型的像素阵列构成的显示部、用于驱动该显示部的源极驱动器和栅极驱动器。

在上述结构的显示装置800中，首先，作为电视信号的复合彩色视频信号Scv从外部被输入Y/C分离电路80，在此被分离为亮度信号和色信号。这些亮度信号和色信号通过视频色度电路81被转换为与光的3原色对应的模拟RGB信号，并且，该模拟RGB信号通过A/D转换器82被转换为数字RGB信号。该数字RGB信号被输入液晶控制器83。另外，在Y/C分离电路80中，从由外部输入的复合彩色视频信号Scv也获取水平和垂直同步信号，这些同步信号也通过微机87输入液晶控制器83。

液晶控制器83，基于来自A/D转换器82的数字RGB信号(相当于上述实施方式中的数字视频信号Dv)输出驱动器用数据信号。另外，液晶控制器83，基于上述同步信号生成用于使液晶面板84内的源极驱动器和栅极驱动器与上述实施方式同样地动作的定时控制信号，并将这些定时控制信号提供到源极驱动器和栅极驱动器。另外，在灰度等级电路88中，生成彩色显示的3原色R、G、B各自的灰度等级电压，这些灰度等级电压也被提供给液晶面板84。

在液晶面板84中，基于这些驱动用数据信号、定时控制信号和灰度等级电压通过内部的源极驱动器、栅极驱动器等生成驱动用信号(数据信号、扫描信号等)，基于这些驱动用信号在内部的显示部显示彩色图像。此外，当利用该液晶面板84显示图像时，需要从液晶面板84的后方照射光。在该显示装置800中，在微机87的控制下背光源驱动电路85驱动背光源86，由此对液晶面板84的背面照射光。

微机87进行包括上述处理的系统整体的控制。此外，作为从外部输入的视频信号(复合彩色视频信号)，不仅是基于电视广播的视频信号，也能够使用利用摄像机拍摄的视频信号、通过互联网线路被供给的视频信号等，在该显示装置800中，能够显示基于各种视频信号的图像显示。

在上述结构的显示装置800中，显示基于电视广播的图像的情况下，如图46(b)所示，在该显示装置800连接调谐部90。该调谐部90从由天线(未图示)接收的接收波(高频信号)中抽取应该接收的频道的信号转换为中频信号，通过对该中频信号进行检波获取作为电视信号的复合彩色视频信号Scv。该复合彩色视频信号Scv如已述那样被输入显示装置800，通过该显示装置800显示基于该复合彩色视频信号Scv的图像。

此外，为了参考，在本说明书中引用作为本申请的基础申请的专利申请2007-66724号和专利申请2007-280865号的公开内容。

产业上的可利用性

本发明尤其适用于大型且具有广视野角特性的液晶TV。

Claims (61)

1.一种液晶显示装置，其特征在于，包括： 

排列为具有多个行和多个列的矩阵状的多个像素；和 

与所述多个像素分别相关联的TFT、源极总线、栅极总线和辅助电容总线， 

所述多个像素各自具有至少3个子像素，所述至少3个子像素分别具有能够保持相互不同的电压的液晶电容， 

所述多个像素各自关联有与所述至少3个子像素对应的至少3个TFT、1个源极总线、至少1个栅极总线、和至少2个辅助电容总线， 

与所述至少3个子像素对应的TFT分别具有栅极电极、源极电极和漏极电极， 

当以所述至少3个子像素作为第一子像素、第二子像素和第三子像素，以所述至少2个辅助电容总线作为第一辅助电容总线和第二辅助电容总线时， 

所述第一子像素具有与所述第一辅助电容总线连接的辅助电容， 

所述第二子像素具有与所述第二辅助电容总线连接的辅助电容， 

所述第三子像素具有与所述第一辅助电容总线连接的辅助电容、和与所述第二辅助电容总线连接的辅助电容， 

通过从所述源极总线、栅极总线和辅助电容总线，对所述多个像素分别供给至少在某中间灰度使所述第一子像素和所述第二子像素显示相互不同的亮度的信号，能够使所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素显示相互不同的亮度， 

所述第三子像素的亮度值为所述第一子像素的亮度和所述第二子像素的亮度的中间值。 

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述至少3个子像素具有的液晶电容具有至少3个子像素电极、液晶层、和隔着所述液晶层与所述至少3个子像素电极相对的相对电极， 

所述相对电极为所述至少3个子像素电极所共用的单一的电极。 

3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述栅极总线包括第一栅极配线和第二栅极配线， 

所述第一辅助电容总线包括第一辅助电容配线和第二辅助电容配线， 

所述第二辅助电容总线包括第三辅助电容配线和第四辅助电容配线。 

4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第一栅极配线和第二栅极配线在所述液晶显示装置内分支， 

所述第一辅助电容配线和第二辅助电容配线在所述液晶显示装置内分支， 

所述第三辅助电容配线和第四辅助电容配线在所述液晶显示装置内分支。 

5.根据权利要求3或4所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第一子像素、第二子像素和第三子像素沿列方向排列， 

所述第三子像素配置在所述第一子像素和所述第二子像素之间。 

6.根据权利要求3或4所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第三子像素包括具有与所述第一栅极配线连接的栅极电极的TFT、和具有与所述第二栅极配线连接的栅极电极的TFT。 

7.根据权利要求3或4所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述栅极总线还具有连接所述第一栅极配线和第二栅极配线的连接配线， 

所述辅助电容总线还具有连接所述第一辅助电容配线和第二辅助电容配线的连接配线、和/或连接所述第三辅助电容配线和第四辅助电容配线的连接配线， 

所述栅极总线的所述连接配线由与所述栅极总线的所述第一栅极配线和第二栅极配线相同的材料形成， 

所述辅助电容总线的所述连接配线由与所述源极总线相同的材料形成。 

8.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第三子像素具有的与所述第一辅助电容总线连接的所述辅助电容的静电电容值，和与所述第二辅助电容总线连接的所述辅助电容的静电电容值大致相等。 

9.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其特征在于： 

在所述第一子像素、第二子像素和第三子像素显示相互不同的亮度的情况下，所述第三子像素的亮度，比所述第一子像素、第二子像素的一方的亮度高，比另一方的亮度低，

所述第三子像素在列方向成条状设置。 

10.根据权利要求8或9所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第一子像素和第二子像素沿列方向排列， 

所述源极总线设置在所述第一子像素和第二子像素与所述第三子像素之间。 

11.根据权利要求10所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第一子像素、第二子像素、第三子像素的面积比为1∶1∶1。 

12.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第三子像素跨越所述栅极总线。 

13.根据权利要求12所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第三子像素的子像素电极跨越所述栅极总线。 

14.根据权利要求13所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第三子像素的子像素电极的跨越所述栅极总线的部分的行方向的长度，比所述第三子像素的子像素电极的行方向的最大的长度短。 

15.根据权利要求12所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第三子像素的TFT的漏极电极跨越所述栅极总线。 

16.根据权利要求15所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第三子像素的子像素电极具有第一电极和第二电极， 

所述第三子像素的TFT的漏极电极与所述源极总线平行设置，所述漏极电极连接所述第三子像素的子像素电极的所述第一电极和所述第二电极。 

17.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第三子像素的TFT的漏极电极与所述栅极总线重叠的面积，比所述第一子像素和第二子像素的TFT的漏极电极与所述栅极总线重叠的各个面积小。 

18.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第一子像素和第二子像素沿列方向排列， 

所述第三子像素具有第一区域和第二区域， 

所述源极总线具有在所述第一子像素和第二子像素与所述第三子像素的第一区域之间设置的第一源极配线；和在所述第一子像素和第二子像素与所述第三子像素的第二区域之间设置的第二源极配线， 

所述第一子像素和第二子像素的列方向的各自的长度，为所述第三子像素的所述第一区域和所述第二区域的列方向的各自的长度的一半， 

所述第一子像素和第二子像素的行方向的长度，为所述第三子像素的所述第一区域或者所述第二区域的行方向的长度的大致4倍。 

19.根据权利要求18所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第三子像素具有与所述第一区域和第二区域对应的子像素电极， 

所述第一子像素、第二子像素和第三子像素的子像素电极分别连接有多个TFT。 

20.根据权利要求18所述的液晶显示装置，其特征在于： 

在所述第一源极配线和第二源极配线分别设置有多个TFT， 

所述第三子像素具有与所述第一区域和第二区域对应设置的TFT， 

在所述第三子像素的所述第一区域和第二区域设置的TFT的漏极电极各自的面积，比第一子像素和第二子像素的TFT的漏极电极各自的面积小。 

21.根据权利要求20所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第一子像素和第二子像素分别具有多个TFT， 

在所述第一区域和第二区域中设置的TFT各自的数量，比所述第一子像素和第二子像素的TFT各自的数量少。 

22.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第一子像素在所述某中间灰度在所述至少3个子像素内呈现最亮的亮度， 

所述第二子像素和第三子像素的至少一方，具有以夹着所述第一子像素的方式配置的2个区域。 

23.根据权利要求22所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第二子像素和第三子像素的所述至少一方，具有在所述2个区域连续的子像素电极。 

24.根据权利要求23所述的液晶显示装置，其特征在于： 

在所述2个区域连续的子像素电极为环状。 

25.根据权利要求23所述的液晶显示装置，其特征在于： 

在所述2个区域连续的子像素电极为コ字状。 

26.根据权利要求22所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第二子像素和第三子像素的所述至少一方，具有与所述2个 区域对应的2个子像素电极，所述2个子像素电极通过连接在该子像素相关联的TFT的漏极电极的漏极引出配线相互连接。 

27.根据权利要求26所述的液晶显示装置，其特征在于： 

具有与所述3个TFT的漏极电极分别连接的3个漏极引出配线， 

所述第一辅助电容总线和第二辅助电容总线的至少一方具有延伸设置部， 

所述延伸设置部隔着绝缘层与所述至少3个子像素电极和所述3个漏极引出配线的至少1个重叠。 

28.根据权利要求27所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第一辅助电容总线和第二辅助电容总线的所述至少一方具有的所述延伸设置部包括环状部。 

29.根据权利要求27或28所述的液晶显示装置，其特征在于： 

在所述至少3个子像素电极内的相互相邻的子像素电极间的间隙，配置有选自所述漏极引出配线、所述源极总线、所述第一辅助电容总线和第二辅助电容总线内的至少一个配线的一部分。 

30.根据权利要求29所述的液晶显示装置，其特征在于： 

具有垂直取向型的液晶层，所述至少3个子像素电极内的所述相互相邻的子像素电极间的所述间隙包括沿相对于列方向大约45°的方向延伸的间隙。 

31.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第一子像素、第二子像素和第三子像素配置在所述第一辅助电容总线和第二辅助电容总线之间，所述第一辅助电容总线和第二辅助电容总线分别与在列方向上相邻的像素的辅助电容连接。 

32.根据权利要求31所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第一子像素、第二子像素和第三子像素的子像素电极各自的沿列方向的2个边的长度大致相等。 

33.根据权利要求31所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述至少1个栅极总线具有第一栅极配线和第二栅极配线， 

所述第三子像素包括具有与所述第一栅极配线连接的栅极电极的TFT、和具有与所述第二栅极配线连接的栅极电极的TFT， 

所述第三子像素的2个TFT的漏极电极分别与2个漏极引出配线连接， 

所述2个漏极引出配线分别与所述至少1个栅极总线交叉。 

34.根据权利要求31所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述至少1个栅极总线具有栅极配线， 

所述第三子像素包括分别具有与所述栅极配线连接的栅极电极的2个TFT， 

所述第三子像素的2个TFT的漏极电极分别与2个漏极引出配线连接， 

所述第三子像素的子像素电极跨越所述栅极总线。 

35.根据权利要求34所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第三子像素的子像素电极具有第一电极、第二电极、和将所述第一电极和第二电极连接的连接部， 

所述连接部的行方向的长度比所述第一电极、第二电极的所述行方向的长度短。 

36.根据权利要求35所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第三子像素的子像素电极的连接部设置在所述像素的行方向的中央附近。 

37.根据权利要求34～36中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第一子像素的TFT和所述第三子像素的一个TFT的栅极电极，和/或所述第二子像素的TFT和所述第三子像素的另一个TFT的栅 极电极，作为栅极电极部一体地设置，并与所述栅极总线连接， 

所述第一子像素和第二子像素的TFT各自的漏极电极，与所述栅极电极部和所述栅极总线重叠。 

38.根据权利要求33～36中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述2个漏极引出配线与所述第一辅助电容总线和第二辅助电容总线分别重叠， 

所述第一子像素和第二子像素的子像素电极，不与所述2个漏极引出配线与所述第一辅助电容总线和第二辅助电容总线重叠的区域重叠。 

39.根据权利要求33～36中任一项所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第三子像素的子像素电极分别通过接触孔与所述2个漏极引出配线连接，所述2个漏极引出配线分别具有与所述第一辅助电容总线和第二辅助电容总线重叠的辅助电容电极。 

40.根据权利要求31所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述至少1个栅极总线具有第一栅极配线和第二栅极配线， 

所述第三子像素包括具有与所述第一栅极配线或者所述第二栅极配线连接的栅极电极的TFT。 

41.根据权利要求40所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第三子像素的TFT的漏极电极与漏极引出配线连接， 

所述漏极引出配线与所述第一辅助电容总线和第二辅助电容总线重叠， 

所述第一子像素和第二子像素的子像素电极，不与所述漏极引出配线与所述第一辅助电容总线和第二辅助电容总线重叠的区域重叠。 

42.根据权利要求40或41所述的液晶显示装置，其特征在于： 

在沿行方向的像素中，按每至少一个像素使所述第三子像素的TFT的栅极电极与不同的栅极配线连接。 

43.根据权利要求40或41所述的液晶显示装置，其特征在于： 

沿行方向相邻的2个像素中，一个像素的第三子像素的TFT的栅极电极与所述第一栅极配线连接，另一个像素的第三子像素的TFT的栅极电极与所述第二栅极配线连接。 

44.根据权利要求33、34或40所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第三子像素的TFT的漏极电极的面积，比所述第一子像素和第二子像素的TFT的漏极电极的各个的面积小。 

45.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第一子像素、第二子像素和第三子像素的面积相互大致相等。 

46.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述多个像素分别还具有第四子像素， 

所述第四子像素具有与所述第一辅助电容总线连接的辅助电容、和与所述第二辅助电容总线连接的辅助电容。 

47.根据权利要求46所述的液晶显示装置，其特征在于： 

在所述第三子像素中，以与所述第一辅助电容总线连接的辅助电容作为第一辅助电容，以与所述第二辅助电容总线连接的辅助电容作为第二辅助电容， 

在所述第四子像素中，以与所述第一辅助电容总线连接的辅助电容作为第三辅助电容，以与所述第二辅助电容总线连接的辅助电容作为第四辅助电容， 

所述第一辅助电容的静电电容值与所述第二辅助电容的静电电容值不同， 

所述第三辅助电容的静电电容值与所述第四辅助电容的静电电容值不同。 

48.根据权利要求46或47所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述源极总线具有第一源极配线和第二源极配线， 

所述第一子像素和第二子像素，在所述第一源极配线和所述第二源极配线之间沿列方向排列， 

所述第三子像素相对于所述第一子像素和第二子像素夹着所述第一源极配线配置，所述第四子像素相对于所述第一子像素和第二子像素夹着所述第二源极配线配置。 

49.根据权利要求48所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第三子像素和第四子像素跨越所述栅极总线。 

50.根据权利要求49所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素分别具有多个TFT。 

51.根据权利要求49或50所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第三子像素和第四子像素的子像素电极跨越所述栅极总线。 

52.根据权利要求51所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第三子像素和第四子像素的子像素电极中跨越所述栅极总线的部分的行方向的长度，比所述第三子像素、第四子像素的子像素电极的行方向的最大长度短。 

53.根据权利要求49或50所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第三子像素和第四子像素的TFT的漏极电极跨越所述栅极总线。 

54.根据权利要求53所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第三子像素和第四子像素的子像素电极分别具有2个电极， 

所述第三子像素和第四子像素的TFT的漏极电极与所述源极总线平行设置，所述第三子像素和第四子像素的TFT的漏极电极分别将所述第三子像素和第四子像素的子像素电极的所述2个电极连接。 

55.根据权利要求47所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素的TFT的漏极电极与所述栅极总线重叠， 

所述第三子像素和第四子像素的TFT的漏极电极与所述栅极总线重叠的各个面积，比所述第一子像素和第二子像素的TFT的漏极电极与所述栅极总线重叠的各个面积小。 

56.根据权利要求55所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第一子像素和第二子像素分别具有多个TFT， 

所述第三子像素和第四子像素各自的TFT的数量比所述第一子像素、第二子像素各自的TFT的数量少。 

57.根据权利要求46所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第一子像素、第二子像素、第三子像素和第四子像素的面积相互大致相等。 

58.一种液晶显示装置，其特征在于，包括： 

排列为具有多个行和多个列的矩阵状的多个像素；和 

与所述多个像素分别相关联的TFT、源极总线、栅极总线和辅助电容总线， 

所述多个像素各自具有至少3个子像素，所述至少3个子像素分别具有能够保持相互不同的电压的液晶电容， 

所述多个像素各自关联有与所述至少3个子像素对应的至少3个TFT、1个源极总线、至少1个栅极总线、和至少2个辅助电容总线， 

与所述至少3个子像素对应的TFT分别具有栅极电极、源极电极和漏极电极， 

当以所述至少3个子像素作为第一子像素、第二子像素和第三子像素，以所述至少2个辅助电容总线作为第一辅助电容总线和第二辅助电容总线时， 

所述第一子像素具有与所述第一辅助电容总线连接的辅助电容， 

所述第二子像素具有与所述第二辅助电容总线连接的辅助电容， 

所述第三子像素具有与所述至少1个栅极总线连接的辅助电容， 

通过从所述源极总线、栅极总线和辅助电容总线，对所述多个像素分别供给至少在某中间灰度使所述第一子像素和所述第二子像素显示相互不同的亮度的信号，能够使所述第一子像素、所述第二子像素、所述第三子像素显示相互不同的亮度， 

所述第三子像素的亮度值为所述第一子像素的亮度和所述第二子像素的亮度的中间值。 

59.根据权利要求58所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第一子像素、第二子像素和第三子像素设置在相邻的2个栅极总线之间， 

所述第一子像素、第二子像素和第三子像素的TFT的栅极电极，与所述2个栅极总线中的一个栅极总线连接， 

所述第一辅助电容总线和第二辅助电容总线设置在所述2个栅极总线之间， 

所述第三子像素的辅助电容与所述2个栅极总线中的另一个栅极总线连接。 

60.根据权利要求58所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述第一子像素、第二子像素和第三子像素配置在所述第一辅助电容总线和第二辅助电容总线之间， 

所述第三子像素的辅助电容，与用于选择列方向上相邻的像素的栅极总线连接。 

61.根据权利要求58所述的液晶显示装置，其特征在于： 

所述多个像素具有显示红色的红像素、显示蓝色的蓝像素和显示绿色的绿像素， 

所述蓝像素的单元间隙比所述红像素或者所述绿像素的单元间隙小。 

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